CN117096727A - 一种电吸收调制激光器的调试***及方法 - Google Patents

一种电吸收调制激光器的调试***及方法 Download PDF

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CN117096727A CN202311024874.6A CN202311024874A CN117096727A CN 117096727 A CN117096727 A CN 117096727A CN 202311024874 A CN202311024874 A CN 202311024874A CN 117096727 A CN117096727 A CN 117096727A
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朱雁祥
汪良华
周俊
杨建军
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Abstract

本发明涉及一种电吸收调制激光器的调试***及方法，属于激光器技术领域。包括：MCU输出第一控制信号至负压控制模块以控制电吸收调制激光器的EAM负压，基于当前EAM负压，MCU输出持续增大的第二控制信号至驱动模块以控制电吸收调制激光器的电流；比较电吸收调制激光器的输出功率和目标功率值的大小以及其他指标和对应目标值的大小；当输出功率调试成功而其他指标未调试成功时，增大第一控制信号以减小EAM负压；当输出功率未调试成功时，减小第一控制信号以增大EAM负压直到所有指标均调试成功。本申请通过输出功率来确定EAM负压的调试方向，不断缩小EAM负压的调试范围，提高了电吸收调试激光器的调试效率。

Description

一种电吸收调制激光器的调试***及方法
技术领域
本申请涉及激光器技术领域，尤其是指一种电吸收调制激光器的调试***及方法。
背景技术
半导体激光器是利用半导体晶体产生激光的器件，其凭借体积小、重量轻、效率高、寿命长等优点被广泛应用于工业、军事、医疗、通讯等领域。
电吸收调制激光器(External Modulated Laser，EML)是电吸收调制器(Electroabsorption Modulators，EAM)和分布反馈激光器(Distributed FeedbackLaser，DFB)的集成器件。电吸收调制激光器发射前需要调试其电流和EAM负压，使得激光器的输出功率和消光比、脉冲信号上升时间等指标均达到目标值。一般的调试过程需要先确定一个最小初始EAM负压值，再使用二分法调试激光器的电流，若当前的EAM负压值无法使激光器的输出功率和其他指标达到目标值，则加深EAM负压值再次进行调试，直到电吸收调制激光器的输出功率和消光比等指标均达到目标值。这种调试方法仅通过机械地加深EAM负压直到所有指标均调试成功，没有明确的EAM负压调整方向，导致整个调试过程效率低下耗费时间。
综上所述，现有的电吸收调制激光器的调试方法存在调试过程效率低下耗费时间的问题。
发明内容
为此，本申请所要解决的技术问题在于克服现有技术中EML激光器的调试过程效率低下耗费时间的问题。
为解决上述技术问题，本申请提供了一种电吸收调制激光器的调试***，包括：
MCU，其包括：
控制信号输出模块，用于输出第一控制信号和持续增大的第二控制信号；
参数接收模块，用于接收外部机台传输的电吸收调制激光器的输出功率和其他指标；
参数比较模块，用于比较所述输出功率和目标功率值的大小以及所述其他指标和对应目标值的大小；
参数调整模块，用于当所述输出功率大于等于所述目标功率值，且
所述其他指标未全部大于等于对应目标值时，将当前第一控制信号作为参考信号并增大第一控制信号；当所述输出功率小于所述目标功率值时，减小第一控制信号，其中，减小后的第一控制信号不小于所述参考控制信号；
负压控制模块，其输入端与所述MCU的控制信号输出模块相连，其输出端与所述电吸收调制激光器的电吸收调制器模块相连，用于将第一控制信号转换为负压信号传输至所述电吸收调制器模块，以控制所述电吸收调制激光器的EAM负压；
