CN116387209B - 芯片封装***及芯片封装方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及芯片封装领域,提供一种芯片封装***及芯片封装方法,其中,一种芯片封装***,包括:取料平台;芯片热压键合装置包括旋转调整机构、抓取机构和第一腔室,旋转调整机构与抓取机构连接,抓取机构的端部置于第一腔室内;基板平台与第一腔室配合形成真空腔;第一视觉识别装置置于取料平台与基板平台之间,第一视觉识别装置与旋转调整机构电连接。用以解决现有技术中批量对多个芯片封装造成的封装精度低,故障率高的缺陷,本发明提供的芯片封装***,通过第一视觉识别装置识别芯片位置并反馈给旋转调整机构,以调整芯片旋转角度,提高封装精度;芯片热压键合装置设置第一腔室实现单独芯片真空键合过程,避免芯片键合过程的氧化。
Description
技术领域
本发明涉及芯片封装技术领域,尤其涉及一种芯片封装***及芯片封装方法。
背景技术
目前,对芯片的封装常采用热压键合方式,现有的热压键合设备为多个芯片批量进行,例如,将数十个、数百个甚至数千个芯片放入烤箱中,加热到使焊料熔化的温度以完成粘合,然后继续进行后续步骤,例如去除助焊剂残留物和底部填充。
这种设备的封装效率高,但整个封装由许多不同的材料组成,在回流炉中加热会导致这些不同的材料以不同的速率膨胀。随着芯片和基板膨胀和冷却,热膨胀系数的差异会导致翘曲。此外,由于芯片是放置后重新焊接的,焊球可能无法与每个铜焊盘完美接触,从而导致芯片间隙变化,可能无法完全平整放置,影响芯片的精度和使用寿命。
发明内容
本发明提供一种芯片封装***及芯片封装方法,用以解决现有技术中批量对多个芯片封装造成的封装精度低,故障率高,使用寿命短的缺陷,实现芯片进行真空键合提高键合质量,并设置第一视觉识别装置和旋转调整机构提高芯片与基板的对正精度,提高封装精度,降低故障率,延长使用寿命。
本发明提供一种芯片封装***,包括:
取料平台,所述取料平台上盛放朝向正确的芯片;
芯片热压键合装置,所述芯片热压键合装置包括旋转调整机构、抓取机构和第一腔室,所述旋转调整机构与所述抓取机构连接,以调整所述抓取机构的旋转角度,所述第一腔室设置在所述抓取机构上,所述抓取机构的端部置于所述第一腔室内;
基板平台,所述基板平台或所述基板平台上的基板与所述第一腔室配合形成真空腔;
第一视觉识别装置,所述第一视觉识别装置置于所述取料平台与所述基板平台之间,所述第一视觉识别装置与所述旋转调整机构电连接,以识别并调节所述抓取机构的角度。
根据本发明提供的芯片封装***,所述芯片热压键合装置还包括第一控温机构,所述第一控温机构与所述抓取机构热传递,以控制所述抓取机构的温度。
根据本发明提供的芯片封装***,所述芯片热压键合装置还包括抽真空机构,所述抽真空机构与所述第一腔室连通,以对所述第一腔室抽真空。
根据本发明提供的芯片封装***,所述芯片热压键合装置还包括充气机构,所述充气机构与所述第一腔室连通,以向所述第一腔室内充入保护气体和/或还原性气体。
根据本发明提供的芯片封装***,所述基板平台包括第二控温机构,所述第二控温机构用以与所述基板热传递。
根据本发明提供的芯片封装***,还包括第一线性移动机构,所述基板平台可滑动的安装在所述第一线性移动机构上,所述第一线性移动机构使所述基板平台线性靠近和远离所述芯片热压键合装置。
根据本发明提供的芯片封装***,还包括第二线性移动机构,所述芯片热压键合装置可滑动的安装在所述第二线性移动机构上,所述第二线性移动机构沿所述取料平台、所述第一视觉识别装置和所述基板平台顺次设置的方向延伸布置;
其中,所述第二线性移动机构与所述第一线性移动机构的延伸方向相互垂直。
根据本发明提供的芯片封装***,所述第一视觉识别装置与所述第一线性移动机构、所述第二线性移动机构电连接,以调节所述基板平台和所述芯片热压键合装置的位置。
根据本发明提供的芯片封装***,还包括蘸胶装置,所述蘸胶装置内承装有助焊剂,所述蘸胶装置置于所述第一视觉识别装置与所述基板平台之间。
本发明还提供了一种基于上述的芯片封装***的芯片封装方法,包括:
芯片热压键合装置到达取料平台,所述芯片热压键合装置的抓取机构拾取芯片;
