CN116865529A - 串扰抑制电路、桥臂驱动电路及电子设备 - Google Patents

串扰抑制电路、桥臂驱动电路及电子设备 Download PDF

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CN116865529A
CN116865529A CN202310723234.8A CN202310723234A CN116865529A CN 116865529 A CN116865529 A CN 116865529A CN 202310723234 A CN202310723234 A CN 202310723234A CN 116865529 A CN116865529 A CN 116865529A
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杨明
徐东林
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Harbin Xien Technology Co ltd
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Abstract

本申请涉及电子电路技术领域，公开一种串扰抑制电路，该串扰抑制电路包括负压产生电路，负压产生电路设置于驱动芯片和场效应管之间，负压产生电路被配置为在场效应管关断的情况下，为场效应管提供负电压，以在场效应管接收到干扰电压时维持场效应管的关断状态。在场效应管关断的情况下，通过负压产生电路在场效应管的栅极产生负电压，进而保持场效应管的关断状态，从而抑制了场效应管之间的串扰现象，避免了场效应管的受到串扰影响而开通的现象。本申请还公开一种桥臂驱动电路及电子设备。

Description

串扰抑制电路、桥臂驱动电路及电子设备
技术领域
本申请涉及电子电路技术领域，例如涉及一种串扰抑制电路、桥臂驱动电路及电子设备。
背景技术
近几年随着全球新能源产业的高速发展，电力电子装置在电动汽车、光伏发电、和航空航天等领域被广泛应用，对电力电子器件提出了高可靠高效率的要求。在SiC MOSFET半桥电路结构中，功率器件的快速开关会导致高阻断电压、高漏极-源极电压和漏极-电流变化率(dv/dt和di/dt)。由半桥结构中寄生电容和电感引起的串扰也将更加严重。由串扰引起的正向寄生触发脉冲可能超过阈值电压，导致不必要的开关损耗和直通问题。负向触发脉冲可能超过功率器件的负向允许最大栅极电压。
在实现本公开实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：
相关技术中的串扰抑制方法，通常需要引入额外的控制信号，这样会造成功率器件的过渡损耗，并且会影响功率器件的开关速度。
需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本申请的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
本公开实施例提供一种串扰抑制电路、桥臂驱动电路及电子设备，以抑制串扰现象对桥臂电路中的场效应管的影响。
在一些实施例中，串扰抑制电路应用于用于桥臂驱动电路，桥臂驱动电路包括驱动芯片和场效应管；串扰抑制电路包括：负压产生电路，设置于驱动芯片和场效应管之间，被配置为在场效应管关断的情况下，为场效应管提供负电压，以在场效应管接收到干扰电压时维持场效应管的关断状态。
可选地，负压产生电路包括：压子电路，被配置为在场效应管导通的状态下充电，在场效应管关断的状态下，为场效应管提供负电压；分压子电路，与负压子电路串联连接，分压子电路被配置为在场效应管导通的状态下分担负压子电路的电压。
可选地，负压子电路包括并联连接的第一电阻和第一电容，负压子电路的第一端连接驱动芯片，负压子电路的第二端与分压子电路共同连接至场效应管的源极；分压子电路包括第二电阻、第二电容和第一二极管，第二电阻和第二电容并联后的第一端与第一二极管的负极连接，第一二极管的正极与负压子电路连接，第二电阻和第二电容并联后的第二端连接在场效应管的源极和驱动芯片之间。
可选地，负电压的表达式为：
其中，Vdr表示驱动电源电压，VgsH表示正向门极驱动电压，VgsL表示负电压，即负向门极驱动电压。
可选地，串扰抑制电路还包括：桥臂串扰抑制电路，被配置为在场效应管接收到串扰电压的情况下，生成低阻抗通路，以保持场效应管的关断状态。
可选地，桥臂串扰抑制电路包括：门级驱动电阻；正向串扰抑制电路，被配置为在场效应管接收到的串扰电压为正向串扰电压的情况下，生成低阻抗通路；负向串扰抑制电路，被配置为在场效应管接收到的串扰电压为负向串扰电压的情况下，生成低阻抗通路。
可选地，正向串扰抑制电路包括第一三极管和第三电容；其中，第一三极管的栅极与负向串扰抑制电路连接，第一三极管的源极连接在门级驱动电阻与场效应管的栅极之间，第一三极管的漏极与第三电容的第一端连接，第三电容的第二端连接在场效应管的源极和驱动芯片之间。
可选地，负向串扰抑制电路包括第二三极管和第二二极管；其中，第二三极管的栅极与正向串扰抑制电路连接，第二三极管的源极连接在门级驱动电阻与场效应管的栅极之间，第二三极管的漏极与第二二极管的负极连接，第二二极管的正极连接在场效应管的源极和驱动芯片之间。
可选地，串扰抑制电路满足如下条件中的部分或者全部：
C2＞＞Cgs
C1＞＞CgsR2/R1
R1C1＞＞Ts
R2C2＞＞Ts
C3＞＞(23)Cgs
其中，Cgs表示场效应管的栅极和源极之间的寄生电容，Ts表示控制周期，C1表示第一电容的电容值，C2表示第二电容的电容值，R1表示第一电阻的阻值，R2表示第二电阻的阻值，C3表示第三电容的电容值。
在一些实施例中，桥臂驱动电路包括：桥臂模块；和，至少一个上述任一项的串扰抑制电路，与桥臂模块电连接。
可选地，串扰抑制电路包括两个；桥臂模块包括：上桥臂模块，具有第一驱动芯片、第一场效应管和第一串扰抑制电路，第一串扰抑制电路设置在第一桥臂驱动芯片和第一场效应管之间；下桥臂模块，具有第二驱动芯片、第二场效应管和第二串扰抑制电路，第二串扰抑制电路设置在第二桥臂驱动芯片和第二场效应管之间。
在一些实施例中，电子设备包括上述任一桥臂驱动电路。
可选地，电子设备为整流器或变频器。
本公开实施例提供的串扰抑制电路、桥臂驱动电路及电子设备，可以实现以下技术效果：
在场效应管关断的情况下，通过负压产生电路在场效应管的栅极产生负电压，进而保持场效应管的关断状态，从而抑制了场效应管之间的串扰现象，避免了场效应管的受到串扰影响而开通的现象。
以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：
图1是相关技术中的桥臂驱动电路的结构示意图；
图2是本公开实施例提供的一个用于桥臂驱动电路的串扰抑制电路的结构示意图；
图3是本公开实施例提供的另一个用于桥臂驱动电路的串扰抑制电路的结构示意图；
图4是本公开实施例提供的又一个用于桥臂驱动电路的串扰抑制电路的结构示意图；
图5是本公开实施例提供的再一个用于桥臂驱动电路的串扰抑制电路的结构示意图；
图6是本公开实施例提供的一个桥臂驱动电路的具体结构示意图；
图7是本公开实施例提供的一个半桥结构电路串扰抑制装置的逻辑时序图；
图8是发生正向串扰时相关技术中的负压驱动电路和本申请实施例的栅极驱动电压对比图；
图9是发生负向串扰时，相关技术中的负压驱动电路和本申请实施例的栅极驱动电压对比图。
具体实施方式
为了能够更加详尽地了解本公开实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本公开实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本公开实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，一个或多个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。
本公开实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本公开实施例的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
本公开实施例中，术语“上”、“下”、“内”、“中”、“外”、“前”、“后”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本公开实施例及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本公开实施例中的具体含义。
另外，术语“设置”、“连接”、“固定”应做广义理解。例如，“连接”可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本公开实施例中的具体含义。
除非另有说明，术语“多个”表示两个或两个以上。
本公开实施例中，字符“/”表示前后对象是一种“或”的关系。例如，A/B表示：A或B。
术语“和/或”是一种描述对象的关联关系，表示可以存在三种关系。例如，A和/或B，表示：A或B，或，A和B这三种关系。
需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开实施例中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在SiC MOSFET半桥电路结构中，功率器件的快速开关会导致高阻断电压、高漏极-源极电压和漏极-电流变化率(dv/dt和di/dt)。由半桥结构中寄生电容和电感引起的串扰也将更加严重。由串扰引起的正向寄生触发脉冲可能超过阈值电压，导致不必要的开关损耗和直通问题。负向触发脉冲可能超过功率器件的负向允许最大栅极电压。如图1所示，为相关技术种的一种负电压驱动电路的结构示意图。
为了抑制半桥电路中的串扰，已经提出了许多方法。第一种方式发通过降低开关速度、增加额外的串扰电流通路和可变栅极-源极驱动电压电路。降低功率器件的开关速度。但是这种方式会极大地增加功率器件的开关损耗，目前应用范围较小。
第二种方法是在功率器件开关过程中，给串扰电流提供一个低阻抗的回路，从而抑制尖峰电压的幅值，削弱串扰给半桥电路稳定运行带来的威胁。改变栅极-源极驱动电压是另一种常用的串扰抑制方案。引入额外的辅助三极管，在功率期间开关器件，对栅极-源极电压进行实时调整，出现正向串扰电压时，将栅极-源极电压钳位到负电压，出现负向串扰电压时，将栅极-源极电压钳位到0V，以此实现对正负两个方向串扰的同时抑制。
基于此，本申请实施例提供一种串扰抑制电路，可以无需额外的控制信号的情况下抑制串扰电流，损耗较小，从而降低功率器件的损耗。
结合图2所示，为本申请实施例提供的一种串扰抑制电路200，串扰抑制电路200可以应用于桥臂驱动电路种，如图2所示，桥臂驱动电路包括驱动芯片和场效应管；串扰抑制电路包括负压产生电路201，负压产生电路201设置于驱动芯片和场效应管之间，负压产生电路201被配置为在场效应管关断的情况下，为场效应管提供负电压，以在场效应管接收到干扰电压时维持场效应管的关断状态。
本申请实施例提供的上述串扰抑制电路，在场效应管关断的情况下，通过负压产生电路在场效应管的栅极产生负电压，进而保持场效应管的关断状态，从而抑制了场效应管之间的串扰现象，避免了场效应管的受到串扰影响而开通的现象。
可选地，继续参见图2，负压产生电路201包括负压子电路2011和分压子电路2012。其中，负压子电路2011被配置为在场效应管导通的状态下充电，在场效应管关断的状态下，为场效应管提供负电压；分压子电路2012与负压子电路串联连接，分压子电路2012被配置为在场效应管导通的状态下分担负压子电路2011的电压。
结合图3所示，为本申请实施例提供的另一种串扰抑制电路300，如图3所示，串扰抑制电路300应用于桥臂驱动电路种，桥臂驱动电路包括驱动芯片和场效应管；串扰抑制电路包括负压产生电路301，负压产生电路301包括负压子电路3011和分压子电路3012。其中，负压子电路3011包括并联连接的第一电阻R1和第一电容C1，负压子电路3011的第一端连接驱动芯片，负压子电路3011的第二端与分压子电路3012共同连接至场效应管的源极。
分压子电路3012包括第二电阻R2、第二电容C2和第一二极管D1，第二电阻R2和第二电容C2并联后的第一端与第一二极管D1的负极连接，第一二极管D1的正极与负压子电路2011连接，第二电阻R2和第二电容C2并联后的第二端连接在场效应管的源极和驱动芯片之间。
具体工作时，由于在驱动芯片与场效应管的栅极之间增加了R1C1的并联支路，在场效应管的栅极和源极之间安装二极管D1和R2C2的并联支路。当场效应管M1导通时，驱动芯片给两个电容C1和C2进行充电，当场效应管M1关断时，由于二极管的单相导电性，导致主回路电容C1上的能量没有泄放回路，从而在场效应管M1的栅极处产生负电压，抑制了串扰电压对驱动电路的影响。
可选地，场效应管M1的栅极处产生的负电压的表达式为：
其中，Vdr表示驱动电源电压，VgsH表示正向门极驱动电压，VgsL表示负电压，即负向门极驱动电压。
结合图4所示，为本申请实施例提供的另一种串扰抑制电路，该串扰抑制电路在图2或图3所示串扰抑制电路的基础上，还进一步包括了桥臂串扰抑制电路401，被配置为在场效应管接收到串扰电压的情况下，生成低阻抗通路，以保持场效应管的关断状态。
可选地，桥臂串扰抑制电路401包括：门级驱动电阻Rg、正向串扰抑制电路4011和负向串扰抑制电路4012。其中，正向串扰抑制电路4011被配置为在场效应管接收到的串扰电压为正向串扰电压的情况下，生成低阻抗通路；负向串扰抑制电路4012被配置为在场效应管接收到的串扰电压为负向串扰电压的情况下，生成低阻抗通路。
这样，在桥臂驱动电路接收到正向串扰时，由正向串扰抑制电路4011产生低阻抗通路，场效应管M1流向驱动芯片的电流从低阻抗通路接地，避免对桥臂驱动电路造成影响。同样地，在桥臂驱动电路接收到负向串扰时，由负向串扰抑制电路4012产生低阻抗通路，驱动芯片流向场效应管M1的电流从低阻抗通路接地，进一步避免串扰电流对桥臂驱动电路的影响。
结合图5所示，为本申请实施例提供的又一种串扰抑制电路500，在串扰抑制电路500中，正向串扰抑制电路501包括第一三极管Q1和第三电容C3；其中，第一三极管Q1的栅极与负向串扰抑制电路3012连接，第一三极管Q1的源极连接在门级驱动电阻Rg与场效应管的栅极之间，第一三极管Q1的漏极与第三电容C3的第一端连接，第三电容C3的第二端连接在场效应管的源极和驱动芯片之间。
可选地，负向串扰抑制电路502包括第二三极管Q2和第二二极管D2；其中，第二三极管Q3的栅极与正向串扰抑制电路3011连接，第二三极管Q2的源极连接在门级驱动电阻Rg与场效应管的栅极之间，第二三极管Q2的漏极与第二二极管D2的负极连接，第二二极管D2的正极连接在场效应管的源极和驱动芯片之间。
可选地，为了保证功率器件的可靠关断，需要将负压在一个控制周期内保持相对平稳，因此需要满足以下条件：
C2＞＞Cgs
C1＞＞CgsR2/R1
R1C1＞＞Ts
R2C2＞＞Ts
C3＞＞(2～3)Cgs
其中，Cgs表示场效应管的栅极和源极之间的寄生电容，Ts表示控制周期，C1表示第一电容的电容值，C2表示第二电容的电容值，R1表示第一电阻的阻值，R2表示第二电阻的阻值，C3表示第三电容的电容值。其中，符号“＞＞”用于表征比较两端的两个值之间的差值大于预设差值。例如，C2＞＞Cgs表示C2的值与Cgs的值之间的差值大于预设差值。可以设定A＞＞B为A大于10倍B。本申请实施例中的符号＞＞的定义与上述定义相同，不再赘述。
具体工作时，上桥臂功率器件导通时，建立正向串扰抑制回路。将三极管Q3和电容C6进行串联，然后并联在功率器件的栅极和源极之间，为正向串扰电压构建低阻抗通路。当正向串扰发生时，串扰电流流经门极电阻Rg2产生一定的电压，这个电压被当做三极管的控制信号，以保证低阻抗通路仅在正向串扰发生时起到相应的作用。
VQ3＝Icrosstallk+Rg2
其中，VQ3表示三极管Q3的开启电压，通常为0.7V，Icrosstalk+表示正向串扰电流，Rg2表示功率器件的门极驱动电阻。
上桥臂功率器件关断时，建立负向串扰抑制回路。将三极管Q4和二极管D4进行串联，然后并联在功率器件的栅极和源极之间，为负向串扰电压构建低阻抗通路。当负向串扰发生时，串扰电流流经门极电阻Rg2产生一定的电压，这个电压被当做三极管的控制信号。受控的三极管和具有单相导通特性的二极管保证了低阻抗通路仅在负向串扰发生时起到相应的作用。
VQ4＝Icrosstalk-Rg2
其中，VQ4表示三极管Q4的开启电压，通常为0.7V，Icrosstalk-表示负向串扰电流，Rg2表示功率器件的门极驱动电阻。
本申请提供的上述实施例，利用二极管单向导电特性，配合电容储能以及电阻分压，搭建产生负电压的电路。借助辅助三极管与串联电容吸收功率器件关断期间产生的米勒电流，对正向串扰进行主动吸收和抑制。借助辅助三极管与串联二极管搭建针对负向串扰的低阻抗门极驱动回路，对负向串扰进行主动吸收和抑制。本发明所提供方法可以有效抑制由于功率器件快速开关产生的正向和负向串扰，解决了正向寄生电压脉冲尖峰引起的误导通问题，同时对负向电压脉冲尖峰进行有效衰减，缓解了负向电压尖峰对功率器件稳定运行的威胁。
结合图6所示，为本申请实施例提供的一种桥臂驱动电路600的具体结构示意图，桥臂驱动电路600包括桥臂模块601和上述任意一个实施例提供的串扰抑制电路602，串扰抑制电路与桥臂模块电连接。
可选地，串扰抑制电路包括两个。
可选地，桥臂模块601包括上桥臂模块6011和下桥臂模块6012。
其中，上桥臂模块6011具有第一驱动芯片、第一场效应管和第一串扰抑制电路6021，第一串扰抑制电路6021设置在第一桥臂驱动芯片和第一场效应管之间。
下桥臂模块6012具有第二驱动芯片、第二场效应管和第二串扰抑制电路6022，第二串扰抑制电路6022设置在第二桥臂驱动芯片和第二场效应管之间。
具体地，负关断电压生成电路利用电容C1H、C2H的储能和二极管的单向导电特性，在驱动芯片输出电压降为0时，将电容C1H上的电压作用在功率器件的栅-源极之间，从而实现负压关断状态。因此，负关断电压电路需要一个短暂的充电过程以保证初始状态下上桥臂功率器件MH的可靠关断。在此过程中，驱动芯片输出电压从0上升到额定值VdrH，二极管D1H导通，并给电容C1H和C2H充电。充电结束后，二极管D1H关断，阻断了电容C2H向电源负极的放电回路，电容C1H将通过电阻R1H缓慢放电，在极短的时间内，电容C1H上的电压可以被看作一个与电源极性相反且幅值恒定的负电压源，并接在功率器件的栅-源极之间，从而实现了功率器件MH的负压关断。
可选地，为本申请实施例提供的一种电子设备，包括上述任一桥臂驱动电路。
可选地，电子设备为整流器或变频器。
结合图7所示，为半桥结构电路串扰抑制装置的逻辑时序图。
上桥臂功率器件导通时，建立正向串扰抑制回路。将三极管Q3和电容C6进行串联，然后并联在功率器件的栅极和源极之间，为正向串扰电压构建低阻抗通路。当正向串扰发生时，串扰电流流经门极电阻Rg2产生一定的电压，这个电压被当做三极管的控制信号，以保证低阻抗通路仅在正向串扰发生时起到相应的作用。上桥臂功率器件关断时，建立负向串扰抑制回路，将三极管Q4和二极管D4进行串联，然后并联在功率器件的栅极和源极之间，为负向串扰电压构建低阻抗通路。当负向串扰发生时，串扰电流流经门极电阻Rg2产生一定的电压，这个电压被当做三极管的控制信号。受控的三极管和具有单相导通特性的二极管保证了低阻抗通路仅在负向串扰发生时起到相应的作用。
结合图8所示，为发生正向串扰时相关技术中的负压驱动电路和本申请实施例的栅极驱动电压对比图。
具体地，传统的负压驱动电路的负电压为-2.5V，正向串扰峰值为0.32V，以-2.5V为基准，正向串扰电压差值为2.82V。本发明实施例产生的负驱动电压为-2.5V，正向串扰峰值为-1.34V，以-2.5V为基准，正向串扰电压为1.16V，说明正向串扰得到了有效抑制。
结合图9所示，为发生负向串扰时，相关技术中的负压驱动电路和本申请实施例的栅极驱动电压对比图。
具体工作时，传统的负压驱动电路的负电压为-2.5V，负向串扰峰值为-4.85V，以-2.5V为基准，负向串扰电压差值为2.35V。本发明实施例产生的负驱动电压为-2.5V，负向串扰峰值为-3.47V，以-2.5V为基准，负向串扰电压为0.97V，说明负向串扰得到了有效抑制。
以上描述和附图充分地示出了本公开的实施例，以使本领域的技术人员能够实践它们。其他实施例可以包括结构的以及其他的改变。实施例仅代表可能的变化。除非明确要求，否则单独的部件和功能是可选的，并且操作的顺序可以变化。一些实施例的部分和特征可以被包括在或替换其他实施例的部分和特征。本公开的实施例并不局限于上面已经描述并在附图中示出的结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (12)

1.一种用于桥臂驱动电路的串扰抑制电路，其特征在于，桥臂驱动电路包括驱动芯片和场效应管；串扰抑制电路包括：
负压产生电路，设置于驱动芯片和场效应管之间，被配置为在场效应管关断的情况下，为场效应管提供负电压，以在场效应管接收到干扰电压时维持场效应管的关断状态。
2.根据权利要求1所述的串扰抑制电路，其特征在于，负压产生电路包括：
负压子电路，被配置为在场效应管导通的状态下充电，在场效应管关断的状态下，为场效应管提供负电压；
分压子电路，与负压子电路串联连接，分压子电路被配置为在场效应管导通的状态下分担负压子电路的电压。
3.根据权利要求2所述的串扰抑制电路，其特征在于，
负压子电路包括并联连接的第一电阻和第一电容，负压子电路的第一端连接驱动芯片，负压子电路的第二端与分压子电路共同连接至场效应管的源极；
分压子电路包括第二电阻、第二电容和第一二极管，第二电阻和第二电容并联后的第一端与第一二极管的负极连接，第一二极管的正极与负压子电路连接，第二电阻和第二电容并联后的第二端连接在场效应管的源极和驱动芯片之间。
4.根据权利要求1-3任一项所述的串扰抑制电路，其特征在于，还包括：
桥臂串扰抑制电路，被配置为在场效应管接收到串扰电压的情况下，生成低阻抗通路，以保持场效应管的关断状态。
5.根据权利要求4所述的串扰抑制电路，其特征在于，桥臂串扰抑制电路包括：
门级驱动电阻；
正向串扰抑制电路，被配置为在场效应管接收到的串扰电压为正向串扰电压的情况下，生成低阻抗通路；
负向串扰抑制电路，被配置为在场效应管接收到的串扰电压为负向串扰电压的情况下，生成低阻抗通路。
6.根据权利要求5所述的串扰抑制电路，其特征在于，正向串扰抑制电路包括第一三极管和第三电容；其中，
第一三极管的栅极与负向串扰抑制电路连接，第一三极管的源极连接在门级驱动电阻与场效应管的栅极之间，第一三极管的漏极与第三电容的第一端连接，第三电容的第二端连接在场效应管的源极和驱动芯片之间。
7.根据权利要求5所述的串扰抑制电路，其特征在于，负向串扰抑制电路包括第二三极管和第二二极管；其中，
第二三极管的栅极与正向串扰抑制电路连接，第二三极管的源极连接在门级驱动电阻与场效应管的栅极之间，第二三极管的漏极与第二二极管的负极连接，第二二极管的正极连接在场效应管的源极和驱动芯片之间。
8.根据权利要求7所述的电路，其特征在于，串扰抑制电路满足如下条件中的部分或者全部：
C2＞＞Cgs
C1＞＞CgsR2/R1
R1C1＞＞Ts
R2C2＞＞Ts
C3＞＞(23)Cgs
其中，Cgs表示场效应管的栅极和源极之间的寄生电容，Ts表示控制周期，C1表示第一电容的电容值，C2表示第二电容的电容值，R1表示第一电阻的阻值，R2表示第二电阻的阻值，C3表示第三电容的电容值。
9.一种桥臂驱动电路，其特征在于，包括：
桥臂模块；和，
至少一个如权利要求1-8任一项所述的串扰抑制电路，与桥臂模块电连接。
10.根据权利要求9所述的桥臂驱动电路，其特征在于，串扰抑制电路包括第一串扰抑制电路和第二串扰抑制电路；桥臂模块包括：
上桥臂模块，包括第一驱动芯片、第一场效应管和第一串扰抑制电路，第一串扰抑制电路设置在第一桥臂驱动芯片和第一场效应管之间；
下桥臂模块，包括第二驱动芯片、第二场效应管和第二串扰抑制电路，第二串扰抑制电路设置在第二桥臂驱动芯片和第二场效应管之间。
11.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求9或10所述的桥臂驱动电路。
12.根据权利要求11所述的电子设备，其特征在于，电子设备为整流器或变频器。
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