CN117079541A - 显示装置 - Google Patents

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CN117079541A
CN117079541A CN202310554035.9A CN202310554035A CN117079541A CN 117079541 A CN117079541 A CN 117079541A CN 202310554035 A CN202310554035 A CN 202310554035A CN 117079541 A CN117079541 A CN 117079541A
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金柄勋
金永道
金赫焕
吴爱利
吴炫锡
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Abstract

本发明提供一种显示装置，具备：基板，包括朝向第一方向的第一区域、从所述第一区域延伸且朝向与所述第一方向不同的第二方向的第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的第三区域；显示元件，配置于所述第一区域上；以及弯曲保护层，配置于所述第三区域上，所述第三区域的厚度小于所述第一区域的厚度。

Description

显示装置
技术领域
本发明的一实施例涉及显示装置。
背景技术
显示装置是将数据视觉显示的装置。这样的显示装置包括划分为显示区域和非显示区域的基板。在所述显示区域界定多个像素区域。另外，在所述显示区域对应于所述像素区域的每一个而具备薄膜晶体管以及与所述薄膜晶体管电连接的像素电极。在非显示区域具备向显示区域传送电信号的配线等各种导电层。
在这样的显示装置中，通过使至少一部分弯曲，可以提高各种角度上的可视性或缩减非显示区域的面积。
发明内容
本发明的实施例提供防止在弯曲区域中的裂纹以及最小化弯曲区域引起的无效区的显示装置以及显示装置的制造方法。
本发明的一方面提供一种显示装置，具备：基板，包括朝向第一方向的第一区域、从所述第一区域延伸且朝向与所述第一方向不同的第二方向的第二区域以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域；显示元件，配置于所述第一区域上；以及弯曲保护层，配置于所述第三区域上，所述第三区域的厚度小于所述第一区域的厚度。
根据一实施例，可以是，所述第三区域是内侧半径为0.17mm～0.19mm。
根据一实施例，可以是，所述弯曲保护层的厚度为0.04mm～0.1mm。
根据一实施例，可以是，所述显示装置还具备：焊盘部，配置于所述第二区域上；以及连接配线，配置于所述第三区域上，并将所述显示元件和所述焊盘部之间电连接。
根据一实施例，可以是，所述第三区域中的中性面位于所述基板的表面和所述连接配线之间。
根据一实施例，可以是，所述基板包括第一基层以及层叠于所述第一基层上的第二基层。
根据一实施例，可以是，所述第三区域中的所述第一基层的厚度小于所述第一区域中的所述第一基层的厚度。
根据一实施例，可以是，所述第三区域中的所述第一基层的厚度小于所述第二区域中的所述第一基层的厚度。
根据一实施例，可以是，当所述第三区域中的所述第一基层的厚度为x，所述弯曲保护层的模量为y时，满足y＝62x-70。
根据一实施例，可以是，所述弯曲保护层的模量大于62x-70且小于1.4×(62x-70)。
根据一实施例，可以是，所述显示装置还具备：阻挡层，配置于所述第一基层和所述第二基层之间。
本发明的另一方面提供显示装置的制造方法，包括：准备具有第一区域、与所述第一区域隔开设置的第二区域以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域的基板的步骤；在所述第一区域上形成显示元件的步骤；形成覆盖所述显示元件的薄膜封装层的步骤；使所述第三区域的厚度比所述第一区域的厚度变薄的步骤；在所述第三区域上形成弯曲保护层的步骤；以及将所述第三区域弯曲成所述第一区域所朝向的第一方向和所述第二区域所朝向的第二方向彼此不同的步骤。
根据一实施例，可以是，弯曲所述第三区域的步骤弯曲成所述第三区域的内侧半径成为0.17mm～0.19mm。
根据一实施例，可以是，将所述弯曲保护层的厚度形成为0.04mm～0.1mm。
根据一实施例，可以是，所述显示装置的制造方法在形成所述薄膜封装层后且将所述第三区域的厚度缩小的步骤前还具备：在所述第二区域上形成焊盘部，并在所述第三区域上形成将所述显示元件和所述焊盘部之间电连接的连接配线的步骤。
根据一实施例，可以是，使所述第三区域的厚度变薄的步骤使所述第三区域的厚度变薄以使得所述第三区域中的中性面形成于所述基板的表面和所述连接配线之间。
根据一实施例，可以是，使所述第三区域的厚度变薄的步骤用激光束或者等离子体蚀刻所述基板。
根据一实施例，可以是，所述基板包括第一基层以及层叠于所述第一基层上的第二基层。
根据一实施例，可以是，将所述第三区域中的所述第一基层的厚度形成为小于所述第一区域中的所述第一基层的厚度。
根据一实施例，可以是，将所述第三区域中的所述第一基层的厚度形成为小于所述第二区域中的所述第一基层的厚度。
根据一实施例，可以是，形成为当所述第三区域中的所述第一基层的厚度为x且所述弯曲保护层的模量为y时，满足y＝62x-70。
根据一实施例，可以是，所述弯曲保护层的模量形成为大于62x-70且小于1.4×(62x-70)。
根据一实施例，可以是，所述显示装置的制造方法还包括：在所述第一基层和所述第二基层之间形成阻挡层的步骤。
根据本发明的一实施例，可以防止在弯曲区域中的裂纹并最小化弯曲区域引起的无效区。
附图说明
图1是概要示出根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。
图2是概要示出根据本发明的一实施例的显示装置的一部分的立体图。
图3是概要示出根据本发明的一实施例的显示装置的一部分的平面图。
图4是可以包括在根据本发明的一实施例的显示装置中的像素的等效电路图。
图5是沿着图3的I-I'线截取的截面图的一部分。
图6是概要示出根据本发明的一实施例的显示装置的一部分的截面图。
图7是概要示出根据本发明的另一实施例的显示装置的一部分的截面图。
图8是概要示出图7所示的显示装置的第三区域的截面图。
图9是概要示出根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法的流程图。
(附图标记说明)
1A：第一区域 2A：第二区域
3A：第三区域 BAX：弯曲轴
100：基板 101：第一基层
102：第二基层 103：第二阻挡层
104：第一阻挡层 105：缓冲层
107：第一绝缘层 109：第二绝缘层
111：第三绝缘层 113：第一平坦化层
115：第二平坦化层 180：像素界定膜
200：显示元件 210：像素电极
