CN1170276A - 电致发光显示装置和显示装置的驱动电路 - Google Patents
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Abstract
能减少辉度不均,防止内部晶体管损坏,减少振动形成的噪声的EL显示装置驱动电路具备:接受振荡电路6的脉冲信号并使直流电压源2升压的升压电路10;连到升压电路,由第1~第4MOSFET21~24和反相器25构成的开关装置20;连到开关装置输出端子X,Y上的EL器件1;接受开关电路输出,并向其送出控制信号的电压检测电路。升压电路由线圈11和二极管12的串连电路和主电极连到串连电路上,控制电极接受脉冲信号的升压晶体管13构成。
Description
本发明涉及电致发光(以下略称之为EL)器件的驱动电路及应用了该驱动电路的EL显示装置,特别是涉及把升压线圈等和半导体集成电路器件组合在一起的显示装置。
近年来,开始在手表的表盘和携带信息机器的显示板上把应用了EL器件的EL显示装置用作背景光或文字等的显示。
以下,根据附图说明现有的EL显示装置。
图10的电路图示出了应用了现有的EL器件的驱动电路的EL显示装置。在图10中,51是使显示板发光的EL器件,52是直流电压源,53是把直流电压源52升压以生成加到EL器件51上的外加电压的线圈,54是用来阻止对线圈53加上反向电压的二极管。在一半导体衬底上边进行集成化的区域100中,55是由源极电极已接地的N沟MOS构成的升压晶体管,56是其输出端连接到升压晶体管55的栅极电极上,且决定该升压晶体管55的开关频率的振荡电路,57是使加到EL器件51上的电压极性反转并决定生成支流信号时的该支流信号的频率的分频电路,60是使加到EL器件51上的外加电压的极性反转以产生该交流信号的开关电路。
开关电路60由漏极电极与二极管54的阴极互连,各源极电极则分别连到第1输出端子X或第2输出端子Y上,且本身就是使EL器件51的外加电压的极性反转的开关的第1N沟MOS晶体管61和第2N沟MOS晶体管62;源极电极接地、漏极电极连到第1N沟MOS晶体管61的源极电极上,栅极电极与第2N沟MOS晶体管62的栅极电极共同连在一起的第3N沟MOS晶体管63;源极电极接地;漏极电极连到第2N沟MOS晶体管62的源极电极上、栅极电极与第1N沟MOS晶体管61的栅极电极连在一起的第4N沟MOS晶体管64;使分别加到第1和第3N沟MOS晶体管61,63的栅极电极上的信号和分别加到第2和第4N沟MOS晶体管62,64的栅极电极上的信号之间的极性互相反转的反相器65构成。
另外,在图10中,对表示N沟MOS晶体管61等等的符号所附加上的箭头表示源极电极,在别的附图中也加有同样的箭头。
以下,说明上述那样地构成的EL显示装置的动作。如图10所示,加到升压晶体管55的栅极电极上的栅极电压V56的频率由振荡电路56决定,图11中示出了该栅极电压V56的时间变化。在图11,T表示栅极电压V56的周期,V65表示由振荡电路56振荡频率和分频电路57的分频比决定的反相器65的输出电压。其中,输出电压V65的频数约为400Hz。这时,若假定把分频电路57分频比已设定为比如说1/16,则输出电压V65的周期将变成为16T。在示于图11的t=0~8T的期间(图中的期间a)中,由于输出电路65为低电平,故第2和第3N沟MOS晶体管62,63将变成截止,第1和第4N沟MOS晶体管61,64将变成导通。这时,连往EL器件51上的第2输出端子Y将变为GND,而第1输出端子X则由于线圈53和升压晶体管55的缘故,升压到比如说约50~80V。
图11所示的V51表示以第2输出端子Y的基准时的加在EL器件51上的电压。在t=8T~16T的期间(图中的期间b)里。由于反相器65的输出电压65是高电平,故第2和第3N沟MOS晶体管62,63变成导通,第1和第4N沟MOS型晶体管61,64变为截止。这时,加在EL器件51上的电压V51介以第3N沟MOS晶体管63的漏-源极导电通路放电,与期间a相反,连接EL器件51的第1输出端子X变为GND,结果变成为使第2输出端子Y升压。
这样一来,现有的EL显示装置由EL驱动电路构成。上述EL驱动电路利用用振荡电路56和分频电路57决定的周期使加到EL器件51上的外加电压升压,而且,使极性反转。
但是,由于加到EL器件上的外加电压的极性以规定的周期(=8T)反转,故上述现有的EL显示装置的驱动电路存在着下述三个问题。
首先,第1,在显示装置中应用了多个EL器件的情况下,由于伴随着各个EL器件的电容的不均一性加在各EL器件上的电压将变动。故存在着在显示装置整体的辉度中会产生不均匀这样的问题。根据附图对这种现有的辉度不均匀进行说明。图12示出了现有的EL器件自身的电容的不均一性所产生的EL器件的所加电压的变动。在图12中,实线表示EL器件的电容值相对小时加到EL器件上的电压,虚线表示EL器件的电容值相对大的时候加在EL器件上的电压。如图12所示,倘采用现有的驱动电路,则在用多个EL器件构成的显示装置中,由于伴随着各EL器件的电容的不均一性,加在EL器件上的电压将产生±20%左右的不均一,而且由于各EL器件的辉度不一样,故结果变成为在装置的整个显示面上将产生辉度不均匀。
第2,在更换EL器件时或EL器件的连接由于某种理由而断开的时候,由于将失掉比晶体管的电容大得多的电容,而电容与电压成反比,故晶体管的漏极电压将上升到超过该晶体管的耐压的程度,因此存在着会使该晶体管完全对称的问题。就是说,在更换EL器件时或者EL器件的连接由于某种原因而断开了的时间,作为示于图10的驱动电路的负载,就变为只有开关电路60中的第1~第4N沟MOS晶体管61~64的漏极电极的电容, 由于该电容值为数PF~数+PF,与EL器件51的1000PF以上的电容值相比极端地小,故结果变成为通过被线图53升压后的所加电压使各N沟MOS晶体管61~64的漏极电压被升压为超过了其漏极耐压。
第3,如图12所示,加到EL器件上的电压的波形,在切换极性时,从升电压到OV的下降边部分变得很陡,因此,由于极性切换频率在400Hz附近,故存在着这一所加电压的波形的陡峻的下降边将使EL器件振动,使之产生噪声的问题。特别是在使用时若发生了噪声则很麻烦的携带电话之类的移动体通信机器或其他电子装置中,人们希望减少EL器件的振动音,故改善加到EL器件上的电压的波形是必不可少的。
本发明的第1目的是减少EL器件的辉度不均匀;第2目的是防止EL器件的连接处于开放状态时内部的晶体管等的器件的破坏;第3目的是降低因EL器件所产生的振动引起的噪声。
为了实现上述第1或第2目的,第1方面的发明把EL显示装置构成为具备有:升压信号生成装置,用于根据脉冲信号使电源电压升压以生成升压信号;开关装置,用于在输入了上述升压信号后,在输出第1输出信号的同时,使上述升压信号的极性反转以输出第2输出信号;EL器件,已被连到上述开关装置的输出一侧上;电压检测电路,用于从上述开关装置接受第1输出信号的输入并根据已输入的第1输出信号的规定电压向上述开关装置输出控制信号,以此使上述开关装置的第2输出信号的极性反转。
若采用第1方面的构成,则由于生成EL器件驱动所用的交流信号的开关装置上已连上了电压检测装置,且该电压检测装置接受来自开关装置的第1输出信号并根据该第1输出信号的规定电压控制开关装置,而且由于开关装置的第2输出信号的极性与时间无关地在达到了规定电压的时刻进行反转,故可以控制EL器件驱动用的电压的大小的不均一性。
第2方面的发明,在第1方面的构成中附加上了下述构成:上述升压信号生成装置由把线圈和二极管在连接部分处串联连接起来构成的串联电路和、主电极连到上述串联电路的连接部分上、控制电极接受上述脉冲信号的输入的升压晶体管组成。
第3方面的发明,在第1方面的构成中还附加上了下述构成:还具有向上述升压信号生成装置输出上述脉冲信号的振荡电路;上述开关装置具有晶体管;上述升压信号生成装置具有由阴极已连到上述开关装置的晶体管的主电极上的二极管和一端已连到电压源上的同时,另一端已与上述二极管的阳极在连接部分连接的线圈组成的串联电路,以及主电极与上述串联电路的连接部分相连,控制电极接受上述脉冲信号的升压晶体管;上述电压检测电路输出的控制信号输入到上述开关装置的晶体管的控制电极上去。
为了实现第3目的,第4方面的发明,在第1~3方面的构成中附加上了把上述开关装置的第2输出信号的输出波形钝化的结构。
采用第4方面的构成,由于其输出波形已被钝化,故生成EL器件驱动所用的交流信号的开关装置的第2输出信号的所加电压的陡峻的下降边将变得平缓起来。
为了实现第3目的,第5方面的发明,在第1~第3方面的构成中附加上了下述构成:还具备有电阻,该电阻被连接在上述开关装置与上述EL器件之间。用于延迟从上述开关装置放电的电荷的放电时间。
