CN116889994A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置和基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN116889994A
CN116889994A CN202310363079.3A CN202310363079A CN116889994A CN 116889994 A CN116889994 A CN 116889994A CN 202310363079 A CN202310363079 A CN 202310363079A CN 116889994 A CN116889994 A CN 116889994A
Authority
CN
China
Prior art keywords
storage tank
substrate
rinse liquid
phosphoric acid
rinse
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310363079.3A
Other languages
English (en)
Inventor
高桥朋宏
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Publication of CN116889994A publication Critical patent/CN116889994A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B13/00Accessories or details of general applicability for machines or apparatus for cleaning
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02Cleaning by the force of jets or sprays
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041Cleaning
    • H01L21/02057Cleaning during device manufacture
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604Chemical etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67103Apparatus for thermal treatment mainly by conduction

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明提供一种能有效地减少磷酸处理中使用的磷酸液的使用量的基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置(100)具备:第一贮留槽(110),贮留磷酸液;第二贮留槽(120),贮留冲洗液;基板保持部(130),保持基板并下降,将基板(W)浸渍于第二贮留槽(120)的冲洗液中;以及冲洗液转用部(140),向第一贮留槽(110)供给在第二贮留槽(120)中将基板(W)浸渍于冲洗液的冲洗液浸渍期间中的特定期间的第二贮留槽(120)的冲洗液,停止向第一贮留槽(110)供给冲洗液浸渍期间中的特定期间之后的期间的第二贮留槽(120)的冲洗液。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
已知处理基板的基板处理装置。基板处理装置适用于半导体基板的处理。典型地,基板处理装置使用处理液处理基板。
研究在一并处理多个基板的分批型处理装置中,使用向处理槽供给的规定的磷酸水溶液、硅酮和DIW处理基板(专利文献1)。在专利文献1的基板处理装置中,为了抑制排液管的堵塞,将由受液部接受的液体经由受液部排出管排出到设置于外部的外部排出管。
专利文献1:日本特开2021-64746号公报。
在专利文献1的基板处理装置中,向处理槽供给规定的磷酸水溶液、硅和DIW。另一方面,在专利文献1中,没有研究减少向处理槽供给的规定液体的使用量。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而完成的,其目的是提供一种能有效地减少磷酸处理中使用的磷酸液的使用量的基板处理装置和基板处理方法。
根据本发明的一方面,基板处理装置具备:第一贮留槽,贮留磷酸液;第二贮留槽,贮留冲洗液;基板保持部,保持基板并下降,将所述基板浸渍于所述第二贮留槽的所述冲洗液中;以及冲洗液转用部,将在所述第二贮留槽中将所述基板浸渍于所述冲洗液的冲洗液浸渍期间中的特定期间的所述第二贮留槽的所述冲洗液向所述第一贮留槽供给,停止向所述第一贮留槽供给所述冲洗液浸渍期间中的所述特定期间之后的期间的所述第二贮留槽的所述冲洗液。
在某一实施方式中,所述基板处理装置进一步具备循环配管,该循环配管以使所述第一贮留槽的所述磷酸液从所述第一贮留槽流出并返回所述第一贮留槽的方式循环,所述冲洗液转用部经由所述循环配管向所述第一贮留槽供给所述第二贮留槽的所述冲洗液。
在某一实施方式中,所述基板处理装置进一步具备:向所述第一贮留槽供给磷酸的磷酸供给部;向所述第一贮留槽供给稀释液的稀释液供给部;向所述第二贮留槽供给冲洗液的冲洗液供给部。
在某一实施方式中,所述基板处理装置进一步具备加热流经所述循环配管的所述磷酸液的加热器,所述冲洗液供给部在所述特定期间之前加热所述冲洗液并向所述第二贮留槽供给,在所述特定期间之后不加热所述冲洗液就向所述第二贮留槽供给。
在某一实施方式中,所述冲洗液转用部包括贮留罐,该贮留罐贮留所述特定期间的所述第二贮留槽的所述冲洗液的至少一部分。
在某一实施方式中,所述基板处理装置进一步具备配置于所述循环配管的调温罐,所述贮留罐与所述调温罐邻接配置。
根据本发明的另一方面,基板处理方法包含:将基板浸渍于贮留在第一贮留槽的磷酸液中的工序;将基板浸渍于贮留在第二贮留槽的冲洗液中的工序;向所述第一贮留槽供给将所述基板浸渍于所述冲洗液的冲洗液浸渍期间中的特定期间的所述第二贮留槽的所述冲洗液的转用工序;停止向所述第一贮留槽供给所述冲洗液浸渍期间中的所述特定期间之后的期间的所述第二贮留槽的所述冲洗液的转用停止工序。
在某一实施方式中,所述基板处理方法进一步包含经由使所述第一贮留槽的所述磷酸液从所述第一贮留槽流出并返回所述第一贮留槽的循环配管来循环所述磷酸液的工序,所述转用工序经由所述循环配管向所述第一贮留槽供给所述第二贮留槽的所述冲洗液。
在某一实施方式中,所述基板处理方法进一步包含向所述第一贮留槽供给磷酸的工序;向所述第一贮留槽供给稀释液的工序;向所述第二贮留槽供给冲洗液的工序。
在某一实施方式中,所述基板处理方法进一步包含加热流经所述循环配管的磷酸液的工序,在供给所述冲洗液的工序中,在所述特定期间之前加热所述冲洗液并向所述第二贮留槽供给,在所述特定期间之后不加热所述冲洗液就向所述第二贮留槽供给。
在某一实施方式中,所述转用工序包括将所述特定期间的所述第二贮留槽的所述冲洗液贮留在贮留罐中的工序。
在某一实施方式中,所述基板处理方法进一步包含将流经所述循环配管的磷酸液贮留在调温罐中的工序,所述贮留罐与所述调温罐邻接配置。
根据本发明,能够有效地减少磷酸处理中使用的磷酸和稀释液的使用量。
附图说明
图1是本实施方式的基板处理装置的示意性立体图。
图2是本实施方式的基板处理装置的示意图。
图3是本实施方式的基板处理装置的示意性框图。
图4A~图4E是本实施方式的基板处理装置的示意图。
图5是本实施方式的基板处理方法的流程图。
图6是本实施方式的基板处理装置的示意图。
图7是本实施方式的基板处理装置的示意图。
图8是本实施方式的基板处理装置的示意图。
图9是本实施方式的基板处理装置的示意图。
图10是本实施方式的基板处理装置的示意图。
图11是本实施方式的基板处理装置的示意图。
图12是本实施方式的基板处理装置的示意图。
图13A~图13D是本实施方式的基板处理装置的示意图。
图14A~图14C是本实施方式的基板处理装置的示意图。
图15是具备本实施方式的基板处理装置的基板处理***的示意图。
附图标记说明
100 基板处理装置
110 第一贮留槽
112 磷酸供给部
114 稀释液供给部
120 第二贮留槽
122 冲洗液供给部
