CN116931638A - 一种恒流源电路及芯片老化测试方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种恒流源电路及芯片老化测试方法,用于提供芯片老化测试所需的恒流源,恒流源电路包括:第一运放单元;主控制单元,主控制单元的I1‑接口的I1+接口分别与第一运放单元的对应接口电连接;主控制单元包括:电源输出电路,电源输出电路与第一运放单元的反馈端口电连接;放大采集电路,与电源输出电路的采集电阻并联,且放大采集电路与第一运放单元电连接。芯片老化测试方法用前述的恒流源电路进行测试。本发明解决了现有的芯片老化测试用恒流源电路功能单一技术问题。
Description
技术领域
本发明涉及芯片老化电路测试技术领域,尤其涉及一种恒流源电路及芯片老化测试方法。
背景技术
作为光信号接收的载体,光芯片广泛应用于光通信领域。光芯片的可靠性测试是评估其批量应用的重要环节,可靠性测试的效果直接关系到芯片寿命的评判。光芯片的可靠性测试,一般是将芯片带电运行于不同的老化环境下,通过周期监测芯片参数的变化,来反映芯片的特性。
现有的老化测试,一般是将光芯片与恒流源电路连通,进行老化测试;而现有的恒流源只能提供一种量程,在小量程范围内的分辨率不能满足整体0.5%的误差范围,无法保证精确性,而且现有的恒流源只能有一种状态去输出,共阳或者共阴,功能单一。
发明内容
本发明的目的是提供一种恒流源电路及芯片老化测试方法,解决了现有技术中的芯片老化测试用恒流源电路功能单一的技术问题。
本申请实施例公开了一种恒流源电路,用于提供芯片老化测试所需的恒流源,包括:
第一运放单元;
主控制单元,所述主控制单元的I1-接口的I1+接口分别与所述第一运放单元的对应接口电连接;
所述主控制单元包括:
电源输出电路,所述电源输出电路与所述第一运放单元的反馈端口电连接;
放大采集电路,与所述电源输出电路的采集电阻并联,且所述放大采集电路与所述第一运放单元电连接。
本申请提供一个恒定的、可切换量程的恒流源,能够准确地检查产品在同样条件下性能和质量。
在上述技术方案的基础上,本申请实施例还可以做如下改进:
进一步地,所述运放单元为四通道运放芯片。
进一步地,所述放大采集电路包括:
模拟开关芯片,所述模拟开关芯片包括十个引脚,所述模拟开关芯片的引脚1连接有+5V电源,用于实现模拟开关芯片的供电,引脚3为I1+接口;引脚4与引脚8连接;引脚8为控制端,用于与MCU连接;引脚6接地;引脚9为I1-接口;
电阻R16,一端与所述引脚2接通,另一端与所述电源输出电路接通;
电阻R5,一端与所述引脚10连接,另一端与所述电源输出电路接通;
电阻R17,一端与所述引脚3连接,另一端接地;
电阻R6,一端与所述引脚5接通,另一端与所述电阻R16串联;
电阻R7,一端与所述引脚7连接,另一端与所述电阻R5连接;
电阻R8,一端与所述引脚9连接,另一端与电源输出电路连接。
进一步地,当所述引脚3与所述引脚2连通时,所述第一运放单元的放大倍速为A1;当所述引脚3与所述引脚5连通时,所述第一运放单元的放大倍速为A2,所述A1=10A2。
进一步地,所述电源输出电路包括:
第二运放单元,所述第二运放单元的一个端口与所述电阻R3的另一端接通,另一端口与电容C5串联后连接供电源;
电阻R3,一端与所述第一运放单元U15的反馈接口连接,另一端与所述电容C5并联后与所述第二运放单元的端口连接;
电阻R1,一端与所述第二运放单元接通;
电阻R4,一端与所述第二运放单元连接;
三极管Q1,所述三极管Q1的基极与电阻R4的另一端电连接;
电阻R27,一端与所述三极管Q1的集电极连通,另一端接地;
电阻R18,一端与所述三极管Q1的集电极连通,另一端接地,所述电阻R18与所述R27并联;
控制单元,所述控制单元一端与所述三极管Q1的发射极连接,另一端与所述芯片的阴极端连接;所述控制单元的控制端与所述第二运放单元的端口连接;
所述电阻R16与所述三极管Q1的集电极连接,所述电阻R5与所述电阻R18的接地端连接,所述芯片的阳极与所述供电源连接。
进一步地,所述控制单元包括:
