CN117005025A - 一种磁悬浮自转公转反应室装置 - Google Patents

一种磁悬浮自转公转反应室装置 Download PDF

Info

Publication number
CN117005025A
CN117005025A CN202311123857.8A CN202311123857A CN117005025A CN 117005025 A CN117005025 A CN 117005025A CN 202311123857 A CN202311123857 A CN 202311123857A CN 117005025 A CN117005025 A CN 117005025A
Authority
CN
China
Prior art keywords
revolution
magnetic
graphite
substrate carrier
speed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202311123857.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN117005025B (zh
Inventor
李书田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Zhongke Heavy Instrument Semiconductor Materials Co ltd
Original Assignee
Suzhou Zhongke Heavy Instrument Semiconductor Materials Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Zhongke Heavy Instrument Semiconductor Materials Co ltd filed Critical Suzhou Zhongke Heavy Instrument Semiconductor Materials Co ltd
Priority to CN202311123857.8A priority Critical patent/CN117005025B/zh
Publication of CN117005025A publication Critical patent/CN117005025A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN117005025B publication Critical patent/CN117005025B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/12—Substrate holders or susceptors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/16—Controlling or regulating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B30/00—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions
    • C30B30/04—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions using magnetic fields
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本说明书实施例提供一种磁悬浮自转公转反应室装置，该装置包括石墨基础、主石墨回转体、多个基片承载体、多组磁机构、加热器以及处理器；石墨基础包括石墨基座和石墨压圈；多组磁机构包括第一支承磁机构、第二支承磁机构、第一驱动磁机构和第二驱动磁机构；加热器安装于主石墨回转体、基片承载体与石墨基座之间；处理器被配置为：根据设定的公转转速，生成第一磁力控制指令，控制第一驱动磁机构的磁力大小，以驱动主石墨回转体以设定的公转转速旋转；根据设定的自转转速，生成第二磁力控制指令，控制第二驱动磁机构的磁力大小，以驱动基片承载体以设定的自转转速旋转。

Description

一种磁悬浮自转公转反应室装置
技术领域
本说明书涉及MOCVD设备技术领域，特别涉及一种磁悬浮自转公转反应室装置。
背景技术
金属有机化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)技术是利用金属有机化合物进行金属元素输运的一种气相外延新技术，通过将带有外延层元素的气态化合物输运至衬底上，在衬底上进行物理化学反应而获得单晶。在MOCVD工艺中，常用外延片的自转动来保证外延片上各区域的温度均匀性。目前常用的行星运动方式是气浮传动，即利用吹入气流的摩擦力带动外延片载板旋转，载盘底部需要加工复杂的气流导向槽。该方法存在气流的稳定性差，装置加工复杂，成本较高等缺点。
因此，希望可以提供一种反应室装置，可以实现MOCVD设备的磁力支承和驱动，稳定性高，能够保证温度的均匀性。
发明内容