130 基板保持部
140 冲洗液转用部
W 基板
具体实施方式
以下,参照附图说明本发明的基板处理装置和基板处理方法的实施方式。需要说明的是,在图中对相同或相当部分标记相同参照符号,不重复说明。需要说明的是,在本申请说明书中,为了便于理解发明,记载了相互正交的X轴、Y轴和Z轴。典型地,X轴和Y轴与水平方向平行,Z轴与铅垂方向平行。
参照图1说明本发明的基板处理装置100的实施方式。图1是本实施方式的基板处理装置100的示意性立体图。
基板处理装置100处理基板W。基板处理装置100以对基板W进行蚀刻、表面处理、氧化处理、特性赋予、处理膜形成、除去膜的至少一部分和清洗中的至少一个的方式来处理基板W。
基板W是薄的板状。典型地,基板W是薄的大致圆板状。基板W例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板、等离子显示器用基板、场发射显示器(Field Emission Display:FED)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板和太阳能电池用基板等。
基板处理装置100是分批式的基板处理装置。基板处理装置100一并处理多个基板W。典型地,基板处理装置100以批次为单位处理多个基板W。例如,一批次由25张基板W构成。需要说明的是,一批次也可以由50张基板W构成。
如图1所示,基板处理装置100具备第一贮留槽110、第二贮留槽120和基板保持部130。在此,第二贮留槽120与第一贮留槽110邻接配置。但是,第二贮留槽120可以远离第一贮留槽110配置。
第一贮留槽110贮留磷酸液。通过将基板W浸渍于第一贮留槽110的磷酸液中,对基板W进行磷酸处理。
第二贮留槽120贮留冲洗液。通过将基板W浸渍于第二贮留槽120的冲洗液中,对基板W进行冲洗处理。
冲洗液可以包含去离子水(Deionized Water:DIW)、碳酸水、电解离子水、臭氧水、氨水、稀释浓度(例如,10ppm~100ppm左右)的盐酸水或还原水(氢水)中的任一种。
基板保持部130保持基板W。基板保持部130在保持基板W的状态下移动。例如,基板保持部130在保持基板W的状态下下降到第一贮留槽110内。由此,基板W浸渍于第一贮留槽110的磷酸液中。
另外,基板保持部130在保持基板W的状态下下降到第二贮留槽120内。由此,基板W浸渍于第二贮留槽120的冲洗液中。
基板保持部130保持基板W。由基板保持部130保持的基板W的主面的法线方向与Y方向平行。多个基板W沿Y方向排列成一列。多个基板W在水平方向上大致平行地排列。另外,多个基板W各自的法线沿Y方向延伸,多个基板W各自与X方向和Z方向大致平行地延伸。
典型地,基板保持部130一并保持多个基板W。在此,基板保持部130保持沿Y方向排成一列的基板W。基板保持部130在保持基板W的状态下移动基板W。例如,基板保持部130在保持基板W的状态下沿铅垂方向向铅垂上方或铅垂下方移动。
具体而言,基板保持部130包括升降机。基板保持部130在保持多个基板W的状态下向铅垂上方或铅垂下方移动。通过使基板保持部130向铅垂下方移动,由基板保持部130保持的多个基板W,浸渍于贮留在第一贮留槽110的磷酸液中。能够由基板保持部130将多个基板W一并浸渍于贮留在第一贮留槽110的磷酸液中。
另外,基板保持部130可以沿水平方向移动。例如,基板保持部130从第一贮留槽110的上方移动到第二贮留槽120的上方。另外,基板保持部130可以从第二贮留槽120的上方移动到第一贮留槽110的上方。
在第二贮留槽120的上方,通过使基板保持部130向铅垂下方移动,由基板保持部130保持的多个基板W,浸渍于贮留在第二贮留槽120的冲洗液中。能够由基板保持部130将多个基板W一并浸渍于贮留在第二贮留槽120的冲洗液中。
需要说明的是,基板W可以在被保持在同一基板保持部130的状态下,浸渍于磷酸液中之后,浸渍于冲洗液中。或者,基板W也可以在由某一基板保持部130保持的状态下,浸渍于磷酸液中之后,更换到其他基板保持部130后,浸渍于冲洗液中。如此地,基板W浸渍于磷酸液和基板W浸渍于冲洗液,可以由不同的基板保持部130进行。
第一贮留槽110贮留用于处理基板W的磷酸液。磷酸液通过混合磷酸和稀释液而生成。可以向第一贮留槽110分别供给磷酸和稀释液。
在一个例子中,磷酸和稀释液在第一贮留槽110中混合。由此,在第一贮留槽110中,生成将磷酸和稀释液混合而成的磷酸液。
基板保持部130包括主体板132和保持棒134。主体板132是沿铅垂方向(Z方向)延伸的板。保持棒134从主体板132的一个主面沿水平方向(Y方向)延伸。在图1中,三个保持棒134从主体板132的一个主面沿水平方向延伸。多个基板W在隔开规定间隔排列的状态下,由多个保持棒134抵接各基板W的下缘并以立起姿势(铅垂姿势)保持。
基板保持部130还可以进一步包括移动单元136。移动单元136使主体板132在被保持棒134保持的多个基板W位于第一贮留槽110内的下方位置和被保持棒134保持的多个基板W位于第一贮留槽110的上方的上方位置(图1所示的位置)之间升降。因此,通过移动单元136将主体板132移动到下方位置,保持在保持棒134的多个基板W浸渍于第一贮留槽110的磷酸液中。
多个基板W由多个保持棒134保持。详细来说,通过使各基板W的下缘与多个保持棒134抵接,多个基板W由多个保持棒134以立起姿势(铅垂姿势)保持。更具体而言,由基板保持部130保持的多个基板W沿Y方向隔开间隔排列。因此,多个基板W沿Y方向排列成一列。另外,多个基板W各自以与XZ平面大致平行的姿势保持在基板保持部130。
移动单元136升降主体板132。移动单元136通过升降主体板132,主体板132和保持棒134以保持多个基板W的状态向铅垂上方或铅垂下方移动。移动单元136具有驱动源和升降机构,由驱动源驱动升降机构,使主体板132上升和下降。驱动源例如包括马达。升降机构例如包括齿条及小齿轮机构或滚珠丝杠。
更具体而言,移动单元136使主体板132在处理位置与退避位置(图1所示的位置)之间升降。主体板132在保持多个基板W的状态下向铅垂下方(Z方向)下降并移动至处理位置时,多个基板W被投入第一贮留槽110。详细来说,保持在基板保持部130的多个基板W移动到第一贮留槽110内。其结果是,多个基板W被浸渍在第一贮留槽110内的磷酸液中以进行磷酸处理。另一方面,如图1所示,当主体板132移动到退避位置时,保持在保持棒134的多个基板W向第一贮留槽110的上方移动,从磷酸液中拉起。
需要说明的是,移动单元136也可以使主体板132沿水平方向移动。在这种情况下,移动单元136使主体板132和保持棒134在第一贮留槽110的上方位置(图1所示的位置)与第二贮留槽120的上方位置之间移动。基板保持部130在保持多个基板W的状态下向铅垂下方(Z方向)下降并移动至处理位置时,多个基板W被投入第二贮留槽120。详细来说,保持在基板保持部130的多个基板W移动到第二贮留槽120内。其结果是,多个基板W被浸渍在第二贮留槽120内的冲洗液中以进行冲洗处理。当主体板132移动到退避位置时,保持在保持棒134的多个基板W向第二贮留槽120的上方移动,从冲洗液中拉起。
接着,参照图1和图2说明本实施方式的基板处理装置100。图2是本实施方式的基板处理装置100的示意图。
如图2所示,基板处理装置100具备第一贮留槽110、第二贮留槽120和基板保持部130。第一贮留槽110贮留磷酸液。第二贮留槽120贮留冲洗液。
如上所述,第一贮留槽110贮留磷酸液。磷酸液是磷酸和稀释液的混合液。在磷酸液中,磷酸的浓度(质量浓度)为80%以上且95%以下。
基板保持部130在保持基板W的状态下移动。通过在基板保持部130保持基板W的状态下下降到贮留在第一贮留槽110中的磷酸液内,基板W浸渍于第一贮留槽110的磷酸液中。由此,对基板W进行磷酸处理。
另外,通过在基板保持部130保持基板W的状态下下降到贮留在第二贮留槽120中的冲洗液内,基板W浸渍于第二贮留槽120的冲洗液中。由此,对基板W进行冲洗处理。
基板处理装置100具备磷酸供给部112和稀释液供给部114。磷酸供给部112向第一贮留槽110供给磷酸。
稀释液供给部114向第一贮留槽110供给稀释液。稀释液用于稀释磷酸。稀释液可以包含去离子水(Deionized Water:DIW)、碳酸水、电解离子水、臭氧水、氨水、稀释浓度(例如,10ppm~100ppm左右)的盐酸水或还原水(氢水)中的任一种。需要说明的是,稀释液优选含有冲洗液中至少一部分成分。另外,稀释液也可以由与冲洗液相同的成分构成。
在一个例子中,磷酸和稀释液在第一贮留槽110中混合。由此,在第一贮留槽110中,生成将磷酸和稀释液混合而成的磷酸液。需要说明的是,磷酸供给部112可以向第一贮留槽110供给混合了磷酸和稀释液的磷酸液,磷酸液用由稀释液供给部114供给的稀释液来调节浓度。
基板处理装置100进一步具备冲洗液供给部122。冲洗液供给部122向第二贮留槽120供给冲洗液。
磷酸供给部112包括配管112a和阀112b。磷酸从配管112a的一端向第一贮留槽110喷出。配管112a与磷酸供给源连接。在配管112a配置有阀112b。能够由阀112b控制向第一贮留槽110供给磷酸。当阀112b打开时,通过配管112a的磷酸被供给到第一贮留槽110。在第一贮留槽110中,磷酸与第一贮留槽110的磷酸液混合。
稀释液供给部114包括配管114a和阀114b。稀释液从配管114a的一端向第一贮留槽110喷出。配管114a与稀释液供给源连接。在配管114a配置有阀114b。能够由阀114b控制向第一贮留槽110供给稀释液。当阀114b打开时,通过配管114a的稀释液被供给到第一贮留槽110。在第一贮留槽110中,稀释液与第一贮留槽110的磷酸液混合。
冲洗液供给部122包括配管122a和阀122b。冲洗液从配管122a的一端向第二贮留槽120喷出。配管122a与冲洗液供给源连接。在配管122a配置有阀122b。能够由阀122b控制向第二贮留槽120供给冲洗液。当通过控制装置180的控制打开阀122b时,通过配管122a的冲洗液被供给到第二贮留槽120。
在本实施方式中,基板处理装置100除了第一贮留槽110、第二贮留槽120和基板保持部130之外,进一步具备冲洗液转用部140。冲洗液转用部140转用第二贮留槽120的冲洗液。详细来说,冲洗液转用部140转用第二贮留槽120的冲洗液并向第一贮留槽110供给。
更具体而言,冲洗液转用部140向第一贮留槽110供给在第二贮留槽120中将基板W浸渍于冲洗液的冲洗液浸渍期间中的特定期间的第二贮留槽120的冲洗液。第二贮留槽120的冲洗液中包含从基板W流出的磷酸液成分。例如,第二贮留槽120的冲洗液的磷酸浓度为0.5%以上且5%以下。通过将第二贮留槽120的冲洗液转用并供给到第一贮留槽110,能够在第一贮留槽110中利用从基板W流出的磷酸液成分。此外,通过将第二贮留槽120的冲洗液转用到第一贮留槽110,能够补充第一贮留槽110内的磷酸液。
另外,冲洗液转用部140停止向第一贮留槽110供给冲洗液浸渍期间中的特定期间之后的期间的第二贮留槽120的冲洗液。随时间经过,从基板W流向第二贮留槽120的冲洗液的磷酸液成分的量减少。因此,通过停止向第一贮留槽110转用第二贮留槽120的冲洗液,能够抑制第一贮留槽110内的磷酸液的浓度过度降低。
冲洗液转用部140具有配管141、阀142和泵143。第二贮留槽120的冲洗液由配管141向第一贮留槽110供给。配管141的一端与第二贮留槽120连接,配管141的另一端朝向第一贮留槽110。泵143经由配管141将冲洗液送至第一贮留槽110。因此,流经配管141的冲洗液从配管141的另一端向第一贮留槽110喷出。
在配管141配置有阀142和泵143。典型地,阀142配置在泵143的下游。能够由阀142控制向第一贮留槽110供给冲洗液。当打开阀142时,通过配管141的冲洗液被供给到第一贮留槽110。在第一贮留槽110中,冲洗液与第一贮留槽110的磷酸液混合。当关闭阀142时,冲洗液不通过配管141,停止向第一贮留槽110供给冲洗液。
需要说明的是,优选在配管141配置有过滤器。能够由过滤器从流经配管141的冲洗液中除去杂质。需要说明的是,优选过滤器配置在阀142和泵143的上游侧。
接着,参照图1~图3说明本发明的基板处理装置100的实施方式。图3是本实施方式的基板处理装置100的示意性框图。
如图3所示,控制装置180具备控制部182和存储部184。控制部182控制基板处理装置100各部的动作。
控制部182包括处理器。处理器例如具有中央处理运算器(Central ProcessingUnit:CPU)。或者,处理器可以具有通用运算器。
存储部184存储数据和计算机程序。存储部184包括主存储装置和辅助存储装置。主存储装置例如是半导体存储器。辅助存储装置例如是半导体存储器和/或硬盘驱动器。存储部184可以包括可移动介质。控制部182的处理器执行存储部184中存储的计算机程序,以执行基板处理方法。
控制部182根据预定的程序控制磷酸供给部112、稀释液供给部114、冲洗液供给部122、基板保持部130和冲洗液转用部140。详细来说,控制部182控制移动单元136的动作。另外,控制部182控制阀112b、114b、122b和142的开闭动作。此外,控制部182控制泵143的驱动。
控制部182通过控制移动单元136移动主体板132。例如,控制部182能够通过移动单元136使主体板132沿铅垂方向移动(升降)。另外,控制部182能够通过移动单元136使主体板132沿水平方向移动。
控制部182能够控制磷酸供给部112的阀112b,将阀112b的状态在开状态与闭状态之间切换。具体而言,控制部182通过控制磷酸供给部112的阀112b使阀112b处于开状态,能够使流经配管112a的磷酸通过。另外,控制部182通过控制磷酸供给部112的阀112b使阀112b处于闭状态,能够停止流经配管112a的磷酸的供给。需要说明的是,控制部182还能够同样地控制稀释液供给部114的阀114b、冲洗液供给部122的阀122b。
此外,控制部182控制冲洗液转用部140的阀142,将阀142的状态在开状态与闭状态之间切换。控制部182通过控制冲洗液转用部140的泵143,将泵143的状态在驱动状态与停止状态之间切换。具体而言,控制部182控制冲洗液转用部140的阀142和泵143,通过使阀142处于开状态并使泵143处于驱动状态,能够使第二贮留槽120的冲洗液流经配管141并被供给到第一贮留槽110。另外,控制部182控制冲洗液转用部140的阀142和泵143,通过使阀142处于闭状态或使泵143处于停止状态,能够停止第二贮留槽120的冲洗液流经配管141并被供给到第一贮留槽110。
接着,参照图1~图4E说明本实施方式的基板处理装置100。图4A~图4E是本实施方式的基板处理装置100的示意图。
如图4A所示,第一贮留槽110和第二贮留槽120彼此邻接配置。如上所述,第一贮留槽110能贮留磷酸液,第二贮留槽120能贮留冲洗液。但是,在此,第一贮留槽110和第二贮留槽120都是空的。
如图4B所示,向第一贮留槽110供给磷酸液。例如,磷酸供给部112向第一贮留槽110供给磷酸。另外,稀释液供给部114向第一贮留槽110供给稀释液。在第一贮留槽110中,磷酸和稀释液被混合,作为混合液生成磷酸液。由此,第一贮留槽110贮留磷酸液。在此,第一贮留槽110贮留磷酸液至满容量。
如图4C所示,将基板W浸渍于第一贮留槽110的磷酸液中。例如,基板保持部130在保持基板W的状态下下降以将基板W浸渍于第一贮留槽110的磷酸液中。由此,对基板W进行磷酸处理。
需要说明的是,在图4B中,在磷酸液的液体量相对于第一贮留槽110的容量多时,部分磷酸液可能因基板W的浸渍而从第一贮留槽110溢出。需要说明的是,也可以以即使在图4C中将基板W浸渍于第一贮留槽110的磷酸液的情况下,也没有部分磷酸液从第一贮留槽110溢出的方式,调节向第一贮留槽110供给的磷酸液的量。
另外,在基板W浸渍于第一贮留槽110的磷酸液的期间,可以向第二贮留槽120供给冲洗液。例如,冲洗液供给部122向第二贮留槽120供给冲洗液。
如图4D所示,将基板W浸渍于第二贮留槽120的冲洗液中。例如,基板保持部130从第一贮留槽110的磷酸液拉起基板W,并沿水平方向移动至第二贮留槽120的上方。此后,基板保持部130在保持基板W的状态下下降,以将基板W浸渍于第二贮留槽120的冲洗液中。由此,对基板W进行冲洗处理。基板W在规定期间内浸渍于第二贮留槽120的冲洗液中。在本说明书中,有时将基板W浸渍于第二贮留槽120的冲洗液中的期间记作冲洗液浸渍期间。
需要说明的是,因基板保持部130从第一贮留槽110的磷酸液中拉起基板W,第一贮留槽110内的磷酸液减少。
在本实施方式中,在冲洗液浸渍期间中的特定期间向第一贮留槽110转用第二贮留槽120的冲洗液。例如,冲洗液转用部140向第一贮留槽110供给第二贮留槽120的冲洗液。控制部182通过使阀142处于开状态并驱动泵143,能够使第二贮留槽120的冲洗液流经配管141并供给到第一贮留槽110。
