CN116743107A - 一种mems平面谐振器及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种MEMS平面谐振器及其制备方法。MEMS平面谐振器由振梁、桥、飞翼、腿、尾翼、带腔室的衬底构成；振梁与桥的中间相连，桥连接两个矩形状的飞翼，振梁与飞翼之间由条形状孔隔离，每个飞翼的边沿通过腿与矩形状的尾翼的边沿相连，两个飞翼、两条腿与尾翼中有矩形孔，飞翼、桥、腿与尾翼的***构成了一个大矩形；尾翼的一部分通过键合与带腔室的衬底连接形成一个整体；振梁、桥、飞翼、腿、尾翼未键合在衬底上的部分构成了MEMS平面谐振器悬空振动部位。这种MEMS平面谐振器提供了一种高Q值解决方案。
Description
技术领域
本发明属于微电子机械***领域，尤其涉及一种MEMS平面谐振器及其制备方法。
背景技术
微电子机械***(MEMS)技术的发展使得许多宏观器件得以小型化、微型化，带来了体积缩小、成本降低、功耗减小等优势，同时也开发出很多新器件。MEMS谐振器一般由体微机械加工技术或表面微机械加工技术制备而成，应用于传感器或执行器，MEMS谐振器的Q值对器件的性能有较大影响，因此通常期望最大化Q值。
为了实现MEMS谐振器导电，当谐振器材料不导电时需要在谐振器表面进行金属化，金属导电层会引入额外的能量损耗，降低谐振器的Q值。尤其是最近几年，石英玻璃壳体谐振器的研究大量涌现，三维石英玻璃壳体谐振器的导电层大幅降低了Q值。因此，需要一种高Q值谐振器能够评估10nm量级厚度金属导电层的能量损耗，挑选出合适的金属类型和金属薄膜加工工艺。1975年，B.S.Berry等利用一种石英玻璃带状谐振器测量金属内耗；2010年，A.D.Fefferman等人利用1985年A.N.Kleiman等提出的硅扭摆式谐振器测量低温下金属的内耗。目前，这些谐振器在室温下Q值通常在五万到二十万之间，测量的薄膜厚度大多在100nm量级，难以满足10nm厚度金属导电层的评估需求，亟需一种更高Q值的平面谐振器。
发明内容
本发明目的在于提供一种MEMS平面谐振器及其制备方法,以解决现有谐振器难以满足10nm厚度金属导电层的评估需求的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明的具体技术方案如下：
一种MEMS平面谐振器，其特征在于，包括振梁、桥、飞翼、腿、尾翼构成，振梁与桥的中间相连，桥连接两个矩形状的飞翼的上边沿，振梁与飞翼之间由条形状孔隔离，每个飞翼的边沿通过腿与矩形状的尾翼的边沿相连，两个飞翼、两条腿与尾翼中有矩形孔，飞翼、桥、腿与尾翼的***构成了一个大矩形；尾翼的一部分通过键合与带腔室的衬底连接形成一个整体；振梁、桥、飞翼、腿、尾翼未键合在衬底上的部分构成了MEMS平面谐振器悬空振动部位。
进一步的，MEMS平面谐振器悬空振动部位的侧壁与MEMS平面谐振器悬空振动部位的表面的夹角在80-90度之间。
进一步的，振梁、桥、飞翼、腿、尾翼的材质相同。
进一步的，振梁、桥、飞翼、腿、尾翼的材质是III-V族半导体材料、IV族半导体材料中的一种。
进一步的，衬底由硅基晶圆、化合物半导体晶圆、第三代半导体晶圆、光学晶圆或其他衬底晶圆中的一种或几种制备而成。
本发明还公开了一种MEMS平面谐振器的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、在衬底晶圆上通过湿法腐蚀或干法刻蚀加工出腔室；
步骤二、通过低温键合技术实现结构晶圆与衬底晶圆的连接；
步骤三、在结构晶圆上通过溅射、电子束蒸发、低压化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积、电镀中的一种或几种加工一层或多层保护膜；
步骤四、在结构晶圆上通过旋涂光刻胶，光刻、显影，形成窗口；
步骤五、利用湿法腐蚀、干法刻蚀、激光切割、激光诱导腐蚀、结合激光切割与化学腐蚀手段中的一种或几种加工出MEMS平面谐振器悬空振动部位；
步骤六、将晶圆划片后去除光刻胶和保护膜，清洗后得到MEMS平面谐振器。
进一步的，步骤三中的保护膜是多晶硅、无定形硅、氮化硅、Cr/Au、Cr/Au/Cr/Au、多晶硅/Cr/Au、无定形硅/SiC、Cr/Au/Ni、金属单质中的一种或多种薄膜构成的抗腐蚀薄膜。/的意思是Cr上面有Au，Cr/Au/Cr/Au表示最底下为Cr，上一层为Au，上面再有一层Cr，最上面是一层Au。
进一步的，衬底晶圆由硅基晶圆、化合物半导体晶圆、第三代半导体晶圆、光学晶圆或其他衬底晶圆中的一种或几种制备而成。
进一步的，结构晶圆是III-V族半导体材料、IV族半导体材料中的一种。
进一步的，步骤五中的激光是飞秒激光或皮秒激光。
本发明的一种MEMS平面谐振器及其制备方法，具有以下优点：
1、本发明提出的MEMS平面谐振器，在振梁产生面外振动时，应变能集中在振梁与桥的连接处，能量泄露至衬底处需经过飞翼、腿和尾翼。腿细小狭长，隔绝了大部分能量，抑制了锚区损耗的影响，有利于实现高Q值。
2、本发明提出的MEMS平面谐振器的厚度为结构晶圆厚度，振梁产生面外振动时，由于较大厚度表面损耗对Q值的限制效果不明显；通过选用合适的材料，较大厚度可以避开热弹性阻尼对Q值的影响，实现高Q值。
3、MEMS平面谐振器的平面部分与衬底材质可选用一样的材料，热膨胀系数匹配，温度变化产生的应力影响较小。衬底中的腔室由腐蚀制备而成，深度可调，且范围较大，因此MEMS平面谐振器振幅可以大至十微米量级。
4、本发明所提出了MEMS平面谐振器的制备方法，方法适用于晶圆级的MEMS加工工艺，同样也适用于激光切割这种可以单个加工工艺，方法简单，加工步骤少。制备方法中仅需进行溅射或电子束蒸发等常规MEMS微加工工艺进行一层或多层保护材料的制备，对于激光切割甚至可以不需要保护膜，直接切割进行加工。本发明MEMS平面谐振器的制备方法提供了一种圆片级制备工艺，具有低成本、大批量等特点；本发明提出激光切割或激光诱导腐蚀直接加工MEMS平面谐振器，方法简单，没有额外的加工工艺。
附图说明
图1为本发明第一实施例中MEMS平面谐振器的示意图；
图2为本发明第一实施例中MEMS平面谐振器的俯视示意图；
图3(a)为本发明MEMS平面谐振器的制备方法的第一实施例硅衬底晶圆示意图。
图3(b)为本发明MEMS平面谐振器的制备方法的第一实施例腔室加工示意图。
图3(c)为本发明MEMS平面谐振器的制备方法的第一实施例硅结构晶圆与硅衬底晶圆键合示意图。
图3(d)为本发明MEMS平面谐振器的制备方法的第一实施例键合晶圆上的硅结构晶圆减薄示意图。
图3(e)为本发明MEMS平面谐振器的制备方法的第一实施例键合晶圆上光刻胶开窗示意图。
图3(f)为本发明MEMS平面谐振器的制备方法的第一实施例MEMS平面谐振器悬空振动部位加工示意图。
图3(g)为本发明MEMS平面谐振器的制备方法的第一实施例去胶示意图。
图4(a)为本发明MEMS平面谐振器的制备方法的第二实施例至第四实施例衬底晶圆薄膜加工示意图。
图4(b)为本发明MEMS平面谐振器的制备方法的第二实施例至第四实施例腔室加工示意图。
图4(c)为本发明MEMS平面谐振器的制备方法的第二实施例至第四实施例结构晶圆与衬底晶圆键合示意图。
图4(d)为本发明MEMS平面谐振器的制备方法的第二实施例至第四实施例键合晶圆上保护膜开窗示意图。
图4(e)为本发明MEMS平面谐振器的制备方法的第二实施例至第四实施例MEMS平面谐振器悬空振动部位加工示意图。
图4(f)为本发明MEMS平面谐振器的制备方法的第二实施例至第四实施例保护膜去除示意图。
图5为本发明MEMS平面谐振器的激光加工示意图。
图中标记说明：100、MEMS平面谐振器；102、振梁；104、桥；105、条形状孔；106、飞翼；107、矩形孔；108、腿；110、尾翼；112、尾翼固定部分；114、衬底；116、腔室；120、衬底晶圆；122、薄层；124、腔室；130、结构晶圆；132、保护膜；134、窗口；136、通孔；138、MEMS平面谐振器悬空振动部位。
具体实施方式
为了更好地了解本发明的目的、结构及功能，下面结合附图，对本发明一种MEMS平面谐振器及其制备方法做进一步详细的描述。
如图1所示，一种MEMS平面谐振器，MEMS平面谐振器100由振梁102、桥104、飞翼106、腿108、尾翼110构成，振梁102与桥104的中间相连，桥104连接两个矩形状的飞翼106的上边沿，振梁102与飞翼106之间由条形状孔105隔离，每个飞翼106的边沿通过腿108与矩形状的尾翼110的边沿相连，两个飞翼106、两条腿108与尾翼110中有矩形孔107，飞翼106、桥104、腿108与尾翼110的***构成了一个大矩形；尾翼110的一部分通过键合与带腔室116的衬底114连接形成一个整体；振梁102、桥104、飞翼106、腿108、尾翼110未键合在衬底114上的部分构成了MEMS平面谐振器悬空振动部位138。
MEMS平面谐振器悬空振动部位138的侧壁与MEMS平面谐振器悬空振动部位138的表面的夹角在80-90度之间。
振梁102、桥104、飞翼106、腿108与尾翼110的材质相同。
振梁102、桥104、飞翼106、腿108与尾翼110的材质是III-V族半导体材料、IV族半导体材料中的一种，例如可以是单晶硅、单晶碳化硅、单晶氮化硅、砷化镓、石英玻璃、石英晶体、单晶氧化铝、单晶金刚石中的一种。
衬底114由硅基晶圆、化合物半导体晶圆、第三代半导体晶圆、光学晶圆或其他衬底晶圆中的一种或几种制备而成，例如可以是硅晶圆、砷化镓晶圆、磷化镓晶圆、锑化镓晶圆、磷化铟晶圆、砷化铟晶圆、锑化铟晶圆、碳化硅晶圆、氮化镓晶圆、氮化铝晶圆、氧化镓晶圆、氧化锌晶圆、石英玻璃晶圆、石英晶圆、铌酸锂晶圆、蓝宝石晶圆、金刚石晶圆、锗晶圆中的一种。
这里举一个300um厚的单晶硅MEMS平面谐振器100的例子。如图1(b)所示，MEMS平面谐振器谐振器100的腿108的宽度为0.50mm，长度为11.75mm；振梁102的宽度为1.50mm，长度为6.50mm。振梁一阶模态频率为8.5kHz左右；振梁102振幅最大，桥104和飞翼106的振幅依次减小。振梁一阶模态下，应变能主要集中在桥104和振梁102的连接处。振动能耗散至衬底需经过飞翼106和腿108至尾翼固定部分112，尤其是细长的腿108有利于隔绝能量，将从桥104跑出的能量锁在飞翼106中，降低了锚区损耗，这种结构有利于实现高Q值。300um厚度的单晶硅振梁产生面外振动时，谐振器Q值受表面损耗的影响较小。
在结构设计方面，可以通过调节振梁102的长度改变谐振频率；为了减小锚区损耗，可以进一步增加腿108的长度。对于其他厚度的MEMS平面谐振器100，改变尺寸使振梁一阶模态的本征频率在10kHz左右。MEMS平面谐振器100的尺寸主要根据具体的应用需求进行设计，无需选择10kHz作为设计基准。
一种MEMS平面谐振器的制备方法的第一实施例：
如图2所示，一种MEMS平面谐振器的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、如图2(b)所示，在12英寸500um厚度<100>晶向的硅衬底晶圆120上通过湿法腐蚀或干法刻蚀加工出深度为100um的腔室124；
步骤二、如图2(c)所示，通过低温键合技术实现12英寸300um厚度<100>晶向的硅结构晶圆130与硅衬底晶圆120的连接；
步骤三、如图2(d)所示，通过减薄、研磨、抛光将硅结构晶圆130厚度减小至50um；
步骤四、如图2(e)所示，在硅结构晶圆130上通过旋涂光刻胶132，光刻、显影，形成窗口134；
步骤五、如图2(f)所示，利用深反应离子刻蚀将硅结构晶圆刻穿，形成通孔136，加工出MEMS平面谐振器悬空振动部位138；
步骤六、如图2(g)所示，将晶圆划片后去除光刻胶132，清洗后得到MEMS平面谐振器100。
MEMS平面谐振器悬空振动部位138的侧壁与MEMS平面谐振器悬空振动部位138的表面的夹角在80-90度之间。
MEMS平面谐振器的平面部分与衬底材质均为单晶硅，热膨胀系数匹配，温度变化产生的应力影响较小。衬底中的腔室由腐蚀制备而成，深度可调，在上述例子中深度为100um，因此MEMS平面谐振器振幅可以大至十微米量级。
一种MEMS平面谐振器的制备方法的第二实施例：
如图3所示，一种MEMS平面谐振器的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、如图3(a)所示，在4英寸500um厚度<100>晶向的硅衬底晶圆120上生长一层1um厚度的氧化硅薄膜122；
步骤二、如图3(b)所示，光刻显影然后去除部分氧化硅薄膜后，在硅衬底晶圆120上通过干法刻蚀加工出深度为200um的腔室124；
步骤三、如图3(c)所示，通过低温键合技术实现4英寸300um厚度石英玻璃结构晶圆130与硅衬底晶圆120的连接；
步骤四、如图3(d)所示，在石英玻璃结构晶圆130上通过溅射厚度分别为50nm和100nm的Cr/Au金属层，电镀10um厚的金属Ni，形成Cr/Au/Ni保护膜132；在石英玻璃结构晶圆130上通过旋涂光刻胶，光刻、显影，依次刻蚀去除Ni、Au、Cr，形成窗口134；
步骤五、如图3(e)所示，利用干法刻蚀将石英玻璃结构晶圆130刻穿形成通孔136，加工出MEMS平面谐振器悬空振动部位138；
步骤六、如图3(f)所示，划片后去除保护膜132，清洗后得到MEMS平面谐振器。
这里举一个300um厚的石英玻璃MEMS平面谐振器的例子。MEMS平面谐振器100的腿108的宽度为0.50mm，长度为9.0mm；振梁102的宽度为1.50mm，长度为6.0mm。300um厚度的石英玻璃振梁产生面外振动时，谐振器Q值受表面损耗的影响较小；且谐振器振梁一阶模态频率在6kHz左右，谐振器工作在绝热区，热弹性阻尼在10-8量级，因此石英玻璃MEMS平面谐振器的热弹性阻尼可以忽略不计。
一种MEMS平面谐振器的制备方法的第三实施例：
如图3(a)至图3(c)和图4所示，一种MEMS平面谐振器的制备方法，包括以下步骤：
步骤一、如图3(a)所示，在8英寸1000um厚度的石英玻璃衬底晶圆120上用低压化学气相沉积生长一层1um厚度的多晶硅薄膜122；
步骤二、如图3(b)所示，光刻显影然后去除部分多晶硅薄膜后，在石英玻璃衬底晶圆120上通过湿法刻蚀加工出深度为50um的腔室124；
步骤三、如图3(c)所示，通过低温键合技术实现8英寸500um厚度石英玻璃结构晶圆130与石英玻璃衬底晶圆120的连接；
步骤四、如图4所示，利用激光切割在石英玻璃结构晶圆130形成通孔136，加工出MEMS平面谐振器悬空振动部位138；
步骤五、将晶圆划片后放入缓冲氧化物蚀刻液中去除激光切割带来的损伤层，清洗后得到洁净的石英玻璃MEMS平面谐振器。
步骤四中的激光是飞秒激光或皮秒激光。
这里举一个500um厚的石英玻璃MEMS平面谐振器的例子。MEMS平面谐振器100的腿108的宽度为0.50mm，长度为9.0mm；振梁102的宽度为1.50mm，长度为6.0mm。500um厚度的石英玻璃振梁产生面外振动时，表面损耗的影响可以忽略不计；且谐振器振梁一阶模态频率在10kHz左右，谐振器工作在绝热区，热弹性阻尼在10-9量级，因此石英玻璃MEMS平面谐振器的热弹性阻尼可以忽略不计。MEMS平面谐振器的平面部分与衬底材质均为石英玻璃，热膨胀系数匹配，温度变化产生的应力影响较小。
缓冲氧化物蚀刻液可以是稀释的氢氟酸(HF)溶液、HF和NH4F的混合溶液。
一种MEMS平面谐振器的制备方法的第四实施例：
如图3(a)至图3(c)和图4所示，一种石英玻璃MEMS平面谐振器的制备方法，包括以下步骤：
步骤一至步骤三与实施例四相同；
步骤四、如图4所示，MEMS平面谐振器悬空振动部位138由激光诱导腐蚀制备，具体包括：利用激光照射石英玻璃结构晶圆130特定区域，使之发生性质变化，将石英玻璃结构晶圆130放入氢氟酸溶液或氢氧化钾溶液中，腐蚀去除照射变性区域，得到石英玻璃MEMS平面谐振器悬空振动部位138。
激光是飞秒激光或皮秒激光；
激光可以是飞秒激光，例如波长为800nm的飞秒激光、波长为1030nm的飞秒激光、波长为1064nm的飞秒激光。
变性区域蚀刻液还可以是稀释的氢氟酸(HF)溶液、HF和NH4F的混合溶液等。
在实施例1至实施例4中，衬底晶圆120与结构晶圆130材质可以不同，均可用低温键合技术实现连接，MEMS平面谐振器结构138选用结构晶圆130相应的微加工工艺即可。
结构晶圆130的材质是III-V族半导体材料、IV族半导体材料中的一种，包括单晶硅、单晶碳化硅、单晶氮化硅、砷化镓、石英玻璃、石英晶体、单晶氧化铝、单晶金刚石，且并不限定于这些材质。
衬底晶圆120的材质由硅基晶圆、化合物半导体晶圆、第三代半导体晶圆、光学晶圆或其他衬底晶圆中的一种或几种制备而成，晶圆材质包括III-V族半导体材料、IV族半导体材料，具体包括硅晶圆、砷化镓晶圆、磷化镓晶圆、锑化镓晶圆、磷化铟晶圆、砷化铟晶圆、锑化铟晶圆、碳化硅晶圆、氮化镓晶圆、氮化铝晶圆、氧化镓晶圆、氧化锌晶圆、石英玻璃晶圆、石英晶圆、铌酸锂晶圆、蓝宝石晶圆、金刚石晶圆、锗晶圆等。衬底晶圆120的材质并不限定于这些材质，且注意衬底晶圆可以是由一种材质晶圆与另一种材质晶圆组合的复合晶圆，例如SOI硅片(SiliconOnInsulator——绝缘体上硅)。
一种石英玻璃MEMS平面谐振器应用于10nm金属薄膜表征的实施例：
加工一个50um厚度的石英玻璃MEMS平面谐振器：在4英寸1000um厚度的硅衬底晶圆上通过干法刻蚀加工出深度为100um的腔室；通过低温键合技术实现4英寸300um厚度的石英玻璃结构晶圆与硅衬底晶圆的连接；通过减薄、研磨、抛光将石英玻璃结构晶圆厚度减小至50um；在石英玻璃结构晶圆上通过旋涂光刻胶，光刻、显影，形成窗口；利用激光诱导腐蚀将石英玻璃结构晶圆刻穿，形成通孔，加工出石英玻璃MEMS平面谐振器悬空振动部位138；将晶圆划片后去除光刻胶，清洗后得到50um厚度的石英玻璃MEMS平面谐振器100。
将50um厚度的石英玻璃MEMS平面谐振器的衬底固定在压电陶瓷上，采用激光多普勒测振仪测量振梁一阶模态的频率和Q值。
在50um厚度的石英玻璃MEMS平面谐振器上溅射一层10nm厚度的金属铬，将衬底114固定在压电陶瓷上，采用激光多普勒测振仪测量振梁一阶模态的频率和Q值。
通过上述Q值差异可以计算出10nm金属铬的Q值。
注意，实施例中的尺寸仅作为例子，并不限定于这些尺寸。
本发明提出的MEMS平面谐振器可进一步用于测量薄膜的性能，例如包括薄膜的杨氏模量、薄膜的Q值。
可以理解，本发明是通过一些实施例进行描述的，本领域技术人员知悉的，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，可以对这些特征和实施例进行各种改变或等效替换。另外，在本发明的教导下，可以对这些特征和实施例进行修改以适应具体的情况及材料而不会脱离本发明的精神和范围。因此，本发明不受此处所公开的具体实施例的限制，所有落入本申请的权利要求范围内的实施例都属于本发明所保护的范围内。
Claims (10)
1.一种MEMS平面谐振器，其特征在于，包括振梁(102)、桥(104)、飞翼(106)、腿(108)、尾翼(110)构成，振梁(102)与桥(104)的中间相连，桥(104)连接两个矩形状的飞翼(106)的上边沿，振梁(102)与飞翼(106)之间由条形状孔(105)隔离，每个飞翼(106)的边沿通过腿(108)与矩形状的尾翼(110)的边沿相连，两个飞翼(106)、两条腿(108)与尾翼(110)中有矩形孔(107)，飞翼(106)、桥(104)、腿(108)与尾翼(110)的***构成了一个大矩形；尾翼(110)的一部分通过键合与带腔室(116)的衬底(114)连接形成一个整体；振梁(102)、桥(104)、飞翼(106)、腿(108)、尾翼(110)未键合在衬底(114)上的部分构成了MEMS平面谐振器悬空振动部位(138)。
2.根据权利要求1所述的MEMS平面谐振器，其特征在于，所述MEMS平面谐振器悬空振动部位(138)的侧壁与MEMS平面谐振器悬空振动部位(138)的表面的夹角在80-90度之间。
3.根据权利要求1所述的MEMS平面谐振器，其特征在于，振梁(102)、桥(104)、飞翼(106)、腿(108)、尾翼(110)的材质相同。
4.根据权利要求1所述的MEMS平面谐振器，其特征在于，所述振梁(102)、桥(104)、飞翼(106)、腿(108)、尾翼(110)的材质是III-V族半导体材料、IV族半导体材料中的一种。
5.根据权利要求1所述的MEMS平面谐振器，其特征在于，所述衬底(114)由硅基晶圆、化合物半导体晶圆、第三代半导体晶圆、光学晶圆中的一种或几种制备而成。
6.根据权利要求1-5任一项所述的一种MEMS平面谐振器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、在衬底晶圆(120)上通过湿法腐蚀或干法刻蚀加工出腔室(124)；
步骤二、通过低温键合技术实现结构晶圆(130)与衬底晶圆(120)的连接；
步骤三、在结构晶圆(130)上通过溅射、电子束蒸发、低压化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积、电镀中的一种或几种加工一层或多层保护膜；
步骤四、在结构晶圆(130)上通过旋涂光刻胶(132)，光刻、显影，形成窗口(134)；
步骤五、利用湿法腐蚀、干法刻蚀、激光切割、激光诱导腐蚀、结合激光切割与化学腐蚀手段中的一种或几种加工出MEMS平面谐振器悬空振动部位(138)；
步骤六、将晶圆划片后去除光刻胶(132)和保护膜，清洗后得到MEMS平面谐振器(100)。
7.根据权利要求6所述的MEMS平面谐振器的制备方法，其特征在于，所述步骤三中的保护膜是多晶硅、无定形硅、氮化硅、Cr/Au、Cr/Au/Cr/Au、多晶硅/Cr/Au、无定形硅/SiC、Cr/Au/Ni、金属单质中的一种或多种薄膜构成的抗腐蚀薄膜。
8.根据权利要求6所述的MEMS平面谐振器的制备方法，其特征在于，所述衬底晶圆(120)由硅基晶圆、化合物半导体晶圆、第三代半导体晶圆、光学晶圆中的一种或几种制备而成。
9.根据权利要求6所述的MEMS平面谐振器的制备方法，其特征在于，所述结构晶圆(130)是III-V族半导体材料、IV族半导体材料中的一种。
10.根据权利要求6所述的MEMS平面谐振器的制备方法，其特征在于，所述步骤五中的激光是飞秒激光或皮秒激光。
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