220：中间层 230：对电极
300：薄膜封装层 310：第一无机封装层
320：有机封装层 330：第二无机封装层
400：传感器层 410：第一传感器绝缘层
420：第一传感器电极 430：第二传感器绝缘层
440：第二传感器电极 450：第三传感器绝缘层
500：偏振膜 510：透光性粘接层
WD：窗体 600：弯曲保护层
CWL：连接配线 700：保护膜
800：面板驱动部 810：柔性电路基板
910：盖面板 920：盖垫
具体实施方式
本发明可以施加各种变换，可以具有各种实施例，将特定实施例例示于附图并在详细的说明中进行详细说明。若参照与附图一起详细后述的实施例，则本发明的效果及特征以及实现它们的方法将变得明确。但是，本发明不限于以下公开的实施例，可以实现为各种形式。
以下，将参照所附附图来详细说明本发明的实施例，当参照附图来进行说明时，相同或对应的构成要件标注相同的附图标记，并省略对其的重复说明。
在以下的实施例中，第一、第二等用语不是限定性的含义，而是以将一个构成要件与其它构成要件区分开的目的使用。
在以下的实施例中，除非在文脉上明确表示不同，否则单数的表述包括复数的表述。
在以下的实施例中，包括或具有等用语意指存在说明书中记载的特征或构成要件，并不预先排除附加一个以上的其它特征或构成要件的可能性。
在以下的实施例中，当说到膜、区域、构成要件等部分在其它部分之上或上时，不仅包括直接在其它部分之上的情况，也包括在其中间介入有其它膜、区域、构成要件等的情况。
在附图中，为了便于说明，构成要件的其尺寸可以放大或缩小。例如，在附图中出现的各结构的尺寸以及厚度是为了便于说明而任意地示出的，因此本发明不是一定限于图示。
在本说明书中，当说到膜、区域、构成要件等连接时，不仅包括膜、区域、构成要件直接连接的情况，还包括在膜、区域、构成要件中间介有其它膜、区域、构成要件而间接连接的情况。例如，在本说明书中，当说到膜、区域、构成要件等电连接时，不仅包括膜、区域、构成要件等直接电连接的情况，还包括及在其中间介有其它膜、区域、构成要件等而间接电连接的情况。
在以下的实施例中，x轴、y轴以及z轴不限于直角坐标系上的三轴，可以解释为包括其的广义。例如，x轴、y轴以及z轴虽也彼此正交，但也可以指彼此不正交的彼此不同的方向。
显示装置作为显示图像的装置，可以是液晶显示装置(Liquid CrystalDisplay)、电泳显示装置(Electrophoretic Display)、有机发光显示装置(Organic LightEmitting Display)、无机EL显示装置(Inorganic Light Emitting Display)、场发射显示装置(Field Emission Display)、表面传导电子发射显示装置(Surface-conductionElectron-emitter Display)、等离子体显示装置(Plasma Display)、阴极射线显示装置(Cathode Ray Display)等。
以下，作为根据本发明的一实施例的显示装置，将有机发光显示装置作为例子进行说明，但本发明的显示装置不限于此，可以使用各种方式的显示装置。
图1是示出本发明的一实施例的显示装置DD的平面图。
参照图1，显示装置DD可以包括用于显示图像的显示面板DP和用于保护所述显示面板DP的窗体WD及壳体CS。
显示面板DP可以显示任意视觉信息，例如文本、视频、照片、二维或者三维图像等。以下，将任意视觉信息称为“图像”。在本发明中，显示面板DP的种类、结构及/或形状等不特别限定。例如，显示面板DP可以是有机发光显示面板(Organic Light Emitting Displaypanel，OLED panel)之类自发光显示面板，或液晶显示面板(Liquid Crystal Displaypanel，LCD panel)、电泳显示面板(Electro-Phoretic Display panel，EPD panel)以及电湿润显示面板(Electro-Wetting Display panel，EWD panel)之类非发光显示面板。当作为显示装置DD的显示面板DP而利用非发光性显示面板时，显示装置DD可以具备用于向显示面板DP供应光的光源部(作为一例，背光单元)。
作为一实施例，显示面板DP可以包括显示区域DA以及位于所述显示区域DA的周边的非显示区域NDA。显示区域DA可以包括用于显示图像的多个像素。在显示区域DA内可以形成与相机等的对应的透光性孔区域H(作为一例，不配置像素的非像素区域，或者以低分辨率配置像素的低分辨率区域)，但不限于此。非显示区域NDA可以以将显示区域DA局部或者全部围绕的方式配置于显示区域DA的至少一侧。在这样的非显示区域NDA可以配置用于驱动显示区域DA的像素的配线、焊盘及/或至少一个驱动电路。
窗体WD以及壳体CS结合于显示面板DP，从而可以保护显示面板DP免受从外部施加的冲击。作为一例，可以是，窗体WD以配置于显示面板DP的上方的方式位于显示装置DD的正面，壳体CS以围绕显示面板DP的侧面及/或背面的方式位于显示装置DD的侧面及/或背面。
显示装置DD可以为了提供各种功能而包括至少一种传感器。作为一例，显示装置DD可以包括用于提供生物信息认证功能的指纹传感器(未图示)。另外，显示装置DD可以还包括用于提供触摸输入功能的传感器。
例如，显示装置DD可以包括以与显示区域DA的一区域重叠的方式提供于显示面板DP的背面的指纹传感器。然而，指纹传感器的位置可以根据实施例进行各种变更。作为一例，指纹传感器也可以提供为与非显示区域NDA重叠。
显示装置DD可以具有各种形状。作为一例，显示装置DD可以是沿着x方向的横向长度(或者宽度)小于沿着y方向的纵向长度的矩形形状，但不限于此。例如，在另一实施例中，显示装置DD可以具有横向长度长于纵向长度的矩形形状，或者横向长度和纵向长度实质上相同的正方形形状，除此之外还可以具有各种形状。例如，显示装置DD可以除此之外具有各种多边形状、圆形状、椭圆形状及/或结合这些的形状。另外，显示装置DD可以具有棱角，或具有倒圆的角。
图2是概要示出根据本发明的一实施例的显示装置的一部分的立体图。
参照图2，可以是，显示装置的一部分即基板100的一部分弯曲，从而具有显示装置的一部分与基板100相同地弯曲的形状。
基板100可以具有朝向第一方向的第一区域1A、从第一区域1A延伸且朝向与第一方向不同的第二方向的第二区域2A以及位于第一区域1A和第二区域2A之间的第三区域3A。如图2所示，当第一区域1A所朝向的第一方向是+z方向时，第二区域2A所朝向的第二方向可以是-z方向。第一区域1A和第二区域2A可以彼此朝向正相反方向。即，第一区域1A的一面和第二区域2A的一面可以提供为折叠状态以使得彼此平行地设置且彼此面对。然而，本发明不限于此，可以包括第一区域1A和第二区域2A不朝向相同的方向的情况。
第三区域3A可以位于第一区域1A和第二区域2A之间。如图2所示，作为一例，第三区域3A可以以在与第一方向(+z方向)垂直的y方向上延伸的弯曲轴BAX为中心弯曲。在图2中示出为基板100以弯曲轴BAX为基准且以相同的曲率半径弯曲，但本发明不限于此。基板100也可以以弯曲轴BAX为中心且曲率半径不恒定地弯曲。
