CN116404091B - 一种高效发光的led灯珠 - Google Patents

一种高效发光的led灯珠 Download PDF

Info

Publication number
CN116404091B
CN116404091B CN202310418828.8A CN202310418828A CN116404091B CN 116404091 B CN116404091 B CN 116404091B CN 202310418828 A CN202310418828 A CN 202310418828A CN 116404091 B CN116404091 B CN 116404091B
Authority
CN
China
Prior art keywords
plate
type semiconductor
heat dissipation
bottom plate
lamp bead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202310418828.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN116404091A (zh
Inventor
吴永汉
邱国梁
曾剑峰
刘辉煌
钟惠燕
赖嘉欣
吴佳倩
郑程凯
吴宏锐
郑嘉鑫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yonglin Electronics Co Ltd
Original Assignee
Yonglin Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yonglin Electronics Co Ltd filed Critical Yonglin Electronics Co Ltd
Priority to CN202310418828.8A priority Critical patent/CN116404091B/zh
Publication of CN116404091A publication Critical patent/CN116404091A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN116404091B publication Critical patent/CN116404091B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/648—Heat extraction or cooling elements the elements comprising fluids, e.g. heat-pipes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/72—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps in street lighting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种高效发光的LED灯珠，涉及LED灯珠领域，包括底板和透明盖板，所述底板上表面安装有P型半导体和N型半导体，所述底板下表面的安装有两个焊锡引脚，两个所述焊锡引脚分别与两个P型半导体和N型半导体固定连接。本发明所述的一种高效发光的LED灯珠，通过设置反光镜和散热翅板，将焊锡引脚焊锡在电路板上，当给电路板上通电的时候，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P型半导体的空穴复合，产生自发辐射的荧光，光子在运动的过程中，会经过反光镜反射，将光反射至透明盖板的位置，以此使得灯珠的光照强度更强，减少光能的散失，并且利用散热翅板对光子运动产生的热量进行传输，增长灯珠的使用寿命，使得灯珠的发光更加的高效。

