CN117039606A - 水平腔面发射激光器及激光设备 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种水平腔面发射激光器及激光设备。水平腔面发射激光器，具有出光方向，所述水平腔面发射激光器包括光栅层以及反射镜层，所述光栅层能够沿所述出光方向出射两种出射方向相反的衍射光束，所述反射镜层和所述光栅层沿所述出光方向依次设置，所述反射镜层用于将所述光栅层出射的至少部分与所述出光方向相反的衍射光束朝所述光栅层反射。上述水平腔面发射激光器，有利于提升水平腔面发射激光器的发光功率并降低水平腔面发射激光器的能耗。
Description
技术领域
本申请涉及激光器技术领域，特别是涉及一种水平腔面发射激光器及激光设备。
背景技术
水平腔面发射激光器(Horizontal cavity surface-emitting laser，以下简称HCSEL)是半导体激光器家族中的重要一员，HCSEL类似于边发射激光器（Edge-emittingSemiconductor Lasers，以下简称EEL）的结构，水平谐振的激光腔内通过衍射光学方法，形成垂直于激光振荡方向的表面出光。HCSEL融合了垂直腔面发射激光器（Vertical-CavitySurface-Emitting Laser，以下简称VCSEL）在晶圆级别整体流片和易于封装以及EEL长腔长、大功率的优点。同时，HSCEL与VCSEL相比较具有光束质量优、偏振度优、信噪比高等优势，HSCEL与EEL相比较，具有功率高、输出口径大、制造工艺简单等优势。HCSEL具有腔长长、增益大、低成本量产、封装形式简单、波长温漂小、超高的单管功率、大输出口径、光谱线宽窄、优异的光束质量、优异的偏振度、可在紧凑封装尺寸内实现高质量线形广场等优点，适于3D传感、激光雷达、TOF、激光加热等领域。
传统的HCSEL中，光栅通常能够提供两个相反反向的衍射光束，然而，传统的HCSEL通常只能出射光栅提供的其中一个方向的衍射光束，导致HCSEL的出光效率低。
发明内容
基于此，有必要针对传统的HCSEL出光效率低的问题，提供一种水平腔面发射激光器及激光设备。
一种水平腔面发射激光器，具有出光方向，所述水平腔面发射激光器包括光栅层以及反射镜层，所述光栅层能够沿所述出光方向出射两种出射方向相反的衍射光束，所述反射镜层和所述光栅层沿所述出光方向依次设置，所述反射镜层用于将所述光栅层出射的至少部分与所述出光方向相反的衍射光束朝所述光栅层反射。
上述水平腔面发射激光器，在光栅层背向出光方向的一侧设置反射镜层，反射镜层能够将光栅层出射的至少部分与出光方向相反的衍射光束朝光栅层反射，使得光束的出射方向与出光方向一致，从而能够作为水平腔面发射激光器的出射光出射，有利于充分利用光栅层出射的光束，提升光线利用效率，从而提升水平腔面发射激光器的出光效率，有利于提升水平腔面发射激光器的发光功率并降低水平腔面发射激光器的能耗。
在其中一个实施例中，所述水平腔面发射激光器包括衬底、设于所述衬底上的N导电层以及设于所述N导电层背向所述衬底一侧的P电极层，所述光栅层和所述反射镜层设于所述衬底和所述P电极层之间。光栅层和反射镜层的设置位置具有高自由度，能够适应不同的制造工艺，反射镜层设于水平腔面发射激光器的层结构中，在提升出光效率的同时也有利于压缩水平腔面发射激光器的尺寸。
在其中一个实施例中，所述出光方向由所述光栅层指向所述P电极层，所述水平腔面发射激光器还包括在所述P电极层指向所述N导电层的方向上依次设置的P型接触层、P型掺杂包层、P型掺杂光限制层、有源层、N型掺杂光限制层以及N型掺杂包层，所述光栅层由所述水平腔面发射激光器中与所述P电极层相邻的一层或多层层结构形成。通过与P电极层相邻的一层或多层层结构形成光栅层，使得光栅层的制造工艺能够与水平腔面发射激光器的制造工艺相适应，降低水平腔面发射激光器的设计和制造难度。
在其中一个实施例中，所述反射镜层设于所述N导电层和所述衬底之间。如此设置，反射镜层能够在衬底上生成，有利于降低设计和制造难度。