倘采用第5方面的构成,由于介以已串接于开关装置和EL器件之间的电阻使已被充电到EL器件上的电荷放电,而且由于其放电时的输出波形因电阻的电阻成分产生延迟而纯化,故生成EL器件驱动所用的交流信号的开关装置的所加电压的陡峻的下降边变得平缓了。
为了实现上述第1或第2目的,第6方面的发明把显示装置的驱动电路构成为具备有:①开关电路,具有第1和第2N沟MOS晶体管,它们的漏极电极彼此已互连在一起;第3N沟MOS晶体管,其源极电极接地。漏极电极与上述第1N沟MOS晶体管的源极电极相连。栅极电极与上述第2N沟MOS晶体管的栅极电极相连;第4N沟MOS晶体管,其源极电极接地,漏极电极与上述第2N沟MOS晶体管的源极电极相连,栅极则与上述第1N沟MOS晶体管的栅极电极相连;连接到上述第3N沟MOS晶体管的漏极电极上的第1输出端子和已连到上述第4N沟MOS晶体管的漏极电极上的第2输出端子;②电压检测电路,用于接受来自上述开关电路的第1和第2输出端子的输出信号的输入,并向上述开关电路中的上述第1和第4N沟MOS晶体管的共同的栅极电极和上述第2和第3N沟MOS晶体管的共同的栅极电极送出相位互连的控制信号。
倘采用第6方面的构成,则由于在生成EL器件驱动所用的交流信号的开关电路中已连接有接受该开关电路的输出信号并向该开关电路输出控制信号的电压检测电路,故开关电路的输出信号的极性根据该开关电路的输出信号进行反转而和时间无关,故可以抑EL制器件驱动所用的交流电压的大小的不均一性。
第7方面的发明,在第6方面的构成中附加上了下述构成:在上述电压控制电路中,在上述开关电路的输出信号超过了规定电压时,使上述控制信号的电压极性反转。
为了实现第3目的,第8方面的发明,在第6或第7方面的构成中附加上了下述构成:上述开关电路的输出信号,其输出波形已被钝化。
倘采用第8方面的构成,由于生成EL器件驱动所用的交流信号的开关电路的输出信号的输出波形已钝化,故所加电压的陡峻的下降边将变得平缓起来。
为了实现第3目的,第9方面的发明,在第6或第7方面的构成中,附加上了下述构成:还具有各有电阻,该电阻串联连接于上述开关电路与上述第1和第2端子中至少一方之间,用于延迟由上述开关电路放电的电荷的放电时间。
倘采用第9方面的构成,由于生成EL器件驱动用的交流信号的开关电路介以串接于开关电路与EL器件之间的电阻放电,且由于其放电时的输出波形归因于电阻(器)的电阻成分产生延迟而钝化,故其所加电压的陡峻的下降边将变得平缓起来。
下面简单地说明附图。
图1的电路图示出了应用了本发明的第1实施例的EL驱动电路的EL显示装置。
图2是本发明的第1实施例的EL显示装置的振荡电路,输出端子和电压检测电路的各输出信号的时序图。
图3的曲线图示出了加于本发明的第1实施例的驱动电路的EL器件上的输出信号。
图4的电路图示出了应用了本发明的第2实施例的EL驱动电路的EL显示装置。
图5示出了本发明的第2实施例的EL驱动电路的输出信号的信号波形。
(a)是表示开关电路与电阻之间的电压波形的曲线图,
(b)是表示已连上了电阻的第1输出端子的电压波形的曲线图,
(c)是表示未连接电阻的第2输出端子的电压波形的曲线图,
(d)是表示由第1输出端子与第2输出端子之间的差构成的信号波形的曲线图。
图6的电路图示出了应用了本发明的第2实施例的第1变形例的EL驱动电路的EL显示装置。
图7示出了本发明的第2实施例的第1变形例的EL驱动电路的输出信号的信号波形,
(a)是表示开关电路与电阻之间的电压波形的曲线图,
(b)是表示已连接上电阻的第1输出端子的压波形的曲线图,
(c)是表示已连接上电阻的第2输出端子的电压波形的曲线图,
(d)是表示由第1输出端子和第2输出端子之差形成的信号波形的曲线图。
图8的电路图示出了应用了本发明第2实施例的第2变形例的EL驱动电路的EL显示装置;
图9示出了本发明第2实施例的第2变形例的EL驱动电路的输出信号的信号波形,
(a)是表示开关电路和第1电阻器之间的电压波形的曲线图,
(b)是表示连接了第1电阻器的第1输出端子的电压波形的曲线图,
(c)是表示连接了第2电阻器的第2输出端子的电压波形的曲线图,
(d)是表示开关电路与第2电阻之间的电压波形的曲线图,
(e)是表示由第1输出端子与第2输出端子之差形成的信号波形的曲线图。
图10的电路图示出了应用了现有的EL驱动电路的EL显示驱动装置。
图11是现有的EL显示装置的振荡电路、分频电路和输出端子的各输出信号的时序图。
图12的曲线图示出了加到现有的驱动电路的EL器件上的输出信号。
图13的电路图示出了在现有的EL驱动电路中已设置了电阻器的EL显示装置。
图14示出了在现有的EL驱动电路中已设置了电阻器时的输出信号的信号波形,
(a)是表示开关电路与电阻器之间的电压波形的曲线图,
(b)是表示已连上电阻器的第1输出端子的电压波形的曲线图,
(c)是表示未连接电阻器的第2输出端子的电压波形的曲线图。
(d)是表示由第1输出端子与第2输出端子之差形成的信号波形的曲线图。
图15的电路图示出了已在现有的EL驱动电路中设置了电阻器的EL显示装置。
图16示出了已在现有的EL驱动电路中设置了电阻器时的输出信号的信号波形,
(a)的曲线图示出了开关电路与电阻器之间的电压波形。
(b)的曲线图示出了已连上电阻器的第2输出端子的电压波形。
(c)的曲线图示出了未连接电阻器的第1输出端子的电压波形,
(d)的曲线图示出了由第1输出端子与第2输出端子之差形成的信号波形。
图17的电路图示出已在现有的EL驱动电路中已设置了第1和第2电阻器的EL显示装置。
图18示出了已在现有的EL驱动电路中设置了第1和第2电阻器时的输出信号的输出波形,
(a)的曲线图示出了开关电路与第1电阻器之间的电压波形,
(b)的曲线图示出了已连上第1电阻器的第1输出端子的电压波形,
(c)的曲线图示出了已连上第2电阻器的第2输出端子的电压波形,
(d)的曲线图示出了开关电路与第2电阻器之间的电压波形,
(e)的曲线图示出了由第1输出端子与第2输出端子之差形成的信号波形。
实施例
边参看附图边说明本发明的第1实施例。
图1的电路图示出了应用了本发明的第1实施例的EL驱动电路的EL显示装置。在图1中,1是使显示板发光的EL器件,2是直流电压源,10是作为使直流电压源2升压以生成加到EL器件1上的所加电压的升压信号生成装置的升压电路,20是作为使加到EL器件1上的电压的极性反转以生成交流信号的开关装置的开关电路,30表示在半导体衬底上边要进行集成化的区域。
升压电路10由下述部分构成:线图,其一端已连到直流电源2上;二极管12,阳极与线圈11的另一端相连,阴极与开关电路20相连,用于阻止给线圈11加上反向电压;升压晶体管13,由其源极电极接地,作为主电极的漏极电极与线圈11和二极管12的共同连接部分相连的N沟MOS构成。
6是振荡电路,其输出一侧连到作为升压晶体管13的控制电极的栅极电极上,输入一侧与直流电压源2相连,用于决定升压晶体管13的开关频率。7是电压检测电路,其一方的输入端连到直流电源2上,另一输入端则连到用于连接EL器件的第1输出端子X和第2输出端子Y上,输出端连接到开关电路20上,并检测作为使加到EL器件1上的电压极性反转的第1输出信号的规定电压。
开关电路20由下述部分构成:第1N沟MOS晶体管21和第2N沟MOS晶体管22,它们的漏极电极与升压电路10中的二极管12的阴极互连,各个源极分别连接到第1输出端子X或第2输出端子Y上,它们本身就是使加到EL器件1上的电压的极性反转的开关;第3N沟MOS晶体管23,其源极电极接地,漏极电极与第1N沟MOS晶体管21的源极电极连接,栅极电极与第2N沟MOS晶体管22的栅极电极共同连接在一起;第4N沟MOS晶体管24,其源极电极接地,漏极电极接到第2N沟MOS晶体管22的源极电极上,栅极电极与第1N沟MOS晶体管21的栅极电极共同连在一起;反相器25,输入电压检测7输出的控制信号。使分别加到第1和第3N沟MOS晶体管21,23的栅极上的控制信号和分别加到第2、第4N沟MOS晶体管22,24的栅极上的控制信号的极性互相反转。另外,在第1输出端子X和第2输出端子Y的端子之间产生的电位差相当于第2输出信号。
此外,在本实施例例中,规定EL显示装置的驱动电路至少含有开关电路20和电压检测电路7。
以下说明具有上述那样构成的驱动电路的EL显示装置的动作。
图2是本发明的第1实施例的驱动电路的时序图,V6表示振荡电路6的输出信号,V7表示电压检测电路7的输出信号,V1表示在从连往EL器件1的第2输出端子Y为基准时的加在EL器件1上的电压。如图2所示,在电压检测电路7的输出信号V7为高电平的期间(图中的期间a)中,第1和第4N沟MOS晶体管21,24变成导通,第2和第3N沟MOS晶体管22,23变为截止。这时,连往示于图1的EL器件1的2个输出端子中第2输出端子Y将变为GND,第1端子X则被线圈11和升压晶体管13升压,变成比如说50~80V的所加电压。当所加电压V1达到规定电压+VP时,电压检测电路7对该电压进行检测,电路检测电路7直到检测到规定电压(-VP)为止的期间(图中的期间b)一直输出低电平的信号V7。这时,与期间a相反,第1和第4N沟MOS晶体管21,24变为截止,已存贮于EL器件1上的电荷通过第3N沟MOS晶体管23放电、连往EL器件1的第1输出端子X变为GND,第2输出端子Y上表现出被线圈11和升压晶体管13升压后的电压。
另外,把规定电压VP设定为低于N沟MOS晶体管21~24的各漏极耐压且低于EL器件1的耐压。
此外,作为电压检测电路,人们考虑了应用齐纳二极管的电路,应用电阻分割的电路和比较器等等,但理想的是应用精度高且便宜的齐纳二极管的电路。在这种情况下,加到EL器件1上的电压V1的不均一性,可以抑制到低于齐纳二极管本身的特性的不均一性。
这样一来,倘采用本实施例,由于在电压检测电路7中,加到EL器件1上的电压,与时间无关系地监控升压到规定电压VP为止的过程且在已检测到该规定电压VP时,使加到EL器件1上的电压V1的极性反转,由于即使设图3中的实线所示的电容相对大的EL器件和虚线所示的电容相对小的EL器件混合存在,加在各EL器件上的电压V1的绝对值的最大值也大体上相同,故在用多个EL器件构成的显示装置中不再产生辉度不均匀。在这里,各个器件的电容的不均一性表现于时间轴方向上,但由于是约400Hz的交流,故时间轴方向上的不均一不会影响显示。
电压检测电路7检测的规定电压VP,被设定于N沟MOS晶体管21~24的各漏极耐压以下而且设定于在EL器件1的耐压以下,故即使是在更换EL器件时或EL器件的连接由于不管什么原因而断开的情况下,由于没有给构成驱动电路的各晶体管加上超过规定电压VP的电压,故该各晶体管不会受到破坏。
以下,边参看附图边说明本发明的第2实施例。
图4的电路图示出了应用了本发明的EL驱动电路的EL显示装置。在图4中,通过对与图1所示的EL显示装置相同的构成要素赋以相同的标号而略去说明。作为新的构成要素如图4所示。在开关电路20中的第1N沟MOS晶体管21的源极电极和第3N沟MOS晶体管23的极漏极电极的公共连接点与第1输出端子X之间串接有电阻器8。在图4中,V4A表示第1N沟MOS晶体管21的源极电极与第3N沟MOS晶体管23的漏电极电的公共连接点的电压,V4B表示第1输出端子X的电压,V4C表示第2N沟MOS晶体管22的源极电极与第4N沟MOS晶体管24的漏极电极的公共连接点的电压,即第2输出端子Y的电压,V4D表示本身为加在EL器件1上的电压的第4输出端子X与第2输出端子Y的电位差,即V4B与V4C之差。
以下说明上述那样构成的EL显示装置的动作。如在上述第1实施例中说明过的那样,在图4中,升压电路10的升压晶体管13的栅极电压的频率依赖于振荡电路6的输出信号。因此,在第1和第4N沟MOS晶体管21,24为导通、第2、第3N沟MOS晶体管22、23为截止状态的情况下,第1N沟MOS晶体管21的源极电极的电压V4A被升压电路10的线圈11和升压晶体管13升压,使第2输出端子Y的电压V4C变为OV。
用附图具体地说明这一情况。在示于图5(a)的电压V4A正在升压期间,示于图5(c)的电压V4C保持OV的原样不变。另外,如图5(b)所示,已通过电阻器8之后的电压V4B因该电阻器8而产生了电压降,当电压V4B升压到规定电压VP时,示于图3的电压检测电路7检测该规定电压Vp并使控制信号反转。接受到该控制信号后,第1和第4N沟MOS晶体管21,24变成截止,第2和第3N沟MOS晶体管22,23变成导通,故示于图5(c)的电压V4C被升压,而示于图5(a)的V4A变成OV。这时,如图5(b)所示,电压V4B介以电阻器8放电,故以EL器件1的电容成分和电阻器8的电阻成分之积进行积分,使下降边波形钝化。
其次。当图5(c)所示的电压V4C被升压到规定的电压VP后,再次使各晶体管的导通,截止反转,示于图5(a)的电压V4A升压。这时,电压V4C下降到OV,电压V4B在瞬间性地下降到仅仅电压V4C的电压降那么大的量的负电位之后,开始升压。
如图5(d)所示,加在EL器件1上的电压V4D是电压V4B与电压V4C之差,因而,所加电压V4D的电压波形的从升压电压VP到OV为止的下降边部分被钝化。加到EL器件1上的所加电压V4D的绝对值的最大值VP,与不设电阻器8的情况相同,不会使EL器件1的辉度降低。
