CN116470878B - 横向激励薄膜体声波谐振器 - Google Patents
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Abstract
本申请关于一种横向激励薄膜体声波谐振器，涉及射频滤波器领域。包括基板，位于基板上的压电功能膜以及位于压电功能膜上的叉指换能器电极；压电功能膜具体包括压电材料区和非压电绝缘材料区，压电材料和非压电绝缘材料具有不同的声阻抗；通过设置非压电绝缘材料区的位置，使多根第二电极指的第一包络线与第一非压电绝缘材料区的第二边缘的距离、以及多根第一电极指的第二包络线与第二非压电绝缘材料区的第四边缘的距离、均不超过3μm。本申请提供的横向激励薄膜体声波谐振器可以解决现有器件终存在的横向模式杂波的过大、过多的问题。
Description
技术领域
本申请涉及射频滤波器技术领域，特别涉及一种横向激励薄膜体声波谐振器。
背景技术
在限于MEMS加工精度、无法再大幅度调小叉指换能器电极指条宽度的背景下，基于压电材料薄膜的横向激励薄膜体声波谐振器具有远高于常规声表面波谐振器的工作频率，有望满足5G通讯对高频大带宽滤波器的现实需求；而且，该类器件具有更大的机电耦合系数，易于实现更大带宽的滤波器。所以这类器件适宜于Sub-6 GHz通讯频段的应用，如5G通信中用到的N77、N78、N79以及wifi6的频段。
然而，横向激励薄膜体声波谐振器中较多的寄生模式杂波，特别是横向模式杂波，是亟待解决的问题。过多的、过大的横向模式杂波将直接影响装置的带内平坦度，恶化装置的性能，如何消除或者减弱这些横向模式杂波是发展高性能体声波装置的关键问题。横向模式杂波的过大、过多都会导致由其搭建的滤波器出现带外抑制性能和带内波动性能恶化，甚至导致滤波器不可用。因此，业界正尝试各种手段来抑制这些横向模式响应。
发明内容
本申请的目的是提供一种横向激励薄膜体声波谐振器，以解决上述现有横向激励薄膜体声波谐振器中横向模式杂波过大、过多的问题。
为实现上述目的，本申请采用的技术方案为：
一方面，本申请提供了一种横向激励薄膜体声波谐振器，包括基板，位于所述基板上的压电功能膜以及位于所述压电功能膜上的叉指换能器电极；所述叉指换能器电极包括相互交错***的多根第一电极指和多根第二电极指，以及在所述第一电极指、所述第二电极指指条延伸方向上相互对置的第一汇流条和第二汇流条；多根所述第一电极指和多根所述第二电极指都具有各自的第一端部和第二端部；多根所述第一电极指的第一端部与所述第一汇流条直接连接，多根所述第一电极指的第二端部与所述第二汇流条间隔对置；多根所述第二电极指的第一端部与所述第二汇流条直接连接，多根所述第二电极指的第二端部与所述第一汇流条间隔对置：
将通过连结多根所述第二电极指的第二端部而形成的假想线设为第一包络线，将通过连结多根所述第一电极指的第二端部而形成的假想线设为第二包络线，将所述第一包络线与所述第二包络线之间的区域设为双电极指区域；
所述压电功能膜具体包括由压电材料形成的压电材料区和由非压电绝缘材料形成的非压电绝缘材料区，所述压电材料和所述非压电绝缘材料具有不同的声阻抗；
所述非压电绝缘材料区至少包括第一非压电绝缘材料区和第二非压电绝缘材料区，所述第一非压电绝缘材料区位于所述第二包络线的接近所述第一汇流条的一侧，所述第二非压电绝缘材料区位于所述第一包络线的接近所述第二汇流条的一侧；
所述第一非压电绝缘材料区具有远离所述双电极指区域的第一边缘和接近所述第一包络线的第二边缘，所述第一包络线与所述第二边缘的沿所述第一电极指、所述第二电极指指条延伸方向上的距离不超过3μm；
所述第二非压电绝缘材料区具有远离所述双电极指区域的第三边缘和接近所述第二包络线的第四边缘，所述第二包络线与所述第四边缘的沿所述第一电极指、所述第二电极指指条延伸方向上的距离不超过3μm。
在一种可能的实现方式中，将所述第一汇流条与所述第一包络线之间的区域设为第一单电极指区；
所述第二边缘位于所述第一单电极指区内，或所述第二边缘位于所述双电极指区域内，或所述第二边缘与所述第一包络线重合。
在一种可能的实现方式中，将所述第二汇流条与所述第二包络线之间的区域设为第二单电极指区；
