CN116504768A - 高显色、光谱连续的白光led封装体及发光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种高显色、光谱连续的白光LED封装体及发光装置。该白光LED封装体包括：单LED芯片单元或多LED芯片单元；每个LED芯片单元由串联设置的3个不同波段的LED芯片组成，且多LED芯片单元为串联设置、并联设置或串并联组合设置，多芯片单元中的3个不同波段的LED芯片排列顺序可相同或不同。其中，LED芯片的发射峰波长位于380nm‑480nm，优选为InGaN或GaN系列蓝光半导体芯片。本发明改变了目前全光谱白光LED的封装方法，将三个不同波段的LED芯片封装在单个封装体内后涂覆荧光粉，由单一波段的LED芯片激发荧光粉发射白光改为多个波段的LED芯片共同激发荧光粉发射白光，具有更高的显色指数及更好的光谱连续性。
Description
技术领域
本发明属于LED技术领域，尤其涉及一种高显色、光谱连续的白光LED封装体法及发光装置。
背景技术
在能源日趋紧张的今天，相对于传统的荧光灯和白炽灯，白光LED作为一种新型的照明光源具有节能、环保、响应时间短、寿命长等显著的优势。当前LED产业正在迅速发展，发光效率逐年上升，价格逐年下降，白光LED正逐渐代替荧光灯和白炽灯，进入通用照明的市场。随着白光LED在照明领域的加速渗透，市场对白光LED光源的品质化需求也越来越高，特别是在室内照明方面，对白光LED光源的要求重点，已从最初的单纯追求“高亮度”转换为兼顾显色指数、色温等光色性能的“高品质”，甚至追求类似太阳光的全光谱照明，国内外封装企业纷纷加速全光谱白光LED产品的开发。
目前全光谱白光LED实现方式主要有多芯片型和单芯片型两种，具体如下。
(1)多芯片型白光LED是利用三基色原理，将发射红、绿、蓝光的多种LED芯片集成按比例混合得到白光。该技术通过控制施加在各个LED芯片上的电流，能够随意调出所需要的颜色，且色调、色温调整灵活，色域较宽。但是，多种LED芯片集成***和控制***复杂，无法通过单一器件来实现，而且不同LED芯片发光时的温度特性、电流特性皆不一致，随时间的衰减速度也不一致，易造成白光颜色的漂移，需增加光色反馈、热老化等控制***，进一步增加了成本，***的可维护性也下降。
(2)单芯片型全光谱白光LED以其实现方式简单、成本低、光谱更为连续等优点，成为封装企业的首选。其中，单芯片的实现方式又分为蓝光芯片技术(蓝光芯片+多颜色发射荧光粉)和紫光/近紫外芯片技术(紫光/近紫外芯片+多颜色发射荧光粉)。在光源的品质评价方面，通常采用显色指数(CRI)来度量光源的显色能力，光源的显色指数越高，对于被照射物体的色彩还原能力越好。
但是，由于LED光源发光原理和光谱分布的特殊性，即使CRI指数很高的光源，并不一定连续性很好。而且人眼对于光源本身的色彩感知会存在很大偏离，比如光源的颜色偏绿或者偏粉。北美照明学会(IES)发布了一个对于光源显色能力新的评价方法(TM-30-15)，透过色彩真实度(Rf)与色彩饱和度(Rg)来评价灯光光源，Rf和Rg越接近100，则光源的品质越高，并同时透过色彩向量图形来显示平均色调与色度的偏移，以对光色质量有更全面的了解，用以补足传统评价光源色彩的参数(例如CRI)的不足。在蓝光芯片技术中，器件光谱在蓝绿光部分存在严重的光谱缺失，尤其在480nm处存在大的波谷，蓝光的波峰和相对光谱强度很高，光谱连续性较差，其光谱对比太阳光谱差异非常大，部分显色指数(R9-R15)低于90，而且Rf一般只有92，理论上难以实现高品质全光谱健康照明需要。紫光/近紫外芯片技术虽然在蓝绿光部分连续性较好，但是其封装器件在部分显色指数(R9-R15)也会低于90，其Rf较高，一般为96。另外，紫光/近紫外芯片技术还存在较多缺陷，因为其芯片效率比蓝光芯片低，荧光粉种类多，所以其生产良率偏低，成本高，封装器件的光效低且稳定性也较差。