所述芯片热压键合装置达到第一视觉识别装置,所述第一视觉识别装置获取所述芯片热压键合装置所拾取的所述芯片的位置信息,并传递给所述芯片热压键合装置的旋转调整机构;
所述旋转调整机构接收所述位置信息并调整所述抓取机构的角度,以调正所述芯片的位置;
所述芯片热压键合装置将所述芯片与基板平台的基板扣合,并进行真空热压键合。
根据本发明的芯片封装方法,所述进行真空热压键合的步骤,包括:
所述芯片热压键合装置的第一腔室与所述基板平台或所述基板平台的基板扣合形成真空腔,对所述真空腔抽真空;
对所述芯片和所述基板分别加热;
所述抓取机构将所述芯片与所述基板压合。
根据本发明的芯片封装方法,对所述真空腔抽真空之后,还包括:
向所述真空腔内充入保护气体和/或还原性气体。
本发明提供的芯片封装***,通过在取料平台与基板平台之间设置第一视觉识别装置,通过第一视觉识别装置识别芯片位置并反馈给旋转调整机构,以调整芯片旋转角度,提高芯片的对正精度,进而提高封装精度;芯片热压键合装置设置第一腔室实现单独芯片真空键合过程,避免芯片键合过程的氧化。
进一步,在本发明提供的芯片封装方法采用如上所述的芯片封装***实现,因此同样具备如上所述的各种优势。
附图说明
为了更清楚地说明本发明或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的芯片封装***的整体结构示意图之一;
图2是本发明提供的芯片封装***的整体结构示意图之二;
图3是图2中芯片热压键合装置的局部放大图;
图4是本发明提供的芯片封装方法的流程图。
附图标记:
100:芯片热压键合装置;101:旋转调整机构;102:抓取机构;103:壳体;104:第一控温机构;105:第一真空管路;106:升降机构;110:第二线性移动机构;200:基板平台;210:第一线性移动机构;300:第一视觉识别装置;400:取料平台;500:蘸胶装置;600:操作平台;610:取料机构;620:供料平台;630:第二视觉识别装置。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明中的附图,对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明实施例和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明实施例的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本发明实施例的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本发明实施例中的具体含义。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明实施例的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
下面结合图1至图4,对本发明的实施例进行描述。应当理解的是,以下所述仅是本发明的示意性实施方式,并不对本发明构成限定。
如图1至图3所示,本发明提供了一种芯片封装***,包括:取料平台400、芯片热压键合装置100、基板平台200和第一视觉识别装置300,取料平台400上盛放朝向正确的芯片;芯片热压键合装置100包括旋转调整机构101、抓取机构102和第一腔室,旋转调整机构101与抓取机构102连接,以调整抓取机构102的旋转角度,第一腔室设置在抓取机构102上,抓取机构102的端部置于第一腔室内;基板平台200或基板平台200上的基板与第一腔室配合形成真空腔;第一视觉识别装置300置于取料平台400与基板平台200之间,第一视觉识别装置300与旋转调整机构101电连接,以识别并调节抓取机构102的角度。
也就是说,取料平台400、第一视觉识别装置300和基板平台200顺次布置,芯片热压键合装置100从取料平台400上拾取芯片后,经过第一视觉识别装置300对芯片位置进行识别,并控制芯片热压键合装置100的旋转调整机构101调整抓取机构102的角度,使芯片摆正,芯片热压键合装置100将摆正后的芯片置于基板平台200,以完成封装。第一视觉识别装置300与软件视觉***连接进行识别控制。
