CN117055253A - 显示装置 - Google Patents

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CN117055253A
CN117055253A CN202310503795.7A CN202310503795A CN117055253A CN 117055253 A CN117055253 A CN 117055253A CN 202310503795 A CN202310503795 A CN 202310503795A CN 117055253 A CN117055253 A CN 117055253A
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gate
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河合谦太朗
池田匡孝
林宏宜
大森优二
大植善英
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Japan Display Inc
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Abstract

本发明涉及能够实现显示装置的大型高精细化或高速驱动的显示装置。显示装置具有:在设置于第1基板的显示区域中、在第1方向上排列的第1像素至第3像素;与第1像素至第3像素各自连接、并沿着第1方向延伸存在的第1源极布线至第3源极布线;和与第1像素至第3像素的各自连接、沿着与第1方向交叉的第2方向延伸存在的第1栅极布线至第3栅极布线,第1像素具有与第1栅极布线及第1源极布线电连接的第1晶体管、和与第1晶体管电连接的液晶元件,第1像素至第3像素设置在第1源极布线及第3源极布线与第2源极布线之间,第1源极布线与第3源极布线交叉。

Description

显示装置
技术领域
本发明的一个实施方式涉及显示装置及显示装置的驱动方法。
背景技术
在现有的液晶显示装置中,针对排列为矩阵状的多个像素,将栅极布线逐行设为导通状态,用同一源极布线对排列为一列的多个像素依次进行充电。但是,在驱动透明显示器这样的高速驱动面板及大型高精细面板的情况下,存在一个水平期间(日文:水平期間)短、像素的充电时间不足的可能性。
专利文献1中公开了将栅极布线每两条设为导通状态,并用两条不同的源极布线对排列为一列的多个像素同时进行充电的显示装置。另外,专利文献2中公开了将栅极布线每四条设为导通状态,用四条不同的源极布线对排列为一列的多个像素同时进行充电的显示装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2020-160254号公报
专利文献2:国际公开第2018/130920号
发明内容
发明要解决的课题
在本发明的一个实施方式中,其目的之一在于能够实现显示装置的大型高精细化或高速驱动。
用于解决课题的手段
本发明一个实施方式的显示装置具有:在设置于第1基板的显示区域中、在第1方向上排列的第1像素至第3像素;与第1像素至第3像素的各自连接、沿着第1方向延伸存在的第1源极布线至第3源极布线;和与第1像素至第3像素的各自连接、沿着与第1方向交叉的第2方向延伸存在的第1栅极布线至第3栅极布线,第1像素具有与第1栅极布线及第1源极布线电连接的第1晶体管、和与第1晶体管电连接的液晶元件,第1像素至第3像素设置在第1源极布线及第3源极布线与第2源极布线之间,第1源极布线与第3源极布线交叉。
附图说明
图1是说明本发明一个实施方式的显示装置的概要的立体图。
图2是示出与图1所示的显示装置的A1-A2间对应的构造的截面示意图。
图3是说明本发明一个实施方式的显示装置的构成的平面图。
图4是示出本发明一个实施方式的显示装置中的像素的框图。
图5是本发明一个实施方式的显示装置中的像素的时序图。
图6是本发明一个实施方式的显示装置中的像素的剖视图。
图7是本发明一个实施方式的显示装置中的像素的平面布局。
图8是本发明一个实施方式的显示装置中的像素的平面布局。
图9是本发明一个实施方式的显示装置中的像素的平面布局。
图10是本发明一个实施方式的显示装置中的像素的平面布局。
图11是示出周边区域中的栅极驱动电路与栅极布线的连接关系的电路图。
图12A是示出周边区域中的栅极驱动电路与栅极布线的连接关系的平面布局。
图12B是周边区域中的栅极布线的平面布局。
图12C是周边区域中的栅极布线的平面布局。
图13是示出栅极驱动电路与栅极布线的连接关系的电路图。
图14是示出栅极驱动电路与栅极布线的连接关系的电路图。
图15是示出栅极驱动电路与栅极布线的连接关系的电路图。
附图标记说明
10:显示装置、11:显示面板、12:显示区域、14:周边区域、16:公共布线、18:公共布线、22:公共布线区域、24:柔性印刷电路、26:端子部、28:栅极驱动电路、32:栅极布线区域、34:柔性印刷电路、36:端子部、38:源极驱动电路、42:源极布线区域、46:ESD用保护电路、48:栅极检查电路、52:源极检查电路、54:检查线、56:QD焊盘、58:ESD用保护电路、59:ESD用保护电路、62:区域、64:区域、66:区域、71:区域、72:区域、102:显示面板、104:光源、150:阵列基板、152:对置基板、154:密封件、202:导电层、203:栅极绝缘膜、204:氧化物半导体层、205:绝缘膜、206:导电层、207:平坦化膜、208:导电层、209:绝缘膜、210:液晶层、212:透明导电层、213:开口、214:导电层、215:开口、216:像素电极、217:开口、218:公共电极、GL:栅极布线、SL:源极布线、CW:电容布线、C:保持电容、LE:液晶元件、PIX:像素
具体实施方式
以下参照附图等说明本发明的各实施方式。需要说明的是,本发明能够在不脱离其要旨的范围内以多种方式实施,并非限定解释为以下例示的实施方式的记载内容。另外,就附图而言,为了使说明更加明确,与实际方式相比,有时示意性表示各部分的宽度、厚度、形状等,但这些示意图为一例,并非限定本发明的解释。此外,在本说明书和各图中,对于与关于已出现的附图说明过的要素相同或类似的要素,存在标注同一附图标记并省略重复说明的情况。需要说明的是,在本说明书等中,序数是为了便于区分部件、部位等而添加的,并非表示优先顺位、顺序。
在本发明中,在对某个膜进行加工来形成多个膜的情况下,存在该多个膜具有不同的功能、作用的情况。但是,该多个膜源自于在同一工序中形成为同一层的膜,具有相同的层构造、相同的材料。因此,该多个膜定义为存在于同一层的构造。另外,在对某个膜进行加工来形成多个膜的情况下,在本说明书等中,存在区分记载为-1、-2等情况。
需要说明的是,在本说明书等中,“上”、“下”等表述表现出所关注的构造体与其他构造体的相对位置关系。在本说明书等中,在侧面观察时,将从后述的第1基板朝向像素电极的方向定义为“上”,将其相反方向定义为“下”。在本说明书及权利要求书中,当表现在某个构造体之上配置其他构造体的方式时,在简记为“上”的情况下,只要没有特别说明,包含以与某个构造体相接的方式在正上方配置其他构造体的情况和在某个构造体的上方进一步隔着另一构造体来配置其他构造体的情况二者。