阳极连接端口,与所述三极管Q1的发射极连接;
电阻R15,与所述三极管Q1的发射极连接;
电阻R14,一端与所述电阻R15串联,另一端接地;
控制端口,一端与所述电阻R14和电阻R15之间连通,另一端连接有ADC模块,所述ADC模块与所述第二运放单元的端口连接。
进一步地,所述电源输出电路包括:
第二运放单元,所述第二运放单元的一个端口与所述电阻R3的另一端接通,另一端口与电容C5串联后连接供电源;
电阻R3,一端与所述第一运放单元U15的反馈接口连接,另一端与所述电容C5并联后与所述第二运放单元的端口连接;
电阻R1,一端与所述第二运放单元接通;
电阻R4,一端与所述第二运放单元连接;
三极管Q1,所述三极管Q1的基极与电阻R4的另一端电连接,且所述三极管Q1的发射极与所述供电源连接;
电阻R27,一端与所述三极管Q1的集电极连通,另一端作为电源输出口;
电阻R18,一端与所述三极管Q1的集电极连通,另一端作为电源输出口,所述电阻R18与所述R27并联;
控制单元,所述控制单元一端与所述电源输出口连接,另一端与所述芯片的阳极连接,所述控制单元的控制端与所述第二运放单元的端口连接;
所述电阻R16与所述三极管Q1的集电极连接,所述电阻R5与所述电源输出口连接;所述芯片的阴极接地。
进一步地,所述控制单元包括:
阳极连接端口,与所述电源输出口连接;
电阻R15,与所述电源输出口连接;
电阻R14,一端与所述电阻R15串联,另一端接地;
控制端口,一端与所述电阻R14和电阻R15之间连通,另一端连接有ADC模块,所述ADC模块与所述电源输出电路的端口连接。
本申请还公开一种芯片老化测试方法,采用前述的恒流源电路进行芯片老化测试。
本申请实施例中提供的一个或者多个技术方案,至少具有如下技术效果或者优点:
1.本申请提供一个恒定的电流老化,可以检查产品在同样条件下性能和质量。
2.本申请设置有相关的电路切换放大,以此增加在小电流情况下的电流分辨率,从而提高检测的准确性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明具体实施例所述的在共阳极时一种恒流源电路的一部分示意图;
图2为本发明具体实施例所述的在共阳极时一种恒流源电路的另一部分示意图;
图3为本发明具体实施例所述的在共阴极时一种恒流源电路的一部分示意图;
图4为本发明具体实施例所述的在共阴极时一种恒流源电路的另一部分示意图。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明技术方案的实施例进行详细的描述。以下实施例仅用于更加清楚地说明本发明的技术方案,因此只作为示例,而不能以此来限制本发明的保护范围。
需要注意的是,除非另有说明,本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域技术人员所理解的通常意义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
为了更好的理解上述技术方案,下面将结合说明书附图以及具体实施方式对上述技术方案进行详细说明。
实施例:
如图1-4所示,本申请实施例公开了一种恒流源电路,用于提供芯片老化测试所需的恒流源,本申请能够实现共阴极或者共阳极的产品测试方式;
其具体结构如下,包括:
第一运放单元U15;该第一运放单元U15为四通道运放芯片,用于实现电流信号的计算,通过将计算后的电流信号进行反馈;在使用时,该第一运放单元U15的其中一个接口与+5V电源连通,以实现供电,U15的型号是SGM8249;
主控制单元,所述主控制单元的I1-接口的I1+接口分别与所述第一运放单元U15的对应接口电连接;该主控制单元2为放大、采集和控制电路,将采集后的信号送入第一运放单元U15中进行运算后,得到反馈值,然后返回送入主控制单元中,主控制单元单元根据反馈值进行调整,使得输出的电流为恒定;
所述主控制单元包括:
电源输出电路,所述电源输出电路与所述第一运放单元U15的反馈端口电连接,即第一运放单元U15运算后的结果会反馈至电源输出电路,即C_ADC_1;