所述第四边缘位于所述第二单电极指区内，或所述第四边缘位于所述双电极指区域内，或所述第四边缘与所述第二包络线重合。
在一种可能的实现方式中，所述压电功能膜的下方具有声学反射器，用于反射在所述压电功能膜中传播的声波。
在一种可能的实现方式中，所述声学反射器为空腔。
在一种可能的实现方式中，所述声学反射器为布拉格声学反射器，所述布拉格声学反射器包括多个低声阻抗膜层和多个高声阻抗膜层，多个所述低声阻抗膜层与多个所述高声阻抗膜层间隔布置。
在一种可能的实现方式中，所述压电材料为压电铌酸锂和压电钽酸锂中的一种。
在一种可能的实现方式中，所述非压电绝缘材料为二氧化硅、氧化锌、氮化硅、氮化铝和五氧化二钽中的一种或多种组合。
另一方面，本申请提供了一种滤波器装置，所述滤波器装置与天线连接，所述滤波器装置包括串联臂弹性波谐振器以及并联臂弹性波谐振器，所述串联臂弹性波谐振器以及所述并联臂弹性波谐振器中的至少一个弹性波谐振器是上述横向激励薄膜体声波谐振器。
另一方面，本申请提供了一种多工器，包括：
天线端子，其与天线连接；和
多个滤波器装置，公共连接于所述天线端子，至少一个所述滤波器装置是上述滤波器装置。
本申请提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
通过第一非压电绝缘材料区和第二非压电绝缘材料区的设置，以及对其位置的具体限定；即，第一包络线与第二边缘的沿第一电极指、第二电极指指条延伸方向上的距离不超过3μm，第二包络线与第四边缘的沿第一电极指、第二电极指指条延伸方向上的距离不超过3μm；可以很好地抑制横向激励薄膜体声波谐振器中的横向模式杂波。相应地，包含这种横向激励薄膜体声波谐振器的设备如滤波器、模组或通信装置皆可以减轻横向模式杂波带来的性能恶化。
附图说明
附图用来提供对本申请的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请，并不构成对本申请的限制。在附图中：
图1示出了现有技术中的横向激励薄膜体声波谐振器的俯视示意图；
图2示出了图1的1A-1A’剖视示意图和1B-1B’剖视示意图；
图3示出了图1的1C-1C’剖视示意图；
图4示出了本申请第一实施例的横向激励薄膜体声波谐振器的俯视示意图；
图5示出了图4的2A-2A’剖视示意图和2B-2B’剖视示意图；
图6示出了图4的2C-2C’剖视示意图；
图7示出了现有技术中的横向激励薄膜体声波谐振器和本申请第一实施例的横向激励薄膜体声波谐振器的导纳幅值-频率实测图；
图8示出了现有技术中的横向激励薄膜体声波谐振器和本申请第一实施例的横向激励薄膜体声波谐振器的导纳实部幅值-频率实测图；
图9示出了本申请第二实施例的横向激励薄膜体声波谐振器的俯视示意图；
图10示出了图9的3A-3A’剖视示意图和3B-3B’剖视示意图；
图11示出了图9的3C-3C’剖视示意图；
图12示出了本申请第三实施例的横向激励薄膜体声波谐振器的俯视示意图；
图13示出了图12的4A-4A’剖视示意图和4B-4B’剖视示意图；
图14示出了图12的4C-4C’剖视示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
其中，相同的零部件用相同的附图标记表示。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是本申请说明书附图中的方向，词语“底面”和“顶面”、“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者多个该特征。在本申请说明书的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上。
下面结合附图和实施例对本申请作更进一步的说明。