另外,在本说明书等中,所谓底栅驱动,是指利用配置在半导体层下方的栅极电极来控制晶体管的导通截止。另外,在本说明书等中,所谓顶栅驱动,是指利用配置在半导体层上方的栅极电极来控制晶体管的导通截止。另外,在本说明书中,所谓双栅极驱动,是指通过向配置在半导体层上下的栅极电极输入相同的控制信号来控制晶体管的导通截止。
(第1实施方式)
参照图1~图12C来说明本发明一个实施方式的显示装置10。
<显示装置的概要>
图1示出本发明一个实施方式的显示装置10的立体图。显示装置10包含显示面板102、光源104、夹着显示面板102的第1透明基板151A及第2透明基板151B,其中,显示面板102包含阵列基板150、对置基板152及阵列基板150与对置基板152之间的液晶层(未图示)、栅极驱动电路28、源极驱动电路38。在以下参照图1的说明中,将显示面板102的平面中的一个方向设为D1方向,将与D1方向正交的方向设为D2方向,将与D1-D2平面正交的方向设为D3方向。
阵列基板150及对置基板152具有透光性。优选阵列基板150及对置基板152相对于可见光透明。对置基板152在D3方向上以与阵列基板150对置的方式配置。阵列基板150与对置基板152在具有间隙地对置配置的状态下通过密封材料154贴合。在阵列基板150与对置基板152之间的间隙设有未图示的液晶层。
显示面板102具有显示区域12和显示区域12外侧的周边区域14。在显示区域12中,在行方向及列方向上配置有多个像素PIX。在此,行方向是指与D1方向平行的方向,列方向是指与D2方向平行的方向。在显示区域12中,在行方向上排列有m个像素,在列方向上排列有n个像素。并且,m和n的值对应于垂直方向的显示分辨率和水平方向的显示分辨率而适当设定。在显示区域12中,沿着D1方向配置栅极布线(也称为扫描信号线),沿着D2方向配置源极布线(也称为数据信号线)。
在阵列基板150的周边区域14中设有栅极驱动电路28及源极驱动电路38。图1示出栅极驱动电路28及源极驱动电路38由集成电路(IC)提供、并以COG(Chip on Glass:玻璃上芯片)方式安装于阵列基板150的情况。栅极驱动电路28及源极驱动电路38不限于图示的方式,可以以COF(Chip on Film:覆晶薄膜)方式安装,也可以由阵列基板150的薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)形成。
在周边区域14中配置有栅极布线区域32、公共布线区域22及源极布线区域42。栅极布线区域32是设有由将栅极驱动电路28与显示区域12中配置的栅极布线GL连接的布线形成的图案的区域。公共布线区域22是设有由公共布线形成的图案的区域。就电路而言,公共布线区域22作为向对置基板152中设置的公共电极218(参见图6)施加公共电压的布线而使用。源极布线区域42是设有由将源极驱动电路38与显示区域12中配置的源极布线SL连接的布线形成的图案的区域。
光源104具有沿着D1方向的构造。光源104例如由沿着D1方向排列的发光二极管(LED:Light Emitting Dioder)构成。光源104的详细构造没有限定,除了在D1方向上排列的发光二极管以外,也可以还包含反射板、扩散板、透镜等光学部件。光源104及对光源104进行控制的发光控制电路110也可以设为独立于显示面板102的分体部件,另外,光源104也可以利用与栅极驱动电路28及源极驱动电路38同步的发光控制电路110来控制发光的时机。对光源104进行控制的发光控制电路110既可以与光源104同样地设置为独立于显示面板102的分体部件,也可以作为单独部件安装于阵列基板150,或者可以组装到栅极驱动电路28或源极驱动电路38中。
第1透明基板151A及第2透明基板151B以将显示区域12及周边区域14夹入的方式设置。第1透明基板151A及第2透明基板151B具有作为显示面板102的保护部件的功能。另外,如参照图2所说明,第1透明基板151A及第2透明基板151B具有作为将从光源104射出的光导入显示面板102的导光板的功能。
图2示出与图1所示的A1-A2间对应的显示装置10的截面构造。如图2所示,在显示面板102的阵列基板150侧设有第1透明基板151A,在对置基板152侧设有第2透明基板151B。第1透明基板151A及第2透明基板151B使用玻璃基板或塑料基板。优选的是,第1透明基板151A及第2透明基板151B具有与阵列基板150及对置基板152相同的折射率。阵列基板150与第1透明基板151A及对置基板152与第2透明基板151B通过未图示的透明粘接剂粘接。
显示面板102以阵列基板150与对置基板152对置的方式配置,在二者之间设有液晶层210。阵列基板150具有比对置基板152大、周边区域14的一部分从对置基板152露出的大小。在阵列基板150上安装有驱动电路(在图2中为源极驱动电路38)。另外,在阵列基板150的周缘部安装有柔性印刷电路34。
光源104以与第1透明基板151A或第2透明基板151B的一个侧面邻接的方式配置。图2示出光源104沿着第2透明基板151B的一个侧面配置的构成。另外,图2示出光源104安装于阵列基板150的构成,但不限定于配置光源104的构成,只要能够使安装位置固定,则安装构造没有限定。光源104例如也可以由包围显示面板102的框体支承。
如图2所示,光源104沿着第2透明基板151B的第1侧面15C配置。如图2所示,光源104向第2透明基板151B的第1侧面15C照射光L。光源104朝向第1侧面15C射出光L,因此也存在被称为侧光源的情况。与光源104对置的第2透明基板151B的第1侧面15C成为光入射面。
如图2示意性所示,从第2透明基板151B的第1侧面15C入射的光L一边由第2透明基板151B的第2平面15B、第1透明基板151A的第1平面15A反射,一边向远离第1侧面15C的方向(D2方向)传播。若光L从第1透明基板151A的第1平面15A及第2透明基板151B的第2平面15B朝向外部,则从折射率大的介质进入折射率小的介质。此时,若向第1平面15A及第2平面15B入射的光L的入射角大于临界角,则光L变为全反射,一边由第1平面15A及第2平面15B反射一边沿着D2方向导光。
液晶层210由高分子分散型液晶形成。由高分子分散型液晶形成的液晶层210按像素PIX(参见图1)来控制散射状态和非散射状态。如图2所示,若存在液晶层210变为散射状态的像素,则一边由第1平面15A及第2平面15B反射一边传播的光L的至少一部分的光被散射,散射光的入射角变为小于临界角的角度,散射光LA、LB分别从第1平面15A及第2平面15B射出到外部,所射出的散射光LA、LB被观察者观察到。在显示面板102中,由于阵列基板150及对置基板152、以及第1透明基板151A及第2透明基板151B具有透光性(相对于可见光透明)且液晶层210为非散射状态,因此散射光LA、LB射出以外的区域实质上透明,观察者能够透过显示面板102来视觉辨认背面侧。
