CN116419590A

CN116419590A - 发光装置及包括发光装置的电子设备和消费品

Info

Publication number: CN116419590A
Application number: CN202310024728.7A
Authority: CN
Inventors: 曹煐美; 郑孝珠; 高银卿; 郭珍午; 金容照; 韩筵昊
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2022-01-10
Filing date: 2023-01-09
Publication date: 2023-07-11
Also published as: EP4210453A2; KR20230108769A; US20230225199A1; EP4210453A3

Abstract

本申请提供了发光装置和包括发光装置的电子设备。所述发光装置包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层、以及覆盖层。所述发射层包含第一发射体，所述第一发射体发射具有第一发射光谱的第一光，所述覆盖层在所述第一光行进的路径上，所述第一光的发射峰值波长是约520nm至约550nm。所述第一发射体包含铱，所述覆盖层包含含胺的化合物，并且通过所述覆盖层引出至外部的所述第一光的CIEy与折射率的比率值(RCR值)是38或小于38，并且根据下式计算所述RCR值CIEy/R(cap)x 100。

Description

发光装置及包括发光装置的电子设备和消费品

相关申请的交叉引用

本申请要求于2022年1月10日提交韩国知识产权局的第10-2022-0003637号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引据此并入。

技术领域

本公开内容的一个或多于一个的实施方案的方面涉及发光装置以及包括发光装置的电子设备。

背景技术

在发光装置中，自发射装置(例如，有机发光装置等)具有相对广的视角、优异的或适合的对比度、快速的响应时间，以及在亮度、驱动电压和响应速度方面优异的或适合的特性。

在发光装置中，第一电极在衬底上，并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次布置在第一电极上。由第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝向发射层移动，并且由第二电极提供的电子通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态，从而产生光。

发明内容

本公开内容的一个或多于一个的实施方案的方面涉及基本上同时具有适合的正向发光效率和侧向发光效率的发光装置，以及包括所述发光装置的电子设备。

本公开内容的实施方案的额外的方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。

根据实施方案，提供了发光装置，所述发光装置包括：

第一电极，

面对所述第一电极的第二电极，

在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层，

覆盖层，

其中所述发射层包含第一发射体，

所述第一发射体发射具有第一发射光谱的第一光，

所述覆盖层在所述第一光行进的路径上(例如，在所述第一光行进通过或经由的路径上)，

所述第一光的发射峰值波长是约520nm至约550nm，

所述第一发射体包含铱，

所述覆盖层包含含胺的化合物，以及

通过所述覆盖层引出至外部的所述第一光的CIEy与折射率的比率值(RCR值)是38或小于38，以及

所述RCR值通过方程式1计算

方程式1

CIEy/R(cap)x 100

其中，在方程式1中，

CIEy是通过所述覆盖层引出至外部的所述第一光的CIE颜色坐标的y坐标值，以及

R(cap)是所述含胺的化合物相对于具有所述第一光的所述发射峰值波长±20nm的波长的第二光的折射率。

根据本公开内容的实施方案，提供了发光装置，所述发光装置包括：

第一电极，

面对所述第一电极的第二电极，

覆盖层，

其中所述发射层包含第一发射体，

所述第一发射体发射具有第一发射光谱的第一光，

所述覆盖层在所述第一光行进的路径上(例如，在所述第一光行进通过或经由的路径上),

所述第一发射体可以包含各自键合至铱的第一配体、第二配体和第三配体，

所述第一配体可以是包含含Y₁的环B₁和含Y₂的环B₂的二齿配体，

所述第二配体可以是包含含Y₃的环B₃和含Y₄的环B₄的二齿配体，

所述第三配体可以是包含含Y₅的环B₅和含Y₆的环B₆的二齿配体，

Y₁、Y₃和Y₅中的每一个是氮(N)，

Y₂、Y₄和Y₆中的每一个是碳(C)，

含Y₂的环B₂和含Y₄的环B₄可以彼此不同，

所述覆盖层包含含胺的化合物，以及

所述含胺的化合物包含苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、萘并噁唑基团、萘并噻唑基团或其任意组合。

本公开内容的实施方案提供了包括所述发光装置的电子设备。

本公开内容的实施方案提供了包括所述发光装置的消费品。

附图说明

根据结合附图的以下描述，本公开内容的某些实施方案的以上和其它的方面和特征将更加显而易见，在附图中：

图1示出了根据实施方案的发光装置的示意图；

图2示出了根据实施方案的电子设备的横截面视图；以及

图3示出了根据实施方案的电子设备的横截面视图。

具体实施方式

现在将更详细地参考实施方案，在附图中例示了所述实施方案的实例，其中相同的参考数字通篇是指相同的元件，并且可以不提供其重复的描述。在这点上，本实施方案可以具有不同的形式并且不应解释为局限于本文阐述的描述。因此，通过参考附图仅描述实施方案，以解释本公开内容的方面。如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合在整个公开内容中，表述“a、b和c中的至少一个”、“选自a、b和c中的至少一个”等表示仅a，仅b，仅c，a和b两者(例如，同时地)，a和c两者(例如，同时地)，b和c两者(例如，同时地)，a、b和c全部，或其变体。

根据本公开内容的实施方案的发光装置包括：第一电极、面对第一电极的第二电极；在第一电极与第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及覆盖层。

发射层可以包含第一发射体。第一发射体可以发射具有第一发射光谱的第一光，并且覆盖层可以在第一光行进的路径上(例如，在第一光行进通过或经由的路径上)。

第一光的发射峰值波长(最大发射波长或最大发射峰值波长)可以是约520nm至约550nm。

例如，第一光的发射峰值波长可以是约520nm至约545nm、约520nm至约540nm、约520nm至约535nm、约525nm至约550nm、约525nm至约545nm、约525nm至约540nm、或约525nm至约535nm。

第一光的半峰全宽(FWHM)可以是约15nm至约60nm。

例如，第一光的FWHM可以是约20nm至约60nm、约25nm至约60nm、约30nm至约60nm、约35nm至约60nm、约40nm至约60nm、约45nm至约60nm、约50nm至约60nm、或约55nm至约60nm。

本公开内容中描述的第一光的发射峰值波长(或最大发射波长)和FWHM可以由包含第一发射体的膜的发射光谱来评估(例如，参见评估例2)。本公开内容中的发射峰值波长是指在发射光谱或电致发光光谱中具有最大发射强度的峰值波长。

具有如以上描述的发射峰值波长和FWHM的第一光可以是绿色光。

第一发射体可以包含铱。

在实施方案中，第一发射体可以是含有铱的有机金属化合物。第一发射体可以是中性的，可以包含一种铱，并且可以不包含(例如，可以排除)除了铱之外的过渡金属。

在实施方案中，除了铱之外，第一发射体可以包含各自联接至铱的第一配体、第二配体和第三配体。在这点上，第一配体可以是包含含Y₁的环B₁和含Y₂的环B₂的二齿配体，第二配体可以是包含含Y₃的环B₃和含Y₄的环B₄的二齿配体，第三配体可以是包含含Y₅的环B₅和含Y₆的环B₆的二齿配体，Y₁、Y₃和Y₅可以各自是氮(N)，Y₂、Y₄和Y₆可以各自是碳(C)，以及含Y₂的环B₂和含Y₄的环B₄可以彼此不同。

在一个或多于一个的适合的实施方案中，含Y₂的环B₂可以是多环基团。例如，含Y₂的环B₂可以是其中三个或多于三个的单环基团彼此稠合的多环基团。在实施方案中，含Y₂的环B₂可以是其中一个5元单环基团(例如，呋喃基团、噻吩基团、硒吩基团、吡咯基团、环戊二烯基团、噻咯基团等)与至少两个6元单环基团(例如，苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团等)稠合的多环基团。

在实施方案中，含Y₄的环B₄可以是单环基团。例如，含Y₄的环B₄可以是6元单环基团(例如，苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团等)。

在实施方案中，第一发射体可以是异配络合物。

在实施方案中，第三配体可以与第二配体相同。

在实施方案中，第三配体可以与第一配体相同。

在实施方案中，第三配体可以与第一配体和第二配体中的每一种不同。

关于第一发射体的更多细节如本文描述。

覆盖层在第一光行进(例如，在第一光行进通过或经由)并且被引出至发光装置的外部的路径上，从而增加第一光的外部引出率。

覆盖层可以包含含胺的化合物。含胺的化合物中的“胺”是指由

表示的基团，其中*、*'和*”分别表示与相邻原子A₁、A₂和A₃的结合位点，并且A₁、A₂和A₃中的每一个不经由单键或其间的任何原子团连接。A₁、A₂和A₃中的每一个可以是任何原子，例如，碳、氢等。例如，CBP不属于本公开内容中描述的含胺的化合物。

在实施方案中，覆盖层可以包含含单胺的化合物。例如，包含在覆盖层中的含胺的化合物中的“胺”的数量可以是1。

在实施方案中，包含在覆盖层中的含胺的化合物可以包含苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、萘并噁唑基团、萘并噻唑基团或其任意组合。

含胺的化合物与本公开内容中描述的相同。

通过覆盖层引出至外部的第一光的CIEy与折射率的比率值(RCR值)是38或小于38。在这点上，RCR值可以通过方程式1计算：

方程式1

CIEy/R(cap)x 100

其中，在方程式1中，

R(cap)是含胺的化合物相对于具有第一光的发射峰值波长±20nm的波长的第二光的折射率。例如，R(cap)可以是含胺的化合物相对于具有第一光的发射峰值波长±15nm的波长(例如，第一光的发射峰值波长±10nm的波长、或第一光的发射峰值波长±5nm的波长)的第二光的折射率。

在实施方案中，通过覆盖层引出的第一光的RCR值可以是38或小于38。

在实施方案中，通过覆盖层引出的第一光的RCR值可以是32.0至38.0、32.5至38.0、33.0至38.0、33.5至38.0、34.0至38.0、34.5至38.0、35.0至38.0、35.5至38.0、36.0至38.0、32.0至37.5、32.5至37.5、33.0至37.5、33.5至37.5、34.0至37.5、34.5至37.5、35.0至37.5、35.5至37.5、或36.0至37.5。

当第一光的发射峰值波长是520nm至550nm，并且通过覆盖层引出至外部的第一光的RCR值满足如以上描述的范围时，发光装置同时(并行地)具有优异的或适合的正向(0°)发光效率和侧向发光效率(例如，在从正向(0°)移动45°的位置处)。通过使用此类发光装置，可以制造高质量电子设备。

在实施方案中，CIEy可以是0.705至0.740、0.705至0.735、0.705至0.730、0.710至0.740、0.710至0.735、0.710至0.730、0.715至0.740、0.715至0.735、0.715至0.730、0.720至0.740、0.720至0.735、或0.720至0.730。

R(cap)可以通过实际测量包含含胺的化合物(例如，由含胺的化合物组成)的膜的折射率来评估(参见例如评估实施例3)。

在实施方案中，R(cap)可以是含胺的化合物相对于具有530nm的波长的第二光的折射率。

在实施方案中，R(cap)可以是1.9至2.5、1.95至2.5、2.0至2.5、2.05至2.5、1.9至2.45、1.95至2.45、2.0至2.45、2.05至2.45、1.9至2.4、1.95至2.4、2.0至2.4、2.05至2.4、1.9至2.35、1.95至2.35、2.0至2.35、2.05至2.35、1.9至2.3、1.95至2.3、2.0至2.3、2.05至2.3、1.9至2.25、1.95至2.25、2.0至2.25、2.05至2.25、1.9至2.1、1.95至2.1、2.0至2.1、2.05至2.1、1.9至2.05、或1.95至2.05。

根据本公开内容的实施方案，发光装置包括第一电极；面对第一电极的第二电极；在第一电极与第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及覆盖层，其中发射层包含第一发射体，第一发射体可以发射具有第一发射光谱的第一光，并且覆盖层可以在第一光行进的路径上(例如，在第一光行进通过或经由的路径上)，第一发射体可以包含各自键合至铱的第一配体、第二配体和第三配体，第一配体可以是包含含Y₁的环B₁和含Y₂的环B₂的二齿配体，第二配体可以是包含含Y₃的环B₃和含Y₄的环B₄的二齿配体，第三配体可以是包含含Y₅的环B₅和含Y₆的环B₆的二齿配体，Y₁、Y₃和Y₅可以各自是氮(N)，Y₂、Y₄和Y₆可以各自是碳(C)，以及含Y₂的环B₂和含Y₄的环B₄可以彼此不同，以及覆盖层包含含胺的化合物，并且含胺的化合物可以包含苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、萘并噁唑基团、萘并噻唑基团或其任意组合。

第一光、第一发射体和含胺的化合物可以各自独立地与以上描述的相同。

在实施方案中，含Y₂的环B₂可以是多环基团。

在实施方案中，第一光的发射峰值波长可以是约520nm至约550nm、约520nm至约545nm、约520nm至约540nm、约520nm至约535nm、约525nm至约550nm、约525nm至约545nm、约525nm至约540nm、或约525nm至约535nm。

在实施方案中，第一光的FWHM可以是约20nm至约60nm、约25nm至约60nm、约30nm至约60nm、约35nm至约60nm、约40nm至约60nm、约45nm至约60nm、约50nm至约60nm、或约55nm至约60nm。

在实施方案中，含胺的化合物相对于具有第一光的发射峰值波长±20nm的波长(例如，第一光的发射峰值波长±15nm的波长、第一光的发射峰值波长±10nm的波长、或第一光的发射峰值波长±5nm的波长)的第二光的折射率可以是1.9至2.5、1.95至2.5、2.0至2.5、2.05至2.5、1.9至2.45、1.95至2.45、2.0至2.45、2.05至2.45、1.9至2.4、1.95至2.4、2.0至2.4、2.05至2.4、1.9至2.35、1.95至2.35、2.0至2.35、2.05至2.35、1.9至2.3、1.95至2.3、2.0至2.3、2.05至2.3、1.9至2.25、1.95至2.25、2.0至2.25、2.05至2.25、1.9至2.1、1.95至2.1、2.0至2.1、2.05至2.1、1.9至2.05、或1.95至2.05。

如以上描述，并行地(例如，同时)包括：i)包含铱以及包含各自键合至铱的第一配体、第二配体和第三配体的第一发射体的发射层，和ii)包含包括苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、萘并噁唑基团、萘并噻唑基团或其任意组合的含胺的化合物的覆盖层的发光装置可以同时(并行地)具有优异的或适合的正向发光效率和优异的或适合的侧向发光效率。因此，通过使用该发光装置，可以制造高质量电子设备。