其中,取料平台400具有翻转功能,对朝向相反的芯片进行翻转,使其朝向正确。例如,取料平台400包括第一台面和第二台面,第一台面和第二台面置于转轴的轴线的两侧,转轴与第二台面连接,朝向相反的芯片放置在第二台面上,通过转轴的转动,将第二台面与第一台面扣合,从而将芯片翻转至第一台面,完成芯片的朝向调整。朝向正确的芯片直接放置在第一台面上,芯片热压键合装置100直接进行拾取。
如图3所示,针对本发明的热压键合装置而言,旋转调整机构101包括动力部分和转动部分,转动部分与抓取机构102连接,动力部分驱动转动部分转动,从而使抓取机构102转动,抓取机构102用于拾取芯片,旋转调整机构101用以调整芯片的旋转角度,以使其与基板更加适配。例如,动力部分可以选择电机,转动部分可以选择轴承套,抓取机构102可以选择真空吸附抓取方式。形成第一腔室的壳体103与抓取机构102的端部连接,该壳体103的朝向基板平台200的一侧为开口侧,抓取机构102拾取芯片后均置于第一腔室内,并通过壳体103的开口侧与基板平台200上的基板扣合。
壳体103的开口侧与基板平台200的平面接触后将第一腔室密闭,对第一腔室抽真空形成真空腔,在真空环境中对芯片和基板进行热压键合,进而完成封装。在真空低氧环境中进行芯片的热压键合,降低芯片的氧化,提高键合质量。
其中,旋转调整机构101接收第一视觉识别装置300反馈的调整信号,例如,芯片封装***包括控制器,旋转调整机构101和第一视觉识别装置300分别与控制器连接,控制器接收第一视觉识别装置300的视觉信息,并判断是否需要调整芯片的旋转角度,以及旋转角度的大小为多少,并将调整信号发送给旋转调整机构101,旋转调整机构101执行调整信号保持不变或调整到合适角度;第一视觉识别装置300与旋转调整机构101的反馈调整提高芯片的封装精度。
此外,为保证高精度拍摄,还可以在第一视觉识别装置300上增加运动轴,通过运动轴运动实现对芯片热压键合装置100的抓取机构102吸取的芯片进行多次识别提高识别精度。
继续参考图3,在本发明的一个实施例中,芯片热压键合装置100还包括第一控温机构104,第一控温机构104与抓取机构102热传递,以控制抓取机构102的温度。具体而言,第一控温机构104包括加热器,加热器给抓取机构102的端部加热,即给抓取机构102拾取的芯片进行针对性加热。
此外,第一控温机构104还可以包括冷却组件,冷却组件置于抓取机构102的另一端,即与芯片相对的一端,以避免加热器对其它元件进行过度加热,而降低使用寿命和使用精度。
进一步地,在本发明的另一个实施例中,芯片热压键合装置100还包括抽真空机构,抽真空机构与第一腔室连通,以对第一腔室抽真空。其中,抽真空机构可以包括真空泵和第一真空管路105,第一真空管路105的一端与第一腔室连通,另一端与真空泵连通,进而实现对第一腔室与基板平台200接触密封后形成真空腔。
另外,抽真空机构还可以包括第二真空管路,在芯片热压键合装置100的抓取机构102采用真空吸附结构时,在抓取机构102的端部开设有吸附孔,用于吸附芯片,第二真空管路与吸附孔连通,实现对芯片的拾取。
具体地,在本发明的一个可选实施例中,芯片热压键合装置100还包括充气机构,充气机构与第一腔室连通,以向第一腔室内充入保护气体和/或还原性气体,其中,保护气体可以为惰性气体提高升温速率。
其中,充气机构可以包括气泵和充气管道,充气管道的一端与气泵连接,另一端与第一腔室连接。在第一腔室与基板平台200形成真空腔,并完成抽真空后,向第一腔室内充入设定量的还原性气体,对芯片、基板、焊料已经氧化的部分进行还原,增强了键合质量。例如,通入甲酸,减少了由于助焊剂工艺中的助焊剂残留,减少后期清洗步骤。
如图2所示,在本发明的另一个可选实施例中,针对本发明的基板平台200而言,基板平台200包括第二控温机构,第二控温机构用以与基板平台200热传递。例如,第二控温机构包括加热器,加热器对基板平台200进行加热,从而对基板平台200进行预热,提高热压键合效果。加热器均匀的铺设在基板平台200内,且从***向中心区域的加热器功率逐渐降低,避免中心区域温度过于集中。
此外,第二控温机构还可以包括冷却器,冷却器对热压键合完成的芯片和基板平台200进行冷却降温。冷区器设置在加热器的下方。
继续参考图2,在本发明的一个具体实施例中,芯片封装***还包括第一线性移动机构210,基板平台200可滑动的安装在第一线性移动机构210上,第一线性移动机构210使基板平台200线性靠近和远离芯片热压键合装置100。
第一线性移动机构210可以采用电机带动齿轮齿条结构,也可以采用伸缩气缸结构或者电机带动丝杠丝母结构等。第一线性移动机构210沿纵向延伸,基板平台200沿第一线性移动机构210在芯片热压键合装置100的约束方向上,靠近芯片热压键合装置100或远离芯片热压键合装置100。
在本发明的一个具体实施例中,芯片封装***还包括第二线性移动机构110,芯片热压键合装置100可滑动的安装在第二线性移动机构110上,第二线性移动机构110沿取料平台400、第一视觉识别装置300和基板平台200顺次设置的方向延伸布置;其中,第二线性移动机构110与第一线性移动机构210的延伸方向相互垂直。
第二线性移动机构110可以采用电机带动齿轮齿条结构,也可以采用伸缩气缸结构或者电机带动丝杠丝母结构等。第二线性移动机构110沿横向延伸,芯片热压键合装置100沿第二线性移动机构110的延伸方向往复运动,进而能够实现分别到达取料平台400、第一视觉识别装置300和基板平台200。第二线性移动机构110与第一线性移动机构210垂直设置,第二线性移动机构110置于第一线性移动机构210的上方。例如,第二线性移动机构110、取料平台400、第一视觉识别装置300和基板平台200均设置在操作平台600上。
在本发明的一些实施例中,第一视觉识别装置300与第一线性移动机构210、第二线性移动机构110电连接,以调节基板平台200和芯片热压键合装置100的位置。例如,第一视觉识别装置300包括采集端和软件视觉***,采集端获取视觉信息发送给软件视觉***,软件视觉***分别与第一线性移动机构210、第二线性移动机构110和旋转调整机构101连接,控制基板平台200在第一线性移动机构210上的位置、控制芯片热压键合装置100在第二线性移动机构110上的位置以及控制旋转调整机构101的旋转角度。如图1和图2所示,芯片封装***还包括取料机构610、供料平台620和第二视觉识别装置630,取料机构610可滑动的安装在第二线性移动机构110上,供料平台620和第二视觉识别装置630安装在操作平台600上,第二视觉识别装置630设置在取料平台400和供料平台620之间。
在工作过程中,取料机构610从供料平台620上抓取芯片,经过第二视觉识别装置630识别芯片的正反以及芯片的旋转角度,将芯片放置在取料平台400上,例如,第二视觉识别装置630识别芯片为反面,则将芯片放置在取料平台400的第二台面上,经过转轴的翻转,置于第一台面上,再通过芯片热压键合装置100拾取。也就是说,取料机构610、供料平台620、第二视觉识别装置630、取料平台400、第一视觉识别装置300、基板平台200顺次布置。
此外,芯片热压键合装置100还带有升降机构106、压力传感器和位移传感器,芯片热压键合装置100的升降机构106使得抓取机构102带动第一腔室的壳体103沿竖直方向向基板平台200靠近和远离,第一腔室的壳体103相对于抓取机构102可伸缩,初始状态下,抓取机构102的底部低于第一腔室的壳体103的底部,在第一腔室与基板平台200形成真空腔后,抓取机构102的底部置于第一腔室的壳体103内。位移传感器用于识别芯片热压键合装置100与基板平台200、第二视觉识别装置630以及取料平台400的间距,压力传感器用于检测抓取机构102与基板平台200的挤压压力。同理,取料机构610包括升降机构106、旋转调整机构101和抓取机构102,以用于在供料平台620上抓取芯片,以及可以对芯片的旋转角度进行调整。
具体地,在本发明的一些实施例中,芯片封装***还包括蘸胶装置500,蘸胶装置500内承装有助焊剂,蘸胶装置500置于第一视觉识别装置300与基板平台200之间。芯片热压键合装置100将拾取的芯片蘸取一定量的助焊剂,有效的去除芯片的已氧化部分,进而使得键合效果更好。
如图4所示,本发明还提供了一种基于上述实施例芯片封装***的芯片封装方法,包括:
S1:芯片热压键合装置100到达取料平台400,芯片热压键合装置100的抓取机构102拾取芯片;具体地,芯片热压键合装置100沿第二线性移动机构110达到取料平台400的对应位置,并通过升降机构106下降至取料平台400的高度,抓取机构102通过真空吸附拾取芯片。
S2:芯片热压键合装置100到达第一视觉识别装置300,第一视觉识别装置300获取芯片热压键合装置100所拾取的芯片的位置信息,并传递给芯片热压键合装置100的旋转调整机构101;具体地,芯片热压键合装置100拾取朝向正确的芯片后,沿第二线性移动机构110到达第一视觉识别装置300所对应的位置,通过第一视觉识别装置300识别抓取机构102上芯片的旋转角度的位置信息,并将位置信息发送给旋转调整机构101。
此外,第一视觉识别装置300还可以控制第一线性移动机构210上的基板平台200的位置,以及控制第二线性移动机构110上的芯片热压键合装置100的位置。也就是说,对角度和位置进行补偿。
S3:旋转调整机构101接收位置信息并调整抓取机构102的角度,以调正芯片的位置;具体地,第一视觉识别装置300可以将位置信息发送给控制器,控制器判断该位置信息是否需要调整,以及调整的角度,并将需要调整的位置信息反馈给旋转调整机构101,旋转调整机构101进行抓取机构102的角度调整,使得芯片能够与基板正相对。
S4:芯片热压键合装置100将芯片与基板平台200扣合,并进行真空热压键合。例如,在基板平台200上开设有适配槽,抓取机构102在升降机构106的带动下将芯片落入适配槽中,进而进行热压键合。
在本发明的一个实施例中,针对步骤S4的进行真空热压键合的步骤,包括:
S41:芯片热压键合装置100的第一腔室与基板平台200扣合形成真空腔,对真空腔抽真空;具体地,第一腔室的壳体103与基板平台200形成真空腔,抽真空机构对真空腔抽真空,在本发明中,在真空腔达到预设值后,充气机构向真空腔内充入保护气体和/或还原性气体使真空腔内达到常压或微正压。保护气体可以作为导热介质提升升温速率;还原性气体能够去除工件表面氧化物。
S42:对芯片和基板分别加热;具体地,第一控温机构104开始对芯片加热至预设温度,第二控温机构可以同时对基板平台200加热至预设温度,或提前对基板平台200进行预热。
S43:抓取机构102将芯片与基板平台200压合。抓取机构102持续下压,直至压力传感器达到预设值,使芯片与基板完成热压键合。
完成热压键合后,通过第二控温机构对基板平台200进行冷却,降温到设定的预热温度,等待下一次键合过程。其中,抓取机构102与壳体103之间具有伸缩复位功能,使得抓取机构102持续下压时,壳体103与基板平台200位置在一定压力下,不会过压。在完成热压键合后,第一腔室的壳体103缩回,与基板平台200分离。
本发明提供的芯片封装***,通过在取料平台400与基板平台200之间设置第一视觉识别装置300,通过第一视觉识别装置300识别芯片位置并反馈给旋转调整机构101,以调整芯片旋转角度,提高芯片的对正精度,进而提高封装精度;芯片热压键合装置100设置第一腔室实现单独芯片真空键合过程,避免芯片键合过程的氧化。
进一步,在本发明提供的芯片封装方法采用如上所述的芯片封装***实现,因此同样具备如上所述的各种优势。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (11)
1.一种芯片封装***,其特征在于,包括:
取料平台,所述取料平台上盛放朝向正确的芯片;
芯片热压键合装置,所述芯片热压键合装置包括旋转调整机构、抓取机构和第一腔室,所述旋转调整机构与所述抓取机构连接,以调整所述抓取机构的旋转角度,所述第一腔室设置在所述抓取机构上,所述抓取机构的端部置于所述第一腔室内;
基板平台,所述基板平台或所述基板平台上的基板与所述第一腔室配合形成真空腔;
所述芯片热压键合装置还包括抽真空机构,所述抽真空机构与所述第一腔室连通,以对所述第一腔室抽真空;
所述抽真空机构包括真空泵和第一真空管路,所述第一真空管路的一端与所述第一腔室连通,另一端与所述真空泵连通;
所述抽真空机构还包括第二真空管路,所述抓取机构的端部开设有吸附孔,用于吸附芯片,所述第二真空管路与所述吸附孔连通,实现对芯片的拾取;
第一视觉识别装置,所述第一视觉识别装置置于所述取料平台与所述基板平台之间,所述第一视觉识别装置与所述旋转调整机构电连接,以识别并调节所述抓取机构的角度;
所述芯片封装***还包括第二线性移动机构及操作平台;
所述芯片封装***还包括取料机构、供料平台和第二视觉识别装置,所述取料机构可滑动的安装在所述第二线性移动机构上,所述供料平台和所述第二视觉识别装置安装在所述操作平台上,所述第二视觉识别装置设置在所述取料平台和所述供料平台之间;
所述取料平台具有翻转功能,对朝向相反的芯片进行翻转,使其朝向正确;
所述取料平台包括第一台面和第二台面,所述第一台面和所述第二台面置于转轴的轴线的两侧,转轴与所述第二台面连接,朝向相反的芯片放置在所述第二台面上,通过转轴的转动,将所述第二台面与所述第一台面扣合,从而将芯片翻转至所述第一台面,完成芯片的朝向调整,朝向正确的芯片直接放置在所述第一台面上;
所述取料机构从所述供料平台上抓取芯片,经过所述第二视觉识别装置识别芯片的正反以及芯片的旋转角度,将芯片放置在所述取料平台上;
所述第二视觉识别装置识别芯片为反面时,则将芯片放置在所述取料平台的所述第二台面上,经过转轴的翻转,置于所述第一台面上。
2.根据权利要求1所述的芯片封装***,其特征在于,所述芯片热压键合装置还包括第一控温机构,所述第一控温机构与所述抓取机构热传递,以控制所述抓取机构的温度。
3.根据权利要求1所述的芯片封装***,其特征在于,所述芯片热压键合装置还包括充气机构,所述充气机构与所述第一腔室连通,以向所述第一腔室内充入保护气体和/或还原性气体。
4.根据权利要求1所述的芯片封装***,其特征在于,所述基板平台包括第二控温机构,所述第二控温机构用以与所述基板热传递。
5.根据权利要求1或4所述的芯片封装***,其特征在于,还包括第一线性移动机构,所述基板平台可滑动的安装在所述第一线性移动机构上,所述第一线性移动机构使所述基板平台线性靠近和远离所述芯片热压键合装置。
6.根据权利要求5所述的芯片封装***,其特征在于,所述芯片热压键合装置可滑动的安装在所述第二线性移动机构上,所述第二线性移动机构沿所述取料平台、所述第一视觉识别装置和所述基板平台顺次设置的方向延伸布置;
其中,所述第二线性移动机构与所述第一线性移动机构的延伸方向相互垂直。
7.根据权利要求6所述的芯片封装***,其特征在于,所述第一视觉识别装置与所述第一线性移动机构、所述第二线性移动机构电连接,以调节所述基板平台和所述芯片热压键合装置的位置。
8.根据权利要求1或2所述的芯片封装***,其特征在于,还包括蘸胶装置,所述蘸胶装置内承装有助焊剂,所述蘸胶装置置于所述第一视觉识别装置与所述基板平台之间。
9.一种基于权利要求1至8中任一项所述的芯片封装***的芯片封装方法,其特征在于,包括:
芯片热压键合装置到达取料平台,所述芯片热压键合装置的抓取机构拾取芯片;
所述芯片热压键合装置达到第一视觉识别装置,所述第一视觉识别装置获取所述芯片热压键合装置所拾取的所述芯片的位置信息,并传递给所述芯片热压键合装置的旋转调整机构;
所述旋转调整机构接收所述位置信息并调整所述抓取机构的角度,以调正所述芯片的位置;
所述芯片热压键合装置将所述芯片与基板平台的基板扣合,并进行真空热压键合。
10.根据权利要求9所述的芯片封装方法,其特征在于,所述进行真空热压键合的步骤,包括:
所述芯片热压键合装置的第一腔室与所述基板平台或所述基板平台的基板扣合形成真空腔,对所述真空腔抽真空;
对所述芯片和所述基板分别加热;
所述抓取机构将所述芯片与所述基板压合。
11.根据权利要求10所述的芯片封装方法,其特征在于,对所述真空腔抽真空之后,还包括:
向所述真空腔内充入保护气体和/或还原性气体。
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Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55165643A (en) * | 1979-06-12 | 1980-12-24 | Fujitsu Ltd | Device for bonding pellet |
CN1893009A (zh) * | 2005-07-07 | 2007-01-10 | 松下电器产业株式会社 | 元件安装装置和元件安装方法 |
JP2008077599A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Dainippon Printing Co Ltd | 非接触通信部材の製造方法および非接触通信部材の製造装置、並びに、インターポーザの製造方法およびインターポーザの製造装置 |
CN102683233A (zh) * | 2011-03-18 | 2012-09-19 | 均华精密工业股份有限公司 | 粘晶机 |
TW201344812A (zh) * | 2012-04-25 | 2013-11-01 | D Tek Technology Co Ltd | 覆晶載板之錫球凸塊的迴焊與整平方法及其迴焊整平設備 |
KR20140022582A (ko) * | 2012-08-14 | 2014-02-25 | 한미반도체 주식회사 | 플립칩 본딩장치 및 본딩장치의 교정방법 |
KR20160115192A (ko) * | 2015-03-26 | 2016-10-06 | 주식회사 엘트린 | 기판 접합 장치 및 기판 접합 방법 |
CN107079619A (zh) * | 2014-08-13 | 2017-08-18 | 株式会社新川 | 安装装置与测量方法 |
KR20200129358A (ko) * | 2019-05-08 | 2020-11-18 | 주식회사 새너 | 패널 이송 모듈 및 이를 포함하는 패널 합착 장치 |
KR20210000210A (ko) * | 2019-06-24 | 2021-01-04 | 이동철 | Led 열압 본딩 시스템 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11972968B2 (en) * | 2020-07-02 | 2024-04-30 | Sharpack Technology Pte. Ltd. | Fluxless gang die bonding arrangement |
-
2023
- 2023-06-06 CN CN202310659911.4A patent/CN116387209B/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55165643A (en) * | 1979-06-12 | 1980-12-24 | Fujitsu Ltd | Device for bonding pellet |
CN1893009A (zh) * | 2005-07-07 | 2007-01-10 | 松下电器产业株式会社 | 元件安装装置和元件安装方法 |
JP2008077599A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Dainippon Printing Co Ltd | 非接触通信部材の製造方法および非接触通信部材の製造装置、並びに、インターポーザの製造方法およびインターポーザの製造装置 |
CN102683233A (zh) * | 2011-03-18 | 2012-09-19 | 均华精密工业股份有限公司 | 粘晶机 |
TW201344812A (zh) * | 2012-04-25 | 2013-11-01 | D Tek Technology Co Ltd | 覆晶載板之錫球凸塊的迴焊與整平方法及其迴焊整平設備 |
KR20140022582A (ko) * | 2012-08-14 | 2014-02-25 | 한미반도체 주식회사 | 플립칩 본딩장치 및 본딩장치의 교정방법 |
CN107079619A (zh) * | 2014-08-13 | 2017-08-18 | 株式会社新川 | 安装装置与测量方法 |
KR20160115192A (ko) * | 2015-03-26 | 2016-10-06 | 주식회사 엘트린 | 기판 접합 장치 및 기판 접합 방법 |
KR20200129358A (ko) * | 2019-05-08 | 2020-11-18 | 주식회사 새너 | 패널 이송 모듈 및 이를 포함하는 패널 합착 장치 |
KR20210000210A (ko) * | 2019-06-24 | 2021-01-04 | 이동철 | Led 열압 본딩 시스템 |
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