Description

一种高效发光的LED灯珠
技术领域
本发明涉及LED灯珠领域，特别涉及一种高效发光的LED灯珠。
背景技术
发光二极管，简称为LED，是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性，当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光，不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同，当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。
贴片式二极管在集成电路的使用上即为广泛，其本身具有体积小的特点，二极管内电子在复合的过程中转化为光能，光子有动量动能,与物质的分子碰撞后将动能转移到分子上,于是分子动能升高，因此就会产生一定的热量，并且光照强度越强，其产生的热能越高，就会严重影响LED灯珠的使用寿命，目前常见的贴片式LED灯珠的光能较小，并且散热能力较弱。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种高效发光的LED灯珠，可以有效解决背景技术中的问题。
为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种高效发光的LED灯珠，包括底板和透明盖板，所述底板上表面安装有P型半导体和N型半导体，所述底板下表面的安装有两个焊锡引脚，两个所述焊锡引脚分别与两个P型半导体和N型半导体固定连接，所述N型半导体的表面镶嵌安装有晶体，所述晶体与P型半导体之间跨接有阳极导电板，所述底板的上表面安装有反光镜，所述反光镜位于PN结的正下方，所述底板的表面镶嵌有散热翅板，所述散热翅板固定贯穿底板并延伸至N型半导体和P型半导体之间，所述底板通过卡扣组件安装在透明盖板的下方。
所述底板的上表面开设有凹槽，所述反光镜安装在凹槽的内部，所述凹槽的深度与反光镜的厚度相同，所述散热翅板的数量设置有多个，分别对称位于反光镜的两侧，且位于P型半导体和N型半导体的下方。
所述底板的下表面中部位置开设有通槽，所述通槽内壁的两侧与外部连通，所述散热翅板的下端位于通槽的内部，所述散热翅板的上表面安装有第一绝缘杆。
所述底板的下表面开设有两个安装槽，两个所述焊锡引脚分别固定安装在安装槽的内部，所述安装槽的深度与焊锡引脚的厚度相同，所述焊锡引脚的边缘与底板的边缘处于同一平面上。
所述卡扣组件包括回形槽，所述回形槽开设在底板的上表面，所述透明盖板的下端安装有回形板，所述回形板卡在回形槽的内部，所述回形板的表面开设有长槽，所述长槽的内部固定安装有挤压杆，所述挤压杆的表面抵在回形槽的内壁。
所述透明盖板的表面开设有空隙，所述空隙的内壁与回形板的表面处于同一平面上。
所述透明盖板的两侧开设有若干个散热槽。
所述散热槽的内部固定安装有辅助散热板，所述辅助散热板的一侧与透明盖板的外表面处于同一平面上，所述辅助散热板的另一侧延伸进入到透明盖板的内部。
所述辅助散热板靠近P型半导体和/或N型半导体的一侧固定安装有第二绝缘杆。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
1、本发明中，通过设置反光镜和散热翅板，将焊锡引脚焊锡在电路板上，当给电路板上通电的时候，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P型半导体的空穴复合，产生自发辐射的荧光，光子在运动的过程中，会经过反光镜反射，将光反射至透明盖板的位置，以此使得灯珠的光照强度更强，减少光能的散失，并且利用散热翅板对光子运动产生的热量进行传输，增长灯珠的使用寿命，使得灯珠的发光更加的高效。
2、本发明中，通过设置通槽和第一绝缘杆，在进行安装的时候，保证有流动的空气从通槽的位置穿过，利用流动的空气将热量带走，从而使得散热翅板表面的热度降低，并且将散热翅板设置为金属材质，提高导热的效率，并且散热翅板的下端位于通槽的内部，避免散热翅板与电路板的表面接触，从而防止漏电，若是灯珠的表面受到挤压，当P型半导体和/或N型半导体接触到散热翅板的上表面时，第一绝缘杆依然保证防止漏电的状况。
3、本发明中，通过设置回形板、回形槽、长槽和挤压杆，将回形板对准回形槽的内部，通过压力将回形板卡在回形槽的内部，挤压杆就会慢慢的挤压进入到长槽的内部，安装结束之后，挤压杆就会因为本身的弹力抵在长槽的内部，保证透明盖板的安装更加的稳固，同时也方便对灯珠进行拆卸。
4、本发明中，通过设置散热槽、辅助散热板和第二绝缘杆，散热槽的内部固定安装有辅助散热板，散热槽虽然能够实现通风散热的功能，但是其内部很容易积攒一定的灰尘，会影响灯珠的亮度，因此利用辅助散热板，不仅能够实现进一步的散热功能，而且能够防止灰尘的进入，保证灯珠的亮度，利用第二绝缘杆避免漏电情况。
附图说明
图1为本发明一种高效发光的LED灯珠的整体结构示意图；
图2为本发明一种高效发光的LED灯珠的凹槽位置部分结构示意图；
图3为本发明一种高效发光的LED灯珠的透明盖板内部结构示意图；
图4为本发明一种高效发光的LED灯珠的安装槽位置部分结构示意图；
图5为本发明一种高效发光的LED灯珠的辅助散热板位置部分结构示意图；
图6为本发明一种高效发光的LED灯珠的图5位置A处放大结构示意图；
图7为本发明一种高效发光的LED灯珠的散热槽位置部分结构示意图。
图中：1、底板；2、透明盖板；3、P型半导体；4、N型半导体；5、焊锡引脚；6、晶体；7、阳极导电板；8、反光镜；9、散热翅板；10、凹槽；11、通槽；12、第一绝缘杆；13、安装槽；14、回形槽；15、回形板；16、长槽；17、挤压杆；18、空隙；19、散热槽；20、辅助散热板；21、第二绝缘杆。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