在实施方案中，第一发射体可以包含至少一个氘。

在实施方案中，第一发射体可以包含氘代C₁-C₂₀烷基基团、氘代C₃-C₁₀环烷基基团、或其一种或多于一种的组合。

在实施方案中，第一配体、第二配体和第三配体中的至少一个可以包含至少一个氘。

在实施方案中，第一配体、第二配体和第三配体中的至少一个可以包含氘代C₁-C₂₀烷基基团、氘代C₃-C₁₀环烷基基团、或其一种或多于一种的组合。

在实施方案中，第一发射体的最高占据分子轨道(HOMO)能级可以是-5.30eV至-4.70eV或-5.25eV至-4.80eV。

在实施方案中，第一发射体的最低未占据分子轨道(LUMO)能级可以是-2.20eV至-1.50eV或-2.10eV至-1.80eV。

HOMO和LUMO能级可以通过有机金属化合物的循环伏安法分析(例如，评估例1)来评估。

在实施方案中，第一发射体的三重态能级(T₁)可以是2.10eV至2.60eV或2.20eV至2.50eV。

第一发射体的三重态能级的评估方法可以通过参考例如评估例2来理解。

除了第一发射体之外，发射层可以进一步包含主体、辅助掺杂剂、敏化剂、延迟荧光材料、或其一种或多于一种的组合。主体、辅助掺杂剂、敏化剂、延迟荧光材料、或其一种或多于一种的组合中的每一种可以包含至少一个氘。

例如，发射层可以包含第一发射体和主体。主体可以不同于第一发射体，并且主体可以包括电子传输化合物、空穴传输化合物、双极化合物或其任意组合。主体可以不包含(例如，可以排除)金属。电子传输化合物、空穴传输化合物和双极化合物彼此不同。

在实施方案中，发射层包含第一发射体和主体，并且主体可以包括电子传输化合物和空穴传输化合物。电子传输化合物和空穴传输化合物可以形成激基复合物。

例如，电子传输化合物可以包含至少一种缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团。例如，电子传输化合物可以包含吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、或其一种或多于一种的组合。

在实施方案中，空穴传输化合物可以包含至少一种富π电子的C₃-C₆₀环状基团、吡啶基团、或其一种或多于一种的组合，并且可以不包含(例如，可以排除)电子传输基团(例如，缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团、氰基基团、亚砜基团和/或氧化膦基团；其中从前述列表中排除吡啶基团(例如，任何吡啶基团))。

在实施方案中，可以从空穴传输化合物中排除以下化合物：

在实施方案中，电子传输化合物可以包括由式2-1表示的化合物或由式2-2表示的化合物：

式2-1

式2-2

其中，在式2-1和式2-2中，

L₅₁至L₅₃可以各自独立地是单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

b51至b53可以各自独立地是1至5的整数，

A₇至A₉可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团(例如，各自未取代的或被至少一个R_10a取代的苯基团或萘基团)，

X₅₄是N或C(R₅₄)，X₅₅是N或C(R₅₅)，X₅₆是N或C(R₅₆)，并且X₅₄至X₅₆中的至少一个是N，

X₅₇可以是O、S、N(R₅₇)、C(R_57a)(R_57b)或Si(R_57a)(R_57b)，以及

R₅₁至R₅₇、R_57a、R_57b和R_10a各自与本文描述的相同。

在实施方案中，空穴传输化合物可以包括由式3-1表示的化合物、由式3-2表示的化合物、由式3-3表示的化合物、由式3-4表示的化合物、由式3-5表示的化合物、或其一种或多于一种的组合：

式3-1

式3-2

式3-3

式3-4

式3-5

其中，在式3-1至式3-5中，

环CY₇₁至环CY₇₄可以各自独立地是富π电子的C₃-C₆₀环状基团(例如，苯基团、萘基团、芴基团、蒽基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团或二苯并噻吩基团)或吡啶基团，

X₈₂可以是单键、O、S、N[(L₈₂)_b82-R₈₂]、C(R_82a)(R_82b)或Si(R_82a)(R_82b)，

X₈₃可以是单键、O、S、N[(L₈₃)_b83-R₈₃]、C(R_83a)(R_83b)或Si(R_83a)(R_83b)，

X₈₄可以是O、S、N[(L₈₄)_b84-R₈₄]、C(R_84a)(R_84b)或Si(R_84a)(R_84b)，X₈₅可以是C或Si，

L₈₁至L₈₅可以各自独立地是单键、*-C(Q₄)(Q₅)-*'、*-Si(Q₄)(Q₅)-*'、各自未取代的或被至少一个R_10a取代的富π电子的二价C₃-C₆₀环状基团(例如，各自未取代的或被至少一个R_10a取代的苯基团、萘基团、芴基团、蒽基团、咔唑基团、二苯并呋喃基团或二苯并噻吩基团)、或未取代的或被至少一个R_10a取代的吡啶基团，其中Q₄和Q₅可以各自独立地与关于Q₁描述的相同，以及*和*'各自是指与相邻原子的结合位点，

b81至b85可以各自独立地是1至5的整数，

R₇₁至R₇₄、R₈₁至R₈₅、R_82a、R_82b、R_83a、R_83b、R_84a和R_84b可以各自与本文描述的相同，

a71至a74可以各自独立地是0至20的整数，以及

R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解。

发光装置的覆盖层可以在第一电极外部和/或在第二电极外部。

在实施方案中，发光装置可以进一步包括在第一电极外部的第一覆盖层和/或在第二电极外部的第二覆盖层，其中第一覆盖层和/或第二覆盖层可以包含本公开内容中描述的含胺的化合物。

在实施方案中，发光装置可以进一步包括：

在第一电极外部并且包含本公开内容中描述的含胺的化合物的第一覆盖层；

在第二电极外部并且包含本公开内容中描述的含胺的化合物的第二覆盖层；或者

第一覆盖层和第二覆盖层。

在实施方案中，发光装置可以进一步包括第三覆盖层，并且第三覆盖层可以包含不同于本公开内容中描述的含胺的化合物的化合物。第三覆盖层可以在由第一发射体发射的第一光行进的路径上(例如，在由第一发射体发射的第一光行进通过或经由的路径上)。

在实施方案中，第三覆盖层可以包含具有1.6或大于1.6的折射率(在589nm处)的材料。

在实施方案中，第三覆盖层可以是包含有机材料的有机覆盖层、包含无机材料的无机覆盖层、和/或包含有机材料和无机材料的有机-无机复合覆盖层。

例如，第三覆盖层可以包含碳环化合物、杂环化合物、含胺基团的化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属络合物、碱土金属络合物、或其一种或多于一种的组合。任选地，碳环化合物、杂环化合物和含胺基团的化合物可以被含有O、N、S、Se、Si、F、Cl、Br、I、或其一种或多于一种的组合的取代基取代。

例如，第三覆盖层可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其组合。

在实施方案中，第三覆盖层可以包含化合物HT28至化合物HT33中的至少一种、化合物CP1至化合物CP6中的至少一种(化合物CP3与化合物B02相同/化合物CP1至化合物CP6分别区别于本公开内容中描述的化合物CP01至化合物CP06)、β-NPB、或其一种或多于一种的化合物：

在一个或多于一个的实施方案中，发光装置可以进一步包括：

i)其中第一电极、中间层、第二电极和第二覆盖层(包含本公开内容中描述的含胺的化合物)依次堆叠的结构；

ii)其中第一电极、中间层、第二电极、第三覆盖层(包含不同于本公开内容中描述的含胺的化合物的化合物)和第二覆盖层(包含本公开内容中描述的含胺的化合物)依次堆叠的结构，或者

iii)其中第一电极、中间层、第二电极、第二覆盖层(包含本公开内容中描述的含胺的化合物)和第三覆盖层(包含不同于本公开内容中描述的含胺的化合物的化合物)依次堆叠的结构。

在这点上，从包括在中间层中的发射层的第一发射体发射的第一光可以通过第二电极并且然后通过第二覆盖层(或第二覆盖层和第三覆盖层)引出至发光装置的外部，并且第二电极可以是半透反射电极或透射电极。

措辞“中间层(或覆盖层)包含第一发射体(或含胺的化合物)”是指“中间层(或覆盖层)可以包含属于第一发射体类别的一种类型或种类的化合物或者属于第一发射体的两种或多于两种的类型(种类)的不同化合物(或者属于含胺的化合物的一种类型或种类的化合物或者属于含胺的化合物的两种或多于两种的不同化合物)。

如本文使用的术语“中间层”是指发光装置的第一电极与第二电极之间的单个层和/或多个层。

本公开内容的实施方案提供了包括发光装置的电子设备。电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。例如，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，其中发光装置的第一电极可以电联接至源电极或漏电极。在实施方案中，电子设备可以进一步包括滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层、或其一种或多于一种的组合。关于电子设备的更多细节，可以参考本文提供的相关描述。

本公开内容的实施方案提供了包括发光装置的消费品。

例如，消费品可以是选自平板显示器、曲面显示器、计算机监视器、医疗监视器、TV、广告牌、室内或室外照明和/或信号灯、平视显示器、全透明或部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可拉伸显示器、激光打印机、电话、移动电话、平板电脑、平板电话、个人数字助理(PDA)、可佩戴装置、膝上型计算机、数码相机、摄录像机、取景器、微型显示器、3D显示器、虚拟或增强现实显示器、车辆、包括拼接在一起的多个显示器的视频墙、剧场或体育场屏幕、光疗装置、标牌等中的一种。

式的描述

第一发射体可以是例如由式1表示的有机金属化合物。在一些实施方案中，含胺的化合物可以是例如由式8表示的化合物：

式1

Ir(L₁)(L₂)(L₃)

式8

其中，在式1中，

L₁是键合至式1的Ir并且由式1-1表示的第一配体，

L₂是键合至式1的Ir并且由式1-2表示的第二配体，以及L₃是键合至式1的Ir并且由式1-3表示的第三配体：

其中，在式1-1至式1-3和式8中，

Y₁、Y₃和Y₅中的每一个是氮(N)，

Y₂、Y₄和Y₆中的每一个是碳(C)，

环B₁至环B₆可以各自独立地是C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，并且式1-1的含Y₂的环B₂不同于式1-2的含Y₄的环B₄，

Ar₁至Ar₃可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，和Z₁至Z₃可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

x1至x3可以各自独立地是0至10的整数中的一个，

i)当x1是0时，*-(Ar₁)_x1-*'可以是单键，ii)当x2是0时，*-(Ar₂)_x2-*'可以是单键，以及iii)当x3是0时，*-(Ar₃)_x3-*'可以是单键，

W₁至W₆可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₇-C₆₀芳基烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

b1至b6可以各自独立地是0至20的整数，

式1-1至式1-3中的*和*'可以各自表示与式1中的Ir的结合位点，

i)数量为b1的W₁中的两个基团，ii)数量为b2的W₂中的两个基团，iii)数量为b3的W₃中的两个基团，iv)数量为b4的W₄中的两个基团，v)数量为b5的W₅中的两个基团，以及vi)数量为b6的W₆中的两个基团中的每种可以任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

R_10a可以是：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团，

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₁₁)(Q₁₂)(Q₁₃)、-N(Q₁₁)(Q₁₂)、-B(Q₁₁)(Q₁₂)、-C(＝O)(Q₁₁)、-S(＝O)₂(Q₁₁)、-P(＝O)(Q₁₁)(Q₁₂)或其一种或多于一种的组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团或C₁-C₆₀烷氧基基团，

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团、C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-Si(Q₂₁)(Q₂₂)(Q₂₃)、-N(Q₂₁)(Q₂₂)、-B(Q₂₁)(Q₂₂)、-C(＝O)(Q₂₁)、-S(＝O)₂(Q₂₁)、-P(＝O)(Q₂₁)(Q₂₂)或其一种或多于一种的组合取代的C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、C₆-C₆₀芳氧基基团、C₆-C₆₀芳硫基基团、C₇-C₆₀芳基烷基基团或C₂-C₆₀杂芳基烷基基团；或者

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)，

其中Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；或者各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其一种或多于一种的组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团。

在实施方案中，由式1表示的有机金属化合物可以是异配络合物。

在一个或多于一个的实施方案中，在式1中，

i)L₃可以与L₂相同，

ii)L₃可以与L₁相同，或者

iii)L₃可以与L₁和L₂中的每一个不同。

在实施方案中，环B₁、环B₃和环B₅可以各自独立地是：

吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团或三嗪基团；或者

环戊烷基团、环己烷基团、降冰片烷基团、苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、呋喃基团、噻吩基团、硒吩基团、吡咯基团、环戊二烯基团、噻咯基团或其一种或多于一种的组合与其稠合的吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团或三嗪基团。

在实施方案中，环B₁、环B₃和环B₅可以各自是吡啶基团。

在实施方案中，环B₁、环B₃和环B₅可以各自独立地是：

苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团或哒嗪基团；或者

环戊烷基团、环己烷基团、降冰片烷基团、苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、呋喃基团、噻吩基团、硒酚基团、吡咯基团、环戊二烯基团、噻咯基团或其一种或多于一种的组合与其稠合的苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团或哒嗪基团。

在实施方案中，环B₂可以是环戊烷基团、环己烷基团、降冰片烷基团、苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、呋喃基团、噻吩基团、硒酚基团、吡咯基团、环戊二烯基团、噻咯基团或其一种或多于一种的组合与其稠合的苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团或哒嗪基团。

在实施方案中，环B₂可以是其中呋喃基团、噻吩基团、硒酚基团、吡咯基团、环戊二烯基团和噻咯基团中的一种与选自苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团和哒嗪基团中的至少两种稠合的多环基团。

在实施方案中，环B₂可以是二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、二苯并硒酚基团、咔唑基团、芴基团、二苯并噻咯基团、萘并苯并呋喃基团、萘并苯并噻吩基团、萘并苯并硒酚基团、苯并咔唑基团、苯并芴基团、苯并二苯并噻咯基团、二萘并呋喃基团、二萘并噻吩基团、二萘并硒酚基团、二苯并咔唑基团、二苯并芴基团、二萘并噻咯基团、菲并苯并呋喃基团、菲并苯并噻吩基团、菲并苯并硒酚基团、萘并咔唑基团、萘并芴基团、菲并苯并噻咯基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并硒酚基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂萘并苯并呋喃基团、氮杂萘并苯并噻吩基团、氮杂萘并苯并硒酚基团、氮杂苯并咔唑基团、氮杂苯并芴基团、氮杂苯并二苯并噻咯基团、氮杂二萘并呋喃基团、氮杂二萘并噻吩基团、氮杂二萘并硒酚基团、氮杂二苯并咔唑基团、氮杂二苯并芴基团、氮杂二萘并噻咯基团、氮杂菲并苯并呋喃基团、氮杂菲并苯并噻吩基团、氮杂菲并苯并硒酚基团、氮杂萘并咔唑基团、氮杂萘并芴基团或氮杂菲并苯并噻咯基团。

在实施方案中，环B₂可以是二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、二苯并硒酚基团、萘并苯并呋喃基团、萘并苯并噻吩基团、萘并苯并硒酚基团、二萘并呋喃基团、二萘并噻吩基团、二萘并硒酚基团、菲并苯并呋喃基团、菲并苯并噻吩基团、菲并苯并硒酚基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并硒酚基团、氮杂萘并苯并呋喃基团、氮杂萘并苯并噻吩基团、氮杂萘并苯并硒酚基团、氮杂二萘并呋喃基团、氮杂二萘并噻吩基团、氮杂二萘并硒酚基团、氮杂菲并苯并呋喃基团、氮杂菲并苯并噻吩基团或氮杂菲并苯并硒酚基团。

在实施方案中，环B₄可以是苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团或哒嗪基团。

在实施方案中，环B₆可以是苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、二苯并呋喃基团、二苯并噻吩基团、二苯并硒酚基团、咔唑基团、芴基团、二苯并噻咯基团、萘并苯并呋喃基团、萘并苯并噻吩基团、萘并苯并硒酚基团、苯并咔唑基团、苯并芴基团、苯并二苯并噻咯基团、二萘并呋喃基团、二萘并噻吩基团、二萘并硒酚基团、二苯并咔唑基团、二苯并芴基团、二萘并噻咯基团、菲并苯并呋喃基团、菲并苯并噻吩基团、菲并苯并硒酚基团、萘并咔唑基团、萘并芴基团、菲并苯并噻咯基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并硒酚基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂萘并苯并呋喃基团、氮杂萘并苯并噻吩基团、氮杂萘并苯并硒酚基团、氮杂苯并咔唑基团、氮杂苯并芴基团、氮杂苯并二苯并噻咯基团、氮杂二萘并呋喃基团、氮杂二萘并噻吩基团、氮杂二萘并硒酚基团、氮杂二苯并咔唑基团、氮杂二苯并芴基团、氮杂二萘并噻咯基团、氮杂菲并苯并呋喃基团、氮杂菲并苯并噻吩基团、氮杂菲并苯并硒酚基团、氮杂萘并咔唑基团、氮杂萘并芴基团或氮杂菲并苯并噻咯基团。

在实施方案中，式8中的Ar₁至Ar₃和Z₁至Z₃可以各自独立地是各自未取代的或被至少一个R_10a取代的苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、萘并噁唑基团或萘并噻唑基团。例如，式8中的Z₁至Z₃中的至少一个可以各自独立地是各自未取代的或被至少一个R_10a取代的苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、萘并噁唑基团或萘并噻唑基团。在这点上，R_10a可以是：氘；被至少一个氘取代的或未取代的C₁-C₂₀烷基基团；各自未取代的或被氘、C₁-C₂₀烷基基团、C₃-C₂₀碳环基团、C₁-C₂₀杂环基团或其一种或多于一种的组合取代的C₃-C₂₀碳环基团或C₁-C₂₀杂环基团。

式8中的x1、x2和x3分别表示Ar₁的数量、Ar₂的数量和Ar₃的数量，并且，例如，可以各自独立地是0、1、2或3。

在实施方案中，式1中的W₁至W₆可以各自独立地是：

氢、氘、-F或氰基基团；

各自未取代的或被氘、-F、氰基基团或其一种或多于一种的组合取代的C₁-C₂₀烷基基团或C₃-C₁₀环烷基基团；

各自未取代的或被氘、-F、氰基基团、C₁-C₂₀烷基基团、氘代C₁-C₂₀烷基基团、氟化C₁-C₂₀烷基基团、苯基基团、氘代苯基基团、氟化苯基基团、(C₁-C₂₀烷基)苯基基团、联苯基基团、氘代联苯基基团、氟化联苯基基团、(C₁-C₂₀烷基)联苯基基团或其一种或多于一种的组合取代的苯基基团、联苯基基团、萘基基团、二苯并呋喃基基团或二苯并噻吩基基团；或者

-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)。

在这点上，Q₁至Q₃各自与以上描述的相同。

在实施方案中，W₁至W₆中的至少一个可以包含至少一个氘。

在实施方案中，W₁至W₆中的至少一个可以是氘代C₁-C₂₀烷基基团或氘代C₃-C₁₀环烷基基团。

如本文使用的术语“联苯基基团”是指具有其中两个苯基团通过单键彼此连接的结构的单价取代基。

如本文使用的C₃-C₁₀环烷基基团的实例是环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团等。

本文使用的术语“氘代”包括完全氘代和部分氘代两者(例如，同时)。

本文使用的术语“氟化”包括完全氟化和部分氟化两者(例如，同时)。

式1中的b1至b6分别表示W₁至W₆的数量，并且例如，可以各自独立地是0、1、2、3或4。当b1是2或大于2时，两个或多于两个的W₁可以彼此相同或不同，当b2是2或大于2时，两个或多于两个的W₂可以彼此相同或不同，当b3是2或大于2时，两个或多于两个的W₃可以彼此相同或不同，当b4是2或大于2时，两个或多于两个的W₄可以彼此相同或不同，当b5是2或大于2时，两个或多于两个的W₅可以彼此相同或不同，并且当b6是2或大于2时，两个或多于两个的W₆可以彼此相同或不同。

在实施方案中，第一发射体可以是由式1A表示的有机金属化合物：

式1A

在实施方案中，第一发射体可以是由式1A-1表示的有机金属化合物：

式1A-1

其中，在式1A和式1A-1中，

n可以是1或2，

环B₂₁可以是C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团，

Y₁₁可以是C(W₁₁)或N，Y₁₂可以是C(W₁₂)或N，Y₁₃可以是C(W₁₃)或N，Y₁₄可以是C(W₁₄)或N，Y₂₁可以是C(W₂₁)或N，Y₂₂可以是C(W₂₂)或N，Y₂₃可以是C(W₂₃)或N，Y₂₄可以是C(W₂₄)或N，Y₂₅可以是C(W₂₅)或N，Y₂₆可以是C(W₂₆)或N，Y₃₁可以是C(W₃₁)或N，Y₃₂可以是C(W₃₂)或N，Y₃₃可以是C(W₃₃)或N，Y₃₄可以是C(W₃₄)或N，Y₄₁可以是C(W₄₁)或N，Y₄₂可以是C(W₄₂)或N，Y₄₃可以是C(W₄₃)或N，并且Y₄₄可以是C(W₄₄)或N，

Y₂₇可以是O、S、Se、N(W₂₇)或C(W_27a)(W_27b)，

W₁₁至W₁₄各自与关于W₁描述的相同，

W₂₁至W₂₇、W_27a和W_27b各自与关于W₂描述的相同，

b23可以是0至20的整数，

W₃₁至W₃₄各自与关于W₃描述的相同，

W₄₁至W₄₄各自与关于W₄描述的相同，

W₁₁至W₁₄中的两个或多于两个可以任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

W₂₁至W₂₇以及W_27a和W_27b中的两个或多于两个可以任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

W₃₁至W₃₄中的两个或多于两个可以任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，以及

W₄₁至W₄₄中的两个或多于两个可以任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团；R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解。

因为式1A和式1A-1中的n是1或2，所以式1A和式1A-1可以对应于其中式1中的第三配体与第二配体或第一配体相同的有机金属化合物。

在实施方案中，式1A中的环B₂₁可以是苯基团、萘基团、菲基团、蒽基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、苯并喹喔啉基团或苯并喹唑啉基团。

在实施方案中，式1A中的环B₂₁可以是吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、苯并喹喔啉基团或苯并喹唑啉基团。

在实施方案中，式1A-1中的Y₂₁至Y₂₆中的至少一个可以是N。

在实施方案中，式1A-1中的Y₂₃至Y₂₆中的至少一个可以是N。

在实施方案中，式1A-1中的Y₂₆可以是N。

在实施方案中，式1A-1中的Y₂₁至Y₂₅可以不是N，并且Y₂₆可以是N。

在实施方案中，式1A和式1A-1中的Y₁₁至Y₁₄、Y₂₁、Y₂₂、Y₃₁至Y₃₄和Y₄₁至Y₄₄中的每一个可以不是N。

在实施方式中，式1-1中的由

表示的基团、式1-2中的由/>

表示的基团、式1-3中的由/>

表示的基团、式1A和式1A-1中的由/>

表示的基团以及式1A和式1A-1中的由/>

表示的基团可以各自独立地是由式BN-1至式BN-16中的一个表示的基团：

其中，在式BN-1至式BN-16中，

W₇₁至W₇₄各自与关于W₁、W₃或W₅描述的相同，条件是W₇₁至W₇₄中的每一个可以不是氢，

*表示与式1、式1A和式1A-1中的铱的结合位点，以及

*”表示与式1、式1A和式1A-1中的相邻原子的结合位点。

在实施方式中，式1-1中的由

表示的基团、式1-2中的由/>

表示的基团和式1-3中的由/>

表示的基团可以各自独立地是由式BC-1至式BC-47中的一个表示的基团：

/>

/>

其中，在式BC-1至式BC-47中，

Y₈₀可以是O、S、Se、N(W₈₀)、C(W_80a)(W_80b)或Si(W_80a)(W_80b)，W₈₀、W_80a和W_80b各自与关于W₂、W₄或W₆描述的相同，

*'表示与式1中的铱的结合位点，以及

*”表示与式1中的相邻原子的结合位点。

式BC-1至式BC-47可以是被如以上描述的W₂、W₄或W₆取代的或未取代的，并且可以参考式1-1、式1-2和式1-3的结构来理解。

在实施方案中，式1-1中的由

表示的基团可以是式BC-6至式BC-47中的一种。

在实施方案中，式1-2中的由

表示的基团可以是式BC-1至式BC-5中的一种。/>

在实施方案中，含胺的化合物可以由诸如式8-1的化合物表示：

式8-1

其中，在式8-1中，

Ar₁至Ar₃和x1至x3各自与以上描述的相同，

Z₁₁至Z₁₃可以各自独立地是O或S，

Z₂₁至Z₂₃各自与关于R_10a描述的相同，

y1至y3可以各自独立地是0至4的整数。

式2-1和式2-2中的b51至b53分别表示L₅₁至L₅₃的数量，并且可以各自是1至5的整数。当b51是2或大于2时，两个或多于两个的L₅₁可以彼此相同或不同，当b52是2或大于2时，两个或多于两个的L₅₂可以彼此相同或不同，并且当b53是2或大于2时，两个或多于两个的L₅₃可以彼此相同或不同。在实施方案中，b51至b53可以各自独立地是1或2。

式2-1和式2-2中的L₅₁至L₅₃可以各自独立地是

单键；或者

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、三嗪基基团、芴基基团、二甲基芴基基团、二苯基芴基基团、咔唑基基团、苯基咔唑基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并噻咯基基团、二甲基二苯并噻咯基基团、二苯基二苯并噻咯基基团、-O(Q₃₁)、-S(Q₃₁)、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-P(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或其一种或多于一种的组合取代的苯基团、萘基团、蒽基团、菲基团、苯并菲基团、芘基团、

基团、环戊二烯基团、呋喃基团、噻吩基团、噻咯基团、茚基团、芴基团、吲哚基团、咔唑基团、苯并呋喃基团、二苯并呋喃基团、苯并噻吩基团、二苯并噻吩基团、苯并噻咯基团、二苯并噻咯基团、氮杂芴基团、氮杂咔唑基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并噻咯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、菲咯啉基团、吡咯基团、吡唑基团、咪唑基团、***基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团、苯并噻二唑基团、二苯并氧杂硅杂环己二烯基团、二苯并硫杂硅杂环己二烯基团、二苯并二氢氮杂硅杂环己二烯基团、二苯并二氢二硅杂环己二烯基团、二苯并二氢硅杂环己二烯基团、二苯并二氧杂环己二烯基团、二苯并氧杂硫杂环己二烯基团、二苯并噁嗪基团、二苯并吡喃基团、二苯并二硫杂环己二烯基团、二苯并噻嗪基团、二苯并噻喃基团、二苯并环己二烯基团、二苯并二氢吡啶基团、二苯并二氢吡嗪基团、吲哚并咔唑基团、吲哚并二苯并呋喃基团或吲哚并二苯并噻吩基团，

其中Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是氢、氘、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团或三嗪基基团。

在式2-1和式2-2中，X₅₄可以是N或C(R₅₄)，X₅₅可以是N或C(R₅₅)，X₅₆可以是N或C(R₅₆)，并且X₅₄至X₅₆中的至少一个可以是N。R₅₄至R₅₆可以各自独立地与以上描述的相同。在实施方案中，X₅₄至X₅₆中的两个或三个可以是N。

R₅₁至R₅₇、R_57a、R_57b、R₇₁至R₇₄、R₈₁至R₈₅、R_82a、R_82b、R_83a、R_83b、R_84a和R_84b可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀炔基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₆-C₆₀芳硫基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₇-C₆₀芳基烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₆₀杂芳基烷基基团、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)。Q₁至Q₃可以各自独立地与本公开内容中描述的相同。

例如，i)式1、式1A、式1A-1、式BN-1至式BN-16和式BC-1至式BC-47中的W₁至W₆、W₁₁至W₁₄、W₂₁至W₂₇、W_27a、W_27b、W₃₁至W₃₄、W₄₁至W₄₄、W₇₁至W₇₄、W₈₀、W_80a和W_80b，ii)式2-1、式2-2和式3-1至式3-5中的R₅₁至R₅₇、R_57a、R_57b、R₇₁至R₇₄、R₈₁至R₈₅、R_82a、R_82b、R_83a、R_83b、R_84a和R_84b，以及iii)R_10a可以各自独立地是：

氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₂₀烷基基团或C₁-C₂₀烷氧基基团；

各自被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₁₀烷基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团或其一种或多于一种的组合取代的C₁-C₂₀烷基基团或C₁-C₂₀烷氧基基团；

各自未取代的或者被氘、-F、-Cl、-Br、-I、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、C₁-C₁₀烷基苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、

基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并噻唑基基团、苯并异噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、***基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、-O(Q₃₁)、-S(Q₃₁)、-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-P(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)、-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)或其一种或多于一种的组合取代的环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团、降冰片烯基基团、环戊烯基基团、环己烯基基团、环庚烯基基团、苯基基团、联苯基基团、C₁-C₁₀烷基苯基基团、萘基基团、芴基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、/>

基基团、吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、咪唑基基团、吡唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、吡啶基基团、吡嗪基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、异吲哚基基团、吲哚基基团、吲唑基基团、嘌呤基基团、喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并喹啉基基团、喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、噌啉基基团、咔唑基基团、菲咯啉基基团、苯并咪唑基基团、苯并呋喃基基团、苯并噻吩基基团、苯并异噻唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并异噁唑基基团、***基基团、四唑基基团、噁二唑基基团、三嗪基基团、二苯并呋喃基基团、二苯并噻吩基基团、苯并咔唑基基团、二苯并咔唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团或由式91表示的基团；或者

-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-N(Q₁)(Q₂)、-B(Q₁)(Q₂)、-C(＝O)(Q₁)、-S(＝O)₂(Q₁)或-P(＝O)(Q₁)(Q₂)，

Q₁至Q₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是：

-CH₃、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CH₂CH₃、-CH₂CD₃、-CH₂CD₂H、-CH₂CDH₂、-CHDCH₃、-CHDCD₂H、-CHDCDH₂、-CHDCD₃、-CD₂CD₃、-CD₂CD₂H或-CD₂CDH₂；或者

各自未取代的或者被氘、C₁-C₁₀烷基基团、苯基基团、联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团、三嗪基基团或其一种或多于一种的组合取代的正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、异丁基基团、仲丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、叔戊基基团、苯基基团、萘基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团或三嗪基基团：

式91

其中，在式91中，

环CY₉₁和环CY₉₂可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₅-C₃₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₃₀杂环基团，

X₉₁可以是单键、O、S、N(R₉₁)、B(R₉₁)、C(R_91a)(R_91b)或Si(R_91a)(R_91b)，

R₉₁、R_91a和R_91b可以分别通过参考本文提供的R₈₂、R_82a和R_82b的描述来理解。

R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解，以及

*表示与相邻原子的结合位点。

例如，在式91中，

环CY₉₁和环CY₉₂可以各自独立地是各自未取代的或被至少一个R_10a取代的苯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团或三嗪基团，

R₉₁、R_91a和R_91b可以各自独立地是：

氢或C₁-C₁₀烷基基团；或者

各自未取代的或者被氘、C₁-C₁₀烷基基团、苯基基团、联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团、三嗪基基团或其一种或多于一种的组合取代的苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团或三嗪基基团。

在实施方案中，i)式1、式1A、式1A-1、式BN-1至式BN-16和式BC-1至式BC-47中的W₁至W₆、W₁₁至W₁₄、W₂₁至W₂₇、W_27a、W_27b、W₃₁至W₃₄、W₄₁至W₄₄、W₇₁至W₇₄、W₈₀、W_80a和W_80b，ii)式2-1、式2-2和式3-1至式3-5中的R₅₁至R₅₇、R_57a、R_57b、R₇₁至R₇₄、R₈₁至R₈₅、R_82a、R_82b、R_83a、R_83b、R_84a和R_84b，以及iii)R_10a可以各自独立地是氢、氘、-F、氰基基团、硝基基团、-CH₃、-CD₃、-CD₂H、-CDH₂、-CF₃、-CF₂H、-CFH₂、由式9-1至式9-19中的一种表示的基团、由式10-1至式10-246中的一种表示的基团、-C(Q₁)(Q₂)(Q₃)、-Si(Q₁)(Q₂)(Q₃)或-P(＝O)(Q₁)(Q₃)(其中Q₁至Q₃可以各自与以上描述的相同)(其中R_10a和W₇₁至W₇₄中的每一个不是氢)：

/>

/>

/>

/>

/>

其中，在式9-1至式9-19和式10-1至式10-246中，*表示与相邻原子的结合位点，“Ph”表示苯基基团，并且“TMS”表示三甲基甲硅烷基基团。

式3-1至式3-5中的a71至a74分别表示R₇₁至R₇₄的数量，并且可以各自独立地是0至20的整数。当a71是2或大于2时，两个或多于两个的R₇₁可以彼此相同或不同，当a72是2或大于2时，两个或多于两个的R₇₂可以彼此相同或不同，当a73是2或大于2时，两个或多于两个的R₇₃可以彼此相同或不同，并且当a74是2或大于2时，两个或多于两个的R₇₄可以彼此相同或不同。a71至a74可以各自独立地是0至8的整数。

在式1中，i)数量为b1的W₁中的两个或多于两个可以任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，ii)数量为b2的W₂中的两个或多于两个可以任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，iii)数量为b3的W₃中的两个或多于两个可以任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，iv)数量为b4的W₄中的两个或多于两个可以任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，v)数量为b5的W₅中的两个或多于两个可以任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，和/或vi)数量为b6的W₆中的两个或多于两个可以任选地彼此键合以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团。

式3-1至式3-5中的L₈₁至L₈₅可以各自独立地是：

单键；或者

*-C(Q₄)(Q₅)-*'或*-Si(Q₄)(Q₅)-*'，其中*和*'各自是指与相邻原子的结合位点；或者

基团、环戊二烯基团、呋喃基团、噻吩基团、噻咯基团、茚基团、芴基团、吲哚基团、咔唑基团、苯并呋喃基团、二苯并呋喃基团、苯并噻吩基团、二苯并噻吩基团、苯并噻咯基团、二苯并噻咯基团、氮杂芴基团、氮杂咔唑基团、氮杂二苯并呋喃基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并噻咯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、喹喔啉基团、喹唑啉基团、菲咯啉基团、吡咯基团、吡唑基团、咪唑基团、***基团、噁唑基团、异噁唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噁二唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并噁二唑基团或苯并噻二唑基团，

其中Q₄、Q₅和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是氢、氘、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团、三联苯基基团、吡啶基基团、嘧啶基基团、哒嗪基基团、吡嗪基基团或三嗪基基团。

在一些实施方案中，式3-1和式3-2中的由

表示的基团可以由式CY71-1(1)至式CY71-1(8)中的一种表示，和/或/>

式3-1和式3-3中的由

表示的基团可以由式CY71-2(1)至式CY71-2(8)中的一种表示，和/或

式3-2和式3-4中的由

表示的基团可以由式CY71-3(1)至式CY71-3(32)中的一种表示，和/或

式3-3至式3-5中的由

表示的基团可以由式CY71-4(1)至式CY71-4(32)中的一种表示，和/或

式3-5中的由

表示的基团可以由式CY71-5(1)至式CY71-5(8)中的一种表示：/>

/>

/>

/>

在式CY71-1(1)至式CY71-1(8)、式CY71-2(1)至式CY71-2(8)、式CY71-3(1)至式CY71-3(32)、式CY71-4(1)至式CY71-4(32)和式CY71-5(1)至式CY71-5(8)中，

X₈₁至X₈₅、L₈₁、b81、R₈₁和R₈₅可以分别通过参考本文提供的X₈₁至X₈₅、L₈₁、b81、R₈₁和R₈₅的描述来理解，

X₈₆可以是单键、O、S、N(R₈₆)、B(R₈₆)、C(R_86a)(R_86b)或Si(R_86a)(R_86b)，X₈₇可以是单键、O、S、N(R₈₇)、B(R₈₇)、C(R_87a)(R_87b)或Si(R_87a)(R_87b)，

在式CY71-1(1)至式CY71-1(8)和式CY71-4(1)至式CY71-4(32)中，X₈₆和X₈₇可以不同时(并行地)是单键，

X₈₈可以是单键、O、S、N(R₈₈)、B(R₈₈)、C(R_88a)(R_88b)或Si(R_88a)(R_88b)，X₈₉可以是单键、O、S、N(R₈₉)、B(R₈₉)、C(R_89a)(R_89b)或Si(R_89a)(R_89b)，

式CY71-2(1)至式CY71-2(8)、式CY71-3(1)至式CY71-3(32)和式CY71-5(1)至式CY71-5(8)中的X₈₈和X₈₉可以不同时(并行地)是单键，以及

R₈₆至R₈₉、R_86a、R_86b、R_87a、R_87b、R_88a、R_88b、R_89a和R_89b可以各自通过参考本文提供的R₈₁的描述来理解。

化合物实施例

在实施方案中，第一发射体或者由式1、式1A或式1A-1表示的有机金属化合物可以是化合物GD-1至化合物GD-8中的一种：

在实施方案中，含胺的化合物可以是化合物CP01至化合物CP12中的一种：

图1的描述

图1是根据实施方案的发光装置10的示意性横截面视图。发光装置10包括第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层170。

在下文，将参考图1描述根据实施方案的发光装置10的结构和制造发光装置10的方法。

第一电极110

参考图1，衬底可以额外地位于第一电极110下方或第二覆盖层170上方。作为衬底，可以使用玻璃衬底和/或塑料衬底。在一个或多于一个的实施方案中，衬底可以是柔性衬底，并且可以包含具有优异的或适合的耐热性和耐久性的塑料，例如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(PAR)、聚醚酰亚胺或其一种或多于一种的组合。

可以通过例如在衬底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成第一电极110。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以是促进空穴注入的高功函数材料。

第一电极110可以是反射电极、半透反射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO₂)、氧化锌(ZnO)或其一种或多于一种的组合。在一个或多于一个的实施方案中，当第一电极110是半透反射电极或反射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括镁(Mg)、银(Ag)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或其一种或多于一种的组合。

第一电极110可以具有包括单个层(例如，由单个层组成)的单层结构或者包括多个层的多层结构。例如，第一电极110可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。

中间层130

中间层130可以在第一电极110上。中间层130可以包括发射层。

中间层130可以进一步包括在第一电极110与发射层之间的空穴传输区和在发射层与第二电极150之间的电子传输区。

除了一种或多于一种的适合的有机材料之外，中间层130可以进一步包含含金属的化合物(例如有机金属化合物)、无机材料(例如量子点)等。

在一些实施方案中，中间层130可以包括i)依次堆叠在第一电极110与第二电极150之间的两个或多于两个的发射单元，和ii)在相邻两个发射单元之间的电荷产生层。当中间层130包括如以上描述的发射单元和电荷产生层时，发光装置10可以是串联发光装置。

中间层130中的空穴传输区

空穴传输区可以具有：i)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含单一材料(例如，由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含不同材料的多个层。

空穴传输区可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其一种或多于一种的组合。

例如，空穴传输区可以具有包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构、或空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构的多层结构，每种结构的层从第一电极110依次堆叠。

空穴传输区可以包含由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或其组合：

式201

式202

其中，在式201和式202中，

L₂₀₁至L₂₀₄可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

L₂₀₅可以是*-O-*'、*-S-*'、*-N(Q₂₀₁)-*'、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀亚烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₂₀亚烯基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团、或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，以及*和*'各自是指与相邻原子的结合位点，

xa1至xa4可以各自独立地是0至5的整数，

xa5可以是1至10的整数，

R₂₀₁至R₂₀₄和Q₂₀₁可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，

R₂₀₁和R₂₀₂可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团(例如，咔唑基团等)(例如，参见化合物HT16)，

R₂₀₃和R₂₀₄可以任选地经由单键、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₅亚烷基基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₂-C₅亚烯基基团彼此连接以形成未取代的或被至少一个R_10a取代的C₈-C₆₀多环基团，以及

na1可以是1至4的整数，以及R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解。

例如，式201和式202中的每一个可以包含由式CY201至式CY217表示的基团中的至少一种：

式CY201至式CY217中的R_10b和R_10c可以各自独立地与关于R_10a描述的相同，环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以各自独立地是C₃-C₂₀碳环基团或C₁-C₂₀杂环基团，并且式CY201至式CY217中的至少一个氢可以是未取代的或被R_10a取代。

在一个或多于一个的实施方案中，式CY201至式CY217中的环CY₂₀₁至环CY₂₀₄可以各自独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。

在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以包含由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种。

在一个或多于一个的实施方案中，式201可以包含由式CY201至式CY203表示的基团中的至少一种和由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。

在一个或多于一个的实施方案中，在式201中，xa1可以是1，R₂₀₁可以是由式CY201至式CY203中的一种表示的基团，xa2可以是0，并且R₂₀₂可以是由式CY204至式CY207中的一种表示的基团。

在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含(例如，可以排除)由式CY201至式CY203中的一种表示的基团。

在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含(例如，可以排除)由式CY201至式CY203中的一种表示的基团，并且可以包含由式CY204至式CY217表示的基团中的至少一种。

在一个或多于一个的实施方案中，式201和式202中的每一个可以不包含(例如，可以排除)由式CY201至式CY217中的一种表示的基团。

在实施方案中，空穴传输区可以包含化合物HT1至化合物HT46、m-MTDATA、TDATA、2-TNATA、NPB(NPD)、β-NPB、TPD、螺-TPD、螺-NPB、甲基化-NPB、TAPC、HMTPD、4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸酯)(PANI/PSS)中的至少一种：

/>

/>

/>

/>

空穴传输区的厚度可以是约

至约/>

例如，约/>

至约/>

当空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层或其组合时，空穴注入层的厚度可以是约

至约/>

例如约/>

至约/>

并且空穴传输层的厚度可以是约

至约/>

例如约/>

至约/>

当空穴传输区、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的(适合的)空穴传输特性，而没有驱动电压的显著增加。

发射辅助层可以通过根据由发射层发射的光的波长补偿光学共振距离来增加光发射效率，并且电子阻挡层可以阻挡或减少从发射层至空穴传输区的电子的泄露。可以包含在空穴传输区中的材料也可以被包含在发射辅助层和/或电子阻挡层中。

p-掺杂剂

除了这些材料之外，空穴传输区可以进一步包含用于改善传导性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以基本上均匀地或非均匀地分散在空穴传输区中(例如，以包含电荷产生材料(例如，由电荷产生材料组成)的单个层的形式)。

电荷产生材料可以是例如p-掺杂剂。

例如，p-掺杂剂的最低未占据分子轨道(LUMO)能级可以是-3.5eV或小于-3.5eV。

在一个或多于一个的实施方案中，p-掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基基团的化合物、含元素EL1和元素EL2的化合物或其一种或多于一种的组合。

醌衍生物的实例是TCNQ、F4-TCNQ等。

含氰基基团的化合物的实例是HAT-CN和由式221表示的化合物。

式221

在式221中，

R₂₂₁至R₂₂₃可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，和R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解，以及

R₂₂₁至R₂₂₃中的至少一个可以各自独立地是各自被氰基基团；-F；-Cl；-Br；-I；被氰基基团、-F、-Cl、-Br、-I或其一种或多于一种的组合取代的C₁-C₂₀烷基基团；或其一种或多于一种的组合取代的C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团。

在包含元素EL1和元素EL2的化合物中，元素EL1可以是金属、准金属或其一种或多于一种的组合，并且元素EL2可以是非金属、准金属或其组合。

金属的实例是碱金属(例如，锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)、铯(Cs)等)；碱土金属(例如，铍(Be)、镁(Mg)、钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)等)；过渡金属(例如，钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、铌(Nb)、钽(Ta)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、锰(Mn)、锝(Tc)、铼(Re)、铁(Fe)、钌(Ru)、锇(Os)、钴(Co)、铑(Rh)、铱(Ir)、镍(Ni)、钯(Pd)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等)；后过渡金属(例如，锌(Zn)、铟(In)、锡(Sn)等)；和/或镧系金属(例如，镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等)。

准金属的实例是硅(Si)、锑(Sb)和/或碲(Te)。

非金属的实例是氧(O)和/或卤素(例如，F、Cl、Br、I等)。

包含元素EL1和元素EL2的化合物的实例是金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物和/或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物和/或准金属碘化物)、金属碲化物或其一种或多于一种的组合。

金属氧化物的实例是钨氧化物(例如，WO、W₂O₃、WO₂、WO₃、W₂O₅等)、钒氧化物(例如，VO、V₂O₃、VO₂、V₂O₅等)、钼氧化物(例如，MoO、Mo₂O₃、MoO₂、MoO₃、Mo₂O₅等)和/或铼氧化物(例如，ReO₃等)。

金属卤化物的实例是碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和/或镧系金属卤化物。

碱金属卤化物的实例是LiF、NaF、KF、RbF、CsF、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、LiI、NaI、KI、RbI和/或CsI。

碱土金属卤化物的实例是BeF₂、MgF₂、CaF₂、SrF₂、BaF₂、BeCl₂、MgCl₂、CaCl₂、SrCl₂、BaCl₂、BeBr₂、MgBr₂、CaBr₂、SrBr₂、BaBr₂、BeI₂、MgI₂、CaI₂、SrI₂和/或BaI₂。

过渡金属卤化物的实例是钛卤化物(例如，TiF₄、TiCl₄、TiBr₄、TiI₄等)、锆卤化物(例如，ZrF₄、ZrCl₄、ZrBr₄、ZrI₄等)、铪卤化物(例如，HfF₄、HfCl₄、HfBr₄、HfI₄等)、钒卤化物(例如，VF₃、VCl₃、VBr₃、VI₃等)、铌卤化物(例如，NbF₃、NbCl₃、NbBr₃、NbI₃等)、钽卤化物(例如，TaF₃、TaCl₃、TaBr₃、TaI₃等)、铬卤化物(例如，CrF₃、CrCl₃、CrBr₃、CrI₃等)、钼卤化物(例如，MoF₃、MoCl₃、MoBr₃、MoI₃等)、钨卤化物(例如，WF₃、WCl₃、WBr₃、WI₃等)、锰卤化物(例如，MnF₂、MnCl₂、MnBr₂、MnI₂等)、锝卤化物(例如，TcF₂、TcCl₂、TcBr₂、TcI₂等)、铼卤化物(例如，ReF₂、ReCl₂、ReBr₂、ReI₂等)、铁卤化物(例如，FeF₂、FeCl₂、FeBr₂、FeI₂等)、钌卤化物(例如，RuF₂、RuCl₂、RuBr₂、RuI₂等)、锇卤化物(例如，OsF₂、OsCl₂、OsBr₂、OsI₂等)、钴卤化物(例如，CoF₂、CoCl₂、CoBr₂、CoI₂等)、铑卤化物(例如，RhF₂、RhCl₂、RhBr₂、RhI₂等)、铱卤化物(例如，IrF₂、IrCl₂、IrBr₂、IrI₂等)、镍卤化物(例如，NiF₂、NiCl₂、NiBr₂、NiI₂等)、钯卤化物(例如，PdF₂、PdCl₂、PdBr₂、PdI₂等)、铂卤化物(例如，PtF₂、PtCl₂、PtBr₂、PtI₂等)、铜卤化物(例如，CuF、CuCl、CuBr、CuI等)、银卤化物(例如，AgF、AgCl、AgBr、AgI等)和/或金卤化物(例如，AuF、AuCl、AuBr、AuI等)。

后过渡金属卤化物的实例是锌卤化物(例如，ZnF₂、ZnCl₂、ZnBr₂、ZnI₂等)、铟卤化物(例如，InI₃等)和/或锡卤化物(例如，SnI₂等)。

镧系金属卤化物的实例是YbF、YbF₂、YbF₃、SmF₃、YbCl、YbCl₂、YbCl₃、SmCl₃、YbBr、YbBr₂、YbBr₃、SmBr₃、YbI、YbI₂、YbI₃、SmI₃等。

准金属卤化物的实例是锑卤化物(例如，SbCl₅等)。

金属碲化物的实例是碱金属碲化物(例如，Li₂Te、Na₂Te、K₂Te、Rb₂Te、Cs₂Te等)、碱土金属碲化物(例如，BeTe、MgTe、CaTe、SrTe、BaTe等)、过渡金属碲化物(例如，TiTe₂、ZrTe₂、HfTe₂、V₂Te₃、Nb₂Te₃、Ta₂Te₃、Cr₂Te₃、Mo₂Te₃、W₂Te₃、MnTe、TcTe、ReTe、FeTe、RuTe、OsTe、CoTe、RhTe、IrTe、NiTe、PdTe、PtTe、Cu₂Te、CuTe、Ag₂Te、AgTe、Au₂Te等)、后过渡金属碲化物(例如，ZnTe等)和/或镧系金属碲化物(例如，LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe等)。

中间层130中的发射层

当发光装置10是全色发光装置时，根据子像素，可以将发射层图案化成红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以具有选自红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或多于两个的层的堆叠结构，其中所述两个或多于两个的层彼此接触或彼此分开以发射白色光。在一个或多于一个的实施方案中，发射层可以包含选自发红色光的材料、发绿色光的材料和发蓝色光的材料中的两种或多于两种的材料，其中所述两种或多于两种的材料在单个层中彼此混合以发射白色光。

在实施方案中，除了如本公开内容中描述的第一发射体之外，发射层可以进一步包含主体、辅助掺杂剂、敏化剂、延迟荧光材料或其一种或多于一种的组合。

当发射层除了第一发射体之外进一步包含主体时，基于100重量份的主体，第一发射体的量是约0.01重量份至约15重量份。

发射层的厚度可以是约

至约/>

例如约/>

至约/>

当发射层的厚度在这些范围内时，可以获得优异的或适合的光发射特性，而没有驱动电压的显著增加。

主体

发射层中的主体可以包括本文描述的电子传输化合物(例如，参考由式2-1或式2-2表示的化合物)、本文描述的空穴传输化合物(例如，参考由式3-1至式3-5中的一种表示的化合物)或其组合。

在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括碱土金属络合物、后过渡金属络合物或其组合。例如，主体可以包括Be络合物(例如，化合物H55)、Mg络合物、Zn络合物或其一种或多于一种的组合。

在一个或多于一个的实施方案中，主体可以包括化合物H1至化合物H130、9,10-二(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(TBADN)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、1,3-二(9-咔唑基)苯(mCP)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(TCP)中的至少一种：

/>

/>

/>

/>

/>

/>

/>

在实施方案中，主体可以包括含硅的化合物、含氧化膦的化合物或其组合。

主体可以具有一种或多于一种的适合的修饰。例如，主体可以包括仅一个种类的化合物，或者可以包括两个或多于两个种类的不同化合物。

磷光掺杂剂

发射层可以包含如本文描述的第一发射体作为磷光掺杂剂。

在实施方案中，除了如本公开内容中描述的第一发射体之外，发射层可以进一步包含由式401表示的有机金属化合物：

式401

M(L₄₀₁)_xc1(L₄₀₂)_xc2

式402

其中，在式401和式402中，

M可以是过渡金属(例如，铱(Ir)、铂(Pt)、钯(Pd)、锇(Os)、钛(Ti)、金(Au)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)、铑(Rh)、铼(Re)或铥(Tm))，

L₄₀₁可以是由式402表示的配体，并且xc1可以是1、2或3，其中当xc1是二或大于二时，两个或多于两个的L₄₀₁可以彼此相同或不同，

L₄₀₂可以是有机配体，并且xc2可以是0、1、2、3或4，并且当xc2是2或大于2时，两个或多于两个的L₄₀₂可以彼此相同或不同，

X₄₀₁和X₄₀₂可以各自独立地是氮或碳，

环A₄₀₁和环A₄₀₂可以各自独立地是C₃-C₆₀碳环基团或者C₁-C₆₀杂环基团，

T₄₀₁可以是单键、*-O-*'、*-S-*'、*-C(＝O)-*'、*-N(Q₄₁₁)-*'、*-C(Q₄₁₁)(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝C(Q₄₁₂)-*'、*-C(Q₄₁₁)＝*'或*＝C＝*'，*和*'各自是指与相邻原子的结合位点，

X₄₀₃和X₄₀₄可以各自独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、O、S、N(Q₄₁₃)、B(Q₄₁₃)、P(Q₄₁₃)、C(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)或Si(Q₄₁₃)(Q₄₁₄)，

Q₄₁₁至Q₄₁₄可以各自与本文关于Q₁描述的相同，

R₄₀₁和R₄₀₂可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₂₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)(Q₄₀₃)、-N(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-B(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)、-C(＝O)(Q₄₀₁)、-S(＝O)₂(Q₄₀₁)或-P(＝O)(Q₄₀₁)(Q₄₀₂)，

Q₄₀₁至Q₄₀₃可以各自与本文关于Q₁描述的相同，以及R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解，

xc11和xc12可以各自独立地是0至10的整数，以及

式402中的*和*'各自表示与式401中的M的结合位点。

例如，在式402中，i)X₄₀₁可以是氮，并且X₄₀₂可以是碳，或ii)X₄₀₁和X₄₀₂中的每一个可以是氮。

在一个或多于一个的实施方案中，当式402中的xc1是2或大于2时，两个或多于两个的L₄₀₁中的两个环A₄₀₁可以任选地经由作为连接基团的T₄₀₂彼此连接，或者两个环A₄₀₂可以任选地经由作为连接基团的T₄₀₃彼此连接(参见化合物PD1至化合物PD4和化合物PD7)。T₄₀₂和T₄₀₃可以各自与本文关于T₄₀₁描述的相同。

式401中的L₄₀₂可以是有机配体。例如，L₄₀₂可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮酸酯基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸酯基团)、-C(＝O)、异腈基团、-CN、含磷基团(例如，膦基团、亚磷酸酯基团等)或其一种或多于一种的组合。

荧光掺杂剂

除了如本公开内容中描述的第一发射体之外，发射层可以进一步包含荧光掺杂剂。

荧光掺杂剂可以包括芳基胺化合物、苯乙烯基胺化合物、含硼的化合物或其一种或多于一种的组合。

例如，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：

式501

其中，在式501中，

Ar₅₀₁、R₅₀₁和R₅₀₂可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，L₅₀₁至L₅₀₃可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，以及R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解，

xd1至xd3可以各自独立地是0、1、2或3，以及

xd4可以是1、2、3、4、5或6。

例如，式501中的Ar₅₀₁可以是其中三个或多于三个的单环基团稠合在一起的稠合环状基团(例如，蒽基团、

基团或芘基团)。

在一个或多于一个的实施方案中，式501中的xd4可以是2。

例如，荧光掺杂剂可以包括：化合物FD1至化合物FD36；DPVBi；DPAVBi中的至少一种：

/>

/>

延迟荧光材料

发射层可以进一步包含延迟荧光材料。

在本公开内容中，延迟荧光材料可以选自基于延迟荧光发射机理能够发射延迟荧光光的化合物。

根据包含在发射层中的其它材料的类型或种类，包含在发射层中的延迟荧光材料可以充当主体或掺杂剂。

在一个或多于一个的实施方案中，延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差可以大于或等于0eV且小于或等于0.5eV。当延迟荧光材料的三重态能级(eV)与延迟荧光材料的单重态能级(eV)之间的差满足以上描述的范围时，可以有效地发生延迟荧光材料的从三重态至单重态的向上转换，并且因此可以改善(增加)发光装置10的发光效率。

例如，延迟荧光材料可以包括i)包含至少一个电子供体(例如，富π电子的C₃-C₆₀环状基团，例如咔唑基团)和至少一个电子受体(例如，亚砜基团、氰基基团或缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团)的材料，和ii)包含其中两个或多于两个的环状基团稠合同时共用硼(B)的C₈-C₆₀多环基团的材料。

延迟荧光材料的实例可以包括以下化合物DF1至化合物DF9中的至少一种：

[量子点]

发射层可以包含量子点。

在说明书中，量子点可以是半导体化合物的晶体，并且可以包括能够根据晶体的尺寸发射各种发射波长的光的任何材料。

量子点的直径可以是例如约1nm至约10nm。

可以通过湿法化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与其类似的任何工艺合成量子点。

湿法化学工艺是包括将前体材料与有机溶剂混合并且生长量子点颗粒晶体的方法。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂并且控制晶体的生长，使得量子点颗粒的生长可以通过比气相沉积方法(例如金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE))成本更低且可以更容易地进行的工艺来控制。

量子点可以包括II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物、IV族元素或化合物或者其任意组合。

II-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS等；三元化合物，例如CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS等；四元化合物，例如CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe等；或其任意组合。

III-V族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb等；三元化合物，例如GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb等；四元化合物，例如GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb等；或其任意组合。在实施方案中，III-V族半导体化合物可以进一步包含II族元素。进一步包含II族元素的III-V族半导体化合物的实例可以包括InZnP、InGaZnP、InAlZnP等。

III-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物，例如GaS、GaSe、Ga₂Se₃、GaTe、InS、InSe、In₂S₃、In₂Se₃、InTe等；三元化合物，例如InGaS₃、InGaSe₃等；或其任意组合。

I-III-VI族半导体化合物的实例可以包括：三元化合物，例如AgInS、AgInS₂、CuInS、CuInS₂、CuGaO₂、AgGaO₂、AgAlO₂等；或其任意组合。

IV-VI族半导体化合物的实例可以包括：二元化合物、例如SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe等；三元化合物，例如SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe等；四元化合物，例如SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe等；或其任意组合。

IV族元素或化合物的实例可以包括：单一元素材料，例如Si、Ge等；二元化合物、例如SiC、SiGe等；或其任意组合。

包含在多元素化合物(例如二元化合物、三元化合物或四元化合物)中的每种元素可以以均匀的浓度或以非均匀的浓度存在于颗粒中。

在实施方案中，量子点可以具有单一结构，其中量子点中的每种元素的浓度可以是均匀的，或者可以具有核-壳结构。例如，当量子点具有核-壳结构时，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。

量子点的壳可以用作防止核的化学变性以保持半导体特性的保护层，和/或可以用作向量子点赋予电泳特性的充电层。壳可以是单层或多层。核与壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的材料的浓度朝向核降低。

量子点的壳的实例可以包括金属氧化物、准金属氧化物、非金属氧化物、半导体化合物或其组合。金属氧化物、准金属氧化物或非金属氧化物的实例可以包括：二元化合物，例如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄、NiO等；三元化合物，例如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄、CoMn₂O₄等；或其任意组合。半导体化合物的实例可以包括如本文描述的II-VI族半导体化合物、III-V族半导体化合物、III-VI族半导体化合物、I-III-VI族半导体化合物、IV-VI族半导体化合物或其任意组合。例如，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb或其任意组合。

量子点可以具有等于或小于约45nm的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)。例如，量子点可以具有等于或小于约40nm的发射波长光谱的FWHM。例如，量子点可以具有等于或小于约30nm的发射波长光谱的FWHM。当量子点的FWHM在这些范围内时，量子点可以具有改善的颜色纯度或颜色再现性。通过量子点发射的光可以在所有方向上发射，使得可以改善广视角。

量子点可以呈球形颗粒、角锥形颗粒、多臂颗粒、立方体纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维或纳米板的形式。

由于能带间隙可以通过控制量子点的尺寸来调节，因此可以从量子点发射层获得具有各种波长带的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的发光装置。在实施方案中，可以选择量子点的尺寸以发射红色光、绿色光和/或蓝色光。例如，可以将量子点的尺寸配置成通过各种颜色的光的组合来发射白色光。

中间层130中的电子传输区

电子传输区可以具有：i)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含单一材料(例如，由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含不同材料的多个层。

所述电子传输区可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其一种或多于一种的组合。

例如，电子传输区可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构、或缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，每种结构的构成层从发射层依次堆叠。

在实施方案中，电子传输区(例如，电子传输区中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包含含有至少一种缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团的不含金属的化合物。

例如，电子传输区可以包含由式601表示的化合物：

式601

[Ar₆₀₁]_xe11-[(L₆₀₁)_xe1-R₆₀₁]_xe21

其中，在式601中，

Ar₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，和L₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的二价C₁-C₆₀杂环基团，

xe11可以是1、2或3，

xe1可以是0、1、2、3、4或5，

R₆₀₁可以是未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团、-Si(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)(Q₆₀₃)、-C(＝O)(Q₆₀₁)、-S(＝O)₂(Q₆₀₁)或-P(＝O)(Q₆₀₁)(Q₆₀₂)，

Q₆₀₁至Q₆₀₃可以各自与本文关于Q₁描述的相同，以及R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解，

xe21可以是1、2、3、4或5，以及

Ar₆₀₁、L₆₀₁和R₆₀₁中的至少一个可以各自独立地是未取代的或被至少一个R_10a取代的缺π电子的(二价)含氮C₁-C₆₀环状基团。

例如，当式601中的xe11是2或大于2时，两个或多于两个的Ar₆₀₁可以经由单键彼此连接。

在其它实施方案中，式601中的Ar₆₀₁可以是取代或未取代的蒽基团。

在其它实施方案中，电子传输区可以包含由式601-1表示的化合物：

式601-1

其中，在式601-1中，

X₆₁₄可以是N或C(R₆₁₄)，X₆₁₅可以是N或C(R₆₁₅)，X₆₁₆可以是N或C(R₆₁₆)，并且X₆₁₄至X₆₁₆中的至少一个可以是N，

L₆₁₁至L₆₁₃可以各自与本文关于L₆₀₁描述的相同，

xe611至xe613可以各自与本文关于xe1描述的相同，

R₆₁₁至R₆₁₃可以各自与本文关于R₆₀₁描述的相同，以及

R₆₁₄至R₆₁₆可以各自独立地是氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C₁-C₂₀烷基基团、C₁-C₂₀烷氧基基团、未取代的或被至少一个R_10a取代的C₃-C₆₀碳环基团或者未取代的或被至少一个R_10a取代的C₁-C₆₀杂环基团，以及R_10a可以通过参考本文提供的R_10a的描述来理解。

例如，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可以各自独立地是0、1或2。

电子传输区可以包含化合物ET1至化合物ET46、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、Alq₃、BAlq、TAZ、NTAZ中的至少一种：

/>

/>

电子传输区的厚度可以是约

至约/>

例如，约/>

至约/>

当电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或其一种或多于一种的组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以各自独立地是约/>

至约/>

例如约/>

至约/>

并且电子传输层的厚度可以是约/>

至约/>

例如约

至约/>

当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的(适合的)电子传输特性，而没有驱动电压的显著增加。

除了以上描述的材料之外，电子传输区(例如，电子传输区中的电子传输层)可以进一步包含含金属的材料。

含金属的材料可以包括碱金属络合物、碱土金属络合物或其组合。碱金属络合物的金属离子可以是Li离子、Na离子、K离子、Rb离子或Cs离子，并且碱土金属络合物的金属离子可以是Be离子、Mg离子、Ca离子、Sr离子或Ba离子。与碱金属络合物或碱土金属络合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其一种或多于一种的组合。

例如，含金属的材料可以包括Li络合物。Li络合物可以包括例如化合物ET-D1(Liq)或化合物ET-D2：

电子传输区可以包括促进来自第二电极150的电子的注入的电子注入层。电子注入层可以直接接触第二电极150。

电子注入层可以具有：i)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含单一材料(例如，由单一材料组成)的单个层，ii)单层结构，其包括(例如，由以下组成)：包含多种不同材料(例如，由多种不同材料组成)的单个层，或者iii)多层结构，其包括包含不同材料的多个层。

电子注入层可以包含碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其一种或多于一种的组合。

碱金属可以包括Li、Na、K、Rb、Cs或其一种或多于一种的组合。碱土金属可以包括Mg、Ca、Sr、Ba或其一种或多于一种的组合。稀土金属可以包括Sc、Y、Ce、Tb、Yb、Gd或其一种或多于一种的组合。

含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物和/或含稀土金属的化合物可以是碱金属、碱土金属和/或稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物和/或碘化物)和/或碲化物或其一种或多于一种的组合。

含碱金属的化合物可以包括以下的一种或多于一种：碱金属氧化物(例如Li₂O、Cs₂O或K₂O)；和/或碱金属卤化物(例如LiF、NaF、CsF、KF、LiI、NaI、CsI、KI、RbI)；或其一种或多于一种的组合。含碱土金属的化合物可以包括碱土金属氧化物，例如BaO、SrO、CaO、Ba_xSr_1-xO(其中x是满足0<x<1的条件的实数)、Ba_xCa_1-xO(其中x是满足0<x<1的条件的实数)等。含稀土金属的化合物可以包括YbF₃、ScF₃、Sc₂O₃、Y₂O₃、Ce₂O₃、GdF₃、TbF₃、YbI₃、ScI₃、TbI₃或其一种或多于一种的组合。在一个或多于一个的实施方案中，含稀土金属的化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的实例是LaTe、CeTe、PrTe、NdTe、PmTe、SmTe、EuTe、GdTe、TbTe、DyTe、HoTe、ErTe、TmTe、YbTe、LuTe、La₂Te₃、Ce₂Te₃、Pr₂Te₃、Nd₂Te₃、Pm₂Te₃、Sm₂Te₃、Eu₂Te₃、Gd₂Te₃、Tb₂Te₃、Dy₂Te₃、Ho₂Te₃、Er₂Te₃、Tm₂Te₃、Yb₂Te₃和/或Lu₂Te₃。

碱金属络合物、碱土金属络合物和稀土金属络合物可以包含i)碱金属、碱土金属和稀土金属的金属离子中的一种，和ii)联接至金属离子的配体，例如羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或其一种或多于一种的组合。

电子注入层可以包含以下(例如，由以下组成)：如以上描述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其一种或多于一种的组合。在一个或多于一个的实施方案中，电子注入层可以进一步包含有机材料(例如，由式601表示的化合物)。

在一个或多于一个的实施方案中，电子注入层可以包含(例如，由以下组成)：i)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)；或者ii)a)含碱金属的化合物(例如，碱金属卤化物)，和b)碱金属、碱土金属、稀土金属或其一种或多于一种的组合。例如，电子注入层可以是KI:Yb共沉积层、RbI:Yb共沉积层、LiF:Yb共沉积层等。

当电子注入层进一步包含有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属的化合物、含碱土金属的化合物、含稀土金属的化合物、碱金属络合物、碱土金属络合物、稀土金属络合物或其一种或多于一种的组合可以基本上均匀地或非均匀地分散在包含有机材料的基体中。

电子注入层的厚度可以是约

至约/>

并且例如，约/>

至约/>

当电子注入层的厚度在以上描述的范围内时，可以获得令人满意的(适合的)电子注入特性，而没有驱动电压的显著增加。

第二电极150

第二电极150可以在具有如以上描述的结构的中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，并且可以使用各自具有低功函数的金属、合金、导电化合物或其一种或多于一种的组合作为用于第二电极150的材料。

第二电极150可以包含锂(Li)、银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)、镱(Yb)、银-镱(Ag-Yb)、ITO、IZO或其一种或多于一种的组合。第二电极150可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。

第二电极150可以具有单层结构或者包括多个层的多层结构。

第二覆盖层170

第二覆盖层170含有如本公开内容中描述的含胺的化合物。含胺的化合物与本公开内容中描述的相同。

电子设备

发光装置可以被包括在一种或多于一种的适合的电子设备中。例如，包括发光装置的电子设备可以是发光设备、验证设备等。

除了发光装置之外，电子设备(例如，发光设备)可以进一步包括：i)滤色器、ii)颜色转换层，或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以在从发光装置发射的光的至少一个行进方向上。例如，从发光装置发射的光可以是蓝色光、绿色光或白色光。关于发光装置的细节，可以参考以上提供的相关描述。在一个或多于一个的实施方案中，颜色转换层可以包含量子点。

电子设备可以包括第一衬底。第一衬底可以包括多个子像素区域，滤色器可以包括分别对应于子像素区域的多个滤色器区域，并且颜色转换层可以包括分别对应于子像素区域的多个颜色转换区域。

像素限定层可以在子像素区域之间以限定子像素区域中的每一个。

滤色器可以进一步包括多个滤色器区域和位于滤色器区域之间的遮光图案，并且颜色转换层可以进一步包括多个颜色转换区域和位于颜色转换区域之间的遮光图案。

多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域和/或发射第三颜色光的第三区域，其中第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。例如，第一颜色光可以是红色光，第二颜色光可以是绿色光，并且第三颜色光可以是蓝色光。例如，多个滤色器区域(或多个颜色转换区域)可以包含量子点。例如，第一区域可以包含红色量子点，第二区域可以包含绿色量子点，并且第三区域可以不包含(例如，可以排除)量子点。关于量子点的更多细节，可以参考本文提供的相关描述。第一区域、第二区域和/或第三区域可以各自包含散射体。

例如，发光装置可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一-第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二-第一颜色光，并且第三区域可以吸收第一光以发射第三-第一颜色光。在这点上，第一-第一颜色光、第二-第一颜色光和第三-第一颜色光可以具有不同的最大发射波长。例如，第一光可以是蓝色光，第一-第一颜色光可以是红色光，第二-第一颜色光可以是绿色光，并且第三-第一颜色光可以是蓝色光。

除了如以上描述的发光装置之外，电子设备可以进一步包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中源电极和漏电极中的任一个可以电连接至发光装置的第一电极和第二电极中的任一个。

薄膜晶体管可以进一步包括栅电极、栅绝缘膜等。

有源层可以包含晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。

电子设备可以进一步包括用于密封发光装置的密封部。密封部可以在滤色器和/或颜色转换层与发光装置之间。密封部允许来自发光装置的光被引出至外部，并且并行地(例如，同时地)防止(减少)环境空气和湿气渗透进入发光装置中。密封部可以是包括透明玻璃衬底和/或塑料衬底的密封衬底。密封部可以是包括有机层和无机层中的至少一个层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。

根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种适合的功能层可以额外地位于密封部上。功能层的实例可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容触摸屏层或红外触摸屏层。验证设备可以是例如通过使用生命体的生物测量信息(例如，指尖、瞳孔等)来验证个体的生物测量验证设备。

除了如以上描述的发光装置之外，验证设备可以进一步包括生物测量信息收集器。

电子设备可以应用于一种或多于一种的适合的显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子记事本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、探鱼仪、一种或多于一种的适合的测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞行器和/或船舶的仪表)、投影仪等。

图2和图3的描述

图2是示出根据本公开内容的实施方案的发光设备的横截面视图。

图2的发光设备包括衬底100、薄膜晶体管(TFT)、发光装置和密封发光装置的封装部300。

衬底100可以是柔性衬底、玻璃衬底或金属衬底。缓冲层210可以位于衬底100上。缓冲层210可以防止或减少杂质渗透通过衬底100，并且可以在衬底100上提供基本上平坦的表面。

TFT可以位于缓冲层210上。TFT可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。

有源层220可以包含无机半导体(例如硅和/或多晶硅)、有机半导体或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。

用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅绝缘膜230可以在有源层220上，并且栅电极240可以在栅绝缘膜230上。

层间绝缘膜250可以位于栅电极240上。层间绝缘膜250可以位于栅电极240与源电极260之间以及位于栅电极240与漏电极270之间，以使栅电极与源电极和/或栅电极与漏电极绝缘(分开)。

源电极260和漏电极270可以在层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅绝缘膜230可以形成为以便暴露有源层220的源区和漏区，并且源电极260和漏电极270可以接触有源层220的源区和漏区的暴露部分。

TFT电连接至发光装置以驱动发光装置，并且被钝化层280覆盖和保护。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或其组合。在钝化层280上提供发光装置。发光装置可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。

第一电极110可以在钝化层280上。钝化层280可以定位(形成)为以便暴露漏电极270的一部分，不完全覆盖漏电极270，并且第一电极110可以连接至漏电极270的暴露部分。

包含绝缘材料的像素限定层290可以在第一电极110上。像素限定层290可以暴露第一电极110的某一区域，并且可以在第一电极110的暴露区域中形成中间层130。像素限定层290可以是聚酰亚胺和/或聚丙烯酸有机膜。中间层130的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部，以定位成公共层的形式(即，可以作为公共层提供)。

第二电极150可以在中间层130上，并且可以在第二电极150上额外地形成第二覆盖层170。第二覆盖层170可以形成为以便覆盖第二电极150。

封装部300可以在第二覆盖层170上。封装部300可以在发光装置上以保护发光装置免于湿气或氧气。封装部300可以包括：无机膜，所述无机膜包含硅氮化物(SiN_x)、硅氧化物(SiO_x)、氧化铟锡、氧化铟锌或其一种或多于一种的组合；有机膜，所述有机膜包含聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、基于丙烯酸的树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、基于环氧的树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(AGE)等)或其一种或多于一种的组合；或者无机膜和有机膜的一种或多于一种的组合。

图3示出示出根据本公开内容的实施方案的发光设备的横截面视图。

图3的发光设备与图2的发光设备基本上相同，但遮光图案500和功能区400额外地位于封装部300上。功能区400可以是i)滤色器区域、ii)颜色转换区域、或者iii)滤色器区域和颜色转换区域的组合。在实施方案中，包括在图3的发光设备中的发光装置可以是串联发光装置。

制造方法

包括在空穴传输区中的层、发射层和包括在电子传输区中的层可以通过使用一种或多于一种的适合的方法(例如真空沉积、旋涂、流延、兰格缪尔-布罗杰特(Langmuir-Blodgett，LB)沉积、喷墨印刷、激光印刷、激光诱导热成像等)形成在特定区中。

当通过真空沉积形成构成空穴传输区的层、发射层和构成电子传输区的层时，取决于待包含在待形成的层中的材料以及待形成的层的结构，可以以约100℃至约500℃的沉积温度、约10^-8托至约10^-3托的真空度和约

/秒至约/>

/秒的沉积速度进行沉积。

术语的定义

如本文使用的术语“C₃-C₆₀碳环基团”是指仅包含碳(例如，仅由碳组成)作为成环原子并且具有三个至六十个碳原子(例如，3至30、3至20、3至15或3至10个碳原子)的环状基团，并且如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂环基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)并且进一步具有除了碳之外的(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子的环状基团。C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团可以各自是包含一个环(例如，由一个环组成)的单环基团或者其中两个或多于两个的环彼此稠合的多环基团。例如，C₁-C₆₀杂环基团具有3个至61个成环原子(例如，3至30、3至20、3至15或3至10个成环原子)。

如本文使用的“环状基团”可以包括C₃-C₆₀碳环基团和C₁-C₆₀杂环基团。

如本文使用的术语“富π电子的C₃-C₆₀环状基团”是指具有三个至六十个碳原子(例如，3至30、3至20、3至15或3至10个碳原子)并且不包含*-N＝*'作为成环部分的环状基团，并且如本文使用的术语“缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)并且包含*-N＝*'作为成环部分的杂环基团。

例如，

C₃-C₆₀碳环基团可以是i)基团T1或者ii)其中两个或多于两个的基团T1彼此稠合的稠合环状基团(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、戊搭烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊烯基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并菲基团、芘基团、

基团、苝基团、五苯基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蔻基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺-二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团)，

C₁-C₆₀杂环基团可以是i)基团T2，ii)其中两个或多于两个的基团T2彼此稠合的稠合环状基团，或者iii)其中至少一个基团T2和至少一个基团T1彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、***基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，

富π电子的C₃-C₆₀环状基团可以是i)基团T1，ii)其中两个或多于两个的基团T1彼此稠合的稠合环状基团，iii)基团T3，iv)其中两个或多于两个的基团T3彼此稠合的稠合环状基团，或者v)其中至少一个基团T3和至少一个基团T1彼此稠合的稠合环状基团(例如，C₃-C₆₀碳环基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)，

缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团可以是i)基团T4，ii)其中两个或多于两个的基团T4彼此稠合的稠合环状基团，iii)其中至少一个基团T4和至少一个基团T1彼此稠合的稠合环状基团，iv)其中至少一个基团T4和至少一个基团T3彼此稠合的稠合环状基团，或者v)其中至少一个基团T4、至少一个基团T1和至少一个基团T3彼此稠合的稠合环状基团(例如，吡唑基团、咪唑基团、***基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)，

基团T1可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，

基团T2可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、***基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、四嗪基团、吡咯烷基团、咪唑烷基团、二氢吡咯基团、哌啶基团、四氢吡啶基团、二氢吡啶基团、六氢嘧啶基团、四氢嘧啶基团、二氢嘧啶基团、哌嗪基团、五氢吡嗪基团、二氢吡嗪基团、四氢哒嗪基团或二氢哒嗪基团，

基团T3可以是呋喃基团、噻吩基团、1H-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，以及

基团T4可以是2H-吡咯基团、3H-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、***基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。

如本文使用的术语“环状基团、C₃-C₆₀碳环基团、C₁-C₆₀杂环基团、富π电子的C₃-C₆₀环状基团或缺π电子的含氮C₁-C₆₀环状基团”是指根据使用相应术语的式的结构，与任何环状基团稠合的基团、单价基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。例如，“苯基团”可以是苯并基团、苯基基团、亚苯基基团等，其是本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构可以理解的。

单价C₃-C₆₀碳环基团和单价C₁-C₆₀杂环基团的实例是C₃-C₁₀环烷基基团、C₁-C₁₀杂环烷基基团、C₃-C₁₀环烯基基团、C₁-C₁₀杂环烯基基团、C₆-C₆₀芳基基团、C₁-C₆₀杂芳基基团、单价非芳香族稠合多环基团和单价非芳香族稠合杂多环基团。二价C₃-C₆₀碳环基团和二价C₁-C₆₀杂环基团的实例是C₃-C₁₀亚环烷基基团、C₁-C₁₀亚杂环烷基基团、C₃-C₁₀亚环烯基基团、C₁-C₁₀亚杂环烯基基团、C₆-C₆₀亚芳基基团、C₁-C₆₀亚杂芳基基团、二价非芳香族稠合多环基团和二价非芳香族稠合杂多环基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷基基团”是指具有一个至六十个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)的直链或支链脂肪族烃单价基团，并且其具体实例是甲基基团、乙基基团、正丙基基团、异丙基基团、正丁基基团、仲丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、正戊基基团、叔戊基基团、新戊基基团、异戊基基团、仲戊基基团、3-戊基基团、仲异戊基基团、正己基基团、异己基基团、仲己基基团、叔己基基团、正庚基基团、异庚基基团、仲庚基基团、叔庚基基团、正辛基基团、异辛基基团、仲辛基基团、叔辛基基团、正壬基基团、异壬基基团、仲壬基基团、叔壬基基团、正癸基基团、异癸基基团、仲癸基基团和叔癸基基团。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚烷基基团”是指具有与C₁-C₆₀烷基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀烯基基团”是指在C₂-C₆₀烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基团，并且其实例是乙烯基基团、丙烯基基团和丁烯基基团。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚烯基基团”是指具有与C₂-C₆₀烯基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₂-C₆₀炔基基团”是指在C₂-C₆₀烷基基团的中间或末端处具有至少一个碳-碳叁键的单价烃基团，并且其实例包括乙炔基基团和丙炔基基团。如本文使用的术语“C₂-C₆₀亚炔基基团”是指具有与C₂-C₆₀炔基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀烷氧基基团”是指由-OA₁₀₁(其中A₁₀₁是C₁-C₆₀烷基基团)表示的单价基团，并且其实例包括甲氧基基团、乙氧基基团和异丙氧基基团。

如本文使用的术语“C₃-C₁₀环烷基基团”是指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环状基团，并且其实例是环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团、环庚基基团、环辛基基团、金刚烷基基团、降冰片烷基基团(或双环[2.2.1]庚基基团)、双环[1.1.1]戊基基团、双环[2.1.1]己基基团和双环[2.2.2]辛基基团。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烷基基团”是指具有与C₃-C₁₀环烷基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烷基基团”是指进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子的1个至10个碳原子的单价环状基团，并且具体实例是1,2,3,4-噁***烷基基团、四氢呋喃基基团和四氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烷基基团”是指具有与C₁-C₁₀杂环烷基基团相同的结构的二价基团。

本文使用的术语“C₃-C₁₀环烯基基团”是指在其环中具有三个至十个碳原子和至少一个碳-碳双键且没有芳香性的单价环状基团，并且其具体实例是环戊烯基基团、环己烯基基团和环庚烯基基团。如本文使用的术语“C₃-C₁₀亚环烯基基团”是指具有与C₃-C₁₀环烯基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₁-C₁₀杂环烯基基团”是指在其环状结构中进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子并且具有至少一个双键的1个至10个碳原子的单价环状基团。C₁-C₁₀杂环烯基基团的实例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁***基基团、2,3-二氢呋喃基基团和2,3-二氢噻吩基基团。如本文使用的术语“C₁-C₁₀亚杂环烯基基团”是指具有与C₁-C₁₀杂环烯基基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳基基团”是指具有含6个至60个碳原子(例如，6至30、6至20、6至15或6至10个碳原子)的碳环芳香族体系的单价基团，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀亚芳基基团”是指具有含6个至60个碳原子(例如，6至30、6至20、6至15或6至10个碳原子)的碳环芳香族体系的二价基团。C₆-C₆₀芳基基团的实例是苯基基团、戊搭烯基基团、萘基基团、甘菊环基基团、引达省基基团、苊基基团、非那烯基基团、菲基基团、蒽基基团、荧蒽基基团、苯并菲基基团、芘基基团、

基基团、苝基基团、五苯基基团、庚搭烯基基团、并四苯基基团、苉基基团、并六苯基基团、并五苯基基团、玉红省基基团、蔻基基团和卵苯基基团。当C₆-C₆₀芳基基团和C₆-C₆₀亚芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此稠合。

如本文使用的术语“C₁-C₆₀杂芳基基团”是指具有进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子的1个至60个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)的杂环芳香族体系的单价基团。如本文使用的术语“C₁-C₆₀亚杂芳基基团”是指具有进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子的1个至60个碳原子(例如，1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)的杂环芳香族体系的二价基团。C₁-C₆₀杂芳基基团的实例是吡啶基基团、嘧啶基基团、吡嗪基基团、哒嗪基基团、三嗪基基团、喹啉基基团、苯并喹啉基基团、异喹啉基基团、苯并异喹啉基基团、喹喔啉基基团、苯并喹喔啉基基团、喹唑啉基基团、苯并喹唑啉基基团、噌啉基基团、菲咯啉基基团、酞嗪基基团和萘啶基基团。当C₁-C₆₀杂芳基基团和C₁-C₆₀亚杂芳基基团各自包含两个或多于两个的环时，所述环可以彼此稠合。

如本文使用的术语“单价非芳香族稠合多环基团”是指单价基团(例如，具有8个至60个碳原子，例如8至30、8至20、8至15或8至10个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环、仅碳原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合多环基团的实例是茚基基团、芴基基团、螺-二芴基基团、苯并芴基基团、茚并菲基基团和茚并蒽基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合多环基团”是指具有与以上描述的单价非芳香族稠合多环基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“单价非芳香族稠合杂多环基团”是指单价基团(例如，具有1个至60个碳原子，例如1至30、1至20、1至15或1至10个碳原子)，其具有彼此稠合的两个或多于两个的环，进一步包含除了碳原子之外的至少一个(例如，1至5个或1至3个，如1、2、3、4或5个)杂原子作为成环原子并且在其整个分子结构中无芳香性。单价非芳香族稠合杂多环基团的实例是吡咯基基团、噻吩基基团、呋喃基基团、吲哚基基团、苯并吲哚基基团、萘并吲哚基基团、异吲哚基基团、苯并异吲哚基基团、萘并异吲哚基基团、苯并噻咯基基团、苯并噻吩基基团、苯并呋喃基基团、咔唑基基团、二苯并噻咯基基团、二苯并噻吩基基团、二苯并呋喃基基团、氮杂咔唑基基团、氮杂芴基基团、氮杂二苯并噻咯基基团、氮杂二苯并噻吩基基团、氮杂二苯并呋喃基基团、吡唑基基团、咪唑基基团、***基基团、四唑基基团、噁唑基基团、异噁唑基基团、噻唑基基团、异噻唑基基团、噁二唑基基团、噻二唑基基团、苯并吡唑基基团、苯并咪唑基基团、苯并噁唑基基团、苯并噻唑基基团、苯并噁二唑基基团、苯并噻二唑基基团、咪唑并吡啶基基团、咪唑并嘧啶基基团、咪唑并三嗪基基团、咪唑并吡嗪基基团、咪唑并哒嗪基基团、茚并咔唑基基团、吲哚并咔唑基基团、苯并呋喃并咔唑基基团、苯并噻吩并咔唑基基团、苯并噻咯并咔唑基基团、苯并吲哚并咔唑基基团、苯并咔唑基基团、苯并萘并呋喃基基团、苯并萘并噻吩基基团、苯并萘并噻咯基基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基基团和苯并噻吩并二苯并噻吩基基团。如本文使用的术语“二价非芳香族稠合杂多环基团”是指具有与以上描述的单价非芳香族稠合杂多环基团相同的结构的二价基团。

如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳氧基基团”表示-OA₁₀₂(其中A₁₀₂是C₆-C₆₀芳基基团)，并且如本文使用的术语“C₆-C₆₀芳硫基基团”表示-SA₁₀₃(其中A₁₀₃是C₆-C₆₀芳基基团)。

本文使用的术语“C₇-C₆₀芳基烷基基团”是指-A₁₀₄A₁₀₅(其中A₁₀₄可以是C₁-C₅₄亚烷基基团，并且A₁₀₅可以是C₆-C₅₉芳基基团)，并且本文使用的术语C₂-C₆₀杂芳基烷基基团”是指-A₁₀₆A₁₀₇(其中A₁₀₆可以是C₁-C₅₉亚烷基基团，并且A₁₀₇可以是C₁-C₅₉杂芳基基团)。

如本文使用的术语“R_10a”是指：

氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基基团、氰基基团或硝基基团，

-Si(Q₃₁)(Q₃₂)(Q₃₃)、-N(Q₃₁)(Q₃₂)、-B(Q₃₁)(Q₃₂)、-C(＝O)(Q₃₁)、-S(＝O)₂(Q₃₁)或-P(＝O)(Q₃₁)(Q₃₂)。

本公开内容中的Q₁至Q₃、Q₁₁至Q₁₃、Q₂₁至Q₂₃和Q₃₁至Q₃₃可以各自独立地是：氢；氘；-F；-Cl；-Br；-I；羟基基团；氰基基团；硝基基团；或者各自未取代的或者被氘、-F、氰基基团、C₁-C₆₀烷基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其一种或多于一种的组合取代的C₁-C₆₀烷基基团、C₂-C₆₀烯基基团、C₂-C₆₀炔基基团、C₁-C₆₀烷氧基基团、C₃-C₆₀碳环基团或C₁-C₆₀杂环基团。

如本文使用的术语“杂原子”是指除了碳原子之外的任何原子。杂原子的实例是O、S、N、P、Si、B、Ge、Se及其一种或多于一种的组合。

本文使用的术语“第三行过渡金属”包括铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)等。

如本文使用的“Ph”是指苯基基团，如本文使用的“Me”是指甲基基团，如本文使用的“Et”是指乙基基团，如本文使用的“tert-Bu”或“Bu^t”是指叔丁基基团，并且如本文使用的“OMe”是指甲氧基基团。

如本文使用的术语“联苯基基团”是指“被苯基基团取代的苯基基团”。例如，“联苯基基团”是具有C₆-C₆₀芳基基团(例如，苯基基团)作为取代基的取代的苯基基团。

如本文使用的术语“三联苯基基团”是指“被联苯基基团取代的苯基基团”。例如，“三联苯基基团”是具有被C₆-C₆₀芳基基团取代的C₆-C₆₀芳基基团(例如，联苯基基团)作为取代基的取代的苯基基团。

除非另外定义，如本文使用的*、*'和*”各自是指在相应的式或部分中与相邻原子的结合位点。

在下文，将参考实施例更详细地描述根据实施例的发光装置。

实施例

评估例1

根据表1中的方法，评估化合物GD-1、化合物GD-2、化合物GD-3、化合物GD-4、化合物GD-5、化合物GD-6、化合物A01和化合物A04中的每一个的HOMO能级、LUMO能级、带间隙和三重态(T₁)能级。结果显示在表2中。

表1

/>

表2

/>

评估例2

将在CH₂Cl₂溶液中的PMMA(聚(2-甲基丙烯酸甲酯))和化合物GD-1(相对于PMMA为4wt％)混合，并且然后，使用旋涂机将由其获得的生成物涂覆在石英衬底上，并且然后在80℃下在烘箱中热处理，随后冷却至室温以制造具有40nm的厚度的膜GD-1。然后，使用与用于制备膜GD-1基本上相同的方法制备膜GD-2、膜GD-3、膜GD-4、膜GD-5、膜GD-6、膜A01和膜A04，但使用GD-2、GD-3、GD-4、GD-5、GD-6、A01和A04代替GD-1。

膜GD-1、膜GD-2、膜GD-3、膜GD-4、膜GD-5、膜GD-6、膜A01和膜A04中的每一个的发射光谱通过使用滨松有限公司(Hamamatsu Inc.)的Quantaurus-QY Absolute PL量子产率光谱仪(配备有氙光源、单色仪、光子多通道分析仪和积分球，并且使用PLQY测量软件(滨松光子有限公司(Hamamatsu Photonics,Ltd.)，静冈县，日本))来测量。在测量期间，以10nm的间隔从320nm至380nm扫描激发波长，并且利用在340nm的激发波长下测量的光谱来获得包含在每个膜中的化合物的最大发射波长(发射峰值波长)和FWHM。其结果显示在表3中。

表3

根据表3可以证实，化合物GD-1、化合物GD-2、化合物GD-3、化合物GD-4、化合物GD-5和化合物GD-6发射满足约520nm至约550nm的最大发射波长范围的绿色光，并且与化合物A01和化合物A04相比具有相对较小的FWHM。

评估例3

将化合物CP01沉积在玻璃衬底上以制备具有60nm的厚度的膜CP01。然后，对于膜CP01，根据柯西膜模型，通过使用椭偏仪M-2000(JA Woollam)在25℃的温度和50％的相对湿度下测量化合物CP01相对于具有530nm的波长的光的折射率。其结果显示在表4中。对化合物CP12、化合物CP06、化合物B01、化合物B02和化合物B03中的每一个重复进行该实验，并且将结果汇总在表4中。

表4

/>

实施例1

将其上形成有具有

的厚度的ITO阳极(15欧姆每平方厘米(Ω/cm²))的玻璃衬底(购自康宁有限公司(Corning Co.,Ltd))切割成50毫米(mm)×50mm×0.7mm的尺寸，在异丙醇中超声处理5分钟，并且然后在纯水中超声处理5分钟，用紫外线清洁30分钟，并且然后用臭氧清洁，并且安装在真空沉积设备上。

将HT3真空沉积在ITO阳极上以形成具有

的厚度的空穴传输层，并且将HT40真空沉积在空穴传输层上以形成具有/>

的厚度的发射辅助层。

将化合物H125、化合物H126和化合物GD-1(第一发射体)以45:45:10的重量比真空沉积在发射辅助层上以形成具有

的厚度的发射层。

将化合物ET37真空沉积在发射层上以形成具有

的厚度的缓冲层，以及将ET46和Liq以5:5的重量比真空沉积在缓冲层上以形成具有/>

的厚度的电子传输层。随后，将Yb真空沉积在电子传输层上以形成具有/>

的厚度的电子注入层，并且然后将Ag和Mg以1:10的重量比真空沉积在其上以形成具有/>

的厚度的阴极。

随后，将化合物CP01真空沉积在阴极上以形成具有

的厚度的覆盖层，从而完成有机发光装置的制造。/>

实施例2至实施例18以及比较例1至比较例30

以与实施例1中基本上相同的方式制造有机发光装置，但使用表5中显示的每种化合物作为用于形成发射层中的第一发射体和覆盖层的材料。

评估例4

通过使用亮度计(美能达(Minolta)Cs-1000A)评估根据实施例1至实施例18以及比较例1至比较例30制造的有机发光装置的在400cd/m²下的颜色纯度(CIEx和CIEy坐标)、正向(0°)发光效率(cd/A)和侧向(45°)发光效率(cd/A)。其结果显示在表6至表11中。参考表4计算的RCR值也汇总在表5中。

表5

/>

/>

表6

/>

表7

表8

表9

/>

表10

/>

表11

/>

1)根据表5和表6可以看出，与比较例1至比较例15的有机发光装置相比，各自包括含铱的第一发射体(发射最大发射波长在520nm至550nm范围内的绿色光)并且具有38或小于38的RCR值的实施例1至实施例3的有机发光装置具有等同水平的侧向发光效率和改善的正向发光效率，

2)根据表5和表7可以看出，与比较例1至比较例12以及比较例16至比较例18的有机发光装置相比，各自包括含铱的第一发射体(发射最大发射波长在520nm至550nm范围内的绿色光)并且具有38或小于38的RCR值的实施例4至实施例6的有机发光装置具有等同水平的侧向发光效率和改善的正向发光效率，

3)根据表5和表8可以看出，与比较例1至比较例12以及比较例19至比较例21的有机发光装置相比，各自包括含铱的第一发射体(发射最大发射波长在520nm至550nm范围内的绿色光)并且具有38或小于38的RCR值的实施例7至实施例9的有机发光装置具有等同水平的侧向发光效率和改善的正向发光效率，

4)根据表5和表9可以看出，与比较例1至比较例12以及比较例22至比较例24的有机发光装置相比，各自包括含铱的第一发射体(发射最大发射波长在520nm至550nm范围内的绿色光)并且具有38或小于38的RCR值的实施例10至实施例12的有机发光装置具有等同水平的侧向发光效率和改善的正向发光效率，

5)根据表5和表10可以看出，与比较例1至比较例12以及比较例25至比较例27的有机发光装置相比，各自包括含铱的第一发射体(发射最大发射波长在520nm至550nm范围内的绿色光)并且具有38或小于38的RCR值的实施例13至实施例15的有机发光装置具有等同水平的侧向发光效率和改善的(增加的)正向发光效率，以及

6)根据表5和表11可以看出，与比较例1至比较例12以及比较例28至比较例30的有机发光装置相比，各自包括含铱的第一发射体(发射最大发射波长在520nm至550nm范围内的绿色光)并且具有38或小于38的RCR值的实施例16至实施例18的有机发光装置具有等同水平的侧向发光效率和改善的正向发光效率。

因为发光装置同时(并行地)具有优异的或适合的正向发光效率和侧向发光效率，所以可以使用该发光装置制造高质量的电子设备。

“可以”的使用在描述本公开内容的实施方案时是指“本公开内容的一个或多于一个的实施方案”。

如本文使用，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且旨在解释本领域普通技术人员会认知到的测量值或计算值中的固有偏差。如本文使用的“约”或“大约”包括规定值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑相关测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量***的限度)确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多于一个的标准偏差内，或者在规定值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

此外，本文列举的任何数值范围旨在包括归入所列举的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所列举的最小值1.0与所列举的最大值10.0之间(并且包括端值)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。本文列举的任何最大数值限定旨在包括归入其中的所有较低的数值限定，并且本公开内容中所列举的任何最小数值限定旨在包括归入其中的所有较高的数值限定。因此，申请人保留修改本公开内容(包括权利要求书)以明确列举归入本文明确列举的范围内的任何子范围的权利。

可以使用任何适合的硬件、固件(例如，专用集成电路)、软件，或软件、固件和硬件的组合来实现根据本文描述的本公开内容的实施方案的发光装置、电子设备、消费品或任何其它相关的装置或组件。例如，装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或在单独的IC芯片上。此外，装置的各种组件可以实现在柔性印刷电路膜、载带式封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上，或者形成在一个衬底上。此外，装置的各种组件可以是在一个或多于一个的计算装置中的一个或多于一个的处理器上运行，执行计算机程序指令并且与用于执行本文描述的各种功能的其它***组件交互的进程或线程。计算机程序指令被存储在存储器中，所述存储器可以使用标准存储器装置(诸如以随机存取存储器(RAM)为例)在计算装置中实现。计算机程序指令还可以存储在其它非暂时性计算机可读介质中，诸如以CD-ROM、闪存驱动器等为例。此外，本领域技术人员应认识，在不背离本公开内容的实施方案的范围的情况下，各种计算装置的功能可以被结合或集成到单个计算装置中，或者特定计算装置的功能可以跨一个或多于一个的其它计算装置分布。

应理解，本文描述的实施方案应仅以描述性含义考虑，而非出于限制的目的。每一个实施方案内的特征或方面的描述通常应被认为可用于其它实施方案中的其它类似的特征或方面。尽管已经参考附图描述了一个或多于一个的实施方案，但本领域普通技术人员应理解，在不背离由权利要求及其等同物限定的本公开内容的主旨和范围的情况下，可以在本文中进行形式和细节的一种或多于一种的适合的改变。

Claims

1.发光装置，包括：

第一电极；

面对所述第一电极的第二电极；

在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层；以及

覆盖层，

其中所述发射层包含第一发射体，

所述第一发射体被配置为发射具有第一发射光谱的第一光，

所述覆盖层在所述第一光行进的路径中，

所述第一光的发射峰值波长是520nm至550nm，

所述第一发射体包含铱，

所述覆盖层包含含胺的化合物，以及

通过所述覆盖层引出至外部的所述第一光的CIEy与折射率的比率值是38或小于38，以及

根据方程式1计算所述比率值：

方程式1

CIEy/R(cap)x 100

其中，在方程式1中，

2.如权利要求1所述的发光装置，其中

所述第一光的发射峰值波长是525nm至545nm。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中

所述第一光的半峰全宽是15nm至60nm。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中

所述第一光是绿色光。

5.如权利要求1所述的发光装置，其中

所述第一发射体包含第一配体、第二配体和第三配体，其中所述第一配体、所述第二配体和所述第三配体中的每一个键合至铱，

所述第一配体是包含含Y₁的环B₁和含Y₂的环B₂的二齿配体，

所述第二配体是包含含Y₃的环B₃和含Y₄的环B₄的二齿配体，

所述第三配体是包含含Y₅的环B₅和含Y₆的环B₆的二齿配体，

Y₁、Y₃和Y₅中的每一个是氮，

Y₂、Y₄和Y₆中的每一个是碳，以及

含Y₂的环B₂和含Y₄的环B₄彼此不同。

6.如权利要求1所述的发光装置，其中

包含在所述覆盖层中的所述含胺的化合物包含苯并噁唑基团、苯并噻唑基团、萘并噁唑基团、萘并噻唑基团或其任意组合。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中

通过所述覆盖层引出至所述外部的所述第一光的所述比率值是32.0至38.0。

8.如权利要求1所述的发光装置，其中

CIEy是0.705至0.740。

9.如权利要求1所述的发光装置，其中

R(cap)是所述含胺的化合物相对于具有530nm的波长的第二光的折射率。

10.如权利要求1所述的发光装置，其中

R(cap)是1.85至2.5。

11.发光装置，包括：

第一电极；

面对所述第一电极的第二电极；

覆盖层，

其中所述发射层包含第一发射体，

所述第一发射体被配置为发射具有第一发射光谱的第一光，

所述覆盖层在所述第一光行进的路径中，

所述第一发射体包含第一配体、第二配体和第三配体，所述第一配体、所述第二配体和所述第三配体中的每一个键合至铱，

Y₁、Y₃和Y₅中的每一个是氮，

Y₂、Y₄和Y₆中的每一个是碳，

含Y₂的环B₂和含Y₄的环B₄彼此不同，

所述覆盖层包含含胺的化合物，以及

12.如权利要求11所述的发光装置，其中

含Y₂的环B₂是多环基团。

13.如权利要求11所述的发光装置，其中

所述第一光的发射峰值波长是520nm至550nm。

14.如权利要求11所述的发光装置，其中

所述第一光的半峰全宽是15nm至60nm。

15.如权利要求11所述的发光装置，其中

所述第一光是绿色光。

16.如权利要求11所述的发光装置，其中

所述含胺的化合物相对于具有所述第一光的所述发射峰值波长±20nm的波长的第二光的折射率是1.85至2.5。

17.电子设备，包括权利要求1至16中任一项所述的发光装置。

18.如权利要求17所述的电子设备，进一步包括

滤色器、颜色转换层、触摸屏层、偏振层或其任意组合。

19.消费品，包括权利要求1至16中任一项所述的发光装置。

20.如权利要求19所述的消费品，所述消费品是选自平板显示器、曲面显示器、计算机监视器、医疗监视器、TV、广告牌、室内或室外照明和/或信号灯、平视显示器、全透明或部分透明显示器、柔性显示器、可卷曲显示器、可折叠显示器、可拉伸显示器、激光打印机、电话、移动电话、平板电脑、平板电话、个人数字助理、可佩戴装置、膝上型计算机、数码相机、摄录像机、取景器、微型显示器、3D显示器、虚拟或增强现实显示器、车辆、包括拼接在一起的多个显示器的视频墙、剧场或体育场屏幕、光疗装置和标牌中的一种。