图3是说明本发明一个实施方式的显示装置10的阵列基板150的构成的平面图。如图3所示,阵列基板150包含显示区域12及周边区域14。
显示区域12具有排列为矩阵状的多个像素PIX。多个像素PIX各自具有多个晶体管及液晶元件。
周边区域14以包围显示区域12的方式设置。需要说明的是,所谓周边区域14是指阵列基板150中从显示区域12到阵列基板150的端部为止的区域。换言之,周边区域14是指阵列基板150上设有显示区域12以外的区域(即,显示区域12外侧的区域)。
在周边区域14中,除了配置有栅极驱动电路28及源极驱动电路38以外,还设有栅极布线区域32、源极布线区域42、公共布线16、18、端子部26、36、柔性印刷电路24、34及各种检查电路。端子部26、36沿着阵列基板150的一条边配置。
端子部26与柔性印刷电路24连接。柔性印刷电路24向栅极驱动电路28、公共布线16、18、ESD用保护电路59、QD焊盘56供给各种信号。栅极驱动电路28与多条栅极布线GL连接,多条栅极布线GL分别与显示区域12中的多个像素PIX各自电连接。在图3中,将设有多条栅极布线GL的区域记为栅极布线区域32,针对多条栅极布线GL的详细配置省略图示。与两个栅极驱动电路28连接的栅极布线GL的数量与显示区域12中的像素PIX的行数相当。需要说明的是,在图3中,示出栅极布线区域32与显示区域12分离设置的构成,但实际上,栅极布线GL与像素PIX电连接。
端子部36与柔性印刷电路34连接。柔性印刷电路34向源极驱动电路38供给影像信号。源极驱动电路38与多条源极布线SL连接,多条源极布线SL分别与显示区域12中的多个像素PIX各自电连接。在图3中,将设有多条源极布线SL的区域表示为源极布线区域42,针对多条源极布线SL的详细配置省略图示。与8个源极驱动电路38连接的源极布线SL的数量相当于显示区域12中的像素PIX的列数的至少3倍。在本实施方式中,说明了源极布线SL的数量为显示区域12中的像素PIX的列数的4倍的情况。需要说明的是,在图3中示出源极布线区域42与显示区域12分离设置的构成,但实际上,源极布线SL与像素PIX电连接。
在栅极布线区域32与显示区域12之间设有公共布线18、ESD用保护电路46、栅极检查电路48及检查线54。在源极布线区域42与显示区域12之间设有公共布线18、ESD用保护电路46、源极检查电路52及检查线54。检查线54与ESD用保护电路58、QD焊盘56连接。另外,公共布线18与ESD用保护电路59连接。
公共布线16以包围阵列基板150中的周边区域14的方式设置,从两个柔性印刷电路24供给信号。另外,公共布线16与网状的公共布线区域22电连接。
显示装置10不限定于图1及图2所示的透明显示器这样的高速驱动面板。显示装置10能够应用于非透明显示器的显示装置所使用的大型高精细面板。
<像素的构成>
图4是说明本发明一个实施方式的显示装置10具有的像素PIX的构成的图。在本实施方式中,说明能够同时向4条栅极布线供给导通电压并利用4条源极布线同时对在列方向上排列的4个像素进行充电的显示装置10。由此,能够使一个水平期间较之行顺序的水平期间长。换言之,能够将显示区域12中配置的全部像素线的扫描所需的时间缩短为1/4。因此,在透明显示器这样的高速驱动面板、大型高精细面板中,能够充分确保像素的充电期间。以下详细说明本实施方式中的像素的构成。
在图4中,4个像素PIX1~PIX4在列方向(D2方向)上排列。4个像素PIX1~PIX4分别与4条栅极布线GL1~GL4各自电连接。另外,4个像素PIX1~PIX4分别与4条源极布线SL1~SL4各自电连接。4个像素PIX1~PIX4分别与电容布线CW连接。在以后的说明中,在不分别区分像素PIX1~PIX4的情况下记为像素PIX。栅极布线GL1~GL4各自及源极布线SL1~SL4各自在不区分的情况下,也记为栅极布线GL及源极布线SL。
像素PIX具有晶体管Tr、液晶元件LE及保持电容C。晶体管Tr的栅极与栅极布线GL连接,晶体管Tr的源极与源极布线SL连接,晶体管Tr的漏极与液晶元件LE的一个电极及保持电容C的一个电极连接。液晶元件LE的另一电极与公共布线连接。保持电容C的另一电极与电容布线CW连接。
晶体管Tr具有通过切换导通状态和截止状态来控制从源极布线供给的影像信号向像素的写入时间的功能。通过将晶体管Tr设为导通状态,从而能够将与从源极布线供给的影像信号对应的电位写入与晶体管Tr电连接的保持电容C。另外,通过将晶体管Tr设为截止状态,从而能够保持保持电容C所保持的电位。
图5是本发明一个实施方式的显示装置10的时序图。通常,栅极布线GL通过逐行供给导通电压,从而以同一源极布线依次对在D2方向上排列的像素列进行充电。与此相对,在本实施方式中,通过同时向4条栅极布线GL供给导通电压,从而4个像素各自的晶体管Tr同时变为导通状态。在该状态下,向不同的源极布线SL1~SL4同时供给影像信号。由此,能够同时驱动在D2方向上排列的4个像素。
如图4所示,源极布线SL1及源极布线SL3与源极布线SL2及源极布线SL4以将一列像素夹入的方式设置。换言之,在一列像素与一列像素之间配置有4条源极布线SL1~SL4。
源极布线SL1与源极布线SL3具有交叉的区域。另外,源极布线SL2与源极布线SL4具有交叉的区域。换言之,将源极布线SL1与源极布线SL3调换配置,将源极布线SL2与源极布线SL4调换配置。由此,能够实现源极布线SL1~SL4的电阻、电容的均匀化。另外,能够在显示面板的制造时等抑制由静电引起的不良。参照图7~图10来说明该理由。
<像素的截面构造>
参照图6说明本发明一个实施方式的显示装置10的构成。图6是本发明一个实施方式的显示装置10中的像素PIX的剖视图。
如图6所示,在阵列基板150之上设有晶体管Tr。晶体管Tr具有设置在阵列基板150之上的导电层202-1、与导电层202-1对置地设置的氧化物半导体层204-1、设置在导电层202-1与氧化物半导体层204-1之间的栅极绝缘膜203、和设置在氧化物半导体层204-1之上的导电层206-3及导电层206-4。在此,导电层202-1作为栅极布线GL(栅极电极)发挥功能,导电层206-4作为源极布线SL(源极电极)发挥功能。
在晶体管Tr之上设有绝缘膜205。另外,在绝缘膜205之上,在与氧化物半导体层204-1对置的位置设有导电层208-1。导电层208-1作为背栅极发挥功能。在本实施方式中,以晶体管Tr为底栅驱动的晶体管进行了说明,但不限定于此,也可以是顶栅驱动的晶体管或双栅极驱动的晶体管。
在导电层208-1及绝缘层105之上设有平坦化膜207。平坦化膜207被设置用于缓和构成晶体管Tr的各种布线的凹凸。在将显示装置10应用于透明显示器的情况下,优选在像素PIX的开口区域中将平坦化膜207除去。由此,能够抑制在开口区域中光被平坦化膜207吸收。
在平坦化膜207及绝缘膜205之上设有透明导电层212。在透明导电层212之上设有导电层214。透明导电层212及导电层214作为电容布线发挥功能。在透明导电层212及导电层214之上设有绝缘膜209。在绝缘膜209之上设有像素电极216-1。像素电极216-1经由设置于绝缘膜205、209的开口与导电层206-3连接。
