CN116430570B - 光强校正、照明、显微镜成像、硅片缺陷检测装置及方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种光强校正方法、装置、存储介质、照明***、显微镜成像***、硅片缺陷的检测装置及方法。所述光强校正方法包括以下步骤：以原始光源关于视场光阑视场的第一输出光强分布、科勒照明模块所需的目标光源尺寸及目标光源发散角度为输入变量，以所述科勒照明模块的输出端所需的第一目标照度分布为优化目标，构建光强校正模型；获取所述第一输出光强分布、所述目标光源尺寸、所述目标光源发散角度及所述第一目标照度分布，并求解所述光强校正模型，以确定所述焦距、所述距离及所述遮拦视场；以及根据所述焦距、所述距离及所述遮拦视场配置所述光强校正模块，校正所述原始光源，以获得满足所述第一目标照度分布的校正光源。

Description

光强校正、照明、显微镜成像、硅片缺陷检测装置及方法

技术领域

本发明涉及照明成像领域，尤其涉及一种光强校正方法、一种光强校正装置、一种计算机可读存储介质、一种照明***，一种显微镜成像***，一种硅片缺陷的检测装置，以及一种硅片缺陷的检测方法。

背景技术

照明均匀性很大程度上影响了相机可使用的动态范围，以及不同视场区域获取光学信号的一致性。在缺陷检测领域，低的照明均匀性将降低光学显微成像检测***的动态范围，而不同视场区域光学信号响应强度的不一致将增加光学显微成像检测***的误检率。因此，高均匀性照明、全视场一致的光学信号响应，对光学显微成像检测***具有十分重要的意义。

目前，光学显微成像检测***主要通过科勒照明（Kohler illumination）的方式来实现显微***的明场成像。科勒照明虽然能通过对灯丝等照明光源的二次成像来提升被检物平面的照明均匀性，但科勒照明的均匀性受到光源本身的光强分布限制，并且在显微成像***本身边缘视场遮拦、大视场像差、透镜高角度入射的反射损失等固有照度分布特性的影响下，仍会不可避免地在相机的成像平面产生边缘视场照度小于中心视场照度等像面照度不均的问题。

为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种光强校正技术，用于校正科勒照明***前端的原始光源的原始光强分布，以获得能够在目标平面上产生目标照度分布的校正光源。

发明内容

以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之前序。

为了克服现有技术存在的上述缺陷，本发明提供了一种光强校正方法、一种光强校正装置、一种计算机可读存储介质、一种照明***，一种显微镜成像***，一种硅片缺陷的检测装置，以及一种硅片缺陷的检测方法，能够校正科勒照明***前端的原始光源的原始光强分布，以获得在目标平面上产生目标照度分布的校正光源。

具体来说，根据本发明的第一方面提供的光强校正方法包括以下步骤：以原始光源关于视场光阑视场视场的第一输出光强分布、科勒照明模块所需的目标光源尺寸及目标光源发散角度为输入变量，以所述科勒照明模块的输出端所需的第一目标照度分布为优化目标，并以光强校正模块的焦距、所述原始光源到所述光强校正模块的距离，以及所述光强校正模块对所述原始光源的遮拦视场为优化变量，构建光强校正模型，其中，所述光强校正模块位于所述原始光源及所述科勒照明模块之间；获取所述第一输出光强分布、所述目标光源尺寸、所述目标光源发散角度及所述第一目标照度分布，并求解所述光强校正模型，以确定所述焦距、所述距离及所述遮拦视场；以及根据所述焦距、所述距离及所述遮拦视场配置所述光强校正模块，校正所述原始光源，以获得满足所述第一目标照度分布的校正光源。

进一步地，在本发明的一些实施例中，所述原始光源关于所述视场光阑视场的第一输出光强分布被表示为：

，

其中，为所述视场光阑视场不同区域处的最大光强，为光线与光轴夹角的 正弦值，描述所述视场光阑视场不同区域处最大光强光线的方向，为所述第一 输出光强分布的形状因子，表示所述原始光源的遮拦因子，当视场被遮拦时，当视场未被遮拦时。

进一步地，在本发明的一些实施例中，所述第一输出光强分布选自高斯分布、朗伯分布、指数分布中的任意一者或多者的结合。

进一步地，在本发明的一些实施例中，所述光强校正模块由光学透镜及视场遮拦元件组成。经过所述光强校正模块处理获得的校正光源的第二输出光强分布的偏折角度被表示为：

，

其中，为所述光学透镜的焦距， 为所述视场光阑视场不同区域处最大光 强光线在所述光学透镜的入射高度，被表示为，为所述原始光源到所述 光学透镜的距离。

所述科勒照明模块的输出照度分布等于叠加所述校正光源的视场光阑视场 不同区域处的光强分布所得到的等效光强归一化分布：

，

其中，为所述光学透镜的放大倍率，被表示为。

进一步地，在本发明的一些实施例中，求解所述光强校正模型的步骤包括：在所述科勒照明模块所需的目标光源尺寸及目标光源发散角度的约束范围内，根据所述等效光强归一化分布及所述第一目标照度分布，求解所述光强校正模型，以确定所述焦距、所述距离及所述遮拦视场。

进一步地，在本发明的一些实施例中，所述第一目标照度分布由照度均匀性表征，所述光强校正模型被表示为：

，

其中，表示所述等效光强归一化分布的最小值， 表示所述 等效光强归一化分布的最大值。

求解所述光强校正模型的步骤进一步包括：以最小二乘法扫描所述光学透镜的焦 距、距离及所述视场遮拦元件的遮拦因子，以确定使函数值满足所述 第一目标照度分布的至少一组优化解。

进一步地，在本发明的一些实施例中，所述第一目标照度分布被表示为。所 述光强校正模型被表示为：

，

其中，表示所述第一目标照度分布与所述等效光强归一化分 布的差值的最大值。

求解所述光强校正模型的步骤进一步包括：以最小二乘法扫描所述光学透镜的焦 距、距离及所述视场遮拦元件的遮拦因子，以确定使函数值取得其最 小值的优化解。

进一步地，在本发明的一些实施例中，所述科勒照明模块的输出端连接显微成像模块的输入端。获取所述第一目标照度分布的步骤包括：获取所述显微成像模块的像面照度分布特性，以及所述显微成像模块的输出端所需的第二目标照度分布；以及根据所述像面照度分布特性，对所述第二目标照度分布进行逆变化，以确定所述科勒照明模块的输出端所需的第一目标照度分布。

此外，根据本发明的第二方面提供的光强校正装置包括存储器和第一处理器。所述存储器上存储有计算机指令。所述第一处理器连接所述存储器，并被配置用于执行所述存储器上存储的计算机指令，以实施如本发明的第一方面中任一项所述的光强校正方法。

此外，根据本发明的第三方面提供的计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令。所述计算机指令被处理执行时，实施如本发明的第一方面中任一项所述的光强校正方法。

此外，根据本发明的第四方面提供的照明***包括原始光源、光强校正模块及科勒照明模块。所述光强校正模块位于所述原始光源及所述科勒照明模块之间。所述光强校正模块的焦距、所述光强校正模块到所述原始光源的距离。所述光强校正模块对原始光源的遮拦视场，均由如本发明的第一方面中任一项所述的光强校正方法确定。

此外，根据本发明的第五方面提供的显微镜成像***包括分光片、照明***及相机。所述分光片以预设角度安装于相机、待测样本及如本发明的第四方面所述的照明***之间，用于将所述照明***输出的照明光线引入所述相机对所述待测样本的成像光路。所述照明***经由所述分光片的第一表面及显微物镜，向待测样本输出满足所述显微成像***的输出端所需的第二目标照度分布的照明光线。所述相机经由所述分光片的第二表面及所述显微物镜，获取所述照明光线在所述待测样本的反射光，以生成所述待测样本的图像。

此外，根据本发明的第六方面提供的硅片缺陷的检测装置包括如本发明的第五方面所述的显微镜成像***和第二处理器。所述第二处理器连接所述显微镜成像***的相机，并根据所述相机生成的图像确定硅片缺陷的检测结果。

此外，根据本发明的第七方面提供的硅片缺陷的检测方法包括以下步骤：经由如本发明的第五方面所述的显微镜成像***，生成待测样本的图像；以及解析所述图像，以确定所述待测样本的硅片缺陷检测结果。