因此，有必要开发一种新型的白光LED以避免目前全光谱LED技术中存在的上述问题。
公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。
发明内容
为了解决现有技术中全光谱白光LED发光装置中芯片***复杂、不同芯片发光特性不同导致白光颜色漂移、光谱缺失导致光谱连续性差、光源显色参数低的技术问题，本发明提供一种高显色、光谱连续的白光LED封装体及发光装置。
本发明第一方面提供一种高显色、光谱连续的白光LED封装体，包括：单LED芯片单元或多LED芯片单元；其中，每个所述LED芯片单元由串联设置的3个不同波段的LED芯片组成，且多LED芯片单元为串联设置、并联设置或串并联组合设置，所述多LED芯片单元中的3个不同波段的LED芯片排列顺序可以相同，也可以不同。
以上方案如果选择2个不同波段的LED芯片，其效果不及选择3个LED芯片达到的光谱连续性；如果选择串联4个不同波段的LED芯片，其理论上虽然可行，常规的封装形式难以摆放这么多的芯片，而且由于每个波段的芯片电压差异性，从而导致封装体的整体电压差异会很大，从而给使用带来麻烦，同时使得多个封装体的使用体系更加复杂。
在一些实施方式中，上述三个不同波段的LED芯片的发射峰波长位于380nm-480nm之间。
在一些实施方式中，上述三个不同波段的LED芯片的发射峰波长位于430nm-480nm。
在一些实施方式中，上述三个不同波段的LED芯片的发射峰波长位于430nm-440nm、440nm-445nm、445nm-450nm、450nm-460nm或460m-480nm之间任意一个范围或多个范围。
在一些实施方式中，上述三个不同波段的LED芯片的发射峰波长位于435nm-440nm、440nm-443nm、447nm-450nm、455nm-460nm或465m-470nm之间任意一个范围或多个范围。
在一些实施方式中，上述三个不同波段的LED芯片的发射峰波长位于437nm-440nm、440nm-443nm、447nm-450nm、455nm-458nm、465nm-468nm之间任意一个范围或多个范围。
在一些实施方式中，上述LED芯片为InGaN或GaN系列蓝光半导体芯片。
在一些实施方式中，上述LED芯片上涂覆荧光粉，上述荧光粉为近紫外光LED芯片激发的荧光粉、紫光LED芯片激发的荧光粉或蓝光LED芯片激发的荧光粉中的一种或多种。
在一些实施方式中，上述近紫外光LED芯片激发的荧光粉或上述紫光LED芯片激发的荧光粉选自BaMgAl10O17:Eu、Sr3MgSi2O8:Eu、(Sr,Ba)10(PO4)6Cl2:Eu体系蓝色荧光粉，SiAlON:Eu体系绿色荧光粉以及(Ca,Sr)AlSi(ON)3:Eu体系红色荧光粉中的一种或多种；
上述蓝光LED芯片激发的荧光粉选自LuAG:Ce、GaYAG:Ce、SiAlON:Eu体系绿色荧光粉，YAG体系黄色荧光粉以及(Ca,Sr)AlSi(ON)3:Eu体系红色荧光粉中的一种或多种。
在一些实施方式中，上述荧光粉为LuAG:Ce、GaYAG:Ce体系绿色荧光粉以及(Ca,Sr)AlSi(ON)3:Eu体系红色荧光粉。
在一些实施方式中，上述LuAG:Ce、GaYAG:Ce体系绿色荧光粉的发射峰波长为510-540nm，半峰宽为90-120nm；上述(Ca,Sr)AlSi(ON)3:Eu体系红色荧光粉的发射光谱峰值波长为640-660nm，半峰宽为80-120nm。
在一些实施方式中，在色温2700K-6500K范围内，具有显色指数Ra≥98，R1-R15≥90，且光谱连续的白光。
本发明第二方面提供一种高显色、光谱连续的白光LED发光装置，包括上述封装体，和支架或基板。
在一些实施方式中，支架的材质为树脂，基板的材质为陶瓷或金属。
在一些实施方式中，上述支架或基板选自封装支架、陶瓷支架、板上芯片封装基板中的任意一种。其中，封装支架可为表面贴装器件支架。