对置基板152以与阵列基板150对置的方式设置。在对置基板152设有遮光层219及公共电极218。遮光层219作为黑矩阵发挥功能。在图6所示的构造中,遮光层219在图6中设置在与导电层206-4重叠的区域中。遮光层219以覆盖栅极布线GL及源极布线SL1~源极布线SL4的方式配置为格子状。公共电极218具有扩展至显示区域112的整个面的大小。遮光层219也可以由金属膜形成,通过与由透明导电膜形成的公共电极218相接设置而具有作为辅助电极的功能。在阵列基板150与对置基板152之间设有液晶层210,由密封件154(参见图1)密封。由像素电极216-1和液晶层210、公共电极218构成液晶元件LE。
<像素的平面布局>
参照图7~图10说明显示装置10的像素PIX的平面布局。在图7~图10中,对源极布线SL1与源极布线SL3交叉的区域及源极布线SL2与源极布线SL4交叉的区域的构成进行详细说明。在图7~图10中,示出俯视观察PIX-A1、PIX-A2、PIX-B1、PIX-B2的构成。
图7是导电层202-1~202-9、氧化物半导体层204-1~204-5及导电层206-1~206-11的平面布局。导电层202-1~202-9设置在阵列基板150之上。导电层202-1沿着D1方向延伸存在,具有在D2方向上分支的区域。另外,导电层202-2~202-9沿着D2方向延伸存在。氧化物半导体层204-1~204-5隔着栅极绝缘膜203(参见图6)设置在导电层202-1之上。氧化物半导体层204-1~204-5在D2方向上排列配置。在本实施方式中,示出为了构成晶体管Tr而由5个氧化物半导体层204-1~204-5构成的例子。氧化物半导体层通过分离设置为多个层,从而能够减小发热的影响。氧化物半导体层的数量没有特别限定。就氧化物半导体层204-1~204-5而言,从导电层202-1侧朝向氧化物半导体层204-1~204-5并在玻璃基板(阵列基板)101中导光来的光由导电层202-1反射,氧化物半导体层204-1~204-5不易发生光泄漏。导电层206-1~206-11设置在栅极绝缘膜及氧化物半导体层204-1~204-5之上。导电层206-1、206-2、206-11沿着D1方向延伸存在,导电层206-3~206-10沿着D2方向延伸存在。
导电层202-1与导电层206-1、206-2、206-11重叠。导电层202-1经由设置于栅极绝缘膜203的开口213-1而与导电层206-1连接,经由设置于栅极绝缘膜203的开口213-2与导电层206-2连接。导电层202-1中的、沿着D1方向延伸存在的区域作为栅极布线发挥功能。另外,导电层202-1中的、沿着D2方向延伸存在的区域作为栅极电极发挥功能。
导电层202-2、202-3与导电层206-4重叠。导电层202-2经由设置于栅极绝缘膜203的开口213-3与导电层206-4连接,导电层202-3经由设置于栅极绝缘膜203的开口213-4与导电层206-4连接。导电层206-4与导电层202-1交叉。导电层206-4作为第1源极布线SL1发挥功能。另外,在导电层206-4中,与导电层202-2、202-3不重叠的区域作为晶体管Tr的源极电极发挥功能。导电层206-3作为晶体管Tr的漏电极发挥功能。
导电层202-4与导电层206-5重叠,并经由设置于栅极绝缘膜203的开口213-5与导电层206-5连接。导电层202-5与导电层206-6重叠,并经由设置于栅极绝缘膜203的开口213-6与导电层206-6连接。导电层206-5经由导电层208-2(参见图8)与导电层206-6连接。由此,导电层206-5、导电层206-6及导电层208-2作为第3源极布线SL3发挥功能。
导电层202-6与导电层206-7重叠,并经由设置于栅极绝缘膜203的开口213-7与导电层206-7连接。导电层202-7与导电层206-8重叠,并经由设置于栅极绝缘膜203的开口213-8与导电层206-8连接。导电层206-7经由导电层208-3(参见图8)与导电层206-8连接。导电层206-7、导电层206-8及导电层208-3作为第2源极布线SL2发挥功能。
导电层202-8与导电层206-9重叠,并经由设置于栅极绝缘膜203的开口213-9与导电层206-9连接。导电层202-9与导电层206-9及导电层206-10重叠。导电层202-9经由设置于栅极绝缘膜203的开口213-10与导电层206-9连接。导电层202-9经由设置于栅极绝缘膜203的开口213-11与导电层206-10连接。导电层206-9具有与导电层202-1交叉的区域。导电层206-9及导电层206-10作为第4源极布线SL4发挥功能。
另外,导电层202-1与导电层206-11重叠,并经由设置于栅极绝缘膜203的开口213-12与导电层206-11连接。
导电层202-9及导电层206-8具有弯曲的区域。导电层202-9与导电层206-8重叠并具有交叉的区域。也就是说,具有第2源极布线SL2与第4源极布线SL4交叉的区域。
虽未图示,但导电层202-2及导电层206-5具有弯曲的区域。导电层202-2与导电层206-5重叠并具有交叉的区域。也就是说,第1源极布线SL1具有与第3源极布线SL3交叉的区域。
如图7所示,栅极布线GL通过导电层202-1与导电层206-1、206-2层叠而构成。另外,在栅极布线GL与源极布线SL1~源极布线SL4交叉的区域中仅设有导电层202-1,导电层206-1与导电层206-2分离设置。另外,源极布线SL1由导电层202-2、202-3和导电层206-4层叠而构成。另外,在源极布线SL1与栅极布线GL交叉的区域中仅设有导电层206-4,导电层202-2与导电层202-3分离设置。由此,即使在阵列基板101中的显示区域12及周边区域14的制造工序中产生静电,静电也能够释放,因此能够抑制发生由静电引起的问题。
图8是导电层206-1~206-11及导电层208-1~208~3的平面布局。导电层206-1~206-11如图7中所说明。导电层208-1~208-3设置在绝缘膜205(参见图6)之上。导电层208-1具有沿着D2方向延伸存在的区域和沿着D1方向延伸存在的区域。沿着D2方向延伸存在的区域与氧化物半导体层204-1~204-5重叠。另外,沿着D1方向延伸存在的区域与导电层206-11重叠,并经由设置于绝缘膜205的开口215-1与导电层206-11连接。导电层208-2沿着D2方向延伸存在。导电层208-2与导电层206-5及导电层206-6重叠,并经由设置于绝缘膜205的开口215-2、215-3与导电层206-5及导电层206-6连接。导电层208-3沿着D2方向延伸存在。导电层208-3与导电层206-7及导电层206-8重叠,并经由设置于绝缘膜205的开口215-4、215-5与导电层206-7及导电层206-8连接。
图9是平坦化膜207、透明导电层212及导电层214的平面布局。平坦化膜207如上所述在像素PIX1~PIX4的开口区域中被除去。也就是说,平坦化膜207设置在布线区域之上。在平坦化膜207之上设有透明导电层212。另外,在透明导电层212之上设有导电层214。透明导电层212及导电层214作为电容布线发挥功能。透明导电层212隔着平坦化膜207设置在导电层206-1~206-11之上。因此,源极布线SL1~SL4与电容布线CW布线分离设置,因此不易受到来自电容布线CW的电位的影响。另外,导电层214的电阻小于透明导电层212的电阻。因此,能够在显示区域12中抑制由像素PIX所在的位置引起的电容布线CW的电位不均匀。
透明导电层212及导电层214以覆盖栅极布线GL及源极布线SL1~SL4上方的方式设置为格子状。由此,未设有透明导电层212的区域与像素电极216之间的保持电容C减少。根据未设有透明导电层212的区域的大小来调整保持电容C。需要说明的是,透明导电层212也可以设置在整个面上而非格子状。另外,导电层214可以覆盖晶体管Tr的方式设置。由此,能够抑制晶体管Tr的光泄漏。
示出了将导电层214设置在透明导电层212之上的例子,但可以设置在透明导电层212之下。导电层214与透明导电层212层叠即可。导电层214具有遮光性。因此,能够对布线区域进行遮光。在俯视观察时,导电层214的宽度设置为大于将源极布线SL1~SL4相加的宽度。另外,导电层214的宽度设置为在俯视观察时大于栅极布线GL的宽度。由此,能够抑制显示面板11放射出由源极布线SL1~SL4的边缘反射的反射光。需要说明的是,导电层214的宽度、将源极布线SL1~SL4相加的宽度是指与源极布线SL1~SL4延伸存在的方向交叉的方向(D1方向)上的长度。另外,栅极布线GL的宽度是指与栅极布线GL延伸存在的方向交叉的方向(D2方向)的长度。
图10是导电层206-1~206-11及像素电极216-1~216-4的平面布局。导电层206-1~206-11如图7中所说明。像素电极216-1~216-4设置在绝缘膜209之上。像素电极216-1~216-4设置在像素PIX的开口区域中。像素电极216-1经由设置于绝缘膜209的开口217-1、设置于绝缘膜205的开口215-6(参见图8)与导电层206-3连接。
如以上说明的,在显示区域12中,作为栅极布线GL1~GL4、源极布线SL1~SL4,以将导电层202与导电层206相互层叠地延伸存在的方式进行配置。关于栅极布线GL1~GL4,通过将导电层202与导电层206层叠地延伸存在进行配置,从而能够实现栅极布线GL1~GL4的电阻均匀化及布线电容的均匀化。关于源极布线SL1~SL4,通过将导电层202与导电层206层叠地延伸存在进行配置,从而能够实现源极布线SL1~SL4的电阻均匀化及布线电容的均匀化。另外,能够将源极布线SL1与源极布线SL3交叉配置,将源极布线SL2与源极布线SL4交叉配置。
<显示装置10各部件的材质>
作为阵列基板150、对置基板152,可以使用玻璃基板、石英基板及蓝宝石基板等具有透光性而不具有挠性的刚性基板。另一方面,在需要阵列基板150、对置基板152具有挠性的情况下,作为阵列基板150、对置基板152,可以使用聚酰亚胺基板、丙烯酸基板、硅氧烷基板或氟树脂基板等包含树脂并具有挠性的柔性基板。为了提高阵列基板150、对置基板152的耐热性,也可以向上述树脂导入杂质。另外,在将显示装置10应用于透明显示器、大型高精细显示器的情况下,作为阵列基板150及对置基板152,优选使用玻璃基板。另外,第1透明基板151A及第2透明基板151B被设置用于保护阵列基板150及对置基板152。因此,例如,优选使用具有透光性的玻璃基板、塑料基板等。
作为导电层202、导电层206、导电层208及导电层214,可以使用通常的金属材料。作为这些部件,例如使用铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、钴(Co)、镍(Ni)、钼(Mo)、铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铋(Bi)、银(Ag)及这些金属的合金或化合物。作为上述部件,上述材料既可以单层使用也可以层叠使用。作为导电层202,例如可使用Al\Ti的层叠构造。另外,作为导电层206,例如可使用TiN\Ti\Al\Ti\TiN的层叠构造。作为导电层208,例如可使用Mo。作为第4导电层,可使用Mo\Al的层叠构造。
作为栅极绝缘膜203、绝缘膜205及绝缘膜209,能够使用通常的绝缘性材料。例如,作为栅极绝缘膜203及绝缘膜205、绝缘膜209,能够使用氧化硅(SiOx)、氧氮化硅(SiOxNy)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiNxOy)、氧化铝(AlOx)、氧氮化铝(AlOxNy)、氮氧化铝(AlNxOy)、氮化铝(AlNx)等无机绝缘层。作为这些绝缘层,能够使用缺陷少的绝缘层。作为平坦化膜207,能够使用聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、硅酮树脂、氟树脂、或硅氧烷树脂等有机绝缘材料。需要说明的是,作为栅极绝缘膜203、绝缘膜205及绝缘膜209,也可以使用上述有机绝缘材料。作为上述部件,上述材料既可以单层使用也可以层叠使用。作为栅极绝缘膜203,例如使用氮化硅及氧化硅的层叠构造。作为绝缘膜205,例如使用氧化硅及氮化硅的层叠构造。另外,作为绝缘膜209使用氮化硅。
上述的SiOxNy及AlOxNy为氮(N)的比率比氧(O)的比率少(x>y)的硅化合物及铝化合物。另外,SiNxOy及AlNxOy为氧的比率比氮的比率少(x>y)的硅化合物及铝化合物。
作为氧化物半导体层204,能够使用具有半导体特性的金属氧化物。氧化物半导体层204具有透光性。例如,能够使用包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)及氧(O)的氧化物半导体。特别是,可以使用具有In:Ga:Zn:O=1:1:1:4的组成比的氧化物半导体。需要说明的是,本实施方式中使用的包含In、Ga、Zn及O的氧化物半导体并非限定于上述组成,可以使用与上述不同的组成的氧化物半导体。例如,为了提高迁移率,也可以使In的比率大于上述比率。另外,为了增大带隙、减小光照射的影响,也可以使Ga的比率大于上述比率。
需要说明的是,在本实施方式中,对作为半导体层使用氧化物半导体层的例子进行了说明,但也可以是使用非晶硅或多晶硅的半导体层。
作为透明导电层212、像素电极216及公共电极218,能够使用氧化铟及氧化锡的混合物(ITO)及氧化铟及氧化锌的混合物(IZO)。作为该透明导电层,也可以使用上述以外的材料。黑矩阵BM中使用的遮光层219可以由黑色的树脂或金属材料形成。黑矩阵BM与公共电极218相接地形成(参见图6)。通过由金属材料形成黑矩阵BM,从而能够使由透明导电膜形成的公共电极218具有用于减少电阻损失的作为辅助电极的功能。作为形成黑矩阵BM的金属材料,优选使用相对于铝而言反射率相对较低的铬、钼、钛等。