在其中一个实施例中，所述出光方向由所述光栅层指向所述N导电层，所述水平腔面发射激光器还包括设于所述P电极层朝向所述N导电层一侧的P型接触层，所述光栅层和所述反射镜层设于所述P型接触层和所述N导电层之间。如此设置，光栅层和反射镜层能够良好的适应水平腔面发射激光器的结构设计和制造工艺，且设置位置具有高自由度。
在其中一个实施例中，所述水平腔面发射激光器还包括在所述P型接触层指向所述N导电层的方向上依次设置的P型掺杂包层、P型掺杂光限制层、有源层、N型掺杂光限制层以及N型掺杂包层，所述光栅层由所述P型接触层朝向所述N导电层一侧且与所述P型接触层相邻的一层或多层层结构形成。通过与P型接触层相邻的一层或多层层结构形成光栅层，使得光栅层的制造工艺能够与水平腔面发射激光器的制造工艺相适应，降低水平腔面发射激光器的设计和制造难度。
在其中一个实施例中，所述反射镜层设于所述P型掺杂包层和所述P型接触层之间。如此设置，反射镜层能够在刻蚀光栅层后生长，能够与水平腔面发射激光器和光栅层的制造工艺良好的适应，有利于降低水平腔面发射激光器设计和制造难度。
在其中一个实施例中，所述P电极层设于所述P型接触层的周缘，或者覆盖所述P型接触层背向所述衬底的表面；和/或，
所述水平腔面发射激光器还包括设于所述衬底背向所述N导电层一侧的N电极层，所述N电极层覆盖所述衬底的表面或设于所述衬底的周缘；和/或，
所述N导电层和所述衬底部分延伸至所述P电极层外，所述水平腔面发射激光器还包括N电极层，所述N电极层设于所述N导电层背向所述衬底的一侧，并设于所述N导电层延伸至所述P电极层外的部分。如此设置，能够适应正面出光、背面出光以及不同的封装类型的水平腔面发射激光器，提升水平腔面发射激光器的适用性。
在其中一个实施例中，所述光栅层由所述水平腔面发射激光器中任意一层或多层层结构形成；和/或，
所述反射镜层设于所述光栅层背向所述出光方向的一侧的任意两层层结构之间。光栅层和反射镜层的设置具有高自由度，能够适应水平腔面发射激光器的结构和制造工艺，有利于降低水平腔面发射激光器的设计和制造难度。
在其中一个实施例中，所述光栅层包括二阶或高阶布拉格光栅，和/或，包括二阶或高阶光子晶体；和/或，
所述反射镜层包括分布式布拉格反射镜和/或光子晶体结构。光栅层和反射镜层的类型设计有利于提升水平腔面发射激光器的性能。
一种激光设备，包括如上述任一实施例所述的水平腔面发射激光器。在激光设备中采用上述的水平腔面发射激光器，水平腔面发射激光器中的光栅层和反射镜层相配合，有利于提升激光设备的发光功率并降低激光设备的能耗。
附图说明
图1为一些实施例中水平腔面发射激光器的结构示意图。
图2为另一些实施例中水平腔面发射激光器的结构示意图。
图3为一些实施例中光栅层两种出射方向相反的衍射光束的光路示意图。
图4为又一些实施例中水平腔面发射激光器的结构示意图。
图5为一些实施例中水平腔面发射激光器中光栅层为光子晶体的结构示意图。
附图标记：
10、水平腔面发射激光器；101、衬底；102、N导电层；103、N型掺杂包层；104、N型掺杂光限制层；105、有源层；106、P型掺杂光限制层；107、P型掺杂包层；108、P型接触层；109、光栅层；110、反射镜层；111、P电极层；112、N电极层；113、绝缘层。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
在本申请的描述中，需要理解的是，若有出现这些术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等，这些术语指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，若有出现这些术语“第一”、“第二”，这些术语仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，若有出现术语“多个”，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，若有出现术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等，这些术语应做广义理解。