CN116995432B - 移相装置及其装配方法与基站天线 - Google Patents

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CN116995432B CN202311244054.8A CN202311244054A CN116995432B CN 116995432 B CN116995432 B CN 116995432B CN 202311244054 A CN202311244054 A CN 202311244054A CN 116995432 B CN116995432 B CN 116995432B
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Abstract

本申请涉及一种移相装置及其装配方法与基站天线,移相器装置包括沿纵长方向依次设置的至少两个移相器,至少两个移相器可以各自独立加工,并通过连接组件相互连接组合在一起,实现具有长度较长的腔体,从而解决了腔体的长度过长导致的加工精度下降、生产困难及成本高等缺陷,且各个移相器的导电腔体加工精度得以保障后能相应保障产品性能;此外,相邻两个移相器的馈电对接部与共地对接部均位于导电腔体外部,有足够大的操作空间来采用连接组件进行相互连接,操作较为方便,装配效率较高,且连接后配合形成微带线传输结构,也即带状线传输结构转换为开放式的微带线传输结构实现相邻两个移相器的连接,使得相邻两个移相器的信号稳定可靠地传输。

Description

移相装置及其装配方法与基站天线
技术领域
本申请涉及天线技术领域,特别是涉及一种移相装置及其装配方法与基站天线。
背景技术
移相器是基站天线的核心部件之一,移相器性能的优劣直接决定了基站天线的性能,进而影响到网络的覆盖质量,多端口的介质移相器在基站天线中的应用越来越广泛。
相关技术中的移相器通常包含腔体、设于腔体内部的馈电网络及移相介质。随着绿色高效天线的推广,低损耗馈电网络成为基站天线的核心技术之一。加长移相器的腔体长度,使移相器各输出端口靠近对应的辐射单元,以大幅减短电缆的长度,可有效减小电缆的损耗,从而降低馈电网络的损耗。
然而,对于低频或高增益阵列天线,阵列天线的长度较长,移相器的长度亦需跟随加长,存在以下问题:移相器的腔体、馈电网络等部件的加工难度、加工精度与加工成本均会随移相器长度尺寸的增加而相应增加,当腔体与馈电网络的尺寸精度下降后,将导致移相器的性能一致性降低。
发明内容
基于此,有必要克服现有技术的缺陷,提供一种移相装置及其装配方法与基站天线,它能够便于加工装配,提高装配效率,并能提升产品性能。
一种移相装置,所述移相装置包括:
至少两个移相器,至少两个所述移相器沿其纵长方向依次间隔设置,每个所述移相器包括导电腔体以及穿设于所述导电腔体内部的馈电网络;所述馈电网络设有伸出到所述导电腔体外部的馈电对接部,所述导电腔体设有共地板,所述共地板设有伸出到所述导电腔体外部的共地对接部;及
对应设置于相邻两个所述移相器之间的连接组件,所述连接组件包括第一导电件与第二导电件,相邻两个所述移相器的馈电对接部通过所述第一导电件电性连接,相邻两个所述移相器的共地对接部通过所述第二导电件电性连接,所述连接组件、相邻两个所述移相器的馈电对接部及相邻两个所述移相器的共地对接部配合形成微带线传输结构。
在其中一个实施例中,所述第一导电件分别与相邻两个所述移相器的馈电对接部耦合相连或直接相连;所述第二导电件分别与相邻两个所述移相器的共地对接部耦合相连或直接相连。
在其中一个实施例中,所述第一导电件设为第一耦合片;所述第二导电件设为第二耦合片。
在其中一个实施例中,所述馈电对接部的相背两侧分别设有所述第一导电件,或者,所述馈电对接部的其中一侧设有所述第一导电件;所述共地对接部的相背两侧分别设有所述第二导电件,或者,所述共地对接部的其中一侧设有所述第二导电件。
在其中一个实施例中,所述移相装置还包括对应设置于所述第一导电件上面向于所述馈电对接部的其中一侧的第一绝缘层,以及对应设置于所述第二导电件上面向于所述共地对接部的其中一侧的第二绝缘层。