在将显示装置10应用于透明显示器的情况下,作为液晶层210,优选使用高分子分散型液晶。高分子分散型液晶包含块体及微粒子。在块体内,微粒子的取向对应于像素电极216与公共电极218的电位差而变化。通过按像素PIX单独控制像素电极216的电位,从而按像素PIX控制至少透光及分散中任一者的程度。液晶层(微粒子)的散射度对应于各像素电极216的电压和公共电极218的电压而被控制。例如,液晶层也可以使用各像素PIX的电压与公共电极218之间的电压越大则散射度越大这样的高分子分散型液晶,或者使用各像素电极216的电压与公共电极218之间的电压越小则散射度越大这样的高分子分散型液晶。
在液晶层210中,块体及微粒子的寻常光折射率彼此相等。在像素电极216与公共电极218之间未被施加电压的状态下,块体与微粒子之间的折射率差在全部方向上变为零。液晶层210成为不使从光源射出的光散射的非散射状态。从光源射出的光一边由阵列基板150的第1主面及对置基板152的第1主面反射一边向远离光源104(发光部)的方向传播。若液晶层210为不使从光源射出的光L散射的非散射状态,则对置基板152的背景从阵列基板150被视觉辨认,阵列基板150的背景从对置基板152被视觉辨认。
在被施加电压的像素电极216与公共电极218之间,微粒子的光轴由于在像素电极216与公共电极218之间产生的电场而倾斜。块体的光轴不会因电场而变化,因此,块体的光轴与微粒子的光轴的朝向彼此不同。在被施加电压的像素电极216所在的像素PIX中,从光源射出的光散射。按照上述方式散射后的从光源射出的光的一部分从阵列基板150的第1主面或对置基板152的第1主面放射到外部,该光被观察者观察到。
在未被施加电压的像素电极216所在的像素PIX中,对置基板152的第1主面侧的背景从阵列基板150的第1主面被视觉辨认,阵列基板150的第1主面侧的背景从对置基板152的第1主面被视觉辨认。并且,本实施方式的显示装置10在被输入影像信号时,显示图像的像素PIX的像素电极216被施加电压,基于影像信号的图像与背景一并被视觉辨认。像这样,在高分子分散型液晶处于散射状态时,在显示区域中显示图像。
<栅极驱动电路与栅极布线的连接关系>
接下来,参照图11~图12C说明设置于周边区域14的栅极驱动电路28-1、28-2与栅极布线GL的连接关系。在本实施方式中,作为栅极驱动电路28-1、28-2,说明使用两相驱动的驱动器IC的情况。
图11是示出栅极驱动电路28-1、28-2与栅极布线GL11~GL14、GL21~GL24的连接关系的电路图。在图11中,说明在一个水平期间将4行像素PIX-A1~PIX-A4、PIX-B1~PIX-B4同时设为导通状态的情况。
栅极驱动电路28-1与栅极布线GL11~GL14连接。栅极布线GL11与像素PIX-A1连接,栅极布线GL12与像素PIX-A2连接。栅极驱动电路28-2与栅极布线GL21~GL24连接。栅极布线GL21与像素PIX-A3连接,栅极布线GL22与像素PIX-A4连接。
源极驱动电路38与源极布线SL11~SL14、SL21~SL24连接。源极布线SL11与像素PIX-A1连接,源极布线SL12与像素PIX-A2连接。源极布线SL13与像素PIX-A3连接,源极布线SL14与像素PIX-A4连接。源极布线SL21与像素PIX-B1连接,源极布线SL22与像素PIX-B2连接。源极布线SL23与像素PIX-B3连接,源极布线SL24与像素PIX-B4连接。
在本变形例中,作为栅极驱动电路28-1、28-2使用两相驱动的驱动器IC。因此,栅极驱动电路28-1能够对栅极布线GL11、GL12同时施加电压,栅极驱动电路28-2能够对栅极布线GL21、GL22同时施加电压。也就是说,能够将4行栅极布线GL11、GL12、GL21、GL22同时设为导通状态。另外,从源极驱动电路38向源极布线SL11~SL14、SL21~SL24供给影像信号。由此,能够将像素PIX-A1~PIX-A4、PIX-B1~PIX-B4同时设为导通状态。也就是说,在显示装置10中,能够使一个水平期间变长。
<从不同栅极驱动电路延伸存在的栅极布线的平面布局>
接下来,参照图12A~图12C说明栅极布线区域32的具体构成。具体来说,说明从不同的栅极驱动电路28-1、28-2延伸存在的多条栅极布线GL的平面布局。
图12A是设置于周边区域14的栅极驱动电路28-1、28-2和多条栅极布线GL的示意图。在图12A中,将设有从栅极驱动电路28-1延伸存在的栅极布线GL的区域表示为区域62。将设有从栅极驱动电路28-2延伸存在的栅极布线GL的区域表示为区域64。另外,将设有从栅极驱动电路28-1延伸存在的栅极布线GL的区域与设有从栅极驱动电路28-2延伸存在的栅极布线GL的区域重叠的区域表示为区域66。
图12B是将图12A所示的区域66中的区域71放大的图。图12B中示出栅极布线GL11~GL14、GL21~GL24。栅极布线GL11~GL14与栅极驱动电路28-1连接。另外,栅极布线GL21~GL24与栅极驱动电路28-2(参见图12A)连接。从栅极驱动电路28-1延伸存在的栅极布线GL11~GL14由导电层202-11~202-14及导电层206-21~206-24构成。导电层202-11~202-14分别经由开口213-31~213-34与导电层206-21~206-22的各自连接。
导电层202-12、13具有与导电层206-31、206-32重叠延伸存在的区域。需要说明的是,导电层202-12、13与导电层206-31、206-32不连接。
图12C是将图12A所示的区域66中的区域72放大的图。图12C中示出栅极布线GL11、GL12、GL21、GL22、GL13。栅极布线GL11、GL12、GL13是从栅极驱动电路28-1延伸存在的布线。栅极布线GL21、GL22是从栅极驱动电路28-2延伸存在的布线。
栅极布线GL11具有导电层202-11及导电层206-41。导电层202-11经由设置于栅极绝缘膜203的开口213-41与导电层206-41连接。栅极布线GL12具有导电层202-12及导电层206-42。导电层202-12经由设置于栅极绝缘膜203的开口213-42与导电层206-42连接。栅极布线GL21具有导电层202-41及导电层206-31。导电层202-41经由设置于栅极绝缘膜203的开口213-43与导电层206-31连接。栅极布线GL22具有导电层202-42及导电层206-32。导电层202-42经由设置于栅极绝缘膜203的开口213-44与导电层206-32连接。栅极布线GL13具有导电层202-13及导电层206-43。导电层202-13经由设置于栅极绝缘膜203的开口213-45与导电层206-43连接。
另外,在栅极布线GL11中,导电层202-11及导电层206-41以层叠的状态沿着D2方向延伸存在。需要说明的是,栅极布线GL12、GL21、GL22、GL13也以与栅极布线GL11相同的状态沿着D2方向延伸存在。