本说明书一个或多个实施例提供一种磁悬浮自转公转反应室装置，包括石墨基础、主石墨回转体、多个基片承载体、多组磁机构、加热器以及处理器；所述石墨基础包括石墨基座和石墨压圈；所述多组磁机构包括第一支承磁机构、第二支承磁机构、第一驱动磁机构和第二驱动磁机构，所述第一支承磁机构约束所述主石墨回转体径向的运动，所述第一驱动磁机构驱动所述主石墨回转体，所述第二支承磁机构约束所述基片承载体径向及轴向的运动，所述第二驱动磁机构驱动所述基片承载体；所述加热器安装于所述主石墨回转体、基片承载体与所述石墨基座之间；所述处理器被配置为：根据设定的公转转速，生成第一磁力控制指令，控制所述第一驱动磁机构的磁力大小，以驱动所述主石墨回转体以设定的所述公转转速旋转；根据设定的自转转速，生成第二磁力控制指令，控制所述第二驱动磁机构的磁力大小，以驱动所述基片承载体以设定的所述自转转速旋转。
本说明书一个或多个实施例提供一种如上述的磁悬浮自转公转反应室装置的控制方法，所述控制方法由处理器执行，所述方法包括：根据设定的公转转速，生成第一磁力控制指令，控制第一驱动磁机构的磁力大小，以驱动主石墨回转体以设定的所述公转转速旋转；根据设定的自转转速，生成第二磁力控制指令，控制第二驱动磁机构的磁力大小，以驱动基片承载体以设定的所述自转转速旋转。
本说明书一个或多个实施例提供一种计算机可读存储介质，所述存储介质存储计算机指令，当计算机读取存储介质中的计算机指令后，计算机执行如上述的磁悬浮自转公转反应室装置的控制方法。
附图说明
本说明书将以示例性实施例的方式进一步说明，这些示例性实施例将通过附图进行详细描述。这些实施例并非限制性的，在这些实施例中，相同的编号表示相同的结构，其中：
图1是根据本说明书一些实施例所示的反应室装置的示例性结构图；
图2是根据本说明书一些实施例所示的反应室装置的示例性剖视图；
图3是根据本说明书一些实施例所示的磁悬浮自转公转反应室装置的示例性局部放大图；
图4是根据本说明书一些实施例所示的主石墨回转体的示例性结构图；
图5是根据本说明书一些实施例所示的主石墨回转体的示例性剖视图；
图6是根据本说明书一些实施例所示的主盘驱动齿轮磁块的示例性结构图；
图7是根据本说明书一些实施例所示的主盘驱动齿轮磁块的示例性局部放大图；
图8是根据本说明书一些实施例所示的基于反应特征确定转速的示例性流程图；
图9是根据本说明书一些实施例所示的均匀度预测模型的示例性模型图。
实施方式
为了更清楚地说明本说明书实施例的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本说明书的一些示例或实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图将本说明书应用于其它类似情景。除非从语言环境中显而易见或另做说明，图中相同标号代表相同结构或操作。
如本说明书和权利要求书中所示，除非上下文明确提示例外情形，“一”、“一个”、“一种”和/或“该”等词并非特指单数，也可包括复数。一般说来，术语“包括”与“包含”仅提示包括已明确标识的步骤和元素，而这些步骤和元素不构成一个排它性的罗列，方法或者设备也可能包含其它的步骤或元素。
本说明书中使用了流程图用来说明根据本说明书的实施例的***所执行的操作。应当理解的是，前面或后面操作不一定按照顺序来精确地执行。相反，可以按照倒序或同时处理各个步骤。同时，也可以将其他操作添加到这些过程中，或从这些过程移除某一步或数步操作。
MOCVD技术是利用金属有机化合物进行金属元素输运的一种气相外延新技术，通过将带有外延层元素的气态化合物输运至衬底基片上，在衬底基片上进行物理化学反应而获得单晶。单晶衬底基片通过外延反应，表面淀积一层薄的单晶层，新淀积的这层称为外延层；外延片上各区域的温度均匀性对外延片的生长效果起决定作用，偏差一般需在1℃以内。由于旋转基板上不同区域的加热温度偏差较大，外延片的自转动是保证温度均匀的有效方式。
目前，基片承载体具有自转或公转的MOCVD设备中，公转一般是采用中央旋转轴、托架、石英支承筒等组件支承，自转采用气浮支承方式。
本说明书的一些实施例，提供一种磁悬浮自转公转反应室装置，可以精确控制主石墨回转体的旋转速度和方向，基片承载体跟随主石墨回转体公转后，驱动磁机构啮合，基片承载体自转；通过精确控制MOCVD设备的转动，可以使反应、加热等更加均匀。
图1是根据本说明书一些实施例所示的反应室装置的示例性结构图。图2是根据本说明书一些实施例所示的反应室装置的示例性剖视图。图3是根据本说明书一些实施例所示的磁悬浮自转公转反应室装置的示例性局部放大图。
在一些实施例中，如图1、图2和图3所示，磁悬浮自转公转反应室装置包括石墨基础、主石墨回转体3、多个基片承载体5、多组磁机构、加热器以及处理器。
石墨基础用于容纳整个反应室装置的部件。石墨基础的形状可以为无顶面的圆柱形壳体等。石墨基础的材质可以是石墨、表明涂层为碳化硅的石墨等。石墨有良好的耐高温、热传导率均匀、化学稳定性、较强的抗热震性等，使得石墨基础可以较好的用于MOCVD设备。在一些实施例中，石墨基础包括石墨基座1和石墨压圈2。
石墨基座1用于承载反应室装置的部件。石墨基座1的形状可以为柱状凹槽。在一些实施例中，石墨基座1上可以设置有三相绕组，起到同步电机定子的作用，配合主石墨回转体3下部沿圆周设置的交替磁极（相当于同步电机转子），通过改变绕组的频率和相序可以控制主石墨回转体3的旋转速度和方向。
石墨压圈2用于限制主石墨回转体、多组磁机构等在轴向（如图1所示的竖直方向）的位移。在一些实施例中，石墨压圈2可以设置于主石墨回转体3上方，石墨压圈2下方可以设有与石墨基座1相配合的磁机构，主石墨回转体3可以位于石墨压圈2与石墨基座1中间。在一些实施例中，石墨压圈2底部设置有压圈磁块14，用于维持石墨压圈2的安装稳定。