相比于现有技术，本发明达到的技术效果如下：
(1)本发明改变了目前全光谱白光LED的封装方法，将三个不同波段的LED芯片封装在单个封装体内，然后涂覆荧光粉，也就是由单一波段的LED芯片激发荧光粉发射白光改为多个波段的LED芯片共同激发荧光粉发射白光，相对于单个波段的LED芯片的发光模式，具有更高的显色指数，尤其是特殊显色指数R9-R12，且能够补足低波段窄波缺陷，光谱更宽，具有更好的光谱连续性。
(2)本发明的发光装置采用了三个不同波段的LED芯片，尤其是发射峰波长位于430nm-480nm的蓝光LED芯片，通过其本身发射光谱的重叠以及与荧光粉发射光谱的重叠，有效填充了目前市场上单蓝光芯片型全光谱白光LED在480nm处的波谷，其光谱连续性相对更好，更接近太阳光的光谱。
(3)本发明所制作的白光LED发光装置，采用优选的三个不同波段的蓝光LED芯片，即发射峰波长位于430nm-480nm的稳定性好的蓝光LED芯片，相比目前市场上紫光/近紫外芯片技术的全光谱白光LED，因为芯片的技术更成熟，对荧光粉的激发效率更高，而且不使用稳定性较差的蓝色荧光粉，所以具有更高的光效和可靠性。
附图说明
图1为本发明一些实施例的表面贴装(SMD)发光装置的固晶示意图；
图2为本发明一些实施例的板上芯片封装(COB)发光装置的固晶示意图；
图3为本发明实施例1的白光LED在相关色温3200K时的发射相对光谱、参考的3200K标准光源光谱与目前单芯片蓝光芯片技术和紫光/近紫外芯片技术的全光谱白光LED的相对光谱对比图；
图4为本发明实施例2的白光LED在相关色温5000K时的发射相对光谱、参考的5000K太阳光光谱与目前单芯片蓝光芯片技术和紫光/近紫外芯片技术的全光谱白光LED的相对光谱对比图；
图5为本发明实施例2的白光发光装置在相关色温5000K时采用远方的HAAS2000光谱仪进行测试的报告图；
图6为本发明实施例3的相关色温5600K白光LED的发射相对光谱、参考的5600K标准光源光谱与目前单芯片蓝光芯片技术和紫光/近紫外芯片技术的全光谱白光LED的相对光谱对比图。
图中：
1-第一LED芯片；2-第二LED芯片；3-第三LED芯片；4-电极；5-封装支架；6-封装基板。
具体实施方式
以下结合附图，通过具体实施例说明本发明的技术方案。应该理解，本发明提到的一个或者多个步骤不排斥在组合步骤前后还存在其他方法和步骤，或者这些明确提及的步骤间还可以***其他方法和步骤。还应理解，这些实例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。除非另有说明，各方法步骤的编号仅为鉴别各方法步骤的目的，而非限制每个方法的排列次序或限定本发明的实施范围，其相对关系的改变或调整，在无实质技术内容变更的条件下，亦可视为本发明可实施的范畴。
实施例中所采用的原料和仪器，对其来源没有特定限制，在市场购买或者按照本领域内技术人员熟知的常规方法制备即可。
针对现有全光谱白光LED存在的问题，本发明的实施例提供了一种发光装置，所述的发光装置包括支架或基板、三个不同波段的LED芯片、混合荧光粉的封装胶。
实施例1
根据图1，一种白光LED封装体，包括单LED芯片单元，所述LED芯片单元由串联设置的3个不同波段的LED芯片组成；其中，3个不同波段的LED芯片为第一LED芯片1、第二LED芯片2、第三LED芯片3，且三个波段的第一LED芯片1、第二LED芯片2、第三LED芯片3分别为发射峰波长437nm-440nm、447nm-450nm、455nm-458nm的InGaN或GaN系列蓝光半导体芯片。
本实施例选用的荧光粉：
红色荧光粉组成式为：CaAlSi(ON)3:Eu，发射光谱峰值波长在640-660nm，半峰宽在80-120nm；
绿色荧光粉组成式为：Lu3Al5O12:Eu或Y3(Al,Ga)5O12:Eu，发射光谱峰值波长在515-530nm，半峰宽在90-120nm。
制备工艺是：将上述选择的红色荧光粉和绿色荧光粉按一定比例混入封装硅胶中，搅拌均匀，真空脱泡；然后将荧光粉混合胶体均匀涂覆在LED芯片上方，合理设置涂覆厚度，保证所涂覆荧光粉能吸收LED芯片发出的一定比例的蓝光，使器件发光特性满足要求。
通过调整荧光粉的配比，实现白光色温的变化。通过积分球测试白光的性能，测试结果如表1所示。另外，表2列出了目前单芯片蓝光芯片技术和紫光/近紫外芯片技术的全光谱白光LED相关色温2700K和3200K的显色指数。
表1实施例1白光测试结果
表2目前单芯片技术的暖色调全光谱白光LED的相关显色指数
表2中现有单芯片蓝光芯片技术的全光谱白光LED一般采用的蓝光芯片发射峰波长位于450-460nm；采用的红色荧光粉组成式为CaAlSi(ON)3:Eu，发射光谱峰值波长在640-660nm，半峰宽在80-120nm；采用的绿色荧光粉组成式为Lu3Al5O12:Eu，发射光谱峰值波长在515-530nm，半峰宽在90-120nm；其封装工艺与以上实施例1的封装工艺一致。
表2中现有单芯片紫光芯片技术的全光谱白光LED，一般采用的紫光芯片发射峰波长位于400-420nm；采用的蓝色荧光粉组成式为(Sr,Ba)10(PO4)6Cl2:Eu，发射光谱峰值波长在440-490nm，半峰宽50-60nm；采用的绿色荧光粉组成式为β-SiAlON:Eu，发射光谱峰值波长在520-550nm，半峰宽在40-60nm；采用的红色荧光粉组成式为CaAlSi(ON)3:Eu，发射光谱峰值波长在630-660nm，半峰宽在80-120nm。将蓝、绿、红三种荧光粉按一定比例混入封装硅胶中，搅拌均匀，真空脱泡，然后将荧光粉混合胶体均匀涂覆在LED芯片上方，合理设置其涂覆厚度，保证所涂覆荧光粉能吸收LED芯片发出的一定比例的紫光，使器件发光特性满足要求。
从表1表和表2测试结果对比可以看出，本实施例的白光LED发光装置可以实现显色指数Ra≥98，R1-R15≥90，色温范围从2700K-3500K范围内的暖色调白光输出。对比目前单芯片蓝光芯片技术的全光谱白光LED的显色指数，可以看到本实施例方案的显色指数在R12(在日光下的颜色为饱和蓝色)和Rf方面明显高出很多，具体为：色温为2700K和3200K时，本实施例的显色指数R12分别为97、94，现有单芯片蓝光芯片技术的显色指数R12分别为88、80，本实施例的色彩真实度(Rf)均为96，现有单芯片蓝光芯片技术的色彩真实度(Rf)分别为92、90；而对比目前单芯片紫光/近紫外芯片技术的全光谱白光LED的显色指数，在R1-R8的平均显色指数Ra方面，具体为：色温为2700K和3200K时，本实施例的R1-R8的平均显色指数Ra为99，现有单芯片紫光/近紫外芯片技术的R1-R8的平均显色指数Ra为97，本实施例具有明显优势。
图3为本实施例的白光LED在相关色温3200K时的发射相对光谱、参考的3200K标准光源光谱与目前单芯片蓝光芯片技术和紫光/近紫外芯片技术的全光谱白光LED的相对光谱对比图。从图3中可以看出，本实施例方案的光谱连续性和平滑性更好，更接近参考标准光源光谱，所以本实施例的发光装置的光品质更优。
实施例2
根据图1，一种白光LED封装体，包括单LED芯片单元，所述LED芯片单元由串联设置的3个不同波段的LED芯片组成；其中，3个不同波段的LED芯片为第一LED芯片1、第二LED芯片2、第三LED芯片3，且三个波段的第一LED芯片1、第二LED芯片2、第三LED芯片3分别为发射峰波长437nm-440nm、447nm-450nm、465nm-468nm的InGaN或GaN系列蓝光半导体芯片。
本实施例选用的荧光粉：
红色荧光粉组成式为：CaAlSi(ON)3:Eu，发射光谱峰值波长在640-660nm，半峰宽在80-120nm；
绿色荧光粉组成式为：Lu3Al5O12:Eu或Y3(Al,Ga)5O12:Eu，发射光谱峰值波长在510-530nm，半峰宽在90-120nm；
制备工艺是：将上述选择的红色荧光粉和绿色荧光粉按一定比例混入封装硅胶中，搅拌均匀，真空脱泡；然后，将荧光粉混合胶体均匀涂覆在LED芯片上方，合理设置其涂覆厚度，保证所涂覆荧光粉能吸收LED芯片发出的一定比例的蓝光，使器件发光特性满足要求。
通过调整荧光粉的配比，实现白光色温的变化。采用积分球测试白光的性能，测试结果如表3所示。另外，表4列出了目前单芯片蓝光芯片技术和紫光/近紫外芯片技术的全光谱白光LED相关色温5000K和6500K的显色指数。
表3实施例2白光测试结果
表4目前单芯片技术的冷色调全光谱白光LED的相关显色指数
从表3和表4测试结果对比可以看出，本实施例的白光LED发光装置可以实现显色指数Ra≥98，R1-R15≥90，色温范围从4000K-6500K范围内的白光输出。对比目前单芯片蓝光芯片技术的全光谱白光LED的显色指数，可以看到本实施例方案的显色指数在R12和Rf方面明显高出很多，具体为：色温为5000K和6500K时，本实施例的显色指数R12分别为94、98，现有单芯片蓝光芯片技术的显色指数R12分别仅为79、70，本实施例的色彩真实度(Rf)均为94、98，现有单芯片蓝光芯片技术的色彩真实度(Rf)分别为92、90；对比目前单芯片紫光/近紫外芯片技术的全光谱白光LED的显色指数，在R1-R8的平均显色指数Ra和特殊显色指数R12方面，本实施例明显高出，具体为：色温为5000K和6500K时，本实施例的R1-R8的平均显色指数Ra均为100，现有单芯片紫光/近紫外芯片技术的R1-R8的平均显色指数Ra分别为97、96，本实施例的特殊显色指数R12分别为98、93，单芯片紫光/近紫外芯片技术的特殊显色指数R12分别为85、91。
图4为本实施例的白光LED在相关色温5000K时的发射相对光谱、5000K的太阳光光谱与目前单芯片蓝光芯片技术和紫光/近紫外芯片技术的全光谱白光LED的相对光谱对比图。从图4中可以看出，本实施例方案的光谱更接近太阳光光谱，本实施例方案的光谱连续性和平滑性更好，所以本实施例的发光装置的光品质更优。
图5为本实施例的白光发光装置在相关色温5000K时采用远方的HAAS2000光谱仪进行测试的报告，其中，颜色参数如下：
色品坐标(2度):x＝0.3435，y＝0.3524/u'-0.2100，v'＝0.4848，duv＝1.044e-003；
相关色温:Tc＝5064K，主波长:λp＝437.0nm，色纯度:Purity-8.8％
色比:R＝17.8％，G＝76.1％，B＝6.2％，峰值波长:λp＝437.0nm，半宽度:Δλp＝261.5nm。
实施例3
根据图2，一种白光LED封装体，包括多LED芯片单元；其中，每个LED芯片单元由串联设置的3个不同波段的LED芯片组成，且多LED芯片单元为单LED芯片单元串联后并联组合设置而成，其中，3个不同波段的LED芯片为第一LED芯片1、第二LED芯片2、第三LED芯片3，且其三个波段的第一LED芯片1、第二LED芯片2、第三LED芯片3分别为发射峰波长440nm-443nm、447nm-450nm、455nm-458nm的InGaN或GaN系列蓝光半导体芯片。
本实施例选用的荧光粉：
红色荧光粉组成式为：CaAlSi(ON)3:Eu，发射光谱峰值波长在640-660nm，半峰宽在80-120nm；
绿色荧光粉组成式为：Lu3Al5O12:Eu或Y3(Al,Ga)5O12:Eu，发射光谱峰值波长在520-540nm，半峰宽在90-120nm；
制备工艺是：将上述选择的红色荧光粉和绿色荧光粉按一定比例混入封装硅胶中，搅拌均匀，真空脱泡；然后，将荧光粉混合胶体均匀涂覆在LED芯片上方，合理设置其涂覆厚度，保证所涂覆荧光粉能吸收LED芯片发出的一定比例的蓝光，使器件发光特性满足要求。
