CN116707556B - 调整发射功率的模组、射频前端模组及无线发射设备 - Google Patents

Abstract

本发明属于射频技术领域，其公开了一种调整发射功率的模组、射频前端模组及无线发射设备，其中，所述调整发射功率的模组包括信号接收端、低噪声放大器、信号耦合器、信号输出端、耦合信号放大器、整流模块、第一晶体管、第二晶体管、第一开关、电容、第二开关、第三晶体管、第四晶体管以及可调电阻模块。本发明中调整发射功率的模组不仅可以调整射频前端模组中功率放大器的发射功率，使功率放大器不会始终以最大的功率进行发射，以降低辐射、减少耗电和发热量并增加使用寿命，还能使其实现过程更为简单。

Description

调整发射功率的模组、射频前端模组及无线发射设备

技术领域

本发明涉及射频技术领域，尤其涉及一种调整发射功率的模组、射频前端模组及无线发射设备。

背景技术

时分通信***（TDD）的射频前端模组100主要包括用于放大射频芯片输出（TX）的射频信号的功率放大组件101、用于接收（RX）信号通路的接收电路组件102、用于切换发射和接收通路的射频开关组件103以及用于控制其它组件工作状态的逻辑控制组件（图未示）。其中，接收电路组件通常包括一个低噪声放大器（LNA），开关组件的开关公共端连接至天线（ANT），如图1所示。

相关技术的射频架构中，发射机的功率放大器输出功率的控制往往由主芯片来实现，其需要软件和硬件共同配合，因此其实现过程较为复杂，相应的则是射频前端模组自身无法独立完成发射功率的控制功能。

在一些无线产品中，如WIFI路由器、WIFI终端设备等，其***往往没有发射功率的控制功能，这使得无线产品在工作时，始终会以最大的功率进行发射，从而导致其辐射大、耗电高、发热严重且使用寿命短的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种调整发射功率的模组、射频前端模组及无线发射设备，以解决相关技术中的无线产品自身无法独立完成发射功率的控制功能，从而导致其辐射大、耗电高、发热严重且使用寿命短的问题。

为了解决上述技术问题，第一方面，本发明提供了一种调整发射功率的模组，其包括信号接收端、低噪声放大器、信号耦合器、信号输出端、耦合信号放大器、整流模块、第一晶体管、第二晶体管、第一开关、电容、第二开关、第三晶体管、第四晶体管以及可调电阻模块；

所述信号接收端用于接收射频信号，所述低噪声放大器的输入端连接至所述信号接收端，所述信号耦合器的输入端连接至所述低噪声放大器的输出端，所述信号输出端连接至所述信号耦合器的第一输出端，用于输出经所述信号耦合器耦合的第一耦合射频信号；

所述耦合信号放大器的输入端连接至所述信号耦合器的第二输出端，用于接入经所述信号耦合器耦合的第二耦合射频信号，所述整流模块的输入端连接至所述耦合信号放大器的输出端；

所述第一晶体管的输入端连接至所述整流模块的输出端，所述第一晶体管的第一输出端连接至电源电压，所述第一晶体管的第二输出端接地；

所述第二晶体管的第一输入端连接至所述第一晶体管的第一输出端，所述第二晶体管的第一输出端连接至所述电源电压，所述第二晶体管的第二输出端接地；

所述第一开关的第一端连接至所述第二晶体管的第二输出端，所述第一开关通过接收使能信号进行通与断的控制；

所述电容的第一端连接至所述第一开关的第二端，所述电容的第二端接地；

所述第二开关的输入端连接至所述第一开关的第二端，所述第二开关的第二输出端悬空，所述第二开关的第三输出端接地，所述第二开关通过所述接收使能信号和发射使能信号的控制实现所述第二开关的输入端与所述第二开关的第一输出端、或与所述第二开关的第二输出端、或与所述第二开关的第三输出端的连通；

所述第三晶体管的输入端连接至所述第二开关的第一输出端，所述第三晶体管的第一输出端连接至所述电源电压；

所述第四晶体管的第一输入端连接至所述第三晶体管的第二输出端，所述第四晶体管的第一输出端连接至所述第三晶体管的第一输出端，所述第四晶体管的第二输出端接地；

所述可调电阻模块的输入端连接至所述第四晶体管的第二输出端，所述可调电阻模块的输出端连接至射频前端模组的功率放大器的输入端，所述可调电阻模块的控制端连接至所述功率放大器的输出端。

优选的，所述第一晶体管为第一三极管；所述第一三极管的基极作为所述第一晶体管的第一输入端，所述第一三极管的集电极作为所述第一晶体管的第一输出端，所述第一三极管的发射极作为所述第一晶体管的第二输出端；

所述第二晶体管为第二三极管；所述第二三极管的基极作为所述第二晶体管的第一输入端，所述第二三极管的集电极作为所述第二晶体管的第一输出端，所述第二三极管的发射极作为所述第二晶体管的第二输出端；

所述第三晶体管为第三三极管；所述第三三极管的基极作为所述第三晶体管的第一输入端，所述第三三极管的集电极作为所述第三晶体管的第一输出端，所述第三三极管的发射极作为所述第三晶体管的第二输出端；

所述第四晶体管为第四三极管；所述第四三极管的基极作为所述第四晶体管的第一输入端，所述第四三极管的集电极作为所述第四晶体管的第一输出端，所述第四三极管的发射极作为所述第四晶体管的第二输出端。

优选的，所述调整发射功率的模组还包括第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四电阻；

所述第一电阻的第一端连接至所述整流模块的输出端，所述第一电阻的第二端连接至所述电源电压；

所述第二电阻的第一端连接至所述整流模块的输出端，所述第二电阻的第二端接地；

所述第三电阻的两端分别连接至所述第一电阻的第二端和所述第一三极管的集电极；

所述第四电阻的两端分别连接至所述第二电阻的第二端和所述第一三极管的发射极。

优选的，所述调整发射功率的模组还包括第五电阻和第六电阻；

所述第五电阻的两端分别连接至所述第一三极管的集电极和所述第二三极管的基极；

所述第六电阻的第一端连接至所述第二三极管的发射极，所述第六电阻的第二端接地。

优选的，所述调整发射功率的模组还包括第七电阻；所述第二开关的第一输出端经串联所述第七电阻后连接至所述第三三极管的基极。

优选的，所述调整发射功率的模组还包括第八电阻；所述第八电阻的第一端连接至所述第四三极管的发射极，所述第八电阻的第二端接地。

优选的，所述调整发射功率的模组还包括第九电阻；所述第四三极管的发射极经串联所述第九电阻后连接至所述可调电阻模块的输入端。

优选的，所述可调电阻模块为三极管或场效应晶体管。

第二方面，本发明提供了一种射频前端模组，其包括如上所述的调整发射功率的模组。

第三方面，本发明提供了一种无线发射设备，其包括如上所述的射频前端模组。

与相关技术相比，本发明中调整发射功率的模组通过在射频前端模组的功率放大器的输入端和输出端增设信号接收端、低噪声放大器、信号耦合器、信号输出端、耦合信号放大器、整流模块、第一晶体管、第二晶体管、第一开关、电容、第二开关、第三晶体管、第四晶体管以及可调电阻模块，从而可以通过这些器件的配合改变可调电阻模块的电阻值，以调整功率放大器的增益，即调整其发射功率，使功率放大器不会始终以最大的功率进行发射，以降低辐射、减少耗电和发热量并增加使用寿命，同时该调整发射功率的模组的控制功能无需主芯片参与，通过其自身便可完成，使得实现过程更为简单，并能根据接收的射频信号强度实现自动调整。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：

图1为相关技术提供的一种射频前端模组的电路结构图；

图2为本发明实施例提供的一种调整发射功率的模组的电路结构图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一

本发明实施例提供了一种调整发射功率的模组200，结合图2所示，其包括信号接收端RFin、低噪声放大器201、信号耦合器202、信号输出端RFout、耦合信号放大器203、整流模块204、第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第一开关S1、电容C、第二开关S2、第三晶体管Q3、第四晶体管Q4以及可调电阻模块205。

其中，信号接收端RFin用于接收射频信号，低噪声放大器201的输入端连接至信号接收端RFin，信号耦合器202的输入端连接至低噪声放大器201的输出端，信号输出端RFout连接至信号耦合器202的第一输出端，用于输出经信号耦合器202耦合的第一耦合射频信号。

耦合信号放大器203的输入端连接至信号耦合器202的第二输出端，用于接入经信号耦合器202耦合的第二耦合射频信号，整流模块204的输入端连接至耦合信号放大器203的输出端。

第一晶体管Q1的输入端连接至整流模块204的输出端，第一晶体管Q1的第一输出端连接至电源电压VCC，第一晶体管Q1的第二输出端接地。

第二晶体管Q2的第一输入端连接至第一晶体管Q1的第一输出端，第二晶体管Q2的第一输出端连接至电源电压VCC，第二晶体管Q2的第二输出端接地。

第一开关S1的第一端连接至第二晶体管Q2的第二输出端，第一开关S1通过接收使能信号进行通与断的控制。本实施例中，第一开关S1为单刀单掷开关，当然，根据实际需求，其还可以选用其它类型的开关。

电容C的第一端连接至第一开关S1的第二端，电容C的第二端接地。

第二开关S2的输入端连接至第一开关S1的第二端，第二开关S2的第二输入端悬空，第二开关S2的第三输出端接地，第二开关S2通过接收使能信号和发射使能信号的控制实现第二开关S2的输入端与第二开关S2的第一输出端、或与第二开关S2的第二输出端、或与第二开关S2的第三输出端连接。本实施例中，第一开关S1为单刀三掷开关，当然，根据实际需求，其还可以选用其它类型的开关。

第三晶体管Q3的输入端连接至第二开关S2的第一输出端，第三晶体管Q3的第一输出端连接至电源电压VCC。

第四晶体管Q4的第一输入端连接至第三晶体管Q3的第二输出端，第四晶体管Q4的第一输出端连接至第三晶体管Q3的第一输出端，第四晶体管Q4的第二输出端接地。

可调电阻模块205的输入端连接至第四晶体管Q4的第二输出端，可调电阻模块205的输出端连接至射频前端模组的功率放大器206的输入端，可调电阻模块205的控制端连接至功率放大器206的输出端。

可调电阻模块205可以选用可调衰减器或其它可以调节电阻的器件等，其还包括用于接地的接地端以及用于接入电源的电源端；功率放大器206的输出信号可作为可调电阻模块205的外置控制信号，即可以通过功率放大器206的输出信号调节可调电阻模块205的电阻值。

本实施例中，第一晶体管Q1为第一三极管；第一三极管的基极作为第一晶体管Q1的第一输入端，第一三极管的集电极作为第一晶体管Q1的第一输出端，第一三极管的发射极作为第一晶体管Q1的第二输出端。

第二晶体管Q2为第二三极管；第二三极管的基极作为第二晶体管Q2的第一输入端，第二三极管的集电极作为第二晶体管Q2的第一输出端，第二三极管的发射极作为第二晶体管Q2的第二输出端。

第三晶体管Q3为第三三极管；第三三极管的基极作为第三晶体管Q3的第一输入端，第三三极管的集电极作为第三晶体管Q3的第一输出端，第三三极管的发射极作为第三晶体管Q3的第二输出端。

第四晶体管Q4为第四三极管；第四三极管的基极作为第四晶体管Q4的第一输入端，第四三极管的集电极作为第四晶体管Q4的第一输出端，第四三极管的发射极作为第四晶体管Q4的第二输出端。

当然，根据实际需求，第一晶体管Q1至第四晶体管Q4还可以使用场效应管，相应的，则将场效应管的栅极作为对应的三极管的基极，将场效应管的漏极作为对应的三极管的集电极，将场效应管的源极作为对应的三极管的发射极。

本实施例中，调整发射功率的模组200还包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3以及第四电阻R4。

其中，第一电阻R1的第一端连接至整流模块204的输出端，第一电阻R1的第二端连接至电源电压VCC。

第二电阻R2的第一端连接至整流模块204的输出端，第二电阻R2的第二端接地。

第三电阻R3的两端分别连接至第一电阻R1的第二端和第一三极管的集电极。

第四电阻R4的两端分别连接至第二电阻R2的第二端和第一三极管的发射极。

通过增设第一电阻R1至第四电阻R4，可以为第一晶体管Q1提供相应的偏置电压。

本实施例中，调整发射功率的模组200还包括第五电阻R5和第六电阻R6。

其中，第五电阻R5的两端分别连接至第一三极管的集电极和第二三极管的基极。

第六电阻R6的第一端连接至第二三极管的发射极，第六电阻R6的第二端接地。

通过增设第五电阻R5和第六电阻R6，可以为第二晶体管Q2提供相应的偏置电压。

本实施例中，调整发射功率的模组200还包括第七电阻R7；第二开关S2的第一输出端经串联第七电阻R7后连接至第三三极管的基极。

通过增设第七电阻R7，可以增加第二开关S2的第二端的输出阻抗。

本实施例中，调整发射功率的模组200还包括第八电阻R8；第八电阻R8的第一端连接至第四三极管的发射极，第八电阻R8的第二端接地。

通过增设第八电阻R8，可以为第四晶体管Q4提供相应的偏置电压。

本实施例中，调整发射功率的模组200还包括第九电阻R9；第四三极管的发射极经串联第九电阻R9后连接至可调电阻模块205的输入端。

通过增设第九电阻R9，可以增加第四晶体管Q4的输出阻抗。

本实施例中，可调电阻模块205为三极管或场效应晶体管。当然，根据实际需求，可调电阻模块205还可以选用其它的器件。

本实施例中调整发射功率的模组200的工作流程如下：

当射频信号（接收信号）到达射频前端模组的射频开关公共端时，其开关组件在逻辑控制组件的控制下，切换到接收通路；当射频信号到达接收通路后输送到低噪声放大器201，即输送到调整发射功率的模组200中的低噪声放大器201，之后经低噪声放大器201放大后输送到信号耦合器202；其中，经低噪声放大器201放大后的第一耦合射频信号经过信号输出端RFout输出，即射频前端模组的主信号经过信号输出端RFout输出；而经低噪声放大器201放大后的第二耦合射频信号则输送至耦合信号放大器203，即输送到调整发射功率的模组200的内部模块。

当第二耦合射频信号输送到耦合信号放大器203后，经过耦合信号放大器203放大并输送至整流模块204，以通过整流模块204使其转变为直流电压（Vrdet），直流电压的幅度由输入整流模块204的功率决定；输入整流模块204的功率越大，直流电压则越高。

当直流电压由整流模块204输出后，经过第一三极管进行电压放大，第二三极管进行电流放大，以到达第一开关S1；第一开关S1受接收使能信号控制，而接收使能信号在***接收时处于使能状态，在其它时间处于禁止状态；当接收使能信号处于使能状态时，第一开关S1为接通状态，否则第一开关S1则为截止状态。

电容C用于储能；第二开关S2若接收到的接收使能信号为使能状态，接收到的发射使能信号为禁用状态，第二开关S2的输入端和第一输出端为接通状态；第二开关S2若接收到的接收使能信号为禁用状态，接收到的发射使能信号为使能状态，第二开关S2的输入端和第二输出端为接通状态；第二开关S2若接收到的接收使能信号为使能切换禁用瞬态状态，接收到的发射使能信号为禁用状态，第二开关S2的输入端和第三输出端为接通状态；第二开关S2若接收到的接收使能信号为禁用状态，接收到的发射使能信号为禁用状态，第二开关S2的输入端和第二输出端为接通状态；第二开关S2若接收到的接收使能信号为使能状态，接收到的发射使能信号为使能状态，第二开关S2的输入端并未与其它端连通。

第二开关S2的输入端和第一输出端为连通状态，则可以使第二开关S2连接至第三三极管的基极；第二开关S2的输入端和第二输出端为连通状态，则可以使第二开关S2处于悬空状态；第二开关S2的输入端和第三输出端为连通状态，则可以使第二开关S2接地。

当第二开关S2的输入端和第一输出端连通时，第二三极管的发射极输出的信号输出到第三三极管的基极，并经过第三三极管和第四三极管生成射频前端模组的功率放大器206的负反馈控制信号，该负反馈控制信号从第四三极管的发射极输出。

负反馈信号传输至可调电阻模块205后，可以控制可调电阻模块205的电阻值，从而改变输入端和输出端分别与可调电阻模块205连接的射频前端模组的功率放大器206的增益，即调整其发射功率，使功率放大器206不会始终以最大的功率进行发射。

本实施例中调整发射功率的模组200的工作原理如下：

在接收时隙阶段，接收使能信号为使能状态，发射使能信号为禁用状态，此阶段射频信号依次通过低噪声放大器201、耦合器、耦合信号放大器203达到整流模块204，经过整流模块204转换为直流电压信号后，经过第一三极管和第二三极管的放大后，从第二三极管的发射极输出直流信号，并达到第一开关S1，此时，第一开关S1在接收使能信号的作用下导通，同时第二开关S2在接收使能信号和发射使能信号的作用下，其输入端和第一输出端导通，第二输出端为悬空状态。

同时，电容C在直流电压信号的作用下充电，经Tcharge（充电时间）秒后（在典型的WIFI***中，Tcharge可设计在数十us到数百us）后，电容C的电压为：VC=Vrdet。

经过T_RX秒后（T_RX指接收时隙的持续时间，在典型的WIFI***中，T_RX通常在数十us到数十ms），接收状态结束后，接收使能信号为禁用状态，发射使能信号为禁用状态；此时没有射频信号进入，第一开关S1截止，第二开关S2的输入端和第二输出端连通，电容C的电压保持不变。

经过T_TXDelay秒 (T_TXDelay指接收时隙结束到发射时隙开始之间的时间长)后，发射时隙开始，发射使能信号为使能状态，接收使能信号为禁用状态；此阶段第一开关S1截止，第二开关S2的输入端和第一输出端连通，电容C通过第三三极管和第四三极管输出负反馈控制信号。需要注意的是，第三三极管和第四三极管设计成高输入阻抗电路形式，在发射时隙期间，电容C的电压保持不变。

发射状态，射频前端模组的功率放大器206工作，同时该功率放大器206的输入端和输出端之间连接可调电阻模块205作为负反馈；负反馈控制信号则可以改变可调电阻模块205的电阻值，即可以改变功率放大器206的增益，相当于可以调节射频前端模组的功率放大器206的发射功率；负反馈控制信号的电压值越大，其可调节的可调电阻模块205的电阻值则越大，相应的改变功率放大器206的增益也越大。

发射状态持续T_TX秒后（T_TX指发射时隙的持续时间），发射时隙结束，发射使能信号切换为禁用状态，在切换的瞬态阶段，第二开关S2的第一端和第四端连通并接地；电容C上的电荷被放电初始化，随后第二开关S2的第一端和第三端连接；***等待下一次接收时序的到来。

本实施例中，第二开关S2的输入端为1脚，第一输出端为2脚，第二输出端为3脚，第三输出端为4脚。

与相关技术相比，本发明中调整发射功率的模组200通过在射频前端模组的功率放大器206的输入端和输出端增设信号接收端RFin、低噪声放大器201、信号耦合器202、信号输出端RFout、耦合信号放大器203、整流模块204、第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第一开关S1、电容C、第二开关S2、第三晶体管Q3、第四晶体管Q4以及可调电阻模块205，从而可以通过这些器件的配合改变可调电阻模块205的电阻值，以调整功率放大器206的增益，即调整其发射功率，使功率放大器206不会始终以最大的功率进行发射，以降低辐射、减少耗电和发热量并增加使用寿命，同时该调整发射功率的模组200的控制功能无需主芯片参与，通过其自身便可完成，使得实现过程更为简单，并能根据接收的射频信号强度实现自动调整。

实施例二

本实施例提供了一种射频前端模组，其包括实施例一中的调整发射功率的模组200。由于本实施例中的射频前端模组包含了实施例一中的调整发射功率的模组200，因此其也能达到实施例一中调整发射功率的模组200所达到的技术效果，在此不作赘述。

实施例三

本实施例提供了一种无线发射设备，其包括实施例二中的射频前端模组。

其中，无线发射设备可以是WIFI路由器、WIFI终端设备等其它具备无线网发射功能的设备。

由于本实施例中的无线发射设备包含了实施例二中的射频前端模组，因此其也能达到实施例二中射频前端模组所达到的技术效果，在此不作赘述。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种调整发射功率的模组，其特征在于，所述调整发射功率的模组包括信号接收端、低噪声放大器、信号耦合器、信号输出端、耦合信号放大器、整流模块、第一晶体管、第二晶体管、第一开关、电容、第二开关、第三晶体管、第四晶体管以及可调电阻模块；

所述信号接收端用于接收射频信号，所述低噪声放大器的输入端连接至所述信号接收端，所述信号耦合器的输入端连接至所述低噪声放大器的输出端，所述信号输出端连接至所述信号耦合器的第一输出端，用于输出经所述信号耦合器耦合的第一耦合射频信号；

所述耦合信号放大器的输入端连接至所述信号耦合器的第二输出端，用于接入经所述信号耦合器耦合的第二耦合射频信号，所述整流模块的输入端连接至所述耦合信号放大器的输出端；

所述第一晶体管的输入端连接至所述整流模块的输出端，所述第一晶体管的第一输出端连接至电源电压，所述第一晶体管的第二输出端接地；

所述第二晶体管的第一输入端连接至所述第一晶体管的第一输出端，所述第二晶体管的第一输出端连接至所述电源电压，所述第二晶体管的第二输出端接地；

所述第一开关的第一端连接至所述第二晶体管的第二输出端，所述第一开关通过接收使能信号进行通与断的控制；

所述电容的第一端连接至所述第一开关的第二端，所述电容的第二端接地；

所述第二开关的输入端连接至所述第一开关的第二端，所述第二开关的第二输出端悬空，所述第二开关的第三输出端接地，所述第二开关通过所述接收使能信号和发射使能信号的控制实现所述第二开关的输入端与所述第二开关的第一输出端、或与所述第二开关的第二输出端、或与所述第二开关的第三输出端的连通；

所述第三晶体管的输入端连接至所述第二开关的第一输出端，所述第三晶体管的第一输出端连接至所述电源电压；

所述第四晶体管的第一输入端连接至所述第三晶体管的第二输出端，所述第四晶体管的第一输出端连接至所述第三晶体管的第一输出端，所述第四晶体管的第二输出端接地；

所述可调电阻模块的输入端连接至所述第四晶体管的第二输出端，所述可调电阻模块的输出端连接至射频前端模组的功率放大器的输入端，所述可调电阻模块的控制端连接至所述功率放大器的输出端。

2.如权利要求1所述的调整发射功率的模组，其特征在于，所述第一晶体管为第一三极管；所述第一三极管的基极作为所述第一晶体管的第一输入端，所述第一三极管的集电极作为所述第一晶体管的第一输出端，所述第一三极管的发射极作为所述第一晶体管的第二输出端；

所述第二晶体管为第二三极管；所述第二三极管的基极作为所述第二晶体管的第一输入端，所述第二三极管的集电极作为所述第二晶体管的第一输出端，所述第二三极管的发射极作为所述第二晶体管的第二输出端；

所述第三晶体管为第三三极管；所述第三三极管的基极作为所述第三晶体管的第一输入端，所述第三三极管的集电极作为所述第三晶体管的第一输出端，所述第三三极管的发射极作为所述第三晶体管的第二输出端；

所述第四晶体管为第四三极管；所述第四三极管的基极作为所述第四晶体管的第一输入端，所述第四三极管的集电极作为所述第四晶体管的第一输出端，所述第四三极管的发射极作为所述第四晶体管的第二输出端。

3.如权利要求2所述的调整发射功率的模组，其特征在于，所述调整发射功率的模组还包括第一电阻、第二电阻、第三电阻以及第四电阻；

所述第一电阻的第一端连接至所述整流模块的输出端，所述第一电阻的第二端连接至所述电源电压；

所述第二电阻的第一端连接至所述整流模块的输出端，所述第二电阻的第二端接地；

所述第三电阻的两端分别连接至所述第一电阻的第二端和所述第一三极管的集电极；

所述第四电阻的两端分别连接至所述第二电阻的第二端和所述第一三极管的发射极。

4.如权利要求2所述的调整发射功率的模组，其特征在于，所述调整发射功率的模组还包括第五电阻和第六电阻；

所述第五电阻的两端分别连接至所述第一三极管的集电极和所述第二三极管的基极；

所述第六电阻的第一端连接至所述第二三极管的发射极，所述第六电阻的第二端接地。

5.如权利要求2所述的调整发射功率的模组，其特征在于，所述调整发射功率的模组还包括第七电阻；所述第二开关的第一输出端经串联所述第七电阻后连接至所述第三三极管的基极。

6.如权利要求2所述的调整发射功率的模组，其特征在于，所述调整发射功率的模组还包括第八电阻；所述第八电阻的第一端连接至所述第四三极管的发射极，所述第八电阻的第二端接地。

7.如权利要求2所述的调整发射功率的模组，其特征在于，所述调整发射功率的模组还包括第九电阻；所述第四三极管的发射极经串联所述第九电阻后连接至所述可调电阻模块的输入端。

8.如权利要求1所述的调整发射功率的模组，其特征在于，所述可调电阻模块为三极管或场效应晶体管。

9.一种射频前端模组，其特征在于，所述射频前端模组包括如权利要求1至8任意一项所述的调整发射功率的模组。

10.一种无线发射设备，其特征在于，所述无线发射设备包括如权利要求9所述的射频前端模组。