CN116508153A - 高频模块 - Google Patents

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Abstract

高频模块(1)具备：滤波器(61)，其用于频段A；滤波器(62)，其用于频段B；滤波器(63)，其用于频段C；滤波器(64)，其用于频段D；开关(51)，其具有与天线连接端子(100)连接的端子(511)、与滤波器(61、62)连接的端子(512)以及与滤波器(63、64)连接的端子(513)；低噪声放大器(21、23)，低噪声放大器(21、23)分别与滤波器(61、63)连接；以及低噪声放大器(22、24)，低噪声放大器(22、24)分别与滤波器(62、64)连接，其中，滤波器(61、63)包括于被配置在模块基板(91)的主面(91a)的一个集成电路(81)，滤波器(62、64)包括于被配置在主面(91a)的一个集成电路(82)，在俯视时，集成电路(81)与低噪声放大器(21、23)至少有一部分重叠。

Description

高频模块
技术领域
本发明涉及一种高频模块。
背景技术
在便携式电话等移动通信设备中，特别是，构成高频前端电路的电路元件的配置结构随着多频段化的进展而复杂化。
专利文献1公开了具备开关部、滤波器部、匹配电路以及放大部的前端模块。在该前端模块中，开关部、滤波器部以及匹配电路配置于基板的表面，放大部配置于基板的背面。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2019/065311号
发明内容
发明要解决的问题
然而，在上述现有的技术中，有时模块的电气特性(例如噪声系数(NF：NoiseFigure)和放大特性等)会劣化。
因此，本发明提供一种能够提高电气特性的高频模块。
用于解决问题的方案
本发明的一个方式所涉及的高频模块具备：第一滤波器，其具有包含第一频段的至少一部分的通带；第二滤波器，其具有包含第二频段的至少一部分的通带；第三滤波器，其具有包含第三频段的至少一部分的通带；第四滤波器，其具有包含第四频段的至少一部分的通带；开关，其具有与天线连接端子连接的第一端子、与第一滤波器的输入端子及第二滤波器的输入端子连接的第二端子以及与第三滤波器的输入端子及第四滤波器的输入端子连接的第三端子；至少一个第一放大器，至少一个第一放大器与第一滤波器的输出端子及第三滤波器的输出端子连接；至少一个第二放大器，至少一个第二放大器与第二滤波器的输出端子及第四滤波器的输出端子连接；以及模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面，其中，第一滤波器和第三滤波器包括于被配置在第一主面的一个第一集成电路，第二滤波器和第四滤波器包括于被配置在第一主面的一个第二集成电路，至少一个第一放大器配置于第二主面，在俯视时，第一集成电路与至少一个第一放大器至少有一部分重叠。
发明的效果
根据本发明的一个方式所涉及的高频模块，能够提高电气特性。
附图说明
图1是实施方式1所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。
图2A是实施方式1所涉及的高频模块的俯视图。
图2B是实施方式1所涉及的高频模块的俯视透视图。
图3是实施方式1所涉及的高频模块的截面图。
图4是实施方式2所涉及的高频模块和通信装置的电路结构图。
图5A是实施方式2所涉及的高频模块的俯视图。
图5B是实施方式2所涉及的高频模块的俯视透视图。
图6是实施方式2的变形例所涉及的高频模块的俯视图。
图7是实施方式2的变形例所涉及的高频模块的放大俯视图。
图8是实施方式2的变形例所涉及的高频模块的放大截面图。
具体实施方式
下面，使用附图来详细说明本发明的实施方式。此外，以下所说明的实施方式均表示总括性或具体性的例子。以下的实施方式中示出的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置及连接方式等是一例，其主旨并不在于限定本发明。
此外，各图是为了示出本发明而进行了适当强调、省略或比率的调整的示意图，未必严格地进行了图示，有时形状、位置关系以及比率与实际的形状、位置关系以及比率不同。在各图中，有时对实质上相同的结构标注相同的附图标记并省略重复的说明或者简化重复的说明。
在下面的各图中，x轴和y轴是在与模块基板的主面平行的平面上相互正交的轴。具体地说，在俯视时模块基板具有矩形形状的情况下，x轴与模块基板的第一边平行，y轴与模块基板的同第一边正交的第二边平行。另外，z轴是与模块基板的主面垂直的轴，其正方向表示上方向，其负方向表示下方向。
在本发明的电路结构中，“连接”不仅包括通过连接端子和/或布线导体来直接连接的情况，还包括经由其它电路元件来电连接的情况。另外，“连接于A与B之间”是指在A与B之间连接于A及B双方。
在本发明的部件配置中，“俯视”是指从z轴正侧将物体正投影到xy平面来进行观察。“在俯视时A配置于B与C之间”是指将被投影到xy平面的B的区域内的任意的点与被投影到xy平面的C的区域内的任意的点连结的多个线段中的至少一个线段经过被投影到xy平面的A的区域。另外，“平行”和“垂直”等表示要素间的关系性的用语和“矩形”等表示要素的形状的用语以及数值范围并不仅表示严格的含义，还包括实质上等同的范围、例如百分之几左右的误差。
另外，“部件配置于基板”除了包括部件以与基板接触的状态配置于基板上的情况以外，还包括部件不与基板接触地配置于基板的上方的情况(例如部件层叠在配置于基板上的其它部件上的情况)以及部件的一部分或全部被配置为嵌入到基板内的情况。另外，“部件配置于基板的主面”除了包括部件以与基板的主面接触的状态配置于主面上的情况以外，还包括部件不与主面接触地配置于主面的上方的情况以及部件的一部分被配置为从主面侧嵌入到基板内的情况。
(实施方式1)
[1.1高频模块1和通信装置5的电路结构]
参照图1来说明本实施方式所涉及的高频模块1和具备该高频模块1的通信装置5的电路结构。图1是实施方式1所涉及的高频模块1和通信装置5的电路结构图。
[1.1.1通信装置5的电路结构]
如图1所示，本实施方式所涉及的通信装置5具备高频模块1、天线2、RFIC(RadioFrequency Integrated Circuit：射频集成电路)3以及BBIC(Baseband IntegratedCircuit：基带集成电路)4。
高频模块1在天线2与RFIC 3之间传输高频信号。高频模块1的内部结构将在后面叙述。
天线2与高频模块1的天线连接端子100连接，从外部接收高频信号后将该高频信号向高频模块1输出。
RFIC 3是处理高频信号的信号处理电路的一例。具体地说，RFIC 3将经由高频模块1的接收路径输入的高频接收信号通过下变频等进行信号处理，将进行该信号处理后生成的接收信号输出到BBIC 4。另外，RFIC 3具有对高频模块1所具有的开关和放大器等进行控制的控制部。此外，RFIC 3的作为控制部的功能的一部分或全部也可以构成于于RFIC 3的外部，例如也可以构成于BBIC 4或高频模块1。
BBIC 4是使用频率比高频模块1所传输的高频信号的频率低的中间频带来进行信号处理的基带信号处理电路。作为利用BBIC 4处理的信号，例如使用用于显示图像的图像信号和/或用于经由扬声器进行通话的声音信号。
此外，在本实施方式所涉及的通信装置5中，天线2和BBIC 4并不是必需的构成要素。
[1.1.2高频模块1的电路结构]
接着，说明高频模块1的电路结构。如图1所示，高频模块1具备低噪声放大器21～24、开关51、滤波器61～64、电容器71C、电感器71L～76L、天线连接端子100以及高频输出端子121～124。
天线连接端子100在高频模块1的外部与天线2连接。
高频输出端子121～124的各高频输出端子是用于向高频模块1的外部提供高频接收信号的端子。在本实施方式中，高频输出端子121～124在高频模块1的外部与RFIC 3连接。
低噪声放大器21是至少一个第一放大器的一例，能够对利用天线连接端子100接受的频段A的接收信号进行放大。低噪声放大器21连接于滤波器61与高频输出端子121之间。具体地说，低噪声放大器21的输入端经由电感器73L来与滤波器61连接，低噪声放大器21的输出端与高频输出端子121连接。
低噪声放大器22是至少一个第二放大器的一例，能够对利用天线连接端子100接受的频段B的接收信号进行放大。低噪声放大器22连接于滤波器62与高频输出端子122之间。具体地说，低噪声放大器22的输入端经由电感器74L来与滤波器62连接，低噪声放大器22的输出端与高频输出端子122连接。
低噪声放大器23是至少一个第一放大器的一例，能够对利用天线连接端子100接受的频段C的接收信号进行放大。低噪声放大器23连接于滤波器63与高频输出端子123之间。具体地说，低噪声放大器23的输入端经由电感器75L来与滤波器63连接，低噪声放大器23的输出端与高频输出端子123连接。
此外，低噪声放大器23也可以与低噪声放大器21集成为一个。也就是说，高频模块1也可以不具备低噪声放大器23。在该情况下，也可以是，高频模块1具备连接于低噪声放大器21与滤波器61及63之间的开关。该开关能够将低噪声放大器21的连接在滤波器61与滤波器63之间进行切换。
低噪声放大器24是至少一个第二放大器的一例，能够对利用天线连接端子100接受的频段D的接收信号进行放大。低噪声放大器24连接于滤波器64与高频输出端子124之间。具体地说，低噪声放大器24的输入端经由电感器76L来与滤波器64连接，低噪声放大器24的输出端与高频输出端子124连接。
此外，低噪声放大器24也可以与低噪声放大器22集成为一个。也就是说，高频模块1也可以不具备低噪声放大器24。在该情况下，也可以是，高频模块1具备连接于低噪声放大器22与滤波器62及64之间的开关。该开关能够将低噪声放大器22的连接在滤波器62与滤波器64之间进行切换。
开关51具有端子511～513。端子511是第一端子的一例，与天线连接端子100连接。端子512是第二端子的一例，与滤波器61的输入端子611及滤波器62的输入端子621连接。端子513是第三端子的一例，与滤波器63的输入端子631及滤波器64的输入端子641连接。
在该连接结构中，开关51例如能够基于来自RFIC 3的控制信号将端子511与端子512及513中的任一者连接。也就是说，开关51能够将天线2的连接在滤波器61及62的组与滤波器63及64的组之间进行切换。开关51例如由SPDT(Single-Pole Double-Throw：单刀双掷)型的开关电路构成，也有时被称为天线开关。
滤波器61(A-Rx)是第一滤波器的一例，具有包含频段A的通带。滤波器61连接于开关51与低噪声放大器21之间。具体地说，滤波器61的输入端子611与开关51的端子512连接，滤波器61的输出端子612经由电感器73L来与低噪声放大器21的输入端连接。此外，将在后面说明频段A。
滤波器62(B-Rx)是第二滤波器的一例，具有包含频段B的通带。滤波器62连接于开关51与低噪声放大器22之间。具体地说，滤波器62的输入端子621经由电感器71L来与开关51的端子512连接，滤波器62的输出端子622经由电感器74L来与低噪声放大器22的输入端连接。此外，将在后面说明频段B。
滤波器61的输入端子611及滤波器62的输入端子621均与开关51的端子512连接，被公共端子化。这样的滤波器61及62也有时被称为同向双工器。
滤波器63(C-Rx)是第三滤波器的一例，具有包含频段C的通带。滤波器63连接于开关51与低噪声放大器23之间。具体地说，滤波器63的输入端子631与开关51的端子513连接，滤波器63的输出端子632经由电感器75L来与低噪声放大器23的输入端连接。此外，将在后面说明频段C。
滤波器64(D-Rx)是第四滤波器的一例，具有包含频段D的通带。滤波器64连接于开关51与低噪声放大器24之间。具体地说，滤波器64的输入端子641与开关51的端子513连接，滤波器64的输出端子642经由电感器76L来与低噪声放大器24的输入端连接。此外，将在后面说明频段D。
滤波器63的输入端子631及滤波器64的输入端子641均与开关51的端子513连接，被公共端子化。这样的滤波器63及64也有时被称为同向双工器。
电容器71C连接于滤波器62的输入端子621与开关51的端子512之间。具体地说，电容器71C连接于将滤波器62的输入端子621及开关51的端子512连结的路径与地之间。在此，电容器71C是所谓的分流电容器。
电感器71L是第一电感器的一例，连接于滤波器62的输入端子621与开关51的端子512之间。具体地说，电感器71L串联连接于将滤波器62的输入端子621与开关51的端子512连结的路径。在此，电感器71L是所谓的串联电感器，但并不限定于此。
电容器71C和电感器71L构成阻抗匹配电路。电容器71C和电感器71L能够在开关51的输出阻抗与滤波器61及62的输入阻抗之间取得阻抗匹配。
电感器72L是第二电感器的一例，连接于滤波器63的输入端子631及滤波器64的输入端子641与开关51的端子513之间。具体地说，电感器72L连接于将滤波器63的输入端子631及开关51的端子513连结的路径与地之间，并且连接于将滤波器64的输入端子641及开关51的端子513连结的路径与地之间。在此，电感器72L是所谓的分流电感器，但并不限定于此。电感器72L构成阻抗匹配电路，能够在开关51的输出阻抗与滤波器63及64的输入阻抗之间取得阻抗匹配。
电感器73L是第三电感器的一例，与滤波器61的输出端子612连接。具体地说，电感器73L串联连接于将滤波器61的输出端子612与低噪声放大器21的输入端连结的路径。在此，电感器73L是所谓的串联电感器，但并不限定于此。电感器73L构成阻抗匹配电路，能够在滤波器61的输出阻抗与低噪声放大器21的输入阻抗之间取得阻抗匹配。
电感器74L是第四电感器的一例，与滤波器62的输出端子622连接。具体地说，电感器74L串联连接于将滤波器62的输出端子622与低噪声放大器22的输入端连结的路径。在此，电感器74L是所谓的串联电感器，但并不限定于此。电感器74L构成阻抗匹配电路，能够在滤波器62的输出阻抗与低噪声放大器22的输入阻抗之间取得阻抗匹配。
电感器75L是第五电感器的一例，与滤波器63的输出端子632连接。具体地说，电感器75L串联连接于将滤波器63的输出端子632与低噪声放大器23的输入端连结的路径。在此，电感器75L是所谓的串联电感器，但并不限定于此。电感器75L构成阻抗匹配电路，能够在滤波器63的输出阻抗与低噪声放大器23的输入阻抗之间取得阻抗匹配。
电感器76L是第六电感器的一例，与滤波器64的输出端子642连接。具体地说，电感器76L串联连接于将滤波器64的输出端子642与低噪声放大器24的输入端连结的路径。在此，电感器76L是所谓的串联电感器，但并不限定于此。电感器76L构成阻抗匹配电路，能够在滤波器64的输出阻抗与低噪声放大器24的输入阻抗之间取得阻抗匹配。
此外，图1中表示的电路元件中的若干电路元件也可以不包括于高频模块1。例如，高频模块1也可以不具备电容器71C和电感器71L～76L。
[1.2高频模块1的部件配置]
接着，参照图2A、图2B以及图3来具体地说明如以上那样构成的高频模块1的部件配置的一例。
图2A是实施方式1所涉及的高频模块1的俯视图。具体地说，图2A是从z轴正侧观察模块基板91的主面91a所得到的图。图2B是实施方式1所涉及的高频模块1的俯视透视图。具体地说，图2B是从z轴正侧透视模块基板91的主面91b所得到的图。图3是实施方式1所涉及的高频模块1的截面图。
如图2A、图2B以及图3所示，高频模块1除了具备包括图1所示的电路元件的电路部件以外，还具备模块基板91、树脂构件93及94、屏蔽电极层95以及多个柱电极150。此外，在图2A和图2B中，省略了树脂构件93及94和屏蔽电极层95的图示。并且，在图2A、图2B以及图3中，省略了将配置于模块基板91的多个部件彼此连接的布线的图示。
模块基板91具有彼此相向的主面91a及91b。主面91a及91b分别是第一主面及第二主面的一例。在本实施方式中，在俯视时模块基板91具有矩形形状，但模块基板91的形状并不限定于此。作为模块基板91，例如能够使用具有多个电介质层的层叠构造的低温共烧陶瓷(LTCC：Low Temperature Co-fired Ceramics)基板、高温共烧陶瓷(HTCC：HighTemperature Co-fired Ceramics)基板、部件内置基板、具有重新布线层(RDL：Redistribution Layer)的基板或者印刷电路板等，但并不限定于这些基板。在模块基板91内配置有电容器71C，且形成有地电极图案92。
在此，首先说明配置于主面91a的部件。主面91a是模块基板91的与主面91b相反的一侧的面，有时被称为上表面或表面。在主面91a配置有滤波器61～64和电感器71L～76L。利用树脂构件93覆盖主面91a和主面91a上的部件。
滤波器61～64的各滤波器可以是声表面波(SAW：Surface Acoustic Wave)滤波器、使用BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)的弹性波滤波器、LC谐振滤波器以及电介质滤波器中的任一者，并且不限定于这些滤波器。
滤波器61及63包括于一个集成电路81，滤波器62及64包括于一个集成电路82。也就是说，以滤波器61及63的组合进行单芯片化，以滤波器62及64的组合进行单芯片化。
集成电路81是包括滤波器61及63的一个封装。集成电路81具有在俯视时彼此相向的2个边811及812。边811是第一边的一例，是在图2A中沿着y轴延伸的集成电路81的右边。边812是第二边的一例，是在图2A中沿着y轴延伸的集成电路81的左边。此外，图2A中的集成电路81的形状是一例，并不限定于矩形形状。
在集成电路81内，滤波器61及63沿着边811并排配置。具体地说，例如能够通过在一个半导体基板上将分别配置有功能电极的2个压电基板沿着边811在y方向上并排排列来构成滤波器61及63。此外，滤波器61及63的构造不限定于此。
滤波器61的输入端子611和滤波器63的输入端子631配置于集成电路81的靠边811的一侧。也就是说，边811比边812更靠近输入端子611及631。另外，滤波器61的输出端子612和滤波器63的输出端子632配置于集成电路81的靠边812的一侧。也就是说，边812比边811更靠近输出端子612及632。
集成电路82是包括滤波器62及64的一个封装。集成电路82具有在俯视时彼此相向的2个边821及822。边821是第三边的一例，是在图2A中沿着y轴延伸的集成电路82的左边。边822是第四边的一例，是在图2A中沿着y轴延伸的集成电路82的右边。此外，图2A中的集成电路82的形状是一例，并不限定于矩形形状。
在集成电路82内，滤波器62及64沿着边821并排配置。具体地说，例如能够通过在一个半导体基板上将分别配置有功能电极的2个压电基板沿着边821在y方向上并排排列来构成滤波器62及64。此外，滤波器62及64的构造不限定于此。
滤波器62的输入端子621和滤波器64的输入端子641配置于集成电路82的靠边821的一侧。也就是说，输入端子621及641与边822相比更靠近边821。另外，滤波器62的输出端子622和滤波器64的输出端子642配置于集成电路82的靠边822的一侧。也就是说，输出端子622及642与边821相比更靠近边822。
这样的集成电路81及82被配置为在俯视时边811与边821相对。即，在集成电路81中，边811比边812更靠近集成电路82，在集成电路82中，边821比边822更靠近集成电路81。
在俯视时，集成电路81内的滤波器61和集成电路82内的滤波器62在与边811垂直的x方向上并排排列。也就是说，滤波器61及62被配置为：在俯视时，与x轴平行的1条直线经过滤波器61及62双方。另外，在俯视时，集成电路81内的滤波器63和集成电路82内的滤波器64也在与边811垂直的x方向上并排排列。也就是说，滤波器63及64被配置为：在俯视时，与x轴平行的1条直线经过滤波器63及64双方。
电感器71L～76L的各电感器例如由表面安装部件(SMD：Surface Mount Device)构成。此外，电感器71L～76L不限定于SMD。例如，电感器71L～76L也可以由集成型无源器件(IPD：Integrated Passive Device)构成。
在俯视时，电感器71L配置于滤波器61与滤波器62之间，电感器73L配置于隔着边812而与滤波器61相向的位置，电感器74L配置于隔着边822而与滤波器62相向的位置。此时，电感器73L、滤波器61、电感器71L、滤波器62以及电感器74L按此顺序在x方向上排成一列地配置。
另外，在俯视时，电感器72L配置于滤波器63与滤波器64之间，电感器75L配置于隔着边812而与滤波器63相向的位置，电感器76L配置于隔着边822而与滤波器64相向的位置。此时，电感器75L、滤波器63、电感器72L、滤波器64以及电感器76L按此顺序在x方向上排成一列地配置。
此外，在本实施方式中，滤波器61及63的组合以及滤波器62及64的组合双方分别包括于集成电路81及82，但也可以是，滤波器61及63的组合以及滤波器62及64的组合中的一方不包括于集成电路。也就是说，滤波器61及63的组合以及滤波器62及64的组合中的一方也可以独立地安装。
树脂构件93覆盖主面91a和主面91a上的部件。树脂构件93具有确保主面91a上的部件的机械强度和耐湿性等可靠性的功能。
接着，说明配置于主面91b的部件。主面91b是模块基板91的与主面91a相反的一侧的面，有时被称为下表面或背面。在主面91b配置有低噪声放大器21～24、开关51以及多个柱电极150。利用树脂构件94覆盖主面91b和主面91b上的部件。
低噪声放大器21～24和开关51包括于一个集成电路83。集成电路83是半导体集成电路，例如由CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor：互补金属氧化物半导体)构成。具体地说，集成电路83也可以通过SOI(Silicon on Insulator：绝缘体上硅)工艺制造。由此，能够廉价地制造集成电路83。此外，集成电路83不限定于此，也可以由GaAs、SiGe以及GaN中的至少一者构成。由此，能够实现高质量的低噪声放大器21～24和开关51。
在俯视时集成电路83具有矩形形状，但集成电路83的形状不限定于此。在集成电路83内，低噪声放大器21及23在y方向上并排排列，低噪声放大器22及24也在y方向上并排排列。另外，低噪声放大器21及22隔着开关51在x方向上相对，低噪声放大器23及24也隔着开关51在x方向上相对。
在俯视时，像这样配置于主面91b的低噪声放大器21及23与配置于主面91a的集成电路81至少有一部分重叠。同样地，在俯视时，低噪声放大器22及24与集成电路82至少有一部分重叠。并且，在俯视时，开关51的至少一部分配置于集成电路81的边811与集成电路82的边821之间。
此外，在本实施方式中，低噪声放大器21～24和开关51包括于一个集成电路83，但并不限定于此。例如，低噪声放大器21～24和开关51也可以分别独立地安装。
多个柱电极150除了包括图1所示的天线连接端子100和高频输出端子121～124以外，还包括地端子。多个柱电极150的各柱电极与高频模块1的配置于z轴负方向的母板上的输入输出端子和/或地端子等连接。
树脂构件94覆盖主面91b和主面91b上的部件。树脂构件94具有确保主面91b上的部件的机械强度和耐湿性等可靠性的功能。
屏蔽电极层95例如是通过溅射法形成的金属薄膜，形成为覆盖树脂构件93的上表面及侧面、模块基板91的侧面以及树脂构件94的侧面。屏蔽电极层95被设定为地电位，能够对外来噪声侵入构成高频模块1的电路部件这一情况进行抑制。
此外，图2A、图2B以及图3的高频模块1的结构是一例，并不限定于此。例如，高频模块1也可以不具备树脂构件93及94和屏蔽电极层95。另外，高频模块1也可以不具备多个柱电极150而取而代之地具备多个凸块电极。
[1.3频段A～D的组合]
接着，说明频段A～D。频段A～D分别是第一～第四频段的一例。频段A～D的各频段是用于使用无线接入技术(RAT：Radio Access Technology)构建的通信***的频段。频段A～D的各频段由标准化组织等(例如3GPP(3rd Generation Partnership Project：第三代合作伙伴计划)和IEEE(Institute of Electrical and Electronics Engineers：电气与电子工程师协会)等)预先定义。作为通信***的例子，能够列举5GNR(5th Generation NewRadio：第五代新空口)***、LTE(Long Term Evolution：长期演进)***以及WLAN(Wireless Local AreaNetwork：无线局域网)***等。
频段A及B是被允许同时接收的频段的组合。例如，在频段A及B是用于LTE的频段的情况下，频段A及B能够用于带间载波聚合。同样地，频段C及D也是被允许同时接收的频段的组合。此外，频段A及C是不被允许同时接收的频段的组合，频段B及D也是不被允许同时接收的频段的组合。
在下面的表1中表示这样的频段A～D的组合的具体例。
[表1]
No. 频段A 频段B 频段C 频段D
1 Band1 Band3 Band66 Band25
2 Band3 Band1 Band25 Band66
3 Band1 Band3 Band34 Band39
4 Band3 Band1 Band39 Band34
5 Band66 Band25 Band34 Band39
6 Band25 Band66 Band39 Band34
7 Band66 Band25 Band1 Band3
8 Band25 Band66 Band3 Band1
9 Band34 Band39 Band1 Band3
10 Band39 Band34 Band3 Band1
11 Band34 Band39 Band66 Band25
12 Band39 Band34 Band25 Band66
13 Band1 Band3 Band66 Band70
14 Band3 Band1 Band70 Band66
15 Band66 Band70 Band34 Band39
16 Band70 Band66 Band39 Band34
17 Band70 Band66 Band1 Band3
18 Band66 Band70 Band3 Band1
19 Band34 Band39 Band66 Band70
20 Band39 Band34 Band70 Band66
在表1中，作为频段A及B的组合，能够使用用于LTE的Band1与Band3的组合、Band66与Band25或Band70的组合以及Band34与Band39的组合中的任一种组合。此时，作为频段C及D的组合，能够使用用于LTE的Band1与Band3的组合、Band66与Band25或Band70的组合以及Band34与Band39的组合中的其余两种组合中的任一种组合。
此外，在表1中，频段的编号是表示LTE频段的编号，但是5GNR频段也同样地能够用作频段A～D。也就是说，作为频段A及B的组合，能够使用用于5GNR的n1与n3的组合、n66与n25或n70的组合以及n34与n39的组合中的任一种组合。此时，作为频段C及D的组合，能够使用用于5GNR的n1与n3的组合、n66与n25或n70的组合以及n34与n39的组合中的其余两种组合中的任一种组合。
此外，表1所示的频段A～D的组合只不过是例示，并不限定于这些组合。
[1.4效果等]
如上所述，本实施方式所涉及的高频模块1具备：滤波器61，其具有包含频段A的至少一部分的通带；滤波器62，其具有包含频段B的至少一部分的通带；滤波器63，其具有包含频段C的至少一部分的通带；滤波器64，其具有包含频段D的至少一部分的通带；开关51，其具有与天线连接端子100连接的端子511、与滤波器61的输入端子611及滤波器62的输入端子621连接的端子512以及与滤波器63的输入端子631及滤波器64的输入端子641连接的端子513；低噪声放大器21及23，低噪声放大器21及23分别与滤波器61的输出端子612及滤波器63的输出端子632连接；低噪声放大器22及24，低噪声放大器22及24分别与滤波器62的输出端子622及滤波器64的输出端子642连接；以及模块基板91，其具有彼此相向的主面91a及91b，其中，滤波器61及63包括于被配置在主面91a的一个集成电路81，滤波器62及64包括于被配置在主面91a的一个集成电路82，低噪声放大器21及23配置于主面91b，在俯视时，集成电路81与低噪声放大器21及23至少有一部分重叠。
据此，2个滤波器61及63由一个集成电路81构成，2个滤波器62及64由一个集成电路82构成。此时，与开关51的端子512连接的2个滤波器61及62构成于不同的集成电路81及82，与开关51的端子513连接的2个滤波器63及64构成于不同的集成电路81及82。因而，能够抑制通过与同一端子连接的2个滤波器的高频信号的干扰，从而能够抑制因高频模块1的小型化引起的电气特性的劣化。另外，与滤波器61及63分别连接的低噪声放大器21及23被配置为在俯视时与包括滤波器61及63的集成电路81重叠。因而，能够缩短将滤波器61及63与低噪声放大器21及23分别连接的布线长度，从而能够抑制因布线损耗及布线的寄生电容引起的失配损耗。其结果，能够改善高频模块1的电气特性。
另外，例如也可以是，在本实施方式所涉及的高频模块1中，低噪声放大器22及24配置于主面91b，在俯视时，集成电路82与低噪声放大器22及24至少有一部分重叠。
据此，与滤波器62及64分别连接的低噪声放大器22及24被配置为在俯视时与包括滤波器62及64的集成电路82重叠。因而，能够缩短将滤波器62及64与低噪声放大器22及24分别连结的布线长度，从而能够抑制因布线损耗及布线的寄生电容引起的失配损耗。其结果，能够改善高频模块1的电气特性。
另外，例如也可以是，在本实施方式所涉及的高频模块1中，集成电路81具有在俯视时彼此相向的边811及812，集成电路82具有在俯视时彼此相向的边821及822，集成电路81及82被配置为在俯视时边811与边821相对，开关51配置于主面91b，在俯视时，开关51的至少一部分配置于集成电路81的边811与集成电路82的边821之间，在集成电路81中，滤波器61的输入端子611和滤波器63的输入端子631配置于靠边811的一侧，在集成电路82中，滤波器62的输入端子621和滤波器64的输入端子641配置于靠边821的一侧。
据此，滤波器61～64的输入端子611、621、631及641配置于开关51的附近。因而，能够缩短将滤波器61～64的输入端子611、621、631及641的各输入端子与开关51之间连接的布线长度，从而能够抑制因布线损耗及布线的寄生电容引起的失配损耗。其结果，能够改善高频模块1的电气特性。
另外，例如也可以是，在本实施方式所涉及的高频模块1中，在集成电路81中，滤波器61的输出端子612和滤波器63的输出端子632配置于靠边812的一侧，在集成电路82中，滤波器62的输出端子622和滤波器64的输出端子642配置于靠边822的一侧。
据此，滤波器61的输出端子612和滤波器62的输出端子622分别配置于不相对的边812这一侧和边822这一侧。因而，能够抑制通过滤波器61的频段A的信号与通过滤波器62的频段B的信号之间的干扰。另外，滤波器63的输出端子632和滤波器64的输出端子642分别配置于不相对的边812这一侧和边822这一侧。因而，能够抑制通过滤波器63的频段C的信号与通过滤波器64的频段D的信号之间的干扰。
另外，例如也可以是，在本实施方式所涉及的高频模块1中，在俯视时，滤波器61及62在与边811垂直的方向上并排配置，在俯视时，滤波器63及64在与边811垂直的方向上并排配置。
据此，将滤波器61及62在与边811垂直的方向上并排排列，将滤波器63及64在与边811垂直的方向上并排排列，由此能够容易地避免将滤波器61及62与开关51的端子512之间连接的布线同将滤波器63及64与开关51的端子513之间连接的布线的交叉。因而，能够实现滤波器61及62与滤波器63及64之间的隔离度的提高以及布线长度的缩短。
另外，例如也可以是，本实施方式所涉及的高频模块1具备：电感器71L，其连接于滤波器61的输入端子611及滤波器62的输入端子621中的至少一方与开关51的端子512之间，该电感器71L配置于主面91a；以及电感器72L，其连接于滤波器63的输入端子631及滤波器64的输入端子641中的至少一方与开关51的端子513之间，该电感器72L配置于主面91a，其中，在俯视时，电感器71L配置于滤波器61与滤波器62之间，在俯视时，电感器72L配置于滤波器63与滤波器64之间。
据此，将与滤波器61和/或62连接的电感器71L配置于滤波器61与滤波器62之间，由此能够缩短将滤波器61和/或62与电感器71L之间连接的布线长度。另外，将与滤波器63和/或64连接的电感器72L配置于滤波器63与滤波器64之间，由此能够缩短将滤波器63和/或64与电感器72L之间连接的布线长度。
另外，例如也可以是，本实施方式所涉及的高频模块1具备：电感器73L，其与滤波器61的输出端子612连接；电感器74L，其与滤波器62的输出端子622连接，配置于主面91a；电感器75L，其与滤波器63的输出端子632连接，配置于主面91a；以及电感器76L，其与滤波器64的输出端子642连接，配置于主面91a，其中，电感器73L配置于在俯视时隔着边812而与滤波器61相向的位置，电感器74L配置于在俯视时隔着边822而与滤波器62相向的位置，电感器75L配置于在俯视时隔着边812而与滤波器63相向的位置，电感器76L配置于在俯视时隔着边822而与滤波器64相向的位置。
据此，与各滤波器的输出端子连接的电感器配置于与该滤波器相向的位置，因此能够缩短将各滤波器的输出端子与电感器之间连接的布线长度。并且，能够将与滤波器61的输出端子612连接的电感器73L同与滤波器62的输出端子622连接的电感器74L分离地配置，从而能够抑制电感器73L与电感器74L之间的电感耦合。因而，能够抑制通过滤波器61的频段A的信号与通过滤波器62的频段B的信号之间的干扰。同样地，能够将与滤波器63的输出端子632连接的电感器75L同与滤波器64的输出端子642连接的电感器76L分离地配置，从而能够抑制电感器75L与电感器76L之间的电感耦合。因而，能够抑制通过滤波器63的频段C的信号与通过滤波器64的频段D的信号之间的干扰。
另外，例如也可以是，在本实施方式所涉及的高频模块1中，频段A及B的组合是用于LTE的Band1与Band3的组合、Band66与Band25或Band70的组合以及Band34与Band39的组合中的任一种组合，频段C及D的组合是用于LTE的Band1与Band3的组合、Band66与Band25或Band70的组合以及Band34与Band39的组合中的其余两种组合中的任一种组合。
据此，能够在使用了LTE频段的无线通信中使用高频模块1。
另外，例如也可以是，在本实施方式所涉及的高频模块1中，频段A及B的组合是用于5GNR的n1与n3的组合、n66与n25或n70的组合以及n34与n39的组合中的任一种组合，频段C及D的组合是用于5GNR的n1与n3的组合、n66与n25或n70的组合以及n34与n39的组合中的其余两种组合中的任一种组合。
据此，能够在使用了5GNR频段的无线通信中使用高频模块1。
(实施方式2)
接着，说明实施方式2。在本实施方式中，与上述实施方式1的不同之处主要在于集成电路包括3个滤波器。下面，以与上述实施方式1不同之处为中心说明本实施方式。
[2.1高频模块1A和通信装置5A的电路结构]
首先，参照图4来说明本实施方式所涉及的高频模块1A以及具备该高频模块1A的通信装置5A的电路结构。图4是实施方式2所涉及的高频模块1A和通信装置5A的电路结构图。此外，通信装置5A除了不具备高频模块1而是取而代之地具备高频模块1A这一方面以外，与实施方式1所涉及的通信装置5相同。因而，下面以高频模块1A的电路结构为中心进行说明。
本实施方式所涉及的高频模块1A具备低噪声放大器21～26、开关51A、52及53、滤波器61～66、电容器71C、电感器71L～79L、天线连接端子100以及高频输出端子121A及122A。
高频输出端子121A及122A的各高频输出端子是用于向高频模块1A的外部提供高频接收信号的端子。在本实施方式中，高频输出端子121A及122A在高频模块1A的外部与RFIC 3连接。
低噪声放大器25是至少一个第一放大器的一例，能够对利用天线连接端子100接受的频段E的接收信号进行放大。低噪声放大器25连接于滤波器65与高频输出端子121A之间。具体地说，低噪声放大器25的输入端经由电感器73L来与滤波器65连接，低噪声放大器25的输出端经由开关52来与高频输出端子121A连接。
此外，低噪声放大器25也可以与低噪声放大器21及23集成为一个。也就是说，高频模块1A也可以不具备低噪声放大器23及25。在该情况下，高频模块1A也可以具备连接于低噪声放大器21与滤波器61、63及65之间的开关。该开关能够将低噪声放大器21的连接在滤波器61、63以及65之间进行切换。
低噪声放大器26是至少一个第二放大器的一例，能够对利用天线连接端子100接受的频段F的接收信号进行放大。低噪声放大器26连接于滤波器66与高频输出端子122A之间。具体地说，低噪声放大器26的输入端经由电感器79L来与滤波器66连接，低噪声放大器26的输出端经由开关53来与高频输出端子122A连接。
此外，低噪声放大器26也可以与低噪声放大器22及24集成为一个。也就是说，高频模块1A也可以不具备低噪声放大器24及26。在该情况下，高频模块1A也可以具备连接于低噪声放大器22与滤波器62、64及66之间的开关。该开关能够将低噪声放大器22的连接在滤波器62、64以及66之间进行切换。
开关51A具有端子511～514。端子511是第一端子的一例，与天线连接端子100连接。端子512是第二端子的一例，与滤波器61的输入端子611及滤波器62的输入端子621连接。端子513是第三端子的一例，与滤波器63的输入端子631及滤波器64的输入端子641连接。端子514是第四端子的一例，与滤波器65的输入端子651及滤波器66的输入端子661连接。
在该连接结构中，开关51A例如能够基于来自RFIC 3的控制信号将端子511与端子512～514中的任一者连接。也就是说，开关51A能够将天线2的连接在滤波器61及62的组、滤波器63及64的组以及滤波器65及66的组之间进行切换。开关51A例如由SP3T(Single-PoleTriple-Throw：单刀三掷)型的开关电路构成，也有时被称为天线开关。
开关52具有端子521～524。端子521与低噪声放大器21的输出端连接。端子522与低噪声放大器23的输出端连接。端子523与低噪声放大器25的输出端连接。端子524与高频输出端子121A连接。
在该连接结构中，开关52例如能够基于来自RFIC 3的控制信号将端子521与端子522～524中的任一者连接。也就是说，开关52能够将高频输出端子121A的连接在低噪声放大器21、23及25之间进行切换。开关52例如由SP3T型的开关电路构成。
开关53具有端子531～534。端子531与低噪声放大器22的输出端连接。端子532与低噪声放大器24的输出端连接。端子533与低噪声放大器26的输出端连接。端子534与高频输出端子122A连接。
在该连接结构中，开关53例如能够基于来自RFIC 3的控制信号将端子531与端子532～534中的任一者连接。也就是说，开关53能够将高频输出端子122A的连接在低噪声放大器22、24及26之间进行切换。开关53例如由SP3T型的开关电路构成。
滤波器65(E-Rx)是第五滤波器的一例，具有包含频段E的通带。滤波器65连接于开关51A与低噪声放大器23之间。具体地说，滤波器65的输入端子651与开关51A的端子514连接，滤波器65的输出端子652经由电感器75L来与低噪声放大器23的输入端连接。此外，将在后面说明频段E。
滤波器66(F-Rx)是第六滤波器的一例，具有包含频段F的通带。滤波器66连接于开关51A与低噪声放大器24之间。具体地说，滤波器66的输入端子661与开关51A的端子514连接，滤波器66的输出端子662经由电感器76L来与低噪声放大器24的输入端连接。此外，将在后面说明频段F。
滤波器65的输入端子651及滤波器66的输入端子661均与开关51A的端子514连接，被公共端子化。这样的滤波器65及66也有时被称为同向双工器。
电感器77L是第七电感器的一例，连接于滤波器65的输入端子651及滤波器66的输入端子661与开关51A的端子514之间。具体地说，电感器77L连接于将滤波器65的输入端子651及开关51A的端子514连结的路径与地之间，并且连接于将滤波器66的输入端子661及开关51A的端子514连结的路径与地之间。在此，电感器77L是所谓的分流电感器，但并不限定于此。电感器77L构成阻抗匹配电路，能够在开关51A的输出阻抗与滤波器65及66的输入阻抗之间取得阻抗匹配。
电感器78L是第八电感器的一例，与滤波器65的输出端子652连接。具体地说，电感器78L串联连接于将滤波器65的输出端子652和低噪声放大器25的输入端连结的路径。在此，电感器78L是所谓的串联电感器，但并不限定于此。电感器78L构成阻抗匹配电路，能够在滤波器65的输出阻抗与低噪声放大器25的输入阻抗之间取得阻抗匹配。
电感器79L是第九电感器的一例，与滤波器66的输出端子662连接。具体地说，电感器79L串联连接于将滤波器66的输出端子662和低噪声放大器26的输入端连结的路径。在此，电感器79L是所谓的串联电感器，但并不限定于此。电感器79L构成阻抗匹配电路，能够在滤波器66的输出阻抗与低噪声放大器26的输入阻抗之间取得阻抗匹配。
[2.2高频模块1A的部件配置]
接着，参照图5A及图5B来具体地说明如以上那样构成的高频模块1A的部件配置的一例。
图5A是实施方式2所涉及的高频模块1A的俯视图。具体地说，图5A是从z轴正侧观察模块基板91的主面91a所得到的图。图5B是实施方式2所涉及的高频模块1A的俯视透视图。具体地说，图5B是从z轴正侧透视模块基板91的主面91b所得到的图。
如图5A及图5B所示，高频模块1A除了具备包括图4所示的电路元件的电路部件以外，还具备模块基板91、树脂构件93及94、屏蔽电极层95以及多个柱电极150。此外，在图5A及图5B中，省略了将配置于树脂构件93及94、屏蔽电极层95以及模块基板91的多个部件彼此连接的布线的图示。
在主面91a配置有滤波器61～66和电感器71L～79L。滤波器65及66与滤波器61～64同样地可以是SAW滤波器、使用BAW的弹性波滤波器、LC谐振滤波器以及电介质滤波器中的任一者，并且不限定于这些滤波器。
滤波器61、63及65包括于一个集成电路81A，滤波器62、64及66包括于一个集成电路82A。也就是说，以滤波器61、63及65的组合进行单芯片化，以滤波器62、64及66的组合进行单芯片化。
集成电路81A是包括滤波器61、63及65的一个封装。在集成电路81A内，滤波器61、63及65沿着边811并排配置。具体地说，滤波器65、63及61按此顺序在y方向上并排排列。
滤波器61的输入端子611、滤波器63的输入端子631以及滤波器65的输入端子651配置于集成电路81A的靠边811的一侧。也就是说，边811比边812更靠近输入端子611、631及651。另外，滤波器61的输出端子612、滤波器63的输出端子632以及滤波器65的输出端子652配置于集成电路81A的靠边812的一侧。也就是说，边812比边811更靠近输出端子612、632及652。
集成电路82A是包括滤波器62、64及66的一个封装。在集成电路82A内，滤波器62、64及66沿着边821并排配置。具体地说，滤波器66、64及62按此顺序在y方向上并排排列。
滤波器62的输入端子621、滤波器64的输入端子641以及滤波器66的输入端子661配置于集成电路82A的靠边821的一侧。也就是说，边821比边822更靠近输入端子621、641及661。另外，滤波器62的输出端子622、滤波器64的输出端子642以及滤波器66的输出端子662配置于集成电路82A的靠边822的一侧。也就是说，边822比边821更靠近输出端子622、642及662。
这样的集成电路81A及82A被配置为在俯视时边811与边821相对。即，在集成电路81A中，边811比边812更靠近集成电路82A，在集成电路82A中，边821比边822更靠近集成电路81A。
在俯视时，集成电路81A内的滤波器61及集成电路82A内的滤波器62在与边811垂直的x方向上并排排列。也就是说，滤波器61及62被配置为：在俯视时，与x轴平行的1条直线经过滤波器61及62双方。另外，在俯视时，集成电路81A内的滤波器63及集成电路82A内的滤波器64也在与边811垂直的x方向上并排排列。也就是说，滤波器63及64被配置为：在俯视时，与x轴平行的1条直线经过滤波器63及64双方。并且，在俯视时，集成电路81A内的滤波器65及集成电路82A内的滤波器66也在与边811垂直的x方向上并排排列。也就是说，滤波器65及66被配置为：在俯视时，与x轴平行的1条直线经过滤波器65及66双方。
电感器77L～79L的各电感器与电感器71L～76L同样地例如由SMD构成。此外，电感器77L～79L也并不限定于SMD。
在俯视时，电感器77L配置于滤波器65与滤波器66之间，电感器78L配置于隔着边812而与滤波器65相向的位置，电感器79L配置于隔着边822而与滤波器66相向的位置。此时，电感器78L、滤波器65、电感器77L、滤波器66以及电感器79L按此顺序在x方向上排成一列地配置。
在主面91b配置有低噪声放大器21～26、开关51A以及多个柱电极150。低噪声放大器21～26和开关51A包括于一个集成电路83A。集成电路83A与实施方式1的集成电路83同样是半导体集成电路，例如由CMOS构成。
在集成电路83A内，低噪声放大器21、23及25在y方向上并排排列，低噪声放大器22、24及26也在y方向上并排排列。另外，低噪声放大器21及22隔着开关51A在x方向上相对，低噪声放大器23及24也隔着开关51A在x方向上相对，低噪声放大器25及26也隔着开关51A在x方向上相对。
这样，在俯视时，配置于主面91b的低噪声放大器21、23及25与配置于主面91a的集成电路81A至少有一部分重叠。同样地，在俯视时，低噪声放大器22、24及26与集成电路82A至少有一部分重叠。并且，在俯视时，开关51A的至少一部分配置于集成电路81A的边811与集成电路82A的边821之间。
此外，在本实施方式中，低噪声放大器21～26和开关51A包括于一个集成电路83A，但并不限定于此。例如，低噪声放大器21～26和开关51A也可以分别独立地安装。
此外，图5A和图5B的高频模块1A的结构是一例，并不限定于此。例如，高频模块1A也可以不具备树脂构件93及94以及屏蔽电极层95。另外，高频模块1A也可以不具备多个柱电极150而是取而代之地具备多个凸块电极。
[2.3频段A～F的组合]
接着，说明频段A～F。频段A～F分别是第一～第六频段的一例。频段A～F的各频段与实施方式1同样是用于使用RAT构建的通信***的频段。
频段A及B的组、频段C及D的组以及频段E及F的组中的各组是被允许同时接收的频段的组合。此外，频段A、C及E中的任意频段的组合是不被允许同时接收的频段的组合，频段B、D及F中的任意频段的组合也是不被允许同时接收的频段的组合。
在下面的表2中表示这样的频段A～F的组合的具体例。
[表2]
No. 频段A 频段B 频段C 频段D 频段E 频段F
1 Band1 Band3 Band66 Band25 Band34 Band39
2 Band3 Band1 Band25 Band66 Band39 Band34
3 Band1 Band3 Band34 Band39 Band66 Band25
4 Band3 Band1 Band39 Band34 Band25 Band66
5 Band66 Band25 Band1 Band3 Band34 Band39
6 Band25 Band66 Band3 Band1 Band39 Band34
7 Band66 Band25 Band34 Band39 Band1 Band3
8 Band25 Band66 Band39 Band34 Band3 Band1
9 Band34 Band39 Band1 Band3 Band66 Band25
10 Band39 Band34 Band3 Band1 Band25 Band66
11 Band34 Band39 Band66 Band25 Band1 Band3
12 Band39 Band34 Band25 Band66 Band3 Band1
13 Band1 Band3 Band66 Band70 Band34 Band39
14 Band3 Band1 Band70 Band66 Band39 Band34
15 Band1 Band3 Band34 Band39 Band66 Band70
16 Band3 Band1 Band39 Band34 Band70 Band66
17 Band66 Band70 Band1 Band3 Band34 Band39
18 Band70 Band66 Band3 Band1 Band39 Band34
19 Band66 Band70 Band34 Band39 Band1 Band3
20 Band70 Band66 Band39 Band34 Band3 Band1
21 Band34 Band39 Band1 Band3 Band66 Band70
22 Band39 Band34 Band3 Band1 Band70 Band66
23 Band34 Band39 Band66 Band70 Band1 Band3
24 Band39 Band34 Band70 Band66 Band3 Band1
在表2中，作为频段A及B的组合，能够使用用于LTE的Band1与Band3的组合、Band66与Band25或Band70的组合以及Band34与Band39的组合中的任一种组合。此时，作为频段C及D的组合，能够使用用于LTE的Band1与Band3的组合、Band66与Band25或Band70的组合以及Band34与Band39的组合中的其余两种组合中的任一种组合。并且，作为频段E及F的组合，能够使用用于LTE的Band1与Band3的组合、Band66与Band25或Band70的组合以及Band34与Band39的组合中的其余一种组合。
此外，在表2中，频段的编号是表示LTE频段的编号，但是5GNR频段也同样地能够用作频段A～F。也就是说，作为频段A及B的组合，能够使用用于5GNR的n1与n3的组合、n66与n25或n70的组合以及n34与n39的组合中的任一种组合。此时，作为频段C及D的组合，能够使用用于5GNR的n1与n3的组合、n66与n25或n70的组合以及n34与n39的组合中的其余两种组合中的任一种组合。并且，作为频段E及F的组合，能够使用用于5GNR的n1与n3的组合、n66与n25或n70的组合以及n34与n39的组合中的其余一种组合。
此外，表2所示的频段A～F的组合只不过是例示，并不限定于这些组合。
[2.4效果等]
如上所述，本实施方式所涉及的高频模块1A具备：滤波器61，其具有包含频段A的至少一部分的通带；滤波器62，其具有包含频段B的至少一部分的通带；滤波器63，其具有包含频段C的至少一部分的通带；滤波器64，其具有包含频段D的至少一部分的通带；滤波器65，其具有包含频段E的至少一部分的通带；滤波器66，其具有包含频段F的至少一部分的通带；开关51A，其具有与天线连接端子100连接的端子511、与滤波器61的输入端子611及滤波器62的输入端子621连接的端子512、与滤波器63的输入端子631及滤波器64的输入端子641连接的端子513以及与滤波器65的输入端子651及滤波器66的输入端子661连接的端子514；低噪声放大器21、23及25，低噪声放大器21、23及25分别与滤波器61的输出端子612、滤波器63的输出端子632以及滤波器65的输出端子652连接；低噪声放大器22、24及26，低噪声放大器22、24及26分别与滤波器62的输出端子622、滤波器64的输出端子642以及滤波器66的输出端子662连接；以及模块基板91，其具有彼此相向的主面91a及91b，其中，滤波器61、63及65包括于被配置在主面91a的一个集成电路81A，滤波器62、64及66包括于被配置在主面91a的一个集成电路82A，低噪声放大器21、23及25配置于主面91b，在俯视时，集成电路81A与低噪声放大器21、23及25至少有一部分重叠。
据此，3个滤波器61、63及65由一个集成电路81A构成，3个滤波器62、64及66由一个集成电路82A构成。此时，与开关51A的端子512连接的2个滤波器61及62构成于不同的集成电路81A及82A，与开关51A的端子513连接的2个滤波器63及64构成于不同的集成电路81A及82A，与开关51A的端子514连接的2个滤波器65及66构成于不同的集成电路81A及82A。因而，能够抑制通过与同一端子连接的2个滤波器的高频信号的干扰，从而能够抑制因高频模块1A的小型化引起的电气特性的劣化。另外，与滤波器61、63及65分别连接的低噪声放大器21、23及25被配置为在俯视时与包括滤波器61、63及65的集成电路81A重叠。因而，能够缩短将滤波器61、63及65与低噪声放大器21、23及25分别连接的布线长度，从而能够抑制因布线损耗及布线的寄生电容引起的失配损耗。其结果，能够改善高频模块1A的电气特性。
另外，例如也可以是，在本实施方式所涉及的高频模块1A中，集成电路81A具有在俯视时彼此相向的边811及812，集成电路82A具有在俯视时彼此相向的边821及822，集成电路81A及82A被配置为在俯视时边811与边821彼此相向，开关51A配置于主面91b，在俯视时，开关51A的至少一部分配置于集成电路81A的边811与集成电路82A的边821之间，在集成电路81A中，滤波器61的输入端子611、滤波器63的输入端子631以及滤波器65的输入端子651配置于靠边811的一侧，在集成电路82A中，滤波器62的输入端子621、滤波器64的输入端子641以及滤波器66的输入端子661配置于靠边821的一侧。
据此，滤波器61～66的输入端子611、621、631、641、651及661配置于开关51A的附近。因而，能够缩短将滤波器61～66的输入端子611、621、631、641、651及661与开关51A之间连接的布线长度，能够抑制因布线损耗及布线的寄生电容引起的失配损耗。其结果，能够改善高频模块1A的电气特性。
另外，例如也可以是，在本实施方式所涉及的高频模块1A中，在集成电路81A中，滤波器61的输出端子612、滤波器63的输出端子632以及滤波器65的输出端子652配置于靠边812的一侧，在集成电路82A中，滤波器62的输出端子622、滤波器64的输出端子642以及滤波器66的输出端子662配置于靠边822的一侧。
据此，滤波器61的输出端子612和滤波器62的输出端子622分别配置于不相对的边812这一侧和边822这一侧。因而，能够抑制通过滤波器61的频段A的信号与通过滤波器62的频段B的信号之间的干扰。另外，滤波器63的输出端子632和滤波器64的输出端子642分别配置于不相对的边812这一侧和边822这一侧。因而，能够抑制通过滤波器63的频段C的信号与通过滤波器64的频段D的信号之间的干扰。并且，滤波器65的输出端子652和滤波器66的输出端子662分别配置于不相对的边812这一侧和边822这一侧。因而，能够抑制通过滤波器65的频段E的信号与通过滤波器66的频段F的信号之间的干扰。
另外，例如也可以是，在本实施方式所涉及的高频模块1A中，在俯视时，滤波器61及滤波器62在与边811垂直的方向上并排配置，在俯视时，滤波器63及滤波器64在与边811垂直的方向上并排配置，在俯视时，滤波器65及滤波器66在与边811垂直的方向上并排配置。
据此，将滤波器61及62在与边811垂直的方向上并排排列，将滤波器63及64在与边811垂直的方向上并排排列，将滤波器65及66在与边811垂直的方向上并排排列，由此能够容易地避免将滤波器61及62与开关51A的端子512之间连接的布线、将滤波器63及64与开关51A的端子513之间连接的布线以及将滤波器65及66与开关51A的端子514之间连接的布线的交叉。因而，能够实现滤波器61及62与滤波器63及64与滤波器65及66之间的隔离度的提高以及布线长度的缩短。
另外，例如也可以是，本实施方式所涉及的高频模块1A具备：电感器71L，其连接于滤波器61的输入端子611及滤波器62的输入端子621中的至少一方与开关51A的端子512之间，该电感器71L配置于主面91a；电感器72L，其连接于滤波器63的输入端子631及滤波器64的输入端子641中的至少一方与开关51A的端子513之间，该电感器72L配置于主面91a；以及电感器77L，其连接于滤波器64的输入端子641及滤波器65的输入端子651中的至少一方与开关51A的端子514之间，该电感器77L配置于主面91a，其中，在俯视时，电感器71L配置于滤波器61与滤波器62之间，在俯视时，电感器72L配置于滤波器63与滤波器64之间，在俯视时，电感器77L配置于滤波器65与滤波器66之间。
据此，将与滤波器61和/或62连接的电感器71L配置于滤波器61与滤波器62之间，由此能够缩短将滤波器61和/或62与电感器71L之间连接的布线长度。另外，将与滤波器63和/或64连接的电感器72L配置于滤波器63与滤波器64之间，由此能够缩短将滤波器63和/或64与电感器72L之间连接的布线长度。并且，将与滤波器65和/或66连接的电感器77L配置于滤波器65与滤波器66之间，由此能够缩短将滤波器65和/或66与电感器77L之间连接的布线长度。
另外，例如也可以是，本实施方式所涉及的高频模块1A具备：电感器73L，其与滤波器61的输出端子612连接，配置于主面91a；电感器74L，其与滤波器62的输出端子622连接，配置于主面91a；电感器75L，其与滤波器63的输出端子632连接，配置于主面91a；电感器76L，其与滤波器64的输出端子642连接，配置于主面91a；电感器78L，其与滤波器65的输出端子652连接，配置于主面91a；以及电感器79L，其与滤波器66的输出端子662连接，配置于主面91a，其中，电感器73L配置于在俯视时隔着边812而与滤波器61相向的位置，电感器74L配置于在俯视时隔着边822而与滤波器62相向的位置，电感器75L配置于在俯视时隔着边812而与滤波器63相向的位置，电感器76L配置于在俯视时隔着边822而与滤波器64相向的位置，电感器78L配置于在俯视时隔着边812而与滤波器65相向的位置，电感器79L配置于在俯视时隔着边822而与滤波器66相向的位置。
据此，与各滤波器的输出端子连接的电感器配置于与该滤波器相向的位置，因此能够缩短将各滤波器的输出端子与电感器之间连接的布线长度。并且，能够将与滤波器61的输出端子612连接的电感器73L同与滤波器62的输出端子622连接的电感器74L分离地配置，从而能够抑制电感器73L与电感器74L之间的电感耦合。因而，能够抑制通过滤波器61的频段A的信号与通过滤波器62的频段B的信号之间的干扰。同样地，能够将与滤波器63的输出端子632连接的电感器75L同与滤波器64的输出端子642连接的电感器76L分离地配置，从而能够抑制电感器75L与电感器76L之间的电感耦合。因而，能够抑制通过滤波器63的频段C的信号与通过滤波器64的频段D的信号之间的干扰。同样地，能够将与滤波器64的输出端子642连接的电感器78L同与滤波器66的输出端子662连接的电感器79L分离地配置，从而能够抑制电感器78L与电感器79L之间的电感耦合。因而，能够抑制通过滤波器65的频段E的信号与通过滤波器66的频段F的信号之间的干扰。
另外，例如也可以是，在本实施方式所涉及的高频模块1A中，频段A及B的组合是用于LTE的Band1与Band3的组合、Band66与Band25或Band70的组合以及Band34与Band39的组合中的任一种组合，频段C及D的组合是用于LTE的Band1与Band3的组合、Band66与Band25或Band70的组合以及Band34与Band39的组合中的其余两种组合中的任一种组合，频段E及F的组合是用于LTE的Band1与Band3的组合、Band66与Band25或Band70的组合以及Band34与Band39的组合中的其余一种组合。
据此，能够在使用了LTE频段的无线通信中使用高频模块1A。
另外，例如也可以是，在本实施方式所涉及的高频模块1A中，频段A及B的组合是用于5GNR的n1与n3的组合、n66与n25或n70的组合以及n34与n39的组合中的任一种组合，频段C及D的组合是用于5GNR的n1与n3的组合、n66与n25或n70的组合以及n34与n39的组合中的其余两种组合中的任一种组合，频段E及F的组合是用于5GNR的n1与n3的组合、n66与n25或n70的组合以及n34与n39的组合中的其余一种组合。
据此，能够在使用了5GNR频段的无线通信中使用高频模块1A。
(实施方式2的变形例)
接着，说明实施方式2的变形例。在本变形例中，与上述实施方式2的不同之处主要在于集成电路内的多个滤波器的配置。下面，以与上述实施方式2不同之处为中心说明本变形例。
此外，本变形例所涉及的高频模块及通信装置的电路结构与上述实施方式2所涉及的高频模块及通信装置的电路结构相同，因此省略图示和说明。
[3.1高频模块1B的配置结构]
参照图6～图8来具体地说明本变形例所涉及的高频模块1B的部件配置的一例。
图6是实施方式2的变形例所涉及的高频模块1B的俯视图。具体地说，图6是从z轴正侧观察模块基板91的主面91a所得到的图。图7是实施方式2的变形例所涉及的高频模块1B的放大俯视图。具体地说，图7是图6的区域vii的放大图。图8是实施方式2的变形例所涉及的高频模块1B的放大截面图。具体地说，图8中的高频模块1B的截面是图7的viii-viii线处的截面。此外，在图6和图8中，省略了将配置于模块基板91的多个部件彼此连接的布线的图示。
如图6所示，在本变形例所涉及的高频模块1B中，滤波器61、63及65包括于集成电路81B，滤波器62、64及66包括于集成电路82B。
在集成电路81B内，滤波器61、63及65沿着边811并排配置。具体地说，滤波器63、65及61按此顺序在y方向上并排排列。也就是说，在俯视时，滤波器65配置于滤波器61与滤波器63之间。
另一方面，在集成电路82B内，滤波器62、64及66沿着边821并排配置。具体地说，滤波器64、62及66按此顺序在y方向上并排排列。也就是说，在俯视时，滤波器62配置于滤波器64与滤波器66之间。
在俯视时，集成电路81B内的滤波器61及集成电路82B内的滤波器66在与边811垂直的x方向上并排排列。也就是说，滤波器61及66被配置为：在俯视时，与x轴平行的1条直线经过滤波器61及62双方。另外，在俯视时，集成电路81B内的滤波器65及集成电路82B内的滤波器62也在与边811垂直的x方向上并排排列。也就是说，滤波器65及62被配置为：在俯视时，与x轴平行的1条直线经过滤波器65及62双方。并且，在俯视时，集成电路81B内的滤波器63及集成电路82B内的滤波器64也在与边811垂直的x方向上并排排列。也就是说，滤波器63及64被配置为：在俯视时，与x轴平行的1条直线经过滤波器63及64双方。
在俯视时，电感器71L配置于滤波器61与滤波器66之间，电感器73L配置于隔着边812而与滤波器61相向的位置，电感器79L配置于隔着边822而与滤波器66相向的位置。此时，电感器73L、滤波器61、电感器71L、滤波器66以及电感器79L按此顺序在x方向上排成一列地配置。
在俯视时，电感器77L配置于滤波器65与滤波器62之间，电感器78L配置于隔着边812而与滤波器65相向的位置，电感器74L配置于隔着边822而与滤波器62相向的位置。此时，电感器78L、滤波器65、电感器77L、滤波器62以及电感器74L按此顺序在x方向上排成一列地配置。
在俯视时，电感器72L配置于滤波器63与滤波器64之间，电感器75L配置于隔着边812而与滤波器63相向的位置，电感器76L配置于隔着边822而与滤波器64相向的位置。此时，电感器75L、滤波器63、电感器72L、滤波器64以及电感器76L按此顺序在x方向上排成一列地配置。
如图7所示，滤波器62与电感器71L通过布线W1来连接。滤波器66与电感器77L通过布线W2来连接。
如图8所示，布线W1是第一布线的一例，配置于模块基板91的布线层L1。布线W2是第二布线的一例，配置于模块基板91的布线层L2。布线层L1和L2分别是第一布线层和第二布线层的一例，在布线层L1与布线层L2之间配置有形成了地电极图案92的地层GL。其结果，地电极图案92位于布线W1与布线W2之间。
此外，在图7及图8中，简化地表示了布线W1及W2，布线W1及W2不限定于此。
[3.2频段A～F的组合]
接着，说明频段A～F。在本变形例中，频段A及C至少有一部分相互重叠。另外，频段E与频段A及C均不重叠。并且，频段B的中心频率比频段D的中心频率低、且比频段F的中心频率低。作为频段A～F的具体例，能够使用表2的No.1的频段的组合。
[3.3效果等]
如上所述，在本实施方式所涉及的高频模块1B中，频段A及C至少有一部分相互重叠，频段E与频段A及C均不重叠，在俯视时，滤波器65配置于滤波器61与滤波器63之间。
据此，在用于至少有一部分相互重叠的频段A及C的滤波器61及63之间配置用于与频段A及C均不重叠的频段E的滤波器65，由此能够提高滤波器61与滤波器63之间的隔离度。
另外，例如也可以是，在本实施方式所涉及的高频模块1B中，频段B的中心频率比频段D的中心频率低、且比频段F的中心频率低，在俯视时，滤波器62配置于滤波器64与滤波器66之间。
据此，用于位于最低频段的频段B的滤波器62配置于用于频段D及F的滤波器64与滤波器66之间。因而，能够提高用于在高频侧相邻的频段D及F的滤波器64与滤波器66之间的隔离度。
另外，例如也可以是，本实施方式所涉及的高频模块1B具备：电感器71L，其连接于滤波器61的输入端子611及滤波器62的输入端子621中的至少一方与开关51A的端子512之间，该电感器71L配置于主面91a；电感器72L，其连接于滤波器63的输入端子631及滤波器64的输入端子641中的至少一方与开关51A的端子513之间，该电感器72L配置于主面91a；以及电感器77L，其连接于滤波器65的输入端子651及滤波器66的输入端子661中的至少一方与开关51A的端子514之间，该电感器77L配置于主面91a，其中，在俯视时，电感器71L配置于滤波器61与滤波器66之间，在俯视时，电感器72L配置于滤波器63与滤波器64之间，在俯视时，电感器77L配置于滤波器65与滤波器62之间，模块基板91具有布线层L1、布线层L2以及配置于布线层L1与布线层L2之间的地层GL，将滤波器62的输入端子621与电感器71L之间连接的布线W1配置于布线层L1，将滤波器66的输入端子661与电感器77L之间连接的布线W2配置于布线层L2。
据此，即使在将滤波器62的输入端子621与电感器71L之间连接的布线W1同将滤波器66的输入端子661与电感器77L之间连接的布线W2在俯视时交叉的情况下，也由于能够将地层GL夹在布线W1与布线W2之间，因此能够提高布线W1与布线W2之间的隔离度。
(其它实施方式)
以上，基于实施方式对本发明所涉及的高频模块和通信装置进行了说明，但本发明所涉及的高频模块和通信装置并不限定于上述实施方式。将上述实施方式中的任意的构成要素进行组合从而实现的其它实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内对上述实施方式实施本领域技术人员所想到的各种变形而得到的变形例、内置有上述高频模块和通信装置的各种设备也包含在本发明中。
例如，也可以是，在上述各实施方式所涉及的高频模块和通信装置的电路结构中，在将附图所公开的各电路元件和信号路径连接的路径之间***另外的电路元件和布线等。
此外，在上述各实施方式中，高频模块是接收模块，但并不限定于此。例如，高频模块也可以是发送模块。在该情况下，高频模块具备功率放大器来代替低噪声放大器即可。另外，高频模块也可以是发送接收模块。
此外，在上述各实施方式中，高频模块也可以还具备其它频段的接收路径。在该情况下，作为其它频段，例如能够使用与包含频段A～F的第一频段组不同的第二频段组中包含的频段。作为第一频段组和第二频段组，例如能够使用中频段组(1427MHz～2200MHz)和高频段组(2300MHz～2690MHz)，但并不限定于此。
产业上的可利用性
本发明作为配置于前端部的高频模块，能够广泛利用于便携式电话等通信设备。
附图标记说明
1、1A、1B：高频模块；2：天线；3：RFIC；4：BBIC；5、5A：通信装置；21、22、23、24、25、26：低噪声放大器；51、51A、52、53：开关；61、62、63、64、65、66：滤波器；71C：电容器；71L、72L、73L、74L、75L、76L、77L、78L、79L：电感器；81、82：集成电路；91：模块基板；91a、91b：主面；92：地电极图案；93、94：树脂构件；95：屏蔽电极层；100：天线连接端子；121、121A、122、122A、123、124：高频输出端子；150：柱电极；511、512、513、514、521、522、523、524、531、532、533、534：端子；611、621、631、641、651、661：输入端子；612、622、632、642、652、662：输出端子；811、812、821、822：边；GL：地层；L1、L2：布线层；W1、W2：布线。

Claims (20)

1.一种高频模块，具备：
第一滤波器，其具有包含第一频段的至少一部分的通带；
第二滤波器，其具有包含第二频段的至少一部分的通带；
第三滤波器，其具有包含第三频段的至少一部分的通带；
第四滤波器，其具有包含第四频段的至少一部分的通带；
开关，其具有与天线连接端子连接的第一端子、与所述第一滤波器的输入端子及所述第二滤波器的输入端子连接的第二端子以及与所述第三滤波器的输入端子及所述第四滤波器的输入端子连接的第三端子；
至少一个第一放大器，所述至少一个第一放大器与所述第一滤波器的输出端子及所述第三滤波器的输出端子连接；
至少一个第二放大器，所述至少一个第二放大器与所述第二滤波器的输出端子及所述第四滤波器的输出端子连接；以及
模块基板，其具有彼此相向的第一主面和第二主面，
其中，所述第一滤波器和所述第三滤波器包括于被配置在所述第一主面的一个第一集成电路，
所述第二滤波器和所述第四滤波器包括于被配置在所述第一主面的一个第二集成电路，
所述至少一个第一放大器配置于所述第二主面，
在俯视时，所述第一集成电路与所述至少一个第一放大器至少有一部分重叠。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
所述至少一个第二放大器配置于所述第二主面，
在俯视时，所述第二集成电路与所述至少一个第二放大器至少有一部分重叠。
3.根据权利要求2所述的高频模块，其中，
所述第一集成电路具有在俯视时彼此相向的第一边和第二边，
所述第二集成电路具有在俯视时彼此相向的第三边和第四边，
所述第一集成电路和所述第二集成电路被配置为在俯视时所述第一边与所述第三边相对，
所述开关配置于所述第二主面，
在俯视时，所述开关的至少一部分配置于所述第一集成电路的所述第一边与所述第二集成电路的所述第三边之间，
在所述第一集成电路中，所述第一滤波器的所述输入端子和所述第三滤波器的所述输入端子配置于靠所述第一边的一侧，
在所述第二集成电路中，所述第二滤波器的所述输入端子和所述第四滤波器的所述输入端子配置于靠所述第三边的一侧。
4.根据权利要求3所述的高频模块，其中，
在所述第一集成电路中，所述第一滤波器的所述输出端子和所述第三滤波器的所述输出端子配置于靠所述第二边的一侧，
在所述第二集成电路中，所述第二滤波器的所述输出端子和所述第四滤波器的所述输出端子配置于靠所述第四边的一侧。
5.根据权利要求4所述的高频模块，其中，
在俯视时，所述第一滤波器及所述第二滤波器在与所述第一边垂直的方向上并排配置，
在俯视时，所述第三滤波器及所述第四滤波器在与所述第一边垂直的方向上并排配置。
6.根据权利要求5所述的高频模块，其中，
所述高频模块具备：
第一电感器，其连接于所述第一滤波器的所述输入端子及所述第二滤波器的所述输入端子中的至少一方与所述开关的所述第二端子之间，所述第一电感器配置于所述第一主面；以及
第二电感器，其连接于所述第三滤波器的所述输入端子及所述第四滤波器的所述输入端子中的至少一方与所述开关的所述第三端子之间，所述第二电感器配置于所述第一主面，
其中，在俯视时，所述第一电感器配置于所述第一滤波器与所述第二滤波器之间，
在俯视时，所述第二电感器配置于所述第三滤波器与所述第四滤波器之间。
7.根据权利要求6所述的高频模块，其中，
所述高频模块具备：
第三电感器，其与所述第一滤波器的所述输出端子连接，配置于所述第一主面；
第四电感器，其与所述第二滤波器的所述输出端子连接，配置于所述第一主面；
第五电感器，其与所述第三滤波器的所述输出端子连接，配置于所述第一主面；以及
第六电感器，其与所述第四滤波器的所述输出端子连接，配置于所述第一主面，
其中，所述第三电感器配置于在俯视时隔着所述第二边而与所述第一滤波器相向的位置，
所述第四电感器配置于在俯视时隔着所述第四边而与所述第二滤波器相向的位置，
所述第五电感器配置于在俯视时隔着所述第二边而与所述第三滤波器相向的位置，
所述第六电感器配置于在俯视时隔着所述第四边而与所述第四滤波器相向的位置。
8.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，
所述高频模块具备：
第五滤波器，其具有包含第五频段的至少一部分的通带；以及
第六滤波器，其具有包含第六频段的至少一部分的通带，
其中，所述开关具有与所述第五滤波器的输入端子及所述第六滤波器的输入端子连接的第四端子，
所述至少一个第一放大器与所述第五滤波器的输出端子连接，
所述至少一个第二放大器与所述第六滤波器的输出端子连接，
所述第一集成电路包括所述第五滤波器，
所述第二集成电路包括所述第六滤波器。
9.根据权利要求8所述的高频模块，其中，
所述第一集成电路具有在俯视时彼此相向的第一边和第二边，
所述第二集成电路具有在俯视时彼此相向的第三边和第四边，
所述第一集成电路和所述第二集成电路被配置为在俯视时所述第一边与所述第三边彼此相向，
所述开关配置于所述第二主面，
在俯视时，所述开关的至少一部分配置于所述第一集成电路的所述第一边与所述第二集成电路的所述第三边之间，
在所述第一集成电路中，所述第一滤波器的所述输入端子、所述第三滤波器的所述输入端子以及所述第五滤波器的所述输入端子配置于靠所述第一边的一侧，
在所述第二集成电路中，所述第二滤波器的所述输入端子、所述第四滤波器的所述输入端子以及所述第六滤波器的所述输入端子配置于靠所述第三边的一侧。
10.根据权利要求9所述的高频模块，其中，
在所述第一集成电路中，所述第一滤波器的所述输出端子、所述第三滤波器的所述输出端子以及所述第五滤波器的所述输出端子配置于靠所述第二边的一侧，
在所述第二集成电路中，所述第二滤波器的所述输出端子、所述第四滤波器的所述输出端子以及所述第六滤波器的所述输出端子配置于靠所述第四边的一侧。
11.根据权利要求10所述的高频模块，其中，
在俯视时，所述第一滤波器及所述第二滤波器在与所述第一边垂直的方向上并排配置，
在俯视时，所述第三滤波器及所述第四滤波器在与所述第一边垂直的方向上并排配置，
在俯视时，所述第五滤波器及所述第六滤波器在与所述第一边垂直的方向上并排配置。
12.根据权利要求11所述的高频模块，其中，
所述高频模块具备：
第一电感器，其连接于所述第一滤波器的所述输入端子及所述第二滤波器的所述输入端子中的至少一方与所述开关的所述第二端子之间，所述第一电感器配置于所述第一主面；
第二电感器，其连接于所述第三滤波器的所述输入端子及所述第四滤波器的所述输入端子中的至少一方与所述开关的所述第三端子之间，所述第二电感器配置于所述第一主面；以及
第七电感器，其连接于所述第四滤波器的所述输入端子及所述第五滤波器的所述输入端子中的至少一方与所述开关的所述第四端子之间，所述第七电感器配置于所述第一主面，
其中，在俯视时，所述第一电感器配置于所述第一滤波器与所述第二滤波器之间，
在俯视时，所述第二电感器配置于所述第三滤波器与所述第四滤波器之间，
在俯视时，所述第七电感器配置于所述第五滤波器与所述第六滤波器之间。
13.根据权利要求12所述的高频模块，其中，
所述高频模块具备：
第三电感器，其与所述第一滤波器的所述输出端子连接，配置于所述第一主面；
第四电感器，其与所述第二滤波器的所述输出端子连接，配置于所述第一主面；
第五电感器，其与所述第三滤波器的所述输出端子连接，配置于所述第一主面；
第六电感器，其与所述第四滤波器的所述输出端子连接，配置于所述第一主面；
第八电感器，其与所述第五滤波器的所述输出端子连接，配置于所述第一主面；以及
第九电感器，其与所述第六滤波器的所述输出端子连接，配置于所述第一主面，
其中，所述第三电感器配置于在俯视时隔着所述第二边而与所述第一滤波器相向的位置，
所述第四电感器配置于在俯视时隔着所述第四边而与所述第二滤波器相向的位置，
所述第五电感器配置于在俯视时隔着所述第二边而与所述第三滤波器相向的位置，
所述第六电感器配置于在俯视时隔着所述第四边而与所述第四滤波器相向的位置，
所述第八电感器配置于在俯视时隔着所述第二边而与所述第五滤波器相向的位置，
所述第九电感器配置于在俯视时隔着所述第四边而与所述第六滤波器相向的位置。
14.根据权利要求8～10中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第一频段与所述第三频段至少有一部分相互重叠，
所述第五频段与所述第一频段及所述第三频段均不重叠，
在俯视时，所述第五滤波器配置于所述第一滤波器与所述第三滤波器之间。
15.根据权利要求14所述的高频模块，其中，
所述第二频段的中心频率比所述第四频段的中心频率低、且比所述第六频段的中心频率低，
在俯视时，所述第二滤波器配置于所述第四滤波器与所述第六滤波器之间。
16.根据权利要求15所述的高频模块，其中，
所述高频模块具备：
第一电感器，其连接于所述第一滤波器的所述输入端子及所述第二滤波器的所述输入端子中的至少一方与所述开关的所述第二端子之间，所述第一电感器配置于所述第一主面；
第二电感器，其连接于所述第三滤波器的所述输入端子及所述第四滤波器的所述输入端子中的至少一方与所述开关的所述第三端子之间，所述第二电感器配置于所述第一主面；以及
第七电感器，其连接于所述第五滤波器的所述输入端子及所述第六滤波器的所述输入端子中的至少一方与所述开关的所述第四端子之间，所述第七电感器配置于所述第一主面，
其中，在俯视时，所述第一电感器配置于所述第一滤波器与所述第六滤波器之间，
在俯视时，所述第二电感器配置于所述第三滤波器与所述第四滤波器之间，
在俯视时，所述第七电感器配置于所述第五滤波器与所述第二滤波器之间，
所述模块基板具有第一布线层、第二布线层以及配置于所述第一布线层与所述第二布线层之间的地层，
将所述第二滤波器的所述输入端子与所述第一电感器之间连接的第一布线配置于所述第一布线层，
将所述第六滤波器的所述输入端子与所述第七电感器之间连接的第二布线配置于所述第二布线层。
17.根据权利要求1～7中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第一频段与所述第二频段的组合是用于LTE即长期演进的Band1与Band3的组合、Band66与Band25或Band70的组合以及Band34与Band39的组合中的任一种组合，
所述第三频段与所述第四频段的组合是用于LTE的Band1与Band3的组合、Band66与Band25或Band70的组合以及Band34与Band39的组合中的其余两种组合中的任一种组合。
18.根据权利要求1～7中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第一频段与所述第二频段的组合是用于5GNR即第五代新空口的n1与n3的组合、n66与n25或n70的组合以及n34与n39的组合中的任一种组合，
所述第三频段与所述第四频段的组合是用于5GNR的n1与n3的组合、n66与n25或n70的组合以及n34与n39的组合中的其余两种组合中的任一种组合。
19.根据权利要求8～13中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第一频段与所述第二频段的组合是用于LTE即长期演进的Band1与Band3的组合、Band66与Band25或Band70的组合以及Band34与Band39的组合中的任一种组合，
所述第三频段与所述第四频段的组合是用于LTE的Band1与Band3的组合、Band66与Band25或Band70的组合以及Band34与Band39的组合中的其余两种组合中的任一种组合，
所述第五频段与所述第六频段的组合是用于LTE的Band1与Band3的组合、Band66与Band25或Band70的组合以及Band34与Band39的组合中的其余一种组合。
20.根据权利要求8～13中的任一项所述的高频模块，其中，
所述第一频段与所述第二频段的组合是用于5GNR即第五代新空口的n1与n3的组合、n66与n25或n70的组合以及n34与n39的组合中的任一种组合，
所述第三频段与所述第四频段的组合是用于5GNR的n1与n3的组合、n66与n25或n70的组合以及n34与n39的组合中的其余两种组合中的任一种组合，
所述第五频段与所述第六频段的组合是用于5GNR的n1与n3的组合、n66与n25或n70的组合以及n34与n39的组合中的其余一种组合。
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