放大采集电路,与所述电源输出电路的采集电阻并联,且所述放大采集电路与所述第一运放单元电连接,采集电阻的两端形成压差,然后通过放大采集电路进行采集,得出电流值输送至第一运放单元U15中进行计算。
在一实施例中,所述第一运放单元U15为四通道运放芯片,即可以实现相应电流值的计算。
其中,所述放大采集电路包括:
模拟开关芯片U16,该模拟开关芯片U16的型号可以RS2105,所述模拟开关芯片U16包括十个引脚,所述模拟开关芯片U16的引脚1连接有+5V电源,用于实现模拟开关芯片U16的供电,引脚3为I1+接口,引脚4与引脚8连接,引脚8为控制端,用于与MCU连接,根据实际需要,选择引脚3与引脚2接通或者引脚5接通,引脚6接地,引脚9为I1-接口;
电阻R16,一端与所述模拟开关芯片的引脚2接通,另一端与所述电源输出电路接通,该电源输出电路包括两个并联的电阻R27和R18,此时电阻R16是连接于电阻R27的端口2上,或者电阻R18的端口2上;
电阻R5,一端与所述模拟开关芯片的引脚10连接,另一端与所述电源输出电路接通,同样该电阻R5与电阻R27的端口1或者电阻R18的端口1连接,由于电阻R27和电阻R18的两端形成有电压差,这样能够形成电流,此时可以模拟开关芯片U16能够完成电流值的采集,然后送入第一运放单元U15中;
电阻R17,一端与所述模拟开关芯片的引脚3连接,另一端接地;
电阻R6,一端与所述模拟开关芯片的引脚5接通,另一端与所述电阻R16串联,具体地,电阻R6与电阻R16的端口2连接,当引脚5导通时,采集的是较小的电流值,然后送入第一运放单元U15中;
电阻R7,一端与所述模拟开关芯片的引脚7连接,另一端与所述电阻R5连接;
电阻R8,一端与所述模拟开关芯片的引脚9连接,另一端与电源输出电路连接。
其中,当所述引脚3与所述引脚2连通时,所述第一运放单元的放大倍速为A1;当所述引脚3与所述引脚5连通时,所述第一运放单元的放大倍速为A2,所述A1=10A2。具体地,I1=10I2,10R17/(R6+R16)=R17/R16;本申请对相应的电阻阻值进行设计,用于控制第一运放单元的放大倍数。
以下作进一步说明:
并联的R27和R18两端形成的电压差,通过U16的切换选择不同的放大倍数,输入到U15,U15经过计算得出电流对应的电压值,再进行放大,然后接到C_ADC_1反馈端口;而放大的倍数通过U16不同的引脚接通,实现切换,以此实现两种量程的切换,以此提高整体测量精度,即放大倍数增大就可以增加在小电流情况下的电流分辨率。
如图1-2所示,在所述芯片进行共阳极处理时:
此时,所述电源输出电路包括:
第二运放单元U7,所述第二运放单元U7的一个端口与所述电阻R3的另一端接通,另一端口与电容C5串联后连接供电源,该第二运放单元U7的具体型号为SGM8652;
电阻R3,一端与所述第一运放单元U15的反馈接口连接,另一端与所述电容C5并联后与所述第二运放单元U7的端口连接;
电阻R1,一端与所述第二运放单元U7接通;
电阻R4,一端与所述第二运放单元U7连接;
三极管Q1,所述三极管Q1的基极与电阻R4的另一端电连接;
电阻R27,一端与所述三极管Q1的集电极连通,另一端接地;
电阻R18,一端与所述三极管Q1的集电极连通,另一端接地,所述电阻R18与所述R27并联;
控制单元,所述控制单元一端与所述三极管Q1的发射极连接,另一端与所述芯片的阴极端连接;所述控制单元的控制端与所述第二运放单元U7的端口连接;
所述电阻R16与所述三极管Q1的集电极连接,所述电阻R5与所述电阻R18的接地端连接,所述芯片的阳极与所述供电源连接。
具体地,所述控制单元包括:
阳极连接端口,与所述三极管Q1的发射极连接;
电阻R15,与所述三极管Q1的发射极连接;
电阻R14,一端与所述电阻R15串联,另一端接地;
控制端口,一端与所述电阻R14和电阻R15之间连通,另一端连接有ADC模块,所述ADC模块与所述电源输出电路的端口连接。
以下针对于原理作进一步说明:
首先由C_SET_1输入电压,U7的1脚输出电压,Q1三极管导通。电流流过R27和R18并联电阻,采集两端压差,U16去切换不同的放大倍数,提供给U15输出放大后的采集电流对应的电压值。小量程对应的电流范围为0-100ma;大量程对应的电流范围为0-1000ma。将U15的输出C_ADC_1接到U7的输入上,形成负反馈原理。AVCC1_VSAMP是经过电阻分压给ADC芯片检测,这个只是作为一个回读值,与C_ADC_1接通反馈,不会和U7接在一起。U7负端输入一个固定的值,输出电压调整三极管的IB电流,控制IC输出电流,由R27和R18并联电阻采样电流。当输出电流增大时,V(R27//R18)增大,V(C_ADC_1)增大,V(U7-1)增大,IB减小,IC输出电流减小,实现一个负反馈。共阳极的原理是将产品的所有正极连接在一起,控制负极输入。
如图3-4所示,本申请还提供另一实施例:
在所述芯片进行共阴极处理时:
此时,所述电源输出电路包括:
第二运放单元U7,所述第二运放单元U7的一个端口与所述电阻R3的另一端接通,另一端口与电容C5串联后连接供电源;
电阻R3,一端与所述第一运放单元U15的反馈接口连接,另一端与所述电容C5并联后与所述第二运放单元U7的端口连接;
电阻R1,一端与所述第二运放单元U7接通;
电阻R4,一端与所述第二运放单元U7连接;
三极管Q1,所述三极管Q1的基极与电阻R4的另一端电连接,且所述三极管Q1的发射极与所述供电源连接;
电阻R27,一端与所述三极管Q1的集电极连通,另一端作为电源输出口;
电阻R18,一端与所述三极管Q1的集电极连通,另一端作为电源输出口,所述电阻R18与所述R27并联;
控制单元,所述控制单元一端与所述电源输出口连接,另一端与所述芯片的阳极连接,所述控制单元的控制端与所述第二运放单元U7的端口连接;
所述电阻R16与所述三极管Q1的集电极连接,所述电阻R5与所述电源输出口连接;所述芯片的阴极接地。
具体地,所述控制单元包括:
阳极连接端口,与所述电源输出口连接;
电阻R15,与所述电源输出口连接;
电阻R14,一端与所述电阻R15串联,另一端接地;
控制端口,一端与所述电阻R14和电阻R15之间连通,另一端连接有ADC模块,所述ADC模块与所述电源输出电路的端口连接。
以下针对于原理作进一步说明:
首先由C_SET_1输入电压,U7的1脚输出电压,Q1三极管导通。电流流过R27和R18并联电阻,采集两端压差,U16去切换不同的放大倍数,提供给U15输出放大后的采集电流对应的电压值。小量程对应的电流范围为0-100ma;大量程对应的电流范围为0-1000ma。将U15的输出C_ADC_1接到U7的输入上,形成负反馈原理。AVCC1_VSAMP是经过电阻分压给ADC芯片检测,这个只是作为一个回读值,与C_ADC_1接通反馈,不会和U7接在一起。U7负端输入一个固定的值,输出电压调整三极管的IB电流,控制IC输出电流,由R27和R18并联电阻采样电流。当输出电流增大时,V(R27//R18)增大,V(C_ADC_1)增大,V(U7-1)增大,IB减小,IC输出电流减小,实现一个负反馈。共阳极的原理是将产品的所有负极连接在一起,控制正极输入。
本申请申请还公开一种芯片老化测试方法,即采用前述的恒流源电路进行测试的方法。
本发明的说明书中,说明了大量具体细节。然而,能够理解,本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实践。在一些实例中,并未详细示出公知的方法、结构和技术,以便不模糊对本说明书的理解。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、 “示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围,其均应涵盖在本发明的权利要求和说明书的范围当中。
Claims (9)
1.一种恒流源电路,用于提供芯片老化测试所需的恒流源,其特征在于,包括:
第一运放单元;
主控制单元,所述主控制单元的I1-接口的I1+接口分别与所述第一运放单元的对应接口电连接;
所述主控制单元包括:
电源输出电路,所述电源输出电路与所述第一运放单元的反馈端口电连接;
放大采集电路,与所述电源输出电路的采集电阻并联,且所述放大采集电路与所述第一运放单元电连接。
2.根据权利要求1所述的恒流源电路,其特征在于,所述运放单元为四通道运放芯片。
3.根据权利要求1所述的恒流源电路,其特征在于,所述放大采集电路包括:
模拟开关芯片,所述模拟开关芯片包括十个引脚,所述模拟开关芯片的引脚1连接有+5V电源,用于实现模拟开关芯片的供电,引脚3为I1+接口;引脚4与引脚8连接;引脚8为控制端,用于与MCU连接;引脚6接地;引脚9为I1-接口;
电阻R16,一端与所述引脚2接通,另一端与所述电源输出电路接通;
电阻R5,一端与所述引脚10连接,另一端与所述电源输出电路接通;
电阻R17,一端与所述引脚3连接,另一端接地;
电阻R6,一端与所述引脚5接通,另一端与所述电阻R16串联;
电阻R7,一端与所述引脚7连接,另一端与所述电阻R5连接;
电阻R8,一端与所述引脚9连接,另一端与电源输出电路连接。
4.根据权利要求3所述的恒流源电路,其特征在于,当所述引脚3与所述引脚2连通时,所述第一运放单元的放大倍速为A1;当所述引脚3与所述引脚5连通时,所述第一运放单元的放大倍速为A2,所述A1=10A2。
5.根据权利要求4所述的恒流源电路,其特征在于,所述电源输出电路包括:
第二运放单元,所述第二运放单元的一个端口与所述电阻R3的另一端接通,另一端口与电容C5串联后连接供电源;
电阻R3,一端与所述第一运放单元U15的反馈接口连接,另一端与所述电容C5并联后与所述第二运放单元的端口连接;
电阻R1,一端与所述第二运放单元接通;
电阻R4,一端与所述第二运放单元连接;
三极管Q1,所述三极管Q1的基极与电阻R4的另一端电连接;
电阻R27,一端与所述三极管Q1的集电极连通,另一端接地;
电阻R18,一端与所述三极管Q1的集电极连通,另一端接地,所述电阻R18与所述R27并联;
控制单元,所述控制单元一端与所述三极管Q1的发射极连接,另一端与所述芯片的阴极端连接;所述控制单元的控制端与所述第二运放单元的端口连接;
所述电阻R16与所述三极管Q1的集电极连接,所述电阻R5与所述电阻R18的接地端连接,所述芯片的阳极与所述供电源连接。
6.根据权利要求5所述的恒流源电路,其特征在于,所述控制单元包括:
阳极连接端口,与所述三极管Q1的发射极连接;
电阻R15,与所述三极管Q1的发射极连接;
电阻R14,一端与所述电阻R15串联,另一端接地;
控制端口,一端与所述电阻R14和电阻R15之间连通,另一端连接有ADC模块,所述ADC模块与所述第二运放单元的端口连接。
7.根据权利要求4所述的恒流源电路,其特征在于,所述电源输出电路包括:
第二运放单元,所述第二运放单元的一个端口与所述电阻R3的另一端接通,另一端口与电容C5串联后连接供电源;
电阻R3,一端与所述第一运放单元U15的反馈接口连接,另一端与所述电容C5并联后与所述第二运放单元的端口连接;
电阻R1,一端与所述第二运放单元接通;
电阻R4,一端与所述第二运放单元连接;
三极管Q1,所述三极管Q1的基极与电阻R4的另一端电连接,且所述三极管Q1的发射极与所述供电源连接;
电阻R27,一端与所述三极管Q1的集电极连通,另一端作为电源输出口;
电阻R18,一端与所述三极管Q1的集电极连通,另一端作为电源输出口,所述电阻R18与所述R27并联;
控制单元,所述控制单元一端与所述电源输出口连接,另一端与所述芯片的阳极连接,所述控制单元的控制端与所述第二运放单元的端口连接;
所述电阻R16与所述三极管Q1的集电极连接,所述电阻R5与所述电源输出口连接;所述芯片的阴极接地。
8.根据权利要求7所述的恒流源电路,其特征在于,所述控制单元包括:
阳极连接端口,与所述电源输出口连接;
电阻R15,与所述电源输出口连接;
电阻R14,一端与所述电阻R15串联,另一端接地;
控制端口,一端与所述电阻R14和电阻R15之间连通,另一端连接有ADC模块,所述ADC模块与所述电源输出电路的端口连接。
9.一种芯片老化测试方法,其特征在于,采用权利要求1-8任一项所述的恒流源电路进行芯片老化测试。
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Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN205037982U (zh) * | 2015-08-27 | 2016-02-17 | 周学伟 | 利用运算放大器特性的恒流源测温电路 |
CN205302072U (zh) * | 2016-01-11 | 2016-06-08 | 湖南汽车工程职业学院 | 一种数控恒流源电路 |
CN207833371U (zh) * | 2018-01-30 | 2018-09-07 | 湖南中部芯谷科技有限公司 | 一种应用于sld光源驱动的恒流源电路 |
CN110716603A (zh) * | 2019-09-10 | 2020-01-21 | 福建星云电子股份有限公司 | 一种恒压恒流源反馈控制电路及其检测方法 |
US20210200252A1 (en) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. | Adjuster and chip |
CN213715286U (zh) * | 2020-09-21 | 2021-07-16 | 云南电网有限责任公司昆明供电局 | 一种无功补偿电容器的电容量测量装置的交流恒流源电路 |
CN215895332U (zh) * | 2021-09-30 | 2022-02-22 | 深圳安吉尔饮水产业集团有限公司 | 一种同步整流恒流源电路 |
CN115102030A (zh) * | 2022-06-23 | 2022-09-23 | 杭州东城科技有限公司 | 一种高频受控恒流源控制电路以及激光驱动电路 |
CN218332400U (zh) * | 2022-11-08 | 2023-01-17 | 西安京兆电子科技有限公司 | 一种耐高温恒流源电路 |
-
2023
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN205037982U (zh) * | 2015-08-27 | 2016-02-17 | 周学伟 | 利用运算放大器特性的恒流源测温电路 |
CN205302072U (zh) * | 2016-01-11 | 2016-06-08 | 湖南汽车工程职业学院 | 一种数控恒流源电路 |
CN207833371U (zh) * | 2018-01-30 | 2018-09-07 | 湖南中部芯谷科技有限公司 | 一种应用于sld光源驱动的恒流源电路 |
CN110716603A (zh) * | 2019-09-10 | 2020-01-21 | 福建星云电子股份有限公司 | 一种恒压恒流源反馈控制电路及其检测方法 |
US20210200252A1 (en) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | Shenzhen GOODIX Technology Co., Ltd. | Adjuster and chip |
CN213715286U (zh) * | 2020-09-21 | 2021-07-16 | 云南电网有限责任公司昆明供电局 | 一种无功补偿电容器的电容量测量装置的交流恒流源电路 |
CN215895332U (zh) * | 2021-09-30 | 2022-02-22 | 深圳安吉尔饮水产业集团有限公司 | 一种同步整流恒流源电路 |
CN115102030A (zh) * | 2022-06-23 | 2022-09-23 | 杭州东城科技有限公司 | 一种高频受控恒流源控制电路以及激光驱动电路 |
CN218332400U (zh) * | 2022-11-08 | 2023-01-17 | 西安京兆电子科技有限公司 | 一种耐高温恒流源电路 |
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