主石墨回转体3指用于转动的部件。在一些实施例中，主石墨回转体3可绕反应室装置的轴线旋转。在一些实施例中，主石墨回转体3为顶面开孔，无底面的圆柱状壳体；其顶面的开孔可以用于放置多个基片承载体5。
基片承载体5指用于放置衬底基片的部件。衬底基片能在基片承载体5上受热及反应。在一些实施例中，基片承载体5能绕自身轴线旋转，形成自转。基片承载体5的形状可以是扁平的圆柱状，边缘为阶梯型，且边缘呈齿轮状，以用于放置磁块。
磁机构指通过设置磁块来达成运动或约束的机构。例如，基于三相绕组产生的旋转磁场，对应的磁块能产生旋转运动。例如，基于磁块的N极、S极的不同方向、位置的设置，磁块能产生引力或斥力，从而采用全磁悬浮的方式对机构（如主石墨回转体3、基片承载体5等）进行支承以及约束机构的运动或位置。
在一些实施例中，多组磁机构可以包括第一支承磁机构、第二支承磁机构、第一驱动磁机构和第二驱动磁机构。在一些实施例中，多组磁机构可以在磁力作用下形成磁悬浮，构成主石墨回转体3公转同时基片承载体5自转的反应室装置。
在一些实施例中，第一支承磁机构可以约束主石墨回转体3的径向及轴向运动。第一驱动磁机构可以驱动主石墨回转体3，使主石墨回转体3公转。第二支承磁机构可以约束基片承载体5的径向及轴向的运动。第二驱动磁机构可以驱动基片承载体5，使基片承载体5自转。
在一些实施例中，第一支承磁机构可以包括主径向定磁块8、主支撑磁块10和主体动支撑磁块11。主支撑磁块10用于支撑主石墨回转体3；主径向定磁块8与主体动支撑磁块11从上下两个方向上约束主石墨回转体3的轴向运动，以保证主石墨回转体3的旋转稳定；磁块压块9用于维持磁块安装的稳定。
在一些实施例中，第二支承磁机构包括托盘支承轴承磁块16和托盘径向支承磁块17。托盘支承轴承磁块16以及托盘径向支承磁块17用于支撑基片承载体5以及约束基片承载体5轴向的运动。在一些实施例中，如图3所示，托盘支承轴承磁块16-1与托盘支承轴承磁块16-2，托盘径向支承磁块17-1与托盘径向支承磁块17-2，分别排布为N级朝内与N级朝外的磁块；例如托盘支承轴承磁块16-1的N级朝内，则托盘支承轴承磁块16-2则N级朝外，通过磁性相吸产生的力限定轴向位置。
在一些实施例中，第一驱动磁机构包括石墨回转盘驱动磁极19、主盘驱动齿轮磁块N级12和主盘驱动齿轮磁块S级13。
图4是根据本说明书一些实施例所示的主石墨回转体的示例性结构图。图5是根据本说明书一些实施例所示的主石墨回转体的示例性剖视图。
在一些实施例中，如图4和图5所示，主石墨回转体3的D处交替排布主盘驱动齿轮磁块N级12与主盘驱动齿轮磁块S级13；E处排布主径向定磁块8；F处排布磁块压块9；G处排布磁性齿轮用磁块16。
图6是根据本说明书一些实施例所示的主盘驱动齿轮磁块的示例性结构图。图7是根据本说明书一些实施例所示的主盘驱动齿轮磁块的示例性局部放大图。
如图6和图7所示，石墨回转盘驱动磁极图包括 A、B、C三相三组，三组在圆周上的位置互为120°。主盘驱动齿轮磁块N级12与主盘驱动齿轮磁块S级13分别交替排布在主石墨回转体3下方的齿轮状凹槽中。石墨回转盘驱动磁极19通电后，三相交流电产生的旋转磁场，旋转磁场产生的力驱动主盘驱动齿轮磁块N级12与主盘驱动齿轮磁块S级13，使主石墨回转体3旋转。在一些实施例中，通过控制石墨回转盘驱动磁极19的A、B、C三相的频率和相序，可以精确控制主石墨回转体3的旋转速度和方向。
在一些实施例中，第二驱动磁机构包括石墨太阳轮4和磁性齿轮用磁块15。
在一些实施例中，如图1图2和图3所示，多个基片承载体5下方的磁性齿轮用磁块15为N级、S级交替排布的磁块，石墨太阳轮4下方的轴与石墨基座1固定连接，使得石墨太阳轮4保持静止状态，多个基片承载体5通过磁性齿轮用磁块15与主石墨回转体3磁性啮合。
在一些实施例中，主石墨回转体3旋转时，多个基片承载体5通过磁性齿轮用磁块15与主石墨回转体3磁性啮合，多个基片承载体跟随主石墨回转体公转时，同时每个基片承载体5产生自转。
在一些实施例中，如图1、图2和图3所示，多组磁机构形成磁悬浮，从而约束主石墨回转体3及基片承载体5的位置，同时驱动磁机构驱动主石墨回转体3公转，同时基片承载体5自转，从而使得待气相外延反应的衬底基片受热更加均匀，反应更加彻底。
加热器指能对反应室装置中需要加热的部件进行加热的装置。在一些实施例中，加热器可以安装于主石墨回转体3、基片承载体5与石墨基座1之间。在一些实施例中，为使加热更加均匀，加热器可以为螺旋弯折、盘管式加热器。
在一些实施例中，如图1、图2和图3所示，加热器包括加热电极18和石墨加热体6。石墨加热体6可以设置在基片承载体5与反射屏7之间；加热电极18从石墨基座1下方引出。
在一些实施例中，磁悬浮自转公转反应室装置的工作过程如下：
将待气相外延反应的衬底基片放置于基片承载体5上，通入反应气体；
处理器控制石墨回转盘驱动磁极19的频率和相序，从而控制主石墨回转体3的旋转速度和方向；处理器控制加热电极18的功率，从而控制反应温度；
主石墨回转体3公转，多个基片承载体5自转，公转与自转使基片承载体5均匀受热，气相外延反应均匀进行。
在一些实施例中，通过多组磁机构形成磁悬浮，降低了各个材料直接的磨损，增加了例如石墨基础、主石墨回转体的使用寿命。同时，主石墨回转体公转及基片承载体的自转，使得待反应的衬底基片能够得到均匀的受热，保证了外延片的生长效果，提高了最终形成的外延薄膜材料的均匀性和纯度。
