CN116937496A - 一种无源输入保护电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供的一种无源输入保护电路，通整流电路、第一回差模块、过压保护模块、第二回差模块、欠压保护模块以及开关电源控制芯片构成无源输入过压及欠压保护电路，不需要辅助电源供电，充分利用电源管理芯片的引脚功能与过压保护模块和欠压保护模块相结合起到过压和欠压保护，实现成本低，并且通过设置第一回差模块以及第二回差模块，使得过压保护模块与欠压保护模块在工作过程中不会受到电压的轻微扰动的影响，提高了电路抗干扰能力强，实现在没有额外的辅助电源供电的情况下，构成带有回差的输入过压、欠压保护电路，提高对开关电源保护的同时，提高开关电源的抗干扰能力。

Description

一种无源输入保护电路

技术领域

本发明涉及开关电源技术领域，特别是涉及一种无源输入保护电路。

背景技术

开关电源是日常用电的重要设备，多用于将市电转化为用电设备所需的电源类型。由于电网的不稳定性，开关电源通常都设置有过压和欠压保护电路。如现有技术中公开号为：CN209787038U的文件中公开了一种用于开关电源的无源过压和欠压保护电路，能在完全没有任何独立供电的情况下提供准确可靠的过压和欠压保护功能，成本低、调整方便、应用灵活。

但该电路中的采样点位于整流桥后，造成保护电路与DC-DC(直流-直流)变换器初级共地，保护可能有延迟且易于对开关管造成损坏。同时，电路中没有设置回差，当输入电压在保护点附近有微小的波动时，将存在反复开关机的问题。因此，难以在实际应用中进行有效的过欠压保护。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是：提供一种无源输入保护电路，提高对开关电源保护的同时，提高开关电源的抗干扰能力。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：

一种无源输入保护电路，包括整流电路、第一回差模块、过压保护模块、第二回差模块、欠压保护模块以及开关电源控制芯片；所述整流电路的输出端分别与所述第一回差模块的电源输入端以及所述第二回差模块的电源输入端连接；所述整流电路的输入端用于连接外部电源；所述第一回差模块的采样端与所述过压保护模块的输入端连接，所述第一回差模块的控制输入端与所述开关电源控制芯片的输出端连接；所述过压保护模块的输出端与所述开关电源控制芯片的输入端连接；所述第二回差模块的采样端与所述欠压保护模块的输入端连接，所述第二回差模块的控制输入端与所述开关电源控制芯片的输出端连接；所述欠压保护模块的输出端与所述开关电源控制芯片的输入端连接。

本发明的有益效果在于：通整流电路、第一回差模块、过压保护模块、第二回差模块、欠压保护模块以及开关电源控制芯片构成无源输入过压及欠压保护电路，不需要辅助电源供电，充分利用电源管理芯片的引脚功能与过压保护模块和欠压保护模块相结合起到过压和欠压保护，实现成本低，并且通过设置第一回差模块以及第二回差模块，使得过压保护模块与欠压保护模块在工作过程中不会受到电压的轻微扰动的影响，提高了电路抗干扰能力强，实现在没有额外的辅助电源供电的情况下，构成带有回差的输入过压、欠压保护电路，提高对开关电源保护的同时，提高开关电源的抗干扰能力。

附图说明

图1为本发明实施例中的一种无源输入保护电路的模块示意图；

图2为本发明实施例中的一种无源输入保护电路的电路连接示意图；

标号说明：

1、整流电路；2、第一回差模块；3、过压保护模块；4、第二回差模块；5、欠压保护模块；6、开关电源控制芯片；

R1、第一电阻；R2、第二电阻；R3、第三电阻；R4、第四电阻；R5、第五电阻；R15、第六电阻；R14、第七电阻；R11、第八电阻；R13、第九电阻；

C1、第一电容；C2、第二电容；C5、第三电容；

D3、第一二极管；D6、第二二极管；D9、第三二极管；

Q1、第一晶体管；Q2、第一MOS管；Q4、第二MOS管；Q5、第一三极管。

具体实施方式

为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。

请参照图1，一种无源输入保护电路，包括整流电路、第一回差模块、过压保护模块、第二回差模块、欠压保护模块以及开关电源控制芯片；所述整流电路的输出端分别与所述第一回差模块的电源输入端以及所述第二回差模块的电源输入端连接；所述整流电路的输入端用于连接外部电源；所述第一回差模块的采样端与所述过压保护模块的输入端连接，所述第一回差模块的控制输入端与所述开关电源控制芯片的输出端连接；所述过压保护模块的输出端与所述开关电源控制芯片的输入端连接；所述第二回差模块的采样端与所述欠压保护模块的输入端连接，所述第二回差模块的控制输入端与所述开关电源控制芯片的输出端连接；所述欠压保护模块的输出端与所述开关电源控制芯片的输入端连接。

由上述描述可知，本发明的有益效果在于：通整流电路、第一回差模块、过压保护模块、第二回差模块、欠压保护模块以及开关电源控制芯片构成无源输入过压及欠压保护电路，不需要辅助电源供电，充分利用电源管理芯片的引脚功能与过压保护模块和欠压保护模块相结合起到过压和欠压保护，实现成本低，并且通过设置第一回差模块以及第二回差模块，使得过压保护模块与欠压保护模块在工作过程中不会受到电压的轻微扰动的影响，提高了电路抗干扰能力强，实现在没有额外的辅助电源供电的情况下，构成带有回差的输入过压、欠压保护电路，提高对开关电源保护的同时，提高开关电源的抗干扰能力。

进一步地，所述第一回差模块包括第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第一晶体管；所述第一电阻的一端与所述整流电路的输出端连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第二电阻的一端、第三电阻的一端以及过压保护模块的输入端连接；所述第一晶体管的控制输入端与所述开关电源控制芯片的输出端连接，所述第一晶体管的电源输出端与所述第二电阻的另一端连接，所述第一晶体管的电源输入端与所述第三电阻的另一端连接。

由上述描述可知，采用电阻与晶体管等分立元器件构成回差模块，通过第一晶体管与开关电源控制芯片的输出端之间的配合，实现对第一晶体管导通或关断状态的控制，使得当第一晶体管导通时，第二电阻与第三电阻并联，将采样电压拉低，而当第一晶体管导通截止时，由第二电阻单独分压，将采样电压拉高，从而实现回差控制，并且相对于采用比较器等集成的器件，使得电路更易于调试。

进一步地，所述第一回差模块还包括第一电容；所述第一电容的一端与所述第二电阻的一端连接，所述第一电容的另一端分别与所述第二电阻的另一端以及第一晶体管的电源输出端连接。

由上述描述可知，通过设置第一电容，并将第一电容设置于第一回差模块中采样端的前端，从而通过第一电容实现对采样电压的滤波，提高对电路的保护精度。

进一步地，所述第二回差模块与所述第一回差模块电路结构相同。

由上述描述可知，通过将第二回差模块与第一回差模块采用相同的电路，仅通过改变采用的晶体管的类型以及分立器件的参数，就能够分别与过压保护模块形成高压回差，以及与欠压保护模块形成低压回差，实现构成带有回差的输入过压、欠压保护电路。

进一步地，所述第一回差模块还包括第四电阻和第二电容；所述第四电阻的一端与所述开关电源控制芯片的输出端连接，所述第四电阻的另一端分别与所述第二电容的一端以及第一晶体管的控制输入端连接；所述第二电容的另一端与所述第一晶体管的电源输出端连接。

由上述描述可知，通过设置第四电阻形成限流电阻，以及设置第二电容用于滤除高频干扰，提高开关电源控制芯片对第一晶体管的控制效果，从而提高过压回差以及欠压回差的控制效果。

进一步地，所述过压保护模块包括第一二极管和第一MOS管；所述第一二极管的负极与所述第一回差模块的采样端连接，所述第一二极管的正极与所述第一MOS管的栅极连接；所述第一MOS管的漏极与所述开关电源控制芯片的输入端连接；所述第一MOS管的源极接地。

由上述描述可知，通过设置第一二极管和第一MOS管构成过压保护模块，从而当输入电压击穿第一二极管后，控制第一MOS管导通，使得第一MOS管将开关电源控制芯片的输入端被拉至低电平无法启动，进而实现过压保护。

进一步地，所述过压保护模块还包括第五电阻；所述第五电阻的一端与所述第一MOS管的栅极连接；所述第五电阻的另一端与所述第一MOS管的源极连接。

由上述描述可知，通过设置第五电阻，将第五电阻设置于第一MOS管的栅极与源极之间，确保第一MOS管门极电位为低，防止第一MOS管被误导通。

进一步地，所述欠压保护模块包括第二二极管、第二MOS管、第六电阻、第七电阻和第一三极管；所述第二二极管的负极分别与所述第二回差模块的采样端以及所述第六电阻的一端连接，所述第二二极管的正极与所述第二MOS管的栅极连接；所述第二MOS管的漏极分别与所述第六电阻的另一端以及所述第七电阻的一端连接，所述第二MOS管的源极接地；所述第一三极管的基极与所述第七电阻的另一端连接，所述第一三极管的集电极与所述开关电源控制芯片的输入端连接，所述第一三极管的发射极接地。

由上述描述可知，通过设置第二二极管、第二MOS管、第六电阻、第七电阻和第一三极管构成过压保护模块，从而当输入电压减小至无法击穿第二二极管后，控制第二MOS管截止，并通过第六电阻和第七电阻的作用使第一三极管的基极电位为高，使得第一三极管导通后将开关电源控制芯片的输入端拉至低电平无法启动，进而实现欠压保护。

进一步地，所述欠压保护模块还包括第八电阻和第三二极管；所述第八电阻的一端分别与所述第二二极管的正极以及所述第三二极管的负极连接，所述第八电阻的另一端分别与所述第三二极管的正极以及所述第二MOS管的源极连接。

由上述描述可知，通过设置第八电阻起到防止第二MOS管被误导通的作用，以及通过设置第三二极管作为保护钳位二极管，能够防止输入电压过高时击穿MOS管门极和源极造成MOS管损坏。

进一步地，所述欠压保护模块还包括第九电阻和第三电容；所述第九电阻的一端分别与所述第三电容的一端以及所述第一三极管的基极连接，所述第九电阻的另一端分别与所述第三电容的另一端以及所述第一三极管的发射极连接。

由上述描述可知，通过将第九电阻和第三电容并联设置于第一三极管的基极和发射极之间，使第一三极管的基极和发射极之间形成电位差，提高对第一三极管的控制效果。

本发明上述无源输入过压及欠压保护电路能够适用于各种开关电源的应用场景，实现带有回差的无源输入过压、欠压保护，提高对开关电源保护以及抗干扰能力，以下通过具体实施方式进行说明：

实施例一

请参照图1，一种无源输入保护电路，包括整流电路1、第一回差模块2、过压保护模块3、第二回差模块4、欠压保护模块5以及开关电源控制芯片6；所述整流电路1的输出端分别与所述第一回差模块2的电源输入端以及所述第二回差模块4的电源输入端连接；所述整流电路1的输入端用于连接外部电源；所述第一回差模块2的采样端与所述过压保护模块3的输入端连接，所述第一回差模块2的控制输入端与所述开关电源控制芯片6的输出端连接；所述过压保护模块3的输出端与所述开关电源控制芯片6的输入端连接；所述第二回差模块4的采样端与所述欠压保护模块5的输入端连接，所述第二回差模块4的控制输入端与所述开关电源控制芯片6的输出端连接；所述欠压保护模块5的输出端与所述开关电源控制芯片6的输入端连接，具体的：

请参照图2，图中L，N为单相交流电源，包括市电等电源；外部电源通过由二极管D1和二极管D2组成的所述整流电路1后，输入所述第一回差模块2以及第二回差模块4；其中，所述开关电源控制芯片6的输出端为VREF，为控制所述开关电源控制芯片6的基准电压引脚；所述开关电源控制芯片6的输入端包括COMP引脚和VCC引脚，COMP为控制所述开关电源控制芯片6反馈引脚的补偿引脚，VCC为控制所述开关电源控制芯片6的供电引脚，GND为开关电源的地；

所述第一回差模块2包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第一晶体管Q1、第一电容C1以及第二电容C2；其中，所述第一晶体管Q1可采用MOS管或三极管；如图2所示，所述第一晶体管Q1为NPN型的三极管，其基极电位不为高电平时，三极管截止；所述第一电阻R1的一端与所述整流电路1的输出端连接，即与二极管D1和二极管D2的输出连接；所述第一电阻R1的另一端分别与所述第二电阻R2的一端、第三电阻R3的一端、第一电容C1的一端以及第一二极管D3的负极(为输入过压保护电路的采样点)连接；所述第一晶体管Q1的基极分别与所述第四电阻R4的另一端以及第二电容C2的一端连接，所述第四电阻R4的一端与所述开关电源控制芯片6的输出端(VREF)连接；所述第一晶体管Q1的发射极分别与所述第二电阻R2的另一端、第二电容C2的另一端以及第一电容C1的另一端连接；所述第一晶体管Q1的集电极与所述第三电阻R3的另一端连接。

在一可选的实施方式中，所述第二回差模块4与所述第一回差模块2电路结构相同；如图2所示，所述第二回差模块4具有与所述第一回差模块2电路相同的电路结构，其中，所述第二回差模块4中的晶体管Q3为PNP型的三极管，其基极电位为低电平时，三极管导通；

所述过压保护模块3包括第一二极管D3、第一MOS管Q2以及第五电阻R5，所述第一二极管D3为稳压二极管；所述第一二极管D3的负极与所述第一回差模块2的采样端(即所述第三电阻R3远离第一晶体管Q1的一端)连接，所述第一二极管D3的正极与所述第一MOS管Q2的栅极连接；所述第一MOS管Q2的漏极与所述开关电源控制芯片6的输入端(即，COMP引脚以及VCC引脚)连接；所述第一MOS管Q2的源极接地；所述第五电阻R5的一端与所述第一MOS管Q2的栅极连接；所述第五电阻R5的另一端与所述第一MOS管Q2的源极连接。

所述欠压保护模块5包括第二二极管D6、第二MOS管Q4、第六电阻R15、第七电阻R14、第一三极管Q5、第八电阻R11、第三二极管D9、第九电阻R13和第三电容C5；所述第二二极管D6的负极分别与所述第二回差模块4的采样端以及所述第六电阻R15的一端连接，所述第二二极管D6的正极与所述第二MOS管Q4的栅极连接；所述第二MOS管Q4的漏极分别与所述第六电阻R15的另一端以及所述第七电阻R14的一端连接，所述第二MOS管Q4的源极接地；所述第一三极管Q5的基极与所述第七电阻R14的另一端连接，所述第一三极管Q5的集电极与所述开关电源控制芯片6的输入端连接，所述第一三极管Q5的发射极接地；所述第八电阻R11的一端分别与所述第二二极管D6的正极以及所述第三二极管D9的负极连接，所述第八电阻R11的另一端分别与所述第三二极管D9的正极以及所述第二MOS管Q4的源极连接；所述第九电阻R13的一端分别与所述第三电容C5的一端以及所述第一三极管Q5的基极连接，所述第九电阻R13的另一端分别与所述第三电容C5的另一端以及所述第一三极管Q5的发射极连接。

上述无源输入保护电路的工作原理如下：

开关电源进入稳态时：

此时电源芯片正常工作，产生基准电压VREF；第一回差模块2中的第一晶体管Q1导通，所述第二电阻R2与第三电阻R3并联；输入正弦交流电经所第一电阻R1、第二电阻R2以及第三电阻R3分压，产生带有低纹波的直流电压输出到下一级；输入电压在正常输入电压范围时，第一二极管D3没有被击穿，此时所述第一MOS管Q2门极电位为低，即所述第一MOS管Q2截止，所述开关电源控制芯片6的COMP引脚和VCC引脚不受影响，所述过压保护模块3维持稳定状态。

同时，当开关电源进入稳态时，第二回差模块4中的三极管截止；输入欠压保护采样点电压由电阻R8以及电阻R7分压，以及通过大电容C3滤波后，产生带有低纹波的直流电压输出到下一级；输入电压在正常输入电压范围时，所述第二二极管D6被击穿，所述第二MOS管Q4门极电位为高，即所述第二MOS管Q4导通，第六电阻R15和第七电阻R14连接点电压下拉到低电平，使所述第一三极管Q5基级电压为低，即第一三极管Q5截止，开关电源控制芯片6的COMP引脚和VCC引脚不受影响，所述欠压保护模块5维持稳定状态。

过压保护：

当输入电压逐渐升高直至击穿所述第一二极管D3时，所述第一MOS管Q2门极电位为高，即所述第一MOS管Q2导通，使得所述开关电源控制芯片6的COMP引脚电位被拉至低电平，因而开关电源控制芯片6占空比无法展开，后级电路输出终止；所述开关电源控制芯片6的VCC引脚，通过电阻R6限流将电压拉低，无法达到芯片的启动电压，防止所述开关电源控制芯片6反复重启造成损坏。

保护完成后，所述开关电源控制芯片6掉电无法启动；此时开关电源控制芯片6的VREF引脚无输出，即所述第一晶体管Q1基级电位不为高电平，所述第一晶体管Q1截止；使得分压电路组成由所述第二电阻R2与第三电阻R3并联转变为由所述第二电阻R2单独分压；因此，此时在相同输入电压下，采样点采样到的电压升高，所述第一二极管D3被击穿程度加深。所以，若需要恢复正常工作，输入电压需要调至比保护时的电压更低，即实现输入过压保护电路的回差。同时，根据回差需求可调整元器件的参数使回差电压控制在10-20V。

当输入电压调低到设置的恢复点时，所述第一二极管D3截止，所述第一MOS管Q2截止，所述开关电源控制芯片6的VCC引脚不受影响，建立电压开始正常启动，输出电压恢复正常；故，过压保护电路为可不用重新上电便可自恢复的输入过压保护电路；同时，所述开关电源控制芯片6的VCC引脚以及COMP引脚还设置有二极管D4和二极管D5，为防止VCC引脚和COMP引脚电压倒灌的保护二极管。

欠压保护：

当输入电压逐渐减小直至采样点电压无法击穿稳压二极管D6时，所述第二MOS管Q4门极电位为低，所述第二MOS管Q4截止；由于所述第六电阻R15的一端连接至输入欠压采样点，且第二MOS管Q4截止，使得第一三极管Q5基极电位为高，即所述第一三极管Q5导通；此时，所述开关电源控制芯片6的COMP引脚电位被拉至低电平，所述开关电源控制芯片6占空比无法展开，后级电路输出终止。同时，所述开关电源控制芯片6的VCC引脚，通过电阻R12限流将电压拉低，无法达到的启动电压，防止所述开关电源控制芯片6反复重启造成损坏。

保护完成后，所述开关电源控制芯片6掉电无法启动；此时所述开关电源控制芯片6的VREF引脚无输出，三极管Q3基极电位为低电平，即三极管Q3导通；使得分压电路由电阻R7分压转变为有电阻R7和电阻R9并联分压；因此，在相同输入电压下，采样点采样到的电压降低，所述第二二极管D6离击穿电压点电压差更大。所以，若需要恢复正常工作，输入电压需要调至比保护时的电压更高，即实现输入欠压保护电路的回差。同时，根据回差需求可调整元器件的参数使回差电压控制在10-20V。

当输入电压调高到设置的恢复点时，所述第二二极管D6导通，所述第二MOS管Q4导通，所述第六电阻R15和第七电阻R14连接点电压被拉低，即所述第一三极管Q5基级电压被拉低，所述第一三极管Q5截止，所述开关电源控制芯片6的VCC引脚不受影响，建立电压开始正常启动，电源输出恢复正常。故，欠压保护电路为可不用重新上电并自恢复的输入欠压保护电路。同时，所述开关电源控制芯片6的VCC引脚以及COMP引脚还设置有二极管D7和二极管D8，为防止VCC引脚和COMP引脚电压倒灌的保护二极管。

综上所述，本发明提供的一种无源输入保护电路，通整流电路、第一回差模块、过压保护模块、第二回差模块、欠压保护模块以及开关电源控制芯片构成无源输入过压及欠压保护电路，不需要辅助电源供电，并且将输入过欠压保护电路与开关电源控制芯片各引脚相结合，实现成本低，通过设置第一回差模块以及第二回差模块，使得过压保护模块与欠压保护模块在工作过程中不会受到电压的轻微扰动的影响，提高了电路抗干扰能力强，实现在没有额外的辅助电源供电的情况下，构成带有回差的输入过压、欠压保护电路，提高对开关电源保护的同时，提高开关电源的抗干扰能力；同时，采用分立器件的方式构成电路模块，当需求有更改时，易于调试参数和功能实现。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种无源输入保护电路，其特征在于，包括整流电路、第一回差模块、过压保护模块、第二回差模块、欠压保护模块以及开关电源控制芯片；

所述整流电路的输出端分别与所述第一回差模块的电源输入端以及所述第二回差模块的电源输入端连接；所述整流电路的输入端用于连接外部电源；

所述第一回差模块的采样端与所述过压保护模块的输入端连接，所述第一回差模块的控制输入端与所述开关电源控制芯片的输出端连接；所述过压保护模块的输出端与所述开关电源控制芯片的输入端连接；

所述第二回差模块的采样端与所述欠压保护模块的输入端连接，所述第二回差模块的控制输入端与所述开关电源控制芯片的输出端连接；所述欠压保护模块的输出端与所述开关电源控制芯片的输入端连接。

2.根据权利要求1所述的一种无源输入保护电路，其特征在于，所述第一回差模块包括第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第一晶体管；

所述第一电阻的一端与所述整流电路的输出端连接，所述第一电阻的另一端分别与所述第二电阻的一端、第三电阻的一端以及过压保护模块的输入端连接；

所述第一晶体管的控制输入端与所述开关电源控制芯片的输出端连接，所述第一晶体管的电源输出端与所述第二电阻的另一端连接，所述第一晶体管的电源输入端与所述第三电阻的另一端连接。

3.根据权利要求2所述的一种无源输入保护电路，其特征在于，所述第一回差模块还包括第一电容；

所述第一电容的一端与所述第二电阻的一端连接，所述第一电容的另一端分别与所述第二电阻的另一端以及第一晶体管的电源输出端连接。

4.根据权利要求1、2或3中任一项所述的一种无源输入保护电路，其特征在于，所述第二回差模块与所述第一回差模块电路结构相同。

5.根据权利要求2或3所述的一种无源输入保护电路，其特征在于，所述第一回差模块还包括第四电阻和第二电容；

所述第四电阻的一端与所述开关电源控制芯片的输出端连接，所述第四电阻的另一端分别与所述第二电容的一端以及第一晶体管的控制输入端连接；

所述第二电容的另一端与所述第一晶体管的电源输出端连接。

6.根据权利要求1所述的一种无源输入保护电路，其特征在于，所述过压保护模块包括第一二极管和第一MOS管；

所述第一二极管的负极与所述第一回差模块的采样端连接，所述第一二极管的正极与所述第一MOS管的栅极连接；

所述第一MOS管的漏极与所述开关电源控制芯片的输入端连接；

所述第一MOS管的源极接地。

7.根据权利要求6所述的一种无源输入保护电路，其特征在于，所述过压保护模块还包括第五电阻；

所述第五电阻的一端与所述第一MOS管的栅极连接；

所述第五电阻的另一端与所述第一MOS管的源极连接。

8.根据权利要求1所述的一种无源输入保护电路，其特征在于，所述欠压保护模块包括第二二极管、第二MOS管、第六电阻、第七电阻和第一三极管；

所述第二二极管的负极分别与所述第二回差模块的采样端以及所述第六电阻的一端连接，所述第二二极管的正极与所述第二MOS管的栅极连接；

所述第二MOS管的漏极分别与所述第六电阻的另一端以及所述第七电阻的一端连接，所述第二MOS管的源极接地；

所述第一三极管的基极与所述第七电阻的另一端连接，所述第一三极管的集电极与所述开关电源控制芯片的输入端连接，所述第一三极管的发射极接地。

9.根据权利要求8所述的一种无源输入保护电路，其特征在于，所述欠压保护模块还包括第八电阻和第三二极管；

所述第八电阻的一端分别与所述第二二极管的正极以及所述第三二极管的负极连接，所述第八电阻的另一端分别与所述第三二极管的正极以及所述第二MOS管的源极连接。

10.根据权利要求8所述的一种无源输入保护电路，其特征在于，所述欠压保护模块还包括第九电阻和第三电容；

所述第九电阻的一端分别与所述第三电容的一端以及所述第一三极管的基极连接，所述第九电阻的另一端分别与所述第三电容的另一端以及所述第一三极管的发射极连接。