驱动模块，其输入端与所述MCU的控制信号输出模块相连，其输出端与所述电吸收调制激光器的DFB激光器模块相连，用于将所述第二控制信号转换为电流信号传输至所述DFB激光器模块，以控制所述电吸收调制激光器的电流。
在本申请的一个实施例中，还包括第一保护电路，其包括：
第一电阻，其第一端口与所述驱动模块的输出端相连，其第二端口与所述DFB激光器模块相连；
第一晶体管，其发射极与所述第一电阻的第一端口相连，其集电极与所述MCU相连，并通过第二电阻接地，其基极通过第一开关与所述第一电阻的第二端口相连。
在本申请的一个实施例中，所述第一保护电路还包括第二晶体管，其源极与所述第一电阻的第二端口相连，其漏极与所述第一晶体管的基极相连，其栅极与所述MCU相连，用于接收所述MCU输出的第三控制信号以控制所述第一保护电路导通或关断。
在本申请的一个实施例中，还包括TEC控制器，其输入端与所述MCU的控制信号输出模块相连，其输出端与所述电吸收调制激光器的温度控制器模块相连，用于接收所述MCU输出的第四控制信号，并将所述第四控制信号转换为电压信号传输至所述温度控制器模块，以控制所述电吸收调制激光器的工作温度。
在本申请的一个实施例中，还包括第二保护电路，其包括：
第三电阻，其第一端口与所述TEC控制器的输出端相连，其第二端口与所述温度控制器模块相连；
第三晶体管，其源极与所述第三电阻的第一端口相连，其漏极与所述MCU相连，并通过第四电阻接地，其栅极通过第二开关与所述第三电阻的第二端口相连。
在本申请的一个实施例中，所述第二保护电路还包括第四晶体管，其源极与所述第三电阻的第二端口相连，其漏极与所述第三晶体管的基极相连，其栅极与所述MCU相连，用于接收所述MCU输出的第五控制信号以控制所述第二保护电路导通或关断。
本申请还提供了一种电吸收调制激光器的调试方法，所述方法应用于上述的电吸收调制激光器的调试***中，包括：
S10：MCU输出第一控制信号至负压控制模块，所述负压控制模块将所述第一控制信号转换为负压信号传输至电吸收调制激光器的电吸收调制器模块，控制所述电吸收调制激光器的EAM负压；
S20：所述MCU输出持续增大的第二控制信号至驱动模块，所述驱动模块将所述第二控制信号转换为电流信号传输至所述电吸收调制激光器的DFB激光器模块，控制所述电吸收调制激光器的电流；
S30：所述MCU实时监测所述电吸收调制激光器的输出功率和其他指标，并将所述输出功率与目标功率值进行比较；
S40：若所述输出功率大于等于所述目标功率值，则将当前第一控制信号作为参考控制信号，所述MCU判断其他指标是否均大于等于对应目标值，若是，则结束调试；若否，则增大第一控制信号并返回执行步骤S10；
S50：若所述输出功率小于所述目标功率值，则减小第一控制信号并返回执行步骤S10；其中，减小后的第一控制信号不小于所述参考控制信号。
在本申请的一个实施例中，步骤S30包括：
所述MCU输出第三控制信号至所述第二晶体管的栅极，并实时监测所述第一晶体管的集电极电压；
当所述第一晶体管的集电极电压增大时，所述MCU比较所述电吸收调制激光器的输出功率与目标功率值的大小。
在本申请的一个实施例中，步骤S10前还包括：所述MCU输出第四控制信号至所述TEC控制器，所述TEC控制器将所述第四控制信号转换为电压信号传输至所述电吸收调制激光器的温度控制器模块，以控制所述电吸收调制激光器的工作温度。
在本申请的一个实施例中，还包括：所述MCU输出第五控制信号至所述第四晶体管的栅极，并实时监测所述第三晶体管的漏极电压，当所述第三晶体管的漏极电压增大时，减小所述第四控制信号。
本申请提供的电吸收调制激光器的调试***由MCU的控制信号输出模块输出第一控制信号至负压控制模块，以控制电吸收调制激光器的EAM负压，在当前EAM负压下，该控制信号输出模块输出持续增大的第二控制信号至驱动模块以控制电吸收调制激光器的电流；由MCU的参数接收模块接收电吸收调制激光器的输出功率和其他指标，并通过参数比较模块比较输出功率和目标功率值的大小以及其他指标和对应目标值的大小；当输出功率调试成功而其他指标未调试成功时，将当前第一控制信号作为参考控制信号并通过增大第一控制信号以减小EAM负压；当输出功率未调试成功时，通过减小第一控制信号以增大EAM负压；其中，减小后的第一控制信号不小于参考控制信号，从而不断缩小EAM负压的调试范围。