如图12B及图12C所示,与栅极驱动电路28-1连接的栅极布线GL11、GL12、GL13通过导电层202-11~202-14而绕回周边区域14。另外,与栅极驱动电路28-2连接的栅极布线GL21、GL22通过导电层206-31、206-32而绕回周边区域14。也就是说,能够将设有从栅极驱动电路28-1延伸存在的栅极布线和从栅极驱动电路28-2延伸存在的栅极布线的层设为不同的层。因此,在栅极布线GL12及栅极布线GL21中,能够使从栅极驱动电路28-1延伸存在的导电层202-12与从栅极驱动电路28-2延伸存在的导电层206-31重叠地延伸存在。另外,在栅极布线GL13及栅极布线GL22中,能够使从栅极驱动电路28-1延伸存在的导电层202-13与从栅极驱动电路28-2延伸存在的导电层206-32重叠地延伸存在。由此,能够将从不同的栅极驱动电路28-1、28-2延伸存在的栅极布线GL11、GL12、GL21、GL22邻接地配置。另外,能够减小多条栅极布线GL所占的面积。
接下来,参照图13~图15说明本实施方式的显示装置10的变形例。
(变形例1)
参照图13说明在周边区域14中设置的栅极驱动电路28-1、28-2与栅极布线GL的连接关系。在图13中,说明使用4相驱动的驱动器IC作为栅极驱动电路28-1、28-2的情况。
图13是示出栅极驱动电路28-1、28-2与栅极布线GL11~GL14、GL21~GL24的连接关系的电路图。在图13中,说明在一个水平期间将4行像素PIX-A1~PIX-A4、PIX-B1~PIX-B4同时设为导通状态的情况。
栅极驱动电路28-1与栅极布线GL11~GL14连接。栅极布线GL11与像素PIX-A1连接,栅极布线GL12与像素PIX-A2连接,栅极布线GL13与像素PIX-A3连接,栅极布线GL14与像素PIX-A4连接。
栅极驱动电路28-2与栅极布线GL21~GL24连接。栅极布线GL21与像素PIX-C1连接,栅极布线GL22与像素PIX-C2连接,栅极布线GL23与像素PIX-C3连接,栅极布线GL24与像素PIX-C4连接。
源极驱动电路38与源极布线SL11~SL14、SL21~SL24连接。源极布线SL11与像素PIX-A1连接,源极布线SL12与像素PIX-A2连接。源极布线SL13与像素PIX-A3连接,源极布线SL14与像素PIX-A4连接。源极布线SL21与像素PIX-B1连接,源极布线SL22与像素PIX-B2连接。源极布线SL23与像素PIX-B3连接,源极布线SL24与像素PIX-B4连接。
在本变形例中,作为栅极驱动电路28-1、28-2,使用4相驱动的驱动器IC。因此,栅极驱动电路28-1能够对栅极布线GL11~GL14同时施加电压。也就是说,能够将4行栅极布线GL11~GL14同时设为导通状态。另外,从源极驱动电路38向源极布线SL11~SL14、SL21~SL24供给影像信号。由此,能够将像素PIX-A1~PIX-A4、PIX-B1~PIX-B4同时设为导通状态。也就是说,在显示装置10中,能够使一个水平期间变长。
(变形例2)
参照图14说明在周边区域14中设置的栅极驱动电路28-1、28-2与栅极布线GL的连接关系。在本变形例中,说明使用同时输出条数为一条的驱动器IC作为栅极驱动电路28-1、28-2的情况。
图14是示出栅极驱动电路28-1、28-2与栅极布线GL11~GL14、GL21~GL24的连接关系的电路图。在图14中,说明在一个水平期间将4行像素PIX-A1~PIX-A4、PIX-B1~PIX-B4同时设为导通状态的情况。
与栅极驱动电路28-1连接的一条栅极布线GL11沿着D2方向延伸存在。栅极布线GL11在像素PIX-A1~PIX~A4的附近分支为4条栅极布线GL11~GL14。由此,栅极布线GL11与像素PIX-A1连接,栅极布线GL12与像素PIX-A2连接,栅极布线GL13与像素PIX-A3连接,栅极布线GL14与像素PIX-A4连接。
与栅极驱动电路28-2连接的一条栅极布线GL21沿着D2方向延伸存在。栅极布线GL21在像素PIX-C1~PIX~C4的附近分支为4条栅极布线GL21~GL24。由此,栅极布线GL21与像素PIX-C1连接,栅极布线GL22与像素PIX-C2连接,栅极布线GL23与像素PIX-C3连接,栅极布线GL24与像素PIX-C4连接。
源极驱动电路38与源极布线SL11~SL14、SL21~SL24连接。源极布线SL11与像素PIX-A1连接,源极布线SL12与像素PIX-A2连接。源极布线SL13与像素PIX-A3连接,源极布线SL14与像素PIX-A4连接。源极布线SL21与像素PIX-B1连接,源极布线SL22与像素PIX-B2连接。源极布线SL23与像素PIX-B3连接,源极布线SL24与像素PIX-B4连接。
在本变形例中,作为栅极驱动电路28-1、28-2使用同时输出条数为一条的驱动器IC。并且,使栅极布线GL11分支为4条栅极布线GL11~GL14,将栅极布线GL11~GL14分别设为像素PIX-A1~PIX-A4。由此,即使在使用同时输出条数为一条的驱动器IC作为栅极驱动电路28-1的情况下,也能够同时对栅极布线GL11~GL14施加电压。也就是说,能够将4行栅极布线GL11~GL14同时设为导通状态。另外,从源极驱动电路38向源极布线SL11~SL14供给影像信号。由此,能够将像素PIX-A1~PIX-A4、PIX-B1~PIX-B4同时设为导通状态。也就是说,在显示装置10中,能够使一个水平期间变长。
(变形例3)
参照图15说明设置于周边区域14的栅极驱动电路28-1、28-2与栅极布线GL的连接关系。在图15中,作为栅极驱动电路28-1、28-2,说明使用两相驱动的驱动器IC的情况。
图15是示出栅极驱动电路28-1、28-2与栅极布线GL11~GL14、GL21~GL24的连接关系的电路图。在图15中,说明在一个水平期间中将4行像素PIX-A1、PIX-A2、PIX-C1~PIX-C2同时设为导通状态的情况。
栅极驱动电路28-1与栅极布线GL11~GL14连接。栅极布线GL11与像素PIX-A1连接,栅极布线GL12与像素PIX-A2连接,栅极布线GL13与像素PIX-A3连接,栅极布线GL14与像素PIX-A4连接。
栅极驱动电路28-2与栅极布线GL21~GL24连接。栅极布线GL21与像素PIX-C1连接,栅极布线GL22与像素PIX-C2连接,栅极布线GL23与像素PIX-C3连接,栅极布线GL24与像素PIX-C4连接。
源极驱动电路38与源极布线SL11~SL14、SL21~SL24连接。源极布线SL11与像素PIX-A1连接,源极布线SL12与像素PIX-A2连接。源极布线SL13与像素PIX-A3连接,源极布线SL14与像素PIX-A4连接。源极布线SL21与像素PIX-B1连接,源极布线SL22与像素PIX-B2连接。源极布线SL23与像素PIX-B3连接,源极布线SL24与像素PIX-B4连接。
在本变形例中,作为栅极驱动电路28-1、28-2,使用两相驱动的驱动器IC。因此,栅极驱动电路28-1能够对栅极布线GL11、GL12同时施加电压,栅极驱动电路28-2能够对栅极布线GL21、GL22同时施加电压。也就是说,能够将栅极布线GL11、GL12、GL21、GL22同时设为导通状态。能够从源极驱动电路38同时向源极布线SL11~SL14供给影像信号。由此,能够将像素PIX-A1、PIX-A2和与像素PIX-A1、PIX-A2分离的PIX-C1、PIX-C2同时设为导通状态,因此能够使一个水平期间变长。另外,无需将从栅极驱动电路28-1延伸存在的栅极布线GL与从栅极驱动电路28-2延伸存在的栅极布线GL调换。因此,能够简化栅极布线GL的布局。