如图1-7所示，包括底板1和透明盖板2，底板1和透明盖板2均设置为绝缘材料，防止灯珠发光的时候产生漏电的状况，所述底板1上表面安装有P型半导体3和N型半导体4，所述底板1下表面的安装有两个焊锡引脚5，两个所述焊锡引脚5分别与两个P型半导体3和N型半导体4固定连接，所述N型半导体4的表面镶嵌安装有晶体6，所述晶体6与P型半导体3之间跨接有阳极导电板7，当加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，所述底板1的上表面安装有反光镜8，反光镜8能够将荧光发射至透明盖板2的位置，所述反光镜8位于PN结的正下方，所述底板1的表面镶嵌有散热翅板9，所述散热翅板9固定贯穿底板1并延伸至N型半导体4和P型半导体3之间，所述底板1通过卡扣组件安装在透明盖板2的下方。
在进行使用的时候，将焊锡引脚5焊锡在电路板上，当给电路板上通电的时候，从P型半导体3注入到N型半导体4的空穴和由N型半导体4注入到P型半导体3的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P型半导体3的空穴复合，产生自发辐射的荧光，光子在运动的过程中，会经过反光镜8反射，将光反射至透明盖板2的位置，以此使得灯珠的光照强度更强，减少光能的散失，并且利用散热翅板9对光子运动产生的热量进行传输，增长灯珠的使用寿命，使得灯珠的发光更加的高效。
所述底板1的上表面开设有凹槽10，所述反光镜8安装在凹槽10的内部，所述凹槽10的深度与反光镜8的厚度相同，保证底板1的上表面是平整的，所述散热翅板9的数量设置有多个，多个散热翅板9能够保证热量更快的传递出去，从而加快热量的传输，对晶体6、阳极导电板7、P型半导体3和N型半导体4进行保护，防止热量太高烧断损坏，分别对称位于反光镜8的两侧，且位于P型半导体3和N型半导体4的下方。
所述底板1的下表面中部位置开设有通槽11，所述通槽11内壁的两侧与外部连通，在进行安装的时候，保证有流动的空气从通槽11的位置穿过，利用流动的空气将热量带走，从而使得散热翅板9表面的热度降低，并且将散热翅板9设置为金属材质，提高导热的效率，所述散热翅板9的下端位于通槽11的内部，避免散热翅板9与电路板的表面接触，从而防止漏电，所述散热翅板9的上表面安装有第一绝缘杆12，若是灯珠的表面受到挤压，当P型半导体3和/或N型半导体4接触到散热翅板9的上表面时，依然不会导致漏电的状况。
所述底板1的下表面开设有两个安装槽13，两个所述焊锡引脚5分别固定安装在安装槽13的内部，所述安装槽13的深度与焊锡引脚5的厚度相同，当灯珠安装在电路板的表面的时候，底板1的下表面能够刚好抵在电路板的上表面，使得贴片安装的更加紧密，更加适用于集成电路，所述焊锡引脚5的边缘与底板1的边缘处于同一平面上，在焊接的时候提供足够的焊接空间，方便对灯珠进行焊接。
所述卡扣组件包括回形槽14，所述回形槽14开设在底板1的上表面，所述透明盖板2的下端安装有回形板15，所述回形板15卡在回形槽14的内部，所述回形板15的表面开设有长槽16，长槽16的数量设置有两个，分别对称开设在回形板15的两侧，所述长槽16的内部固定安装有挤压杆17，挤压杆17的数量设置有两个，分别位于两个长槽16的位置，所述挤压杆17的表面抵在回形槽14的内壁。
挤压杆17与回形板15的材质均为塑料材质，具有一定的弹性，在进行安装的时候，直接将回形板15对准回形槽14的内部，通过压力将回形板15卡在回形槽14的内部，挤压杆17就会慢慢的挤压进入到长槽16的内部，安装结束之后，挤压杆17就会因为本身的弹力抵在长槽16的内部，保证透明盖板2的安装更加的稳固，同时也方便对灯珠进行拆卸。
所述透明盖板2的表面开设有空隙18，提供足够的操作空间，更加方便将底板1和透明盖板2分开，所述空隙18的内壁与回形板15的表面处于同一平面上。
所述透明盖板2的两侧开设有若干个散热槽19，散热槽19提高散热能力。
所述散热槽19的内部固定安装有辅助散热板20，所述辅助散热板20的一侧与透明盖板2的外表面处于同一平面上，所述辅助散热板20的另一侧延伸进入到透明盖板2的内部，散热槽19虽然能够实现通风散热的功能，但是其内部很容易积攒一定的灰尘，会影响灯珠的亮度，因此利用辅助散热板20，不仅能够实现进一步的散热功能，而且能够防止灰尘的进入，保证灯珠的亮度。
所述辅助散热板20靠近P型半导体3和/或N型半导体4的一侧固定安装有第二绝缘杆21，同样避免漏电情况。
需要说明的是，本发明为一种高效发光的LED灯珠，在使用时，将回形板15对准回形槽14的内部，通过压力将回形板15卡在回形槽14的内部，挤压杆17就会慢慢的挤压进入到长槽16的内部，安装结束之后，挤压杆17就会因为本身的弹力抵在长槽16的内部，保证透明盖板2的安装更加的稳固，接着将焊锡引脚5焊锡在电路板上，当给电路板上通电的时候，从P型半导体3注入到N型半导体4的空穴和由N型半导体4注入到P型半导体3的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P型半导体3的空穴复合，产生自发辐射的荧光，光子在运动的过程中，会经过反光镜8反射，将光反射至透明盖板2的位置，以此使得灯珠的光照强度更强，减少光能的散失，并且利用散热翅板9对光子运动产生的热量进行传输，增长灯珠的使用寿命，使得灯珠的发光更加的高效，同时利用辅助散热板20，不仅能够实现进一步的散热功能，而且能够防止灰尘的进入，保证灯珠的亮度。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (8)

1.一种高效发光的LED灯珠，包括底板(1)和透明盖板(2)，所述底板(1)上表面安装有P型半导体(3)和N型半导体(4)，所述底板(1)下表面的安装有两个焊锡引脚(5)，两个所述焊锡引脚(5)分别与两个P型半导体(3)和N型半导体(4)固定连接，所述N型半导体(4)的表面镶嵌安装有晶体(6)，所述晶体(6)与P型半导体(3)之间跨接有阳极导电板(7)，其特征在于：所述底板(1)的上表面安装有反光镜(8)，所述反光镜(8)位于PN结的正下方，所述底板(1)的表面镶嵌有散热翅板(9)，所述散热翅板(9)固定贯穿底板(1)并延伸至N型半导体(4)和P型半导体(3)之间，所述底板(1)通过卡扣组件安装在透明盖板(2)的下方；
所述底板(1)的上表面开设有凹槽(10)，所述反光镜(8)安装在凹槽(10)的内部，所述凹槽(10)的深度与反光镜(8)的厚度相同，所述散热翅板(9)的数量设置有多个，分别对称位于反光镜(8)的两侧，且位于P型半导体(3)和N型半导体(4)的下方。
2.根据权利要求1所述的一种高效发光的LED灯珠，其特征在于：所述底板(1)的下表面中部位置开设有通槽(11)，所述通槽(11)内壁的两侧与外部连通，所述散热翅板(9)的下端位于通槽(11)的内部，所述散热翅板(9)的上表面安装有第一绝缘杆(12)。
3.根据权利要求1所述的一种高效发光的LED灯珠，其特征在于：所述底板(1)的下表面开设有两个安装槽(13)，两个所述焊锡引脚(5)分别固定安装在安装槽(13)的内部，所述安装槽(13)的深度与焊锡引脚(5)的厚度相同，所述焊锡引脚(5)的边缘与底板(1)的边缘处于同一平面上。
4.根据权利要求1所述的一种高效发光的LED灯珠，其特征在于：所述卡扣组件包括回形槽(14)，所述回形槽(14)开设在底板(1)的上表面，所述透明盖板(2)的下端安装有回形板(15)，所述回形板(15)卡在回形槽(14)的内部，所述回形板(15)的表面开设有长槽(16)，所述长槽(16)的内部固定安装有挤压杆(17)，所述挤压杆(17)的表面抵在回形槽(14)的内壁。
5.根据权利要求4所述的一种高效发光的LED灯珠，其特征在于：所述透明盖板(2)的表面开设有空隙(18)，所述空隙(18)的内壁与回形板(15)的表面处于同一平面上。
6.根据权利要求1所述的一种高效发光的LED灯珠，其特征在于：所述透明盖板(2)的两侧开设有若干个散热槽(19)。
7.根据权利要求6所述的一种高效发光的LED灯珠，其特征在于：所述散热槽(19)的内部固定安装有辅助散热板(20)，所述辅助散热板(20)的一侧与透明盖板(2)的外表面处于同一平面上，所述辅助散热板(20)的另一侧延伸进入到透明盖板(2)的内部。
8.根据权利要求7所述的一种高效发光的LED灯珠，其特征在于：所述辅助散热板(20)靠近P型半导体(3)和/或N型半导体(4)的一侧固定安装有第二绝缘杆(21)。
CN202310418828.8A 2023-04-18 2023-04-18 一种高效发光的led灯珠 Active CN116404091B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310418828.8A CN116404091B (zh) 2023-04-18 2023-04-18 一种高效发光的led灯珠

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310418828.8A CN116404091B (zh) 2023-04-18 2023-04-18 一种高效发光的led灯珠

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN116404091A CN116404091A (zh) 2023-07-07
CN116404091B true CN116404091B (zh) 2023-11-24

Family

ID=87012135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310418828.8A Active CN116404091B (zh) 2023-04-18 2023-04-18 一种高效发光的led灯珠

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116404091B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102804427A (zh) * 2009-06-23 2012-11-28 旭硝子株式会社 发光装置
CN104716252A (zh) * 2015-03-17 2015-06-17 深圳市华星光电技术有限公司 发光装置及背光模组
WO2016197963A1 (zh) * 2015-06-12 2016-12-15 吴少健 一种led灯板结构
CN205877739U (zh) * 2016-06-17 2017-01-11 宁夏博文利奥科技有限公司 一种led灯组件
CN112271246A (zh) * 2020-10-26 2021-01-26 江西瑞晟光电科技有限公司 一种新型led灯珠封装方式方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5345363B2 (ja) * 2008-06-24 2013-11-20 シャープ株式会社 発光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102804427A (zh) * 2009-06-23 2012-11-28 旭硝子株式会社 发光装置
CN104716252A (zh) * 2015-03-17 2015-06-17 深圳市华星光电技术有限公司 发光装置及背光模组
WO2016197963A1 (zh) * 2015-06-12 2016-12-15 吴少健 一种led灯板结构
CN205877739U (zh) * 2016-06-17 2017-01-11 宁夏博文利奥科技有限公司 一种led灯组件
CN112271246A (zh) * 2020-10-26 2021-01-26 江西瑞晟光电科技有限公司 一种新型led灯珠封装方式方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN116404091A (zh) 2023-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5101578B2 (ja) 発光ダイオード照明装置
JP3163478U (ja) 発光ダイオードランプの構造
CN201293282Y (zh) Led支架和led发光结构
CN208295809U (zh) 汽车照明装置
CN116404091B (zh) 一种高效发光的led灯珠
CN201439878U (zh) 一种led日光灯管
CN104930470A (zh) 一种led灯板结构
CN201706228U (zh) 一种配置散热装置的led锥形灯具
CN101294660B (zh) 一种led照明灯
CN213599094U (zh) 一种高效节能发光二极管
CN201844222U (zh) 半导体光源及其发光结构
CN103227266B (zh) Led封装结构
CN220749862U (zh) 一种led光源
CN217684464U (zh) 一种具有保护装置的led灯珠
CN211083713U (zh) 一种七彩流星led灯条
CN219160296U (zh) 具有抗静电能力发光二极管
CN210040251U (zh) 一种直插式led灯珠
CN216383662U (zh) 一种新型高效散热的led球泡灯
CN210778658U (zh) 一种可调色温的led灯珠
CN213635188U (zh) 一种节能型led显示单元板及显示屏
CN214119714U (zh) 一种散热好的led发光二极管
CN213019405U (zh) 一种节能环保led照明装置
CN219177647U (zh) 高导热led灯珠
CN210778656U (zh) 一种led发光二极管
CN213777389U (zh) 一种主动散热式led路灯

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant