CN116347965A - 一种有机发光显示器像素电极结构的制备方法 - Google Patents

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张阳
彭劲松
陶最
汪世豪
王新军
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Abstract

本发明公开了一种有机发光显示器像素电极结构的制备方法，包括：形成反射金属层；形成第三透明微腔层；形成像素电极；图像化的方式保护第一、第三像素区，减薄第二像素区的透明微腔层至特定厚度；图像化的方式保护第二、第三像素区，减薄第一像素区的透明微腔层至特定厚度。通过该方法使各像素区具备不同微腔结构，实现通过微腔独立调节子像素颜色，提高硅基有机发光显示器的显示亮度。

Description

一种有机发光显示器像素电极结构的制备方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及有机发光显示器像素电极结构及制备方法
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器件彩色化方案一般有两种，一种是子像素的直接彩色化，一种是通过白光加彩色过滤片的方式实现彩色。由于OLED的发光为谐振出光，通过改变谐振腔的长度可实现不同波长的光发出。改变谐振腔长的方式通常有两种，一种是通过精细掩膜版实现红绿蓝子像素上不同有机发光膜层厚度的制备，实现红绿蓝子像素的不同谐振腔长。一种是制备对应红绿蓝像素的不同厚度的透明阳极，实现红绿蓝子像素的不同谐振腔长。前者在面板显示行业应用普遍。后者在精细度更高的微显示领域，是实现高亮彩色化的首选方案。
发明内容
本发明提供了一种有机发光显示器像素电极结构的制备方法，可以实现OLED器件子像素具备不同微腔长度，通过微腔调节使得显示屏子像素直接产生其对应颜色的光，从而减少彩色滤光片带来的光损失，提高硅基OLED显示屏亮度。
为实现上述效果，
第一方面，本发明提供了一种有机发光显示器像素电极结构的制备方法，包括如下步骤：
在驱动基板上形成反射金属层和第三透明微腔层，所述第三透明微腔层为金属氧化物材质，具备导电性和可见光范围内高透过率；
通过光刻、刻蚀的方法，在第一像素区、第二像素区、第三像素区形成电极图像；
使用光刻胶遮挡覆盖第一像素区和第三像素区上的电极，漏出第二像素区；
使用刻蚀工艺对第二像素区的透明微腔层减薄，通过控制刻蚀时间，刻蚀一定厚度，得到特定厚度的第二透明微腔层；
使用光刻胶遮挡覆盖第二像素区和第三像素区上的电极，漏出第一像素区；
使用刻蚀工艺对第一像素区的透明微腔层减薄，通过控制刻蚀时间，刻蚀一定厚度，得到特定厚度的第一透明微腔层；
去除光刻胶，得到具有不同微腔层厚度的电极。
第二方面，本发明还提供了一种有机发光显示器像素电极结构的制备方法，包括如下步骤：
在驱动基板上形成反射金属层和第三透明微腔层，所述第三透明微腔层为金属氧化物材质，具备导电性和可见光范围内高透过率；
通过光刻、刻蚀的方法，在第一像素区、第二像素区、第三像素区形成电极图像；
使用光刻胶遮挡覆盖第二像素区和第三像素区上的电极，漏出第一像素区；
使用刻蚀工艺对第一像素区的透明微腔层减薄，通过控制刻蚀时间，刻蚀一定厚度，得到特定厚度的第一透明微腔层；
使用光刻胶遮挡覆盖第一像素区和第三像素区上的电极，漏出第二像素区；
使用刻蚀工艺对第二像素区的透明微腔层减薄，通过控制刻蚀时间，刻蚀一定厚度，得到特定厚度的第二透明微腔层；
去除光刻胶，得到具有不同微腔层厚度的电极。
本发明提供的形成不同像素区不同厚度的透明微腔电极的方法，针对现有有机微显示产品亮度不足的现象，提出改进。本发明提供的微腔阳极制作方法，可通过三步光刻，完成微腔电极的制作。该方法步骤简单，投入成本低，可实现不同像素区发射对应波长的光，提高显示产品的色域，减少光学损失，提升产品亮度，同时也提升了量产的良率和经济性。
本发明的制备方法通过在反射金属层上形成透明微腔层，通过三次图像化光刻、刻蚀的方法在不同像素区形成特定厚度的透明微腔层，使得各像素区具备反射金属层+不同厚度的透明微腔层，通过透明微腔层厚度实现不同像素区不同颜色的光发射，提高有机发光显示器的显示亮度。
附图说明
图1至图10是本发明像素电极结构的制备方法第一实施例中各步骤对应的结构示意图。
图11至图20是本发明像素电极结构的制备方法第二实施例中各步骤对应的结构示意图。
具体实施方式：
下面结合附图和实施例对本发明的像素电极结构的制备方法做更进一步的解释和说明。
图1至图10是本发明像素电极结构的形成方法第一实施例中各步骤对应的结构示意图。
参考图1，提供驱动电路的基底100。110为驱动电路引线结构，负责将驱动电压传导至像素电极的阳极。所述驱动电路的基底可具备多个像素区，本实施例中，参考常规显示器件的红绿蓝子像素，所述基底具有第一、第二、第三像素区。驱动电路的显示区域由第一像素区、第二像素区、第三像素区组成。第一像素区、第二像素区、第三像素区呈周期性排列
参考图2，在基底100上制备反射金属层200和第三透明微腔层210。
所述反射金属层具有良好地反射率和导电性。所述透明微腔层具有导电性好、可见光范围内透射率高、功函数能够匹配OLED器件等特点。其中，高反射率金属层厚度50-200nm之间，常用Al、Ag、Ti、TiN等金属或其组合。透明微腔层厚度100-300nm，一般为ITO、IGZO、ZnO等。
所述第三透明微腔层在100-400nm之间；
参考图3，使用光刻胶或者SiNx、SiOx等硬掩膜300在第一像素区、第二像素区、第三像素区形成电极图形；
参考图4，使用干法刻蚀的方法在第一像素区、第二像素区、第三像素区形成独立的像素电极。使用离子刻蚀工艺去除图3中暴露的透明微腔层和反射金属层。之后，使用氧等离子体刻蚀去除图3中的光刻胶或硬掩膜。
参考图5，使用光刻胶或者SiNx、SiOx等硬掩膜301保护第一像素区、第三像素区，打开第二像素区。
参考图6，使用干法刻蚀对第二像素区的透明微腔层214减薄，通过控制时间，减薄透明微腔层至特定厚度。减薄后，第二透明微腔层214厚度为60-200nm。初始厚度-特定厚度＝目标厚度，比如，微腔层厚度为200nm，进行特定厚度80nm刻蚀后，达到第二微腔层目标厚度120nm。
参考图7，去除光刻胶或者硬掩膜。
参考图8，使用光刻胶或者SiNx、SiOx等硬掩膜302保护第二像素区、第三像素区，打开第一像素区。
参考图9，使用干法刻蚀对第一像素区的透明微腔层213减薄，通过控制时间，减薄透明微腔层至特定厚度。减薄后，第二透明微腔层215厚度为10-100nm。
参考图10，去除光刻胶或硬掩膜，得到最终的微腔电极结构。
图11至图20是本发明像素电极结构的形成方法第二实施例中各步骤对应的结构示意图。
参考图11，提供驱动电路的基底100。110为驱动电路引线结构，负责将驱动电压传导至像素电极的阳极。所述驱动电路的基底可具备多个像素区，本实施例中，参考常规显示器件的红绿蓝子像素，所述基底具有第一、第二、第三像素区；第一像素区、第二像素区、第三像素区呈周期性排列。
在基底100上制备反射金属层200和第三透明微腔层220。
所述反射金属层具有良好地反射率和导电性。所述透明微腔层具有导电性好、可见光范围内透射率高、功函数能够匹配OLED器件等特点。其中，所述反射金属层的材料可以为Al、Ag或Ti等金属，所述透明微腔层的材料可以为ITO、IZO、ZnO中的一种或多种。
所述第三透明微腔层在100-400nm之间；
参考图13，使用光刻胶或者SiNx、SiOx等硬掩膜310在像素区形成电极保护图形；
参考图14，使用干法刻蚀的方法在第一像素区、第二像素区、第三像素区形成独立的像素电极。使用离子刻蚀工艺去除图13中暴露的透明微腔层和反射金属层。之后，使用氧等离子体刻蚀去除图13中的光刻胶或硬掩膜。
参考图15，使用光刻胶或者SiNx、SiOx等硬掩膜311保护第二像素区、第三像素区，打开第一像素区。
参考图16，使用干法刻蚀对第一像素区的透明微腔层223减薄，通过控制时间，减薄透明微腔层至特定厚度。减薄后，第一透明微腔层224厚度为10-100nm。
使用离子刻蚀的方式刻蚀第一像素区的透明微腔层特定厚度，其中刻蚀的厚度＝初始厚度-目标厚度，通过控制刻蚀时间的方式达到刻蚀特定厚度的目的。
参考图17，去除光刻胶或者硬掩膜。
参考图18，使用光刻胶或者SiNx、SiOx等硬掩膜312保护第一像素区、第三像素区，打开第二像素区。
参考图19，使用干法刻蚀对第二像素区的透明微腔层222减薄，通过控制时间，减薄透明微腔层至特定厚度。减薄后，第二透明微腔层225厚度为60-200nm。
使用离子刻蚀的方式刻蚀第二像素区的透明微腔层特定厚度，其中刻蚀的特定厚度＝初始厚度-目标厚度，通过控制刻蚀时间的方式达到刻蚀特定厚度的目的。
参考图20，去除掩膜312，得到最终的微腔电极结构。

Claims (4)

1.一种有机发光显示器像素电极结构的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
提供具有OLED驱动电路的基板，所述基板具有第一、第二、第三像素区对应不同颜色的像素；
在基板上形成反射金属层和第三透明微腔层；
通过光刻、刻蚀的方法形成图形化的第一、第二、第三像素区；
通过图形化的方式，使用光刻胶保护第一、第三像素区，打开第二像素区；
对微腔层进行特定厚度刻蚀，形成第二微腔层；
通过图形化的方式，使用光刻胶保护第二、第三像素区，打开第一像素区；
对微腔层进行特定厚度刻蚀，形成第一微腔层；
至此，在第一像素区、第二像素区、第三像素区形成不同厚度的第一透明微腔层、第二透明微腔层、第三透明微腔层。
2.一种有机发光显示器像素电极结构的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
提供具有OLED驱动电路的基板，所述基板具有第一、第二、第三像素区对应不同颜色的像素；
在基板上形成反射金属层和第三透明微腔层；
通过光刻、刻蚀的方法形成图形化的第一、第二、第三像素区；
通过图形化的方式，使用光刻胶保护第二、第三像素区，打开第一像素区；
对微腔层进行特定厚度刻蚀，形成第一微腔层；
通过图形化的方式，使用光刻胶保护第一、第三像素区，打开第二像素区；
对微腔层进行特定厚度刻蚀，形成第二微腔层；
至此，在第一像素区、第二像素区、第三像素区形成不同厚度的第一透明微腔层、第二透明微腔层、第三透明微腔层。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于刻蚀方法为干法刻蚀，采用的刻蚀气体为Ar、Cl、O2、N2、CHF3、BCl3、SF4中的一种或混合气体。
4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于第三微腔层厚度大于第一微腔层和第二微腔层，第三微腔层厚度为100nm-400nm之间。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104409468A (zh) * 2014-10-29 2015-03-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其显示装置、制作方法
CN104904030A (zh) * 2013-01-04 2015-09-09 乐金显示有限公司 Oled微腔结构及其制造方法
CN104966723A (zh) * 2015-07-27 2015-10-07 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管阵列基板、制备方法及显示装置
CN107195584A (zh) * 2017-05-27 2017-09-22 广州新视界光电科技有限公司 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置
CN110649075A (zh) * 2019-09-27 2020-01-03 京东方科技集团股份有限公司 微腔阳极结构、显示基板及其制作方法
CN115295739A (zh) * 2022-08-04 2022-11-04 安徽熙泰智能科技有限公司 全彩硅基oled强微腔阳极的制备方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104904030A (zh) * 2013-01-04 2015-09-09 乐金显示有限公司 Oled微腔结构及其制造方法
CN104409468A (zh) * 2014-10-29 2015-03-11 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其显示装置、制作方法
CN104966723A (zh) * 2015-07-27 2015-10-07 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管阵列基板、制备方法及显示装置
CN107195584A (zh) * 2017-05-27 2017-09-22 广州新视界光电科技有限公司 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置
CN110649075A (zh) * 2019-09-27 2020-01-03 京东方科技集团股份有限公司 微腔阳极结构、显示基板及其制作方法
CN115295739A (zh) * 2022-08-04 2022-11-04 安徽熙泰智能科技有限公司 全彩硅基oled强微腔阳极的制备方法

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