在一些实施例中，磁悬浮自转公转反应室装置还包括一组或多组传感器。传感器部署于基片承载体5内部和/或外部中的预设点位，预设点位可以是基片承载体5内部和/或外部的任意位置。传感器可以包括温度传感器。
在一些实施例中，磁悬浮自转公转反应室装置还包括反射屏7。反射屏7被配置为阻隔热辐射。反射屏7可以安装于主石墨回转体3、基片承载体5与石墨基座1之间。反射屏7阻隔热辐射可以使加热器仅对主石墨回转体3、基片承载体5加热，而不影响反射屏7下方的部件。
在一些实施例中，反射屏7可以由多层具有不同反射率的材料组合而成。不同反射率对应不同的材料的吸热、反射热的能力。通过控制反射屏7的材料，可以更精确的控制整个装置、反应室的温度。在一些实施例中，反射屏7的材料可以为金、铜、铝、钼等反射率较高的材料。在一些实施例中，反射屏7可以与处理器通信连接。
处理器用于处理来自磁悬浮自转公转反应室装置的至少一个组件或外部数据源的数据。例如，处理器可以根据反应过程中采集的传感数据序列，确定反射屏7的外显层。又例如，处理器可以获取反应特征，基于反应特征，确定主石墨回转体3的初始公转转速以及基片承载体5的初始自转转速。
在一些实施例中，处理器可以包括中央处理单元（CPU）、专用集成电路（ASIC）、专用指令集处理器（ASIP）等或其任意组合。
在一些实施例中，处理器可以用于通过控制第一驱动磁机构的磁力大小，以驱动主石墨回转体以设定的公转转速旋转，以及通过控制第二驱动磁机构的磁力大小，以驱动基片承载体以设定的自转转速旋转。
在一些实施例中，处理器可以进一步用于确定主石墨回转体的初始公转转速，以及确定基片承载体的初始自转转速。
在一些实施例中，处理器可以进一步用于确定主石墨回转体在预设未来时段内的公转转速分布以及基片承载体在预设未来时段内的自转转速分布。
关于处理器功能的更多内容，可以参见下文的相关描述。
本说明书一些实施例提供一种磁悬浮自转公转反应室装置的控制方法，该控制方法可以由处理器执行。在一些实施例中，控制方法可以包括：根据设定的公转转速，生成第一磁力控制指令，控制第一驱动磁机构的磁力大小，以驱动主石墨回转体以设定的公转转速旋转；根据设定的自转转速，生成第二磁力控制指令，控制第二驱动磁机构的磁力大小，以驱动基片承载体以设定的自转转速旋转。
公转转速是指主石墨回转体3的旋转速度。
在一些实施例中，处理器可以预先设定好公转转速，根据设定的公转转速，生成第一磁力控制指令，通过将第一磁力控制指令传输到第一驱动磁机构，控制第一驱动磁机构的磁力大小，从而驱动主石墨回转体3以设定的公转转速旋转。
自转转速是指基片承载体5的旋转速度。
在一些实施例中，处理器可以预先设定好自转转速，根据设定的自转转速，生成第二磁力控制指令，通过将第二磁力指令传输到第二驱动磁机构，控制第二驱动磁机构的磁力大小，从而驱动基片承载体5以设定的自转转速旋转。
在一些实施例中，处理器还可以获取传感器采集的传感信息；响应于传感信息满足预设阈值条件，执行急停操作。
传感信息是指由多组传感器采集到的与基片承载体5状态有关的信息。例如，基片承载体5的温度。
在一些实施例中，传感信息可以是由多组传感器采集到，并传输至处理器。
在一些实施例中，多组传感器可以包括温度传感器。其中，温度传感器可以部署于基片承载体5内部和/或外部中的多个预设点位处，用于采集温度信息。
在一些实施例中，预设阈值条件可以是预设温度阈值。在一些实施例中，处理器可以响应于位于多个预设点位处的温度传感器中的至少一个传输的温度信息超过预设温度阈值，执行急停操作，即控制主石墨回转体3以及基片承载体5停止旋转。
在一些实施例中，处理器通过获取温度传感器采集的温度传感信息，执行急停操作，可以实现智能化控制磁悬浮自转公转反应室装置，避免装置因温度过高损坏。
图8是根据本说明书一些实施例所示的基于反应特征确定转速的示例性流程图。如图8所示，流程800包括下述步骤。在一些实施例中，流程800可以由处理器执行。
步骤810，获取反应特征。
反应特征指与MOCVD过程相关的特征。在一些实施例中，反应特征可以包括气相外延的化学反应特征。在一些实施例中，气象外延的化学反应特征可以包括气相外延所使用的化学反应方程式中所包含的内容。例如，反应物、生成物以及反应条件等。
在一些实施例中，反应特征可以是预设的。例如，操作人员根据经验预设输入即将进行的A反应的反应特征。
步骤820，基于反应特征，确定主石墨回转体3的优选公转转速区间，以及基片承载体5的优选自传转速区间。
优选转速区间是指反应时气相外延效果好的转速形成的区间，优选转速区间可以分别对应公转转速区间和自转转速区间。
在一些实施例中，优选转速区间也可以包含一个值，此时，优选转速区间就变为单个的优选转速。
在一些实施例中，优选转速区间可以通过查预设表/向量数据库确定。其中，预设表/向量数据库中的记录可以根据历史数据构建，例如，将历史数据中，气相外延效果好时所使用的一个或多个公转转速和自转转速，确定为优选转速区间。
步骤830，基于优选公转转速区间，确定主石墨回转体3的初始公转转速。
初始公转转速是指在磁悬浮自转公转反应室装置启动时，主石墨回转体3的初始旋转速度。在一些实施例中，初始公转速度可以有多种确定方式。例如，可以从优选公转转速区间中随机选择一个。又例如，选择优选公转转速区间中的中位数作为初始公转速度。
步骤840，基于优选自转转速区间，确定基片承载体5的初始自转转速。