附图说明

在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本发明的上述特征和优点。在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。

图1示出了根据本发明的一些实施例提供的显微镜成像***的光路示意图。

图2示出了根据本发明的一些实施例提供的光强校正方法的流程图。

图3 示出了根据本发明的一些实施例提供的光强校正模块的光路示意图。

图4 示出了根据本发明的一些实施例提供的原始光源关于视场光阑视场的第一输出光强分布的曲线图。

图5 示出了根据本发明的一些实施例提供的校正光源关于视场光阑视场的第二光强分布的曲线图。

图6 示出了根据本发明的一些实施例提供的原始光源与校正光源的光强归一化曲线图。

图7 示出了根据本发明的一些实施例提供的光强校正模块的光路示意图。

图8 示出了根据本发明的一些实施例提供的原始光源与校正光源的光强归一化曲线图。

图9 示出了根据本发明的一些实施例提供的相机响应随相机视场变化的曲线对比图。

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。虽然本发明的描述将结合优选实施例一起介绍，但这并不代表此发明的特征仅限于该实施方式。恰恰相反，结合实施方式作发明介绍的目的是为了覆盖基于本发明的权利要求而有可能延伸出的其它选择或改造。为了提供对本发明的深度了解，以下描述中将包含许多具体的细节。本发明也可以不使用这些细节实施。此外，为了避免混乱或模糊本发明的重点，有些具体细节将在描述中被省略。

在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

另外，在以下的说明中所使用的“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“水平”、“垂直”应被理解为该段以及相关附图中所绘示的方位。此相对性的用语仅是为了方便说明之用，其并不代表其所叙述的装置需以特定方位来制造或运作，因此不应理解为对本发明的限制。

能理解的是，虽然在此可使用用语“第一”、“第二”、“第三”等来叙述各种组件、区域、层和/或部分，这些组件、区域、层和/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的组件、区域、层和/或部分。因此，以下讨论的第一组件、区域、层和/或部分可在不偏离本发明一些实施例的情况下被称为第二组件、区域、层和/或部分。

如上所述，现有的科勒照明虽然能通过对灯丝等照明光源的二次成像来提升被检物平面的照明均匀性，但科勒照明的均匀性受到光源本身的光强分布限制，并且在显微成像***本身边缘视场遮拦、大视场像差、透镜高角度入射的反射损失等固有照度分布特性的影响下，仍会不可避免地在相机的成像平面产生边缘视场照度小于中心视场照度等像面照度不均的问题。

为了克服现有技术存在的上述缺陷，本发明提供了一种光强校正方法、一种光强校正装置、一种计算机可读存储介质、一种照明***，一种显微镜成像***，一种硅片缺陷的检测装置，以及一种硅片缺陷的检测方法，能够校正科勒照明***前端的原始光源的原始光强分布，以获得在目标平面上产生目标照度分布的校正光源。

在一些非限制性的实施例中，本发明的第一方面提供的上述光强校正方法，可以基于本发明的第五方面提供的上述显微镜成像***来实施。具体请参考图1，图1示出了根据本发明的一些实施例提供的显微镜成像***的光路示意图。

如图1所示，在本发明的一些实施例中，显微镜成像***中可以配置有分光片11、相机20，以及本发明的第三方面提供的上述照明***。

进一步地，该照明***中配置有原始光源31、光强校正模块32及科勒照明模块33。 该光强校正模块32位于原始光源31及科勒照明模块33之间，其光学透镜焦距、其与原始光 源31的距离，以及其对原始光源31的遮拦视场，均通过实施本发明的第一方面提供的 上述光强校正方法来确定，从而在科勒照明模块33的输入端形成能使其输出端满足目标照 度分布的校正光源31’，再经由分光片11的第一表面及显微物镜13，向待测样本40输出满足 显微成像***的输出端所需的第二目标照度分布的照明光线。

该分光片11以预设角度（例如：45°）安装于相机20、待测样本40及照明***之间，用于将照明***输出的照明光线引入相机20对待测样本40的成像光路中，以均匀照亮待测样本40。