本申请提供的电吸收调制激光器的调试***通过电吸收调制激光器的输出功率来确定EAM负压的调试方向，将输出功率调试成功时的第一控制信号作为参考控制信号，不断缩小EAM负压的调试范围，提高了电吸收调试激光器的调试效率。
附图说明
为了使本申请的内容更容易被清楚的理解，下面根据本申请的具体实施例并结合附图，对本申请作进一步详细的说明，其中
图1为本申请提供的一种电吸收调制激光器的调试***示意图；
图2为本申请提供的一种第一保护电路示意图；
图3为本申请提供的第二种第一保护电路示意图；
图4为本申请提供的第三种第一保护电路示意图；
图5为本申请提供的另一种电吸收调制激光器的调试***示意图；
图6为本申请提供的一种第二保护电路示意图；
图7为本申请提供的第二种第二保护电路示意图；
图8为本申请提供的第三种第二保护电路示意图；
图9为本申请提供的电吸收调制激光器的调试方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。
实施例1
参照图1所示，本申请提供的电吸收调制激光器的调试***包括：
MCU，其包括：
控制信号输出模块，用于输出第一控制信号和持续增大的第二控制信号。
具体地，初始的第一控制信号可以根据电吸收调制激光器的眼图质量来确定；第二控制信号的范围可以根据电吸收调制激光器的电流阈值来确定。
参数接收模块，用于接收外部机台传输的电吸收调制激光器的输出功率和其他指标。
具体地，外部机台用于测量电吸收调制激光器的输出功率和及其他指标，并通过I2C协议将测量得到的输出功率和其他指标传输至MCU。
这里的其他指标包括电吸收调制激光器的消光比、眼图的上升时间等。
参数比较模块，用于比较输出功率和目标功率值的大小以及其他指标和对应目标值的大小。
参数调整模块，用于当输出功率大于等于目标功率值，且其他指标未全部大于等于对应目标值时，将当前第一控制信号作为参考信号并增大第一控制信号；当输出功率小于目标功率值时，减小第一控制信号，
其中，减小后的第一控制信号不小于参考控制信号。
负压控制模块，其输入端与MCU的控制信号输出模块相连，其输出端与电吸收调制激光器的电吸收调制器模块相连，用于将第一控制信号转换为负压信号传输至电吸收调制器模块，以控制电吸收调制激光器的EAM负压。
具体地，该负压控制模块可以是负压电路或负压芯片。
驱动模块，其输入端与MCU的控制信号输出模块相连，其输出端与电吸收调制激光器的DFB激光器模块相连，用于将第二控制信号转换为电流信号传输至DFB激光器模块，以控制电吸收调制激光器的电流。
在对电吸收调制激光器进行调试时，由MCU先输出第一控制信号将激光器的EAM负压稳定在初始值，之后输出持续增大的第二控制信号至驱动模块，随着激光器的电流逐渐增大，MCU实时接收外部机台传输的激光器的输出功率和其他指标，并将输出功率和目标功率值进行比较。当输出功率大于等于目标功率值时，表明电吸收调制激光器的输出功率调试成功，MCU将当前的第一控制信号作为参考控制信号，并判断其他指标是否调试成功，如果其他指标均调试成功，则对电吸收调制激光器的调试结束；若其他指标未全部调试成功，则需要增大第一控制信号以减小电吸收调制激光器的EAM负压，以调试其他指标使其达到对应的目标值；若输出功率小于目标功率值，则需要先减小第一控制信号以增大EAM负压使得输出功率达到目标功率值。
本申请以输出功率调试结果作为调整EAM负压的参考，当输出功率调试成功后，通过减小EAM负压即可使得其他指标调试成功；若输出功率调试失败，则增大EAM负压先使得输出功率达到目标功率值；在整个调试过程中，输出功率每调试成功一次，都会有新的参考控制信号，从而缩小EAM负压的调试范围，以提高电吸收调制激光器的调试效率。
可选地，本申请还包括第一保护电路，如图2所示，其包括：
第一电阻R1，其第一端口与驱动模块的输出端相连，其第二端口与DFB激光器模块相连；
第一晶体管Q1，其发射极与第一电阻的第一端口相连，其集电极与MCU相连，并通过第二电阻R2接地，其基极通过第一开关与第一电阻的第二端口相连。
具体地，在本实施例中，第一晶体管为PNP型三极管，当第一开关闭合时第一保护电路导通，随着第二控制信号增大，驱动模块输出的电流信号也逐渐增大，当第一晶体管的基极和发射极之间的电压差值大于其导通电压时，第一晶体管导通，部分电流通过第一晶体管流向第二电阻，避免了电吸收调制激光器被大电流损伤。
示例地，若第一晶体管的基极和发射极之间的导通电压为0.6V，电吸收调制激光器能够流过的最大电流为Imax，则第一电阻R1的阻值为0.6/Imax，因此，当驱动模块输出的电流信号超过Imax时，第一晶体管导通。
可选地，该第一保护电路的通断除了可以通过第一开关控制，还可以通过设置MOS管来控制，如图3所示，该第一保护电路还包括：
第二晶体管Q2，其源极与第一电阻的第二端口相连，其漏极与第一晶体管的基极相连，其栅极与MCU相连，用于接收MCU输出的第三控制信号以控制第一保护电路导通或关断。
可选地，在其他实施例中，也可以通过在第二晶体管的栅极上拉VCC或下拉GND来控制第二晶体管的导通或关断以控制第一保护电路的导通或关断，如图4所示。
可选地，如图5所示，本实施例中提供的电吸收调制激光器的调试***还包括：
TEC控制器，其输入端与MCU的控制信号输出模块相连，其输出端与电吸收调制激光器的温度控制器模块相连，用于接收MCU输出的第四控制信号并将该第四控制信号转换为电压信号，以控制电吸收调制激光器的工作温度。
在电吸收调制激光器的调试及工作过程中，通常需要将其工作温度稳定在环境温度，因此，本实施例中在该电吸收调制激光器的调试***中增加了TEC控制器以控制其工作温度。
可选地，基于该TEC控制器控制电吸收调制激光器的工作温度，本实施例中还提供了相应地第二保护电路，如图6所示，其包括：
第三电阻R3，其第一端口与TEC控制器的输出端相连，其第二端口与温度控制器模块相连；
第三晶体管Q3，其源极与第三电阻的第一端口相连，其漏极与MCU相连，并通过第四电阻R4接地，其栅极通过第二开关与第三电阻的第二端口相连。
具体地，本实施例中的第三晶体管为PMOS，当第二开关闭合时，第二保护电路导通，若MCU输出的第四控制信号过大使得TEC控制器输出的电压信号过大时，第三晶体管导通，部分电流流经第三晶体管流向第四电阻，避免了电吸收调制激光器被大电流损伤。
可选地，该第二保护电路还可以通过设置MOS管来控制其导通或关断，如图7所示，该第二保护电路还包括：
第四晶体管Q4，其源极与第三电阻的第二端口相连，其漏极与第二晶体管的栅极相连，其栅极与MCU相连，用于接收MCU输出的第五控制信号以控制第二保护电路导通或关断。
可选地，在其他实施例中，也可以通过在第四晶体管的栅极上拉VCC或下拉GND来控制第四晶体管的导通或关断以控制第二保护电路的导通或关断，如图8所示。
本实施例在电吸收调制激光器的调试***中增加了第一保护电路，使得电吸收调制激光器在调试过程中避免被大电流损伤；而且通过设置TEC控制器和第二保护电路，可以通过MCU输出控制信号来调试电吸收调制激光器的工作温度，并且在温度调试过程中，利用第二保护电路分流使得电吸收调制激光器不被大电流损伤。
实施例2
基于上述实施例1提供的电吸收调制激光器的调试***，本实施例中提供了一种电吸收调制激光器的调试方法，如图9所示，其包括：
S10：MCU输出第一控制信号至负压控制模块，负压控制模块将第一控制信号转换为负压信号传输至电吸收调制激光器的电吸收调制器模块，控制电吸收调制激光器的EAM负压。
S20：MCU输出持续增大的第二控制信号至驱动模块，驱动模块将第二控制信号转换为电流信号传输至电吸收调制激光器的DFB激光器模块，控制电吸收调制激光器的电流。
S30：MCU实时监测电吸收调制激光器的输出功率和其他指标，并将输出功率与目标功率值进行比较。
S40：若输出功率大于等于目标功率值，则将当前第一控制信号作为参考控制信号，MCU判断其他指标是否均大于等于目标值，若是，则结束调试；若否，则增大第一控制信号并返回执行步骤S10。
S50：若输出功率小于目标功率值，则减小第一控制信号并返回执行步骤S10；其中，减小后的第一控制信号不小于参考控制信号。
具体地，由于EAM负压为负值，因此第一控制信号增大，负压控制模块基于该第一控制信号转换的负压信号减小，相应地，EAM负压值减小；第一控制信号减小，负压控制模块基于该第一控制信号转换的负压信号增大，相应地，EAM负压值增大。
示例地，若EAM负压值为V1电流为I1时，其输出功率大于等于目标功率值，其他指标未全部达到相应的目标值，则增大第一控制信号以减小EAM负压值；若减小后的EAM负压值为V2，并且在该EAM负压值下没有相应的电流值使得电吸收调制激光器的输出功率达到目标功率值，则需要再次减小第一控制信号以增大EAM负压值，先使得电吸收调制激光器的输出功率达到目标值，此时，增大后的EAM负压值大于V2小于V1。因此，在整个调试过程中，通过判断输出功率是否调试成功能够不断缩小EAM负压的调试范围，以尽快找到合适的EAM负压和电流，相比现有技术中机械地加深EAM负压直到所有指标均调试成功，本申请提供的调试方法具有更高的调试效率。
具体地，在本申请的一些实施例中，步骤S30包括：
S300：MCU输出第三控制信号至第二晶体管的栅极，并实时监测第一晶体管的集电极电压。
S301：当第一晶体管的集电极电压增大时，MCU比较电吸收调制激光器的输出功率与目标功率值的大小。
MCU输出第三控制信号至第二晶体管的栅极，使得第二晶体管导通，相应地，第一保护电路随之导通。随着第二控制信号增大，驱动模块输出的电流信号也逐渐增大，第一保护电路中的第一晶体管导通。此时，MCU无需实时监测并比较电吸收调制激光器的输出功率和目标功率值的大小，而是当第一晶体管的集电极电压增大时再比较电吸收调制激光器的输出功率和目标功率值的大小，简化了调试过程。这是因为第一晶体管导通表明驱动模块输出的电流较大，此时电吸收调制激光器的输出功率更接近目标功率值。
可选地，基于实施例1中的TEC控制器，步骤S10前还包括：MCU输出第四控制信号至TEC控制器，TEC控制器将第四控制信号转换为电压信号传输至电吸收调制激光器的温度控制器模块，以控制电吸收调制激光器的工作温度。
可以通过TEC控制器先将电吸收调制激光器的工作温度稳定在环境温度，避免其工作温度和环境温度差异较大影响电吸收调制激光器的出光效率。
可选地，基于实施例1中的第二保护电路，在对电吸收调制激光器的工作温度进行调试过程中还包括：MCU输出第五控制信号至第四晶体管的栅极，并实时监测第三晶体管的漏极电压，当第三晶体管的漏极电压增大时，减小第四控制信号。
MCU输出第五控制信号至第四晶体管的栅极使得第四晶体管导通，相应地，第二保护电路导通，若第四控制信号较大使得第二保护电路中的第三晶体管导通，则MCU需要实时监测第三晶体管的漏极电压，当第三晶体管的漏极电压增大时，则需要减小第四控制信号以减小TEC控制器输出的电压信号，避免对电吸收调制激光器造成损伤。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。

Claims (10)

1.一种电吸收调制激光器的调试***，其特征在于，包括：
MCU，其包括：
控制信号输出模块，用于输出第一控制信号和持续增大的第二控制信号；
参数接收模块，用于接收外部机台传输的电吸收调制激光器的输出功率和其他指标；
参数比较模块，用于比较所述输出功率和目标功率值的大小以及所述其他指标和对应目标值的大小；
参数调整模块，用于当所述输出功率大于等于所述目标功率值，且所述其他指标未全部大于等于对应目标值时，将当前第一控制信号作为参考信号并增大第一控制信号；当所述输出功率小于所述目标功率值时，减小第一控制信号，其中，减小后的第一控制信号不小于所述参考控制信号；
负压控制模块，其输入端与所述MCU的控制信号输出模块相连，其输出端与所述电吸收调制激光器的电吸收调制器模块相连，用于将第一控制信号转换为负压信号传输至所述电吸收调制器模块，以控制所述电吸收调制激光器的EAM负压；
驱动模块，其输入端与所述MCU的控制信号输出模块相连，其输出端与所述电吸收调制激光器的DFB激光器模块相连，用于将所述第二控制信号转换为电流信号传输至所述DFB激光器模块，以控制所述电吸收调制激光器的电流。
2.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器的调试***，其特征在于，还包括第一保护电路，其包括：
第一电阻，其第一端口与所述驱动模块的输出端相连，其第二端口与所述DFB激光器模块相连；
第一晶体管，其发射极与所述第一电阻的第一端口相连，其集电极与所述MCU相连，并通过第二电阻接地，其基极通过第一开关与所述第一电阻的第二端口相连。
3.根据权利要求2所述的电吸收调制激光器的调试***，其特征在于，所述第一保护电路还包括第二晶体管，其源极与所述第一电阻的第二端口相连，其漏极与所述第一晶体管的基极相连，其栅极与所述MCU相连，用于接收所述MCU输出的第三控制信号以控制所述第一保护电路导通或关断。
4.根据权利要求1所述的电吸收调制激光器的调试***，其特征在于，还包括TEC控制器，其输入端与所述MCU的控制信号输出模块相连，其输出端与所述电吸收调制激光器的温度控制器模块相连，用于接收所述MCU输出的第四控制信号，并将所述第四控制信号转换为电压信号传输至所述温度控制器模块，以控制所述电吸收调制激光器的工作温度。
5.根据权利要求4所述的电吸收调制激光器的调试***，其特征在于，还包括第二保护电路，其包括：
第三电阻，其第一端口与所述TEC控制器的输出端相连，其第二端口与所述温度控制器模块相连；
第三晶体管，其源极与所述第三电阻的第一端口相连，其漏极与所述MCU相连，并通过第四电阻接地，其栅极通过第二开关与所述第三电阻的第二端口相连。
6.根据权利要求5所述的电吸收调制激光器的调试***，其特征在于，所述第二保护电路还包括第四晶体管，其源极与所述第三电阻的第二端口相连，其漏极与所述第三晶体管的基极相连，其栅极与所述MCU相连，用于接收所述MCU输出的第五控制信号以控制所述第二保护电路导通或关断。
7.一种电吸收调制激光器的调试方法，其特征在于，所述方法应用于权利要求1-6任一项所述的电吸收调制激光器的调试***中，包括：
S10：MCU输出第一控制信号至负压控制模块，所述负压控制模块将所述第一控制信号转换为负压信号传输至电吸收调制激光器的电吸收调制器模块，控制所述电吸收调制激光器的EAM负压；
S20：所述MCU输出持续增大的第二控制信号至驱动模块，所述驱动模块将所述第二控制信号转换为电流信号传输至所述电吸收调制激光器的DFB激光器模块，控制所述电吸收调制激光器的电流；
S30：所述MCU实时监测所述电吸收调制激光器的输出功率和其他指标，并将所述输出功率与目标功率值进行比较；
S40：若所述输出功率大于等于所述目标功率值，则将当前第一控制信号作为参考控制信号，所述MCU判断其他指标是否均大于等于对应目标值，若是，则结束调试；若否，则增大第一控制信号并返回执行步骤S10；
S50：若所述输出功率小于所述目标功率值，则减小第一控制信号并返回执行步骤S10；其中，减小后的第一控制信号不小于所述参考控制信号。
8.根据权利要求7所述的电吸收调制激光器的调试方法，其特征在于，步骤S30包括：
所述MCU输出第三控制信号至所述第二晶体管的栅极，并实时监测所述第一晶体管的集电极电压；
当所述第一晶体管的集电极电压增大时，所述MCU比较所述电吸收调制激光器的输出功率与目标功率值的大小。
9.根据权利要求7所述的电吸收调制激光器的调试方法，其特征在于，步骤S10前还包括：所述MCU输出第四控制信号至所述TEC控制器，所述TEC控制器将所述第四控制信号转换为电压信号传输至所述电吸收调制激光器的温度控制器模块，以控制所述电吸收调制激光器的工作温度。
10.根据权利要求9所述的电吸收调制激光器的调试方法，其特征在于，还包括：所述MCU输出第五控制信号至所述第四晶体管的栅极，并实时监测所述第三晶体管的漏极电压，当所述第三晶体管的漏极电压增大时，减小所述第四控制信号。
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