当基板W浸渍于第二贮留槽120的冲洗液时,磷酸液成分从先被磷酸处理过的基板W流出到第二贮留槽120的冲洗液中。因此,通过将第二贮留槽120的冲洗液转用到第一贮留槽110,能够在第一贮留槽110利用从基板W流出的磷酸液成分。此外,通过将第二贮留槽120的冲洗液转用到第一贮留槽110,即使在第一贮留槽110内的磷酸液减少的情况下,也能够有效地补充第一贮留槽110内的磷酸液。
如图4E所示,在冲洗液浸渍期间中的特定期间之后的期间,停止向第一贮留槽110转用第二贮留槽120的冲洗液。例如,冲洗液转用部140停止向第一贮留槽110供给第二贮留槽120的冲洗液。在一个例子中,控制部182通过使阀142处于闭状态,停止第二贮留槽120的冲洗液流经配管141并被供给到第一贮留槽110。
随时间经过,从基板W流出到第二贮留槽120的冲洗液中的磷酸液成分的量减少。因此,通过停止将第二贮留槽120的冲洗液转用到第一贮留槽110,能够抑制第一贮留槽110内的磷酸液的浓度因第二贮留槽120的冲洗液而过度降低。
根据本实施方式,能够有效地减少磷酸处理中使用的磷酸液的使用量。通过将第二贮留槽120的冲洗液转用到第一贮留槽110,能够将从基板W流出的磷酸液成分在第一贮留槽110中使用。此外,通过将第二贮留槽120的冲洗液转用到第一贮留槽110,即使在第一贮留槽110内的磷酸液减少的情况下,也能够有效地补充第一贮留槽110内的磷酸液。另外,此后通过停止将第二贮留槽120的冲洗液转用到第一贮留槽110,能够抑制第一贮留槽110内的磷酸液的浓度因第二贮留槽120的冲洗液而过度降低。
接着,参照图1~图5说明本实施方式的基板处理方法。图5是本实施方式的基板处理方法的流程图。
如图5所示,在步骤S10中,向第一贮留槽110供给磷酸液。例如,磷酸供给部112向第一贮留槽110供给磷酸。稀释液供给部114向第一贮留槽110供给稀释液。在第一贮留槽110中混合磷酸和稀释液,以生成磷酸液。
在步骤S12中,开始将基板W浸渍于第一贮留槽110的磷酸液中。控制部182控制基板保持部130以使基板保持部130在保持基板W的状态下下降到第一贮留槽110内。由此,基板W被浸渍于第一贮留槽110的磷酸液中,开始对基板W进行磷酸处理。
需要说明的是,可以在磷酸处理中,向第一贮留槽110供给规定浓度的磷酸液。例如,磷酸供给部112可以向第一贮留槽110供给磷酸,稀释液供给部114可以向第一贮留槽110供给稀释液。
在步骤S14中,结束将基板W浸渍于第一贮留槽110的磷酸液中。控制部182控制基板保持部130以使基板保持部130在保持基板W的状态下从第一贮留槽110内上升。
在步骤S20中,向第二贮留槽120供给冲洗液。例如,冲洗液供给部122向第二贮留槽120供给冲洗液。需要说明的是,步骤S20可以在步骤S12和/或步骤S14期间进行。或者,可以在步骤S12之前或步骤S14之后进行。
在步骤S22中,开始将基板W浸渍于第二贮留槽120的冲洗液中。控制部182控制基板保持部130以使基板保持部130在保持基板W的状态下下降到第二贮留槽120内。由此,基板W被浸渍于第二贮留槽120的冲洗液中,开始对基板W进行冲洗处理。
需要说明的是,可以在冲洗处理中,向第二贮留槽120供给冲洗液。例如,冲洗液供给部122可以向第二贮留槽120供给冲洗液。
在步骤S24中,将第二贮留槽120的冲洗液转用到第一贮留槽110。冲洗液转用部140将第二贮留槽120的冲洗液转用到第一贮留槽110。在一个例子中,控制部182通过使阀142处于开状态,第二贮留槽120的冲洗液流经配管141并被供给到第一贮留槽110。
在步骤S26中,停止将第二贮留槽120的冲洗液转用到第一贮留槽110。冲洗液转用部140停止将第二贮留槽120的冲洗液转用到第一贮留槽110。在一个例子中,控制部182通过使阀142处于闭状态,停止第二贮留槽120的冲洗液流经配管141并被供给到第一贮留槽110。
在步骤S28中,结束将基板W浸渍于第二贮留槽120的冲洗液中。控制部182控制基板保持部130以使基板保持部130在保持基板W的状态下从第二贮留槽120内上升。
根据本实施方式,在对基板W进行磷酸处理后进行冲洗处理。在冲洗液浸渍期间中的特定期间将第二贮留槽120的冲洗液向第一贮留槽110供给,此后,停止将第二贮留槽120的冲洗液向第一贮留槽110供给。由此,能够有效地减少磷酸处理中使用的磷酸液的使用量。
需要说明的是,冲洗液转用部140可以向第一贮留槽110供给从第二贮留槽120溢出的冲洗液。
接着,参照图1~图6说明本实施方式的基板处理装置100。图6是本实施方式的基板处理装置100的示意图。就图6的基板处理装置100而言,除了冲洗液转用部140接受从第二贮留槽120溢出的冲洗液、配管141与稀释液供给部114的配管114a连接、以及测定从第二贮留槽120溢出的冲洗液的磷酸浓度之外,具有与参照图2进行上述描述的构成相同的记载,为了避免冗余,省略重复说明。
如图6所示,冲洗液转用部140除了配管141、阀142和泵143之外,进一步具备冲洗液接收部146。冲洗液接收部146接受从第二贮留槽120溢出的冲洗液。例如,在将基板W浸渍于第二贮留槽120的冲洗液中的情况下,冲洗液接收部146接受从第二贮留槽120溢出的冲洗液。
冲洗液接收部146被配置在第二贮留槽120的铅垂下方。冲洗液接收部146的宽度和长度(X方向和Y方向的长度)优选大于第二贮留槽120的宽度和长度。但是,冲洗液接收部146的深度(Z方向的长度)优选小于第二贮留槽120的深度(Z方向的长度)。
冲洗液接收部146中接受的冲洗液经由配管141供给到第一贮留槽110。在此,冲洗液接收部146的配管141与稀释液供给部114的配管114a连接。
冲洗液转用部140也可以进一步具有配管148a和阀148b。配管148a与冲洗液接收部146和废液机构连接。在配管148a配置有阀148b。当打开阀148b时,通过配管148a的冲洗液向废液机构供给。如此地,能够由配管148a和阀148b废弃冲洗液接收部146的冲洗液。
在冲洗液转用部140将第二贮留槽120的冲洗液转用到第一贮留槽110的情况下,控制部182通过使阀142处于开状态并使阀148b处于闭状态,冲洗液接收部146从第二贮留槽120接受到的冲洗液流经配管141并被供给到第一贮留槽110。此后,在冲洗液转用部140停止将冲洗液接收部146的冲洗液转用到第一贮留槽110的情况下,控制部182通过使阀142处于闭状态并使阀148b处于开状态,冲洗液接收部146的冲洗液流经配管148a并被废弃。
冲洗液转用部140也可以进一步具有能检测冲洗液中包含的磷酸浓度的浓度传感器149。例如,控制部182可以基于浓度传感器149的检测结果,判定是否将冲洗液接收部146的冲洗液转用到第一贮留槽110。典型地,在浓度传感器149中检测的冲洗液内的磷酸浓度高于阈值的情况下,控制部182判定将冲洗液接收部146的冲洗液转用到第一贮留槽110。另一方面,当浓度传感器149中检测的冲洗液内的磷酸浓度减少到阈值以下时,控制部182判定停止将冲洗液接收部146的冲洗液转用到第一贮留槽110。
浓度传感器149测定位于第二贮留槽120中的冲洗液的磷酸浓度。例如,浓度传感器149安装于冲洗液接收部146。浓度传感器149测量表示冲洗液接收部146中贮留的冲洗液的比重的值。浓度传感器149测量冲洗液接收部146的背压。
例如,浓度传感器149的顶端配置在距离冲洗液接收部146的液面规定深度的位置。在浓度传感器149中,向浓度传感器149的顶端供给气体以在冲洗液接收部146的冲洗液内形成气泡。由此,贮留在冲洗液接收部146中的冲洗液的液压,被作为配置在距离冲洗液接收部146的液面规定深度的位置的浓度传感器149的顶端部的气压来检测。作为气体通常使用氮气。预先测定气压与冲洗液的磷酸浓度的关系,事先制作表示气压与冲洗液的关系的对照表,由此能够根据由气体形成气泡的气压来测量冲洗液的比重。
需要说明的是,在参照图6的上述说明中,浓度传感器149测定了冲洗液接收部146中接受的冲洗液中包含的磷酸浓度,但本实施方式不限定于此。浓度传感器149可以测定流经配管141的冲洗液中包含的磷酸浓度。在这种情况下,冲洗液转用部140可以不具备冲洗液接收部146。
需要说明的是,在图6所示的基板处理装置100中,冲洗液转用部140将冲洗液接收部146中接受的冲洗液向第一贮留槽110供给,但本实施方式不限定于此。冲洗液转用部140可以向第一贮留槽110供给第二贮留槽120内的冲洗液。
接着,参照图1~图7说明本实施方式的基板处理装置100。图7是本实施方式的基板处理装置100的示意图。就图7的基板处理装置100而言,除了第一贮留槽110和第二贮留槽120分别具有双重槽结构,冲洗液转用部140将第二贮留槽120的外槽120b的冲洗液向第一贮留槽110供给之外,具有与参照图6进行上述描述的构成相同的记载,为了避免冗余,省略重复说明。
如图7所示,第一贮留槽110具有双重槽结构。第一贮留槽110具有内槽110a和外槽110b。外槽110b包围内槽110a。内槽110a和外槽110b均具有朝上开的上部开口。
内槽110a贮留磷酸液,以能收纳多个基板W的方式构成。外槽110b设置于内槽110a的上部开口的外侧面。外槽110b的上缘的高度高于内槽110a的上缘的高度。
内槽110a和外槽110b各自贮留磷酸液。向内槽110a投入多个基板W。详细来说,将保持在基板保持部130的多个基板W投入内槽110a。通过将多个基板W投入内槽110a,而浸渍于内槽110a的磷酸液中。
第二贮留槽120具有双重槽结构。第二贮留槽120具有内槽120a和外槽120b。外槽120b包围内槽120a。内槽120a和外槽120b均具有朝上开的上部开口。
内槽120a贮留冲洗液,以能收纳多个基板W的方式构成。外槽120b设置于内槽120a的上部开口的外侧面。外槽120b的上缘的高度高于内槽120a的上缘的高度。
内槽120a和外槽120b分别贮留冲洗液。向内槽120a投入多个基板W。详细来说,将保持在基板保持部130的多个基板W投入内槽120a。通过将多个基板W投入内槽120a,而浸渍于内槽120a的冲洗液中。
冲洗液转用部140具有配管141、阀142和泵143。第二贮留槽120的冲洗液经由配管141向第一贮留槽110供给。配管141的一端位于第二贮留槽120的外槽120b,配管141的另一端与配管114a连接。因此,第二贮留槽120的冲洗液经由配管141和配管114a,向第一贮留槽110供给。
配管141与配管148a连接。配管148a与配管141和废液机构连接。需要说明的是,配管141与配管148a的连接点优选位于泵143的下游。
在配管148a配置有阀148b。当打开阀148b时,通过配管148a的冲洗液向废液机构供给。如此地,能够由配管148a和阀148b废弃冲洗液。
根据本实施方式,能够将第二贮留槽120的外槽120b的冲洗液选择性转用到第一贮留槽110。
需要说明的是,在图1~图7所示的基板处理装置100中,冲洗液转用部140中转用的冲洗液能直接供给到第一贮留槽110,但本实施方式不限定于此。冲洗液转用部140中转用的冲洗液可以经由使第一贮留槽110的磷酸液循环的循环配管向第一贮留槽110供给。
另外,在图1~图7所示的基板处理装置100中,冲洗液供给部122位于第二贮留槽120的上方,但本实施方式不限定于此。
接着,参照图1~图8说明本实施方式的基板处理装置100。图8是本实施方式的基板处理装置100的示意图。就图8的基板处理装置100而言,除了经由使第一贮留槽110的磷酸液循环的循环配管向第一贮留槽110供给第二贮留槽120的冲洗液,排出第一贮留槽110的磷酸液,以及从第二贮留槽120内供给冲洗液之外,具有与参照图6或图7进行上述描述的构成相同的记载,为了避免冗余,省略重复说明。
如图8所示,第一贮留槽110具有双重槽结构。第一贮留槽110具有内槽110a和外槽110b。外槽110b包围内槽110a。内槽110a和外槽110b均具有朝上开的上部开口。
内槽110a贮留磷酸液,以能收纳多个基板W的方式构成。外槽110b设置于内槽110a的上部开口的外侧面。外槽110b的上缘的高度高于内槽110a的上缘的高度。
内槽110a和外槽110b各自贮留磷酸液。向内槽110a投入多个基板W。详细来说,将保持在基板保持部130的多个基板W投入内槽110a。通过将多个基板W投入内槽110a,而浸渍于内槽110a的磷酸液中。
第一贮留槽110连接有循环配管116。循环配管116以使第一贮留槽110的磷酸液从第一贮留槽110流出并返回第一贮留槽110的方式循环。循环配管116将外槽110b和内槽110a的下方连接。
循环配管116配置有泵116a。泵116a向第一贮留槽110输送磷酸液。循环配管116使第一贮留槽110内的磷酸液循环。在第一贮留槽110的磷酸液经由循环配管116循环时,可以除去磷酸液的杂质。或者,在第一贮留槽110的磷酸液经由循环配管116循环时,可以将磷酸液加热至规定温度。
循环配管116与循环液供给管116t连接。循环配管116将从第一贮留槽110流出的磷酸液再次导向第一贮留槽110。详细来说,循环配管116的上游端位于外槽110b,循环配管116的下游端位于内槽110a。循环配管116的下游端与位于内槽110a的循环液供给管116t连接。
循环液供给管116t配置在内槽110a。在此,循环液供给管116t配置在第一贮留槽110的内槽110a的底部。循环液供给管116t向内槽110a供给循环的磷酸液。因此,在基板W浸渍于内槽110a内的磷酸液中的情况下,通过从循环液供给管116t供给磷酸液,能够在内槽110a形成上升流。
第一贮留槽110连接有排液部118。能够由排液部118排出第一贮留槽110的磷酸液。另外,排液部118排出贮留在第一贮留槽110的磷酸液,并且磷酸供给部112和稀释液供给部114向第一贮留槽110供给磷酸和稀释液,由此能够将贮留在第一贮留槽110的磷酸液更换成新的磷酸液。
排液部118具有排液配管118a和阀118b。由排液配管118a和阀118b排出内槽110a的磷酸液。
内槽110a的底壁连接有排液配管118a。排液配管118a配置有阀118b。阀118b由控制装置180开闭。通过打开阀118b,贮留在内槽110a内的磷酸液通过排液配管118a排出到外部。排出的磷酸液被送到排液处理装置(未图示)进行处理。需要说明的是,优选与第一贮留槽110同样地,还能够排出第二贮留槽120的冲洗液。
冲洗液供给部122包括配管122a、阀122b和冲洗液供给管122t。冲洗液从冲洗液供给管122t向第二贮留槽120喷出。配管122a的一端连接有冲洗液供给源。配管122a配置有阀122b。配管122a的另一端配置有冲洗液供给管122t。能够由阀122b控制向第二贮留槽120供给冲洗液。当在控制装置180的控制下打开阀122b时,通过配管122a的冲洗液从冲洗液供给管122t供给到第二贮留槽120。
冲洗液供给管122t配置在第二贮留槽120内。冲洗液供给管122t配置在第二贮留槽120的底部。因此,在基板W浸渍于第二贮留槽120内的冲洗液的情况下,通过从冲洗液供给管122t供给冲洗液,能够在第二贮留槽120形成上升流。
需要说明的是,在基板处理装置100中,磷酸处理优选将基板W浸渍于加热的磷酸中来进行。由此,能够短时间完成磷酸处理。另外,冲洗处理优选将基板W浸渍于加热的冲洗液中来进行。由此,能够抑制随温度变化而对磷酸处理过的基板W造成的损伤,同时能够在短时间内进行冲洗处理。
接着,参照图1~图9说明本实施方式的基板处理装置100。图9是本实施方式的基板处理装置100的示意图。就图9的基板处理装置100而言,除了能对基板W进行高温的磷酸处理和冲洗处理,以及根据冲洗液的温度切换冲洗液的转用之外,具有与参照图8进行上述描述的构成相同的记载,为了避免冗余,省略重复说明。
如图9所示,能够加热第一贮留槽110的磷酸液。在此,基板处理装置100进一步具备过滤器116b、加热器116c、调节阀116d和阀116e。循环配管116除了泵116a之外,还配置有过滤器116b、加热器116c、调节阀116d、阀116e和循环液供给管116t。从循环配管116的上游向下游按照泵116a、过滤器116b、加热器116c、调节阀116d和阀116e的顺序配置。
循环配管116将从第一贮留槽110流出的磷酸液再次导向第一贮留槽110。详细来说,循环配管116的上游端位于外槽110b,循环配管116的下游端位于内槽110a。循环配管116的下游端与位于内槽110a的循环液供给管116t连接。
泵116a从循环配管116向循环液供给管116t输送磷酸液。过滤器116b过滤流经循环配管116的磷酸液。过滤器116b过滤并除去在循环配管116中流通的磷酸液中的颗粒等异物。