该相机20经由筒镜12、分光片11的第二表面及显微物镜13，获取照明光线在待测样本40的反射光，以生成该待测样本40的检测图像。

更进一步地，上述显微镜成像***中还可以配置有本发明的第二方面提供的上述光强校正装置（未绘示），其上配置有存储器及第一处理器。该存储器包括但不限于本发明的第三方面提供的上述计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令。该第一处理器连接该存储器，并被配置用于执行该存储器上存储的计算机指令，以实施本发明的第一方面提供的上述光强校正方法。

以下将结合一些光强校正方法的实施例来描述上述光强校正装置、照明***及显微镜成像***的工作原理。本领域的技术人员可以理解，这些光强校正方法的实施例只是本发明提供的一些非限制性的实施方式，旨在清楚地展示本发明的主要构思，并提供一些便于公众实施的具体方案，而非用于限制该光强校正装置、照明***及显微镜成像***的全部功能或全部工作方式。同样地，该光强校正装置、照明***及显微镜成像***也只是本发明提供的一些非限制性的实施方式，不对上述光强校正方法中各步骤的执行主体或执行顺序构成限制。

请进一步参考图2及图3。图2示出了根据本发明的一些实施例提供的光强校正方法的流程图。图3示出了根据本发明的一些实施例提供的光强校正模块的光路示意图。

如图1~图3所示，在进行光强校正的过程中，技术人员可以首先以原始光源31关于 视场光阑视场的第一输出光强分布、科勒照明模块33所需的目标光源尺寸D及目标 光源发散角度max(NA)为输入变量，以科勒照明模块33的输出端所需的第一目标照度分布 为优化目标，并以光强校正模块32的焦距、原始光源31到光强校正模块32的距离，以及光 强校正模块32对原始光源31的遮拦视场为优化变量，构建光强校正模型。

具体来说，原始光源31关于视场光阑视场的输出光强分布可以被表示为：

，

其中，为原始光源31在视场光阑视场不同区域处的最大光强，为光线与光 轴夹角的正弦值，描述视场光阑视场不同区域处最大光强光线的方向，为第一 输出光强分布的形状因子，指示光强分布的标准差，表示原始光源31的遮拦因子。具体 地，当视场被遮拦时，而当视场未被遮拦时。形状因子可以选自 高斯分布、朗伯分布、指数分布中的任意一者或多者的结合，也可以为任意其他形式的无规 则分布。

进一步地，光强校正模块32可以由光学透镜321及视场遮拦元件322组成。经过光强校正模块32处理获得的校正光源31’的第二输出光强分布的偏折角度可以被表示为：

，

其中，为光学透镜321的焦距， 为视场光阑视场不同区域处最大光强光 线在光学透镜的入射高度，被表示为，为原始光源31到光学透镜的距 离。

叠加校正光源31’的视场光阑视场不同区域处的光强分布所得到的等效光强归一 化分布可以被表示为：

，

其中，为光学透镜的放大倍率，被表示为。

如此，基于等效光强归一化分布等于科勒照明模块33的输出照度分布 的认知，本发明可以用该等效光强归一化分布来表征科勒照明模块33的输出端所需 的第一目标照度分布，并据此确定光强校正模型的优化目标。

例如，针对像面照度均匀性大于或等于98%的优化目标，光强校正模型可以被表示为：

，

其中，表示等效光强归一化分布在不同方向上的最小值， 表示等效光强归一化分布在不同方向上的最大值。

光强校正装置可以获取上述第一输出光强分布、目标光源尺寸（例如：D = 5mm）、目标光源发散角度（例如：max(NA) = 0.1）及第一目标照度分布的照度均匀性参数 （即98%），并求解光强校正模型，以确定光强校正模块32的焦距、距离及遮 拦视场等优化变量的取值。

具体请参考图4，图4示出了根据本发明的一些实施例提供的原始光源关于视场光阑视场的第一输出光强分布的曲线图。

如图4所示，原始光源31的第一输出光强分布在视场光阑视场不同区域处 的最大光强，其在视场光阑视场不同区域处最大光强光线的方向，其形 状因子符合高斯分布，且，且其在的约束范围内的照度均匀性约 为84%。

在求解光强校正模型的过程中，光强校正装置可以在且的预设范围内，以最小二乘法逐步调节扫描光学透镜的焦距、距离及视场 遮拦元件322的遮拦因子，以确定使函数值满足第一目标照度分布的照 度均匀性参数（即98%）的至少一组优化解。

在一些实施例中，光强校正装置可以求解获得、及（即不 用遮拦）的优化解。之后，光强校正装置可以根据该焦距、距离及遮拦视场，配置光 强校正模块32的光学透镜321及视场遮拦元件322，以校正原始光源31，并如图3所示地获得 满足上述第一目标照度分布的校正光源31’。

请结合参考图5及图6。图5 示出了根据本发明的一些实施例提供的校正光源关于视场光阑视场的第二光强分布的曲线图。图6 示出了根据本发明的一些实施例提供的原始光源与校正光源的光强归一化曲线图。

如图5及图6所示，通过根据优化解 配置光强校正模块32的光学透镜 321及视场遮拦元件322，校正光源31’的光强归一化曲线的照度均匀性得到了显著提 升，并在的约束范围内达到98%以上，符合第一目标照度分布的要求。

本领域的技术人员可以理解，上述由照度均匀性表征第一目标照度分布的实施例只是本发明提供的一些非限制性的实施方式，旨在清楚地展示本发明的主要构思，并提供一些便于公众实施的具体方案，而非用于限制本发明的而保护范围。

可选地，在另一些实施例中，光强校正模块32还可以基于人为设定的任意分布形 式来进行光强校正。请结合参考图1、图2、图7及图8。图7 示出了根据本发明的一些实 施例提供的光强校正模块的光路示意图。图8 示出了根据本发明的一些实施例提供的原始 光源与校正光源的光强归一化曲线图。

以图1所示的显微镜成像***的应用场景为例，由于边缘视场遮拦、大视场像差、透镜高角度入射的反射损失等像面照度分布特性，即使照明***30能在待测样本40的表面形成均匀的照度分布，显微镜成像***也会在相机20的成像平面产生边缘视场照度小于中心视场照度的不均匀照度分布。

为了进一步消除该相机20成像平面上的不均匀照度分布，光强校正装置还可以优 选地获取显微成像模块的像面照度分布特性，以及显微成像模块的输出端所需的第 二目标照度分布。在此，显微成像模块的像面照度分布特性是由相机20的镜 头及感光元件、镜筒12、分光片11、显微物镜13本身的缺陷所导致。光强校正装置可以根据 该像面照度分布特性，对第二目标照度分布进行逆变化，以确定科勒照明模 块33的输出端所需的第一目标照度分布，即

，

例如，针对边缘视场照度比中心视场照度小5%的像面照度分布特性，光强 校正装置可以对应地将第一目标照度分布的边缘视场照度配置得比中心视场照度大 5%的形式，以补偿该像面照度分布特性在相机20的成像平面产生的照度不均匀分 布。相应地，针对边缘视场照度大于中心视场照度5%的第一目标照度分布的优化目 标，光强校正模型可以被表示为：

，

其中，表示第一目标照度分布与等效光强归一化分布的 差值的最大值。

之后，光强校正装置可以获取原始光源31关于视场光阑视场的第一输出光强分布，科勒照明模块33所需的目标光源尺寸（例如：D = 5mm）、目标光源发散角度（例如： max(NA) = 0.18）及其输出端所需的第一目标照度分布，并将其代入上述光强校正模 型进行求解，以确定光强校正模块32的光学透镜焦距、原始光源31到光强 校正模块32的距离，以及光强校正模块32对原始光源31的遮拦视场。

具体来说，在求解光强校正模型的过程中，光强校正装置可以在且的预设范围内，以最小二乘法逐步调节扫描光学透镜的焦距 、距离及视场遮拦元件322的遮拦因子，以确定使函数值满足第一目标 照度分布的照度均匀性参数（即98%）的至少一组优化解。

在一些实施例中，光强校正装置可以求解获得、及的优化解。之后，光强校正装置可以根据该 焦距、距离及遮拦视场，配置光强校正模块32的光学透镜321及视场遮拦元件322， 以校正原始光源31，并如图7所示地获得满足上述第一目标照度分布的校正光源31’。

如图8所示，通过根据优化解 配置光强校正模块32的光学透镜321及 视场遮拦元件322，校正光源31’的光强归一化曲线在NA = 0.18时的取值为1，而在NA = 0时的取值为0.95，因而可以通过遮拦原始光源31中心区域1%左右的光能量的方式，实现 对相机20成像平面的照度均匀性补偿。

进一步地，为了验证上述光强校正方案对相机20视场的不同区域光学信号响应的优化效果，本发明的一些实施例还提供了一组相机响应随相机视场变化的曲线对比图，即图9。

如图9所示，通过实施上述光强校正方法，并根据光强校正模型的求解结果在科勒 照明模块33的前端安装一个焦距的光学透镜321，相机20的成像均匀性由校正前 的84%左右提高到校正后的93%，大大改善了显微镜成像***的照明均匀性。

更进一步地，在本发明的一些实施例中，技术人员还可以基于上述技术构思及实施方式的描述，将上述显微镜成像***配置到硅片缺陷的检测装置中进行硅片缺陷检测，以提升硅片缺陷的检测精度，并将其误检率。

具体来说，上述硅片缺陷检验装置中可以配置有本发明的第五方面提供的上述显微镜成像***，以及与之相连的第二处理器。该第二处理器可以经由显微镜成像***的相机20采集照明光线在待测样本40的反射光，以生成待测样本40的检测图像。之后，第二处理器可以解析该检测图像，以确定待测样本40的硅片缺陷检测结果。

综上，本发明提供的上述光强校正方法、光强校正装置、计算机可读存储介质、照明***、显微镜成像***、硅片缺陷的检测装置，以及硅片缺陷的检测方法，均能有效校正科勒照明***前端原始光源的原始光强分布，以获得能够在目标平面上产生目标照度分布的校正光源，从而满足硅片缺陷检测等各种应用的照明均匀性需求。

尽管为使解释简单化将上述方法图示并描述为一系列动作，但是应理解并领会，这些方法不受动作的次序所限，因为根据一个或多个实施例，一些动作可按不同次序发生和/或与来自本文中图示和描述或本文中未图示和描述但本领域技术人员可以理解的其他动作并发地发生。

提供对本公开的先前描述是为使得本领域任何技术人员皆能够制作或使用本公开。对本公开的各种修改对本领域技术人员来说都将是显而易见的，且本文中所定义的普适原理可被应用到其他变体而不会脱离本公开的精神或范围。由此，本公开并非旨在被限定于本文中所描述的示例和设计，而是应被授予与本文中所公开的原理和新颖性特征相一致的最广范围。

Claims (14)

1.一种光强校正方法，其特征在于，包括以下步骤：

以原始光源关于视场光阑视场的第一输出光强分布、科勒照明模块所需的目标光源尺寸及目标光源发散角度为输入变量，以所述科勒照明模块的输出端所需的第一目标照度分布为优化目标，并以光强校正模块的焦距、所述原始光源到所述光强校正模块的距离，以及所述光强校正模块对所述原始光源的遮拦视场为优化变量，构建光强校正模型，其中，所述光强校正模块位于所述原始光源及所述科勒照明模块之间；

获取所述第一输出光强分布、所述目标光源尺寸、所述目标光源发散角度及所述第一目标照度分布，并求解所述光强校正模型，以确定所述焦距、所述距离及所述遮拦视场；以及

根据所述焦距、所述距离及所述遮拦视场配置所述光强校正模块，校正所述原始光源，以获得满足所述第一目标照度分布的校正光源。

2.如权利要求1所述的光强校正方法，其特征在于，所述原始光源关于所述视场光阑视场的第一输出光强分布被表示为：

其中，/>为所述视场光阑视场不同区域处的最大光强，/>为光线与光轴夹角的正弦值，/>描述所述视场光阑视场不同区域处最大光强光线的方向，/>为所述第一输出光强分布的形状因子，/>表示所述原始光源的遮拦因子，当视场/>被遮拦时/>，当视场/>未被遮拦时/>。

3.如权利要求2所述的光强校正方法，其特征在于，所述第一输出光强分布选自高斯分布、朗伯分布、指数分布中的任意一者或多者的结合。

4.如权利要求3所述的光强校正方法，其特征在于，所述光强校正模块由光学透镜及视场遮拦元件组成，经过所述光强校正模块处理获得的校正光源的第二输出光强分布的偏折角度被表示为：

其中，/>为所述光学透镜的焦距，/> 为所述视场光阑视场不同区域处最大光强光线在所述光学透镜的入射高度，被表示为/>，/>为所述原始光源到所述光学透镜的距离，

所述科勒照明模块的输出照度分布等于叠加所述校正光源的视场光阑视场不同区域处的光强分布所得到的等效光强归一化分布：

其中，/>为所述光学透镜的放大倍率，被表示为/>。

5.如权利要求4所述的光强校正方法，其特征在于，求解所述光强校正模型的步骤包括：

在所述科勒照明模块所需的目标光源尺寸及目标光源发散角度的约束范围内，根据所述等效光强归一化分布及所述第一目标照度分布，求解所述光强校正模型，以确定所述焦距、所述距离及所述遮拦视场。

6.如权利要求5所述的光强校正方法，其特征在于，所述第一目标照度分布由照度均匀性表征，所述光强校正模型被表示为：

其中，/>表示所述等效光强归一化分布的最小值，/> 表示所述等效光强归一化分布的最大值，求解所述光强校正模型的步骤进一步包括：

以最小二乘法扫描所述光学透镜的焦距、距离/>及所述视场遮拦元件的遮拦因子/>，以确定使函数值/>满足所述第一目标照度分布的至少一组优化解。

7.如权利要求5所述的光强校正方法，其特征在于，所述第一目标照度分布被表示为，所述光强校正模型被表示为：

其中，/>表示所述第一目标照度分布与所述等效光强归一化分布的差值的最大值，求解所述光强校正模型的步骤进一步包括：

以最小二乘法扫描所述光学透镜的焦距、距离/>及所述视场遮拦元件的遮拦因子/>，以确定使函数值/>取得其最小值的优化解/>。

8.如权利要求1所述的光强校正方法，其特征在于，所述科勒照明模块的输出端连接显微成像模块的输入端，获取所述第一目标照度分布的步骤包括：

获取所述显微成像模块的像面照度分布特性，以及所述显微成像模块的输出端所需的第二目标照度分布；以及

根据所述像面照度分布特性，对所述第二目标照度分布进行逆变化，以确定所述科勒照明模块的输出端所需的第一目标照度分布。

9.一种光强校正装置，其特征在于，包括：

存储器，其上存储有计算机指令；以及

第一处理器，连接所述存储器，并被配置用于执行所述存储器上存储的计算机指令，以实施如权利要求1~8中任一项所述的光强校正方法。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机指令，其特征在于，所述计算机指令被处理执行时，实施如权利要求1~8中任一项所述的光强校正方法。

11.一种照明***，其特征在于，包括原始光源、光强校正模块及科勒照明模块，其中，所述光强校正模块位于所述原始光源及所述科勒照明模块之间，

所述光强校正模块的焦距、所述光强校正模块到所述原始光源的距离，以及所述光强校正模块对原始光源的遮拦视场，均由如权利要求1~8中任一项所述的光强校正方法确定。

12.一种显微镜成像***，其特征在于，包括：

分光片，以预设角度安装于相机、待测样本及如权利要求11所述的照明***之间，用于将所述照明***输出的照明光线引入所述相机对所述待测样本的成像光路；

所述照明***，经由所述分光片的第一表面及显微物镜，向待测样本输出满足所述显微镜成像***的输出端所需的第二目标照度分布的照明光线；以及

所述相机，经由所述分光片的第二表面及所述显微物镜，获取所述照明光线在所述待测样本的反射光，以生成所述待测样本的图像。

13.一种硅片缺陷的检测装置，其特征在于，包括：

如权利要求12所述的显微镜成像***；以及

第二处理器，连接所述显微镜成像***的相机，并根据所述相机生成的图像确定硅片缺陷的检测结果。

14.一种硅片缺陷的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：

经由如权利要求12所述的显微镜成像***，生成待测样本的图像；以及

解析所述图像，以确定所述待测样本的硅片缺陷检测结果。