CN116669441A - 太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏装置 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及太阳能电池技术领域,公开了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏装置。太阳能电池包括沿第一方向依次排列的第一电极层、第一载流子传输层、第一吸光层、第二载流子传输层、复合结构、第三载流子传输层、第二吸光层、第四载流子传输层和第二电极层;其中,复合结构包括多个导电层和绝缘层,在第二方向上,多个导电层不连续设置,所述绝缘层设置于多个导电层之间,第二方向垂直于第一方向。本申请的技术方案有利于提高太阳能电池的性能。
Description
技术领域
本申请涉及太阳能电池技术领域,特别是涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏装置。
背景技术
近年来,全球能源短缺和环境污染问题日益突出,太阳能电池作为理想的可再生能源受到越来越多的关注。太阳能电池又称为光伏电池,是一种通过光电效应或光化学效应将光能直接转化为电能的装置。其在诞生后的几年内迅速获得了较高的光电转换效率,具有良好的应用前景。
随着太阳能电池技术的发展,人们对太阳能电池的性能要求越来越高,比如太阳能电池的效率、稳定性等。因此,如何提高太阳能电池的性能是一项亟待解决的技术问题。
发明内容
本申请是鉴于上述课题而进行的,其目的在于,提供一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏装置,以提高太阳能电池的性能。
第一方面,提供了一种太阳能电池,包括:沿第一方向依次排列的第一电极层、第一载流子传输层、第一吸光层、第二载流子传输层、复合结构、第三载流子传输层、第二吸光层、第四载流子传输层和第二电极层;其中,所述复合结构包括多个导电层和绝缘层,在第二方向上,所述多个导电层不连续设置,所述绝缘层设置于所述多个导电层之间,所述第二方向垂直于所述第一方向。
本申请实施例的一种太阳能电池,通过设置复合结构中包括沿第二方向分布的多个不连续的导电层,使得复合结构中横向电阻增大,从而能够减小横向电流,有利于叠层电池的并联电阻的增大,从而有利于增大太阳能电池的填充因子,从而有利于提高太阳能电池的效率;同时在多个不连续的导电层之间设置绝缘层,能够避免叠层太阳能电池中的第二载流子传输层和第三载流子传输层这两种不同类型的载流子传输层通过多个不连续的导电层之间的间隙直接接触,有利于进一步提升太阳能电池的效率。
在一种可能的实现方式中,所述导电层的导电材料包括有机导电材料、无机导电材料中的至少一种。
在一种可能的实现方式中,所述导电材料包括透明的导电氧化物、金属及其合金、碳单质材料中的至少一种。
在一种可能的实现方式中,所述透明的导电氧化物包括氧化铟锡、氟掺杂的氧化锡、锑掺杂的氧化锡、铟掺杂的氧化钨、铟掺杂的氧化锌、铝掺杂的氧化锌、硼掺杂的氧化锌中的至少一种,所述金属包括金、银、铜、铝、镍、铬、铋、铂、镁、钼、钨中的至少一种,所述碳单质材料包括石墨、石墨烯、碳纳米管中的至少一种。
在一种可能的实现方式中,所述绝缘层的绝缘材料包括金属氧化物、金属氟化物、金属氮化物、有机绝缘材料中的至少一种。上述物质均具有良好的绝缘特性。
在一种可能的实现方式中,所述绝缘材料包括三氧化二铝。
在一种可能的实现方式中,所述导电层的厚度d1的取值范围为0.1nm~10nm。
在一种可能的实现方式中,所述导电层的厚度d1的取值范围为0.5nm~1.2nm。
在一种可能的实现方式中,所述绝缘层的厚度d2的取值范围为0.1nm~10nm。
在一种可能的实现方式中,所述绝缘层的厚度d2的取值范围为0.5nm~1.2nm。
上述技术方案中,导电层和绝缘层的厚度设置在上述范围内,有利于提升太阳能电池的效率。
在一种可能的实现方式中,所述第一电极层和所述第二电极层的材料包括导电氧化物、金属及其合金、碳单质材料中的至少一种。
在一种可能的实现方式中,所述导电氧化物包括氧化铟锡、镧系金属掺杂的氧化铟、硼掺杂的氧化锌、氟掺杂的氧化锡、铟掺杂的氧化钨、铟掺杂的氧化锌、铝掺杂的氧化锌、氧化镓锌中的至少一种;所述金属包括金、银、铜、铝、镍、铬、铋、铂、镁、钼、钨中的至少一种;所述碳单质材料包括石墨、石墨烯、碳纳米管中的至少一种。这样,便于根据实际需要灵活选择电极层的材料种类。
在一种可能的实现方式中,所述第一载流子传输层、所述第二载流子传输层、所述第三载流子传输层和所述第四载流子传输层为空穴传输层或电子传输层;所述空穴传输层的材料包括P型半导体,所述电子传输层的材料包括N型半导体。
在一种可能的实现方式中,所述空穴传输层的材料包括以下材料及其衍生物中的至少一种:[4-(3,6-二甲氧基-9H-咔唑-9-基)丁基]磷酸、[2-(3,6-二甲氧基-9H-咔唑- 9-基)乙基]磷酸、[4-(3,6-二溴-9H-咔唑-9-基)丁基]磷酸、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、聚-3已基噻吩、三蝶烯为核的三苯胺、3,4-乙烯二氧噻吩-甲氧基三苯胺、N-(4-苯胺)咔唑-螺双芴、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸、聚噻吩、氧化镍、氧化钼、碘化亚铜、氧化亚铜;所述电子传输层的材料包括以下材料及其衍生物中的至少一种:浴铜灵、[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯、[6,6]-苯基C71-丁酸甲酯、C60、C70、SnOx、氧化锌,其中,x的取值范围为1.5~2。
上述用作空穴传输层或是电子传输层的材料可以提高太阳能电池的效率。
在一种可能的实现方式中,所述第一载流子传输层为空穴传输层,所述第二载流子传输层为电子传输层,所述第三载流子传输层为空穴传输层,所述第四载流子传输层为电子传输层。
在一种可能的实现方式中,所述第一吸光层的材料为钙钛矿,所述第二吸光层的材料为钙钛矿。
钙钛矿材料具有高转换效率、低成本、环保等优点,可以制备成非常薄的薄膜,应用于太阳能电池,可以有效提高太阳能电池的效率。
在一种可能的实现方式中,所述第一方向为太阳光的入射方向,所述第一吸光层的材料的带隙大于所述第二吸光层的材料的带隙。
第一方向为太阳光的入射方向时,太阳光先照射到第一吸光层,设置第一吸光层的材料的带隙大于第二吸光层的材料的带隙,有利于提升太阳能电池的效率。
在一种可能的实现方式中,所述第一吸光层和所述第二吸光层中的钙钛矿的化学式为ABX3,其中,A包括CH3(NH2)2 +、CH(NH2)2 +、CH3NH2 +、Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+中的至少一种,B包括Pb+、Be2+、Mg2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Zn2+、Ge2+、Fe2+、Co2+、Ni2+中的至少一种,X包括Cl-、Br-、I-、SCN-、CNO-、OCN-、OSCN-、SH-、OH-、CP-、CN-、SeCN-、N3 -、NO2 -中的至少一种。
在一种可能的实现方式中,所述太阳能电池还包括第一空穴阻挡层,所述第一空穴阻挡层位于所述第一吸光层和所述第二载流子传输层之间。
在一种可能的实现方式中,所述太阳能电池还包括第二空穴阻挡层,所述第二空穴阻挡层位于所述第二吸光层和所述第四载流子传输层之间。
上述技术方案中,在吸光层和电子传输层之间设置空穴阻挡层,有利于提升电子传输层与吸光层之间的电子传输,从而提升太阳能电池的效率。
在一种可能的实现方式中,所述第一空穴阻挡层和所述第二空穴阻挡层的材料包括富勒烯及其衍生物、SnOx中的至少一种,其中,x的取值范围为1.5~2。
第二方面,提供一种太阳能电池的制备方法,包括:提供沿第一方向依次排列的第一电极层、第一载流子传输层、第一吸光层、第二载流子传输层、复合结构、第三载流子传输层、第二吸光层、第四载流子传输层和第二电极层;其中,所述复合结构包括多个导电层和绝缘层,在第二方向上,所述多个导电层不连续设置,所述绝缘层设置于所述多个导电层之间,所述第二方向垂直于所述第一方向。
在一种可能的实现方式中,所述提供沿第一方向依次排列的第一电极层、第一载流子传输层、第一吸光层、第二载流子传输层、复合结构、第三载流子传输层、第二吸光层、第四载流子传输层和第二电极层,包括:提供所述第一电极层;在所述第一电极层上制备所述第一载流子传输层,所述第一载流子传输层为空穴传输层;在所述第一载流子传输层上制备所述第一吸光层;在所述第一吸光层上制备所述第二载流子传输层,所述第二载流子传输层为电子传输层;在所述第二载流子传输层上制备所述多个导电层和所述绝缘层,制得所述复合结构;在所述复合结构上制备所述第三载流子传输层,所述第三载流子传输层为空穴传输层;在所述第三载流子传输层上制备所述第二吸光层;在所述第二吸光层上制备所述第四载流子传输层,所述第四载流子传输层为电子传输层;在所述第四载流子传输层上制备所述第二电极层。
在一种可能的实现方式中,所述在所述第二载流子传输层上制备所述多个导电层和所述绝缘层,制得所述复合结构,包括:在所述第二载流子传输层上沉积导电材料,制得所述多个导电层;在所述第二载流子传输层上沉积绝缘材料,制得所述绝缘层,以制得所述复合结构。
在一种可能的实现方式中,所述在所述第二载流子传输层上制备所述多个导电层和所述绝缘层,包括:在所述第二载流子传输层上沉积导电材料,制得所述多个导电层;在所述第二载流子传输层和所述多个导电层上沉积绝缘材料,制得待处理复合结构;使用氢氟酸对所述待处理复合结构进行清洗处理,制得所述复合结构。
在一种可能的实现方式中,所述导电层的厚度d1的取值范围为0.1nm~10nm。
在一种可能的实现方式中,所述导电层的厚度d1的取值范围为0.5nm~1.2nm。
在一种可能的实现方式中,所述绝缘层的厚度d2的取值范围为0.1nm~10nm。
在一种可能的实现方式中,所述绝缘层的厚度d2的取值范围为0.5nm~1.2nm。
第三方面,提供了一种光伏组件,包括第一方面及其中任一种可能的实现方式中的太阳能电池。
第四方面,提供了一种光伏装置,包括第三方面中的光伏组件。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面所描述的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例的太阳能电池的示意性结构图;
图2为本申请一实施例的太阳能电池的复合结构的yoz截面图;
图3为本申请一实施例的太阳能电池的示意性结构图;
图4为本申请一实施例的太阳能电池的制备方法的示意图。
具体实施方式
以下,适当地参照附图详细说明具体公开了本申请的太阳能电池及其制备方法、光伏组件和光伏装置的实施方式。但是会有省略不必要的详细说明的情况。例如,有省略对已众所周知的事项的详细说明、实际相同结构的重复说明的情况。这是为了避免以下的说明不必要地变得冗长,便于本领域技术人员的理解。此外,附图及以下说明是为了本领域技术人员充分理解本申请而提供的,并不旨在限定权利要求书所记载的主题。
本申请所公开的“范围”以下限和上限的形式来限定,给定范围是通过选定一个下限和一个上限进行限定的,选定的下限和上限限定了特别范围的边界。这种方式进行限定的范围可以是包括端值或不包括端值的,并且可以进行任意地组合,即任何下限可以与任何上限组合形成一个范围。例如,如果针对特定参数列出了60-120和80-110的范围,理解为60-110和80-120的范围也是预料到的。此外,如果列出的最小范围值1和2,和如果列出了最大范围值3,4和5,则下面的范围可全部预料到:1-3、1-4、1-5、2-3、2-4和2-5。在本申请中,除非有其他说明,数值范围“a-b”表示a到b之间的任意实数组合的缩略表示,其中a和b都是实数。例如数值范围“0-5”表示本文中已经全部列出了“0-5”之间的全部实数,“0-5”只是这些数值组合的缩略表示。另外,当表述某个参数为≥2的整数,则相当于公开了该参数为例如整数2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12等。
如果没有特别的说明,本申请的所有实施方式以及可选实施方式可以相互组合形成新的技术方案。
如果没有特别的说明,本申请的所有技术特征以及可选技术特征可以相互组合形成新的技术方案。
如果没有特别的说明,本申请的所有步骤可以顺序进行,也可以随机进行,优选是顺序进行的。例如,所述方法包括步骤(a)和(b),表示所述方法可包括顺序进行的步骤(a)和(b),也可以包括顺序进行的步骤(b)和(a)。例如,所述提到所述方法还可包括步骤(c),表示步骤(c)可以任意顺序加入到所述方法,例如,所述方法可以包括步骤(a)、(b)和(c),也可包括步骤(a)、(c)和(b),也可以包括步骤(c)、(a)和(b)等。
如果没有特别的说明,本申请所提到的“包括”和“包含”表示开放式。例如,所述“包括”和“包含”可以表示还可以包括或包含没有列出的其他组分。
如果没有特别的说明,在本申请中,术语“和/或”是包括性的。举例来说,短语“A和/或B”表示“A,B,或A和B两者”。更具体地,以下任一条件均满足条件“A或B”:A为真(或存在)并且B为假(或不存在);A为假(或不存在)而B为真(或存在);或A和B都为真(或存在)。
太阳能电池因其较高的光电转换效率,具有良好的应用前景。在太阳能电池中,各膜层的设置对于太阳能电池的性能,例如稳定性和效率,至关重要。例如,为了提高太阳能电池的效率,在叠层电池中,会在两种吸光层之间设置导电层,并且将导电层设计成不连续的结构,以增大导电层的横向电阻,但是这种导电层结构会导致导电层两侧的不同种类的载流子传输层存在直接接触的风险,会影响太阳能电池的性能。
有鉴于此,本申请实施例提供了一种太阳能电池,该太阳能电池包括沿第一方向依次排列的第一电极层、第一载流子传输层、第一吸光层、第二载流子传输层、复合结构、第三载流子传输层、第二吸光层、第四载流子传输层和第二电极层;其中,复合结构包括多个导电层和绝缘层,在第二方向上,多个导电层不连续设置,绝缘层设置于多个导电层之间,第二方向垂直于第一方向。本申请实施例的技术方案中,复合结构中包括沿第二方向分布的多个不连续的导电层,使得复合结构中横向电阻增大,从而能够减小横向电流,有利于叠层电池的并联电阻的增大,从而有利于增大太阳能电池的填充因子,从而有利于提高太阳能电池的效率;同时在多个不连续的导电层之间设置绝缘层,能够避免叠层太阳能电池中的第二载流子传输层和第三载流子传输层这两种不同类型的载流子传输层通过多个不连续的导电层之间的间隙直接接触,有利于进一步提升太阳能电池的效率。
[太阳能电池]
图1为本申请一实施例的太阳能电池的示意性结构图,图2为本申请一实施例的太阳能电池的复合结构的yoz截面图。如图1所示,太阳能电池10包括沿第一方向依次排列的第一电极层101、第一载流子传输层102、第一吸光层103、第二载流子传输层104、复合结构105、第三载流子传输层106、第二吸光层107、第四载流子传输层108和第二电极层109。
第一方向可以为太阳能电池的厚度方向,例如,如图1所示,第一方向为x方向(箭头所指的方向)。
具体地,复合结构105包括多个导电层1051和绝缘层1052,在第二方向上,多个导电层1051不连续设置,绝缘层1052设置于多个导电层1051之间,第二方向垂直于第一方向。例如,如图1所示,第二方向为y方向,再例如,如图2所示,第二方向为z方向。
复合结构105中包括沿第二方向分布的多个不连续的导电层1051,使得复合结构105中横向电阻增大,从而能够减小横向电流,有利于叠层电池的并联电阻的增大,从而有利于增大太阳能电池的填充因子,从而有利于提高太阳能电池的效率。在第二方向上,在多个不连续的导电层1051之间设置绝缘层1052,这样,第二载流子传输层104和第三载流子传输层106不会通过多个不连续的导电层1051之间的间隙直接接触,有利于太阳能电池整体电压的增大,进一步提升太阳能电池的效率。
太阳能电池10的效率可以指太阳能电池10的光电转换效率,指电池受光照时的最大输出功率与照射到电池上的入射光的功率的比值。
太阳能电池10的填充因子可以用于衡量太阳能电池10的光电转换效率。一般而言,填充因子越大,光电转换效率越大。填充因子与电流密度相关,电流密度可以指单位面积的电流,电流面积越大,越有利于提高填充因子。
第一电极层101和第二电极层109为导电的膜层,连接第一电极层101和第二电极层109可以产生光电流,从而向用电装置供电。
本申请实施例提供的太阳能电池10,包括沿第一方向依次排列的第一电极层101、第一载流子传输层102、第一吸光层103、第二载流子传输层104、复合结构105、第三载流子传输层106、第二吸光层107、第四载流子传输层108和第二电极层109;其中,复合结构105包括多个导电层1051和绝缘层1052,在第二方向上,多个导电层1051不连续设置,绝缘层1052设置于多个导电层1051之间,第二方向垂直于第一方向。本申请实施例的技术方案中,通过设置复合结构105中包括沿第二方向分布的多个不连续的导电层1051,使得复合结构105中横向电阻增大,从而能够减小横向电流,有利于叠层电池的并联电阻的增大,从而有利于增大太阳能电池的填充因子,从而有利于提高太阳能电池的效率;同时在多个不连续的导电层1051之间设置绝缘层1052,能够避免叠层太阳能电池中的第二载流子传输层104和第三载流子传输层106这两种不同类型的载流子传输层通过多个不连续的导电层1051之间的间隙直接接触,有利于进一步提升太阳能电池的效率。
以下结合图2,具体说明本申请实施例的太阳能电池的复合结构105。
如图2所示,复合结构105包括多个导电层1051和绝缘层1052。在第二方向上,多个导电层1051分散设置,第二方向垂直于第一方向,在图2中,第二方向可以为y方向,也可以为z方向,也就是说,在yoz面上,多个导电层1051分散设置。同时,多个导电层1051之间的间隙填充有绝缘材料,形成绝缘层1052。
图2中以导电层1051在yoz面上的正投影为圆形进行示例性地说明,导电层1051可以为圆柱形,但是导电层1051的形状不仅限于此,比如,导电层1051还可以为长方体,不规则体等。
在一些实施例中,导电层1051的导电材料包括有机导电材料、无机导电材料中的至少一种。
可选地,导电材料包括透明的导电氧化物、金属及其合金、碳单质材料中的至少一种。
具体地,透明的导电氧化物包括氧化铟锡、氟掺杂的氧化锡、锑掺杂的氧化锡、铟掺杂的氧化钨、铟掺杂的氧化锌、铝掺杂的氧化锌、硼掺杂的氧化锌中的至少一种,金属包括金、银、铜、铝、镍、铬、铋、铂、镁、钼、钨中的至少一种,碳单质材料包括石墨、石墨烯、碳纳米管中的至少一种。
在一些实施例中,绝缘层1052的绝缘材料可以包括金属氧化物、金属氟化物、金属氮化物、有机绝缘材料中的至少一种。例如,绝缘材料包括三氧化二铝。
上述物质均具有良好的绝缘特性。
在一些实施例中,如图1所示,导电层1051的厚度d1的取值范围为0.1nm~10nm,可选地,d1的取值范围为0.5nm~1.2nm。
具体地,导电层1051的厚度d1可以为0.1nm、0.5nm、1nm、1.2nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm,或是以上任一数值之间的数值。
在一些实施例中,继续参考图1,绝缘层1052的厚度d2的取值范围为0.1nm~10nm,可选地,d2的取值范围为0.5nm~1.2nm。
具体地,绝缘层1052的厚度d2可以为0.1nm、0.5nm、1nm、1.2nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm,或是以上任一数值之间的数值。
上述技术方案中,导电层1051和绝缘层1052的厚度设置在上述范围内,有利于提升太阳能电池的效率。
在一些实施例中,第一电极层101和第二电极层109的材料包括导电氧化物、金属及其合金、碳单质材料中的至少一种。
可选地,导电氧化物包括氧化铟锡、镧系金属掺杂的氧化铟、硼掺杂的氧化锌、氟掺杂的氧化锡、铟掺杂的氧化钨、铟掺杂的氧化锌、铝掺杂的氧化锌、氧化镓锌中的至少一种;可选地,金属包括金、银、铜、铝、镍、铬、铋、铂、镁、钼、钨中的至少一种;碳单质材料包括石墨、石墨烯、碳纳米管中的至少一种。这样,便于根据实际需要灵活选择电极层的材料种类。
可选地,在一些实施例中,第一电极层101的厚度的取值范围为10nm~100nm。例如,第一电极层101的厚度可以为10nm,15nm,30nm,50nm,80nm,90nm,100nm或上述范围内的任意数值。
可选地,在一些实施例中,第二电极层109的厚度的取值范围为10nm~100nm。例如,第二电极层109的厚度可以为10nm,15nm,30nm,50nm,80nm,90nm,100nm或上述范围内的任意数值。
本申请实施例的技术方案中,各膜层的厚度可以采用台阶仪进行测量,具体测量方法可以参考公知的台阶仪的测量方法。
在一些实施例中,第一载流子传输层102、第二载流子传输层104、第三载流子传输层106和第四载流子传输层108为空穴传输层或电子传输层。
空穴传输层用于传输空穴,空穴传输层的材料包括P型半导体。
可选地,空穴传输层的材料包括以下材料及其衍生物中的至少一种:[4-(3,6-二甲氧基-9H-咔唑-9-基)丁基]磷酸、[2-(3,6-二甲氧基-9H-咔唑- 9-基)乙基]磷酸、[4-(3,6-二溴-9H-咔唑-9-基)丁基]磷酸、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、聚-3已基噻吩、三蝶烯为核的三苯胺、3,4-乙烯二氧噻吩-甲氧基三苯胺、N-(4-苯胺)咔唑-螺双芴、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸、聚噻吩、氧化镍、氧化钼、碘化亚铜、氧化亚铜;
电子传输层用于传输电子,电子传输层的材料包括N型半导体。
可选地,电子传输层的材料包括以下材料及其衍生物中的至少一种:浴铜灵、[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯、[6,6]-苯基C71-丁酸甲酯、C60、C70、SnOx、氧化锌,其中,x的取值范围为1.5~2。比如,x为2,电子传输层的材料包括SnO2。
上述用作空穴传输层或是电子传输层的材料可以提高太阳能电池的效率。
在一些实施例中,第一载流子传输层102为空穴传输层,第二载流子传输层104为电子传输层,第三载流子传输层106为空穴传输层,第四载流子传输层108为电子传输层。
在一些实施例中,第一吸光层103的材料为钙钛矿,第二吸光层107的材料为钙钛矿。
钙钛矿材料具有高转换效率、低成本、环保等优点,可以制备成非常薄的薄膜,应用于太阳能电池,可以有效提高太阳能电池的效率。
在一些实施例中,第一方向为太阳光的入射方向,第一吸光层103的材料的带隙大于第二吸光层107的材料的带隙。
带隙是指半导体材料中的导带的最低点和价带的最高点之间的能量之差。
可选地,第一吸光层103的材料的带隙在1.6eV-2.3eV,第二吸光层107的材料的带隙在1eV-1.4eV,比如,第一吸光层103的钙钛矿材料为溴碘混合钙钛矿,第二吸光层107的钙钛矿材料为锡铅混合钙钛矿。
第一方向为太阳光的入射方向时,太阳光先照射到第一吸光层103,设置第一吸光层103的材料的带隙大于第二吸光层107的材料的带隙,有利于提升太阳能电池的效率。
在一些实施例中,第一吸光层103和第二吸光层107中的钙钛矿的化学式为ABX3,其中,A包括CH3(NH2)2 +、CH(NH2)2 +、CH3NH2 +、Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+中的至少一种,B包括Pb+、Be2 +、Mg2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Zn2+、Ge2+、Fe2+、Co2+、Ni2+中的至少一种,X包括Cl-、Br-、I-、SCN-、CNO-、OCN-、OSCN-、SH-、OH-、CP-、CN-、SeCN-、N3 -、NO2 -中的至少一种。这样,便于根据实际需要灵活选择钙钛矿的具体种类。
可选地,在一些实施例中,第二吸光层107的材料为硅材料、铜铟镓硒、铜镓硒、碲化镉或砷化镓。
可选地,在一些实施例中,太阳能电池10还包括阻挡层,比如,空穴阻挡层,电子阻挡层。具体地,在吸光层和空穴传输层之间设置电子阻挡层,在吸光层和电子传输层之间设置空穴阻挡层。
电子阻挡层可以起到传输空穴的作用,空穴阻挡层可以起到传输电子的作用。
可选地,如图3所示,太阳能电池10还包括第一空穴阻挡层110,当第二载流子传输层104为电子传输层时,第一空穴阻挡层110位于第一吸光层103和第二载流子传输层104之间。
可选地,继续参考图3,太阳能电池10还包括第二空穴阻挡层111,当第四载流子传输层108为电子传输层时,第二空穴阻挡层111位于第二吸光层107和第四载流子传输层108之间。
上述技术方案中,在吸光层和电子传输层之间设置空穴阻挡层,有利于提升电子传输层与吸光层之间的电子传输,从而提升太阳能电池10的效率。
可选地,在一些实施例中,第一空穴阻挡层110和第二空穴阻挡层111的材料包括富勒烯及其衍生物、SnOx中的至少一种,其中,x的取值范围为1.5~2。比如,x可以为2,第一空穴阻挡层110和第二空穴阻挡层111的材料可以包括SnO2。
上述材料用作第一空穴阻挡层110和第二空穴阻挡层111的材料可以提高太阳能电池10的效率。
[太阳能电池的制备方法]
上面介绍了本申请实施例提供的太阳能电池,下面介绍本申请实施例提供的太阳能电池的制备方法,其中与上述太阳能电池类似的部分不再赘述。
图4为本申请一实施例的太阳能电池的制备方法示意图。如图4所示,该制备方法400包括:提供沿第一方向依次排列的第一电极层、第一载流子传输层、第一吸光层、第二载流子传输层、复合结构、第三载流子传输层、第二吸光层、第四载流子传输层和第二电极层。
其中,复合结构包括多个导电层和绝缘层,在第二方向上,多个导电层不连续设置,绝缘层设置于多个导电层之间,第二方向垂直于第一方向。
通过上述方法制备的太阳能电池,具有较高的电池效率。
可选地,在一些实施例中,制备方法400包括:提供第一电极层;在第一电极层上制备第一载流子传输层,第一载流子传输层为空穴传输层;在第一载流子传输层上制备第一吸光层;在第一吸光层上制备第二载流子传输层,第二载流子传输层为电子传输层;在第二载流子传输层上制备多个导电层和绝缘层,制得复合结构;在复合结构上制备第三载流子传输层,第三载流子传输层为空穴传输层;在第三载流子传输层上制备第二吸光层;在第二吸光层上制备第四载流子传输层,第四载流子传输层为电子传输层;在第四载流子传输层上制备第二电极层。
在一些实施例中,制备方法400包括:在第二载流子传输层上沉积导电材料,制得多个导电层;在第二载流子传输层上沉积绝缘材料,制得绝缘层,以制得复合结构。示例性的,可以采用原子沉积技术在第二载流子传输层上沉积绝缘材料。
在一些实施例中,制备方法400包括:在第二载流子传输层上沉积导电材料,制得多个导电层;在第二载流子传输层和多个导电层上沉积绝缘材料,制得待处理复合结构;使用氢氟酸对待处理复合结构进行清洗处理,制得复合结构。
可以理解的是,在第二载流子传输层上沉积导电材料形成导电层后,在第二载流子传输层上沉积绝缘材料时,绝缘材料除了覆盖于第二载流子传输层上,还有可能会部分覆盖于导电层,影响电池的载流子传输。因此在沉积完绝缘材料后,用氢氟酸(HF)对制得的待处理复合结构进行清处理,除去覆盖于导电层上的绝缘材料。
在一些实施例中,导电层的厚度d1的取值范围为0.1nm~10nm,可选地,d1的取值范围为0.5nm~1.2nm。
具体地,导电层的厚度d1可以为0.1nm、0.5nm、1nm、1.2nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm,或是以上任一数值之间的数值。
在一些实施例中,绝缘层的厚度d2的取值范围为0.1nm~10nm,可选地,d2的取值范围为0.5nm~1.2nm。
具体地,绝缘层的厚度d2可以为0.1nm、0.5nm、1nm、1.2nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm,或是以上任一数值之间的数值。
上述技术方案中,导电层和绝缘层的厚度设置在上述范围内,有利于提升太阳能电池的效率。
本申请实施例还提供一种光伏组件。通常情况下,光伏组件包括上述太阳能电池、将多个太阳能电池连接的焊带、用于电流传输的接线盒、电池封装部件。
在一些实施方式中,电池封装部件包括光伏玻璃,光伏玻璃覆盖于上述太阳能电池,起到保护太阳能电池的作用。同时,光伏玻璃具有非常好的透光性和很高的硬度,可以适应很大的昼夜温差和恶劣的天气环境。
在一些实施方式中,电池封装部件包括EVA薄膜,设置于光伏玻璃和太阳能电池之间,用于粘接光伏玻璃和太阳能电池。
在一些实施方式中,电池封装部件包括光伏背板,光伏背板同样起到保护太阳能电池的作用。
可选地,光伏背板的材质可以为聚氟乙烯复合膜或者热塑性弹性材料。光伏背板的材料具有绝缘、防水、耐老化等特性。
在一些实施方式中,电池封装部件包括太阳能铝边框,采用铝合金材质,具有强度高、耐腐蚀性好等特点。可以起到支撑和保护太阳能电池的作用。
本申请实施例还提供一种光伏装置,包括上述实施例提供的光伏组件。
在一些实施例中,光伏装置还可以为照明设备、储能设备等,本申请实施例包括但不限于此。比如,光伏装置可以为太阳能热水器、太阳能路灯、太阳能光伏发电机等。
[实施例]
以下,说明本申请的实施例。下面描述的实施例是示例性的,仅用于解释本申请,而不能理解为对本申请的限制。实施例中未注明具体技术或条件的,按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。
1、太阳能电池的制备
[实施例1]
实施例1对应图1所示的太阳能电池的结构。
第一电极层:第一电极层设置在玻璃基底上,第一电极层的材料为氧化铟锡(ITO),使用丙酮-酒精-去离子水依次清洗上述具有第一电极层的玻璃基底,烘干后待用。
第一载流子传输层(空穴传输层):将[4-(3,6-二甲氧基-9H-咔唑-9-基)丁基]磷酸(MeO-4PACz)加入到乙醇溶剂中搅拌,将MeO-4PACz的乙醇溶液旋涂至第一电极层上(旋涂转速为4000rpm,旋涂时间为30s),然后转移至热台在100℃下退火10min,形成第一载流子传输层。
第一吸光层:将3mg的FAI、59mg的FABr、46mg的CsI、25mg的CsBr、428mg的PbI2和209mg的PbBr2加入到1mL的DMF和DMSO混合的溶剂中(DMF和DMSO体积比为3:1),在磁力搅拌机上以600rpm的转速搅拌8h,过滤,制得钙钛矿前驱体溶液。将100μL的上述钙钛矿前驱体溶液旋涂到上述第一载流子传输层上(先以旋涂转速2000rpm、加速度200rpm/s旋涂10s,再以旋涂转速4000rpm、加速度1000rpm/s,旋涂25s),然后滴加200μL的氯苯到旋涂的钙钛矿前驱体溶液上,接着再旋涂上述钙钛矿前驱体溶液(旋涂转速为4000rpm,旋涂时间为15s),然后转移至热台在100℃下退火15min,形成第一吸光层。
第二载流子传输层(电子传输层):使用原子层沉积(ALD)设备在上述第一吸光层上制备一层20nm的SnO2,形成第二载流子传输层。
复合结构:在上述第二载流子传输层上旋涂一层1nm的80%乙氧基化的聚乙酰亚胺(PEIE),使用ALD设备在上述PEIE上制备ITO,形成厚度d1为1nm的多个导电层;再用ALD设备在裸露的PEIE上沉积厚度为1nm的Al2O3,形成厚度d2为1nm的绝缘层,制得复合结构。
第三载流子传输层(空穴传输层):在上述复合层上旋涂聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)(旋涂转速为4000rpm,旋涂时间为30s),然后转移至热台在150℃下退火10min,形成第三载流子传输层。
第二吸光层:将2mg的CH(NH2)2I、85mg的CH3NH2I、4mg的PbI2、335mg的SnI2、0.5mg的MeO-4PACz加入到1mL的DMF和DMSO混合的溶剂中(DMF和DMSO体积比为3:1),在磁力搅拌机上以600rpm的转速搅拌2h,过滤,制得钙钛矿前驱体溶液;将100μL的上述钙钛矿前驱体溶液旋涂到上述第三载流子传输层上(先以旋涂转速1000rpm、加速度200rpm/s旋涂10s,再以旋涂转速3000、加速度为1000rpm/s旋涂20s),然后滴加350μL的乙酸乙酯到旋涂的钙钛矿前驱体溶液上,接着再旋涂上述钙钛矿前驱体溶液(旋涂转速为4000rpm,旋涂时间为20s),随后转移至热台在100℃下退火10min,形成第二吸光层。
第四载流子传输层(电子传输层):在上述第二吸光层上蒸镀一层10的浴铜灵(BCP),形成第四载流子传输层。
第二电极层:在上述第四载流子传输层上蒸镀一层100nm的金属铜(Cu),形成第二电极层。最终制得实施例1的太阳能电池。
[实施例2-5,10]
实施例2-5,10与实施例1的制备相似,不同在于实施例2-5,10中导电层的厚度d1分别为0.1nm,0.5nm,1.2nm,10nm,12nm,具体详见表1。
[实施例6-9,11]
实施例6-9,11与实施例1的制备相似,不同在于实施例6-9,11中绝缘层的厚度d2分别为0.1nm,0.5nm,1.2nm,10nm,12nm,具体详见表1。
[实施例12]
实施例12与实施例1的制备相似,不同在于实施例12中复合结构的制备:在上述第二载流子传输层上旋涂一层1nm的80%乙氧基化的聚乙酰亚胺(PEIE),使用ALD设备在上述PEIE上制备ITO,形成厚度d1为1.2nm的多个导电层;再用ALD设备在PEIE上沉积厚度为3nm的Al2O3,导电层上覆盖有Al2O3;
用HF将上述沉积的Al2O3进行清洗,将Al2O3的厚度总体2nm,将被Al2O3覆盖的导电层暴露出来,在ITO未覆盖的区域形成厚度d2为1nm的绝缘层,制得复合结构。
[实施例13]
实施例13与实施例1的制备相似,不同在于实施例13中第一载流子传输层和第二载流子传输层的制备:实施例13中第一载流子传输层为电子传输层,使用ALD设备在第一电极层上制备一层20nm的SnO2,形成第一载流子传输层;第二载流子传输层为空穴传输层,将MeO-4PACz加入到乙醇溶剂中搅拌,将MeO-4PACz的乙醇溶液旋涂至第一吸光层上(旋涂转速为4000rpm,旋涂时间为30s),然后转移至热台在100℃下退火10min,形成第二载流子传输层。
[实施例14]
实施例14与实施例1的制备相似,不同在于实施例14中,太阳能电池还包括第一空穴阻挡层和第二空穴阻挡层。具体地,第一吸光层和第二载流子传输层之间设置有第一空穴阻挡层,在第一吸光层上蒸镀一层25nm的C60,形成第一空穴阻挡层,然后在第一空穴阻挡层上制备第二载流子传输层(第二载流子传输层的制备过程参见实施例1);第二吸光层和第四载流子传输层之间设置有第二空穴阻挡层,在第二吸光层上蒸镀一层25nm的C60,形成第二空穴阻挡层,然后在第二空穴阻挡层上制备第二电极层(第二电极层的制备过程参见实施例1)。
[实施例15]
实施例15与实施例1的制备相似,不同在于实施例15中,导电层的材料为钨掺杂的氧化铟(IWO),具体详见表1。
[实施例16]
实施例16与实施例1的制备相似,不同在于实施例16中,第二吸光层的材料为单晶硅。第二吸光层的制备:使用强碱将单晶硅进行清洗制绒,得到双面制绒面;随即将双面制绒的单晶硅片使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备分别在一侧制备一层5nm的本征i型非晶硅和100nm的掺杂p型非晶硅,然后再同样使用PECVD设备在另一侧制备一层5nm本征i型非晶硅和100nm的掺杂N型非晶硅;将已经制备完成非晶硅的样品使用物理气相沉积(PVD)设备在样品两侧分别制备一层100nm的ITO,制得第二吸光层。
[对比例1]
对比例1与实施例1的制备相似,不同在于对比例1中复合结构仅包括1nm的ITO导电层。
接下来,对太阳能电池性能的测试过程进行说明。
2、太阳能电池的性能测试
在标准模拟太阳光(AM 1.5G,100 mW/cm2)照射下,对电池性能进行测试,获取I-V曲线。根据I-V曲线以及测试设备反馈的数据可以得到短路电流Jsc(单位mA/cm2)、开路电压Voc(单位V)、最大光输出电流Jmpp(单位mA)和最大光输出电压Vmpp(单位V)。通过公式FF=Jsc×Voc/(Jmpp×Vmpp)计算出电池的填充因子FF,单位%。通过公式PCE=Jsc×Voc×FF/Pin计算出电池的光电转换效率PCE,单位%;Pin表示入射光的输入功率,单位mW。
按照上述方法分别对制备得到的实施例1-16、对比例1进行电池性能测试,测试结果详见表1。表1中,d1表示导电层的厚度,d2表示绝缘层的厚度。
表1:实施例1-16及对比例1的产品参数和性能测试结果
从对比例1与实施例1-11的结果比较可知,太阳能电池中的第一吸光层和第二吸光层之间的复合结构包括多个导电层和设置于多个导电层之间的绝缘层,太阳能电池的效率有所提升。
从实施例1-5与实施例10的结果比较可知,导电层的厚度设置在适宜的范围内,太阳能电池的效率提升效果更明显,在其他条件相同的情况下,导电层的厚度设置在0.5nm~1.2nm范围内,太阳能电池的效率提升效果更明显。
从实施例6-9与实施例11的结果比较可知,绝缘层的厚度设置在适宜的范围内,太阳能电池的效率提升效果更明显,在其他条件相同的情况下,绝缘层的厚度设置在0.5nm~1.2nm范围内,太阳能电池的效率提升效果更明显。
从实施例1与实施例14的结果比较可知,在吸光层和电子传输层之间设置空穴阻挡层,有利于提升太阳能电池的效率。
需要说明的是,本申请不限定于上述实施方式。上述实施方式仅为示例,在本申请的技术方案范围内具有与技术思想实质相同的构成、发挥相同作用效果的实施方式均包含在本申请的技术范围内。此外,在不脱离本申请主旨的范围内,对实施方式施加本领域技术人员能够想到的各种变形、将实施方式中的一部分构成要素加以组合而构筑的其它方式也包含在本申请的范围内。
Claims (31)
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:
沿第一方向依次排列的第一电极层、第一载流子传输层、第一吸光层、第二载流子传输层、复合结构、第三载流子传输层、第二吸光层、第四载流子传输层和第二电极层;
其中,所述复合结构包括多个导电层和绝缘层,在第二方向上,所述多个导电层不连续设置,所述绝缘层设置于所述多个导电层之间,所述第二方向垂直于所述第一方向。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述导电层的导电材料包括有机导电材料、无机导电材料中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述导电材料包括透明的导电氧化物、金属及其合金、碳单质材料中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述透明的导电氧化物包括氧化铟锡、氟掺杂的氧化锡、锑掺杂的氧化锡、铟掺杂的氧化钨、铟掺杂的氧化锌、铝掺杂的氧化锌、硼掺杂的氧化锌中的至少一种;
所述金属包括金、银、铜、铝、镍、铬、铋、铂、镁、钼、钨中的至少一种;
所述碳单质材料包括石墨、石墨烯、碳纳米管中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述绝缘层的绝缘材料包括金属氧化物、金属氟化物、金属氮化物、有机绝缘材料中的至少一种。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于,所述绝缘材料包括三氧化二铝。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述导电层的厚度d1的取值范围为0.1nm~10nm。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池,其特征在于,所述导电层的厚度d1的取值范围为0.5nm~1.2nm。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述绝缘层的厚度d2的取值范围为0.1nm~10nm。
10.根据权利要求9所述的太阳能电池,其特征在于,所述绝缘层的厚度d2的取值范围为0.5nm~1.2nm。
11.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一电极层和所述第二电极层的材料包括导电氧化物、金属及其合金、碳单质材料中的至少一种。
12.根据权利要求11所述的太阳能电池,其特征在于,所述导电氧化物包括氧化铟锡、镧系金属掺杂的氧化铟、硼掺杂的氧化锌、氟掺杂的氧化锡、铟掺杂的氧化钨、铟掺杂的氧化锌、铝掺杂的氧化锌、氧化镓锌中的至少一种;
所述金属包括金、银、铜、铝、镍、铬、铋、铂、镁、钼、钨中的至少一种;
所述碳单质材料包括石墨、石墨烯、碳纳米管中的至少一种。
13.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一载流子传输层、所述第二载流子传输层、所述第三载流子传输层和所述第四载流子传输层为空穴传输层或电子传输层;
所述空穴传输层的材料包括P型半导体,所述电子传输层的材料包括N型半导体。
14.根据权利要求13所述的太阳能电池,其特征在于,所述空穴传输层的材料包括以下材料及其衍生物中的至少一种:[4-(3,6-二甲氧基-9H-咔唑-9-基)丁基]磷酸、[2-(3,6-二甲氧基-9H-咔唑- 9-基)乙基]磷酸、[4-(3,6-二溴-9H-咔唑-9-基)丁基]磷酸、聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺]、聚-3已基噻吩、三蝶烯为核的三苯胺、3,4-乙烯二氧噻吩-甲氧基三苯胺、N-(4-苯胺)咔唑-螺双芴、聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸、聚噻吩、氧化镍、氧化钼、碘化亚铜、氧化亚铜;
所述电子传输层的材料包括以下材料及其衍生物中的至少一种:浴铜灵、[6,6]-苯基-C61-丁酸异甲酯、[6,6]-苯基C71-丁酸甲酯、C60、C70、SnOx、氧化锌,其中,x的取值范围为1.5~2。
15.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一载流子传输层为空穴传输层,所述第二载流子传输层为电子传输层,所述第三载流子传输层为空穴传输层,所述第四载流子传输层为电子传输层。
16.根据权利要求1至15中任一项所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一吸光层的材料为钙钛矿,所述第二吸光层的材料为钙钛矿。
17.根据权利要求16所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一方向为太阳光的入射方向,所述第一吸光层的材料的带隙大于所述第二吸光层的材料的带隙。
18.根据权利要求17所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一吸光层和所述第二吸光层中的钙钛矿的化学式为ABX3,其中,
A包括CH3(NH2)2 +、CH(NH2)2 +、CH3NH2 +、Li+、Na+、K+、Rb+、Cs+中的至少一种,B包括Pb+、Be2+、Mg2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Zn2+、Ge2+、Fe2+、Co2+、Ni2+中的至少一种,X包括Cl-、Br-、I-、SCN-、CNO-、OCN-、OSCN-、SH-、OH-、CP-、CN-、SeCN-、N3 -、NO2 -中的至少一种。
19.根据权利要求15所述的太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池还包括第一空穴阻挡层,所述第一空穴阻挡层位于所述第一吸光层和所述第二载流子传输层之间。
20.根据权利要求19所述的太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池还包括第二空穴阻挡层,所述第二空穴阻挡层位于所述第二吸光层和所述第四载流子传输层之间。
21.根据权利要求20所述的太阳能电池,其特征在于,所述第一空穴阻挡层和所述第二空穴阻挡层的材料包括富勒烯及其衍生物、SnOx中的至少一种,其中,x的取值范围为1.5~2。
22.一种太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:
提供沿第一方向依次排列的第一电极层、第一载流子传输层、第一吸光层、第二载流子传输层、复合结构、第三载流子传输层、第二吸光层、第四载流子传输层和第二电极层;
其中,所述复合结构包括多个导电层和绝缘层,在第二方向上,所述多个导电层不连续设置,所述绝缘层设置于所述多个导电层之间,所述第二方向垂直于所述第一方向。
23.根据权利要求22所述的制备方法,其特征在于,所述提供沿第一方向依次排列的第一电极层、第一载流子传输层、第一吸光层、第二载流子传输层、复合结构、第三载流子传输层、第二吸光层、第四载流子传输层和第二电极层,包括:
提供所述第一电极层;
在所述第一电极层上制备所述第一载流子传输层,所述第一载流子传输层为空穴传输层;
在所述第一载流子传输层上制备所述第一吸光层;
在所述第一吸光层上制备所述第二载流子传输层,所述第二载流子传输层为电子传输层;
在所述第二载流子传输层上制备所述多个导电层和所述绝缘层,制得所述复合结构;
在所述复合结构上制备所述第三载流子传输层,所述第三载流子传输层为空穴传输层;
在所述第三载流子传输层上制备所述第二吸光层;
在所述第二吸光层上制备所述第四载流子传输层,所述第四载流子传输层为电子传输层;
在所述第四载流子传输层上制备所述第二电极层。
24.根据权利要求23所述的制备方法,其特征在于,所述在所述第二载流子传输层上制备所述多个导电层和所述绝缘层,制得所述复合结构,包括:
在所述第二载流子传输层上沉积导电材料,制得所述多个导电层;
在所述第二载流子传输层上沉积绝缘材料,制得所述绝缘层,以制得所述复合结构。
25.根据权利要求23所述的制备方法,其特征在于,所述在所述第二载流子传输层上制备所述多个导电层和所述绝缘层,包括:
在所述第二载流子传输层上沉积导电材料,制得所述多个导电层;
在所述第二载流子传输层和所述多个导电层上沉积绝缘材料,制得待处理复合结构;
使用氢氟酸对所述待处理复合结构进行清洗处理,制得所述复合结构。
26.根据权利要求22所述的制备方法,其特征在于,所述导电层的厚度d1的取值范围为0.1nm~10nm。
27.根据权利要求26所述的制备方法,其特征在于,所述导电层的厚度d1的取值范围为0.5nm~1.2nm。
28.根据权利要求22至27中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述绝缘层的厚度d2的取值范围为0.1nm~10nm。
29.根据权利要求28所述的制备方法,其特征在于,所述绝缘层的厚度d2的取值范围为0.5nm~1.2nm。
30.一种光伏组件,其特征在于,包括根据权利要求1至21中任一项所述的太阳能电池。
31.一种光伏装置,其特征在于,包括根据权利要求30所述的光伏组件。
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN206040711U (zh) * | 2016-09-21 | 2017-03-22 | 深圳市先进清洁电力技术研究有限公司 | 一种太阳能电池 |
KR101897918B1 (ko) * | 2017-07-26 | 2018-10-31 | 아주대학교산학협력단 | 에너지자립형 태양광 수소 생산 소자 및 이의 제조 방법 |
WO2019041862A1 (zh) * | 2017-08-31 | 2019-03-07 | 昆山国显光电有限公司 | 有机电致发光器件及显示装置 |
CN112271260A (zh) * | 2020-11-25 | 2021-01-26 | 昆山协鑫光电材料有限公司 | 钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
CN115188887A (zh) * | 2022-06-11 | 2022-10-14 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种大面积钙钛矿电池及其制备方法 |
CN115602692A (zh) * | 2022-10-10 | 2023-01-13 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司(Cn) | 一种太阳能叠层电池、电池组件和光伏*** |
CN218831178U (zh) * | 2022-10-10 | 2023-04-07 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种太阳能叠层电池、电池组件和光伏*** |
-
2023
- 2023-07-31 CN CN202310943566.7A patent/CN116669441A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN206040711U (zh) * | 2016-09-21 | 2017-03-22 | 深圳市先进清洁电力技术研究有限公司 | 一种太阳能电池 |
KR101897918B1 (ko) * | 2017-07-26 | 2018-10-31 | 아주대학교산학협력단 | 에너지자립형 태양광 수소 생산 소자 및 이의 제조 방법 |
WO2019041862A1 (zh) * | 2017-08-31 | 2019-03-07 | 昆山国显光电有限公司 | 有机电致发光器件及显示装置 |
CN112271260A (zh) * | 2020-11-25 | 2021-01-26 | 昆山协鑫光电材料有限公司 | 钙钛矿太阳能电池及其制备方法 |
CN115188887A (zh) * | 2022-06-11 | 2022-10-14 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种大面积钙钛矿电池及其制备方法 |
CN115602692A (zh) * | 2022-10-10 | 2023-01-13 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司(Cn) | 一种太阳能叠层电池、电池组件和光伏*** |
CN218831178U (zh) * | 2022-10-10 | 2023-04-07 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种太阳能叠层电池、电池组件和光伏*** |
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