CN116563419B - 晶圆图配置数据的修正方法、装置、电子设备及存储介质 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了晶圆图配置数据的修正方法、装置、电子设备及存储介质，包括：基于历史晶圆的类型以及测试节点对历史晶圆相对应的历史芯片测试数据进行聚合处理，确定历史晶圆相对应的历史芯片测试数据集合；基于历史芯片测试数据集合下的历史芯片在横轴方向上的最大横坐标值、最小横坐标值、在纵轴方向上的最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出历史晶圆的历史晶圆图配置数据；确定出与历史晶圆的类型以及测试节点相一致的目标晶圆的目标晶圆图配置数据，基于目标晶圆图配置数据对历史晶圆图配置数据进行修正。通过根据目标晶圆图配置数据和历史晶圆图配置数据进行不停修正，从而提高了晶圆图的配置数据的准确性和完整性，保证准确地画出晶圆图。
Description
技术领域
本申请涉及数据处理领域，尤其是涉及晶圆图配置数据的修正方法、装置、电子设备及存储介质。
背景技术
在半导体制造过程中，WaferMap（晶圆图） 是用于描述芯片表面的基础数据配置文件。目前在芯片测试领域，画晶圆图的场景非常多，画晶圆图依赖于wafermap的元数据，现有的方法是在数据入库前人工在页面上配置wafermap相关的元数据，通过这种人工配置的方法会有如下几个问题：数据入库前未配置导致入库数据不带wafermap的配置信息，页面做分析的时候画不出正确的晶圆图；人工操作错误也会导致画不出正确的晶圆图；依赖人工会增大人工成本; WaferMap配置数据是静态的，不能根据实际情况进行实时更新。因此，当出现新的工艺或设计变更时，需要重新配置WaferMap配置数据，增加了生产成本和工作量。所以，如何提高晶圆图配置数据的准确性以及完整性成为了不容小觑的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本申请的目的在于提供晶圆图配置数据的修正方法、装置、电子设备及存储介质，通过测试数据随着时间的推移会源源不断的进入***，可以根据新得测试数据的目标晶圆图配置数据和历史晶圆图配置数据进行不停修正，从而提高了晶圆图的配置数据的准确性和完整性，保证准确地画出晶圆图。
本申请实施例提供了一种晶圆图配置数据的修正方法，所述修正方法包括：
基于历史晶圆的类型以及测试节点对所述历史晶圆相对应的多个历史芯片测试数据进行聚合处理，确定所述历史晶圆相对应的历史芯片测试数据集合；
基于所述历史芯片测试数据集合下的历史芯片在横轴方向上的最大横坐标值、最小横坐标值、在纵轴方向上的最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆的历史晶圆图配置数据；其中，所述历史晶圆图配置数据包括历史晶圆圆心位置以及历史晶圆半径；
确定出与所述历史晶圆的类型以及所述测试节点相一致的目标晶圆的目标晶圆图配置数据，基于所述目标晶圆图配置数据对所述历史晶圆图配置数据进行修正。
在一种可能的实施方式之中，针对于所述历史晶圆圆心位置，所述基于所述历史芯片测试数据集合下的历史芯片在横轴方向上的最大横坐标值、最小横坐标值、在纵轴方向上的最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆的历史晶圆图配置数据，包括：
基于所述最大横坐标值、所述最小横坐标值、所述最大纵坐标值以及所述最小纵坐标值，确定出所述历史芯片测试数据集合的历史高度刻度值以及历史宽度刻度值；
基于所述历史高度刻度值、所述历史宽度刻度值、所述最大横坐标值、所述最小横坐标值、所述最大纵坐标值以及所述最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆图配置数据之中的所述历史晶圆圆心位置。
在一种可能的实施方式之中，所述基于所述最大横坐标值、所述最小横坐标值、所述最大纵坐标值以及所述最小纵坐标值，确定出所述历史芯片测试数据集合的历史高度刻度值以及历史宽度刻度值，包括：
将所述最大横坐标值与所述最小横坐标值相减，确定出第一差值；
将所述最大纵坐标值与所述最小纵坐标值相减，确定出第二差值；
基于所述第二差值与所述第一差值的比值，确定出所述历史宽度刻度值与所述历史高度刻度值之间的比值；其中，所述历史宽度刻度值为1；
基于所述历史宽度刻度值与所述历史高度刻度值之间的比值以及所述历史宽度刻度值，确定出所述历史高度刻度值。
在一种可能的实施方式之中，所述基于所述历史高度刻度值、所述历史宽度刻度值、所述最大横坐标值、所述最小横坐标值、所述最大纵坐标值以及所述最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆图配置数据之中的所述历史晶圆圆心位置，包括：
将所述最小横坐标值与第一目标数值相加，确定出第一和值，将所述最大横坐标值与所述第一和值相减，确定出第三差值；
将所述第三差值与所述历史宽度刻度值相乘，确定出第一乘积，将所述第一乘积与第二目标数值相除，确定出所述历史晶圆圆心位置的横坐标值；
将所述最小纵坐标值与第一目标数值相加，确定出第二和值，将所述最大纵坐标值与所述第二和值相减，确定出第四差值；
将所述第四差值与所述历史高度刻度值的相乘，确定出第二乘积，将所述第二乘积与所述第二目标数值相除，确定出所述历史晶圆圆心位置的纵坐标值；其中，所述第一目标数值为1，所述第二目标数值为2。
在一种可能的实施方式之中，针对于所述历史晶圆半径，所述基于所述历史芯片测试数据集合下的历史芯片在横轴方向上的最大横坐标值、最小横坐标值、在纵轴方向上的最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆的历史晶圆图配置数据，包括：
确定出所述历史芯片测试数据集合之中的多个边缘历史芯片的角点的坐标；
通过勾股定理确定出每个所述边缘历史芯片的角点的坐标到所述历史晶圆圆心位置的相对距离；
在多个所述相对距离之中筛选出最大相对距离，将所述最大相对距离确定为历史晶圆图配置数据之中的所述历史晶圆半径。
在一种可能的实施方式之中，所述历史晶圆图配置数据还包括历史槽口方向，通过以下步骤确定出所述历史槽口方向：
确定出所述历史芯片测试数据集合之中的每个历史芯片的槽口方向；其中，所述槽口方向包括上方槽口方向、下方槽口方向、左方槽口方向以及右方槽口方向；
将最多的历史芯片相对应的槽口方向确定为所述历史晶圆的所述历史槽口方向。
在一种可能的实施方式之中，所述基于所述目标晶圆图配置数据对所述历史晶圆图配置数据进行修正，包括：
基于所述目标晶圆图配置数据之中的目标晶圆圆心位置对所述历史晶圆圆心位置进行修正；
基于所述目标晶圆图配置数据之中的目标晶圆半径对所述历史晶圆半径进行修正。
本申请实施例还提供了一种晶圆图配置数据的修正装置，所述修正装置包括：
聚合模块，用于基于历史晶圆的类型以及测试节点对所述历史晶圆相对应的多个历史芯片测试数据进行聚合处理，确定所述历史晶圆相对应的历史芯片测试数据集合；
确定模块，用于基于所述历史芯片测试数据集合下的历史芯片在横轴方向上的最大横坐标值、最小横坐标值、在纵轴方向上的最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆的历史晶圆图配置数据；其中，所述历史晶圆图配置数据包括历史晶圆圆心位置以及历史晶圆半径；
调整模块，用于确定出与所述历史晶圆的类型以及所述测试节点相一致的目标晶圆的目标晶圆图配置数据，基于所述目标晶圆图配置数据对所述历史晶圆图配置数据进行修正。
本申请实施例还提供一种电子设备，包括：处理器、存储器和总线，所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述处理器与所述存储器之间通过总线通信，所述机器可读指令被所述处理器执行时执行如上述的晶圆图配置数据的修正方法的步骤。
本申请实施例还提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器运行时执行如上述的晶圆图配置数据的修正方法的步骤。
本申请实施例提供的晶圆图配置数据的修正方法、装置、电子设备及存储介质，所述修正方法包括：基于历史晶圆的类型以及测试节点对所述历史晶圆相对应的多个历史芯片测试数据进行聚合处理，确定所述历史晶圆相对应的历史芯片测试数据集合；基于所述历史芯片测试数据集合下的历史芯片在横轴方向上的最大横坐标值、最小横坐标值、在纵轴方向上的最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆的历史晶圆图配置数据；其中，所述历史晶圆图配置数据包括历史晶圆圆心位置以及历史晶圆半径；确定出与所述历史晶圆的类型以及所述测试节点相一致的目标晶圆的目标晶圆图配置数据，基于所述目标晶圆图配置数据对所述历史晶圆图配置数据进行修正。通过测试数据随着时间的推移会源源不断的进入***，可以根据新得测试数据的目标晶圆图配置数据和历史晶圆图配置数据进行不停修正，从而提高了晶圆图的配置数据的准确性和完整性，保证准确地画出晶圆图。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本申请实施例所提供的一种晶圆图配置数据的修正方法的流程图；
图2为本申请实施例所提供的一种晶圆图配置数据的修正装置的结构示意图之一；
图3为本申请实施例所提供的一种晶圆图配置数据的修正装置的结构示意图之二；
图4为本申请实施例所提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，应当理解，本申请中的附图仅起到说明和描述的目的，并不用于限定本申请的保护范围。另外，应当理解，示意性的附图并未按实物比例绘制。本申请中使用的流程图示出了根据本申请的一些实施例实现的操作。应当理解，流程图的操作可以不按顺序实现，没有逻辑的上下文关系的步骤可以反转顺序或者同时实施。此外，本领域技术人员在本申请内容的指引下，可以向流程图添加一个或多个其他操作，也可以从流程图中移除一个或多个操作。
另外，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的全部其他实施例，都属于本申请保护的范围。
为了使得本领域技术人员能够使用本申请内容，结合特定应用场景“对晶圆图配置数据进行修正”，给出以下实施方式，对于本领域技术人员来说，在不脱离本申请的精神和范围的情况下，可以将这里定义的一般原理应用于其他实施例和应用场景。
本申请实施例下述方法、装置、电子设备或计算机可读存储介质可以应用于任何需要对晶圆图配置数据进行修正的场景，本申请实施例并不对具体的应用场景作限制，任何使用本申请实施例提供的晶圆图配置数据的修正方法、装置、电子设备及存储介质的方案均在本申请保护范围内。
首先，对本申请可适用的应用场景进行介绍。本申请可应用于数据处理技术领域。
经研究发现，在半导体制造过程中，WaferMap（晶圆图） 是用于描述芯片表面的基础数据配置文件。目前在芯片测试领域，画晶圆图的场景非常多，画晶圆图依赖于wafermap的元数据，现有的方法是在数据入库前人工在页面上配置wafermap相关的元数据，通过这种人工配置的方法会有如下几个问题：数据入库前未配置导致入库数据不带wafermap的配置信息，页面做分析的时候画不出正确的晶圆图；人工操作错误也会导致画不出正确的晶圆图；依赖人工会增大人工成本; WaferMap配置数据是静态的，不能根据实际情况进行实时更新。因此，当出现新的工艺或设计变更时，需要重新配置WaferMap配置数据，增加了生产成本和工作量。所以，如何提高晶圆图配置数据的准确性以及完整性成为了不容小觑的技术问题。
基于此，本申请实施例提供了一种晶圆图配置数据的修正方法，通过测试数据随着时间的推移会源源不断的进入***，可以根据新得测试数据的目标晶圆图配置数据和历史晶圆图配置数据进行不停修正，从而提高了晶圆图的配置数据的准确性和完整性，保证准确地画出晶圆图。
请参阅图1，图1为本申请实施例所提供的一种晶圆图配置数据的修正方法的流程图。如图1中所示，本申请实施例提供的修正方法，包括：
S101：基于历史晶圆的类型以及测试节点对所述历史晶圆相对应的多个历史芯片测试数据进行聚合处理，确定所述历史晶圆相对应的历史芯片测试数据集合。
该步骤中，根据历史晶圆的类型以及测试节点对历史晶圆相对应的多个历史芯片测试数据进行聚合处理，确定历史晶圆相对应的历史芯片测试数据集合。
其中，一个历史晶圆对应多个历史芯片，历史芯片测试数据存储在stdf文件，解析stdf文件上的历史芯片测试数据并存储到hdfs上，对存储在hdfs上的历史芯片测试原始数据进行预处理，包括数据清洗、数据去重、数据归一化、飞点剔除等其他数据处理，分布式计算组件对数据处理后的多个历史芯片测试数据以历史晶圆的类型以及测试节点对多个历史芯片测试数据进行维度聚合，得到历史芯片测试数据集合。
S102：基于所述历史芯片测试数据集合下的历史芯片在横轴方向上的最大横坐标值、最小横坐标值、在纵轴方向上的最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆的历史晶圆图配置数据。
该步骤中，根据历史芯片测试数据集合下的历史芯片在横轴方向上的最大横坐标值、最小横坐标值、在纵轴方向上的最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出历史晶圆的历史晶圆图配置数据。
这里，历史芯片在横轴（X轴）方向上的最大横坐标值、最小横坐标值、在纵轴（Y轴）方向上的最大纵坐标值以及最小纵坐标值，是通过对历史芯片进行测试时确定出来的。
在一种可能的实施方式之中，针对于所述历史晶圆圆心位置，所述基于所述历史芯片测试数据集合下的历史芯片在横轴方向上的最大横坐标值、最小横坐标值、在纵轴方向上的最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆的历史晶圆图配置数据，包括：
A：基于所述最大横坐标值、所述最小横坐标值、所述最大纵坐标值以及所述最小纵坐标值，确定出所述历史芯片测试数据集合的历史高度刻度值以及历史宽度刻度值。
这里，基于最大横坐标值、最小横坐标值、最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出历史芯片测试数据集合的历史高度刻度值以及历史宽度刻度值。
其中，历史高度刻度值以及历史宽度刻度值并不是历史芯片的真实高度和宽度，而是历史芯片的高度和宽度的比例关系。
在一种可能的实施方式之中，所述基于所述最大横坐标值、所述最小横坐标值、所述最大纵坐标值以及所述最小纵坐标值，确定出所述历史芯片测试数据集合的历史高度刻度值以及历史宽度刻度值，包括：
a：将所述最大横坐标值与所述最小横坐标值相减，确定出第一差值；将所述最大纵坐标值与所述最小纵坐标值相减，确定出第二差值。
这里，将最大横坐标值与最小横坐标值相减，确定出第一差值；将最大纵坐标值与最小纵坐标值的相减，确定出第二差值。
b：基于所述第二差值与所述第一差值的比值，确定出所述历史宽度刻度值与所述历史高度刻度值之间的比值；其中，所述历史宽度刻度值为1。
这里，根据第二差值与第一差值的比值，确定出历史宽度刻度值与历史高度刻度值之间的比值。
c：基于所述历史宽度刻度值与所述历史高度刻度值之间的比值以及所述历史宽度刻度值，确定出所述历史高度刻度值。
这里，根据历史宽度刻度值与历史高度刻度值之间的比值以及历史宽度刻度值，确定出历史高度刻度值。
其中，通过以下公式确定出历史高度刻度值 ：
其中，maxY为最大纵坐标值，minY为最小纵坐标值，maxX为最大横坐标值，minX为最小横坐标值，DieWidth为历史宽度刻度值，DieHeight为历史高度刻度值。
B：基于所述历史高度刻度值、所述历史宽度刻度值、所述最大横坐标值、所述最小横坐标值、所述最大纵坐标值以及所述最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆图配置数据之中的所述历史晶圆圆心位置。
这里，根据历史高度刻度值、历史宽度刻度值、最大横坐标值、最小横坐标值、最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出历史晶圆图配置数据之中的历史晶圆圆心位置。
在一种可能的实施方式，所述基于所述历史高度刻度值、所述历史宽度刻度值、所述最大横坐标值、所述最小横坐标值、所述最大纵坐标值以及所述最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆图配置数据之中的所述历史晶圆圆心位置，包括：
（1）：将所述最小横坐标值与第一目标数值相加，确定出第一和值，将所述最大横坐标值与所述第一和值相减，确定出第三差值。
这里，将最小横坐标值与第一目标数值相加，确定出第一和值，将最大横坐标值与第一和值相减，确定出第三差值。
（2）：将所述第三差值与所述历史宽度刻度值相乘，确定出第一乘积，将所述第一乘积与第二目标数值相除，确定出所述历史晶圆圆心位置的横坐标值。
这里，将第三差值与历史宽度刻度值相乘，确定出第一乘积，将第一乘积与第二目标数值相除，确定出历史晶圆圆心位置的横坐标值。
（3）：将所述最小纵坐标值与第一目标数值相加，确定出第二和值，将所述最大纵坐标值与所述第二和值相减，确定出第四差值。
这里，将最小纵坐标值与第一目标数值相加，确定出第二和值，将最大纵坐标值与第二和值相减，确定出第四差值。
这里，通过以下公式确定出历史晶圆圆心位置：
其中，maxY为最大纵坐标值，minY为最小纵坐标值，maxX为最大横坐标值，minX为最小横坐标值，DieWidth为历史宽度刻度值，DieHeight为历史高度刻度值，circleY为历史晶圆圆心位置的纵坐标，circleX为历史晶圆圆心位置的横坐标。
在一种可能的实施方式之中，针对于所述历史晶圆半径，所述基于所述历史芯片测试数据集合下的历史芯片在横轴方向上的最大横坐标值、最小横坐标值、在纵轴方向上的最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆的历史晶圆图配置数据，包括：
I：确定出所述历史芯片测试数据集合之中的多个边缘历史芯片的角点的坐标。
这里，通过芯片测试确定出历史芯片测试数据集合之中的多个边缘历史芯片的角点的坐标。
其中，历史芯片的形状为矩形，边缘历史芯片为历史晶圆上的最外测的历史芯片。
II：通过勾股定理确定出每个所述边缘历史芯片的角点的坐标到所述历史晶圆圆心位置的相对距离。
这里，根据勾股定理确定出每个边缘历史芯片的角点的坐标到历史晶圆圆心位置的相对距离。
这里，边缘历史芯片的角点有个，分别为左上、左下、右上以及右下，假设一个die的坐标是x，y 那么左上的坐标为（x - 0.5, y+0.5），其他的角点依次类推。
这里，通过以下公式确定出边缘历史芯片的角点的坐标到历史晶圆圆心位置的相对距离：
其中，cornerX为边缘历史芯片的角点的横坐标，cornerY为边缘历史芯片的角点的纵坐标，circleY为历史晶圆圆心位置的纵坐标，circleX为历史晶圆圆心位置的横坐标，circleRadius为相对距离。
III：在多个所述相对距离之中筛选出最大相对距离，将所述最大相对距离确定为历史晶圆图配置数据之中的所述历史晶圆半径。
这里，在多个相对距离之中筛选出最大相对距离，将最大相对距离确定为历史晶圆图配置数据之中的历史晶圆半径。
在一种可能的实施方式之中，所述历史晶圆图配置数据还包括历史槽口方向，通过以下步骤确定出所述历史槽口方向：
i：确定出所述历史芯片测试数据集合之中的每个历史芯片的槽口方向；其中，所述槽口方向包括上方槽口方向、下方槽口方向、左方槽口方向以及右方槽口方向。
这里，统计出历史芯片测试数据集合之中的每个历史芯片的槽口方向。
ii：将最多的历史芯片相对应的槽口方向确定为所述历史晶圆的所述历史槽口方向。
这里，将最多的历史芯片相对应的槽口方向确定为历史晶圆的所述历史槽口方向。
其中，将历史晶圆图配置数据写入到hdfs和mysql，hdfs存储的历史晶圆图配置数据用作持续计算修正，mysql存储的提供给画wafermap（晶圆图）的程序作为配置数据，以使准确地画出晶圆图。
S103：确定出与所述历史晶圆的类型以及所述测试节点相一致的目标晶圆的目标晶圆图配置数据，基于所述目标晶圆图配置数据对所述历史晶圆图配置数据进行修正。
该步骤中，确定出与历史晶圆的类型以及测试节点相一致的目标晶圆的目标晶圆图配置数据，根据目标晶圆图配置数据对历史晶圆图配置数据进行修正。
这里，目标晶圆图配置数据的确定过程与上述历史晶圆图配置数据的确定过程相一致，此部分不再进行赘述。
其中，测试数据随着时间的推移会源源不断的进入***，可以基于新的测试数据的目标晶圆图配置数据对存储在hdfs的历史晶圆图配置数据进行修正，利用上述步骤的历史晶圆图配置数据目的是使用增量计算的手段使经计算过的数据不再重新计算，大幅提升计算的性能。
在一种可能的实施方式之中，所述基于所述目标晶圆图配置数据对所述历史晶圆图配置数据进行修正，包括：
基于所述目标晶圆图配置数据之中的目标晶圆圆心位置对所述历史晶圆圆心位置进行修正；基于所述目标晶圆图配置数据之中的目标晶圆半径对所述历史晶圆半径进行修正。
这里，根据目标晶圆图配置数据之中的目标晶圆圆心位置对历史晶圆圆心位置进行修正；根据目标晶圆图配置数据之中的目标晶圆半径对历史晶圆半径进行修正。
其中，还可以根据目标晶圆图配置数据之中的目标槽口方向对历史槽口方向进行修正。
在具体实施例之中，历史芯片测试数据来源于stdf文件，解析stdf文件的数据并存储到hdfs上，对存储在hdfs上的芯片测试原始数据进行预处理，包括数据清洗、数据去重、数据归一化、飞点剔除等。利用分布式计算组件以历史晶圆的类型以及测试节点为维度聚合对多个历史芯片测试数据进行聚合处理，得到历史芯片测试数据集合。根据历史芯片测试数据集合确定出相对应的历史晶圆图配置数据，将上述步骤计算出的历史晶圆图配置数据写入到hdfs和mysql，hdfs存储的历史晶圆图配置数据用作持续计算修正，mysql存储的历史晶圆图配置数据提供给画wafermap的程序作为配置数据。
本申请实施例提供的一种晶圆图配置数据的修正方法，所述修正方法包括：基于历史晶圆的类型以及测试节点对所述历史晶圆相对应的多个历史芯片测试数据进行聚合处理，确定所述历史晶圆相对应的历史芯片测试数据集合；基于所述历史芯片测试数据集合下的历史芯片在横轴方向上的最大横坐标值、最小横坐标值、在纵轴方向上的最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆的历史晶圆图配置数据；其中，所述历史晶圆图配置数据包括历史晶圆圆心位置以及历史晶圆半径；确定出与所述历史晶圆的类型以及所述测试节点相一致的目标晶圆的目标晶圆图配置数据，基于所述目标晶圆图配置数据对所述历史晶圆图配置数据进行修正。通过测试数据随着时间的推移会源源不断的进入***，可以根据新得测试数据的目标晶圆图配置数据和历史晶圆图配置数据进行不停修正，从而提高了晶圆图的配置数据的准确性和完整性，保证准确地画出晶圆图。
请参阅图2、图3，图2为本申请实施例所提供的一种晶圆图配置数据的修正装置的结构示意图之一；图3为本申请实施例所提供的一种晶圆图配置数据的修正装置的结构示意图之二。如图2中所示，所述晶圆图配置数据的修正装置200包括：
聚合模块210，用于基于历史晶圆的类型以及测试节点对所述历史晶圆相对应的多个历史芯片测试数据进行聚合处理，确定所述历史晶圆相对应的历史芯片测试数据集合；
确定模块220，用于基于所述历史芯片测试数据集合下的历史芯片在横轴方向上的最大横坐标值、最小横坐标值、在纵轴方向上的最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆的历史晶圆图配置数据；其中，所述历史晶圆图配置数据包括历史晶圆圆心位置以及历史晶圆半径；
调整模块230，用于确定出与所述历史晶圆的类型以及所述测试节点相一致的目标晶圆的目标晶圆图配置数据，基于所述目标晶圆图配置数据对所述历史晶圆图配置数据进行修正。
进一步的，确定模块220在用于针对于所述历史晶圆圆心位置，所述基于所述历史芯片测试数据集合下的历史芯片在横轴方向上的最大横坐标值、最小横坐标值、在纵轴方向上的最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆的历史晶圆图配置数据时，确定模块220具体用于：
基于所述最大横坐标值、所述最小横坐标值、所述最大纵坐标值以及所述最小纵坐标值，确定出所述历史芯片测试数据集合的历史高度刻度值以及历史宽度刻度值；
基于所述历史高度刻度值、所述历史宽度刻度值、所述最大横坐标值、所述最小横坐标值、所述最大纵坐标值以及所述最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆图配置数据之中的所述历史晶圆圆心位置。
进一步的，确定模块220在用于所述基于所述最大横坐标值、所述最小横坐标值、所述最大纵坐标值以及所述最小纵坐标值，确定出所述历史芯片测试数据集合的历史高度刻度值以及历史宽度刻度值时，确定模块220具体用于：
将所述最大横坐标值与所述最小横坐标值相减，确定出第一差值；
将所述最大纵坐标值与所述最小纵坐标值相减，确定出第二差值；
基于所述第二差值与所述第一差值的比值，确定出所述历史宽度刻度值与所述历史高度刻度值之间的比值；其中，所述历史宽度刻度值为1；
基于所述历史宽度刻度值与所述历史高度刻度值之间的比值以及所述历史宽度刻度值，确定出所述历史高度刻度值。
进一步的，确定模块220在用于所述基于所述历史高度刻度值、所述历史宽度刻度值、所述最大横坐标值、所述最小横坐标值、所述最大纵坐标值以及所述最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆图配置数据之中的所述历史晶圆圆心位置时，确定模块220具体用于：
将所述最小横坐标值与第一目标数值相加，确定出第一和值，将所述最大横坐标值与所述第一和值相减，确定出第三差值；
将所述第三差值与所述历史宽度刻度值相乘，确定出第一乘积，将所述第一乘积与第二目标数值相除，确定出所述历史晶圆圆心位置的横坐标值；
将所述最小纵坐标值与第一目标数值相加，确定出第二和值，将所述最大纵坐标值与所述第二和值相减，确定出第四差值；
将所述第四差值与所述历史高度刻度值的相乘，确定出第二乘积，将所述第二乘积与所述第二目标数值相除，确定出所述历史晶圆圆心位置的纵坐标值；其中，所述第一目标数值为1，所述第二目标数值为2。
进一步的，确定模块220在用于针对于所述历史晶圆半径，所述基于所述历史芯片测试数据集合下的历史芯片在横轴方向上的最大横坐标值、最小横坐标值、在纵轴方向上的最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆的历史晶圆图配置数据时，确定模块220具体用于：
确定出所述历史芯片测试数据集合之中的多个边缘历史芯片的角点的坐标；
通过勾股定理确定出每个所述边缘历史芯片的角点的坐标到所述历史晶圆圆心位置的相对距离；
在多个所述相对距离之中筛选出最大相对距离，将所述最大相对距离确定为历史晶圆图配置数据之中的所述历史晶圆半径。
进一步的，如图3所示，修正装置200还包括槽口方向确定模块240，槽口方向确定模块240通过以下步骤确定出所述历史槽口方向：
确定出所述历史芯片测试数据集合之中的每个历史芯片的槽口方向；其中，所述槽口方向包括上方槽口方向、下方槽口方向、左方槽口方向以及右方槽口方向；
将最多的历史芯片相对应的槽口方向确定为所述历史晶圆的所述历史槽口方向。
进一步的，调整模块230在用于所述基于所述目标晶圆图配置数据对所述历史晶圆图配置数据进行修正时，调整模块230具体用于：
基于所述目标晶圆图配置数据之中的目标晶圆圆心位置对所述历史晶圆圆心位置进行修正；
基于所述目标晶圆图配置数据之中的目标晶圆半径对所述历史晶圆半径进行修正。
本申请实施例提供的一种晶圆图配置数据的修正装置，所述修正装置包括：聚合模块，用于基于历史晶圆的类型以及测试节点对所述历史晶圆相对应的多个历史芯片测试数据进行聚合处理，确定所述历史晶圆相对应的历史芯片测试数据集合；确定模块，用于基于所述历史芯片测试数据集合下的历史芯片在横轴方向上的最大横坐标值、最小横坐标值、在纵轴方向上的最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆的历史晶圆图配置数据；其中，所述历史晶圆图配置数据包括历史晶圆圆心位置以及历史晶圆半径；调整模块，用于确定出与所述历史晶圆的类型以及所述测试节点相一致的目标晶圆的目标晶圆图配置数据，基于所述目标晶圆图配置数据对所述历史晶圆图配置数据进行修正。通过测试数据随着时间的推移会源源不断的进入***，可以根据新得测试数据的目标晶圆图配置数据和历史晶圆图配置数据进行不停修正，从而提高了晶圆图的配置数据的准确性和完整性，保证准确地画出晶圆图。
请参阅图4，图4为本申请实施例所提供的一种电子设备的结构示意图。如图4中所示，所述电子设备400包括处理器410、存储器420和总线430。
所述存储器420存储有所述处理器410可执行的机器可读指令，当电子设备400运行时，所述处理器410与所述存储器420之间通过总线430通信，所述机器可读指令被所述处理器410执行时，可以执行如上述图1所示方法实施例中的晶圆图配置数据的修正方法的步骤，具体实现方式可参见方法实施例，在此不再赘述。
本申请实施例还提供一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器运行时可以执行如上述图1所示方法实施例中的晶圆图配置数据的修正方法的步骤，具体实现方式可参见方法实施例，在此不再赘述。
所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的***、装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的***、装置和方法，可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，又例如，多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个***，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些通信接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。
所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。
所述功能如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个处理器可执行的非易失的计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器（Read-OnlyMemory，ROM）、随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
最后应说明的是：以上所述实施例，仅为本申请的具体实施方式，用以说明本申请的技术方案，而非对其限制，本申请的保护范围并不局限于此，尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改或可轻易想到变化，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改、变化或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请实施例技术方案的精神和范围，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种晶圆图配置数据的修正方法，其特征在于，所述修正方法包括：
基于历史晶圆的类型以及测试节点对所述历史晶圆相对应的多个历史芯片测试数据进行聚合处理，确定所述历史晶圆相对应的历史芯片测试数据集合；
基于所述历史芯片测试数据集合下的历史芯片在横轴方向上的最大横坐标值、最小横坐标值、历史高度刻度值、历史宽度刻度值、在纵轴方向上的最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆的历史晶圆图配置数据；其中，所述历史晶圆图配置数据包括历史晶圆圆心位置以及历史晶圆半径；其中，历史高度刻度值以及历史宽度刻度值为历史芯片的高度以及宽度之间的比例关系；
确定出与所述历史晶圆的类型以及所述测试节点相一致的目标晶圆的目标晶圆图配置数据，基于所述目标晶圆图配置数据对所述历史晶圆图配置数据进行修正。
2.根据权利要求1所述的修正方法，其特征在于，针对于所述历史晶圆圆心位置，所述基于所述历史芯片测试数据集合下的历史芯片在横轴方向上的最大横坐标值、最小横坐标值、历史高度刻度值、历史宽度刻度值、在纵轴方向上的最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆的历史晶圆图配置数据，包括：
基于所述最大横坐标值、所述最小横坐标值、所述最大纵坐标值以及所述最小纵坐标值，确定出所述历史芯片测试数据集合的历史高度刻度值以及历史宽度刻度值；
基于所述历史高度刻度值、所述历史宽度刻度值、所述最大横坐标值、所述最小横坐标值、所述最大纵坐标值以及所述最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆图配置数据之中的所述历史晶圆圆心位置。
3.根据权利要求2所述的修正方法，其特征在于，所述基于所述最大横坐标值、所述最小横坐标值、所述最大纵坐标值以及所述最小纵坐标值，确定出所述历史芯片测试数据集合的历史高度刻度值以及历史宽度刻度值，包括：
将所述最大横坐标值与所述最小横坐标值相减，确定出第一差值；
将所述最大纵坐标值与所述最小纵坐标值相减，确定出第二差值；
基于所述第二差值与所述第一差值的比值，确定出所述历史宽度刻度值与所述历史高度刻度值之间的比值；其中，所述历史宽度刻度值为1；
基于所述历史宽度刻度值与所述历史高度刻度值之间的比值以及所述历史宽度刻度值，确定出所述历史高度刻度值。
4.根据权利要求2所述的修正方法，其特征在于，所述基于所述历史高度刻度值、所述历史宽度刻度值、所述最大横坐标值、所述最小横坐标值、所述最大纵坐标值以及所述最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆图配置数据之中的所述历史晶圆圆心位置，包括：
将所述最小横坐标值与第一目标数值相加，确定出第一和值，将所述最大横坐标值与所述第一和值相减，确定出第三差值；
将所述第三差值与所述历史宽度刻度值相乘，确定出第一乘积，将所述第一乘积与第二目标数值相除，确定出所述历史晶圆圆心位置的横坐标值；
将所述最小纵坐标值与第一目标数值相加，确定出第二和值，将所述最大纵坐标值与所述第二和值相减，确定出第四差值；
将所述第四差值与所述历史高度刻度值的相乘，确定出第二乘积，将所述第二乘积与所述第二目标数值相除，确定出所述历史晶圆圆心位置的纵坐标值；其中，所述第一目标数值为1，所述第二目标数值为2。
5.根据权利要求1所述的修正方法，其特征在于，针对于所述历史晶圆半径，所述基于所述历史芯片测试数据集合下的历史芯片在横轴方向上的最大横坐标值、最小横坐标值、历史高度刻度值、历史宽度刻度值、在纵轴方向上的最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆的历史晶圆图配置数据，包括：
确定出所述历史芯片测试数据集合之中的多个边缘历史芯片的角点的坐标；
通过勾股定理确定出每个所述边缘历史芯片的角点的坐标到所述历史晶圆圆心位置的相对距离；
在多个所述相对距离之中筛选出最大相对距离，将所述最大相对距离确定为历史晶圆图配置数据之中的所述历史晶圆半径。
6.根据权利要求1所述的修正方法，其特征在于，所述历史晶圆图配置数据还包括历史槽口方向，通过以下步骤确定出所述历史槽口方向：
确定出所述历史芯片测试数据集合之中的每个历史芯片的槽口方向；其中，所述槽口方向包括上方槽口方向、下方槽口方向、左方槽口方向以及右方槽口方向；
将最多的历史芯片相对应的槽口方向确定为所述历史晶圆的所述历史槽口方向。
7.根据权利要求1所述的修正方法，其特征在于，所述基于所述目标晶圆图配置数据对所述历史晶圆图配置数据进行修正，包括：
基于所述目标晶圆图配置数据之中的目标晶圆圆心位置对所述历史晶圆圆心位置进行修正；
基于所述目标晶圆图配置数据之中的目标晶圆半径对所述历史晶圆半径进行修正。
8.一种晶圆图配置数据的修正装置，其特征在于，所述修正装置包括：
聚合模块，用于基于历史晶圆的类型以及测试节点对所述历史晶圆相对应的多个历史芯片测试数据进行聚合处理，确定所述历史晶圆相对应的历史芯片测试数据集合；
确定模块，用于基于所述历史芯片测试数据集合下的历史芯片在横轴方向上的最大横坐标值、最小横坐标值、历史高度刻度值、历史宽度刻度值、在纵轴方向上的最大纵坐标值以及最小纵坐标值，确定出所述历史晶圆的历史晶圆图配置数据；其中，所述历史晶圆图配置数据包括历史晶圆圆心位置以及历史晶圆半径；
调整模块，用于确定出与所述历史晶圆的类型以及所述测试节点相一致的目标晶圆的目标晶圆图配置数据，基于所述目标晶圆图配置数据对所述历史晶圆图配置数据进行修正。
9.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器、存储器和总线，所述存储器存储有所述处理器可执行的机器可读指令，当电子设备运行时，所述处理器与所述存储器之间通过所述总线进行通信，所述机器可读指令被所述处理器运行时执行如权利要求1至7任一所述的晶圆图配置数据的修正方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器运行时执行如权利要求1至7任一所述的晶圆图配置数据的修正方法的步骤。
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