可以是，第三区域3A连续于第一区域1A配置，第二区域2A连续于第三区域3A配置。第三区域3A可以以连续于第一区域1A的方式与所述第一区域1A一体地形成，但不限于此。
在一实施例中，第一区域1A可以提供于显示区域DA及/或非显示区域NDA的至少一部分。第三区域3A可以提供于非显示区域NDA。例如，如图2所示，非显示区域NDA可以包括从其一部分沿着至少一方向(作为一例，-x方向)凸出的凸出区域，并在所述凸出区域中折叠或弯曲。作为一例，可以是，第一区域1A提供于显示区域DA及/或其周边的非显示区域NDA，第三区域3A以及第二区域2A提供于非显示区域NDA的凸出区域。
非显示区域NDA的凸出区域可以随后沿着折线折叠(或者可以弯曲或卷曲)，可以通过折叠(或者通过弯曲)非显示区域NDA的凸出区域而减少边框的宽度。
基板100可以包含具有柔性或者弯曲特性的各种物质。基板100可以包含例如聚醚砜(polyethersulphone，PES)、聚丙烯酸酯(polyacrylate，PAR)、聚醚酰亚胺(polyetherimide，PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethyelene napthalate，PEN)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide，PPS)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide，PI)或者醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate，CAP)之类高分子树脂。
基板100可以具有所述物质的单层或者多层结构，当多层结构时可以还包括无机层。另一实施例的多层结构的基板100'在图7中后述。
图3是概要示出根据本发明的一实施例的显示装置的一部分的平面图。为了便于图示，在图3中示出为显示装置没有弯曲的状态。
如上述那样，基板100的第一区域1A可以包括显示区域DA以及配置于显示区域DA的周边的非显示区域NDA。
在基板100的显示区域DA可以配置多个像素P而显示图像。
在显示区域DA可以具备薄膜晶体管(Thin Film Transistor)、有机发光元件(Organic light emitting device)之类显示元件、电容器(Capacitor)等。
显示区域DA可以通过与传送扫描信号的扫描线SL、传送数据信号的数据线DL、传送电源的驱动电源线10连接的薄膜晶体管、电容器、有机发光元件等的电耦合形成像素P而显示图像。像素P可以根据供应到像素P的驱动电源以及公共电源以与对应于数据信号流过有机发光元件的驱动电流对应的亮度发光。传送所述信号的线可以与通过非显示区域NDA的连接配线CWL连接于焊盘部30的控制部(未图示)连接。像素P可以由多个构成，多个像素可以由条形排列、PenTile排列等各种形式配置。
在非显示区域NDA可以配置焊盘部30、驱动电源线10、公共电源线20以及连接配线CWL。另外，虽未图示，在非显示区域NDA可以还配置栅极驱动部、数据驱动部等。
焊盘部30配置于非显示区域NDA的一端部，并包括多个端子31、32、33。焊盘部30可以不被绝缘层覆盖而暴露，从而与柔性印刷电路板或者驱动器IC等之类控制部(未图示)电连接。控制部可以提供数据信号、扫描信号、驱动电压、公共电压等。
驱动电源线10可以通过驱动端子32与控制部连接，并将从控制部提供的驱动电压提供到像素P。驱动电源线10可以以与显示区域DA的一侧面对应的方式配置于非显示区域NDA。向显示区域DA供应数据信号或者扫描信号的配线可以与所述驱动电源线10交叉形成。在此情况下，连接配线CWL可以通过接触孔与所述配线连接。
公共电源线20可以通过公共端子33与控制部连接，并将从控制部提供的公共电压提供到像素P。公共电源线20可以以将显示区域DA围绕至少一部分的方式配置于非显示区域NDA。公共电源线20可以沿着除与驱动电源线10相邻的显示区域DA的边以外的其余边延伸。
在第三区域3A可以配置至少一个连接配线CWL。在此情况下，连接配线CWL可以从第一区域1A经第三区域3A向第二区域2A延伸配置。连接配线CWL可以与所述弯曲轴BAX交叉延伸。例如，连接配线CWL可以相对于所述弯曲轴BAX垂直地延伸，但不限于此。连接配线CWL可以进行可以与弯曲轴BAX具有预定角度地倾斜延伸等各种变形。另外，连接配线CWL可以具有不是直线形状的曲线形状、锯齿形形状等各种形状。连接配线CWL可以与配置于其它层的配线通过接触孔连接。
在第三区域3A中，在所述连接配线CWL上可以配置弯曲保护层600。弯曲保护层600可以防止在第三区域3A中的连接配线CWL的裂纹。关于此，在图6中后述。
图4是可以包括在根据本发明的一实施例的显示装置中的像素的等效电路图。
参照图4，各像素P可以包括与扫描线SL和数据线DL连接的像素电路PC以及与像素电路PC连接的有机发光元件OLED。
像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管Td、开关薄膜晶体管Ts以及存储电容器Cst。开关薄膜晶体管Ts可以连接于扫描线SL以及数据线DL，并根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入的数据信号Dm传送到驱动薄膜晶体管Td。
存储电容器Cst可以连接于开关薄膜晶体管Ts以及驱动电压线PL，并储存与从开关薄膜晶体管Ts接收的电压和供应到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD或者驱动电压之差相应的电压。
驱动薄膜晶体管Td可以连接于驱动电压线PL和存储电容器Cst，并对应于储存在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流过有机发光元件OLED的驱动电流。有机发光元件OLED可以通过驱动电流发出具有预定亮度的光。
在图4中说明了像素电路PC包括2个薄膜晶体管以及1个存储电容器的情况，但本发明不限于此。作为另一实施例，像素电路PC例如可以包括7个薄膜晶体管以及1个存储电容器。作为另一实施例，像素电路PC也可以包括2个以上存储电容器。
图5是沿着图3的I-I'线截取的截面图的一部分。
参照图5，在基板100'上可以配置薄膜晶体管TFT以及显示元件200。
基板100'可以包含具有柔性(flexible)、弯曲(bendable)或者卷曲(rollable)特性的各种物质。例如，基板100'可以包含聚醚砜(polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)或者醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate)之类高分子树脂
在基板100'上可以配置第一阻挡层104。第一阻挡层104可以包含从包括硅氧化物(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)以及锌氧化物(ZnO2)的组中选择的至少一种无机绝缘物。第一阻挡层104可以是包含前述的无机绝缘物的单层或者多层。第一阻挡层104也可以省略。
在第一阻挡层104上可以配置缓冲层105。缓冲层105可以位于基板100'上而减少或者切断异物、湿气或者外部气体从基板100'的下方渗透，并可以在基板100'上提供平坦面。缓冲层105可以包含氧化物或者氮化物之类无机物，或者有机物，或者有机无机复合物，并可以由无机物和有机物的单层或者多层结构形成。
在第一阻挡层104和缓冲层105之间可以配置下金属层BML。下金属层BML可以与配置于其上方的薄膜晶体管TFT重叠。
在缓冲层105上可以配置薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT可以包括半导体层Act、与半导体层Act重叠的栅极电极GE以及与半导体层Act电连接的源极电极SE和漏极电极DE。薄膜晶体管TFT可以与显示元件200连接而驱动显示元件200。
半导体层Act可以配置于缓冲层105上，并包括与栅极电极GE重叠的沟道区域以及配置于沟道区域的两侧且包含比沟道区域高浓度的杂质的源极区域和漏极区域。在此，杂质可以包括N型杂质或者P型杂质。源极区域和漏极区域可以分别与源极电极SE以及漏极电极DE电连接。
半导体层Act可以包含氧化物半导体及/或硅半导体。当半导体层Act由氧化物半导体形成时，例如可以包含从包括铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)以及锌(Zn)的组中选择的至少一种物质的氧化物。例如，半导体层Act可以是ITZO(InSnZnO)、IGZO(InGaZnO)等。当半导体层Act由硅半导体形成时，例如可以包含非晶硅(a-Si)或者将非晶硅(a-Si)结晶化的低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon)。
在半导体层Act上可以配置第一绝缘层107。第一绝缘层107可以包含从包括硅氧化物(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)以及锌氧化物(ZnO2)的组中选择的至少一种无机绝缘物。第一绝缘层107可以是包含前述的无机绝缘物的单层或者多层。
在第一绝缘层107上可以配置栅极电极GE。栅极电极GE可以由从铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)之中选择的一个以上金属形成为单层或者多层。栅极电极GE可以与向栅极电极GE施加电信号的栅极线连接。
在栅极电极GE上可以配置第二绝缘层109。第二绝缘层109可以包含从包括硅氧化物(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)以及锌氧化物(ZnO2)的组中选择的至少一种无机绝缘物。第二绝缘层109可以是包含前述的无机绝缘物的单层或者多层。
在第一绝缘层107上可以配置存储电容器Cst。存储电容器Cst可以包括下电极144以及与下电极144重叠的上电极146。存储电容器Cst的下电极144和上电极146可以隔着第二绝缘层109重叠。
存储电容器Cst的下电极144可以与薄膜晶体管TFT的栅极电极GE重叠，存储电容器Cst的下电极144可以与薄膜晶体管TFT的栅极电极GE配置成一体式。作为另一实施例，存储电容器Cst可以与薄膜晶体管TFT不重叠，存储电容器Cst的下电极144可以是与薄膜晶体管TFT的栅极电极GE分开的独立的构成要件。
存储电容器Cst的上电极146可以包含铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)及/或铜(Cu)，并可以是前述的物质的单层或者多层。
在存储电容器Cst的上电极146上可以配置第三绝缘层111。第三绝缘层111可以包含从包括硅氧化物(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)以及锌氧化物(ZnO2)的组中选择的至少一种无机绝缘物。第三绝缘层111可以是包含前述的无机绝缘物的单层或者多层。
在第三绝缘层111上可以配置源极电极SE以及漏极电极DE。源极电极SE以及漏极电极DE可以包含包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等的导电物质，并可以由包含所述材料的多层或者单层形成。源极电极SE以及漏极电极DE可以以Ti/Al/Ti的多层结构形成。
在源极电极SE以及漏极电极DE上可以配置第一平坦化层113。第一平坦化层113可以是由有机物质或者无机物质形成膜形成为单层或者多层。作为一实施例，第一平坦化层113可以包含苯并环丁烯(Benzocyclobutene，BCB)、聚酰亚胺(polyimide，PI)、六甲基二硅氧烷(Hexamethyldisiloxane，HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethy lmethacrylate，PMMA)或聚苯乙烯(Polystyrene，PS)之类通用高分子、具有酚类基团的高分子衍生物、丙烯酸类高分子、酰亚胺类高分子、芳醚类高分子、酰胺类高分子、氟类高分子、对二甲苯类高分子、乙烯醇类高分子以及它们的混合物等。另一方面，第一平坦化层113可以包含硅氧化物(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)或者锌氧化物(ZnO2)等。在形成第一平坦化层113之后，为了提供平坦的上面，可以执行化学机械抛光。
在第一平坦化层113上可以配置连接电极139。连接电极139可以包含铝(Al)、铜(Cu)、钛(Ti)等，并可以形成为多层或者单层。连接电极139可以由Ti/Al/Ti的多层结构形成。
在连接电极139上可以配置第二平坦化层115。第二平坦化层115可以是由有机物质或者无机物质形成的膜形成为单层或者多层。第二平坦化层115可以用与第一平坦化层113相同的物质设置。第二平坦化层115也可以用与第一平坦化层113不同的物质设置。
在第二平坦化层115上可以配置包括像素电极210、中间层220以及对电极230的显示元件200。例如，包括像素电极210、中间层220以及对电极230的显示元件200可以是有机发光元件。
可以是，像素电极210通过贯通第二平坦化层115的接触孔与连接电极139电连接，连接电极139通过贯通第一平坦化层113的接触孔与薄膜晶体管TFT的源极电极SE或者漏极电极DE电连接，从而显示元件200与薄膜晶体管TFT电连接。
在第二平坦化层115上可以配置像素电极210。像素电极210可以是(半)透光性电极或者反射电极。像素电极210可以具备由铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、铜(Cu)以及它们的化合物等形成的反射膜以及形成于反射膜上的透明或者半透明电极层。透明或者半透明电极层可以具备从包括铟锡氧化物(indium tin oxide)、铟锌氧化物(indium zincoxide)、锌氧化物(zinc oxide)、铟氧化物(indium oxide)、铟镓氧化物(indium galliumoxide)以及铝锌氧化物(aluminum zinc oxide)的组中选择的至少一种。像素电极210可以以层叠成ITO/Ag/ITO的结构设置。
在第二平坦化层115上可以配置像素界定膜180，像素界定膜180可以具有使像素电极210的至少一部分暴露的开口。可以将通过像素界定膜180的开口暴露的区域定义为发光区域。发光区域的周边作为非发光区域，非发光区域可以围绕发光区域。即，显示区域DA可以包括多个发光区域以及围绕它们的非发光区域。像素界定膜180增加像素电极210上方的对电极230之间的距离，从而可以防止在像素电极210的边缘产生电弧等。像素界定膜180例如可以用聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、六甲基二硅氧烷(hexamethyldisiloxane，HMDSO)以及酚醛树脂等之类有机绝缘物质，通过旋涂等的方法形成。
在通过像素界定膜180暴露至少一部分的像素电极210上可以配置中间层220。
中间层220可以包括发光层，在发光层之下以及之上可以选择性地配置第一功能层及/或第二功能层。更具体地，中间层220的发光层可以配置于通过像素界定膜180暴露至少一部分的像素电极210上。
第一功能层可以包括空穴注入层(hole injection layer)及/或空穴传输层(hole transport layer)，第二功能层可以包括电子传输层(electron transport layer)及/或电子注入层(electron injection layer)。
发光层可以包含含有发出红色、黄色、蓝色或者白色的光的荧光或者磷光物质的有机物。发光层可以是低分子有机物或者高分子有机物。
当发光层包含低分子有机物时，中间层220可以具有空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等以单一或复合的结构层叠的结构，作为低分子有机物，可以包括酞菁铜(CuPc；copper phthalocyanine)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(N,N'-Di(napthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine；NPB)、三(8-羟基喹啉)铝(tris-8-hydroxyquinoline aluminum；Alq3)等各种有机物质。这样的层可以通过真空蒸镀的方法形成。
当发光层包含高分子有机物时，中间层220可以具有大致包括空穴传输层以及发光层的结构。此时，可以是，空穴传输层包含PEDOT(聚(3,4-乙烯二氧噻吩))，发光层包含PPV(Poly-Phenylene vinylene)类以及聚芴(Polyfluorene)类等高分子物质。这样的发光层可以通过丝网印刷或喷墨印刷方法、激光诱导热成像方法(LITI；Laser inducedthermal imaging)等形成。
在中间层220上可以配置对电极230。对电极230可以配置于中间层220上，并且配置成覆盖中间层220的全部的形式。对电极230可以配置于显示区域DA上方，并且配置成覆盖显示区域DA的全部的形式。即，对电极230可以利用开口掩模以覆盖配置于显示区域DA的多个像素的方式在显示面板DP全部形成为一体式。
对电极230可以包含功函数低的导电性物质。例如，对电极230可以包括包含银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或者它们的合金等的(半)透明层。或者，对电极230可以在包含前述的物质的(半)透明层上还包括ITO、IZO、ZnO或者In2O3之类的层。
在显示元件200上，例如可以在对电极230上配置薄膜封装层300。薄膜封装层300可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。薄膜封装层300可以防止氧气或者水分等渗透到包括发光层的中间层220和对电极230。例如，薄膜封装层300可以包括配置于对电极230上的第一无机封装层310、配置于第一无机封装层310上的有机封装层320、配置于有机封装层320上的第二无机封装层330。第一无机封装层310和第二无机封装层330可以包含氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、硅氧化物(SiO2)、钛氧化物(TiO2)或者铝氧化物(Al2O3)。有机封装层320可以包含丙烯酸树脂(acryl resin)、环氧树脂(epoxy resin)、酚醛树脂(phenolic resin)、聚酰胺树脂(polyamide resin)或者聚酰亚胺树脂(polyimideresin)等。
这样的薄膜封装层300延伸到显示区域DA外侧，在显示区域DA外侧，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以接触。
在薄膜封装层300上可以配置传感器层400。传感器层400可以包括第一传感器绝缘层410、第二传感器绝缘层430以及第三传感器绝缘层450。另外，传感器层400可以包括配置于第一传感器绝缘层410和第二传感器绝缘层430之间的第一传感器电极420以及配置于第二传感器绝缘层430和第三传感器绝缘层450之间的第二传感器电极440。第一传感器电极420和第二传感器电极440可以是驱动电极和感测电极。虽未图示，第一传感器电极420和第二传感器电极440可以通过界定在第二传感器绝缘层430中的接触孔电连接。
第一传感器绝缘层410可以包含从包括硅氧化物(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)以及锌氧化物(ZnO2)的组中选择的至少一种无机绝缘物。第一传感器绝缘层410可以具有单层或者多层结构。作为另一实施例，第一传感器绝缘层410可以包含丙烯酸类树脂、甲基丙烯类树脂、聚异戊二烯、乙烯类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂以及苝类树脂中的至少一种。第一传感器绝缘层410也可以省略。
第二传感器绝缘层430可以包含从包括硅氧化物(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、铝氧化物(Al2O3)、钛氧化物(TiO2)、钽氧化物(Ta2O5)、铪氧化物(HfO2)以及锌氧化物(ZnO2)的组中选择的至少一种无机绝缘物。第二传感器绝缘层430可以具有单层或者多层结构。作为另一实施例，第二传感器绝缘层430可以包含丙烯酸类树脂、甲基丙烯类树脂、聚异戊二烯、乙烯类树脂、环氧类树脂、氨基甲酸乙酯类树脂、纤维素类树脂、硅氧烷类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂以及苝类树脂中的至少一种。
通过透光性粘接层510粘接的偏振膜500可以位于传感器层400上。这样的偏振膜500可以起到缩减外部光反射的作用。例如，当外部光穿过偏振膜500而在对电极230上面反射后再次穿过偏振膜500时，可以随着穿过2次偏振膜500而使其外部光的相位改变。其结果，反射光的相位会与进入偏振膜500的外部光的相位不同，从而可以产生干涉抵消。结果，可以通过缩减外部光反射而提高可视性。这样的透光性粘接层510和偏振膜500可以除显示区域DA以外还与非显示区域NDA的一部分重叠设置。
当然，根据本实施例的显示装置并不是始终具备偏振膜500，也可以根据需要省略偏振膜500，也可以用其它结构替代。例如，也可以省略偏振膜500而利用黑色矩阵和滤色器来缩减外部光反射。
在偏振膜500上可以提供窗体WD。窗体WD可以保护显示模组免受外部冲击，并给用户提供输入面及/或显示面。在一实施例中，窗体WD可以通过光学用透明粘接部件与偏振膜500结合。
窗体WD可以利用玻璃或者塑料等而形成为具有硬性或者柔性。另外，窗体WD可以具有单层或者多层的结构。当窗体WD具有多层结构时，可以通过连续工艺或者利用粘接层的粘接工艺而形成窗体WD。
图6是概要示出根据本发明的一实施例的显示装置的一部分的截面图。
参照图6，根据本发明的一实施例的显示装置可以包括基板100、显示层DISL、薄膜封装层300、传感器层400、透光性粘接层510、偏振膜500、窗体WD、保护膜700、盖面板910、盖垫920。关于在上面所说明的构成要件，以下省略说明。
基板100可以如上述那样包括朝向彼此不同方向的第一、第二区域1A、2A以及配置于它们之间的第三区域3A。
第一区域1A可以包括显示区域DA。当然，第一区域1A可以除显示区域DA以外还包括显示区域DA外侧的非显示区域NDA的一部分。
在第一区域1A上可以层叠显示层DISL、薄膜封装层300、传感器层400、透光性粘接层510、偏振膜500、窗体WD。
显示层DISL可以包括上述的图5所公开的薄膜晶体管TFT、显示元件200以及它们之间的绝缘层。薄膜封装层300可以以覆盖显示层DISL的方式在第一区域1A中形成于显示区域DA和非显示区域NDA。
在第一区域1A的非显示区域NDA可以配置坝(未图示)。坝可以从基板100的上面凸出形成。坝可以用于当形成薄膜封装层300的有机封装层时控制有机物质的流动。坝可以与薄膜封装层300的至少一部分重叠。另一方面，在非显示区域NDA可以配置用于向显示区域DA供应公共电压的公共电源线(图3的20)。坝可以与公共电源线20至少一部分重叠地配置。
在第一区域1A中，可以在薄膜封装层300上设置偏振膜500。偏振膜500可以减少从外部朝向显示装置入射的光(外部光)的反射率。
在偏振膜500和薄膜封装层300之间可以介有透光性粘接层510。透光性粘接层510可以是OCA(Optically clear adhesive；光学透明胶)。但是，不限于此，也可以适用OCR(Optically clear resin；光学透明树脂)。另外，作为另一实施例，透光性粘接层510可以包含PSA(Pressure Sensitive Adhesive；压敏粘结剂)。PSA可以包含高分子硬化物。PSA可以包括丙烯酸类或橡胶类的粘结剂，或在所述粘结剂中含有氧化锆等微粒子的粘结剂。
在一实施例中，显示装置可以不包括偏振膜500，替代偏振膜500而具备包括黑色矩阵和滤色器的滤板。
在偏振膜500上方可以配置窗体WD。窗体WD作为向用户提供显示面的最终端，可以保护其下方的结构。如上述那样，在窗体WD和偏振膜500之间可以配置透光性粘接层510。窗体WD可以配置成与基板100的第一区域1A的显示区域DA、非显示区域NDA以及被弯曲的第三区域3A对应。
在第二区域2A可以配置面板驱动部800。面板驱动部800可以接通于基板100的焊盘部30而向栅极线以及数据线供应数据信号以及扫描信号。面板驱动部800可以与弯曲保护层600隔开配置。这样的面板驱动部800例如可以是驱动器IC，并可以安装于基板100的焊盘部30。在此情况下，焊盘部30可以与驱动器IC直接电连接。
作为另一实施例，可以是，柔性电路基板810安装于基板100的焊盘部30，在这样的柔性电路基板810上安装有驱动集成电路。柔性电路基板810可以适用COF(Chip On Film；薄膜覆晶)或者FPC(Flexible Printed Circuit；柔性印刷电路)，在柔性电路基板810可以安装供应用于使显示区域DA的多个显示元件200发光的信号的驱动器IC。可以进行在第二区域2A可以将面板驱动部800和柔性电路基板810都配置等各种变形。
基板100的第三区域3A可以位于第一区域1A和第二区域2A之间，并持预定的内侧半径进行弯曲。可以是，在第三区域3A上配置连接配线CWL，在连接配线CWL上方配置弯曲保护层600。连接配线CWL可以将从面板驱动部800及/或柔性电路基板810提供的信号传送到第一区域1A的显示区域DA。弯曲保护层600用于保护这样的连接配线CWL，可以是应力中性层(stress neutralization layer)。
详细地，当弯曲叠层体时，在其叠层体内存在应力中和面(stress neutralplane)。假如在叠层体上不存在弯曲保护层600，则随着基板100等的弯曲，可能向位于第三区域3A的连接配线CWL施加过度的拉伸应力等。这是因为，连接配线CWL的位置可能与应力中和面不对应。但是，在连接配线CWL上形成弯曲保护层600，调节弯曲保护层600的厚度以及模量等，从而可以调整在将基板100、连接配线CWL以及弯曲保护层600等都包括的叠层体中的应力中和面的位置。因此，通过弯曲保护层600使应力中和面位于连接配线附近，从而可以最小化施加到连接配线CWL的拉伸应力。
弯曲保护层600具有防止在被弯曲的第三区域3A中的连接配线CWL的裂纹的优点，但是弯曲保护层600还具有因其厚度而增加显示模组的无效区DS的缺点。
即，弯曲保护层600在被弯曲的第三区域3A的***以预定的厚度t4形成，如图6所示，可能向-x方向增加无效区DS相当于其厚度t4。
从最近要缩小非显示区域NDA并最大化显示区域DA的倾向来看，弯曲保护层600在使非显示区域NDA即无效区DS扩大的点上与最近倾向背道而驰。
可以为了缩小无效区DS，将弯曲保护层600的厚度t4薄地形成。但是，当将弯曲保护层600薄地形成时，中性面下降而连接配线CWL的裂纹可能性可能上升。为了将弯曲保护层600的厚度薄地设置的同时防止中性面下降，需要增加弯曲保护层600的模量。为了增加弯曲保护层600的模量，需要新开发具有必要性能的弯曲保护层600的材料，因此可能难以立即适用于工艺。假如即使用模量增加的新材料构成弯曲保护层，存在当模量增加时粘接力减弱的问题。开发出增加模量的同时还提高粘接力的材料需要大量时间，即使开发出这样的新材料也由于高价的材料费而产品单价可能上升。
本发明的一实施例通过使得在第三区域3A中的基板100的厚度比在基板的其它区域，即第一区域1A或者第二区域2A中的基板的厚度相对薄，即使没有弯曲保护层600的厚度或材料的变更，也可以在减少无效区DS的同时缩小在第三区域3A中的连接配线CWL的裂纹可能性。
即，当将在被弯曲的第三区域3A中的基板100的厚度t3比在基板100的其它区域即第一区域1A或者第二区域2A中的基板100的厚度t1、t2薄地形成时，无效区DS减少相当于在第三区域3A中的基板100的厚度变薄。
另外，随着在第三区域3A中的基板100的厚度变薄，中性面上升，但当在第三区域3A中的基板100的厚度变薄时，弯曲保护层600在没有其厚度t4变化的情况下模量减少。弯曲保护层600的模量减少引起随着在第三区域3A中的基板100的厚度变薄会上升的中性面下降，由此中性面可以位于基板100和连接配线CWL之间而最小化连接配线CWL的裂纹可能性。
可以是，弯曲的第三区域3A的内侧半径是0.17mm～0.19mm，弯曲保护层600的厚度t4是0.04mm～0.1mm。
可以是，基板100具有一面以及位于一面的相反侧的另一面，显示元件200位于基板100的一面上。保护膜700可以位于与显示元件200所在的一面相反的基板100的另一面，即不显示图像的面上。保护膜700附着于基板100的另一面而起到保护显示装置的作用，虽未图示，可以通过粘接剂附着于基板100的另一面。这样的保护膜700可以位于基板100的第一区域1A以及第二区域2A，可以不位于第三区域3A。
盖面板910可以配置于保护膜700的背面。在一实施例中，在保护膜700和盖面板910之间可以介有未图示的粘接层(或者粘着层)。盖面板910可以保护显示模组免受外部的冲击等。
盖面板910可以包括起到缓解外部冲击的功能并包含可弹性变形的物质的缓冲层。例如，盖面板910可以包括包含从由热塑性弹性体(thermoplastic elastomer)、聚苯乙烯(polystyrene)、聚烯烃(polyolefin)、聚氨基甲酸乙酯热塑性弹性体(polyurethanethermoplastic elastomers)、聚酰胺(polyamides)、合成橡胶(synthetic rubbers)、聚二甲基硅氧烷(polydimethylsiloxane)、聚丁二烯(polybutadiene)、聚异丁烯(polyisobutylene)、聚(苯乙烯-丁二烯-苯乙烯)(poly(styrene-butadien-estyrene))、聚氨基甲酸乙酯(polyurethanes)、氯丁橡胶(polychloroprene)、聚乙烯(polyethylene)、硅(silicone)以及它们的组合形成的组选择的至少一个物质的单层或者多层缓冲层。除此之外，盖面板910可以由具有弹力的物质中的在不影响显示面板DP的图像显示的范围内适合的物质形成。
另外，盖面板910可以在显示面板DP的背面还包括用于稳定地支承所述显示面板DP的高强度的板(作为一例，金属板)、石墨、铜板及/或散热板等。
作为一例，盖面板910可以包括在显示面板DP的背面上依次配置的吸附层(未图示)、吸收层(未图示)以及支承部件(未图示)。然而，盖面板910的结构不限于此，盖面板910可以根据需要还包括具有各种功能的追加性要件。
另外，构成盖面板910的各要件间相互位置(作为一例，层叠顺序)可以根据实施例进行各种各样改变。例如，在一实施例中，在显示面板DP的背面上依次配置了吸附层、吸收层以及支承部件，但在另一实施例中，也可以在显示面板DP的背面上先配置支承部件，在所述支承部件的背面上配置吸附层及/或吸收层。
吸附层可以包括缓解以及分散外部冲击等的多个吸附图案，并由单层或者多层形成。吸收层可以在内部填充气体或填有分散性材料或者吸音性材料来吸收外部冲击等并由单层或者多层形成。吸附层和吸收层可以分开形成而通过粘结剂或者粘接剂等彼此结合。然而，不限于此，吸附层和吸收层也可以由单一的层形成。
支承部件可以为了确保或者改善显示装置DD的构造强度而由高强度及/或高延性的物质构成。作为一例，支承部件可以是包含至少一种金属或者合金的金属板。另外，支承部件可以通过具有10μm至几百μm范围的厚度而具有充分的强度。由此，可以确保或者改善显示装置DD的构造强度。
通过支承部件，可以稳定地支承配置于上方的盖面板910的其它构成要件，作为一例，吸附层以及吸收层、加固部件、显示模组及/或窗体WD等。由此，可以确保或者改善显示装置DD的构造强度。
在一实施例中，支承部件可以与散热板(未图示)一体地构成。例如，支承部件可以由能够将从配置于显示装置DD内的散热部件产生的热发散的物质形成而提供散热功能的同时，稳定地支承显示模组的背面。在此情况下，支承部件可以包含导热率高的物质以能够表现高的散热特性。作为一例，支承部件可以包含石墨(graphite)之类导热率高的无机物或者金属。另外，根据实施例，为了确保高的散热特性，在支承部件也可以形成多个贯通孔。支承部件用散热板构成，从而可以容易地发散当驱动显示装置DD时从与支承部件相邻的散热部件产生的热。由此，即使显示装置DD持续地驱动，可以确保驱动的稳定性。
另一方面，在本发明中，不限于支承部件与散热板一体地构成。例如，在另一实施例中，盖面板910也可以包括与支承部件分开构成的散热板。即，盖面板910可以包括支承部件以及散热板。在此情况下，可以侧重于显示装置DD的构造强度及/或柔性等来设计支承部件。
当弯曲显示面板DP时，盖垫920可以将盖面板910和与第二区域2A对应的显示面板DP的一区域之间的间距均匀地保持而控制所述显示面板DP的弯曲(或曲折)程度。另外，当弯曲显示面板DP时，盖垫920可以支承当第一区域1A和第二区域2A相面对时与所述第二区域2A对应的显示面板DP的一区域。在一实施例中，盖垫920可以包含与盖面板910相同的物质，但不限于此。例如，盖垫920可以包含适合于显示面板DP的设计条件等的弹性物质。
图7是概要示出根据本发明的另一实施例的显示装置的一部分的截面图。图7所示的实施例与图6所示的实施例在基板的结构中存在区别。以下，以基板的结构为中心进行说明。
参照图7，基板100'可以包括第一基层101以及配置于第一基层101上的第二基层102。第一基层101和第二基层102可以以相同的物质设置。第一基层101和第二基层102可以以不同的物质设置。
在第一基层101和第二基层102之间可以配置第二阻挡层103。上述的第一阻挡层104和第二阻挡层103可以以相同的物质设置。另外，第一阻挡层104和第二阻挡层103也可以以不同的物质设置。第二阻挡层103可以是包含前述的无机绝缘物的单层或者多层。根据实施例，第一阻挡层104也可以省略。
基板100'的第一基层101可以是在第三区域3A中的厚度t3'小于在第一区域1A中的第一基层101的厚度t1'或者在第二区域2A中的第一基层101的厚度t2'。即，可以被弯曲的第三区域3A中的第一基层101的一部分被去除而在第三区域3A中的第一基层101的厚度比在第一区域1A或者第二区域2A中的第一基层101的厚度薄。
由此，如在图6中所说明那样，即使没有弯曲保护层600的厚度或材料的变更，也可以在减少无效区DS的同时缩小第三区域3A的连接配线CWL的裂纹可能性。
当将在被弯曲的第三区域3A中的基板100'的第一基层101的厚度t3'比在基板100'的其它区域即第一区域1A或者第二区域2A中的基板100'的第一基层101的厚度t1'、t2'薄地形成时，无效区DS减少相当于在第三区域3A中的基板100'的第一基层101的厚度变薄的量。
另外，随着在第三区域3A中的基板100'的第一基层101的厚度t3'变薄，中性面上升，但当在第三区域3A中的基板100'的第一基层101的厚度t3'变薄时，弯曲保护层600在没有其厚度t4的变化的情况下模量减少。弯曲保护层600的模量减少引起随着在第三区域3A中的基板100'的厚度t3'变薄会上升的中性面下降，由此中性面可以位于基板100'和连接配线CWL之间而最小化连接配线CWL的裂纹可能性。
作为一例，当将在第三区域3A中的第一基层101的厚度t3'设为x，将弯曲保护层600的模量设为y时，可以满足y＝62x-70的关系式。y可以是弯曲保护层600的模量的最小值，弯曲保护层600的模量的最大值可以是1.4×y。
当弯曲保护层600的模量y小于62x-70时，存在中性面下降而在连接配线CWL产生裂纹的可能性变大的问题，当弯曲保护层600的模量y大于1.4×(62x-70)时，存在弯曲变难且粘接力变差的问题。
图8是概要示出图7所示的显示装置的第三区域的截面图。
参照图8，作为一实施例，显示装置的第三区域3A可以在基板100'上层叠第一平坦化层113、第二平坦化层115、弯曲保护层600，并在第一平坦化层113和第二平坦化层115之间配置连接配线CWL。
通过使得在被弯曲的第三区域3A中的第一基层101的厚度t3'比在第一、第二区域1A、2A中的第一基层101的厚度t1'、t2'薄，可以在没有改变弯曲保护层600的厚度t4的情况下也使得在第三区域3A中的中性面NP位于第二基层102和连接配线CWL之间。由此，可以减少从第一区域1A朝向第三区域3A的方向上的无效区DS的同时减少第三区域3A中的连接配线CWL的裂纹可能性。
图9是概要示出根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法的流程图。
参照图9，可以准备具有第一区域1A、与第一区域1A隔开设置的第二区域2A以及位于第一区域1A和所述第二区域2A之间的第三区域3A的基板100(S110)。作为一实施例，基板100可以第一、第二、第三区域1A、2A、3A以相同材料形成为单层，作为另一实施例，基板100可以以第一基层101、第二基层102以及它们之间的第二阻挡层103的叠层形成。本发明不限于此，可以形成为3层以上的基层的层叠结构。
之后，可以在基板100的第一区域1A上形成显示层DISL(S120)。显示层DISL可以包括基板100上的薄膜晶体管TFT、显示元件200以及它们之间的绝缘层。
接着，可以以覆盖显示层DISL的方式形成薄膜封装层300(S130)。薄膜封装层300可以以覆盖显示层DISL的方式在第一区域1A上形成于显示区域DA和非显示区域NDA。
之后，可以将第三区域3A的基板100的下面以预定的厚度形成(S140)。可以在与形成显示层DISL的基板100的一面相对的另一面，例如在与第一区域1A和第二区域2A之间的第三区域3A对应的基板100的另一面以预定的厚度去除基板100的一部分。在第三区域3A中，可以在弯曲基板100之前以预定的厚度去除第三区域3A中的基板100的背面。基板100背面的去除可以通过激光束或等离子体工艺实现。
之后，可以在第三区域3A上形成弯曲保护层600(S150)，并弯曲第三区域3A。
如此，以附图中所示的实施例为参考说明了本发明，但是这仅是示例性的，在本技术领域中具有通常知识的人应理解，由此各种变形以及等同的其它实施例是可能的。因此，本发明的真正的技术保护范围应该通过所附权利要求书的技术构思确定。

Claims (11)

1.一种显示装置，其中，具备：
基板，包括朝向第一方向的第一区域、从所述第一区域延伸且朝向与所述第一方向不同的第二方向的第二区域以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的第三区域；
显示元件，配置于所述第一区域上；以及
弯曲保护层，配置于所述第三区域上，
所述第三区域的厚度小于所述第一区域的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述第三区域是内侧半径为0.17mm～0.19mm。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述弯曲保护层的厚度为0.04mm～0.1mm。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述显示装置还具备：
焊盘部，配置于所述第二区域上；以及
连接配线，配置于所述第三区域上，并将所述显示元件和所述焊盘部之间电连接。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述第三区域中的中性面位于所述基板的表面和所述连接配线之间。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述基板包括第一基层以及层叠于所述第一基层上的第二基层。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述第三区域中的所述第一基层的厚度小于所述第一区域中的所述第一基层的厚度。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，
所述第三区域中的所述第一基层的厚度小于所述第二区域中的所述第一基层的厚度。
9.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
当所述第三区域中的所述第一基层的厚度为x，所述弯曲保护层的模量为y时，满足y＝62x-70。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述弯曲保护层的模量大于62x-70且小于1.4×(62x-70)。
11.根据权利要求6所述的显示装置，其中，
所述显示装置还具备：
阻挡层，配置于所述第一基层和所述第二基层之间。
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