初始自转转速是指在磁悬浮自转公转反应室装置启动时，基片承载体5的初始旋转速度。在一些实施例中，初始自转速度可以有多种确定方式。例如，可以从优选自转转速区间中随机选择一个。又例如，选择优选自转转速区间中的中位数作为初始公转速度。
在一些实施例中，处理器可以根据反应特征，确定主石墨回转体的初始公转转速和基片承载体的初始自转转速，可以获得气相外延效果更好的初始转速，进而获得更高的成品率。
在一些实施例中，处理器可以在反应过程中，每隔预设周期，采集传感信息；根据传感信息的数据序列，确定主石墨回转体3在预设未来时段内的公转转速分布以及基片承载体5在预设未来时段内的自转转速分布。
在一些实施例中，传感器可以在反应过程中，每过一个预设周期就采集一次传感信息，采集到的传感信息构成传感信息的数据序列。其中，预设周期是指预设好的一段时间，例如10分钟、2小时等。
由于主石墨回转体3的公转和基片承载体5的自转都并不是匀速的，比如在一个旋转周期内（即旋转360°），某些时间区间的转速可能相对更快，某些时间区间的转速可能相对较慢，基于此，不同时间区间的转速形成转速分布。
在一些实施例中，转速分布可以包括预设未来时段内多个时间区间中每个时间区间的转速。其中，时间区间可以按照预设时间间隔划分。
在一些实施例中，预设未来时段内的转速分布可以由多种方式确定。例如，可以通过查询预设表/向量数据库等，将与采集到传感信息的数据序列对应的转速分布确定为预设未来时段内的转速分布。预设表/向量数据库中的记录可以根据历史数据构建，例如，将历史数据中，历史不同传感信息所对应的不同转速分布构建为预设表/向量数据库。
在一些实施例中，公转转速分布以及自转转速分布的确定方法包括：生成若干组主石墨回转体3的候选公转转速分布以及基片承载体5的候选自转转速分布；基于若干组主石墨回转体3的候选公转转速分布以及基片承载体5的候选自转转速分布，通过均匀度预测模型预测预设未来时段内的温度均匀度；基于预设未来时段内的温度均匀度，确定主石墨回转体3的公转转速分布以及基片承载体5的自转转速分布。
在一些实施例中，候选转速分布可以由多种方式确定。例如，可以在优选转速区间中随机选择一个或多个转速，生成多个候选转速分布。
均匀度预测模型可以指用于确定预设未来时段内的温度均匀度的模型，在一些实施例中，均匀度预测模型可以是机器学习模型。例如，均匀度预测模型可以包括卷积神经网络（CNN）模型、神经网络（NN）模型或其他自定义的模型结构等中的任意一种或组合。
图9是根据本说明书一些实施例所示的均匀度预测模型的示例性模型图。在一些实施例中，如图9所示，均匀度预测模型950的输入可以包括反应特征940、当前时刻的温度分布930、主石墨回转体的候选转速分布910、基片承载体的候选转速分布920。均匀度预测模型950的输出可以包括预设未来时段内的温度均匀度960。
其中，当前时刻的温度分布930可以包括当前时刻部署于基片承载体5内部和/或外部中预设点位的多个温度传感器采集的温度。温度均匀度用于反映加热区域的温度分布的均匀程度，如温度均匀度越高，表明加热区域温度分布越均匀，即加热区域各部分温度趋于一致。预设未来时段内的温度均匀度960指的是预设的未来的一段时间内的温度分布的均匀程度。反应特征940、主石墨回转体的候选转速分布910以及基片承载体的候选转速分布920可以参见前文的相关说明。
在一些实施例中，可以基于大量带有标签的第一训练样本训练均匀度预测模型。第一训练样本可以是样本反应特征、样本温度分布、主石墨回转体的样本候选转速分布、基片承载体的样本候选转速分布。
在一些实施例中，第一训练样本可以基于历史数据获取，第一训练样本的第一标签可以基于某历史时刻对应的样本反应特征、样本温度分布、主石墨回转体的样本候选转速分布、基片承载体的样本候选转速分布确定。
在一些实施例中，可以按照前述主石墨回转体的样本候选转速分布和基片承载体的样本候选转速分布，在该历史时刻执行实际的自转和公转，统计该历史时刻后的预设未来时段中多个采样时间点（例如每隔5s采集一次）的温度分布；根据每个采样时间点的温度分布，计算每个采样时间点的温度均匀度；根据多个采样时间点的温度均匀度，取平均值，得到该样本的标签。其中每个采样时间点的温度均匀度可以有多种计算方式，例如，计算每个采样时间点的温度分布的方差的倒数得到每个采样时间点的温度均匀度。
在一些实施例中，处理器可以基于预设未来时段内的温度均匀度，将预设未来时段内的温度均匀度最优的候选公转转速分布以及候选自转转速分布，确定为主石墨回转体3的公转转速分布以及基片承载体5的自转转速分布。其中，温度均匀度最优可以指温度均匀度的数值最高或超过预设阈值，表明加热区域各部分温度趋于一致，即温度分布均匀。
在一些实施例中，如图9所示，均匀度预测模型950的输入还可以包括已反应时长970。已反应时长970指的是MOCVD已经进行的时间，可以是磁悬浮自转公转反应室装置开始工作直至当前时刻的时间段，处理器可以自动记录磁悬浮自转公转反应室装置开始工作的时刻，并持续记录时间，从而得到已反应时长970。
在一些实施例中，随着反应的时间增加，衬底会逐渐外延出单晶层，且反应室内的反应物浓度也会动态变化，由此，将已反应时长也作为均匀度预测模型的输入，可以更好地对反应过程的时间尺度进行特征提取，使均匀度预测模型能够学习到不同反应时长的时刻下，转速调节与温度的相关关系。
在一些实施例中，在构建训练样本的标签时，不同训练样本的采样时间点的数量可以不同。其中，不同训练样本的采样时间点的数量可以相关于样本的反应特征以及样本的已反应时长。