在其中一个实施例中,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的厚度各自设为小于或等于0.5mm。
在其中一个实施例中,所述共地板将所述导电腔体分隔形成并列设置的两个腔室,每个所述移相器的所述馈电网络设为两个,分别穿设于两个所述腔室中,其中一个所述移相器的两个馈电对接部与相邻的另一个所述移相器的两个馈电对接部分别通过所述第一导电件电性连接。
一种基站天线,所述基站天线包括至少一个所述的移相装置、反射板及至少一个天线阵列,所述移相装置与所述天线阵列相互对应设置并连接于所述反射板上。
在其中一个实施例中,所述天线阵列的各个辐射单元沿所述纵长方向依次设置;所述移相装置的各个端口与所述天线阵列的各个所述辐射单元对应设置。
在其中一个实施例中,所述共地板的板面垂直于所述反射板的板面;或者,所述共地板板面平行于所述反射板的板面。
一种所述的基站天线的装配方法,所述装配方法包括:
先将移相装置的至少两个导电腔体沿纵长方向依次间隔地装配固定于反射板的背面,然后通过第一导电件将相邻两个移相器的馈电对接部电性连接,通过第二导电件将相邻两个移相器的共地对接部电性连接。
在其中一个实施例中,将移相装置的至少两个导电腔体装配于反射板的背面步骤包括:使所述共地板的板面以垂直于所述反射板的板面的方式固定装设于反射板的背面。
上述的移相装置及其装配方法与基站天线,包括沿纵长方向依次设置的至少两个移相器,至少两个移相器可以各自独立加工,并通过连接组件相互连接组合在一起,实现具有长度较长的腔体,从而解决了腔体的长度过长导致的加工精度下降、生产困难及成本高等缺陷,且各个移相器的导电腔体加工精度得以保障后能相应保障产品性能;此外,相邻两个移相器的馈电对接部与共地对接部均位于导电腔体外部,有足够大的操作空间来采用连接组件进行相互连接,操作较为方便,装配效率较高,且连接后配合形成微带线传输结构,也即带状线传输结构转换为开放式的微带线传输结构实现相邻两个移相器的连接,使得相邻两个移相器的信号稳定可靠地传输。
附图说明
图1为本申请一实施例的基站天线的一视角结构图。
图2为图1所示结构的另一视角结构图。
图3为图1所示结构中的移相装置的结构示意图。
图4为图3在A处的放大结构图。
图5为图1所示结构中的移相装置的剖视结构图。
图6为图5在B处的放大结构图。
10、移相装置;11、移相器;111、导电腔体;1111、腔室;112、馈电网络;1121、馈电对接部;113、共地板;1131、共地对接部;12、连接组件;121、第一导电件;122、第二导电件;13、第二绝缘层;20、反射板;30、天线阵列;31、辐射单元。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进,因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
参阅图1至图6,图1示出了本申请一实施例的基站天线的一视角结构图。图2示出了图1所示结构的另一视角结构图。图3示出了图1所示结构中的移相装置10的结构示意图。图4示出了图3在A处的放大结构图。图5示出了图1所示结构中的移相装置10的剖视结构图。图6示出了图5在B处的放大结构图。本申请一实施例提供的一种移相装置10,移相装置10包括:至少两个移相器11及对应设置于相邻两个移相器11之间的连接组件12。至少两个移相器11沿其纵长方向(如图1至图3任一幅中的双箭头L所示)依次间隔设置,每个移相器11包括导电腔体111以及穿设于导电腔体111内部的馈电网络112。馈电网络112设有伸出到导电腔体111外部的馈电对接部1121,导电腔体111设有共地板113,共地板113设有伸出到导电腔体111外部的共地对接部1131。连接组件12包括第一导电件121与第二导电件122。相邻两个移相器11的馈电对接部1121通过第一导电件121电性连接,相邻两个移相器11的共地对接部1131通过第二导电件122电性连接。连接组件12、相邻两个移相器11的馈电对接部1121及相邻两个移相器11的共地对接部1131配合形成微带线传输结构。