这样一来,倘采用本实施例,则由于具备电压检测电路7,且该电压检测电路7监控加在EL器件1上的电压是否已升压到规定电压VP,在该规定电压被检到了的时候,就使加到EL器件1上的电压V4D的极性反转,故电容相对大的EL器件和电容相对小的EL器件即使是混合存在,加在各个EL器件上的电压4D的绝对值的最大值也几乎相同,因此在用多个EL器件构成的显示装置中不再产生辉度不均匀。
此外,由于已把规定电压VP设定为低于N沟MOS晶体管21~24的各漏极耐压且低于EL器件1的耐压,且电压检测电路7正在监控本身为该所加电压V4D的最大值的规定电压VP,故在更换EL器件1的时候或在EL器件1的连接不论因什么理由而脱落的时候,由于对于构成驱动电路的各晶体管没有加上超过规定电压VP的电压,故该各晶体管不会遭到破坏。
此外,由于已在开关电路20和第1输出端子X之间串联地设有电阻器8,可以通过使因生成交流信号而产生的所加电压V4D的陡峻的下降边波形延迟而钝化,故得以缓和EL器件所产生的振动。结果变成为可以抑制振动所产生的噪声。
由于可以在保持规定电压VP原样不变地使之延迟,故能够不降低EL器件的辉度又谋求减少噪声。
另外,为了减少少EL器件的振动声,即驱动声,可以把电阻器8的阻值定为数κΩ,并使加到EL器件1上的电压波形中的从升压电压到OV的下降时间变成为几十个μsec。
图6是第2实施例的第1变形例的EL显示装置的电路图,在该电路中,把电阻器8串接于开关电路20与第2输出端子Y之间,而不是串接于开关电路20与第1输出端子X之间。图6所示的电压V4A表示第2N沟MOS晶体管22的源极电极的电压。在这种情况下,如图7(b)的输出信号波形所示。由于通过电阻器8之后的电压V4C将因该电阻器8而产生电压降,同时还介以电阻器8放电,下降边波形钝化,故如图7(d)所示,作为电压V4B与电压V4C之差的加到EL器件1上的电压V4D的电压波形的从升压电压VP到OV的下降边部分将钝化。因而可以得到与上述第2实施例同样的效果。
图8是第2实施例的第2变形例的EL显示装置的电路图,是在开关电路20与第1输出端子X这间串接有第1电阻器8A,同时在开关电路20与第2输出端子Y之间串接有第2电阻器8B的电路图。图8所示的电压V4A表示第1N沟MOS晶体管21的源极电极的电压,电压V4E表示第2N沟MOS晶体管22的源极电极的电压。在这种情况下,如图9(b)的输出信号波形图所示,通过了第1电阻器8A之后的电压V4B,由于介以该第1电阻器8A放电,而且,如图9(c)的输出信号波形图所示,通过了第2电阻器8B之后的电压V4C将介以该第2电阻器8B放电,故下降边波形分别钝化,因此如图9(e)所示,加到EL器件1上的电压V4D的电压波形的从升压电压VP到OV的下降部分将钝化。于是,可以得到与上述第2实施例同样的效果。另外,如图9(b),(c)的各输出信号波形图所示,在升压时,在电压瞬时地下降了之后,分别开始升压。
然而,在已把电阻器***到现有的EL显示装置中的驱动电路和输出端子之间的情况下,将会产生下边要说明的那样的问题。
图13是在现有的驱动中已设置了用于减少噪声的电阻器EL显示装置的电路图。在图13中,对于和示于图10的EL显示装置相同的构成要素采用赋以相同的标号的办法而略去说明。作为新的构成要素如图13所示,在开关电路60中的第1N沟MOS晶体管61的源极电极和第3N沟MOS晶体管63的漏极电极的公共连接点与第1输出端子X之间已串接有电阻器58。在图13中,V5A表示第1N沟MOS晶体管61的源极电极与第3N沟MOS晶体管63的漏极电极的公共连接点的电压,V5B表示第1输出端子X的电压,V5C表示第2N沟MOS晶体管62的源极电极与第4N沟MOS晶体管64的漏极电极的公共连接点,即第2输出端子Y的电压,V5D表示本身为加在EL器件1的电压的第1输出端子X与第2输出端子Y之间的电位差,即V5B与V5C之间的差。
说明这样的构成的现有的EL显示装置的动作。首先,在图13中,在第1和第4N沟MOS晶体管61,64为导通,第2和第3N沟MOS晶体管62,63为截止状态的情况下,第1N沟MOS晶体管61的源极电极的电压V5A被升压电路10的线圈53和升压晶体管55升压,第2输出端子Y的电压V5e将变成OV。
用附图说明这一情况。在示于图14(a)的电压V5A正在升压的期间,示于图14(c)的电压V5C保持OV的原样不变。另外,如图14(b)所示,由于在通过了电阻器58之后的电压V5B因该电阻器58而产生电压降,故若与电压V5A相比,电压V5B降低电压的量为(Va-vb)。
其次,在由分频电路57所决定的规定时间t1之后,第1和第4N沟MOS晶体管61,64将变成截止,而第2和第3N沟MOS晶体管62,63将变成导通,所以,图14(c)中所示的电压V5C将升压,示于图14(a)的V5A将变成OV。这时,如图14(b)所示,由于介以电阻器58放电,而且,由于以EL器件51的电容成分与电阻器58的电阻成分之间的乘积进行积分、故电压V5B的下降边波形将钝化。
其次,如图14(a)和(c)所示,在经过下一个规定时间t1之后,再次进行各晶体管的导通和截止的反转,电压V5A被升压,且电压V5C下降至OV,示于图14(b)的5B在瞬间性地仅仅下降一个V5C的电压降那么大的量的负电位之后,开始升压。
如图14(d)所示,加在EL器件51上的电压V5D是电压V5B、V5C之差,所加电压V5D的电压波形的从升压电压到OV的下降边部分被钝化。
这样一来,由于可以使已成为以往就有的EL器件51的驱动音的原因的下降边部分的陡峻的电压波形延迟,故结果变成为噪声被减少。
但是,如图14(d)所示,加在EL器件51上的电压V5D,通过设置电阻器58,与不设电阻器58的现有的EL显示装置相比,将降低一个在电阻器58上所产生的电压降(Va-Vb)这么一个量,故存在着显示辉度下降的问题。
此外,如图15的EL显示装置的电路图所示,即使是在把电阻器58不是串接于第1输出端子X一侧而是串接于第2输出端子Y一侧的情况下,如图16(d)所示,加在EL器件51上的电压V5D,与不设电阻器58的现有的EL显示装置相比,可以看出也下降了一个电阻器58所产生的电压降(Va-Vb)这么一个量。
此外,如图17的EL显示装置的电路图所示,在把第1电阻器58A串接于第1输出端子X一侧,同时把第2电阻器58B串接于第2输出端子Y一铡的情况下,如图18(e)所示,可以看出加在EL器件51上的电压V5D,与不设第1电阻器58A和第2电阻器58B的现有的EL显示装置相比,降低了因两个电阻器58A,58B所形成的电压降2×(Va-Vb)这么一个量。
与此相对,倘采用在上述第1实施例的EL显示装置中附加上电阻器这种构成的上述第2实施形态的EL显示装置,由于规定的升压电压不下降,故可以降低噪声而不会使EL器件的辉度下降。
倘采用第1方面的发明的EL显示装置,由于在开关装置的第1输出信号与时间没关系地达到了规定电压的时刻,电压检测装置使第2输出信号的极性反转,且可以抑制用于驱动EL器件的所加电压的大小的不均一,故可以抑制显示面的辉度的不均匀。
另外,由于在所加电压已达到了规定电压的时刻反转,故即使是在连往EL器件的输出端子已变成为开放状态的情况下,只要把该规定电压设定为低于构成开关装置的晶体管的耐压,则该晶体管就不会受到破坏。
倘采用第2方面的发明的EL显示装置,则由于升压信号生成装置由使线圈与二极管在连接部分处串接而构成的串联电路和主电极连到串联电路的连接部分上,控制电极接受脉冲信号的输入的升压晶体管构成,故可以确实地使直流电压源的电压升压。
倘采用第3方面的发明的EL显示装置,由于具备有向升压信号生成装置输出脉冲信号的振荡电路和由使线圈和二极管的阳极连接部分处串联而构成的串联电路及端极已连到连接部分上的升压晶体管构成的升压信号生成装置,故可以确实地使直流电压源的电压升压。
另外,由于开关装置输出的第1输出信号输入到电压检测电路的输入一侧。而电压检测电路输出的控制信号被输入到开关装置的晶体管的控制电极。故该电压检测电路可以确实地检测第1输出信号的电压的同时,还可以使来自开关装置的第2输出信号的极性确实地反转。
倘采用第4方面的发明的EL显示装置,则生成用于驱动EL器件的交流信号的开关装置的第2输出信号,由于其输出波形已被钝化,且由于所加电压的陡峻的下降边变为平缓,故可以缓和起因于所加电压的交流成分的EL器件的振动。结束变成为可以抑制振动所产生的噪声。
倘采用第5方面的发明的EL显示装置。则由于已具备有连接于开关装置与EL器件之间的用于使从开关装置放电的电荷的放电时间延迟的电阻器,故借助于电阻(器)的电阻成分所产生的信号延迟,就可以容易且确实地使开关装置中的第2输出信号的放电时的输出波形钝化。
倘采用第6方面的发明的显示装置的驱动电路,由于可以根据该开关电路的输出信号与时间无关地使开关电路的输出信号的极性反转,故可以抑制用于驱动EL器件的交流电压的大小的不均一性,因而得以抑制显示面的辉度不均匀。
倘采用第7方面的发明的显示装置的驱动电路,由于在电压检测电路中,在开关电路的输出信号已超过了规定电压时控制信号的电压极性反转。故开关电路可以确实地对EL器件输出规定电压的交流信号。
另外,由于所加电压是超过了规定电压时反转,故即使是连往EL器件的输出端子已变成开放状态的时候,只要把该规定电压设定于构成开关装置的晶体管的耐压以下,该晶体管就不会受破坏。
倘采用第8方面的发明的显示装置的驱动电路。生成用于驱动EL器件弱交流信号的开关电路的输出信号,由于其输出波形这已被钝化,故所加电压的陡峻的下降边变成为平缓,因此结果变成为缓和起因于所加电压的交流成分的EL器件的振动。结果是使振动所产生的噪声受到抑制。
倘采用第9方面的发明的显示装置的驱动电路,则由于已具备有连接在开关电路与EL器件之间的且使开关电路放电电荷的放电时间延迟的电阻器。故借助于电阻(器)的电阻成分所产生的信号延迟。可以容易且确定地使开关电路中的放电时的输出信号的输出波形纯化。
Claims (9)
1.一种电致发光显示装置,其特征是具备有:升压信号生成装置,用于根据脉冲信号使电源电压升压以生成升压信号;
开关装置,在输入上述升压信号后,输出第1输出信号的同时,使上述升压信号的极性反转以输出第2输出信号;
电致发光器件,已连接于上述开关装置的输出一侧;
电压检测电路,从上述开关装置接受第1输出信号的输入,并根据已输入的第1输出信号的规定电压向上述开关装置输出控制信号,以使上述开关装置的第2输出信号的极性反转。
2.权利要求1所述的电致发光显示装置,其特征是:上述升压信号生成装置由下述部分构成:串联电路,使线圈和二极管在连接部分处串接起来构成;升压晶体管,其主电极与上述串联电路的连接部分相连,控制电极接受上述脉冲信号的输入。
3.权利要求1所述的电致发光显示装置,其特征是:
还具备有向上述升压信号生成装置输出上述脉冲信号的振荡电路;
上述开关装置具有晶体管;
上述升压信号生成装置具有:
由二极管和线圈构成的串连电路,二极管的阴极已连接到上述开关装置的晶体管的主电极上,线圈的一端连到电压源上,另一端与上述二极管的阳极在连接部分处相连;
升压晶体管,其主电极连接上述串联电路的连接部分,控制电极接受上述脉冲信号;
上述电压检测电路输出的控制信号输入到上述开关装置的晶体管的控制电极。
4.如权利要求1所述的电致发光显示装置,其特征是:上述开关装置的第2输出信号,其输出波形已被钝化。
5.如权利要求1所述的电致发光显示装置,其特征是:还具备有电阻器,该电阻器串接于上述开关装置与上述电致发光器件之间,用于使上述开关装置放电电荷的放电时间延迟。
6.一种显示装置的驱动电路,其特征是具备有下述部分。
开关电路,具有漏极电极彼此互连的第1、第2N沟MOS晶体管;源极电极接地,漏极电极与上述第1N沟MOS晶体管的源极电极相连,栅极电极与上述第2N沟MOS晶体管的栅极电极连接的第3N沟MOS晶体管;源极电极接地,漏极电极与上述第2N沟MOS晶体管的源极电极相连,栅极电极与上述第1N沟MOS晶体管的栅极电极相连的第4N沟MOS晶体管;与上述第3N沟MOS晶体管的漏极电极相连的第1输出端子;与上述第4N沟MOS晶体管的漏极电极连接的第2输出端子;
电压检测电路,接受来自上述开关电路的第1输出端子和第2输出端子的输出信号的输入,并向上述开关电路中的上述第1和第4N沟MOS晶体管的共同的栅极电极及上述第2和第3N沟MOS晶体管的共同的栅极电极送出相位互逆的控制信号。
7.如权利要求6所述的显示装置的驱动电路,其特征是:在上述电压检测电路中,在上述开关电路的输出信号超过了规定电压时,上述控制信号的电压极性反转。
8.如权利要求6所述的显示装置的驱动电路,其特征是:上述开关电路的输出信号,其输出波形已被钝化。
9.如权利要求6所述的显示装置的驱动电路,其特征是:还具备有串接于上述开关电路与上述第1、第2输出端子中的至少一方之间,用于使由上述开关电路放电的电荷的放电时间延迟的电阻器。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C17 | Cessation of patent right | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20030820 Termination date: 20100418 |