例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，若有出现第一特征在第二特征“上”或“下”等类似的描述，其含义可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是，若元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。若一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。如若存在，本申请所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
请参见图1和图2，图1和图2分别为不同实施例中水平腔面发射激光器10的结构示意图。本申请提供的水平腔面发射激光器10能够发射激光，可用于3D传感、激光雷达、TOF、激光加热等领域。在一些实施例中，水平腔面发射激光器10包括依次设置的衬底101、N导电层102、N型掺杂包层103、N型掺杂光限制层104、量子阱或量子点有源层105、P型掺杂光限制层106、P型掺杂包层107以及P型接触层108。水平腔面发射激光器10具有出光方向（图1所示的虚线箭头方向），水平腔面发射激光器10能够沿出光方向出射光线，水平腔面发射激光器10包括但不限于为正面出光或背面出光。参考图1所示，当水平腔面发射激光器10为正面出光时，出光方向可从衬底101指向P型接触层108，换言之，P型接触层108背向衬底101的表面可视为水平腔面发射激光器10的出光面。参考图2所示，当水平腔面发射激光器10为背面出光时，出光方向可从P型接触层108指向衬底101，换言之，衬底101背向P型接触层108的表面可视为水平腔面发射激光器10的出光面。水平腔面发射激光器10还可设有光栅层109，光栅层109能够出射与出光方向相同的衍射光束，形成水平腔面发射激光器10的出射光。
结合图1和图3所示，需要说明的是，传统的水平腔面发射激光器中的光栅层通常能够出射方向相反的两种衍射光束，其中一种衍射光束沿出光方向从光栅层射出，进而从水平腔面发射激光器射出形成水平腔面发射激光器的出射光。另外一种衍射光束从光栅层的出射方向与出光方向相反，出射方向与出光方向相反的衍射光束通常无法形成水平腔面发射激光器的出射光，导致该种衍射光束被浪费，降低了水平腔面发射激光器的出光效率，容易导致水平腔面发射激光器的发光功率下降，并导致同等发光功率的情况下水平腔面发射激光器的能耗上升。
为解决上述问题，在一些实施例中，本申请提供的水平腔面发射激光器10还包括反射镜层110，反射镜层110和光栅层109沿出光方向依次设置，则反射镜层110可视为设于光栅层109背向出光方向的一侧。反射镜层110用于将光栅层109出射的至少部分与出光方向相反的衍射光束朝光栅层109反射，以偏折光束的方向，使得光束的方向与出光方向相同，从而能够形成水平腔面发射激光器10的出射光，进而使得光栅层109提供的两种方向相反的衍射光束均能够被利用。
上述水平腔面发射激光器10，在光栅层109背向出光方向的一侧设置反射镜层110，反射镜层110能够将光栅层109出射的至少部分与出光方向相反的衍射光束朝光栅层109反射，使得光束的出射方向与出光方向一致，从而能够作为水平腔面发射激光器10的出射光出射，有利于充分利用光栅层109出射的光束，提升光线利用效率，从而提升水平腔面发射激光器10的出光效率，有利于提升水平腔面发射激光器10的发光功率并降低水平腔面发射激光器10的能耗。
在一些实施例中，光栅层109由水平腔面发射激光器10中的任意一层或多层层结构刻蚀形成，例如光栅层109可以由P型接触层108至N型掺杂包层103的任意一层形成，也可以由P型接触层108、P型掺杂包层107、P型掺杂光限制层106三层层结构共同形成，或者由P型掺杂包层107、P型掺杂光限制层106两层层结构共同形成，当然也可由其他任意相邻的两层、三层或其他数量的层结构共同形成。在一些实施例中，光栅层109可以为二阶或高阶布拉格光栅，能够在平行于出光方向的两个相反的方向上有效提供两种衍射光束。在本申请中，高阶可以理解为二阶以上的更高阶。参考图5所示，在另一些实施例中，光栅层109还可以为二阶或高阶光子晶体，图2和图4所示的实施例中光栅层109也不限于为布拉格光栅或光子晶体，当然，光栅层109还可以同时包括布拉格光栅和光子晶体，在本申请中不对光栅层109的类型做具体限定，只要光栅层109能够沿出光方向出射两种方向相反的光束即可。
在一些实施例中，反射镜层110设于光栅层109背向出光方向的一侧的任意两层层结构之间，例如设于N导电层102和衬底101之间或者P型接触层108和P型掺杂包层107之间，当然，反射镜层110还可设于其他任意两层层结构之间。在一些实施例中，反射镜层110可以为分布式布拉格反射镜或具有良好的反射性能的光子晶体结构，反射镜层110可以为半导体材料，反射镜层110能够通过外延生长的方式形成于任意一层层结构上，有利于适应水平腔面发射激光器10的制造工艺，并提供良好的反射性能，有效提升出光效率。
在一些实施例中，水平腔面发射激光器10还包括P电极层111和N电极层112，P电极层111可设于P型接触层108背向衬底101的一侧，并与P型接触层108欧姆接触导通，N电极层112可与N导电层102电连接，水平腔面发射激光器10可通过对P电极层111和N电极层112施加电流，使得电流从P型接触层108注入水平腔面发射激光器10而使得水平腔面发射激光器10发光。在一些实施例中，当水平腔面发射激光器10为正面出光时，P电极层111可设于P型接触层108的周缘，以免阻挡水平腔面发射激光器10的出光。N电极层112可设于衬底101背向N导电层102的一侧，并覆盖衬底101的表面。当然，根据水平腔面发射激光器10类型的不同，N电极层112和P电极层111还可有其他的设置方式。参考图4所示，在一些实施例中，N导电层102和衬底101部分延伸至P电极层111外，N电极层112设于N导电层102背向衬底101的一侧，并设于N导电层102延伸至P电极层111外的部分。参考图2所示，在一些实施例中，当水平腔面发射激光器10为背面出光时，P电极层111可覆盖P型接触层108背向衬底101的表面，N电极层112可设于衬底101背向P型接触层108的表面的周缘，以免阻挡水平腔面发射激光器10的出光。可以理解的是，在图1和图2所示的实施例中，衬底101设于N电极层112和N导电层102之间，衬底101可以为有掺杂的半导体材料，在图4所示的实施例中，衬底101可以为任意适用的绝缘材料或非绝缘材料。
在一些实施例中，水平腔面发射激光器10还可包括绝缘层113，绝缘层113覆盖水平腔面发射激光器的至少部分表面以对水平腔面发射激光器10提供保护作用，P电极层111和N电极层112均可穿透绝缘层113以与P型接触层108或N导电层102电连接。
在一些实施例中，光栅层109和反射镜层110可设于N导电层102和P电极层111之间。进一步地，参考图1和图4所示，当出光方向由光栅层109指向P电极层111，即水平腔面发射激光器10为正面出光时，光栅层109由水平腔面发射激光器10中与P电极层111相邻的一层或多层层结构形成，例如，由P型接触层108形成，或者由P型接触层108、P型掺杂包层107以及P型掺杂光限制层106三层层结构共同形成。通过与P电极层111相邻的一层或多层层结构形成光栅层109，使得光栅层109的制造工艺能够与水平腔面发射激光器10的制造工艺相适应，降低水平腔面发射激光器10的设计和制造难度。在本实施例中，反射镜层110可设于N导电层102和衬底101之间，从而能够利用衬底101更好地生成反射镜层110，降低水平腔面发射激光器10的设计和制造难度。
在图1和图4所示的实施例中，可先在衬底101上通过外延生长制备反射镜层110，并生长N型掺杂包层103至P型接触层108等多层层结构，然后在P型接触层108背向衬底101的一侧，对P型接触层108或者对P型接触层108、P型掺杂包层107及P型掺杂光限制层106等多层层结构进行刻蚀形成光栅层109，进而覆盖绝缘层113，对绝缘层113进行刻蚀以露出N电极层112或P电极层111的设置位置，然后设置N电极层112和P电极层111。可以看出，反射镜层110和光栅层109的设置于水平腔面发射激光器10的结构和制造工艺能够良好的适应，有利于简化制造工艺，降低设计和制造难度。
参考图2所示，在一些实施例中，当出光方向由光栅层109指向N导电层102，即水平腔面发射激光器10为背面出光时，光栅层109和反射镜层110设于P型接触层108和N导电层102之间，光栅层109和反射镜层110的设置具有高自由度，且不会影响P型接触层108与P电极层111的接触导通，使得电流能够顺利注入水平腔面发射激光器10中。进一步地，在一些实施例中，光栅层109由P型接触层108朝向N导电层102一侧且与P型接触层108相邻的一层或多层层结构形成，例如，光栅层109由P型掺杂包层107形成，或者由P型掺杂包层107和P型掺杂光限制层106共同形成。在本实施例中，反射镜层110可设于P型掺杂包层107和P型接触层108之间。如此设置，光栅层109和反射镜层110的设置能够于水平腔面发射激光器10的结构及设置工艺良好的适应，有利于简化制备工艺，降低水平腔面发射激光器10的设计和制造难度。
在图2所示的实施例中，可先在衬底101上通过外延生长的方式制备N导电层102至P型掺杂包层107的多层层结构，然后在P型掺杂包层107背向衬底101的一层对P型掺杂包层107或者对P型掺杂包层107和P型掺杂光限制层106进行刻蚀形成光栅，然后在P型掺杂包层107背向衬底101的一侧通过外延生长的方式制备反射镜层110和P型接触层108，进而设置绝缘层113，然后设置P电极层111和N电极层112。可以看出，反射镜层110和光栅层109的设置于水平腔面发射激光器10的结构和制造工艺能够良好的适应，有利于简化制造工艺，降低设计和制造难度。
在一些实施例中，反射镜沿出光方向在光栅层109上的投影覆盖光栅层109，例如，反射镜层110在与出光方向相垂直的方向的尺寸大于或等于光栅层109，在图1和图2所示的实施例中，反射镜层110可与光栅层109重叠，在图4所示的实施例中，反射镜层110可与N导电层102重叠，且尺寸大于光栅层109。如此设置，能够最大程度地将光线反射形成水平腔面发射激光器10的出射光，有利于提升水平腔面发射激光器10的出光效率。
本申请还提供一种激光设备，包括壳体以及如上述任一实施例所述的水平腔面发射激光器10，水平腔面发射激光器10设于壳体内，壳体可设有出光孔，水平腔面发射激光器10发射的激光能够从出光孔射出。根据发光功率需求的不同，激光设备中可设置不同数量的水平腔面发射激光器10，例如可设置多个呈阵列排布的水平腔面发射激光器10。激光设备可用于3D传感、激光雷达、TOF、激光加热等领域，激光设备包括但不限于为激光传感器、激光雷达、三维激光投射装置、激光加热设备等任意适用的装置。在激光设备中采用上述的水平腔面发射激光器10，水平腔面发射激光器10中的光栅层109和反射镜层110相配合，有利于提升激光设备的发光功率并降低激光设备的能耗。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (11)
1.一种水平腔面发射激光器，其特征在于，具有出光方向，所述水平腔面发射激光器包括光栅层以及反射镜层，所述光栅层能够沿所述出光方向出射两种出射方向相反的衍射光束，所述反射镜层和所述光栅层沿所述出光方向依次设置，所述反射镜层用于将所述光栅层出射的至少部分与所述出光方向相反的衍射光束朝所述光栅层反射。