在一些实施例中，采样时间点的数量可以基于样本的反应特征以及样本已反应时长，通过历史实验数据确定。例如，在某反应特征及已反应时长下，历史实验数据中该时刻的温度不均匀导致最终气相外延效果较差，则认为该反应特征及已反应时长下，该样本对温度不均匀非常敏感，因此需要在更多的采样时间点进行采样。
在一些实施例中，不同反应特征以及已反应时长下，对于温度不均匀的容忍度不同，构建训练样本的标签时，针对不同的训练样本选择不同的采样时间点数量，可以提高样本标注和模型训练的效率，同时也能保证训练后的模型针对输入的各类反应特征和各类已反应时长的预测精度。
在一些实施例中，利用均匀度预测模型预测预设未来时段内的温度均匀度，进而确定主石墨回转体的转速分布以及基片承载体的转速分布，可以获得更精准的转速分布，进而有利于保证温度的均匀性。
在一些实施例中，如前文所述，反射屏7可以由多层具有不同反射率的材料组合而成，外显层可以是指靠近加热器侧，用于反射热辐射的一层。反射屏7可以与处理器通信连接，处理器可以根据设定的外显层，生成反射屏控制指令，反射屏控制指令用于改变反射屏的多层材料之间的层级关系；处理器可以控制反射屏将其中一层材料作为外显层。示例的，反射屏7可以包括多层互不连接的反射层，每层反射层可以分别连接有动力装置（如推杆、微型马达等），动力装置可以分别驱动每层反射层移动，处理器可以控制动力装置将指定的反射层移动到指定的位置，从而实现将指定的反射层作为反射屏的外显层。
在一些实施例中，处理器可以在反应过程中，每隔预设周期，根据反应过程中采集的传感信息的数据序列，确定反射屏的外显层。
在一些实施例中，反射屏的外显层的确定方法为：生成若干个候选外显层；对于每个候选外显层，基于前述的均匀度预测模型预测预设未来时段内的温度均匀度；基于预设未来时段内的温度均匀度，确定反射屏的外显层。
例如，将每个候选外显层与反应特征、当前时刻的温度分布、主石墨回转体的候选转速分布、基片承载体的候选转速分布、已反应时长一起输入均匀度预测模型，得到每个候选外显层对应的预设未来时段内的温度均匀度，将预设未来时段内的温度均匀度中最优的所对应的候选外显层确定为反射屏的外显层。关于温度均匀度、均匀度预测模型的说明可以参见上文相关说明。
在一些实施例中，利用温度均匀度来确定反射屏的外显层，可以准确地选择效果最好的外显层，从而精确控制反应室的温度。
本说明书一个或多个实施例还提供了一种计算机可读存储介质，该存储介质存储计算机指令，当计算机读取存储介质中的计算机指令后，计算机执行如上述实施例中任一项所述的控制方法。
上文已对基本概念做了描述，显然，对于本领域技术人员来说，上述详细披露仅仅作为示例，而并不构成对本说明书的限定。虽然此处并没有明确说明，本领域技术人员可能会对本说明书进行各种修改、改进和修正。该类修改、改进和修正在本说明书中被建议，所以该类修改、改进、修正仍属于本说明书示范实施例的精神和范围。
同时，本说明书使用了特定词语来描述本说明书的实施例。如“一个实施例”、“一实施例”、和/或“一些实施例”意指与本说明书至少一个实施例相关的某一特征、结构或特点。因此，应强调并注意的是，本说明书中在不同位置两次或多次提及的“一实施例”或“一个实施例”或“一个替代性实施例”并不一定是指同一实施例。此外，本说明书的一个或多个实施例中的某些特征、结构或特点可以进行适当的组合。
此外，除非权利要求中明确说明，本说明书所述处理元素和序列的顺序、数字字母的使用、或其他名称的使用，并非用于限定本说明书流程和方法的顺序。尽管上述披露中通过各种示例讨论了一些目前认为有用的发明实施例，但应当理解的是，该类细节仅起到说明的目的，附加的权利要求并不仅限于披露的实施例，相反，权利要求旨在覆盖所有符合本说明书实施例实质和范围的修正和等价组合。
同理，应当注意的是，为了简化本说明书披露的表述，从而帮助对一个或多个发明实施例的理解，前文对本说明书实施例的描述中，有时会将多种特征归并至一个实施例、附图或对其的描述中。但是，这种披露方法并不意味着本说明书对象所需要的特征比权利要求中提及的特征多。实际上，实施例的特征要少于上述披露的单个实施例的全部特征。
针对本说明书引用的每个专利、专利申请、专利申请公开物和其他材料，如文章、书籍、说明书、出版物、文档等，特此将其全部内容并入本说明书作为参考。与本说明书内容不一致或产生冲突的申请历史文件除外，对本说明书权利要求最广范围有限制的文件（当前或之后附加于本说明书中的）也除外。需要说明的是，如果本说明书附属材料中的描述、定义、和/或术语的使用与本说明书所述内容有不一致或冲突的地方，以本说明书的描述、定义和/或术语的使用为准。
最后，应当理解的是，本说明书中所述实施例仅用以说明本说明书实施例的原则。其他的变形也可能属于本说明书的范围。因此，作为示例而非限制，本说明书实施例的替代配置可视为与本说明书的教导一致。相应地，本说明书的实施例不仅限于本说明书明确介绍和描述的实施例。

Claims (10)

1.一种磁悬浮自转公转反应室装置，其特征在于，包括石墨基础、主石墨回转体、多个基片承载体、多组磁机构、加热器以及处理器；
所述石墨基础包括石墨基座和石墨压圈；
所述多组磁机构包括第一支承磁机构、第二支承磁机构、第一驱动磁机构和第二驱动磁机构，所述第一支承磁机构约束所述主石墨回转体径向的运动，所述第一驱动磁机构驱动所述主石墨回转体，所述第二支承磁机构约束所述基片承载体径向及轴向的运动，所述第二驱动磁机构驱动所述基片承载体；