(变形例5)
在图11、图13~图15中,对使用驱动器IC的栅极驱动电路28-1、28-2进行了说明,但本发明的一个实施方式不限定于此。也可以使用晶体管来在阵列基板150之上形成栅极驱动电路28-1、28-2。在该情况下,也可以与图11、图13~图15同样地形成栅极布线GL11~GL14、GL21~GL24。
(变形例6)
在本实施方式中,对源极布线SL1及源极布线SL3并列延伸存在的情况进行了说明,但不限定于此。源极布线SL1也可以与源极布线SL3层叠地延伸存在。在该情况下,在源极布线SL1与源极布线SL3重叠的区域中,源极布线SL1及源极布线SL3中的一者可以由导电层202形成,另一者可以由导电层206形成。同样地,源极布线SL2也可以与源极布线SL4层叠地延伸存在。在该情况下,在源极布线SL2与源极布线SL4重叠的区域中,源极布线SL2及源极布线SL4中的一者可以由导电层202形成,另一者可以由导电层206形成。
(变形例7)
在本实施方式中,对于将4行栅极布线GL同时设为导通状态的情况进行了说明,但本发明的一个实施方式不限定于此。例如,也可以将3行栅极布线GL同时设为导通状态,或者将5条以上的栅极布线GL同时设为导通状态。能够对应于同时设为导通状态的栅极布线GL的数量来确定与配置为一列的多个像素PIX连接的源极布线SL的数量。例如,在将5条以上的栅极布线GL同时设为导通状态的情况下,也可以设为5条源极布线SL分别与配置为一列的5个像素PIX的各自连接的构成。
以上对优选的实施方式进行了说明,但本公开并非限定于上述实施方式。实施方式中公开的内容只不过是一例,能够在不脱离本公开主旨的范围内进行多种变更。在不脱离本公开主旨的范围内进行的适当变更当然也属于本公开的技术范围。

Claims (13)

1.显示装置,其具有:
在设置于第1基板的显示区域中、在第1方向上排列的第1像素至第3像素;
与所述第1像素至所述第3像素的各自连接、并沿着所述第1方向延伸存在的第1源极布线至第3源极布线;和
与所述第1像素至所述第3像素的各自连接、沿着与所述第1方向交叉的第2方向延伸存在的第1栅极布线至第3栅极布线,
所述第1像素具有与所述第1栅极布线及所述第1源极布线电连接的第1晶体管、和与所述第1晶体管电连接的液晶元件,
所述第1像素至所述第3像素设置在所述第1源极布线及所述第3源极布线与所述第2源极布线之间,
所述第1源极布线与所述第3源极布线交叉。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第1晶体管具有:
设置于所述第1基板之上的第1导电层;
与所述第1导电层对置地设置的氧化物半导体层;
设置在所述第1导电层与所述氧化物半导体层之间的栅极绝缘膜;和
设置在所述氧化物半导体层之上的第2导电层及第3导电层,
所述第1导电层作为所述第1栅极布线发挥功能,
所述第3导电层作为所述第1源极布线发挥功能。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其进一步具有:
第4导电层,其在与所述第1导电层相同的层之上沿着所述第1方向延伸存在,经由设置于所述栅极绝缘膜的第1开口而与所述第3导电层连接;
第5导电层,其在与所述第2导电层及所述第3导电层相同的层之上沿着所述第1方向延伸存在,作为所述第3源极布线发挥功能;和
第6导电层,其在与所述第1导电层相同的层之上沿着所述第1方向延伸存在,经由设置于所述栅极绝缘膜的第2开口与所述第5导电层连接,
所述第6导电层具有与所述第3导电层交叉的第1区域。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其进一步具有:
第7导电层,其在与所述第2导电层及所述第3导电层相同的层之上沿着所述第1方向延伸存在;
第8导电层,其在与所述第1导电层相同的层之上沿着所述第1方向延伸存在,经由设置于所述栅极绝缘膜的第3开口而与所述第7导电层连接;
第1绝缘膜,其设置在所述第2导电层及所述第3导电层之上;和
第9导电层,其在所述第1绝缘膜之上沿着所述第1方向延伸存在,
所述第9导电层经由设置于所述第1绝缘膜的第4开口及第5开口而与所述第5导电层及所述第7导电层连接,
所述第5导电层、所述第7导电层及所述第9导电层作为所述第3源极布线发挥功能。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其进一步具有:
第4像素,其在所述第1方向上与所述第3像素邻接地设置;
第4栅极布线,其与所述第4像素连接、沿着所述第2方向延伸存在;和
第4源极布线,其与所述第4像素连接、沿着所述第1方向延伸存在,
所述第2源极布线与所述第4源极布线交叉。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,在包围所述显示区域的周边区域中,进一步具有:
第1栅极驱动电路,其与所述第1栅极布线及所述第2栅极布线连接;和
第2栅极驱动电路,其与所述第3栅极布线及所述第4栅极布线连接。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,在所述周边区域中,所述第2栅极布线具有与所述第3栅极布线重叠地延伸存在的区域。
8.根据权利要求5所述的显示装置,其中,在包围所述显示区域的周边区域中,进一步具有与所述第1栅极布线至所述第4栅极布线连接的第1栅极驱动电路。
9.根据权利要求5所述的显示装置,其中,在包围所述显示区域的周边区域中,进一步具有与所述第1栅极布线连接的第1栅极驱动电路,
所述第2栅极布线至所述第4栅极布线与所述第1栅极布线电连接。
10.根据权利要求6至9中任一项所述的显示装置,其中,所述第1像素至所述第4像素连续地排列配置,
所述第1像素至所述第4像素同时变为导通状态。
11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,
所述第1像素与所述第2像素邻接地配置,
所述第3像素及所述第4像素邻接地配置,
所述第1像素及所述第2像素与所述第3像素及所述第4像素分离地配置,
所述第1像素至所述第4像素同时变为导通状态。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其进一步具有:
第2基板,其与所述第1基板对置地设置;
液晶层,其设置在所述第1基板与所述第2基板之间;和
光源,其配置为光朝向所述第1基板的侧面或与所述第2基板的侧面射入。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其中,
所述液晶层为高分子分散型液晶,
在所述高分子分散型液晶处于散射状态时,在所述显示区域中显示图像,
在所述高分子分散型液晶处于非散射状态时,在所述显示区域中,所述第2基板的背景从所述第1基板被视觉辨认,所述第1基板的背景从所述第2基板被视觉辨认。
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