上述的移相器11装置,包括沿纵长方向依次设置的至少两个移相器11,至少两个移相器11可以各自独立加工,并通过连接组件12相互连接组合在一起,实现具有长度较长的腔体,从而解决了腔体的长度过长导致的加工精度下降、生产困难及成本高等缺陷,且各个移相器11的导电腔体111加工精度得以保障后能相应保障产品性能;此外,相邻两个移相器11的馈电对接部1121与共地对接部1131均位于导电腔体111外部,有足够大的操作空间来采用连接组件12进行相互连接,操作较为方便,装配效率较高,且连接后配合形成微带线传输结构,也即带状线传输结构转换为开放式的微带线传输结构实现相邻两个移相器11的连接,使得相邻两个移相器11的信号稳定可靠地传输。
需要说明的是,导电腔体111既可以是金属腔体,也可以是包括介质主体以及覆设于介质主体的外表面与内表面上的金属层。
需要说明的是,一个移相装置10的移相器11的数量包括但不限于为两个、三个、四个、五个或其他数量,具体可以根据实际需求灵活设置与调整。各个移相装置10的移相器11的数量可以相同,也可以不同。其中,当一个移相装置10的移相器11设为两个时,连接组件12相应设为一个;当一个移相装置10的移相器11设为三个时,连接组件12相应设为两个;当一个移相装置10的移相器11设为四个时,连接组件12相应设为三个。
请参阅图3至图6,本实施例中,具体以一个移相装置10的移相器11设为两个为例展开,但是并不以此为限。其中,当组合形成一个移相装置10的移相器11设为两个时,两个移相器11沿其纵长方向间隔布置以形成有间隔区域,每个移相器11均设有伸出到导电腔体111外部的馈电对接部1121与共地对接部1131。连接组件12设为一个,连接组件12、馈电对接部1121与共地对接部1131均位于间隔区域,连接组件12的第一导电件121分别与两个馈电对接部1121连接,连接组件12的第二导电件122分别与两个共地对接部1131连接。
需要说明的是,该“馈电对接部1121”可以为“馈电网络112的一部分”,即“馈电对接部1121”与“馈电网络112的其他部分”一体成型制造;也可以与“馈电网络112的其他部分”可分离的一个独立的构件,即“馈电对接部1121”可以独立制造,再与“馈电网络112的其他部分”组合成一个整体。
需要说明的是,该“共地板113”可以为“导电腔体111的一部分”,即“接共地板113”与“导电腔体111的其他部分”一体成型制造;也可以与“导电腔体111的其他部分”可分离的一个独立的构件,即“共地板113”可以独立制造,再与“导电腔体111的其他部分”组合成一个整体。
需要说明的是,该“共地对接部1131”可以为“共地板113的一部分”,即“共地对接部1131”与“共地板113的其他部分”一体成型制造;也可以与“共地板113的其他部分”可分离的一个独立的构件,即“共地对接部1131”可以独立制造,再与“共地板113的其他部分”组合成一个整体。
请参阅图4与图6,在一个实施例中,第一导电件121分别与相邻两个移相器11的馈电对接部1121耦合相连或直接相连;第二导电件122分别与相邻两个移相器11的共地对接部1131耦合相连或直接相连。
需要说明的是,耦合相连指的是两个导电件之间并非以直接电性接触的方式相互连接来实现能量传输,而是例如设有间隙或者通过绝缘件相互隔开,通过耦合方式来实现能量传输。
此外,直接相连指的是两个导电件之间通过物理接触实现电性连接,两个导电件之间例如通过机械连接的方式电性接触,也可以是通过导电胶相互粘接的方式连接固定,也可以通过焊接的方式连接。其中,机械连接的方式包括但不限于为金属螺钉、金属销钉、金属铆钉等紧固件相互连接。
请参阅图4与图6,在一个实施例中,第一导电件121设为第一耦合片;第二导电件122设为第二耦合片。如此,第一导电件121设置成第一耦合片,能使得相邻两个移相器11的馈电对接部1121间的耦合量较大,信号传输效果好;此外,第二导电件122设置成第二耦合片,能使得相邻两个移相器11的共地对接部1131间的耦合量较大,共同接地效果好。
请参阅图4与图6,在一个实施例中,馈电对接部1121的相背两侧分别设有第一导电件121;共地对接部1131的相背两侧分别设有第二导电件122。如此,馈电对接部1121的相背两侧分别与第一导电件121耦合相连,换言之,馈电对接部1121的正反两面分别与第一导电件121耦合相连,如此具有较大的耦合量,能有效减小第一导电件121的表面尺寸。同样地,共地对接部1131的相背两侧分别与第二导电件122耦合相连,换言之,共地对接部1131的正反两面分别与第二导电件122耦合相连,如此具有较大的耦合量,能有效减小第二导电件122的表面尺寸。
当然,作为一些可选的方案,馈电对接部1121的其中一侧设有第一导电件121,另一侧省略掉第一导电件121。此外,共地对接部1131的其中一侧设有第二导电件122,另一侧省略掉第二导电件122。
请参阅图4与图6,在一个实施例中,移相装置10还包括对应设置于第一导电件121上面向于馈电对接部1121的其中一侧的第一绝缘层(图中未示出),以及对应设置于第二导电件122上面向于共地对接部1131的其中一侧的第二绝缘层13。如此,在第一绝缘层的作用下,第一导电件121分别与相邻两个移相器11的馈电对接部1121绝缘配合,实现分别与两个移相器11的馈电对接部1121耦合相连;在第二绝缘层13的作用下,第二导电件122分别与相邻两个移相器11的共地对接部1131绝缘配合,实现分别与两个移相器11的共地对接部1131耦合相连。
在一些实施例中,第一绝缘层与第二绝缘层13各自包括但不限于为绝缘膜或绝缘片。
在一些实施例中,当馈电对接部1121的相背两侧各自设有一个第一导电件121时,馈电对接部1121的相背两侧分别各自设有第一绝缘层,并通过第一绝缘层与第一导电件121相连。此外,当共地对接部1131的相背两侧各自设有一个第二导电件122时,共地对接部1131的相背两侧分别各自设有第二绝缘层13,并通过第二绝缘层13与第二导电件122相连。
在一个实施例中,第一绝缘层与第二绝缘层13的厚度各自设为小于或等于0.5mm,例如为0.4mm、0.3mm、0.2mm、0.1mm等。如此,第一绝缘层与第二绝缘层13的厚度设置的足够小,能使得第一导电件121与馈电对接部1121有较好的耦合效果,以及使得第二导电件122与共地对接部1131有较好的耦合效果。
当然,作为一些可选的方案,第一绝缘层与第二绝缘层13的厚度各自还可以是大于0.5mm的任意数值。可选地,第一绝缘层与第二绝缘层13的厚度相同,即采用同一种厚度的膜材加工得到。当然,第一绝缘层与第二绝缘层13的厚度也可以不同,即采用不同厚度的膜材加工得到,具体如何设置可以根据实际需求灵活调整与设置,在此不进行限定。
请参阅图4与图6,在一个实施例中,共地板113将导电腔体111分隔形成并列设置的两个腔室1111,每个移相器11的馈电网络112设为两个,分别穿设于两个腔室1111中,其中一个移相器11的两个馈电对接部1121与相邻的另一个移相器11的两个馈电对接部1121分别通过第一导电件121电性连接。如此,其中一个腔室1111的馈电网络112用于负责其中一个极化信号的传输,另一个腔室1111的馈电网络112用于负责另一个极化信号的传输,从而实现双极化信号的传输。
在一些实施例中,导电腔体111设为一个腔室1111,馈电网络112相应设为一个,从而用于单极化信号的传输。
在一个实施例中,移相装置10还包括可移动地设置于导电腔体111内部的移相介质板(图中未示出)。如此,通过调整移相介质板的位置,便能实现对相位的调整,起到改变天线波束指向的作用。
请参阅图1、图4与图6,在一个实施例中,一种基站天线,基站天线包括至少一个上述任一实施例的移相装置10、反射板20及至少一个天线阵列30,移相装置10与天线阵列30相互对应设置并连接于反射板20上。
上述的基站天线,移相装置10包括沿纵长方向依次设置的至少两个移相器11,至少两个移相器11可以各自独立加工,并通过连接组件12相互连接组合在一起,实现具有长度较长的腔体,从而解决了腔体的长度过长导致的加工精度下降、生产困难及成本高等缺陷,且各个移相器11的导电腔体111加工精度得以保障后能相应保障产品性能;此外,相邻两个移相器11的馈电对接部1121与共地对接部1131均位于导电腔体111外部,有足够大的操作空间来采用连接组件12进行相互连接,操作较为方便,装配效率较高,且连接后配合形成微带线传输结构,也即带状线传输结构转换为开放式的微带线传输结构实现相邻两个移相器11的连接,使得相邻两个移相器11的信号稳定可靠地传输。
请参阅图1至图3,在一个实施例中,天线阵列30的各个辐射单元31沿纵长方向(如图1至图3的L所示)依次设置。可选地,天线阵列30与移相装置10分别位于反射板20的相背两侧。
请参阅图1至图3,在一个实施例中,移相装置10的各个输出端口与天线阵列30的各个辐射单元31的输入端口位置对应,并通过电缆对应电性连接。
在一个实施例中,共地板113的板面垂直于反射板20的板面。如此,当共地板113的板面垂直于反射板20的板面时,在采用连接组件12来将相邻两个移相器11进行连接操作过程中,第一导电件121垂直于反射板20的板面方向***,并与相邻两个移相器11的馈电对接部1121相连,第二导电件122垂直于反射板20的板面方向***,并与相邻两个移相器11的馈电对接部1121相连,使得装配操作更加方便。
在另一个实施例中,共地板113板面例如平行于反射板20的板面。
请参阅图1至图3,在一个实施例中,天线阵列30设为两列,工作频段为690MHz-960MHz,每列天线阵列30例如设有6个辐射单元31,相邻两个辐射单元31的间距例如设为260mm,天线阵列30的长度例如设为1500mm,移相装置10的长度例如设为1400mm。
请参阅图1至图6,在一个实施例中,一种上述任一实施例的基站天线的装配方法,装配方法包括:
先将移相装置10的至少两个导电腔体111沿纵长方向依次间隔地装配固定于反射板20的背面,然后通过第一导电件121将相邻两个移相器11的馈电对接部1121电性连接,通过第二导电件122将相邻两个移相器11的共地对接部1131电性连接。
上述的基站天线的装配方法,包括沿纵长方向依次设置的至少两个移相器11,至少两个移相器11可以各自独立加工,并通过连接组件12相互连接组合在一起,实现具有长度较长的腔体,从而解决了腔体的长度过长导致的加工精度下降、生产困难及成本高等缺陷,且各个移相器11的导电腔体111加工精度得以保障后能相应保障产品性能;此外,相邻两个移相器11的馈电对接部1121与共地对接部1131均位于导电腔体111外部,有足够大的操作空间来采用连接组件12进行相互连接,操作较为方便,装配效率较高,且连接后配合形成微带线传输结构,也即带状线传输结构转换为开放式的微带线传输结构实现相邻两个移相器11的连接,使得相邻两个移相器11的信号稳定可靠地传输。
此外,由于先将移相装置10的至少两个导电腔体111沿纵长方向依次间隔地装配固定于反射板20的背面,然后再通过连接组件12分别与相邻两个移相器11相连,能实现装配效果更加稳定可靠。
在一个实施例中,将移相装置10的至少两个导电腔体111装配于反射板20的背面步骤包括:使共地板113的板面以垂直于反射板20的板面的方式固定装设于反射板20的背面。如此,能为后续相邻两个移相器11及连接组件12的装配操作提供了较大的操作空间,装配更加方便。
在本申请的描述中,需要理解的是,若有出现这些术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等,这些术语指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
此外,若有出现这些术语“第一”、“第二”,这些术语仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中,若有出现术语“多个”,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,若有出现术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等,这些术语应做广义理解。例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,若有出现第一特征在第二特征“上”或“下”等类似的描述,其含义可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是,若元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。若一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。如若存在,本申请所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (12)

1.一种移相装置,其特征在于,所述移相装置包括:
至少两个移相器,至少两个所述移相器沿其纵长方向依次间隔设置,相邻两个所述移相器沿其纵长方向上形成有间隔区域,每个所述移相器包括导电腔体以及穿设于所述导电腔体内部的馈电网络;所述馈电网络设有伸出到所述导电腔体外部的馈电对接部,所述导电腔体设有共地板,所述共地板设有伸出到所述导电腔体外部的共地对接部;及
对应设置于相邻两个所述移相器之间的连接组件,所述连接组件、所述馈电对接部与所述共地对接部均位于所述间隔区域,所述连接组件包括第一导电件与第二导电件,相邻两个所述移相器的馈电对接部通过所述第一导电件电性连接,相邻两个所述移相器的共地对接部通过所述第二导电件电性连接,所述连接组件、相邻两个所述移相器的馈电对接部及相邻两个所述移相器的共地对接部配合形成微带线传输结构。
2.根据权利要求1所述的移相装置,其特征在于,所述第一导电件分别与相邻两个所述移相器的馈电对接部耦合相连或直接相连;所述第二导电件分别与相邻两个所述移相器的共地对接部耦合相连或直接相连。
3.根据权利要求2所述的移相装置,其特征在于,所述第一导电件设为第一耦合片;所述第二导电件设为第二耦合片。
4.根据权利要求3所述的移相装置,其特征在于,所述馈电对接部的相背两侧分别设有所述第一导电件,或者,所述馈电对接部的其中一侧设有所述第一导电件;所述共地对接部的相背两侧分别设有所述第二导电件,或者,所述共地对接部的其中一侧设有所述第二导电件。
5.根据权利要求3所述的移相装置,其特征在于,所述移相装置还包括对应设置于所述第一导电件上面向于所述馈电对接部的其中一侧的第一绝缘层,以及对应设置于所述第二导电件上面向于所述共地对接部的其中一侧的第二绝缘层。
6.根据权利要求5所述的移相装置,其特征在于,所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的厚度各自设为小于或等于0.5mm。
7.根据权利要求1所述的移相装置,其特征在于,所述共地板将所述导电腔体分隔形成并列设置的两个腔室,每个所述移相器的所述馈电网络设为两个,分别穿设于两个所述腔室中,其中一个所述移相器的两个馈电对接部与相邻的另一个所述移相器的两个馈电对接部分别通过所述第一导电件电性连接。
8.一种基站天线,其特征在于,所述基站天线包括至少一个如权利要求1至7任意一项所述的移相装置、反射板及至少一个天线阵列,所述移相装置与所述天线阵列相互对应设置并连接于所述反射板上。
9.根据权利要求8所述的基站天线,其特征在于,所述天线阵列的各个辐射单元沿所述纵长方向依次设置;所述移相装置的各个端口与所述天线阵列的各个所述辐射单元对应设置。
10.根据权利要求8所述的基站天线,其特征在于,所述共地板的板面垂直于所述反射板的板面;或者,所述共地板板面平行于所述反射板的板面。
11.一种如权利要求8至10任一项所述的基站天线的装配方法,其特征在于,所述装配方法包括:
先将移相装置的至少两个导电腔体沿纵长方向依次间隔地装配固定于反射板的背面,然后通过第一导电件将相邻两个移相器的馈电对接部电性连接,通过第二导电件将相邻两个移相器的共地对接部电性连接。
12.根据权利要求11所述的基站天线的装配方法,其特征在于,将移相装置的至少两个导电腔体装配于反射板的背面步骤包括:使所述共地板的板面以垂直于所述反射板的板面的方式固定装设于反射板的背面。
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