所述加热器安装于所述主石墨回转体、基片承载体与所述石墨基座之间；
所述处理器被配置为：
根据设定的公转转速，生成第一磁力控制指令，控制所述第一驱动磁机构的磁力大小，以驱动所述主石墨回转体以设定的所述公转转速旋转；
根据设定的自转转速，生成第二磁力控制指令，控制所述第二驱动磁机构的磁力大小，以驱动所述基片承载体以设定的所述自转转速旋转。
2.根据权利要求1所述的磁悬浮自转公转反应室装置，其特征在于，所述磁悬浮自转公转反应室装置还包括一组或多组传感器；所述传感器部署于所述基片承载体内部和/或外部中的预设点位，所述处理器进一步被配置为：响应于所述传感器采集的传感信息满足预设阈值条件，执行急停操作。
3.根据权利要求1所述的磁悬浮自转公转反应室装置，其特征在于，所述磁悬浮自转公转反应室装置还包括反射屏，所述反射屏安装于所述主石墨回转体、所述基片承载体与所述石墨基座之间，所述反射屏被配置为阻隔热辐射。
4.根据权利要求1所述的磁悬浮自转公转反应室装置，其特征在于，所述处理器进一步被配置为：
获取反应特征，所述反应特征包括气相外延的化学反应特征；
基于所述反应特征，确定所述主石墨回转体的优选公转转速区间，以及所述基片承载体的优选自传转速区间；
基于所述优选公转转速区间，确定所述主石墨回转体的初始公转转速；
基于所述优选自转转速区间，确定所述基片承载体的初始自转转速。
5.根据权利要求1所述的磁悬浮自转公转反应室装置，其特征在于，所述处理器进一步被配置为：在反应过程中，每隔预设周期，根据所述反应过程中采集的传感信息的数据序列，确定所述主石墨回转体在预设未来时段内的公转转速分布以及所述基片承载体在预设未来时段内的自转转速分布。
6.一种如权利要求1-5任一项所述的磁悬浮自转公转反应室装置的控制方法，其特征在于，所述控制方法由处理器执行，所述方法包括：
根据设定的公转转速，生成第一磁力控制指令，控制第一驱动磁机构的磁力大小，以驱动主石墨回转体以设定的所述公转转速旋转；
根据设定的自转转速，生成第二磁力控制指令，控制第二驱动磁机构的磁力大小，以驱动基片承载体以设定的所述自转转速旋转。
7.根据权利要求6所述的控制方法，其特征在于，所述方法还包括：
获取传感器采集的传感信息；
响应于所述传感信息满足预设阈值条件，执行急停操作。
8.根据权利要求6所述的控制方法，其特征在于，所述方法还包括：
获取反应特征，所述反应特征包括气相外延的化学反应特征；
基于所述反应特征，确定所述主石墨回转体的优选公转转速区间，以及所述基片承载体的优选自传转速区间；
基于所述优选公转转速区间，确定所述主石墨回转体的初始公转转速；
基于所述优选自转转速区间，确定所述基片承载体的初始自转转速。
9.根据权利要求6所述的控制方法，其特征在于，所述方法还包括：
在反应过程中，每隔预设周期，采集传感信息；
根据所述传感信息的数据序列，确定所述主石墨回转体在预设未来时段内的公转转速分布以及所述基片承载体在预设未来时段内的自转转速分布。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述存储介质存储计算机指令，当计算机读取存储介质中的计算机指令后，计算机执行如权利要求6-9中任一项所述的控制方法。
CN202311123857.8A 2023-09-01 2023-09-01 一种磁悬浮自转公转反应室装置 Active CN117005025B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311123857.8A CN117005025B (zh) 2023-09-01 2023-09-01 一种磁悬浮自转公转反应室装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311123857.8A CN117005025B (zh) 2023-09-01 2023-09-01 一种磁悬浮自转公转反应室装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN117005025A true CN117005025A (zh) 2023-11-07
CN117005025B CN117005025B (zh) 2024-03-19

Family

ID=88576264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311123857.8A Active CN117005025B (zh) 2023-09-01 2023-09-01 一种磁悬浮自转公转反应室装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117005025B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6373159B1 (en) * 1999-07-19 2002-04-16 Ebara Corporation Substrate rotating apparatus
CN1865495A (zh) * 2005-05-20 2006-11-22 中国科学院半导体研究所 金属有机物化学气相淀积设备反应室中的公转自转机构
CN102560432A (zh) * 2010-12-13 2012-07-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种基片承载装置及应用该装置的基片处理设备
CN109495021A (zh) * 2017-09-11 2019-03-19 深圳英莱希科技有限公司 磁悬浮装置及其控制方法
CN212367157U (zh) * 2020-07-13 2021-01-15 王晓冰 磁悬浮装置
CN114164413A (zh) * 2021-12-17 2022-03-11 北京沁圆半导体设备有限公司 一种用于mocvd设备的旋转***及mocvd设备

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6373159B1 (en) * 1999-07-19 2002-04-16 Ebara Corporation Substrate rotating apparatus
CN1865495A (zh) * 2005-05-20 2006-11-22 中国科学院半导体研究所 金属有机物化学气相淀积设备反应室中的公转自转机构
CN102560432A (zh) * 2010-12-13 2012-07-11 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种基片承载装置及应用该装置的基片处理设备
CN109495021A (zh) * 2017-09-11 2019-03-19 深圳英莱希科技有限公司 磁悬浮装置及其控制方法
CN212367157U (zh) * 2020-07-13 2021-01-15 王晓冰 磁悬浮装置
CN114164413A (zh) * 2021-12-17 2022-03-11 北京沁圆半导体设备有限公司 一种用于mocvd设备的旋转***及mocvd设备

Also Published As

Publication number Publication date
CN117005025B (zh) 2024-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8033378B2 (en) Buffer system for adjusting first-in first-out
US7645112B2 (en) Transport apparatus, control method for the same, and vacuum processing system
US20160118291A1 (en) Multi-wafer rotating disc reactor with inertial planetary drive
CN104302807B (zh) 用于化学气相沉积的具有铁磁流体密封件的转盘反应器
US6770146B2 (en) Method and system for rotating a semiconductor wafer in processing chambers
EP0448346A1 (en) Vapor-phase deposition apparatus and vapor-phase deposition method
CN117005025B (zh) 一种磁悬浮自转公转反应室装置
US20060124062A1 (en) Vapor phase growth apparatus
JP2001523391A (ja) 一体化された強磁性素子を有する回転式サセプタ
WO1997003225A1 (en) Programmable ultraclean electromagnetic substrate rotation apparatus and method for microelectronics manufacturing equipment
US10476420B2 (en) Brushless direct current motor with a ring magnet
CN1293983C (zh) 衬底处理设备及方法和使用此方法处理的编码器刻度
CN115198366B (zh) 一种大尺寸碳化硅晶体的生长装置及生长方法
JP5489233B2 (ja) 低コストかつ高速な成膜方法及び装置
KR101255480B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP3070158B2 (ja) 薄膜気相成長装置のサセプタ回転支持構造
US20030089697A1 (en) Thermal processing system and thermal processing method
CN114395755B (zh) 晶振盘结构及其使用方法
EP1093157B1 (en) Substrate processing method and apparatus
CN116130390B (zh) 温度检测装置与热处理设备
CN219320314U (zh) 一种温育反应装置及具有其的流式荧光免疫分析仪
CN102492938B (zh) 一种单接触式自转公转基舟
CN210237754U (zh) 一种用于热蒸发***的衬底旋转装置
KR100392796B1 (ko) 웨이퍼 가열용 턴테이블 장치
CN114457417B (zh) 一种陶瓷涂层石墨托盘旋转组件

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant