CN116623067B - 一种取向硅钢薄带的生产工艺 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种取向硅钢薄带的生产工艺，包括如下步骤：(1)按照取向硅钢薄带的成分称取除Se、Ta和Bi元素之外的原料，在真空中频感应炉内进行冶炼，形成液态的钢水；(2)向液态的钢水中投入抑制剂硒化铋/硒化钽复合粉，电磁搅拌下，形成均匀的处理后的钢水；(3)将处理后的钢水通过浇注导向口传输至双辊式板带铸轧机上，逐渐被压铸成薄钢片；(4)在达到需要的厚度时，常化处理并冷轧成型，得到硅钢薄带坯料；(5)将硅钢薄带坯料经过退火处理后，即得到所需要的取向硅钢薄带。本发明公开了一种取向硅钢薄带的生产工艺，该工艺采用了一种独特的抑制剂，所得到的取向硅钢薄带不仅有更好的磁感性能，且铁损率更低，成材率更高。

Description

一种取向硅钢薄带的生产工艺
技术领域
本发明涉及冶金领域，具体涉及一种取向硅钢薄带的生产工艺。
背景技术
硅钢各种电器元件最重要的金属功能材料，取向硅钢是各类变压器、镇流器、放大器、稳压器、继电器、整流器、电磁开关等定向磁场电器产品制作铁芯的核心材料。近年来，中国发电量较大幅度的增长和制造业的兴起，带动了取向硅钢的强劲需求，为中国研究、生产和开发取向硅钢带来了良好的发展机遇。
在取向硅钢的生产开发中，具有划时代意义的是高磁感取向硅钢(Hi-B)的生产。在Hi-B的研究开发中，薄带铸轧技术是最常用的一种生产工艺。薄带铸轧工艺是将快速凝固与轧制变形融为一体的生产工艺，具有流程短、工序少、能耗低、排放少的优势，是薄带生产中的最先进技术，具有广阔的发展前景。取向硅钢主要是通过复杂繁琐的生产工序，调控抑制剂的析出行为和织构演变，以实现Goss取向晶粒的异常长大，其主要缺点为成分控制严格，生产工艺和设备复杂，生产工序多，影响性能的因素多。而薄带铸轧技术相比于传统取向硅钢生产工艺，省略了大压缩比热轧工序，并且降低了冷轧压下率，在很短的时间内完成从液态金属到固态薄带的凝固过程，其冷却速度较快，可细化铸态组织，改善产品的组织和结构。
取向硅钢的制备过程中，一般都会采用二次结晶的方式实现合适的织构产生，从而获得更好的磁感。而如果想要出现二次结晶，则需要使用第二相颗粒抑制初次再结晶织构的产生，使得再结晶的晶粒更加细小，因此作为抑制剂的第二相颗粒在取向硅钢的制备中就显得极为重要。然而传统所使用的抑制剂主要为抑制剂MnS、AlN或两者复合物等，该抑制剂的固溶温度都较高(一般高于1300℃)，会产生很多能量浪费，并且最终的成材率也比较低。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明的目的是提供一种取向硅钢薄带的生产工艺。
本发明的目的采用以下技术方案来实现：
一种取向硅钢薄带的生产工艺，包括如下步骤：
(1)按照取向硅钢薄带的成分称取除Se、Ta和Bi元素之外的原料，在真空中频感应炉内进行冶炼，形成液态的钢水；
(2)向液态的钢水中投入抑制剂，抑制剂为硒化铋/硒化钽复合粉，电磁搅拌下，形成均匀的处理后的钢水；
(3)将处理后的钢水通过浇注导向口传输至双辊式板带铸轧机上，在两个相对反向旋转并不断被冷却的轧辊中间通过，钢水逐渐冷却凝固，随着轧辊的不断转动，逐渐被压铸成薄钢片；
(4)薄钢片经过热轧机后厚度不断减小，在达到需要的厚度时，常化处理并冷轧成型，得到硅钢薄带坯料；
(5)将硅钢薄带坯料经过退火处理后，即得到所需要的取向硅钢薄带。
优选地，所述取向硅钢薄带的成分按照质量百分比计算，包括：
C：0.052％-0.064％、Si：3.23％-3.44％、Mn：0.112％-0.122％、P：0.016％-0.02％、S≤0.005％、N：0.003％-0.006％、Se：0.012％-0.024％、Ta：0.006％-0.011％、Bi：0.013％-0.025％，余量为铁以及不可避免的杂质。
优选地，所述真空中频感应炉内进行冶炼的温度是1225-1275℃。
优选地，所述双辊式板带铸轧机的两个轧辊的直径为500mm，铸轧速度为0.3-0.5m/s。
优选地，所述逐渐被压铸成薄钢片的厚度为0.7-1.2mm。
优选地，所述薄钢片经过热轧机后，达到需要的厚度范围为0.35-0.50mm。
优选地，所述常化处理的磁场强度是5-10T，温度是850-950℃，处理时间是5-10min，常化处理后的冷却方式为水冷。
优选地，所述冷轧成型是在室温条件下进行，冷轧后得到硅钢薄带坯料的厚度为0.1-0.3mm。
优选地，所述退火处理包括两段：第一段退火是在780-860℃的温度下处理1-2h，然后随炉自然冷却；第二段退火是在950-1100℃的温度下处理6-10h，然后随炉自然冷却。
优选地，所述硒化铋/硒化钽复合粉的制备方法包括：
S1.称取铋粉、钽粉和硒粉混合均匀后盛放在坩埚内，然后将坩埚放置在高温石英管内，在惰性气体的氛围下，先升温至500-550℃，保温处理，得到混合固体A；
S2.将高温石英管继续升温至850-900℃，保温处理一段时间后，冷却至室温，得到混合固体B；
S3.将混合固体B粉碎处理后，再次放入高温石英管内，持续通入氢气至空气排出后，升温至600℃，保温处理，得到硒化铋/硒化钽复合粉。
优选地，所述S1中，铋粉的纯度高于99.99％，粒径大小是10±2μm；钽粉的纯度高于99.95％，粒径大小是10±2μm；硒粉的纯度高于99.99％，粒径大小是10±2μm。
优选地，所述S1中，铋粉、钽粉和硒粉的摩尔比为2:1:5.2-5.4。
优选地，所述S1中，升温速率是5-10℃/min，保温处理时间是2-3h。
优选地，所述S2中，升温速率是3-6℃/min，保温处理时间是1-3h；降温是随炉冷却至室温。
优选地，所述S3中，混合固体B粉碎后的粒径是100-200μm，氢气的通入流量为20-30sccm。
优选地，所述S3中，升温速率是5-10℃/min，保温处理时间是6-8h，保温结束后自然冷却至室温。
本发明的有益效果为：
1、本发明公开了一种取向硅钢薄带的生产工艺，该工艺采用了一种独特的抑制剂，所得到的取向硅钢薄带不仅有更好的磁感性能，且铁损率更低，成材率更高。
2、抑制剂在取向硅钢生产中起到至关重要的作用，其在初次再结晶时抑制晶粒长大，为二次再结晶晶粒异常长大提供驱动力。目前在取向硅钢生产中，抑制剂主要为MnS、AlN、CuS等，该类抑制剂的固溶温度过高，常化过程中抑制剂常常不能充分的固溶与析出，从而影响到晶粒的生长，进而影响到硅钢的性能表现；本发明选用了自制的硒化铋/硒化钽复合粉作为抑制剂，该抑制剂的固溶温度范围在920-960℃，较低的固溶温度能够促进抑制剂的固溶与析出，从而阻碍初次再结晶晶粒的长大，达到更好的细化晶粒的效果，还提升了取向硅钢的成材率。
3、碳是引起取向硅钢服役过程中产生磁时效的主要原因，所以取向硅钢成品中的碳含量一般都普遍比较低，一般含量小于0.01％，但是低碳含量会引起取向硅钢中奥氏体较难形成，奥氏体对抑制剂的析出和固溶都具有促进作用，过低导致抑制剂的溶出困难，而抑制剂的溶出困难就不能有效地抑制晶粒的生长，从而影响到取向铸钢的性能；而在本申请中，少量的提升了的碳含量，配合本发明抑制剂硒化铋/硒化钽复合粉的使用，在适当地降低二次固溶温度的条件下，保持足量奥氏体的产生，在保证硅钢的强度的同时，还提升了硅钢的成材率。
4、在含碳钢材的冶炼过程中，一般达到750℃以上即可产生奥氏体，而在900-950℃时达到较好的效果，此时的金相组织更加均匀，形成的晶粒也更加细小，但是由于传统的抑制剂固溶温度较高导致需要达到1300℃以上，但是在本申请中使用的抑制剂的固溶温度较低，能够保持在920-960℃，更加契合了奥氏体的形成温度，从而能够保证固溶正常进行的同时奥氏体也能够正常产生，而不会造成更多的能量或资源浪费。
5、本发明的抑制剂硒化铋/硒化钽复合粉是通过使用铋和钽作为金属复合物，与硒粉进行反应后制备得到，制备的过程中，第一段先升温至500-550℃，是为了促进生成熔点更低的硒化铋，而再次升温至850-900℃，是为了促进生成熔点更高的硒化钽，最终得到的产品是硒化铋与硒化钽的复合物。相比较于市场上使用的AlN和CuS，或者是铋单质添加剂，该抑制剂具有更合适的固溶温度，不会过低或更高，且在常化和冷轧过程中，能够均匀且快速地析出第二相颗粒，该第二相颗粒使硅钢中的位错更均匀化，从而促进退火过程中二次结晶实现合适的织构产生。
具体实施方式
为了更清楚的说明本发明，对本发明的技术特征、目的和有益效果有更加清楚的理解，现对本发明的技术方案进行以下详细说明，但不能理解为对本发明的可实施范围的限定。
本发明所使用的铋粉的纯度高于99.99％，粒径大小是10±2μm；钽粉的纯度高于99.95％，粒径大小是10±2μm；硒粉的纯度高于99.99％，粒径大小是10±2μm。
下面结合以下实施例对本发明作进一步描述。
实施例1
一种取向硅钢薄带的生产工艺，包括如下步骤：
(1)按照取向硅钢薄带的成分称取除Se、Ta和Bi元素之外的原料，在真空中频感应炉内进行冶炼，冶炼的温度是1250℃，形成液态的钢水；
其中，取向硅钢薄带的成分按照质量百分比计算，包括：
C：0.057％、Si：3.31％、Mn：0.112％、P：0.018％、S≤0.005％、N：0.005％、Se：0.018％、Ta：0.009％、Bi：0.019％，余量为铁以及不可避免的杂质。
(2)向液态的钢水中投入抑制剂，抑制剂为硒化铋/硒化钽复合粉，电磁搅拌下，形成均匀的处理后的钢水；
(3)将处理后的钢水通过浇注导向口传输至双辊式板带铸轧机上，在两个相对反向旋转并不断被冷却的轧辊中间通过，两个轧辊的直径为500mm，钢水逐渐冷却凝固，随着轧辊的不断转动，逐渐被压铸成薄钢片，铸轧速度为0.4m/s，压铸之后的厚度为1±0.05mm；
(4)薄钢片经过热轧机后厚度不断减小，在达到需要的厚度0.45±0.02mm时，进行常化处理，常化处理的磁场强度是8T，温度是900℃，处理时间是8min，水冷之后在室温条件下冷轧成型，得到厚度为0.2±0.01mm的硅钢薄带坯料；
(5)将硅钢薄带坯料进行退火处理，退火处理包括两段：第一段退火是在820℃的温度下处理1.5h，然后随炉自然冷却；第二段退火是在1050℃的温度下处理8h，然后随炉自然冷却，即得到所需要的取向硅钢薄带。
硒化铋/硒化钽复合粉的制备方法包括：
S1.称取铋粉、钽粉和硒粉混合均匀后盛放在坩埚内，铋粉、钽粉和硒粉的摩尔比为2:1:5.3，然后将坩埚放置在高温石英管内，在惰性气体的氛围下，先升温至525℃，升温速率是10℃/min，保温处理2.5h，得到混合固体A；
S2.将高温石英管继续升温至900℃，升温速率是5℃/min，保温处理2h后，随炉冷却至室温，得到混合固体B；
S3.将混合固体B粉碎处理后，粉碎后的粒径是150±10μm，再次放入高温石英管内，持续通入以25sccm的流量通入氢气排出空气后，升温至600℃，升温速率是10℃/min，保温处理7h，自然冷却至室温，得到硒化铋/硒化钽复合粉。
实施例2
一种取向硅钢薄带的生产工艺，包括如下步骤：
(1)按照取向硅钢薄带的成分称取除Se、Ta和Bi元素之外的原料，在真空中频感应炉内进行冶炼，冶炼的温度是1225℃，形成液态的钢水；
其中，取向硅钢薄带的成分按照质量百分比计算，包括：
C：0.064％、Si：3.38％、Mn：0.116％、P：0.016％、S≤0.005％、N：0.003％、Se：0.012％、Ta：0.006％、Bi：0.013％，余量为铁以及不可避免的杂质。
(2)向液态的钢水中投入抑制剂，抑制剂为硒化铋/硒化钽复合粉，电磁搅拌下，形成均匀的处理后的钢水；
(3)将处理后的钢水通过浇注导向口传输至双辊式板带铸轧机上，在两个相对反向旋转并不断被冷却的轧辊中间通过，两个轧辊的直径为500mm，钢水逐渐冷却凝固，随着轧辊的不断转动，逐渐被压铸成薄钢片，铸轧速度为0.3m/s，压铸之后的厚度为0.7mm；
(4)薄钢片经过热轧机后厚度不断减小，在达到需要的厚度0.35±0.02mm时，进行常化处理，常化处理的磁场强度是5T，温度是850℃，处理时间是10min，水冷之后在室温条件下冷轧成型，得到厚度为0.1±0.01mm的硅钢薄带坯料；
(5)将硅钢薄带坯料进行退火处理，退火处理包括两段：第一段退火是在780℃的温度下处理2h，然后随炉自然冷却；第二段退火是在950℃的温度下处理10h，然后随炉自然冷却，即得到所需要的取向硅钢薄带。
硒化铋/硒化钽复合粉的制备方法包括：
S1.称取铋粉、钽粉和硒粉混合均匀后盛放在坩埚内，铋粉、钽粉和硒粉的摩尔比为2:1:5.2，然后将坩埚放置在高温石英管内，在惰性气体的氛围下，先升温至500℃，升温速率是10℃/min，保温处理3h，得到混合固体A；
S2.将高温石英管继续升温至850℃，升温速率是6℃/min，保温处理3h后，随炉冷却至室温，得到混合固体B；
S3.将混合固体B粉碎处理后，粉碎后的粒径是100±10μm，再次放入高温石英管内，持续通入以20sccm的流量通入氢气排出空气后，升温至600℃，升温速率是5℃/min，保温处理8h，自然冷却至室温，得到硒化铋/硒化钽复合粉。
实施例3
一种取向硅钢薄带的生产工艺，包括如下步骤：
(1)按照取向硅钢薄带的成分称取除Se、Ta和Bi元素之外的原料，在真空中频感应炉内进行冶炼，冶炼的温度是1275℃，形成液态的钢水；
其中，取向硅钢薄带的成分按照质量百分比计算，包括：
C：0.056％、Si：3.23％、Mn：0.121％、P：0.02％、S≤0.005％、N：0.006％、Se：0.024％、Ta：0.011％、Bi：0.025％，余量为铁以及不可避免的杂质。
(2)向液态的钢水中投入抑制剂，抑制剂为硒化铋/硒化钽复合粉，电磁搅拌下，形成均匀的处理后的钢水；
(3)将处理后的钢水通过浇注导向口传输至双辊式板带铸轧机上，在两个相对反向旋转并不断被冷却的轧辊中间通过，两个轧辊的直径为500mm，钢水逐渐冷却凝固，随着轧辊的不断转动，逐渐被压铸成薄钢片，铸轧速度为0.5m/s，压铸之后的厚度为1.2±0.05mm；
(4)薄钢片经过热轧机后厚度不断减小，在达到需要的厚度0.50±0.02mm时，进行常化处理，常化处理的磁场强度是10T，温度是950℃，处理时间是5min，水冷之后在室温条件下冷轧成型，得到厚度为0.3±0.01mm的硅钢薄带坯料；
(5)将硅钢薄带坯料进行退火处理，退火处理包括两段：第一段退火是在860℃的温度下处理1h，然后随炉自然冷却；第二段退火是在1100℃的温度下处理6h，然后随炉自然冷却，即得到所需要的取向硅钢薄带。
硒化铋/硒化钽复合粉的制备方法包括：
S1.称取铋粉、钽粉和硒粉混合均匀后盛放在坩埚内，铋粉、钽粉和硒粉的摩尔比为2:1:5.4，然后将坩埚放置在高温石英管内，在惰性气体的氛围下，先升温至550℃，升温速率是5℃/min，保温处理2h，得到混合固体A；
S2.将高温石英管继续升温至900℃，升温速率是3℃/min，保温处理1h后，随炉冷却至室温，得到混合固体B；
S3.将混合固体B粉碎处理后，粉碎后的粒径是200±10μm，再次放入高温石英管内，持续通入以30sccm的流量通入氢气排出空气后，升温至600℃，升温速率是10℃/min，保温处理6h，自然冷却至室温，得到硒化铋/硒化钽复合粉。
实施例4
一种取向硅钢薄带的生产工艺，与实施例1的区别是，取向硅钢薄带的成分按照质量百分比计算，包括：
C：0.052％、Si：3.26％、Mn：0.122％、P：0.019％、S≤0.005％、N：0.004％、Se：0.018％、Ta：0.009％、Bi：0.018％，余量为铁以及不可避免的杂质。
其余与实施例1的生产工艺相同。
实施例5
一种取向硅钢薄带的生产工艺，与实施例1的区别是，取向硅钢薄带的成分按照质量百分比计算，包括：
C：0.055％、Si：3.44％、Mn：0.118％、P：0.016％、S≤0.005％、N：0.003％、Se：0.018％、Ta：0.009％、Bi：0.018％，余量为铁以及不可避免的杂质。
其余与实施例1的生产工艺相同。
对比例1
一种取向硅钢薄带的生产工艺，与实施例1的区别是，不加入硒化铋/硒化钽复合粉，取向硅钢薄带的成分按照质量百分比计算，包括：
C：0.057％、Si：3.31％、Mn：0.112％、P：0.018％、S≤0.005％、N：0.005％，余量为铁以及不可避免的杂质；
其余的生产工艺与实施例1相同。
对比例2
一种取向硅钢薄带的生产工艺，与实施例1的区别是，将硒化铋/硒化钽复合粉替换为硒化铋粉末。取向硅钢薄带的成分按照质量百分比计算，包括：
C：0.057％、Si：3.31％、Mn：0.112％、P：0.018％、S≤0.005％、N：0.005％、Se：0.011％、Bi：0.019％，余量为铁以及不可避免的杂质；
硒化铋粉末的制备方法包括：
S1.称取铋粉和硒粉混合均匀后盛放在坩埚内，铋粉和硒粉的摩尔比为2:3.1，然后将坩埚放置在高温石英管内，在惰性气体的氛围下，先升温至525℃，升温速率是10℃/min，保温处理2.5h，得到固体A；
S3.将固体A粉碎处理后，粉碎后的粒径是150±10μm，再次放入高温石英管内，持续通入以25sccm的流量通入氢气排出空气后，升温至600℃，升温速率是10℃/min，保温处理7h，自然冷却至室温，得到硒化铋粉末。
其余的生产工艺与实施例1相同。
对比例3
一种取向硅钢薄带的生产工艺，与实施例1的区别是，将硒化铋/硒化钽复合粉替换为硒化钽粉末。取向硅钢薄带的成分按照质量百分比计算，包括：
C：0.057％、Si：3.31％、Mn：0.112％、P：0.018％、S≤0.005％、N：0.005％、Se：0.007％、Ta：0.009％，余量为铁以及不可避免的杂质；
硒化钽粉末的制备方法包括：
S1.称取钽粉和硒粉混合均匀后盛放在坩埚内，钽粉和硒粉的摩尔比为1:2.1，然后将坩埚放置在高温石英管内，在惰性气体的氛围下，升温至900℃，升温速率是5℃/min，保温处理2h后，随炉冷却至室温，得到固体B；
S2.将固体B粉碎处理后，粉碎后的粒径是150±10μm，再次放入高温石英管内，持续通入以25sccm的流量通入氢气排出空气后，升温至600℃，升温速率是10℃/min，保温处理7h，自然冷却至室温，得到硒化钽粉末。
其余的生产工艺与实施例1相同。
实验例
将实施例1、对比例1-3得到的硅钢薄带的性能进行检测，其中，铁损率中Pm/n中的m代表最大磁感(T)，n代表频率(Hz)，磁感B8指的是800A/m磁场强度下的磁感应强度，检测结果如表1：
表1硅钢薄带的性能检测结果
从表1中能够看出，在相同的生产工艺条件下，不同的硅钢细化剂的添加种类会影响到最终硅钢薄带的表现，对比例1-3是作为使用不同于实施例的细化剂的对比，能够看出，无论是低频或高频的铁损率都高于实施例1，且磁感都低于实施例1，说明本发明实施例1在该生产工艺条件下具有高磁感、低铁损的优异的表现。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。

Claims (8)

1.一种取向硅钢薄带的生产工艺，其特征在于，包括如下步骤：
（1）按照取向硅钢薄带的成分称取除Se、Ta和Bi元素之外的原料，在真空中频感应炉内进行冶炼，形成液态的钢水；
（2）向液态的钢水中投入抑制剂，抑制剂为硒化铋/硒化钽复合粉，电磁搅拌下，形成均匀的处理后的钢水；
（3）将处理后的钢水通过浇注导向口传输至双辊式板带铸轧机上，在两个相对反向旋转并不断被冷却的轧辊中间通过，钢水逐渐冷却凝固，随着轧辊的不断转动，逐渐被压铸成薄钢片；
（4）薄钢片经过热轧机后厚度不断减小，在达到需要的厚度时，常化处理并冷轧成型，得到硅钢薄带坯料；
（5）将硅钢薄带坯料经过退火处理后，即得到所需要的取向硅钢薄带；
所述硒化铋/硒化钽复合粉的制备方法包括：
S1.称取铋粉、钽粉和硒粉混合均匀后盛放在坩埚内，然后将坩埚放置在高温石英管内，在惰性气体的氛围下，先升温至500-550℃，保温处理，得到混合固体A；
S2.将高温石英管继续升温至850-900℃，保温处理一段时间后，冷却至室温，得到混合固体B；
S3.将混合固体B粉碎处理后，再次放入高温石英管内，持续通入氢气至空气排出后，升温至600℃，保温处理，得到硒化铋/硒化钽复合粉；
所述取向硅钢薄带的成分按照质量百分比计算，包括：
C：0.052%-0.064%、Si：3.23%-3.44%、Mn：0.112%-0.122%、P：0.016%-0.02%、S≤0.005%、N：0.003%-0.006%、Se：0.012%-0.024%、Ta：0.006%-0.011%、Bi：0.013%-0.025%，余量为铁以及不可避免的杂质。
2.根据权利要求1所述的一种取向硅钢薄带的生产工艺，其特征在于，所述真空中频感应炉内进行冶炼的温度是1225-1275℃。
3.根据权利要求1所述的一种取向硅钢薄带的生产工艺，其特征在于，所述双辊式板带铸轧机的两个轧辊的直径为500mm，铸轧速度为0.3-0.5m/s。
4.根据权利要求1所述的一种取向硅钢薄带的生产工艺，其特征在于，所述逐渐被压铸成薄钢片的厚度为0.7-1.2mm。
5.根据权利要求1所述的一种取向硅钢薄带的生产工艺，其特征在于，所述薄钢片经过热轧机后，达到需要的厚度范围为0.35-0.50mm。
6.根据权利要求1所述的一种取向硅钢薄带的生产工艺，其特征在于，所述常化处理的磁场强度是5-10T，温度是850-950℃，处理时间是5-10min，常化处理后的冷却方式为水冷。
7.根据权利要求1所述的一种取向硅钢薄带的生产工艺，其特征在于，所述冷轧成型是在室温条件下进行，冷轧后得到硅钢薄带坯料的厚度为0.1-0.3mm。
8.根据权利要求1所述的一种取向硅钢薄带的生产工艺，其特征在于，所述退火处理包括两段：第一段退火是在780-860℃的温度下处理1-2h，然后随炉自然冷却；第二段退火是在950-1100℃的温度下处理6-10h，然后随炉自然冷却。
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Denomination of invention: Production process of oriented silicon steel thin strip

Granted publication date: 20231027

Pledgee: Bank of China Limited by Share Ltd. Wuxi Huishan branch

Pledgor: Wuxi Jinglong Huate Electric Co.,Ltd.

Registration number: Y2024980011484