CN116840238A - 一种硅棒检测设备、检测方法及切割方法 - Google Patents

一种硅棒检测设备、检测方法及切割方法 Download PDF

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储著明
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Abstract

本申请实施例公开了一种硅棒检测设备、检测方法及切割方法，包括：机架、支撑结构和第一检测模块。支撑结构设置在机架上，支撑结构用来支撑待测硅棒，第一检测模块，第一检测模块设置在机架上；第一检测模块包括相机，相机位于支撑结构的***，且相机相对于支撑结构倾斜设置，以使得相机获取待测硅棒的端面图像和侧面图像；在本实施例中，通过相机的视野中轴线与待测硅棒的端面形成大于0度小于90度的夹角α，相机可以同时检测待测硅棒的端面以及待测硅棒的侧面，能够测硅棒缺陷及缺陷位置，方便为后续硅棒开方工序提供指导。

Description

一种硅棒检测设备、检测方法及切割方法
技术领域
本申请涉及硅棒检测技术领域，具体涉及一种硅棒检测设备检测方法及切割方法。
背景技术
针对硅棒的检测指标主要包括：直径、长度、重量、缺陷等。其中硅棒缺陷检测又可分为内部缺陷、外侧面缺陷和端面缺陷检测。现有硅棒生产厂多采用人工检测端面缺陷，仅检测硅棒端面有无凹坑、崩边、台阶、划伤等问题，当该缺陷尺寸较大或缺陷位置在硅棒晶线附近时，将直接影响后续硅棒开方工序的进行。
因此现有的技术中，缺乏一种可以检测硅棒缺陷及缺陷位置，方便为后续硅棒开方工序提供指导的技术。
发明内容
本申请实施例提供一种硅棒检测设备，硅棒检测设备可以检测硅棒的缺陷以及缺陷的位置，为后续硅棒开方工序提供指导。
本申请实施例提供一种硅棒检测设备，包括：
机架；
支撑结构，所述支撑结构设置在所述机架上，所述支撑结构用来支撑待测硅棒；
第一检测模块，所述第一检测模块设置在所述机架上；所述第一检测模块包括相机，所述相机位于支撑结构的***，且所述相机相对于所述支撑结构倾斜设置，以使得所述相机获取待测硅棒的端面图像和侧面图像。
在本申请的一些实施例中，所述硅棒检测设备还包括运动模组，所述运动模组设置在所述机架上，且所述运动模块设置在所述支撑结构的***，所述运动模组包括X轴直线模组、Y轴直线模组以及Z轴直线模组，所述X轴直线模组设置在所述机架上，所述Y轴直线模组设置在所述X轴直线模组上，所述Z轴直线模组设置在所述Y轴直线模组上，所述相机设置在所述Z轴直线运动模组上。
在本申请的一些实施例中，所述Z轴直线运动模组包括第一Z轴直线模组和第二Z轴直线模组，所述第一Z轴直线模组和所述第二Z轴直线模组相对设置，所述第一Z轴直线模组上设置有第一测距传感器，所述第二Z轴直线模组上设置有第二测距传感器，所述第一测距传感器和所述第二测距传感器相对设置。
相应的，本申请实施例还提供了一种硅棒检测方法，包括：
获取硅棒的检测图像；
将所述检测图像输入深度学习模型，确定原始检测结果，所述原始检测结果包括缺陷尺寸和/或缺陷位置；
获取缺陷评价参数，所述缺陷评价参数包括尺寸阈值和/或晶线位置；
根据所述原始检测结果和所述所述缺陷评价参数确定缺陷检测结果。
在本申请的一些实施例中，在获取所述硅棒的检测图像的步骤中，还包括获取所述硅棒位置，根据所述硅棒位置调整相机工作距离和角度。
在本申请的一些实施例中，在获取硅棒的检测图像过程中，包括获取硅棒的端面图像、获取硅棒的侧面图像，将硅棒的端面图像和硅棒的侧面图像进行对应组合；或获取硅棒的检测图像，包括同时获取硅棒的端面图像和硅棒的侧面图像。
在本申请的一些实施例中，将所述缺陷尺寸和所述尺寸阈值比较，大于则将其确定为缺陷目标。
在本申请的一些实施例中，将所述缺陷位置和晶线位置比对，缺陷边缘和晶线之间的间距小于预设间距阀值则将其确定为缺陷目标。
相应的本申请的实施例还提供了一种硅棒切割方法，
包括：所述硅棒检测方法；
根据所述缺陷检测结果，确定切割策略；
根据切割策略进行切割。
在本申请的一些实施例中，确定切割策略的步骤还包括：缺陷尺寸大于容许阈值或缺陷边缘和晶线之间的间距小于预设间距阀值，则制定硅棒截断策略；或缺陷尺寸小于容许阈值且缺陷边缘和晶线之间的间距小于预设间距阀值，则制定硅棒开方策略。
本申请实施例包括机架、支撑结构和第一检测模块，支撑结构设置在机架上，支撑结构用来支撑待测硅棒；所述第一检测模块设置在所述机架上；所述第一检测模块包括相机，所述相机位于支撑结构的***，且所述相机相对于所述支撑结构倾斜设置，以使得所述相机获取待测硅棒的端面图像和侧面图像。在本实施例中，通过相机的视野中轴线与待测硅棒在宽度方向形成大于0度小于90度的夹角，相机可以同时检测待测硅棒的端面以及待测硅棒的侧面，且待测硅棒的端面图像区域与侧面图像区域在同一帧上，可以测硅棒缺陷及缺陷位置，方便为后续硅棒开方工序提供指导。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例1提供的硅棒检测设备俯视示意图；
图2是本申请实施例1提供的相机与待测硅棒间的光路示意图；
图3是本申请实施例1提供的硅棒检测设备的结构示意图；
图4是本申请实施例1提供的运动模组结构示意图；
图5是本申请实施例1提供的相机采集到的端面图像区域与侧面图像区域的图像；
图6是本申请实施2提供的硅棒检测方法示意图；
图7是本申请实施3提供的硅棒切割方法示意图。
附图标记说明：
硅棒检测设备100、
机架1、
支撑结构2、第一支撑组件21、第一基座21a、第一支撑架21b、第二支撑组件22、第二基座22a、第二支撑架22b、滚轴23、
第一检测模块3、相机31、补光单元32、端面图像区域A1、侧面图像区域A2、
运动模组4、X轴直线模组41、Y轴直线模组42、Z轴直线模组43、安装板43a、第一Z轴直线模组431、第二Z轴直线模组432、第一测距传感器431a、第二测距传感器432a、
待测硅棒A、缺陷B、晶线C、端面图像区域与侧面图像区域分界线D、
夹角α。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
实施例1
请参考图1，本申请实施例提供一种硅棒检测设备100，包括：机架1、支撑结构2和第一检测模块3。支撑结构2设置在机架1上，支撑结构2用来支撑待测硅棒A。第一检测模块3包括相机31，相机31位于支撑结构2的***，且相机31相对于支撑结构2倾斜设置，以使得相机31获取待测硅棒A的端面图像和侧面图像。具体地，相机31的视野中轴线与待测硅棒A的端面形成大于0度小于90度的夹角，
请参阅图5，可以理解的是，本申请实施例包括机架1、支撑结构2和第一检测模块3。支撑结构2设置在机架1上，支撑结构2用来支撑待测硅棒A。第一检测模块3设置在机架1上且第一检测模块3设置在支撑结构2的***，第一检测模块3包括相机31。需要说明的是，在设备的工作过程中，待测硅棒A的端面与支撑结构2在宽度方向上重叠，为了方便描述以及体现相机31在工作过程中与待测硅棒A的关系，在下文中，利用待测硅棒A的端面来代替支撑结构2在宽度方向上的相关描述。相机31的视野中轴线与待测硅棒A的端面形成大于0度小于90度的夹角α。在本实施例中，通过相机31的视野中轴线与待测硅棒A的端面形成大于0度小于90度的夹角α，相机31可以同时检测待测硅棒A的端面以及待测硅棒A的侧面，且待测硅棒A的端面图像区域A1与侧面图像区域A2在同一帧上，可以更加清晰的反应出侧面与端面之间的缺陷关系。端面图像区域A1与侧面图像区域A2。
可以理解的是，待测硅棒A的端面可能存在缺陷，且该种缺陷如果在晶线附近将会影响后续开方工艺，因此需要同时检测待测硅棒A的端面以及侧面，进而分析出缺陷与晶线之间的关系，给后续的开方工艺提供指导参数。
请参阅图5，需要说明的是，在本实施例中，图像信息包括但不限于晶线的位置、硅棒的尺寸、硅棒端面的缺陷分布情况、硅棒侧面的缺陷B分布情况或硅棒晶线的分布情况等信息。需要说明的是，缺陷B的表现形式包括崩边、凹坑、台阶、划伤等。一些缺陷B会位于端面图像区域与侧面图像区域分界线D。
可选地，在本申请的一些实施例中，相机31与机架1铰连接。
可以理解的是，相机31与机架1铰连接，方便调节相机31的视野中轴线与待测硅棒A的端面形成的夹角α。
请参考图2和图5，可选的，在本实施例中，夹角α包括1度、30度、45度、60度或89度。
可以理解的是，相机31视野中轴线与待测硅棒A的端面的夹角α在大于零度小于45度时，采集的画面中，端面的画面比重大于侧面的成像比重。当相机31视野中轴线与待测硅棒A的端面的夹角α为45度时，采集的画面中，端面的画面比重等于侧面的成像比重。当相机31视野中轴线与待测硅棒A的端面的夹角α在大于45度小于90度时，端面的画面比重小于于侧面的成像比重。通过灵活调整相机31视野中轴线与待测硅棒A的端面的夹角α，硅棒检测设备100可以依据待测硅棒A的信息进行灵活调整。待测硅棒A的信息包括但不限于，晶线的位置、硅棒的尺寸、硅棒端面的缺陷分布情况、硅棒侧面的缺陷分布情况或硅棒晶线C的分布情况等信息。
请参考图3，可选的，在本实施例中，支撑结构2包括第一支撑组件21和第二支撑组件22，第一支撑组件21和第二支撑组件22相对设置且第一支撑组件21和第二支撑组件22之间可以相对运动。
可以理解的是，在本实施例中，第一支撑组件21和第二支撑组件22相对设置且第一支撑组件21和第二支撑组件22之间可以相对运动，支撑结构2可以支撑不同尺寸的硅棒。可以理解的是，第一支撑组件21和第二支撑组件22之间的距离越近，此时支撑结构2适应于支撑小尺寸的硅棒，第一支撑组件21和第二支撑组件22之间的距离越远，此时支撑结构2适应于支撑大尺寸的硅棒。通过调整第一支撑组件21和第二支撑组件22之间的距离，硅棒检测设备100可以适应于检测不同尺寸的硅棒。需要说明的是，第一支撑组件21和第二支撑组件22之间可以相对运动，可以是第一支撑组件21向第二支撑组件22运动，也可以是第二支撑组件22向第一支撑组件21运动，还可以是第一支撑组件21和第二支撑组件22做相向运动，在此不做限定。
可选的，在本申请的一些实施例中，第一支撑组件21包括第一基座21a和第一支撑架21b，第一支撑架21b滑动设置在第一支撑基座上；和/或第二支撑组件22包括第二基座22a和第二支撑架22b，第二支撑架22b滑动设置设置在第二支撑基座上。
可以理解的是，第一基座21a上设置有第一引导机构，第一支撑架21b上设置有第一滑动机构，第一引导机构与第一滑动机构的滑动配合方式包括轨道配合、滑槽配合也可以是滚轮配合。其中驱动第一支撑架21b运动的驱动方式可以是电机驱动也可以是气缸驱动。和/或第二基座22a上设置有第二引导机构，第二支撑架22b上设置有第二滑动机构，第二引导机构与第二滑动机构的配合方式包括轨道配合、滑槽配合也可以是滚轮配合。其中驱动第二支撑架22b运动的驱动方式可以是电机驱动也可以是气缸驱动。
需要说明的是，在一些实施例中，第一支撑组件21的结构与第二支撑组件22的结构可以相同，也可以不同。即第一支撑组件21包括第一基座21a和第一支撑架21b，第一支撑架21b滑动设置在第一支撑基座上；第二支撑组件22为第二支撑架22b，第二支撑架22b安装在机架1上。或第二支撑组件22包括第二基座22a和第二支撑架22b，第一支撑架21b滑动设置在第一支撑基座上；第一支撑组件21为第一支撑架21b，第一支撑架21b安装在机架1上。
可选的，在本实施例中，第一支撑架21b上还设置有滚轴23；和/或第二支撑架22b上还设置有滚轴23。
可以理解的是，在本实例中，第一支撑架21b上还设置有滚轴23；和/或第二支撑架22b上还设置有滚轴23，方便待测硅棒A进行旋转，在旋转过程中，相机31可以检测到整个端面和侧面信息。在本实施例中，第一支撑架21b上的滚轴23和第二支撑架22b上的滚轴23，至少一为主动滚轴。硅棒检测设备100还包括旋转电机，旋转电机带动主动滚轴进行旋转，进而带动待测硅棒A旋转。
请参考图3，可选的，在本实施例中，第一检测模块3还包括至少一补光单元32。补光单元32绕支撑结构2设置。例如，补光单元32包括第一补光单元32和第二补光单元32，第一补光单元32设置在靠近待测硅棒A端面的一侧，第二补光单元32设置在靠近待测硅棒A侧面的一侧。
可以理解的是，补光单元32可以进一步提高相机31采集到的图像质量。
可选的，在本申请的一些实施例中，补光单元32与机架1铰连接。
可以理解的是，补光单元32与机架1铰连接，方便补光单元32调整补光区域。
请参考图4，可选的，在本申请的一些实施例中，检测设备还包括运动模组4，运动模组4设置在机架1上，且运动模组设置在支撑结构2的***，运动模组4包括,X轴直线模组41、Y轴直线模组41以及Z轴直线模组41，X轴直线模组41设置在机架1上，Y轴直线模组41设置在X轴直线模组41上，Z轴直线模组41设置在Y轴直线模组41上，相机31设置在Z轴直线运动模组4上。
可以理解的是，硅棒检测设备100上设置运动模组4，相机31设置在运动模组4上，运动模组4可以带动相机31在三维空间移动，相机31可以位于三维空间的任一坐标位置。运动模组4可以使相机31根据待测硅棒A的信息，灵活调整相机31与待测硅棒A的距离，提高相机31的图像采集质量。
需要说明的是，X轴直线模组41直线模组包括X轴安装架，X轴安装架安装在机架1上，X轴安装架远离安装架的一侧设置有X轴引导结构，Y轴直线模组41包括Y轴安装架，Y轴安装架面向X轴安装架的一侧设置有Y轴滑动结构，X轴引导结构与Y轴滑动结构滑动配合，包括槽配合、传送带配合或滚轮配合。X轴引导结构引导Y轴直线模组41沿X轴方向上往复运动。驱动Y轴直线模组41运动的驱动方式可以是电机驱动，也可以是气缸驱动。Y轴安装架远离X轴直线模组41的一侧还设置有Y轴导向机构，Y轴导向结构引导Z轴直线模组41沿着Y轴方向上直线移动。Z轴直线模组41包括Z轴安装架，Z轴安装架设置在Y轴直线模组41远离X轴安装模组的一侧，Z轴安装架远离Y轴直线模组41的一次还设置有Z轴引导结构，Z轴直线安装模组还包括Z轴安装板，Z轴引导结构引导Z轴安装板沿Z轴方向上直线运动。相机31设置在运动模组4上，X轴直线模组41、Y轴直线模组41和Z轴直线模组41通过相互配合，实现相机31在三维空间移动，相机31可以位于三维空间的任一坐标位置。
需要说明的是，X轴方向为沿待测硅棒A的长度方向，Y轴方向为沿待测硅棒A的宽度方向，Z轴为竖直方向，其中X轴方向和Y轴方向均为水平方向。
可选的，在本申请的一些实施例中，Z轴直线模组41上设置有安装板43a，相机31与安装板43a铰连接。
可以理解的是，相机31与安装板43a铰连接，方便调节相机31的视野中轴线与待测硅棒A的端面形成的夹角α。相机31与运动模组4的配合，可以实现相机31的视野中轴线与待测硅棒A的端面形成的夹角α、相机31与待测硅棒A的距离可调。提高检测的灵活性。
可选的，在本申请的一些实施例中，Z轴直线运动模组4包括第一Z轴直线模组41和第二Z轴直线模组41，第一Z轴直线模组41和第二Z轴直线模组41相对设置，第一Z轴直线模组41上设置有第一测距传感器431a，第二Z轴直线模组41上设置有第二测距传感器432a，第一测距传感器431a和第二测距传感器432a相对设置。第一测距器或第二测距器包括激光测距器、超声波测距器、红外线测距器、视觉测距器。
可以理解的是，第一测距传感器431a和第二测距传感器432a可以测出待测硅棒A的尺寸，为调整相机31与待测硅棒A的距离提供参考依据。
实施例2
请参阅图6，本申请的实施例还提供了一种硅棒检测方法，包括：获取待测硅棒A的检测图像。将检测图像输入深度学习模型，确定原始检测结果，原始检测结果包括缺陷B尺寸和/或缺陷B位置。获取缺陷B评价参数，缺陷B评价参数包括尺寸阈值和/或晶线C位置。根据原始检测结果和缺陷B评价参数确定缺陷B检测结果。
需要说明的是，检测图像包括硅棒的端面和侧面的图像信息。图像信息包括但不限于晶线C的位置、硅棒的尺寸、硅棒端面的缺陷B分布情况、硅棒侧面的缺陷B分布情况或硅棒晶线C的分布情况等信息。需要说明的是，缺陷B的表现形式包括崩边、凹坑、台阶、划伤等。一些缺陷B会位于端面图像区域A1与侧面图像区域分界线D。
可选的，在本实施例中，在获取硅棒的待检测图像的步骤中，还包括获取硅棒位置，根据硅棒位置调整相机31工作距离和夹角α。
可选的，在本实施例中，夹角α包括1度、30度、45度、60度或89度。
可以理解的是，在调整硅棒与相机31的夹角α时，包括但不限于采用相机31视野中轴线作为参照依据，相机31视野中轴线与待测硅棒A的端面的夹角α在大于零度小于45度时，采集的画面中，端面的画面比重大于侧面的成像比重。当相机31视野中轴线与待测硅棒A的端面的夹角α为45度时，采集的画面中，端面的画面比重等于侧面的成像比重。当相机31视野中轴线与待测硅棒A的端面的夹角α在大于45度小于90度时，端面的画面比重小于于侧面的成像比重。通过灵活调整相机31视野中轴线与待测硅棒A的端面的夹角α，硅棒检测设备100可以依据待测硅棒A的信息进行灵活调整。待测硅棒A的信息包括但不限于，晶线C的位置、硅棒的尺寸、硅棒端面的缺陷B分布情况、硅棒侧面的缺陷B分布情况或硅棒晶线C的分布情况等信息。
可选的，在本实施例中，在获取硅棒的检测图像过程中，包括获取硅棒的端面图像、获取硅棒的侧面图像，将硅棒的端面图像和硅棒的侧面图像进行对应组合；或获取硅棒的检测图像，包括同时获取硅棒的端面图像和硅棒的侧面图像。
可以理解的是，在获取硅棒的检测图像过程中，包括获取硅棒的端面图像、获取硅棒的侧面图像，将硅棒的端面图像和硅棒的侧面图像进行对应组合。在此过程中，可以方便相机分别采集端面图像和侧面图像，采集到的图像质量更高。在一些实施例中，获取硅棒的检测图像，包括同时获取硅棒的端面图像和硅棒的侧面图像。在此过程中，相机可以同时采集到端面图像和侧面图像，可以减少相机的运动工序，提高生产效率。
可选的，在本实施例中，在获取硅棒位置的步骤中还包括，运动模组4带动相机31在三维空间移动。
可以理解的是，运动模组4带动相机31进行移动，相机31可以位于三维空间的任一坐标位置。运动模组4可以使相机31根据待测硅棒A的信息，灵活调整相机31与待测硅棒A的距离，提高相机31的图像采集质量。
可选的，在本实施例中，将缺陷B尺寸和尺寸阈值比较，大于则将其确定为缺陷目标。
可选的，在本实施例中，将缺陷B位置和晶线C位置比对，缺陷边缘和晶线之间的间距小于预设间距阀值则将其确定为缺陷目标。
进一步的，在一些实施例中，依据缺陷B的尺寸，动态选择预设间距阈值。
可以理解的是，依据缺陷B的尺寸，动态选择预设间距阈值，避免一些可以利用的硅棒被当做不合格品被浪费，进而避免硅棒材料产生浪费，节约生产成本。
可以理解的是，通过确定缺陷目标可以为后续的切割工艺提供指导依据。
实施例3
请参阅图7，本实施例还提供了一种硅棒切割方法，包括如实施例2所阐述的硅棒检测方法；根据缺陷检测结果，确定切割策略；根据切割策略进行切割。
可以理解是，本实施例的硅棒切割方法，可以有效提高硅棒的利用效率，降低了生产成本，还可以及时去除不符合标准的部分硅棒，提高了硅片生产的良率。
可选的，在本实施例中，确定切割策略的步骤还包括：缺陷B尺寸大于容许阈值或缺陷边缘和晶线之间的间距小于预设间距阀值，则制定硅棒截断策略；或缺陷B尺寸小于容许阈值且缺陷边缘和晶线之间的间距小于预设间距阀值，则制定硅棒开方策略。
可以理解的是，可以有效提高硅棒的利用效率，降低了生产成本，还可以及时去除不符合标准的部分硅棒，提高了硅片生产的良率。
以上对本申请实施例所提供的一种硅棒检测设备、检测方法及切割方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (10)

1.一种硅棒检测设备，其特征在于，包括：
机架；
支撑结构，所述支撑结构设置在所述机架上，所述支撑结构用来支撑待测硅棒；
第一检测模块，所述第一检测模块设置在所述机架上；所述第一检测模块包括相机，所述相机位于支撑结构的***，且所述相机相对于所述支撑结构倾斜设置，以使得所述相机获取待测硅棒的端面图像和侧面图像。
2.根据权利要求1所述的一种硅棒检测设备，其特征在于，所述硅棒检测设备还包括运动模组，所述运动模组设置在所述机架上，且所述运动模组设置在所述支撑结构的***，所述运动模组包括X轴直线模组、Y轴直线模组以及Z轴直线模组，所述X轴直线模组设置在所述机架上，所述Y轴直线模组设置在所述X轴直线模组上，所述Z轴直线模组设置在所述Y轴直线模组上，所述相机设置在所述Z轴直线运动模组上。
3.根据权利要求2所述的一种硅棒检测设备，其特征在于，所述Z轴直线运动模组包括第一Z轴直线模组和第二Z轴直线模组，所述第一Z轴直线模组和所述第二Z轴直线模组相对设置，所述第一Z轴直线模组上设置有第一测距传感器，所述第二Z轴直线模组上设置有第二测距传感器，所述第一测距传感器和所述第二测距传感器相对设置。
4.一种硅棒检测方法，其特征在于，包括：
获取硅棒的检测图像；
将所述检测图像输入深度学习模型，确定原始检测结果，所述原始检测结果包括缺陷尺寸和/或缺陷位置；
获取缺陷评价参数，所述缺陷评价参数包括尺寸阈值和/或晶线位置；
根据所述原始检测结果和所述所述缺陷评价参数确定缺陷检测结果。
5.根据权利要求4所述的硅棒检测方法，其特征在于，在获取所述硅棒的检测图像的步骤中，还包括获取所述硅棒位置，根据所述硅棒位置调整相机工作距离和角度。
6.根据权利要求4所述的硅棒检测方法，其特征在于，在获取硅棒的检测图像过程中，包括获取硅棒的端面图像、获取硅棒的侧面图像，将硅棒的端面图像和硅棒的侧面图像进行对应组合；或获取硅棒的检测图像，包括同时获取硅棒的端面图像和硅棒的侧面图像。
7.根据权利要求6所述的硅棒检测方法，其特征在于，将所述缺陷尺寸和所述尺寸阈值比较，大于则将其确定为缺陷目标。
8.根据权利要求7所述的硅棒检测方法，其特征在于，将所述缺陷位置和晶线位置比对，缺陷边缘和晶线之间的间距小于预设间距阀值则将其确定为缺陷目标。
9.一种硅棒切割方法，其特征在于，包括权利要求4-8任意项所述的硅棒检测方法；
根据所述缺陷检测结果，确定切割策略；
根据切割策略进行切割。
10.根据权利要求9所述的硅棒切割方法，其特征在于，确定切割策略的步骤还包括：缺陷尺寸大于容许阈值或缺陷边缘和晶线之间的间距小于预设间距阀值，则制定硅棒截断策略；或缺陷尺寸小于容许阈值且缺陷边缘和晶线之间的间距小于预设间距阀值，则制定硅棒开方策略。
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