2.根据权利要求1所述的水平腔面发射激光器，其特征在于，所述水平腔面发射激光器包括衬底、设于所述衬底上的N导电层以及设于所述N导电层背向所述衬底一侧的P电极层，所述光栅层和所述反射镜层设于所述衬底和所述P电极层之间。
3.根据权利要求2所述的水平腔面发射激光器，其特征在于，所述出光方向由所述光栅层指向所述P电极层，所述水平腔面发射激光器还包括在所述P电极层指向所述N导电层的方向上依次设置的P型接触层、P型掺杂包层、P型掺杂光限制层、有源层、N型掺杂光限制层以及N型掺杂包层，所述光栅层由所述水平腔面发射激光器中与所述P电极层相邻的一层或多层层结构形成。
4.根据权利要求3所述的水平腔面发射激光器，其特征在于，所述反射镜层设于所述N导电层和所述衬底之间。
5.根据权利要求2所述的水平腔面发射激光器，其特征在于，所述出光方向由所述光栅层指向所述N导电层，所述水平腔面发射激光器还包括设于所述P电极层朝向所述N导电层一侧的P型接触层，所述光栅层和所述反射镜层设于所述P型接触层和所述N导电层之间。
6.根据权利要求5所述的水平腔面发射激光器，其特征在于，所述水平腔面发射激光器还包括在所述P型接触层指向所述N导电层的方向上依次设置的P型掺杂包层、P型掺杂光限制层、有源层、N型掺杂光限制层以及N型掺杂包层，所述光栅层由所述P型接触层朝向所述N导电层一侧且与所述P型接触层相邻的一层或多层层结构形成。
7.根据权利要求6所述的水平腔面发射激光器，其特征在于，所述反射镜层设于所述P型掺杂包层和所述P型接触层之间。
8.根据权利要求3-7任一项所述的水平腔面发射激光器，其特征在于，所述P电极层设于所述P型接触层的周缘，或者覆盖所述P型接触层背向所述衬底的表面；和/或，
所述水平腔面发射激光器还包括设于所述衬底背向所述N导电层一侧的N电极层，所述N电极层覆盖所述衬底的表面或设于所述衬底的周缘；和/或，
所述N导电层和所述衬底部分延伸至所述P电极层外，所述水平腔面发射激光器还包括N电极层，所述N电极层设于所述N导电层背向所述衬底的一侧，并设于所述N导电层延伸至所述P电极层外的部分。
9.根据权利要求1-7任一项所述的水平腔面发射激光器，其特征在于，所述光栅层由所述水平腔面发射激光器中任意一层或多层层结构形成；和/或，
所述反射镜层设于所述光栅层背向所述出光方向的一侧的任意两层层结构之间。
10.根据权利要求1-7任一项所述的水平腔面发射激光器，其特征在于，所述光栅层包括二阶或高阶光栅，和/或，包括二阶或高阶光子晶体；和/或，
所述反射镜层包括分布式布拉格反射镜和/或光子晶体结构。
11.一种激光设备，其特征在于，包括如权利要求1-10任一项所述的水平腔面发射激光器。
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|---|---|---|---|
| CN202311264793.3A CN117039606A (zh) | 2023-09-28 | 2023-09-28 | 水平腔面发射激光器及激光设备 |
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| CN202311264793.3A Pending CN117039606A (zh) | 2023-09-28 | 2023-09-28 | 水平腔面发射激光器及激光设备 |
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| CN115882339A (zh) * | 2021-09-29 | 2023-03-31 | 全新光电科技股份有限公司 | 包含多主动层与光栅层的半导体激光二极体 |
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2023
- 2023-09-28 CN CN202311264793.3A patent/CN117039606A/zh active Pending
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