通过荧光粉配比的调整，实现白光的相关色温为5600K。通过积分球测试白光的显色性能，测试结果如表5所示。另外，表5也列出了目前单芯片蓝光芯片技术和紫光/近紫外芯片技术的全光谱白光LED相关色温5600K的显色指数。
表5本实施例3和单芯片技术的全光谱白光LED色温5600K的显色指数
从测试结果对比可以看出，本实施例相对色温5600K的白光LED发光装置可以实现显色指数Ra≥98，R1-R15≥90。对比目前单芯片蓝光芯片技术的全光谱白光LED的显色指数，可以看到本实施例方案的特殊显色指数R12和Rf明显高出很多，具体为：色温为5600K时，本实施例的显色指数R12为94，现有单芯片蓝光芯片技术的显色指数R12仅为73，本实施例的色彩真实度(Rf)均为97，现有单芯片蓝光芯片技术的色彩真实度(Rf)分别为91；而对比目前单芯片紫光/近紫外芯片技术的全光谱白光LED的显色指数，本发明的整体显色指数要稍高一些，具体为本实施例的显色指数R1-R15均比现有单芯片紫光/近紫外芯片技术有所提高。
图6为本实施例的相关色温5600K白光LED的发射相对光谱、参考的5600K标准光源光谱与目前单芯片蓝光芯片技术和紫光/近紫外芯片技术的全光谱白光LED的相对光谱对比图。从图中可以看出，本实施例方案的光谱更加接近参考的标准光源光谱，其连续性和平滑性相对更好，所以本实施例的发光装置的光品质更优。
实施例4
针对现有全光谱白光LED存在的问题，本实施例提供了一种发光装置，所述的发光装置包括支架或基板、三个不同波段的LED芯片、混合荧光粉的封装胶。支架或基板选自表面贴装器件(Surface Mounted Devices，SMD)支架、陶瓷支架、板上芯片封装(Chip OnBoard Light，COB)基板中的任意一种。
发光装置的制备方法包括：将上述三个不同波段的LED芯片通过固晶程序固定于所述的支架或者基板中，然后通过焊线或者焊接的方式联通所述支架和每个LED芯片，LED芯片之间采用串联的连接方式，使每个LED芯片形成电气连接通道。
图1为本发明一些实施例的表面贴装(SMD)发光装置的固晶示意图，其包括第一LED芯片1、第二LED芯片2、第三LED芯片3、两个电极4和封装支架5，LED芯片与两个电极以及LED芯片之间，通过焊线工艺联通，两个电极分别在封装支架5的两端，用于引出电气连接通道的正负极。其中，封装支架5的材质为树脂。
图2为本发明一些实施例的板上芯片封装(COB)发光装置的固晶示意图，其包括第一LED芯片1、第二LED芯片2、第三LED芯片3、两个电极4和封装基板6，LED芯片与两个电极以及LED芯片之间，通过焊线工艺联通，两个电极4分别位于封装基板6的对角，用于引出电气连接通道的正负极。其中，封装基板6的材质为陶瓷或金属；第一LED芯片1、第二LED芯片2、第三LED芯片3串联为一个单元，多个单元可以通过串联设置、并联设置或串并联组合设置形成多LED芯片单元，图2中为多个单元通过串联形成多LED芯片单元。图2为包括多组LED芯片群的封装体，同时本身也是一种发光装置。
前述对本发明的具体示例性实施方案的描述是为了说明和例证的目的。这些描述并非想将本发明限定为所公开的精确形式，并且很显然，根据上述教导，可以进行很多改变和变化。对示例性实施例进行选择和描述的目的在于解释本发明的特定原理及其实际应用，从而使得本领域的技术人员能够实现并利用本发明的各种不同的示例性实施方案以及各种不同的选择和改变。本发明的范围意在由权利要求书及其等同形式所限定。
Claims (10)
1.一种高显色、光谱连续的白光LED封装体，其特征在于，包括：单LED芯片单元或多LED芯片单元；其中，每个所述LED芯片单元由串联设置的3个不同波段的LED芯片组成，且多LED芯片单元为串联设置、并联设置或串并联组合设置，所述多LED芯片单元中的3个不同波段的LED芯片排列顺序可以相同，也可以不同。
2.根据权利要求1所述的白光LED封装体，其特征在于，所述三个不同波段的LED芯片的发射峰波长位于380nm-480nm之间。
3.根据权利要求2所述的白光LED封装体，其特征在于，所述三个不同波段的LED芯片的发射峰波长位于430nm-480nm之间；
优选的，所述三个不同波段的LED芯片的发射峰波长位于430nm-440nm、440nm-445nm、445nm-450nm、450nm-460nm或460m-480nm之间任意一个范围或多个范围；
最优选的，所述三个不同波段的LED芯片的发射峰波长位于435nm-440nm、440nm-443nm、447nm-450nm、455nm-460nm或465m-470nm之间任意一个范围或多个范围。
4.根据权利要求2所述的白光LED封装体，其特征在于，所述LED芯片为InGaN或GaN系列蓝光半导体芯片。
5.根据权利要求1所述的白光LED封装体，其特征在于，所述LED芯片上涂覆荧光粉，所述荧光粉为近紫外光LED芯片激发的荧光粉、紫光LED芯片激发的荧光粉或蓝光LED芯片激发的荧光粉中的一种或多种。
6.根据权利要求5中所述的白光LED封装体，其特征在于，所述近紫外光LED芯片激发的荧光粉或所述紫光LED芯片激发的荧光粉选自BaMgAl10O17:Eu、Sr3MgSi2O8:Eu、(Sr,Ba)10(PO4)6Cl2:Eu体系蓝色荧光粉，SiAlON:Eu体系绿色荧光粉以及(Ca,Sr)AlSi(ON)3:Eu体系红色荧光粉中的一种或多种；
所述蓝光LED芯片激发的荧光粉选自LuAG:Ce、GaYAG:Ce、SiAlON:Eu体系绿色荧光粉，YAG体系黄色荧光粉以及(Ca,Sr)AlSi(ON)3:Eu体系红色荧光粉中的一种或多种。
7.根据权利要求5中所述的白光LED封装体，其特征在于，所述荧光粉为LuAG:Ce、GaYAG:Ce体系绿色荧光粉以及(Ca,Sr)AlSi(ON)3:Eu体系红色荧光粉。
8.根据权利要求7中所述的白光LED封装体，其特征在于，所述LuAG:Ce、GaYAG:Ce体系绿色荧光粉的发射峰波长为510-540nm，半峰宽为90-120nm；所述(Ca,Sr)AlSi(ON)3:Eu体系红色荧光粉的发射光谱峰值波长为640-660nm，半峰宽为80-120nm。
9.根据权利要求1-8任一项所述的白光LED封装体，其特征在于，在色温2700K-6500K范围内，具有显色指数Ra≥98，R1-R15≥90，且光谱连续的白光。
10.一种高显色、光谱连续的白光LED发光装置，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的封装体，和封装支架或封装基板；优选的，所述支架或基板选自封装支架(5)、陶瓷支架、板上芯片封装基板(6)中的任意一种。
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|---|---|---|---|---|
| CN117558723A (zh) * | 2024-01-12 | 2024-02-13 | 广东华辉煌光电科技有限公司 | 一种多波峰连续全光谱护眼光源及其制造方法 |
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- 2023-01-28 CN CN202310100711.5A patent/CN116504768A/zh active Pending
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| CN117558723B (zh) * | 2024-01-12 | 2024-03-29 | 广东华辉煌光电科技有限公司 | 一种多波峰连续全光谱护眼光源及其制造方法 |
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