请参阅图1至图3，图1示出了现有技术中的横向激励薄膜体声波谐振器100的俯视示意图，图2示出了图1的1A-1A’剖视示意图和1B-1B’剖视示意图，图3示出了图1的1C-1C’剖视示意图，定义平行于坐标系中的x轴的方向为电极指排列方向，定义平行于坐标系中的y轴的方向为电极指延伸方向，定义平行于坐标系中的z轴的方向为横向激励薄膜体声波谐振器100的高度方向。该横向激励薄膜体声波谐振器100包括基板101，位于基板101上的压电功能膜102以及位于压电功能膜102上的叉指换能器电极；叉指换能器电极包括相互交错***的多根第一电极指103和多根第二电极指104，以及在第一电极指103、第二电极指104指条延伸方向上相互对置的第一汇流条105和第二汇流条106；多根第一电极指103具有多个第一电极指第一端部103a和多个第一电极指第二端部103b，多根第二电极指104具有多个第二电极指第一端部104a和多个第二电极指第二端部104b；多个第一电极指第一端部103a与第一汇流条105直接连接，多个第一电极指第二端部103b与第二汇流条106间隔对置；多个第二电极指第一端部104a与第二汇流条106直接连接，多个第二电极指第二端部104b与第一汇流条105间隔对置。
另外，在压电功能膜102的下方具有声学反射器，用于反射在压电功能膜102中传播的声波。具体地，该声学反射器为通过MEMS工艺对基板101进行局部刻蚀而形成的空腔107。
在横向激励薄膜体声波谐振器100中，将通过连结多个第二电极指第二端部104b而形成的假想线设为第一包络线108a，将通过连结多个第一电极指第二端部103b而形成的假想线设为第二包络线108b，将第一包络线108a与第二包络线108b之间的区域设为双电极指区域109；将第一汇流条105与第一包络线108a之间的区域设为第一单电极指区110a；将第二汇流条106与第二包络线108b之间的区域设为第二单电极指区110b。
当在图1中的横向激励薄膜体声波谐振器100的第一汇流条105和第二汇流条106之间施加高频交流电信号，该高频交流电信号通过在第一单电极指区110a内的多根第一电极指103和第二单电极指区110b内的多根第二电极指104传递到双电极指区域109，并在压电功能膜102内激发声学工作模式。在所述声学工作模式下，压电功能膜102内的质点沿与压电功能膜102的表面垂直的z轴方向来回振动。
实施例一
请参阅图4至图6，图4示出了本申请第一实施例的横向激励薄膜体声波谐振器200的俯视示意图，图5示出了图4的2A-2A’剖视示意图和2B-2B’剖视示意图，图6示出了图4的2C-2C’剖视示意图，定义平行于坐标系中的x轴的方向为电极指排列方向，定义平行于坐标系中的y轴的方向为电极指延伸方向，定义平行于坐标系中的z轴的方向为横向激励薄膜体声波谐振器200的高度方向。
详细而言，上述横向激励薄膜体声波谐振器200包括基板201，位于基板201上的压电功能膜202以及位于压电功能膜202上的叉指换能器电极；叉指换能器电极包括相互交错***的多根第一电极指203和多根第二电极指204，以及在第一电极指203、第二电极指204指条延伸方向上相互对置的第一汇流条205和第二汇流条206；多根第一电极指203具有多个第一电极指第一端部203a和多个第一电极指第二端部203b，多根第二电极指204具有多个第二电极指第一端部204a和多个第二电极指第二端部204b；多个第一电极指第一端部203a与第一汇流条205直接连接，多个第一电极指第二端部203b与第二汇流条206间隔对置；多个第二电极指第一端部204a与第二汇流条206直接连接，多个第二电极指第二端部204b与第一汇流条205间隔对置。
另外，在压电功能膜202的下方具有声学反射器，用于反射在压电功能膜202中传播的声波。具体地，该声学反射器为通过MEMS工艺对基板201进行局部刻蚀而形成的空腔207。
值得强调的是，在本申请实施例中，将通过连结多个第二电极指第二端部204b而形成的假想线设为第一包络线208a，将通过连结多个第一电极指第二端部203b而形成的假想线设为第二包络线208b，将第一包络线208a与第二包络线208b之间的区域设为双电极指区域209；将第一汇流条205与第一包络线208a之间的区域设为第一单电极指区210a；将第二汇流条206与第二包络线208b之间的区域设为第二单电极指区210b。
进一步地，压电功能膜202具体包括由压电材料形成的压电材料区202a和由非压电绝缘材料形成的非压电绝缘材料区，压电材料和非压电绝缘材料具有不同的声阻抗；非压电绝缘材料区至少包括第一非压电绝缘材料区202b和第二非压电绝缘材料区202c，第一非压电绝缘材料区202b位于第二包络线208b的接近第一汇流条205的一侧，第二非压电绝缘材料区202c位于第一包络线208a的接近第二汇流条206的一侧。
第一非压电绝缘材料区202b具有相对地远离双电极指区域209的第一边缘211a和相对地接近第一包络线208a的第二边缘211b，第一包络线208a与第二边缘211b的沿第一电极指203、第二电极指204指条延伸方向上的距离不超过3μm。
具体地，第一非压电绝缘材料区202b的主体部分落在第一单电极指区210a内，第一非压电绝缘材料区202b的第一边缘211a相对地更接近第一汇流条205，第一非压电绝缘材料区202b的第二边缘211b相对地更接近第一包络线208a，第一包络线208a与第二边缘211b的沿第一电极指203、第二电极指204指条延伸方向上的距离不超过3μm。
相应地，第二非压电绝缘材料区202c具有相对地远离双电极指区域209的第三边缘211c和相对地接近第二包络线208b的第四边缘211d，第二包络线208b与第四边缘211d的沿第一电极指203、第二电极指204指条延伸方向上的距离不超过3μm。
具体地，第二非压电绝缘材料区202c的主体部分落在第二单电极指区210b内，第二非压电绝缘材料区202c的第三边缘211c相对地更接近第二汇流条206，第二非压电绝缘材料区202c的第四边缘211d相对地更接近第二包络线208b，第二包络线208b与第四边缘211d的沿第一电极指203、第二电极指204指条延伸方向上的距离不超过3μm。
在本实施例中，构成压电材料区202a的压电材料为压电铌酸锂单晶薄膜，构成第一非压电绝缘材料区202b和第二非压电绝缘材料区202c的非压电绝缘材料为二氧化硅薄膜，压电铌酸锂单晶薄膜和二氧化硅薄膜具有相同的厚度和z向坐标。
需要说明的是，构成压电材料区202a的压电材料也可以为压电钽酸锂单晶薄膜、具有c轴取向的压电多晶AlN薄膜或具有c轴取向的压电多晶ZnO薄膜，构成第一非压电绝缘材料区202b和第二非压电绝缘材料区202c的非压电绝缘材料也可以为氧化锌薄膜、氮化硅薄膜、氮化铝薄膜和五氧化二钽薄膜中的一种或多种的组合，压电材料薄膜和非压电绝缘材料薄膜的厚度也可以略微不同。
可以理解的是，包含这种横向激励薄膜体声波谐振器的设备如滤波器、模组或通信装置皆可以减轻横向模式杂波带来的性能恶化。
图7、图8分别示出了现有技术中的横向激励薄膜体声波谐振器100和本申请第一实施例的横向激励薄膜体声波谐振器200的导纳幅值-频率实测图以及导纳实部幅值-频率实测图。
图7、图8中的实线对应现有技术中的横向激励薄膜体声波谐振器100的导纳幅值-频率曲线，可以看出，在该导纳幅值-频率实测曲线上存在一个导纳最大值，该导纳最大值所在的频率点即为横向激励薄膜体声波谐振器100的串联谐振频率fs；在该导纳幅值-频率实测曲线上存在一个导纳最小值，该导纳最小值所在的频率点即为横向激励薄膜体声波谐振器100的并联谐振频率fp；同时，在该导纳幅值-频率实测曲线上还存在很多周期性的横向模式杂波，这些横向模式杂波会导致横向激励薄膜体声波谐振器100无法被用于设计成具有高的带外抑制性能、低的带内插损性能的滤波器、双工器和多工器。
图7、图8中的虚线对应本申请第一实施例的横向激励薄膜体声波谐振器200的导纳幅值-频率曲线，可以看出，在该导纳幅值-频率曲线上的寄生杂波数量明显减少、强度也明显减弱。也就是说，通过非压电绝缘材料区并适当设置他们的位置，可以抑制寄生模式的产生。
实施例二
请参阅图9至图11，图9示出了本申请第二实施例的横向激励薄膜体声波谐振器300的俯视示意图，图10示出了图9的3A-3A’剖视示意图和3B-3B’剖视示意图，图11示出了图9的3C-3C’剖视示意图，定义平行于坐标系中的x轴的方向为电极指排列方向，定义平行于坐标系中的y轴的方向为电极指延伸方向，定义平行于坐标系中的z轴的方向为横向激励薄膜体声波谐振器300的高度方向。
图9至图11中的横向激励薄膜体声波谐振器300与图4至图6中的横向激励薄膜体声波谐振器200的结构大致相同，唯一不同的是，横向激励薄膜体声波谐振器300中的在压电功能膜202的下方的声学反射器不是空腔结构，而是布拉格声学反射器307，布拉格声学反射器307设置于基板301上。布拉格声学反射器307包括多个低声阻抗膜层307a和多个高声阻抗膜层307b，多个低声阻抗膜层307a与多个高声阻抗膜层307b间隔布置，当声波从压电功能膜202入射到布拉格反射层时，由于不同声阻抗的交替排列，声波会被反射回压电功能膜202，阻止了声波的能量向下方的泄漏，从而确保横向激励薄膜体声波谐振器300获得较高Q值。
实施例三
请参阅图12至图14，图12示出了本申请第三实施例的横向激励薄膜体声波谐振器400的俯视示意图，图13示出了图12的4A-4A’剖视示意图和4B-4B’剖视示意图，图14示出了图12的4C-4C’剖视示意图。定义平行于坐标系中的x轴的方向为电极指排列方向，定义平行于坐标系中的y轴的方向为电极指延伸方向，定义平行于坐标系中的z轴的方向为横向激励薄膜体声波谐振器400的高度方向。
图12至图14中的横向激励薄膜体声波谐振器400与图4至图6中的横向激励薄膜体声波谐振器200的结构大致相同，即横向激励薄膜体声波谐振器400的压电功能膜402具体包括由压电材料形成的压电材料区402a和由非压电绝缘材料形成的非压电绝缘材料区，压电材料和非压电绝缘材料具有不同的声阻抗；非压电绝缘材料区至少包括第一非压电绝缘材料区402b和第二非压电绝缘材料区402c，第一非压电绝缘材料区402b位于第二包络线208b的接近第一汇流条205的一侧，第二非压电绝缘材料区402c位于第一包络线208a的接近第二汇流条206的一侧；第一非压电绝缘材料区402b具有相对地远离双电极指区域209的第一边缘411a和相对地接近第一包络线208a的第二边缘411b，第一包络线208a与第二边缘411b的沿第一电极指203、第二电极指204指条延伸方向上的距离不超过3μm。相应地，第二非压电绝缘材料区402c具有相对地远离双电极指区域209的第三边缘411c和相对地接近第二包络线208b的第四边缘411d，第二包络线208b与第四边缘411d的沿第一电极指203、第二电极指204指条延伸方向上的距离不超过3μm。
图12至图14中的横向激励薄膜体声波谐振器400与图4至图6中的横向激励薄膜体声波谐振器200的不同处在于，横向激励薄膜体声波谐振器400中的第一非压电绝缘材料区402b和第二非压电绝缘材料区402c相对地更宽。
具体地，第一非压电绝缘材料区402b的z向投影覆盖双电极指区域209的边缘部分、第一单电极指区210a的整体和第一汇流条205的整体，第一非压电绝缘材料区402b的第一边缘411a相对地更接近第一汇流条205，第一非压电绝缘材料区402b的第二边缘411b相对地更接近第一包络线208a，第一包络线208a与第二边缘411b的沿第一电极指203、第二电极指204指条延伸方向上的距离不超过3μm。同时，第二非压电绝缘材料区402c的z向投影覆盖双电极指区域209的边缘部分、第二单电极指区210b的整体和第二汇流条206的整体，第二非压电绝缘材料区402c的第三边缘411c相对地更接近第二汇流条206，第二非压电绝缘材料区402c的第四边缘411d相对地更接近第二包络线208b，第二包络线208b与第四边缘411d的沿第一电极指203、第二电极指204指条延伸方向上的距离不超过3μm。
综上所述，本申请提供的横向激励薄膜体声波谐振器，通过第一非压电绝缘材料区和第二非压电绝缘材料区的设置，以及对其位置的具体限定；即，第一包络线与第二边缘的沿第一电极指、第二电极指指条延伸方向上的距离不超过3μm，第二包络线与第四边缘的沿第一电极指、第二电极指指条延伸方向上的距离不超过3μm；可以很好地抑制横向激励薄膜体声波谐振器中的横向模式杂波。相应地，包含这种横向激励薄膜体声波谐振器的设备如滤波器、模组或通信装置皆可以减轻横向模式杂波带来的性能恶化。
在本申请公开的实施例中，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；“相连”可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型公开的实施例中的具体含义。
以上所述仅是本申请的优选实施方式，应当指出：对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。
Claims (10)
1.一种横向激励薄膜体声波谐振器，包括基板，位于所述基板上的压电功能膜以及位于所述压电功能膜上的叉指换能器电极；所述叉指换能器电极包括相互交错***的多根第一电极指和多根第二电极指，以及在所述第一电极指、所述第二电极指指条延伸方向上相互对置的第一汇流条和第二汇流条；多根所述第一电极指和多根所述第二电极指都具有各自的第一端部和第二端部；多根所述第一电极指的第一端部与所述第一汇流条直接连接，多根所述第一电极指的第二端部与所述第二汇流条间隔对置；多根所述第二电极指的第一端部与所述第二汇流条直接连接，多根所述第二电极指的第二端部与所述第一汇流条间隔对置，其特征在于：
将通过连结多根所述第二电极指的第二端部而形成的假想线设为第一包络线，将通过连结多根所述第一电极指的第二端部而形成的假想线设为第二包络线，将所述第一包络线与所述第二包络线之间的区域设为双电极指区域；
所述压电功能膜具体包括由压电材料形成的压电材料区和由非压电绝缘材料形成的非压电绝缘材料区，所述压电材料和所述非压电绝缘材料具有不同的声阻抗；
所述非压电绝缘材料区至少包括第一非压电绝缘材料区和第二非压电绝缘材料区，所述第一非压电绝缘材料区位于所述第二包络线的接近所述第一汇流条的一侧，所述第二非压电绝缘材料区位于所述第一包络线的接近所述第二汇流条的一侧；
所述第一非压电绝缘材料区具有远离所述双电极指区域的第一边缘和接近所述第一包络线的第二边缘，所述第一包络线与所述第二边缘的沿所述第一电极指、所述第二电极指指条延伸方向上的距离不超过3μm；
所述第二非压电绝缘材料区具有远离所述双电极指区域的第三边缘和接近所述第二包络线的第四边缘，所述第二包络线与所述第四边缘的沿所述第一电极指、所述第二电极指指条延伸方向上的距离不超过3μm。
2.根据权利要求1所述的横向激励薄膜体声波谐振器，其特征在于，将所述第一汇流条与所述第一包络线之间的区域设为第一单电极指区；
所述第二边缘位于所述第一单电极指区内，或所述第二边缘位于所述双电极指区域内，或所述第二边缘与所述第一包络线重合。
3.根据权利要求1所述的横向激励薄膜体声波谐振器，其特征在于，将所述第二汇流条与所述第二包络线之间的区域设为第二单电极指区；
所述第四边缘位于所述第二单电极指区内，或所述第四边缘位于所述双电极指区域内，或所述第四边缘与所述第二包络线重合。
4.根据权利要求1所述的横向激励薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电功能膜的下方具有声学反射器，用于反射在所述压电功能膜中传播的声波。
5.根据权利要求4所述的横向激励薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声学反射器为空腔。
6.根据权利要求4所述的横向激励薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声学反射器为布拉格声学反射器，所述布拉格声学反射器包括多个低声阻抗膜层和多个高声阻抗膜层，多个所述低声阻抗膜层与多个所述高声阻抗膜层间隔布置。
7.根据权利要求1所述的横向激励薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电材料为压电铌酸锂和压电钽酸锂中的一种。
8.根据权利要求1所述的横向激励薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述非压电绝缘材料为二氧化硅、氧化锌、氮化硅、氮化铝和五氧化二钽中的一种或多种组合。
9.一种滤波器装置，所述滤波器装置与天线连接，所述滤波器装置包括串联臂弹性波谐振器以及并联臂弹性波谐振器，所述串联臂弹性波谐振器以及所述并联臂弹性波谐振器中的至少一个弹性波谐振器是权利要求1至8中任一所述的横向激励薄膜体声波谐振器。
10.一种多工器，包括：
天线端子，其与天线连接；和
多个滤波器装置，公共连接于所述天线端子，至少一个所述滤波器装置是权利要求9所述的滤波器装置。
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