CN116768342A - 内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置及其处理工艺 - Google Patents

内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置及其处理工艺 Download PDF

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CN116768342A CN202310913372.2A CN202310913372A CN116768342A CN 116768342 A CN116768342 A CN 116768342A CN 202310913372 A CN202310913372 A CN 202310913372A CN 116768342 A CN116768342 A CN 116768342A
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谢占山
包卫彬
张雪松
罗洪波
黄满红
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Nantong Huaxin Environmental Protection Technology Co ltd
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Shanghai Jiaotong University
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Abstract

本发明提出了内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置及其处理工艺,涉及污水处理领域。其包括池体,所述池体包括沉淀区,所述沉淀区内设置若干斜管,所述斜管与池体内壁固定连接,所述斜管倾斜设置,所述池体一端开设出水口,所述出水口与沉淀区相互连通,所述出水口位于斜管上方,所述池体靠近出水口一端的外壁上固定设置出水槽体,所述出水口内设置若干分流组件,所述分流组件用于将池体大部分清液移动至出水槽体内,所述分流组件用于将池体小部分清液回流至沉淀区内。本申请具有加快污水固液分离过程,提高污水处理效率的效果。

Description

内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置及其处理工艺
技术领域
本发明涉及污水处理技术领域,尤其是涉及内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置及其处理工艺。
背景技术
随着城镇化进程的不断推进,城市污水处理厂处理的污水规模和复杂程度与日俱增,污水的来源也从单一的生活污水,逐渐演变为混合了生活污水、工业废水、初期雨水等的多元污染废水。多元污染废水中存在着多种难降解污染物质,并可能具有生物毒性,对传统的污水处理工艺发起了巨大挑战。特别是在多元污染废水的深度处理环节,为难降解污染物的攻坚环节,如不进行高效处理,则会导致深度处理的失败,甚至引发二次污染。
多元污染废水的常规深度处理装置一般包括二沉池、磁混凝沉淀池、高效吸附池、MBR或SBR设备、电解池等。上述装置能够在一定程度起到废水深度处理效果,但也同时存在运行费用较高、运行维护困难、处理效率有限等不足,而且只重视“废水”的深度处理,却忽视了“气味”的深度除臭,导致经深度处理的废水仍具有难以去除的异味,难以直接进行再生利用或排放。
因此,上述技术领域亟需一直能够高效实现多元污染废水深度处理和气味无臭化的新技术。
发明内容
为了提高多元污染废水深度污水处理和除臭效果,本申请提供了内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置及其处理工艺。
本申请提供的内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置采用如下的技术方案:
内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置,包括池体,所述池体包括沉淀区,所述沉淀区内设置若干斜管,所述斜管与池体内壁固定连接,所述斜管倾斜设置,所述池体一端开设若干出水口,所述出水口与沉淀区相互连通,所述出水口位于斜管上方,所述池体靠近出水口一端的外壁上固定设置出水槽体,所述出水口内设置分流组件,所述分流组件用于将池体大部分清液移动至出水槽体内,所述分流组件用于将池体小部分清液回流至沉淀区内。
通过采用上述技术方案,产生磁混凝效果后的污水在斜管下方进行沉淀,污水中形成的磁混凝沉淀物受到斜管阻挡滞留在斜管下方,进而形成的磁混凝沉淀物受重力因素向下沉积至池体底部,而去除杂质后的清液通过出水口内的分流组件进行分流,池体内大部分清液排放至出水槽体内,池体内小部分清液回流至沉淀区内的污水中,清液注入沉淀区内后,一方面清液会均匀地分布在污水中,降低污水中絮体的密度,使絮体更容易沉淀,另一方面,清液中含有的微电粉与污水中的悬浮物发生反应产生磁混凝效果,促进污水中的悬浮物形成磁混凝沉淀物,进而便于污水中的悬浮物沉淀和污水内电性深度除臭,强化微电粉的絮凝沉淀效果,提高微电粉利用率,达到加速污水中悬浮物沉淀的效果,提高污水处理效率。
作为优选,所述分流组件包括出水泵、三通管和回流管,所述出水泵的输入端与沉淀区相互连通,所述出水泵的输出端与三通管的输入端相互连通,所述三通管其中一输出端与出水槽体相互连通,所述三通管另一输出端与回流管一端相互连通,所述回流管另一端与沉淀区相互连通。
通过采用上述技术方案,去除磁混凝沉淀物后的清液由出水泵输入到三通管中,三通管中大部分清液排放至出水槽体内,三通管中小部分清液排放至回流管中,回流管中的清液排放至沉淀区内的污水中。
作为优选,所述池体远离出水口一端设置进水管,所述池体还包括混凝区和絮凝区,所述进水管与混凝区相互连通,所述絮凝区位于混凝区和沉淀区之间,所述混凝区与絮凝区之间固定设置挡板一,所述挡板一外壁与池体内壁相互贴合,所述絮凝区和沉淀区之间固定设置挡板二,所述挡板二外壁与池体内壁相互贴合。
通过采用上述技术方案,污水由进水管均匀通入混凝区后,向混凝区内的污水中均匀加入混凝剂,污水与混凝剂混合后从挡板一上方溢入絮凝区,再向絮凝区的污水中均匀加入助絮剂,与助絮剂混合后的污水从挡板二上方溢入沉淀区沉淀,实现均匀进水和配水的效果。
作为优选,所述池体上固定设置混凝管和絮凝管,所述混凝管与混凝区相互连通,所述絮凝管与絮凝区相互连通,所述池体上固定设置支撑板,所述支撑板顶部固定设置混凝电机,所述混凝电机的输出轴贯穿支撑板,所述混凝电机的输出轴上固定设置混凝杆,所述混凝杆远离混凝电机一端固定设置一组混凝叶片,所述混凝杆和混凝叶片均位于混凝区内。
通过采用上述技术方案,混凝剂由混凝管向混凝区内均匀注入,助絮剂由絮凝管向絮凝区内均匀注入,使混凝剂和助絮剂精确投加,混凝电机启动,混凝电机带动混凝杆转动,混凝杆转动带动混凝叶片转动,混凝叶片转动带动混凝区内的污水和混凝剂充分混合,便于使污水中产生磁混凝效果。
作为优选,所述支撑板顶部固定设置絮凝电机,所述絮凝电机的输出轴均贯穿支撑板,所述絮凝电机的输出轴上固定设置絮凝杆,所述絮凝杆侧壁上固定设置一组絮凝板,所述絮凝杆和絮凝板均位于絮凝区内。
通过采用上述技术方案,絮凝电机启动,絮凝电机带动絮凝杆转动,絮凝杆转动带动絮凝板转动,絮凝板转动带动絮凝区内的污水和助絮剂充分混合,便于使污水中产生磁混凝效果。
作为优选,所述絮凝区内固定设置挡墙,所述挡墙端壁与池体内壁相互贴合,所述挡墙顶部高于挡板二顶部,所述挡墙底部低于挡板二顶部且与池体底壁存在间隙。
通过采用上述技术方案,絮凝区内的的挡墙阻挡污水直接通过挡板二顶部进入沉淀区,进而减缓絮凝区内的污水向沉淀区内流动的速度,进而使污水内的悬浮物充分反应形成磁混凝沉淀物。
作为优选,所述沉淀区内固定设置导流板,所述导流板端壁与池体内壁相互贴合,所述导流板顶部高于挡板二顶部,所述导水板底部靠近池体底壁且与池体底壁存在间隙,所述回流管远离出水槽体一端贯穿导流板。
通过采用上述技术方案,当絮凝区内的污水溢入沉淀区内后,污水受到导流板的阻挡,使污水只能通过导流板下方通过,污水通过导流板后向上移动,污水内形成的磁混凝沉淀物受到斜管的阻挡,使污水内的磁混凝沉淀物滞留在在斜管下方,而清液通过斜管由出水口排出,达到污水固液分离的效果。
作为优选,所述池体底部设置输送泵,所述输送泵与沉淀区相互连通,所述沉淀区底部固定设置支架,所述支架上固定设置防水电机,所述防水电机的输出轴贯穿支架,所述防水电机的输出轴上固定设置框架,所述框架上对称设置一组刮泥板。
通过采用上述技术方案,防水电机启动,防水电机带动框架转动,框架转动带动刮泥板转动,刮泥板转动刮动弧形面上的磁混凝沉淀物,减少形成的磁混凝沉淀物粘附在池体底壁的情况,便于输送泵将池体的形成的磁混凝沉淀物向外抽出。
作为优选,所述沉淀区底部设置弧形面,所述刮泥板底壁与弧形面相贴合。
通过采用上述技术方案,弧形面向下凹陷,使磁混凝沉淀物向沉淀区底部中心聚集,进而便于输送泵向外排出。
本申请提供的内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理工艺采用如下的技术方案:
步骤1、将污水通过进水管通入混凝区内,将混凝剂通过混凝管通入混凝区内,启动混凝电机将混凝区内的污水和混凝剂混合均匀;
步骤2、污水和混凝剂在混凝区内混合后从挡板一上方溢入絮凝区;
步骤3、将助絮剂通过絮凝管通入絮凝区内,启动絮凝电机将絮凝区内的絮凝剂、混凝剂和污水混合均匀;
步骤4、絮凝剂、混凝剂和污水在絮凝区内混合后从挡板二上方溢入沉淀区;
步骤5、沉淀区内的污水混合物在斜管下方进行沉淀;污水中形成的磁混凝沉淀物受到斜管阻挡滞留在斜管下方,且絮体受重力因素向下沉积至池体底部;去除杂质后的清液流向出水口;
步骤6、出水口内的清液由出水泵输入到三通管中;三通管中大部分清液排放至出水槽体内,三通管中小部分清液排放至回流管中;回流管中的清液排放至沉淀区内的污水中;
步骤7、启动防水电机,防水电机刮动沉淀区底壁上的磁混凝沉淀物;启动输送泵,输送泵将沉淀区内的磁混凝沉淀物向外抽出。
综上所述,本申请包括以下至少一种有益技术效果:
1.通过设置包括池体、沉淀区、斜管、出水口、出水槽体和分流组件,强化微电粉的絮凝沉淀效果,提高微电粉回收率,达到加快磁混凝沉淀物沉降过程的效果,提高污水处理效率;
2.通过设置导流板,便于使污水固液分离,达到污水净化的效果;
3.通过设置输送泵、支架、防水电机、框架和刮泥板,减少磁混凝沉淀物粘附在池体底壁的情况,便于输送泵将池体的磁混凝沉淀物向外抽出。
附图说明
图1是本申请实施例中内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置的结构示意图。
图2是本申请实施例中一体现分流组件的结构示意图。
图3是本申请实施例中内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置的剖视图。
图4是本申请实施例中体现混凝区和混凝区内部的剖视图。
图5是本申请实施例中体现刮泥板与池体连接关系的剖视图。
附图标记说明:1、池体;11、出水口;12、进水管;13、支撑板;2、沉淀区;21、导流板;22、弧形面;3、絮凝区;31、挡板二;32、絮凝管;33、絮凝电机、331、絮凝杆;332、絮凝板;34、挡墙;4、混凝区;41、挡板一;42、混凝管;43、混凝电机;431、混凝杆;432、混凝叶片;5、斜管;6、出水槽体;7、分流组件;71、出水泵;72、三通管;73、回流管;8、输送泵;9、防水电机;91、支架;92、框架;93、刮泥板。
具体实施方式
以下结合附图1-5对本申请作进一步详细说明。
本申请实施例公开内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置。参照图1至图3,其包括池体1,池体1包括沉淀区2。沉淀区2内安装若干斜管5,斜管5与池体1内壁焊接,且斜管5倾斜设置。池体1一端开设若干出水口11,出水口11与沉淀区2相互连通,且出水口11位于斜管5上方。池体1靠近出水口11一端侧壁安装出水槽体6,出水槽体6与出水口11相互连通。出水口11内安装分流组件7,分流组件7包括出水泵71、三通管72和回流管73。出水泵71的输入端与沉淀区2相互连通,出水泵71的输出端与三通管72的输入端相互连通。三通管72其中一输出端与出水槽体6相互连通,三通管72另一输出端与回流管73一端相互连通,回流管73另一端与沉淀区2相互连通。发生生磁混凝效果后的污水输入到斜管5下方,污水中形成的磁混凝沉淀物受到斜管5阻挡滞留在斜管5下方,且斜管5下方的磁混凝沉淀物受重力因素向下移动沉积到池体1底部。而去除杂质后的清液由出水泵71输入到三通管72中,三通管72中大部分清液排放至出水槽体6内,三通管72中小部分清液排放至回流管73中,回流管73中的清液排放至沉淀区2内的污水中。清液注入沉淀区2内后,一方面清液会均匀地分布在污水中,降低污水中磁混凝沉淀物的密度,使磁混凝沉淀物更容易沉淀;另一方面,清液中含有的微电粉与污水中的悬浮物发生反应产生磁混凝效果,促进污水中的悬浮物形成磁混凝沉淀物,进而便于污水中的悬浮物沉淀和污水内电性深度除臭,强化微电粉的絮凝沉淀效果,提高微电粉利用率,达到加速污水中悬浮物沉淀的效果,提高污水处理效率。
为了便于使污水中产生磁混凝效果,参照图3和图4,池体1远离出水口11一端安装进水管12,池体1还包括混凝区4和絮凝区3,进水管12与混凝区4相互连通,絮凝区3位于混凝区4和沉淀区2之间。混凝区4与絮凝区3之间安装挡板一41,挡板一41外壁与池体1内壁相互贴合且相互焊接。絮凝区3和沉淀区2之间安装挡板二31,挡板二31外壁与池体1内壁相互贴合且相互焊接。池体1上安装混凝管42和絮凝管32,混凝管42与混凝区4相互连通,絮凝管32与絮凝区3相互连通。池体1顶部沿池体1长度方向安装支撑板13,支撑板13顶部安装混凝电机43和絮凝电机33。混凝电机43的输出轴和絮凝电机33的输出轴均贯穿支撑板13。混凝电机43的输出轴上安装混凝杆431,混凝杆431远离混凝电机43一端对称安装一组混凝叶片432,混凝杆431和混凝叶片432均位于混凝区4内。絮凝电机33的输出轴上安装絮凝杆331,絮凝杆331侧壁上对称安装一组絮凝板332,絮凝杆331和絮凝板332均位于絮凝区3内。污水由进水管12进入混凝区4,混凝剂由混凝管42向混凝区4内的污水中注入。混凝电机43启动带动混凝杆431转动,混凝杆431转动带动混凝叶片432转动,混凝叶片432转动带动混凝区4内的污水和混凝剂充分混合。污水与混凝剂混合后从挡板一41上方溢入絮凝区3,助絮剂由絮凝管32向絮凝区3的污水中注入。絮凝电机33启动带动絮凝杆331转动,絮凝杆331转动带动絮凝板332转动,絮凝板332转动带动絮凝区3内的污水和助絮剂充分混合。与助絮剂混合后的污水从挡板二31上方溢入,使污水中的絮状物形成磁混凝沉淀物并在沉淀区2沉淀。
为了使污水内的悬浮物充分反应形成磁混凝沉淀物,参照图3和图4,絮凝区3内安装挡墙34,挡墙34端壁与池体1内壁相互贴合且相互焊接。挡墙34顶部高于挡板二31顶部,挡墙34底部低于挡板二31顶部且与池体1底壁存在间隙。絮凝区3内的的挡墙34阻挡污水直接通过挡板二31顶部进入沉淀区2,而是使污水由挡墙34下部通过后,再通过挡板二31顶部进入沉淀区2。减缓絮凝区3内的污水向沉淀区2内流动的速度,进而使污水内的悬浮物充分反应形成磁混凝沉淀物。
为了使污水固液分离,参照图3至图5,沉淀区2内安装导流板21,导流板21端壁与池体1内壁相互贴合且相互焊接。导流板21顶部高于挡板二31顶部,导水板底部靠近池体1底壁,回流管73远离出水槽体6一端贯穿导流板21。当絮凝区3内的污水溢入沉淀区2内后,污水受到导流板21的阻挡,使污水只能通过导流板21下方通过。而污水通过导流板21后,污水的磁混凝沉淀物向上移动受到斜管5的阻挡,进而使污水内的磁混凝沉淀物滞留在在斜管5下方,而液体通过斜管5由出水口11排出,使污水内得磁混凝沉淀物和液体分离,达到污水净化的效果。
为了便于输送泵8将池体1的沉淀物向外抽出。参照图5,池体1底部安装输送泵8,输送泵8的输入端与沉淀区2相互连通。沉淀区2底部焊接支架91,支架91上安装防水电机9,防水电机9的输出轴贯穿支架91,且防水电机9的输出轴朝向池体1顶部设置。防水电机9的输出轴上安装框架92,框架92上对称安装一组刮泥板93。沉淀区2底部设置弧形面22,弧形面22向下凹陷,且刮泥板93底壁与弧形面22相贴合。防水电机9启动,防水电机9带动框架92转动,框架92转动带动刮泥板93转动。刮泥板93转动刮动弧形面22上的沉淀物,减少沉淀物粘附在池体1底壁上的情况。而弧形面22使沉淀物向沉淀区2底部中心聚集,进而便于输送泵8向外排出。
本申请实施例内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置的实施原理为:污水依次通过进水管12、混凝区4和絮凝区3后,发生磁混凝效果后的污水进入到沉淀区2内斜管5的下方。污水内的磁混凝沉淀物受到斜管5阻挡滞留在斜管5下方,且斜管5下方的磁混凝沉淀物受重力因素向下移动,输送泵8将池体1底部的沉淀物排出。而去除杂质后的清液通过出水泵71进入三通管72内,三通管72内大部分清液进入出水槽体6内,三通管72内小部分清液回流至回流管73内。回流管73内的清液向沉淀区2排放,由回流管73排放的清液加入到沉淀区2内的污水中。清液注入沉淀区2内后,一方面清液会均匀地分布在污水中,降低污水中絮体的密度,使絮体更容易沉淀;另一方面,清液中含有的微电粉与污水中的悬浮物发生反应产生磁混凝效果,促进污水中的悬浮物形成磁混凝沉淀物,进而便于污水中的悬浮物沉淀和污水内电性深度除臭,强化微电粉的絮凝沉淀效果,提高微电粉利用率,达到加速污水中悬浮物沉淀的效果,提高污水处理效率。
本申请实施例公开内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理工艺。
步骤1、将污水通过进水管12通入混凝区4内,将混凝剂通过混凝管42通入混凝区4内,启动混凝电机43将混凝区4内的污水和混凝剂混合均匀;
步骤2、污水和混凝剂在混凝区4内混合后从挡板一41上方溢入絮凝区3;
步骤3、将助絮剂通过絮凝管32通入絮凝区3内,启动絮凝电机33将絮凝区3内的絮凝剂、混凝剂和污水混合均匀;
步骤4、絮凝剂、混凝剂和污水在絮凝区3内混合后从挡板二31上方溢入沉淀区2;
步骤5、沉淀区2内的污水混合物在斜管5下方进行沉淀;污水中凝结的絮体受到斜管5阻挡滞留在斜管5下方,且絮体受重力因素向下沉积至池体1底部;去除杂质后的清液流向出水口11;
步骤6、出水口11内的清液由出水泵71输入到三通管72中;三通管72中大部分清液排放至出水槽体6内,三通管72中小部分清液排放至回流管73中;回流管73中的清液排放至沉淀区2内的污水中;
步骤7、启动防水电机9,防水电机9刮动沉淀区2底壁上的沉淀物;启动输送泵8,输送泵8将沉淀区2内的沉淀物向外抽出。
以上均为本申请的较佳实施例,并非依此限制本申请的保护范围,故:凡依本申请的结构、形状、原理所做的等效变化,均应涵盖于本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置,包括池体(1),其特征在于:所述池体(1)包括沉淀区(2),所述沉淀区(2)内设置若干斜管(5),所述斜管(5)与池体(1)内壁固定连接,所述斜管(5)倾斜设置,所述池体(1)一端开设若干出水口(11),所述出水口(11)与沉淀区(2)相互连通,所述出水口(11)位于斜管(5)上方,所述池体(1)靠近出水口(11)一端的外壁上固定设置出水槽体(6),所述出水口(11)内设置分流组件(7),所述分流组件(7)用于将池体(1)大部分清液移动至出水槽体(6)内,所述分流组件(7)用于将池体(1)小部分清液回流至沉淀区(2)内。
2.根据权利要求1所述的内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置,其特征在于:所述分流组件(7)包括出水泵(71)、三通管(72)和回流管(73),所述出水泵(71)的输入端与沉淀区(2)相互连通,所述出水泵(71)的输出端与三通管(72)的输入端相互连通,所述三通管(72)其中一输出端与出水槽体(6)相互连通,所述三通管(72)另一输出端与回流管(73)一端相互连通,所述回流管(73)另一端与沉淀区(2)相互连通。
3.根据权利要求2所述的内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置,其特征在于:所述池体(1)远离出水口(11)一端设置进水管(12),所述池体(1)还包括混凝区(4)和絮凝区(3),所述进水管(12)与混凝区(4)相互连通,所述絮凝区(3)位于混凝区(4)和沉淀区(2)之间,所述混凝区(4)与絮凝区(3)之间固定设置挡板一(41),所述挡板一(41)外壁与池体(1)内壁相互贴合,所述絮凝区(3)和沉淀区(2)之间固定设置挡板二(31),所述挡板二(31)外壁与池体(1)内壁相互贴合。
4.根据权利要求3所述的内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置,其特征在于:所述池体(1)上固定设置混凝管(42)和絮凝管(32),所述混凝管(42)与混凝区(4)相互连通,所述絮凝管(32)与絮凝区(3)相互连通,所述池体(1)上固定设置支撑板(13),所述支撑板(13)顶部固定设置混凝电机(43),所述混凝电机(43)的输出轴贯穿支撑板(13),所述混凝电机(43)的输出轴上固定设置混凝杆(431),所述混凝杆(431)远离混凝电机(43)一端固定设置一组混凝叶片(432),所述混凝杆(431)和混凝叶片(432)均位于混凝区(4)内。
5.根据权利要求4所述的内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置,其特征在于:所述支撑板(13)顶部固定设置絮凝电机(33),所述絮凝电机(33)的输出轴均贯穿支撑板(13),所述絮凝电机(33)的输出轴上固定设置絮凝杆(331),所述絮凝杆(331)侧壁上固定设置一组絮凝板(332),所述絮凝杆(331)和絮凝板(332)均位于絮凝区(3)内。
6.根据权利要求3所述的内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置,其特征在于:所述絮凝区(3)内固定设置挡墙(34),所述挡墙(34)端壁与池体(1)内壁相互贴合,所述挡墙(34)顶部高于挡板二(31)顶部,所述挡墙(34)底部低于挡板二(31)顶部且与池体(1)底壁存在间隙。
7.根据权利要求3所述的内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置,其特征在于:所述沉淀区(2)内固定设置导流板(21),所述导流板(21)端壁与池体(1)内壁相互贴合,所述导流板(21)顶部高于挡板二(31)顶部,所述导水板底部靠近池体(1)底壁且与池体(1)底壁存在间隙,所述回流管(73)远离出水槽体(6)一端贯穿导流板(21)。
8.根据权利要求1所述的内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置,其特征在于:所述池体(1)底部设置输送泵(8),所述输送泵(8)与沉淀区(2)相互连通,所述沉淀区(2)底部固定设置支架(91),所述支架(91)上固定设置防水电机(9),所述防水电机(9)的输出轴贯穿支架(91),所述防水电机(9)的输出轴上固定设置框架(92),所述框架(92)上对称设置一组刮泥板(93)。
9.根据权利要求8所述的内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理装置,其特征在于:所述沉淀区(2)底部设置弧形面(22),所述刮泥板(93)底壁与弧形面(22)相贴合。
10.内电性沉淀耦合磁混凝分离无臭深度处理工艺,包括以下步骤:
步骤1、将污水通过进水管(12)通入混凝区(4)内,将混凝剂通过混凝管(42)通入混凝区(4)内,启动混凝电机(43)将混凝区(4)内的污水和混凝剂混合均匀;
步骤2、污水和混凝剂在混凝区(4)内混合后从挡板一(41)上方溢入絮凝区(3);
步骤3、将助絮剂通过絮凝管(32)通入絮凝区(3)内,启动絮凝电机(33)将絮凝区(3)内的絮凝剂、混凝剂和污水混合均匀;
步骤4、絮凝剂、混凝剂和污水在絮凝区(3)内混合后从挡板二(31)上方溢入沉淀区(2);
步骤5、沉淀区(2)内的污水混合物在斜管(5)下方进行沉淀;污水中凝结的絮体受到斜管(5)阻挡滞留在斜管(5)下方,且絮体受重力因素向下沉积至池体(1)底部;去除杂质后的清液流向出水口(11);
步骤6、出水口(11)内的清液由出水泵(71)输入到三通管(72)中;三通管(72)中大部分清液排放至出水槽体(6)内,三通管(72)中小部分清液排放至回流管(73)中;回流管(73)中的清液排放至沉淀区(2)内的污水中;
步骤7、启动防水电机(9),防水电机(9)刮动沉淀区(2)底壁上的沉淀物;启动输送泵(8),输送泵(8)将沉淀区(2)内的沉淀物向外抽出。
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