CN116670936A - 一种相控阵装置及通信设备 - Google Patents

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CN116670936A CN202180087708.3A CN202180087708A CN116670936A CN 116670936 A CN116670936 A CN 116670936A CN 202180087708 A CN202180087708 A CN 202180087708A CN 116670936 A CN116670936 A CN 116670936A
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Abstract

本申请提供一种相控阵装置及通信设备，涉及通信技术领域，用于减小了相控阵的面积。该装置包括：包括多个天线单元的天线阵列；多个接收通道，该多个接收通道与天线阵列中的多个天线单元耦合，该多个接收通道中的每个接收通道均包括跨导级电路，该跨导级电路包括第一跨导单元阵列和第二跨导单元阵列，每个接收通道的第一跨导单元阵列的输入端和第二跨导单元阵列的输入端均与该接收通道对应的天线单元耦合；正交混频电路，该正交混频电路的同相输入端和正交输入端分别与该多个接收通道中的第一跨导单元阵列的输出端和该多个接收通道中的第二跨导单元阵列的输出端耦合；信号处理电路，该信号处理电路的输入端与该正交混频电路的输出端耦合。

Description

一种相控阵装置及通信设备 技术领域
本申请涉及通信技术领域，尤其涉及一种相控阵装置及通信设备。
背景技术
相控阵技术广泛应用于5G通信、微波回传和室内短距离通信等领域。
现有技术方案中，相控阵可以包括多个通道，该多个通道中的每个通道均包括多个无源器件，从而导致相控阵的面积较大。因此，如何降低相控阵的面积，进而减小应用相控阵的通信设备的体积，是一个亟需解决的技术问题。
发明内容
本申请提供一种相控阵装置及通信设备，可用于降低相控阵的面积。
为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：
第一方面，提供一种相控阵装置，该装置包括：多个接收通道，该多个接收通道与天线阵列中的多个天线单元耦合，该多个接收通道中的每个接收通道均包括跨导级电路，该跨导级电路包括第一跨导单元阵列和第二跨导单元阵列，其中，每个接收通道的第一跨导单元阵列的输入端和第二跨导单元阵列的输入端均与该接收通道对应的该天线单元耦合；正交混频电路，该正交混频电路的同相输入端和正交输入端分别与该多个接收通道中的第一跨导单元阵列的输出端和该多个接收通道中的第二跨导单元阵列的输出端耦合；信号处理电路，该信号处理电路的输入端与该正交混频电路的输出端耦合，用于对该正交混频电路输出的多个接收通道的耦合电流作放大、滤波等一系列处理。
上述技术方案中，该多个接收通道的每个接收通道均包括跨导级电路，该跨导级电路中的第一跨导单元阵列和第二跨导单元阵列可用于将对应耦合的天线单元接收的一路信号转换为两路信号，这两路信号在经过该正交混频电路的正交混频处理后，即可实现对该接收通道中传输的信号的移相，且不同接收通道的两个跨导单元阵列均与正交混频电路耦合从而在正交混频电路处实现信号的合路。因此，本申请与现有技术相比，无需为不同的接收通道独立地设置无源的移相器和功分合路网络，进而减小了该相控阵装置的面积。
在第一方面的一种可能的实现方式中，该多个接收通道中的每个接收通道中的第一跨导单元阵列和第二跨导单元阵列具有移相功能。上述可能的实现方式中，同一接收通道中的第一跨导单元阵列和第二跨导单元阵列可用于在将对应耦合的天线单元接收的一路电压信号转换为两路电流信号，这两路电流信号在经过该正交混频电路的正交混频处理后，可实现对该接收通道中传输的信号的移相，从而通过调节这两路电流信号的幅值即可在正交混频处理后实现不同的移相，因此无需为该接收通道设置独立无源的移相器，进而减小了该相控阵装置的面积。
在第一方面的一种可能的实现方式中，第一跨导单元阵列和第二跨导单元阵列均包括多个跨导级，该多个跨导级的导通数量可调。上述可能的实现方式中，对于该多个 接收通道中的每个接收通道，通过调整该接收通道中的两个跨导单元阵列包括的多个跨导级的导通数量，即可对该接收通道中传输的信号作不同角度的移相，从而减小了该相控阵装置的面积。
在第一方面的一种可能的实现方式中，第一跨导单元阵列和第二跨导单元阵列中的每个跨导单元阵列包括的多个跨导级中的每个跨导级对应设置有一个偏置控制电路，该偏置控制电路可用于控制该跨导级的导通或断开，比如，该偏置控制电路可用于输出控制该跨导级导通或断开的偏置电压，从而通过该多个跨导级对应的多个偏置控制电路即可控制该跨导单元阵列中跨导级的导通或断开的个数。上述可能的实现方式中，通过该多个跨导级中的每个跨导级对应的偏置控制电路可有效地控制该多个跨导级的导通数量，从而通过调节两个跨导单元阵列中跨导级的导通数量，即可对接收通道中传输的信号作不同角度的移相。
在第一方面的一种可能的实现方式中，第一跨导单元阵列和第二跨导单元阵列分别设置有第一控制电路和第二控制电路，用于分别控制第一跨导单元阵列和第二跨导单元阵列中跨导级的导通或断开的个数。上述可能的实现方式中，通过第一控制电路和第二控制电路可调节第一跨导单元阵列和第二跨导单元阵列中跨导级的导通数量，即可对接收通道中传输的信号作不同角度的移相。
在第一方面的一种可能的实现方式中，第一控制电路和第二控制电路中的每个控制电路包括与该跨导级一一对应耦合的开关级电路，该开关级电路用于控制对应的该跨导级的导通或断开。上述可能的实现方式中，提供了一种简单有效的开关级电路，用于控制对应的该跨导级的导通或断开。
在第一方面的一种可能的实现方式中，第一跨导单元阵列和第二跨导单元阵列中的跨导级包括：第一金属氧化半导体MOS管和第二MOS管，第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极作为该跨导级的输入端，第一MOS管的源极和第二MOS管的源极耦合于第一节点，第一MOS管的漏极和第二MOS管的漏极作为该跨导级的输出端。可选的，该跨导级还包括：耦合在第一节点与接地端之间的尾电流管。上述可能的实现方式中，提供了一种跨导单元阵列中有源的跨导级的结构，该跨导级可用于将差分电压信号转换为差分电流信号，由于该跨导级是基于多个MOS管来实现的，从而可以减小该相控阵装置的面积。
在第一方面的一种可能的实现方式中，该开关级电路设置有第一信号产生器和第二信号产生器，第一信号产生器和第二信号产生器分别用于产生导通和断开该开关级电路的开关信号。上述可能的实现方式中，提供了一种简单有效地控制开关级电路导通或断开的方式。
在第一方面的一种可能的实现方式中，该开关级电路包括：第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管；其中，第三MOS管的栅极和第六MOS管的栅极均用于接收正相开关信号，第四MOS管的栅极和第五MOS管的栅极均用于接收负相开关信号；第三MOS管的源极和第四MOS管的源极均耦合于第二节点，第五MOS管的源极和第六MOS管的源极均耦合于第三节点，第二节点和第三节点为该开关级电路的输入端；第三MOS管的漏极和第五MOS管的漏极均耦合于第四节点，第四MOS管的漏极和第六MOS管的漏极均耦合于第五节点，第四节点和第五节点为该开关级 电路的输出端。上述可能的实现方式中，提供了一种有源的开关级电路的结构，该开关级电路是基于多个MOS管来实现的，从而可以减小该相控阵装置的面积。
在第一方面的一种可能的实现方式中，该正交混频电路包括：具有第一同相输入端和第一正交输入端的第一正交混频器、具有第二同相输入端和第二正交输入端的第二正交混频器，以及具有同相输出端和正交输出端的本振信号产生器；其中，第一同相输入端作为该正交混频电路的该同相输入端与该多个接收通道中的第一跨导单元阵列的输出端，第二正交输入端作为该正交混频电路的该正交输入端与该多个接收通道中的第二跨导单元阵列的输出端耦合，第一正交输入端与该本振信号产生器的该正交输出端耦合，第二同相输入端与该本振信号产生器的该同相输出端耦合。上述可能的实现方式中，该正交混频电路可用于对同一接收通道中不同跨导单元阵列输出的电流信号作正交混频处理，不同接收通道的电流信号可实现合路，从而实现不同接收通道中信号的合路处理。
在第一方面的一种可能的实现方式中，第一正交混频器和第二正交混频器中的每个正交混频器均包括：第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管和第十MOS管；其中，第七MOS管的栅极和第十MOS管的栅极均用于接收正相本振信号，第八MOS管的栅极和第九MOS管的栅极均用于接收负相本振信号；第七MOS管的源极和第八MOS管的源极耦合于第六节点，第九MOS管的源极和第十MOS管的源极耦合于第七节点；第七MOS管的漏极和第九MOS管的漏极耦合于第八节点，第八MOS管的漏极和第十MOS管的漏极耦合于第九节点；第一正交混频器中的第六节点和第七节点分别与第二正交混频器中的第六节点和第七节点耦合作为该正交混频电路的输出端；当该正交混频器为第一正交混频器时，第六节点和第七节点分别作为第一同相输入端；当该正交混频器为第二正交混频器时，第六节点和第七节点分别作为第二正交输入端。上述可能的实现方式中，提供了一种有源的正交混频器的结构，该正交混频器可以对不同的差分电流信号作正交混频处理，该正交混频器是基于多个MOS管来实现的，从而可以减小该相控阵装置的面积。
在第一方面的一种可能的实现方式中，该多个接收通道中的每个接收通道还包括：低噪声放大器，该低噪声放大器的输入端与该接收通道对应的该天线单元耦合，该低噪声放大器的输出端分别与第一跨导单元阵列和第二跨导单元的输入端耦合。上述可能的实现方式中，通过每个接收通道中的低噪声放大器可以放大该接收通道接收到的电压信号的功率。
在第一方面的一种可能的实现方式中，该信号处理电路包括：与该正交混频电路的输出端耦合的变压器、电容、驱动放大器、低通滤波器和模数转换器中的一个或者多个。上述可能的实现方式中，提供了一种可能的用于对信号进行处理的信号处理电路的结构。
第二方面，提供一种芯片模组，包括：芯片和封装基板，该芯片固定于该封装基板，该芯片包括上述第一方面或第一方面的任一种可能的实现方式所提供的任一种相控阵装置，该封装基板包括具有多个天线单元的天线阵列，该多个天线单元与该多个接收通道耦合。
第三方面，提供一种通信设备，该通信设备包括如上述第一方面或第一方面的任 一种可能的实现方式所提供的相控阵装置。
可以理解地，上述提供的任一种芯片模组和通信设备均包含了上文所提供的相控阵装置的所有内容，因此，其所能达到的有益效果可参考上文所提供的相控阵装置中的有益效果，此处不再赘述。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种相控阵架构的示意图；
图2为本申请实施例提供的一种相控阵装置的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的一种接收通道的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的另一种相控阵装置的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的又一种相控阵装置的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的一种正交混频电路的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的另一种相控阵装置的结构示意图；
图8为本申请实施例提供的一种通信设备的结构示意图。
具体实施方式
下文将详细论述各实施例的制作和使用。但应了解，本申请提供的许多适用发明概念可实施在多种具体环境中。所论述的具体实施例仅仅说明用以实施和使用本说明和本技术的具体方式，而不限制本申请的范围。
除非另有定义，否则本文所用的所有科技术语都具有与本领域普通技术人员公知的含义相同的含义。
各电路或其它组件可描述为或称为“用于”执行一项或多项任务。在这种情况下，“用于”用来通过指示电路/组件包括在操作期间执行一项或多项任务的结构(例如电路***)来暗指结构。因此，即使当指定的电路/组件当前不可操作(例如未打开)时，该电路/组件也可以称为用于执行该任务。与“用于”措辞一起使用的电路/组件包括硬件，例如执行操作的电路等。
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行描述。在本申请中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况，其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a，b或c中的至少一项(个)，可以表示：a，b，c，a和b，a和c，b和c或a、b和c，其中a、b和c可以是单个，也可以是多个。
本申请的实施例采用了“第一”和“第二”等字样对名称或功能或作用类似的对象进行区分，本领域技术人员可以理解“第一”和“第二”等字样并不对数量和执行次序进行限定。“耦合”一词用于表示电性连接，包括通过导线或连接端直接相连或通过其他器件间接相连。因此“耦合”应被视为是一种广义上的电子通信连接。
需要说明的是，本申请中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本申请中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其他实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的” 或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
本申请提供的技术方案可以应用于高频毫米波通信中。高频毫米波具有丰富的频谱资源和很高的带宽，适用于大带宽大数据率的应用场景，在5G通信、微波回传、室内短距通信等领域应用广泛。
高频毫米波在信道中的空间损耗较大，且传输特性更加接近直射，由于采用相控阵技术可以实现能量更集中的传输，且信号的方向性更好，从而在实现高频毫米波通信时往往会采用相控阵技术。
在本申请中，采用相控阵技术的通信设备可以部署在陆地上，包括室内或室外、手持或车载；该通信设备也可以部署在水面上(比如轮船等)，还可以部署在空中(例如飞机、气球和卫星上等)。比如，该通信设备可以为终端或者基站等。比如，该终端包括但不限于：手机(mobile phone)、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、移动互联网设备(mobile internet device，MID)、可穿戴设备(例如智能手表、智能手环、计步器等)、车载设备(例如，汽车、自行车、电动车、飞机、船舶、火车、高铁等)、虚拟现实(virtual reality，VR)设备、增强现实(augmented reality，AR)设备、工业控制(industrial control)中的终端、智能家居设备(例如，冰箱、电视、空调、电表等)、智能机器人、车间设备、无人驾驶(self-driving)中的终端、远程手术(remote medical surgery)中的终端、智能电网(smart grid)中的终端、运输安全(transportation safety)中的终端、智慧城市(smart city)中的终端，或智慧家庭(smart home)中的终端、飞行设备(例如，智能机器人、热气球、无人机、飞机)等。
图1为一种相控阵的架构示意图，该多频相控阵包括至少两个相控阵通道(图1中以两个相控阵通道为例进行说明)，每个相控阵通道可支持两个频段(即B1和B2)的信号的收发。其中，每个相控阵通道均包括天线(antenna，ANT)、切换开关(switch，SW)、与该切换开关SW依次分别耦合的两个频段的前端电路和移相器(phase shifter，PS)，不同相控阵通道中同一频段的PS分别通过一个功分合路网络耦合，且耦合后与各自频段的混频放大电路相连。图1中的前端电路包括依次耦合的功率放大器(power amplifier，PA)和开关、以及依次耦合的低噪声放大器(low noise amplifier，LNA)和开关；混频放大电路包括依次耦合的开关、混频器(mixer，MIX)和驱动放大器(drive amplifier，DA)。
上述图1所示的相控阵的架构中，通过对不同频段的射频信号进行移相来实现每个相控阵通道的移相，且对于不同频段的射频信号需要使用对应频段的一级或者多级移相器，从而导致该相控阵的面积较大。
图2为本申请实施例提供的一种相控阵装置的结构示意图，该相控阵装置可以为通信设备，也可以为应用于通信设备中的模块。如图2所示，该相控阵装置可以包括：与天线阵列1耦合的多个接收通道2、正交混频电路3和信号处理电路4。
该天线阵列1包括多个天线单元11，该多个天线单元11可以包括两个或者两个以上的天线单元11，每个天线单元11均可用于接收第一频段的射频(radio frequency)信号，该射频信号可以是电压信号，该电压信号可以是单端电压信号或者差分电压信号，第一频段可以是毫米波频段。
该多个接收通道2与该多个天线单元11耦合，比如，该多个接收通道2中的每个 接收通道2可以与该多个天线单元11中的一个天线单元1耦合。该多个接收通道2中的每个接收通道2均包括跨导级电路21，该跨导级电路21包括第一跨导单元阵列211和第二跨导单元阵列212。每个接收通道2的第一跨导单元阵列211的输入端和第二跨导单元阵列212的输入端均与该接收通道2对应的天线单元1耦合，第一跨导单元阵列211和第二跨导单元阵列212用于将该天线单元1接收的电压信号转换为电流信号，即该跨导级电路21可用于将一路电压信号转换为两路电流信号。
该正交混频电路3包括同相输入端P1和正交输入端P2，该同相输入端P1分别与该多个接收通道2中的第一跨导单元阵列211的输出端耦合，该正交输入端P2分别与该多个接收通道2中的第二跨导单元阵列212的输出端耦合。该正交混频电路3可用于分别对该多个接收通道2中的第一跨导单元阵列211输出的电流信号、以及第二跨导单元阵列212输出的电流信号作正交混频处理。不同接收通道2的电流信号在该正交混频电路3处可实现合路。
该信号处理电路4包括输入端，该信号处理电路4的输入端与该正交混频电路3的输出端耦合，该信号处理电路4可用于对该正交混频电路3输出的电流信号作放大、滤波和模数转换等一系列信号处理。
在本申请实施例中，该多个接收通道2的每个接收通道2均包括跨导级电路21，该跨导级电路21中的第一跨导单元阵列211和第二跨导单元阵列212可用于将天线单元1接收的一路电压信号转换为两路电流信号，这两路电流信号在经过该正交混频电路3的正交混频处理后，即可实现对该接收通道中传输的信号的移相，以及对该多个接收通道2中传输的信号的合路。因此，本申请与现有技术相比，无需为不同的接收通道独立地设置无源的移相器和功分合路网络，进而减小了相控阵的面积。
进一步的，第一跨导单元阵列211和第二跨导单元阵列212均包括多个跨导级，该多个跨导级的导通数量可调。这样对于每个接收通道2，通过调整该接收通道2中的两个跨导单元阵列包括的多个跨导级的导通数量，即可对该接收通道2中传输的信号作不同角度的移相。
示例性的，假设某一接收通道2对应的天线单元1接收的射频信号对应的电压信号如公式(1)所示，即该接收通道2中的第一跨导单元阵列211和第二跨导单元阵列212接收的电压信号均如公式(1)所示，则第一跨导单元阵列211和第二跨导单元阵列212输出的两路电流信号可以分别如公式(2)和公式(3)所示。该正交混频电路3对这两路电流信号分别作正交混频处理后的电路信号可以如公式(4)和公式(5)所示，对混频处理后的电流信号作累加后输出的电流信号可以如公式(6)所示。
Vin_I＝Acos(wt) (1)
Iout_I＝Acos(wt)×g m×M (2)
Iout_Q＝Acos(wt)×g m×N (3)
Iout_mixer_I＝G mixer×Acos(w-w lo)t×g m×M (4)
Iout_mixer_Q＝G mixer×Asin(w-w lo)t×g m×N (5)
式中，M为第一跨导单元阵列211中跨导级的导通数量，N为第二跨导单元阵列212中跨导级的导通数量，g m为第一跨导单元阵列211和第二跨导单元阵列212的跨导系数，G mixer为该正交混频电路3的混频系数，w lo为用于作正交混频处理的本振信号的角频率。
结合上述公式(1)至公式(6)可知，对该接收通道2中传输的信号可实现相位为 的调整，而 的取值与M和N有关，从而通过调整该接收通道2中第一跨导单元阵列211和第二跨导单元阵列212包括的多个跨导级的导通数量，即可对该接收通道2中传输的信号作不同角度的移相。
进一步的，关于第一跨导单元阵列211和第二跨导单元阵列212中包括多个跨导级的导通数量的调整，可以通过以下两种方式来实现，具体如下所述。
第一种方式，第一跨导单元阵列211和第二跨导单元阵列212中的每个跨导单元阵列包括的多个跨导级中的每个跨导级对应设置有一个偏置控制电路，该偏置控制电路可用于控制该跨导级的导通或断开，比如，该偏置控制电路可用于输出控制该跨导级导通或断开的偏置电压，从而通过该多个跨导级对应的多个偏置控制电路即可控制该跨导单元阵列中跨导级的导通或断开的个数。
第二种方式，如图3所示，同一接收通道2中的第一跨导单元阵列211和第二跨导单元阵列212分别设置有第一控制电路213和第二控制电路214，用于分别控制第一跨导单元阵列211和第二跨导单元阵列212中跨导级的导通或断开的个数。
示例性的，第一控制电路213和第二控制电路214中的每个控制电路可以包括多个开关级电路，该多个开关级电路与对应跨导单元阵列中的多个跨导级一一对应耦合，一个跨导级对应耦合的开关级电路可用于控制该跨导级的导通或断开。可选的，个开关级电路可以设置有第一信号产生器和第二信号产生器，第一信号产生器和第二信号产生器可分别用于产生导通和断开该开关级电路的开关信号，从而通过第一信号产生器和第二信号产生器即可控制该开关级电路的断开或者闭合。
上述两种实现方式均可应用于对应的天线单元11用于接收单端电压信号、以及用于接收差分电压信号的场景下。其中，当该天线单元11接收的电压信号不同时，上述第一跨导单元阵列211和第二跨导单元阵列212中的跨导级、与每个跨导级对应的偏置控制电路、以及与每个跨导级对应的开关级电路的结构也会有所不同。下面主要以第二种方式下该天线单元11用于接收单端电压信号和用于接收差分电压信号为例，对该跨导级和该开关级电路的结构进行详细说明。
当该天线单元11用于接收单端电压信号时，如图4所示，该跨导级可以包括：第一金属氧化半导体(metal oxide semiconductor，MOS)管M11，第一MOS管M11的栅极作为该跨导级的输入端且用于接收该单端电压信号VIN，第一MOS管M11的源极与接地端耦合，第一MOS管M11的漏极作为该跨导级的输出端用于输出单端电流信号。相应的，如图4所示，该开关级电路可以包括：第二MOS管M12，第二MOS管M12 的源极与对应的跨导级的输出端耦合，第二MOS管M12的漏极作为该开关级电路的输出端，第三MOS管M13的栅极用于接收开关信号S。
具体的，该跨导级在通过第一MOS管M11的栅极接收到单端电压信号后，可将该单端电压信号转换为单端电流信号，并从第一MOS管M11的漏极输出，即从该跨导级的输出端输出该单端电流信号。当该开关级电路中的第二MOS管M12导通时，该开关级电路为导通状态，从而将该跨导级输出的单端电流信号传输至正交混频电路3中。当该开关级电路中的第二MOS管M12断开时，该开关级电路为断开状态，此时该开关级电路对应的跨导级为断开状态。
当该天线单元11用于接收差分电压信号时，如图5所示，该跨导级可以包括：第一MOS管M21和第二MOS管M22。其中，第一MOS管M21的栅极和第二MOS管M22的栅极作为该跨导级的差分输入端且用于接收该差分电压信号VIN，第一MOS管M11的源极和第二MOS管M22的源极耦合于第一节点，第一MOS管M11的漏极和第二MOS管M22的漏极作为该跨导级的差分输出端且用于差分电流信号。可选的，该跨导级还可以包括：耦合在第一节点与接地端之间尾电流管M0，该尾电流管M0可以是MOS管，比如该MOS管分别通过源极和漏极与第一节点和接地端耦合，该MOS管的栅极用于接收偏置电压信号。
相应的，如图5所示，该开关级电路可以包括：第三MOS管M23、第四MOS管M24、第五MOS管M25和第六MOS管M26。其中，第三MOS管M23的栅极和第六MOS管M26的栅极均用于接收正相开关信号S+，第四MOS管M24的栅极和第五MOS管M25的栅极均用于接收负相开关信号S-，正相开关信号S+和负相开关信号S-构成用于导通或断开该开关级电路的差分开关信号；第三MOS管M23的源极和第四MOS管M24的源极均耦合于第二节点，第五MOS管M25的源极和第六MOS管的源极均耦合于第三节点，第二节点和第三节点为该开关级电路的输入端且可用于接收对应的跨导级输出的差分电流信号；第三MOS管M23的漏极和第五MOS管M25的漏极均耦合于第四节点，第四MOS管M24的漏极和第六MOS管M26的漏极均耦合于第五节点，第四节点和第五节点为该开关级电路的差分输出端，该差分输出端可用于输出该差分电流信号。
具体的，该跨导级在通过第一MOS管M21的栅极和第二MOS管M22的栅极接收到差分电压信号后，可将该差分电压信号转换为差分电流信号，并从第一MOS管M21的漏极和第二MOS管M22的漏极输出，即从该跨导级的差分输出端输出该差分电流信号。当该开关级电路中的第三MOS管M23、第四MOS管M24、第五MOS管M25和第六MOS管M26均导通时，该开关级电路为导通状态，从而将该跨导级输出的差分电流信号传输至正交混频电路3中。当该开关级电路中的第三MOS管M23、第四MOS管M24、第五MOS管M25和第六MOS管M26均断开时，该开关级电路为断开状态，此时该开关级电路对应的跨导级为断开状态。
需要说明的是，上述跨导级和开关级电路中的MOS管可以为NMOS管，也可以是PMOS管，图4和图5中仅以PMOS管为例进行说明，上述图4和图5中的跨导级和开关级电路的结构并不对本申请实施例构成限制。
进一步的，该正交混频电路3可以包括具有第一同相输入端和第一正交输入端的 第一正交混频器31、具有第二同相输入端和第二正交输入端的第二正交混频器32，以及具有同相输出端和正交输出端的本振信号产生器33。其中，第一同相输入端作为该正交混频电路3的同相输入端P1与该多个接收通道2中的第一跨导单元阵列211的输出端，第二正交输入端作为该正交混频电路3的正交输入端P2与该多个接收通道2中的第二跨导单元阵列212的输出端耦合，第一正交输入端与本振信号产生器33的正交输出端耦合，第二同相输入端与本振信号产生器33的同相输出端耦合。
示例性的，如图6所示，以该多个接收通道2中的一个接收通道2为例，该接收通道2中的第一跨导单元阵列211的输出端可以与第一正交混频器31的第一同相输入端耦合，第二跨导单元阵列212的输出端可以与第二正交混频器32的第二正交输入端耦合，第一正交混频器31的第一正交输入端可以与本振信号产生器33的正交输出端耦合，第二正交混频器32的第二同相输入端可以与本振信号产生器33的同相输出端耦合，第一正交混频器31的输出端和第二正交混频器32的输出端相耦合作为该正交混频电路3的输出端。
上述图6所示的正交混频电路同样适用于对应的天线单元11用于接收单端电压信号、以及用于接收差分电压信号的场景下。下面分别对这两种情况下的第一正交混频器31和第二正交混频器33的具体结构进行详细说明。
当该天线单元11用于接收单端电压信号时，如图4所示，第一正交混频器31和第二正交混频器33中的每个正交混频器可以包括：第三MOS管M13，第三MOS管M13的源极作为该正交混频器的输入端，第三MOS管M13的漏极作为该正交混频器的输出端，第三MOS管M13的栅极用于接收本振信号。其中，第一正交混频器31中第三MOS管M13的栅极可用于接收相位为0°的本振信号，第二正交混频器32中第三MOS管M13的栅极可用于接收相位为90°的本振信号，第一正交混频器31中第三MOS管M13的漏极与第二正交混频器32中第三MOS管M13的漏极相耦合作为该正交混频电路3的输出端。
当该天线单元11用于接收差分电压信号时，如图5所示，第一正交混频器31和第二正交混频器33中的每个正交混频器可以包括：第七MOS管M27、第八MOS管M28、第九MOS管M29和第十MOS管M30。其中，第七MOS管M27的栅极和第十MOS管的栅极均用于接收正相本振信号，第八MOS管M28的栅极和第九MOS管M29的栅极均用于接收负相本振信号；第七MOS管M27的源极和第八MOS管M28的源极耦合于第六节点，第九MOS管M29的源极和第十MOS管M30的源极耦合于第七节点；第七MOS管M27的漏极和第九MOS管M29的漏极耦合于第八节点，第八MOS管M28的漏极和第十MOS管M30的漏极耦合于第九节点。另外，第一正交混频器31中的第六节点和第七节点分别与第二正交混频器32中的第六节点和第七节点耦合作为正交混频电路3的差分输出端，第一正交混频器31中接收的正相本振信号的相位可以为180°、负相本振信号的相位可以为0°，第二正交混频器32中接收的正相本振信号的相位可以为90°、负相本振信号的相位可以为270°。
需要说明的是，上述正交混频器中的MOS管可以为NMOS管，也可以是PMOS管，图4和图5中仅以PMOS管为例进行说明，上述图4和图5中的正交混频器的结构并不对本申请实施例构成限制。
进一步的，如图7所示，该多个接收通道2中的每个接收通道2还包括：低噪声放大器(low noise amplifier，LNA)，该LNA的输入端与该接收通道2对应的天线单元1耦合，该LNA的输出端分别与第一跨导单元阵列211的输入端和所述第二跨导单元212的输入端耦合。
此外，该信号处理电路4可以包括：与该正交混频电路3的输出端耦合的变压器T、电容C、驱动放大器(drive amplifier，DA)、低通滤波器(low pass filter，LPF)和模数转换器(analog digital converter，ADC)中的一个或者多个等。图7中仅以该信号处理电路4包括变压器T和电容C为例进行说明。
在本申请实施例提供的相控阵装置中，该多个接收通道2的每个接收通道2均包括跨导级电路21，该跨导级电路21中的第一跨导单元阵列211和第二跨导单元阵列212可用于将天线单元1接收的电压信号转换为电流信号，之后通过对不同接收通道的电流信号作累加即可实现不同接收通道中信号的合路处理。此外，该多个接收通道2的每个接收通道2中的第一跨导单元阵列211和第二跨导单元阵列212可用于将接收到的一路电压信号转换为两路电流信号，这两路电流信号在经过该正交混频电路3的正交混频处理后，即可实现对该接收通道2中传输的信号的移相。因此，本申请与现有技术相比，无需为不同的接收通道独立地设置无源的移相器和功分合路网络，进而减小了相控阵的面积。
在本申请的另一实施例中，还提供一种芯片模组，该芯片模组包括芯片和封装基板，该芯片包括相控阵装置，该相控阵装置可以为上文所提供的任一种相控阵装置，该封装基板可以包括上文所提供的天线阵列。
如图8所示，本申请实施例还提供一种通信设备，该通信设备包括存储器101、处理器102以及上文所提供的相控阵装置103。
应当理解，该通信设备可以具体为智能手机、电脑、智能手表等终端设备。当该终端设备为智能手机时，该相控阵装置103也可以称为通信电路，该终端设备还可包括输入\输出装置104。处理器102主要用于对通信协议以及通信数据进行处理，以及对整个智能手机进行控制，执行软件程序，处理软件程序的数据。存储器101主要用于存储软件程序和数据。该相控阵装置103主要用于基带信号与射频信号的转换以及对射频信号的处理，以及用于收发电磁波形式的射频信号等。该输入\输出装置，例如触摸屏、显示屏，键盘等主要用于接收用户输入的数据以及对用户输出数据。
当上述智能手机开机后，处理器102可以读取存储器101的软件程序，解释并执行软件程序的指令，处理软件程序的数据。当需要通过无线发送数据时，处理器102对待发送的数据进行基带处理后，输出基带信号至该相控阵装置103，该相控阵装置103将基带信号进行射频处理后将射频信号通过天线以电磁波的形式向外发送。当有数据发送到该智能手机时，该相控阵装置103通过天线接收到射频信号，将射频信号转换为基带信号，并将基带信号输出至处理器102，处理器102将基带信号转换为数据并对该数据进行处理。
本领域技术人员可以理解，为了便于说明，图8仅示出了一个存储器和一个处理器。在实际的终端设备中，可以存在多个处理器和多个存储器。存储器也可以称为存储介质或者存储设备等。需要说明的是，本申请实施例对存储器的类型不作限定。
应理解，本申请实施例中提到的第X频段，比如第一频段是指标准组织定义的或者商用的固定的频率区间，包括但是不限于本申请实施例中的3GPP定义的5G的毫米波频段，例如n257(26.5GHz-29.500GHz)，n260(37GHz-40GHz)，n258(24.25GHz-27.5G Hz)，和n261(27.5GHz-28.35GHz)。
最后应说明的是：以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何在本申请揭露的技术范围内的变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

  1. 一种相控阵装置，其特征在于，所述装置包括：
    多个接收通道，所述多个接收通道与天线阵列中的多个天线单元耦合，所述多个接收通道中的每个接收通道均包括跨导级电路，所述跨导级电路包括第一跨导单元阵列和第二跨导单元阵列，其中，每个接收通道的所述第一跨导单元阵列的输入端和所述第二跨导单元阵列的输入端均与所述接收通道对应的所述天线单元耦合；
    正交混频电路，所述正交混频电路的同相输入端和正交输入端分别与所述多个接收通道中的所述第一跨导单元阵列的输出端和所述多个接收通道中的所述第二跨导单元阵列的输出端耦合；
    信号处理电路，所述信号处理电路的输入端与所述正交混频电路的输出端耦合。
  2. 根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述多个接收通道中的每个接收通道中的所述第一跨导单元阵列和所述第二跨导单元阵列具有移相功能。
  3. 根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述第一跨导单元阵列和所述第二跨导单元阵列均包括多个跨导级，所述多个跨导级的导通数量可调。
  4. 根据权利要求1-3任一项所述的装置，其特征在于，所述第一跨导单元阵列和所述第二跨导单元阵列分别设置有第一控制电路和第二控制电路，用于分别控制所述第一跨导单元阵列和所述第二跨导单元阵列中跨导级的导通或断开的个数。
  5. 根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述第一控制电路和所述第二控制电路中的每个控制电路包括与所述跨导级一一对应耦合的开关级电路，所述开关级电路用于控制对应的所述跨导级的导通或断开。
  6. 根据权利要求1-5任一项所述的装置，其特征在于，所述第一跨导单元阵列和所述第二跨导单元阵列中的跨导级包括：第一金属氧化半导体MOS管和第二MOS管，所述第一MOS管的栅极和所述第二MOS管的栅极作为所述跨导级的输入端，所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极耦合于第一节点，所述第一MOS管的漏极和所述第二MOS管的漏极作为所述跨导级的输出端。
  7. 根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述跨导级还包括：耦合在所述第一节点与接地端之间的尾电流管。
  8. 根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述开关级电路设置有第一信号产生器和第二信号产生器，所述第一信号产生器和所述第二信号产生器分别用于产生导通和断开所述开关级电路的开关信号。
  9. 根据权利要求5或8所述的装置，其特征在于，所述开关级电路包括：第三金属氧化半导体MOS管、第四MOS管、第五MOS管和第六MOS管；
    其中，所述第三MOS管的栅极和所述第六MOS管的栅极均用于接收正相开关信号，所述第四MOS管的栅极和所述第五MOS管的栅极均用于接收负相开关信号；所述第三MOS管的源极和所述第四MOS管的源极均耦合于第二节点，所述第五MOS管的源极和所述第六MOS管的源极均耦合于第三节点，所述第二节点和所述第三节点为所述开关级电路的输入端；所述第三MOS管的漏极和所述第五MOS管的漏极均耦合于第四节点，所述第四MOS管的漏极和所述第六MOS管的漏极均耦合于第五节点，所述第四节点和所述第五节点为所述开关级电路的输出端。
  10. 根据权利要求1-9任一项所述的装置，其特征在于，所述正交混频电路包括：具有第一同相输入端和第一正交输入端的第一正交混频器、具有第二同相输入端和第二正交输入端的第二正交混频器，以及具有同相输出端和正交输出端的本振信号产生器；
    其中，所述第一同相输入端作为所述正交混频电路的所述同相输入端与所述多个接收通道中的所述第一跨导单元阵列的输出端，所述第二正交输入端作为所述正交混频电路的所述正交输入端与所述多个接收通道中的所述第二跨导单元阵列的输出端耦合，所述第一正交输入端与所述本振信号产生器的所述正交输出端耦合，所述第二同相输入端与所述本振信号产生器的所述同相输出端耦合。
  11. 根据权利要求10所述的装置，其特征在于，所述第一正交混频器和所述第二正交混频器中的每个正交混频器均包括：第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管和第十MOS管；
    其中，所述第七MOS管的栅极和所述第十MOS管的栅极均用于接收正相本振信号，所述第八MOS管的栅极和所述第九MOS管的栅极均用于接收负相本振信号；所述第七MOS管的源极和所述第八MOS管的源极耦合于第六节点，所述第九MOS管的源极和所述第十MOS管的源极耦合于第七节点；所述第七MOS管的漏极和所述第九MOS管的漏极耦合于第八节点，所述第八MOS管的漏极和所述第十MOS管的漏极耦合于第九节点；
    所述第一正交混频器中的所述第六节点和所述第七节点分别与所述第二正交混频器中的所述第六节点和所述第七节点耦合作为所述正交混频电路的输出端；
    当所述正交混频器为所述第一正交混频器时，所述第六节点和所述第七节点分别作为所述第一同相输入端；当所述正交混频器为所述第二正交混频器时，所述第六节点和所述第七节点分别作为所述第二正交输入端。
  12. 根据权利要求1-11任一项所述的装置，其特征在于，所述多个接收通道中的每个接收通道还包括：
    低噪声放大器，所述低噪声放大器的输入端与所述接收通道对应的所述天线单元耦合，所述低噪声放大器的输出端分别与所述第一跨导单元阵列和所述第二跨导单元的输入端耦合。
  13. 根据权利要求1-12任一项所述的装置，其特征在于，所述信号处理电路包括：
    与所述正交混频电路的输出端耦合的变压器、电容、驱动放大器、低通滤波器和模数转换器中的一个或者多个。
  14. 一种芯片模组，其特征在于，包括：芯片和封装基板，所述芯片固定于所述封装基板，所述芯片包括如权利要求1-13任一项所述的相控阵装置，所述封装基板包括具有多个天线单元的天线阵列。
  15. 一种通信设备，其特征在于，所述通信设备包括如权利要求1-13任一项所述的相控阵装置。
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Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7760833B1 (en) * 2005-02-17 2010-07-20 Analog Devices, Inc. Quadrature demodulation with phase shift
US8432211B2 (en) * 2009-07-02 2013-04-30 Qualcomm Incorporated Mixer-transconductance interface
US8106710B2 (en) * 2010-03-18 2012-01-31 Analog Devices, Inc. Apparatus and method for variable gain transconductance
EP2675080B1 (en) * 2012-06-15 2019-06-12 IMEC vzw A phased-array receiver for mm-wave applications
US9667235B1 (en) * 2012-12-13 2017-05-30 Rockwell Collins, Inc. Ultra-precision linear phase shifter with gain control
WO2017062386A1 (en) * 2015-10-04 2017-04-13 Jianxun Zhu Circuits for wireless communication on multiple frequency bands
US10854945B2 (en) * 2016-05-20 2020-12-01 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Circuits for wireless communication on multiple frequency bands
KR102177403B1 (ko) * 2017-06-07 2020-11-12 한국전자통신연구원 위상 배열 수신 장치
CN108152798B (zh) * 2017-11-16 2019-11-22 东南大学 电流复用相控阵接收机

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