加热器116c加热流经循环配管116的磷酸液。由加热器116c调节磷酸液的温度。加热器116c加热在循环配管116中流通的磷酸液以调节至处理温度。处理温度例如约为160℃以上且200℃以下。加热器116c可以加热磷酸液并测定磷酸液的温度。在这种情况下,加热器116c具有加热部并具有温度测定部。
调节阀116d调节循环配管116的开度,来调节向循环液供给管116t供给的磷酸液的流量。调节阀116d调节磷酸液的流量。调节阀116d包括将阀座设置于内部的阀体(未图示)、开闭阀座的阀芯和在开位置与闭位置之间移动阀芯的致动器(未图示)。其他调节阀也相同。阀116e开闭循环配管116。需要说明的是,可以省略调节阀116d。在这种情况下,通过控制泵116a来调节向循环液供给管116t供给的磷酸液的流量。
循环液供给管116t配置在内槽110a。在此,循环液供给管116t配置在第一贮留槽110的内槽110a的底部。循环液供给管116t配置于内槽110a内。循环液供给管116t向内槽110a供给循环的磷酸液。
需要说明的是,在图9中,为了避免附图过度复杂,只示出一个调节阀116d和一个阀116e,但调节阀116d和阀116e中的至少一个可以设置多个。
在图9中,第二贮留槽120能够贮留加热的冲洗液。冲洗液供给部122具有第一冲洗液供给部122p和第二冲洗液供给部122q。第一冲洗液供给部122p向第二贮留槽120供给加热的冲洗液。例如,第一冲洗液供给部122p向第二贮留槽120供给加热到45℃以上且70℃以下的冲洗液。第二冲洗液供给部122q向第二贮留槽120供给常温的冲洗液。
第一冲洗液供给部122p包括配管122a1、阀122b1和加热器122c。配管122a1与冲洗液供给源连接。配管122a1配置有阀122b1和加热器122c。能够由阀122b1控制向第二贮留槽120供给冲洗液。由加热器122c调节冲洗液的温度。加热器122c加热在配管122a1中流通的冲洗液,以调节至冲洗液的温度(例如,约60℃~80℃)。
第二冲洗液供给部122q包括配管122a2和阀122b2。从配管122a2的一端向第二贮留槽120喷出冲洗液。配管122a2与冲洗液供给源连接。配管122a2配置有阀122b2。能够由阀122b2控制向第二贮留槽120供给冲洗液。
配管122a的一端与配管122a1和配管122a2连接。配管122a的另一端配置有冲洗液供给管122t。从冲洗液供给管122t向第二贮留槽120供给冲洗液。
例如,在冲洗液转用部140向第一贮留槽110供给冲洗液浸渍期间中的特定期间的第二贮留槽120的冲洗液的期间,第一冲洗液供给部122p可以向第二贮留槽120供给加热的冲洗液。需要说明的是,第一冲洗液供给部122p可以在特定期间之前向第二贮留槽120供给加热的冲洗液。另外,第一冲洗液供给部122p可以在特定期间中向第二贮留槽120供给加热的冲洗液。
另一方面,当冲洗液转用部140停止向第一贮留槽110供给冲洗液浸渍期间中的特定期间的第二贮留槽120的冲洗液时,第二冲洗液供给部122q可以向第二贮留槽120供给冲洗液。另外,第二冲洗液供给部122q可以在特定期间之后向第二贮留槽120供给未加热的冲洗液。
需要说明的是,在图9中,配管122a1和配管122a2经由配管122a与冲洗液供给管122t连接,但配管122a1也可以与配管122a2分离并与冲洗液供给管122t连接。
冲洗液转用部140也可以进一步具有能检测冲洗液的温度的温度传感器149a。例如,控制部182可以基于温度传感器149a的检测结果,判定是否将冲洗液接收部146的冲洗液转用到第一贮留槽110。典型地,在温度传感器149a中检测的冲洗液的温度高于阈值的情况下,控制部182判定将冲洗液接收部146的冲洗液转用到第一贮留槽110。另一方面,当温度传感器149a中检测的冲洗液的温度降低到阈值以下时,控制部182判定停止将冲洗液接收部146的冲洗液转用到第一贮留槽110。
需要说明的是,在图6、图8和图9所示的基板处理装置100中,冲洗液转用部140具备接受从第二贮留槽120溢出的冲洗液的冲洗液接收部146,冲洗液接收部146的冲洗液从冲洗液接收部146流向第一贮留槽110或循环配管116,但本实施方式不限定于此。冲洗液接收部146的冲洗液可以从冲洗液接收部146经由贮留冲洗液的罐流向第一贮留槽110或循环配管116。
另外,在图6、图8和图9所示的基板处理装置100中,在冲洗液转用部140停止将冲洗液转用到第一贮留槽110之后,冲洗液被废弃,但本实施方式不限定于此。即使在冲洗液转用部140停止将冲洗液转用到第一贮留槽110之后,冲洗液转用部140也可以将冲洗液用于其他用途。
接着,参照图1~图10说明本实施方式的基板处理装置100。图10是本实施方式的基板处理装置100的示意图。就图10的基板处理装置100而言,除了冲洗液转用部140进一步具备贮留罐147,根据冲洗液的电导率再利用冲洗液之外,具有与参照图9进行上述描述的构成相同的记载,为了避免冗余,省略重复说明。
如图10所示,冲洗液转用部140进一步具备贮留罐147。贮留罐147在冲洗液接收部146与循环配管116之间贮留冲洗液。在贮留罐147与冲洗液接收部146之间配置有阀142a,在贮留罐147与循环配管116之间配置有阀142b。在到经由循环配管116向第一贮留槽110供给为止的期间,由贮留罐147、阀142a和阀142b暂时贮留冲洗液接收部146的冲洗液。因此,能够适当调节将冲洗液流向循环配管116的时机。
配管141配置有电导率计145。能够由电导率计145测定冲洗液的电导率。例如,在冲洗液浸渍期间经过规定时间后,几乎没有磷酸液成分从基板W流出。因此,第二贮留槽120的冲洗液几乎没有杂质,能够将第二贮留槽120的冲洗液作为新的冲洗液再利用。例如,通过测定冲洗液的电导率,能够判定冲洗液是否再利用。
冲洗液转用部140进一步具有配管148p和阀148q。配管148p与配管141和冲洗液供给机构连接。配管148p配置有阀148q。当打开阀148q时,通过配管148p的冲洗液被供给到冲洗液供给机构。例如,根据冲洗液的电导率,通过打开阀148q,能够再利用第二贮留槽120的冲洗液。
需要说明的是,在图1~图10所示的说明中,在第二贮留槽120中进行冲洗处理,但本实施方式不限定于此。在第二贮留槽120中除了冲洗处理之外还可以进行其他处理。
接着,参照图1~图11说明本实施方式的基板处理装置100。图11是本实施方式的基板处理装置100的示意图。就图11的基板处理装置100而言,除了向第二贮留槽120供给冲洗液以外的处理液之外,具有与参照图10进行上述描述的构成相同的记载,为了避免冗余,省略重复说明。
如图11所示,不仅向第二贮留槽120供给冲洗液,还供给第一成分液和第二成分液。例如,氨作为第一成分液、双氧水作为第二成分液被供给到第二贮留槽120。
基板处理装置100进一步具有第一成分液供给部123和第二成分液供给部124。第一成分液供给部123包括配管123a和阀123b。配管123a的一端与第一成分液供给源连接。配管123a配置有阀123b。配管123a的另一端与配管122a连接。能够由阀123b控制经由配管123a和配管122a向第二贮留槽120供给第一成分液。当在控制装置180的控制下打开阀123b时,通过配管123a和配管122a的第一成分液被供给到第二贮留槽120。
第二成分液供给部124包括配管124a和阀124b。配管124a的一端与第二成分液供给源连接。配管124a配置有阀124b。配管124a的另一端与配管122a连接。能够由阀124b控制经由配管124a和配管122a向第二贮留槽120供给第二成分液。当在控制装置180的控制下打开阀124b时,通过配管124a和配管122a的第二成分液被供给到第二贮留槽120。
在此,第一成分液供给部123和第二成分液供给部124向第二贮留槽120供给第一成分液和第二成分液。由此,第二贮留槽120不仅对基板W进行冲洗处理,还能够对基板W进行药液处理。
需要说明的是,循环配管116优选配置有贮留加热的磷酸液的贮留罐。另外,优选在第二贮留槽120的上方向基板W喷出冲洗液。
接着,参照图1~图12说明本实施方式的基板处理装置100。图12是本实施方式的基板处理装置100的示意图。就图12的基板处理装置100而言,除了在循环配管116配置有贮留加热的磷酸液的调温罐,并且在第二贮留槽120的上方向基板W喷出冲洗液之外,具有与参照图11进行上述描述的构成相同的记载,为了避免冗余,省略重复说明。
如图12所示,基板处理装置100进一步具备调温罐116f。调温罐116f配置于循环配管116。由此,调温罐116f能够贮留加热的磷酸液。需要说明的是,贮留罐147优选与调温罐116f邻接配置。例如,贮留罐147优选相对于调温罐116f配置在2m范围内。由此,能够将贮留在贮留罐147的冲洗液的温度保持在高温。
另外,优选在第二贮留槽120的上方配置冲洗液喷出口122f和冲洗液喷出口122g。能够由冲洗液喷出口122f、122g,向浸渍于第二贮留槽120的冲洗液之前或之后的基板W喷出冲洗液。
接着,参照图1~图14C说明本实施方式的基板处理方法。图13A~图14C是用于说明本实施方式的基板处理方法的示意图。
如图13A所示,基板保持部130将基板W保持在第一贮留槽110的上方。基板保持部130可以在第一贮留槽110的上方从其他基板保持机构接受基板W。或者,基板保持部130可以在保持基板W的状态下移动到第一贮留槽110的上方。
如图13B所示,基板保持部130将基板W浸渍于第一贮留槽110的磷酸液中。控制部182控制基板保持部130,以使基板保持部130在保持基板W的状态下使基板W下降从而浸渍于第一贮留槽110的磷酸液内。
如图13C所示,基板保持部130拉起第一贮留槽110的磷酸液内的基板W。控制部182控制基板保持部130,以使基板保持部130在保持基板W的状态下使基板W上升从而从第一贮留槽110的磷酸液中拉起。
需要说明的是,此时,第二贮留槽120的冲洗液可以被废弃。
如图13D所示,基板保持部130将基板W保持在第二贮留槽120的上方。基板保持部130可以在第二贮留槽120的上方从其他基板保持机构接受基板W。或者,基板保持部130可以在保持基板W的状态下移动到第二贮留槽120的上方。
此时,可以向第二贮留槽120供给冲洗液。在这种情况下,优选向第二贮留槽120供给加热的冲洗液。
如图14A所示,基板保持部130将基板W浸渍于第二贮留槽120的冲洗液中。控制部182控制基板保持部130,通过使基板保持部130在保持基板W的状态下下降,从而将基板W浸渍于第二贮留槽120的冲洗液内。
在此,在将基板W浸渍于第二贮留槽120的冲洗液时,冲洗液从第二贮留槽120溢出。在用高温的磷酸处理基板W的情况下,第二贮留槽120的冲洗液的温度也上升。冲洗液接收部146接受从第二贮留槽120溢出的冲洗液。需要说明的是,第二贮留槽120的冲洗液经由冲洗液接收部146、贮留罐147和循环配管116被供给到第一贮留槽110。需要说明的是,第二贮留槽120的冲洗液可以暂时贮留在冲洗液接收部146和/或贮留罐147,并在规定的时机向第一贮留槽110供给。
此时,可以向第二贮留槽120供给冲洗液。在这种情况下,优选向第二贮留槽120供给加热的冲洗液。
如图14B所示,基板保持部130保持将基板W浸渍于第二贮留槽120的冲洗液中的状态。控制部182控制基板保持部130,以使基板保持部130保持将基板W浸渍于第二贮留槽120的冲洗液内的状态。需要说明的是,在将基板W浸渍于第二贮留槽120的冲洗液起的规定期间后,不向第一贮留槽110供给冲洗液接收部146的冲洗液。例如,冲洗液接收部146的冲洗液被废弃。
此时,可以向第二贮留槽120供给冲洗液。在这种情况下,可以向第二贮留槽120供给未加热的冲洗液。
如图14C所示,基板保持部130上升以拉起第二贮留槽120的冲洗液内的基板W。控制部182控制基板保持部130,以使基板保持部130在保持基板W的状态下上升,从第二贮留槽120的冲洗液拉起基板W。此时,由冲洗液喷出口122f、122g向基板W喷出冲洗液。
此后,从第二贮留槽120排出冲洗液并且向第二贮留槽120供给其他药液,可以另行对基板W进行药液处理。
根据本实施方式,将特定期间的第二贮留槽120的冲洗液贮留在贮留罐147中。由此,能够向第一贮留槽110高效供给磷酸浓度高且高温的冲洗液。
接着,参照图15说明具备本实施方式的基板处理装置100的基板处理***10。图15是具备本实施方式的基板处理装置100的基板处理***10的示意图。图15所示的基板处理***10具备第一基板处理装置100A~第三基板处理装置100C。
如图15所示,基板处理***10具备投入部20、多个收纳部30、交接机构40、送出部50、缓冲单元BU、第一搬送装置CTC、第二搬送装置WTR、干燥处理装置60、多个基板处理装置100和控制装置180。
多个基板处理装置100具备第一基板处理装置100A、第二基板处理装置100B和第三基板处理装置100C。干燥处理装置60、第一基板处理装置100A、第二基板处理装置100B和第三基板处理装置100C沿一方向排列配置。例如,干燥处理装置60、第一基板处理装置100A、第二基板处理装置100B和第三基板处理装置100C与第一搬送装置CTC的搬送路径邻接,从第一搬送装置CTC的搬送路径附近开始,按照干燥处理装置60、第一基板处理装置100A、第二基板处理装置100B和第三基板处理装置100C的顺序配置。
在此,第一基板处理装置100A~第三基板处理装置100C分别包括贮留磷酸液的第一贮留槽110、至少在某一期间贮留冲洗液的第二贮留槽120和基板保持部130。在此,有时将第一基板处理装置100A~第三基板处理装置100C中的基板保持部130表示为基板保持部130A~130C。可以向第一基板处理装置100A~第三基板处理装置100C分别投入进行过不同处理的基板W。
要在基板处理装置100中处理的基板W从投入部20搬入。投入部20包括多个载置台22。以在基板处理装置100中处理的基板W被从送出部50搬出。送出部50包括多个载置台52。
投入部20载置有收纳基板W的收纳部30。载置于投入部20的收纳部30收纳未经基板处理装置100进行处理的基板W。在此,两个收纳部30分别载置于两个载置台22。
多个收纳部30各自收纳多个基板W。各基板W以水平姿势收纳于收纳部30。收纳部30例如是FOUP(前开式统一处理盒,Front Opening Unified Pod)。
载置于送出部50的收纳部30收纳已由基板处理装置100处理的基板W。送出部50包括多个载置台52。两个收纳部30分别载置于两个载置台52。送出部50将处理完毕的基板W收纳于收纳部30并连同收纳部30一起送出。
缓冲单元BU与投入部20和送出部50邻接配置。缓冲单元BU在将载置于投入部20的收纳部30连同基板W一起取入内部,并且将收纳部30载置于架子(未图示)。另外,缓冲单元BU接受处理完毕的基板W并收纳于收纳部30,并且将收纳部30载置于架子。缓冲单元BU内配置有交接机构40。
交接机构40在投入部20和送出部50与架子之间交接收纳部30。另外,交接机构40与第一搬送装置CTC仅交接基板W。即,交接机构40与第一搬送装置CTC进行基板W的批次交接。
第一搬送装置CTC在从交接机构40接受未处理的多个基板W的批次后,将多个基板W的姿势从水平姿势变换成垂直姿势,将多个基板W交到第二搬送装置WTR。另外,第一搬送装置CTC在从第二搬送装置WTR接受处理完毕的多个基板W的批次后,将多个基板W的姿势从垂直姿势变换成水平姿势,将基板W的批次交到交接机构40。
第二搬送装置WTR能沿基板处理***10的长度方向,从第三基板处理装置100C移动到第二基板处理装置100B。第二搬送装置WTR能够将基板W的批次搬入和搬出第一基板处理装置100A、第二基板处理装置100B和第三基板处理装置100C。详细来说,第二搬送装置WTR将基板W交到第一基板处理装置100A、第二基板处理装置100B和第三基板处理装置100C的基板保持部130A~130C,分别由基板保持部130A~130C,对基板W进行磷酸处理和冲洗处理。
需要说明的是,在参照图1~图15的上述说明中,说明了将基板处理装置100的第二贮留槽120的冲洗液转用到同一基板处理装置100的第一贮留槽110的方案,但本实施方式不限定于此。第二贮留槽120的冲洗液可以转用到其他基板处理装置100的第一贮留槽110。另外,第二贮留槽120的冲洗液也可以转用到与对浸渍于第二贮留槽120的冲洗液的基板W进行了处理的第一贮留槽110不同的第一贮留槽110。
以上,参照附图说明本发明的实施方式。但是,本发明不限于上述实施方式,在不脱离其主旨的范围内能在各种形态下实施。另外,通过适当组合上述实施方式中公开的多个构成要素,能形成各种发明。例如,可以从实施方式中示出的所有构成要素中删除几个构成要素。此外,可以适当组合不同实施方式的构成要素。为了便于理解,附图以各自的构成要素为主体示意性示出,存在图示的各构成要素的厚度、长度、个数、间隔等,因附图制作情况而与实际不同的情况。另外,上述实施方式中示出的各构成要素的材质、形状、尺寸等仅为示例,没有特别的限定,在实质上不脱离本发明的效果的范围内能进行各种变更。
工业实用性
本发明适用于基板处理装置和基板处理方法。

Claims (12)

1.一种基板处理装置,其中,
具备:
第一贮留槽,贮留磷酸液;
第二贮留槽,贮留冲洗液;
基板保持部,保持基板并下降,将所述基板浸渍于所述第二贮留槽的所述冲洗液中;以及
冲洗液转用部,向所述第一贮留槽供给在所述第二贮留槽中将所述基板浸渍于所述冲洗液的冲洗液浸渍期间中的特定期间的所述第二贮留槽的所述冲洗液,停止向所述第一贮留槽供给所述冲洗液浸渍期间中的所述特定期间之后的期间的所述第二贮留槽的所述冲洗液。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其中,
进一步具备循环配管,该循环配管以使所述第一贮留槽的所述磷酸液从所述第一贮留槽流出并返回所述第一贮留槽的方式循环,
所述冲洗液转用部经由所述循环配管向所述第一贮留槽供给所述第二贮留槽的所述冲洗液。
3.如权利要求2所述的基板处理装置,其中,
进一步具备:
向所述第一贮留槽供给磷酸的磷酸供给部;
向所述第一贮留槽供给稀释液的稀释液供给部;以及
向所述第二贮留槽供给冲洗液的冲洗液供给部。
4.如权利要求3所述的基板处理装置,其中,
进一步具备加热流经所述循环配管的所述磷酸液的加热器,
所述冲洗液供给部在所述特定期间之前加热所述冲洗液并向所述第二贮留槽供给,在所述特定期间之后不加热所述冲洗液就向所述第二贮留槽供给。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其中,
所述冲洗液转用部包括贮留罐,该贮留罐贮留所述特定期间的所述第二贮留槽的所述冲洗液的至少一部分。
6.如权利要求5所述的基板处理装置,其中,
进一步具备配置于所述循环配管的调温罐,
所述贮留罐与所述调温罐邻接配置。
7.一种基板处理方法,其中,
包含:
将基板浸渍于贮留在第一贮留槽的磷酸液中的工序;
将基板浸渍于贮留在第二贮留槽的冲洗液中的工序;
向所述第一贮留槽供给将所述基板浸渍于所述冲洗液的冲洗液浸渍期间中的特定期间的所述第二贮留槽的所述冲洗液的转用工序;
停止向所述第一贮留槽供给所述冲洗液浸渍期间中的所述特定期间之后的期间的所述第二贮留槽的所述冲洗液的转用停止工序。
8.如权利要求7所述的基板处理方法,其中,
进一步包含经由使所述第一贮留槽的所述磷酸液从所述第一贮留槽流出并返回所述第一贮留槽的循环配管来循环所述磷酸液的工序,
所述转用工序经由所述循环配管向所述第一贮留槽供给所述第二贮留槽的所述冲洗液。
9.如权利要求8所述的基板处理方法,其中,
进一步包含:
向所述第一贮留槽供给磷酸的工序;
向所述第一贮留槽供给稀释液的工序;
向所述第二贮留槽供给冲洗液的工序。
10.如权利要求9所述的基板处理方法,其中,
进一步包含加热流经所述循环配管的磷酸液的工序,
在供给所述冲洗液的工序中,在所述特定期间之前加热所述冲洗液并向所述第二贮留槽供给,在所述特定期间之后不加热所述冲洗液就向所述第二贮留槽供给。
11.如权利要求10所述的基板处理方法,其中,
所述转用工序包括将所述特定期间的所述第二贮留槽的所述冲洗液贮留在贮留罐中的工序。
12.如权利要求11所述的基板处理方法,其中,
进一步包含将流经所述循环配管的磷酸液贮留在调温罐中的工序,
所述贮留罐与所述调温罐邻接配置。
CN202310363079.3A 2022-04-04 2023-04-04 基板处理装置和基板处理方法 Pending CN116889994A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022062515A JP2023152479A (ja) 2022-04-04 2022-04-04 基板処理装置および基板処理方法
JP2022-062515 2022-04-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116889994A true CN116889994A (zh) 2023-10-17

Family

ID=88295291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310363079.3A Pending CN116889994A (zh) 2022-04-04 2023-04-04 基板处理装置和基板处理方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2023152479A (zh)
KR (1) KR20230143114A (zh)
CN (1) CN116889994A (zh)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7349876B2 (ja) 2019-10-17 2023-09-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および装置洗浄方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2023152479A (ja) 2023-10-17
KR20230143114A (ko) 2023-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102111236B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법, 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
CN107871689B (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
KR102280703B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
KR102513202B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
CN111180330B (zh) 基板处理方法、基板处理装置以及存储介质
KR102603022B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체
CN107895702B (zh) 基板液处理装置、基板液处理方法和存储介质
CN110943006A (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
KR102611293B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체
CN114334711A (zh) 基片处理***和基片输送方法
JP6516908B2 (ja) リン酸水溶液を用いたエッチング処理制御装置及びリン酸水溶液を用いたエッチング処理制御方法並びに基板をリン酸水溶液でエッチング処理させるプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
CN116889994A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
TW201619439A (zh) 無電解鍍覆裝置之運轉方法
KR102341676B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
JP6548787B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6552687B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
CN110010459B (zh) 基片处理方法和基片处理装置
KR20230117520A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN117637530A (zh) 基片处理装置和基片处理方法
CN115692250A (zh) 基板处理装置和基板处理方法
CN117637531A (zh) 基片处理装置和基片处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination