CN116299843A - 光纤及其应用 - Google Patents

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CN116299843A CN202310002964.9A CN202310002964A CN116299843A CN 116299843 A CN116299843 A CN 116299843A CN 202310002964 A CN202310002964 A CN 202310002964A CN 116299843 A CN116299843 A CN 116299843A
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张泽霖
王震
杨郭杰
刘羽航
郭雨凡
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Zhongtian Technologies Fibre Optics Co Ltd
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Abstract

本发明提供了一种光纤及其应用。该光纤由内到外依次包括芯层、过渡层、凹陷层和外包层；芯层材料的相对折射率差为△1，过渡层中的最大相对折射率差为△2max，凹陷层材料的相对折射率差为△3，且△1＞△2max≥△3；r表示过渡层中某个位置距离光纤中心的径向距离，△2(r)表示过渡层中距离中心r处的材料的相对折射率差，△2(r)与△2max和△3满足如下关系式(1)，其中，R0表示芯层的半径，R1表示过渡层与凹陷层的接触界面距离光纤中心的径向距离；外包层为二氧化硅层。通过特定的光纤折射率剖面设计能够调节光纤衰减系数，约束光纤导波传输，提升光纤抗弯曲能力，从而能够保证光纤具有较小的宏弯曲损耗。
Figure DDA0004035909430000011

Description

光纤及其应用
技术领域
本发明涉及光通信技术领域，具体而言，涉及一种光纤及其应用。
背景技术
由于海洋环境的特殊性，光纤是实现深海装备高速实时通信的一种重要传输介质，已在深海装备上得到了较为广泛的应用。深海探测潜水器常采用光纤微缆作为通信载体，然而在光纤微缆释放的过程中会受到弯曲缠绕、轴向拉伸、强度不均匀的侧向压力作用，导致普通单模光纤的信号衰减增大，存在通信信号中断的可能。也就是说，在狭小空间、局域网、数据中心布线时，光纤的弯曲半径较小或受到牵拉时会导致光纤的附加损耗增加，严重时甚至会造成通讯异常，从而导致数据丢失。
普通光纤的耐张力性能较差，在绕线张力大于100g时其附加衰减会明显增加。然而，深海探测领域对光纤的耐张力性能要求更高(≥300g条件下光纤衰减损耗≤0.1dB)。在此基础上，研究并开发出一种耐张力性能优异且衰减小的光纤对于实现深海装备的实时通信具有重要意义。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种光纤及其应用，以解决现有技术中光纤的耐张力性能差导致的光纤宏弯曲损耗高甚至无法进行数据传输的问题。
为了实现上述目的，本发明一方面提供了一种光纤，该光纤由内到外依次包括芯层、过渡层、凹陷层和外包层；芯层材料的相对折射率差为△1，过渡层中的最大相对折射率差为△2max，凹陷层材料的相对折射率差为△3，且△1＞△2max≥△3；r表示过渡层中某个位置距离光纤中心的径向距离，△2(r)表示过渡层中距离中心r处的材料的相对折射率差，△2(r)与△2max和△3满足如下关系式(1)：
Figure BDA0004035909410000011
其中，R0表示芯层的半径，R1表示过渡层与凹陷层的接触界面距离光纤中心的径向距离；
外包层为二氧化硅层。
进一步地，R0为4.0～4.5μm，R1与R0的比值为(3.5～4.0):1，凹陷层(30)的厚度为5.5～6.5μm。
进一步地，△1为0.35％～0.38％；△2max为-0.1％～0；△3为-0.45％～-0.35％。
进一步地，芯层的材料选自掺杂Ge元素的SiO2，过渡层的材料选自掺杂F元素的SiO2、或者掺杂Ge元素和F元素的SiO2，凹陷层为掺杂F元素的SiO2。
进一步地，光纤中，以占芯层的材料的总重量计，当芯层的材料选自掺杂GeO2的SiO2时，GeO2的掺杂量为2.5～4.5％；以占过渡层的材料的总重量计，当过渡层的材料选自掺杂F元素的SiO2时，F元素的掺杂量＞0且≤1.0wt％；当过渡层的材料选自掺杂GeO2和F元素的SiO2时，GeO2和F元素的掺杂量为0.2～2.0wt％；以占凹陷层的总重量计，F元素的掺杂量为0.5～1.0wt％。
进一步地，芯层与凹陷层之间的应力差≤20％，过渡层与凹陷层之间的应力差≤2％。
进一步地，外包层的外表面还包覆有涂层，涂层的材料选自聚丙烯酸树脂、环氧丙烯酸树脂和聚氨酯丙烯酸树脂组成的组中的一种或多种；优选地，涂层包括内层涂层和外层涂层，内层涂层的弹性模量为0.3～0.8MPa；外层涂层的弹性模量为600～900MPa。
进一步地，光纤在弯曲半径5mm，缠绕1圈的条件下，在1550nm波长处的宏弯曲损耗≤0.15dB。
进一步地，光纤在1310nm处的模场直径MFD为8.2～9.0μm，光纤的光缆截止波长≤1260nm，光纤在1310nm波长处的衰减系数≤0.324dB/km，在1550nm波长处的衰减系数≤0.184dB/km。
为了实现上述目的，本发明另一个方面还提供了一种本申请提供的上述光纤在光通信领域中的应用。
应用本发明的技术方案，通过特定的光纤折射率剖面设计，在芯层10***依次设置过渡层20、凹陷层30以及外包层40，且外包层40为二氧化硅层。其中，芯层10与过渡层20形成的折射率剖面能够调节光纤衰减系数；凹陷层30的设置能够约束光纤导波传输，提升光纤抗弯曲能力，从而能够保证光纤具有较小的宏弯曲损耗。相比于其它范围，将上述芯层10以及***各个包层的相对折射率差限定在上述范围内同时使相对折射率差呈非线性变化(即限定了△2(r)、△2max与△3满足上述特定关系)，这有利于充分发挥各层间的协同作用，进而有利于减小光纤的宏弯曲损耗，从而提高其耐张力性能。
本申请提供的上述光纤尤其适合作为通信载体而应用于深海探测潜水器中，对于实现深海装备的实时通信具有重要意义。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1示出了实施例1中制得的光纤的结构剖面示意图；
图2示出了实施例1中制得的光纤的折射率结构剖面图。
其中，上述附图包括以下附图标记：
10、芯层；20、过渡层；30、凹陷层；40、外包层。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将结合实施例来详细说明本发明。
正如背景技术所描述的，现有的光纤存在耐张力性能差，从而导致光纤的宏弯曲损耗高甚至无法进行数据传输的问题。为了解决上述技术问题，本申请提供了一种光纤，该光纤由内到外依次包括芯层10、过渡层20、凹陷层30和外包层40；芯层10材料的相对折射率差为△1，过渡层20中的最大相对折射率差为△2max，凹陷层30材料的相对折射率差为△3，且△1＞△2max≥△3；r表示过渡层20中某个位置距离光纤中心的径向距离，△2(r)表示过渡层20中距离中心r处的材料的相对折射率差，△2(r)与△2max和△3满足如下关系式(1)：
Figure BDA0004035909410000031
其中，R0表示芯层10的半径，R1表示过渡层20与凹陷层30的接触界面距离光纤中心的径向距离；外包层40为二氧化硅层。
通过特定的光纤折射率剖面设计，在芯层10***依次设置过渡层20、凹陷层30以及外包层40，且外包层40为二氧化硅层。其中，芯层10与过渡层20形成的折射率剖面能够调节光纤衰减系数；凹陷层30的设置能够约束光纤导波传输，提升光纤抗弯曲能力，从而能够保证光纤具有较小的宏弯曲损耗。相比于其它范围，将上述芯层10以及***各个包层的相对折射率差限定在上述范围内同时使相对折射率差呈非线性变化(即限定了△2(r)、△2max与△3满足上述特定关系)，这有利于充分发挥各层间的协同作用，进而有利于减小光纤的宏弯曲损耗，从而提高其耐张力性能。
本申请提供的上述光纤尤其适合作为通信载体而应用于深海探测潜水器中，对于实现深海装备的实时通信具有重要意义。
在一种优选的实施方式中，R0为4.0～4.5μm，R1与R0的比值为(3.5～4.0):1，凹陷层30的厚度为5.5～6.5μm。芯层10的半径R0、R1与R0的比值以及凹陷层30的厚度包括但不限于上述范围，将其限定在上述范围内有利于发挥各层间的协同作用，有利于调节光纤衰减系数，从而有利于减小光纤的宏弯曲损耗，提高光纤的耐张力性能。
在一种优选的实施方式中，△1为0.35％～0.38％；△2max为-0.1％～0；△3为-0.45％～-0.35％。相比于其它范围，将上述芯层10、过渡层20以及凹陷层30的相对折射率差△1、△2max和△3限定在上述范围内有利于约束光纤导波传输，同时还有利于调节光纤衰减系数，从而有利于减小光纤的宏弯曲损耗，从而提高其耐张力性能。
在一种优选的实施方式中，芯层10的材料包括但不限于掺杂Ge元素的SiO2，过渡层20的材料包括但不限于掺杂F元素的SiO2、或者掺杂Ge元素和F元素的SiO2，凹陷层30为掺杂F元素的SiO2。相比于其它材料，采用上述种类元素掺杂的石英材料作为过渡层20和凹陷层30的材料有利于调整各包层的折射率差，以满足上述特定的光纤折射率剖面设计。
在一种优选的实施方式中，光纤中，以占芯层10的材料的总重量计，当芯层10的材料包括但不限于掺杂GeO2的SiO2时，GeO2的掺杂量为2.5～4.5％；以占过渡层20的材料的总重量计，当过渡层20的材料包括但不限于掺杂F元素的SiO2时，F元素的掺杂量为＞0且≤1.0wt％；当过渡层20的材料包括但不限于掺杂GeO2和F元素的SiO2时，GeO2和F元素的掺杂量为0.2～2wt％。上述掺杂元素的掺杂量包括但不限于上述范围，将其限定在上述范围内有利于进一步减小光纤的宏弯曲损耗，从而提高其耐张力性能。
在一种优选的实施方式中，以占凹陷层30的总重量计，F元素的掺杂量为0.5～1.0wt％。F元素的掺杂量包括但不限于上述范围，将其限定在上述范围内有利于进一步减小光纤的宏弯曲损耗，从而提高其耐张力性能。
在一种优选的实施方式中，芯层10与凹陷层30之间的应力差≤20％，过渡层20与凹陷层30之间的应力差≤2％。相比于其它范围，将芯层10与凹陷层30之间的应力差以及过渡层20与凹陷层30之间的应力差限定在上述范围内有利于减小微弯损耗，从而有利于减小光纤的宏弯曲损耗，从而提高光鲜的耐张力性能。
在一种优选的实施方式中，外包层40的外表面还包覆有涂层，涂层的材料包括但不限于聚丙烯酸树脂、环氧丙烯酸树脂和聚氨酯丙烯酸树脂组成的组中的一种或多种。涂层的设置有利于提高光纤的柔韧性等综合性能，相比于其它材料的涂层，采用上述种类的涂层有利于降低涂层的弹性模量，从而有利于提高光纤的柔韧性。
为了进一步提高光纤的柔韧性，优选地，涂层包括内层涂层和外层涂层，内层涂层的弹性模量为0.3～0.8MPa；外层涂层的弹性模量为600～900MPa。
在一种优选的实施方式中，光纤在弯曲半径5mm，缠绕1圈的条件下，在1550nm波长处的宏弯曲损耗≤0.15dB。本申请提供的上述光纤在1550nm波长处的宏弯曲损耗非常小，尤其适合作为通信载体而应用于深海探测潜水器中。
在一种优选的实施方式中，光纤在1310nm处的模场直径MFD为8.2～9.0μm，光纤的光缆截止波长≤1260nm，光纤在1310nm波长处的衰减系数≤0.324dB/km，在1550nm波长处的衰减系数≤0.184dB/km。上述光纤的光缆截止波长低于1260nm，满足单模传输要求，且在1310nm以及1550nm波长处的衰减系数分别低于0.324dB/km和0.184dB/km，满足深海探测潜水器中对通信载体的应用场景。
通过光纤的芯层10、过渡层20、凹陷层30及外包层40的折射率结构设计参数，通过控制掺杂GeO2或F元素的含量能够调整对应层的相对折射率差和宽度。
本申请第二方面还提供了一种光纤的制备方法，该光纤的制备方法包括：(1)预制棒制备：在气体反应炉中，采用沉积法对基本气体和掺杂气体进行沉积，并以惰性气体作为载气导入反应腔，其中，基本气体包括SiCl4、H2和O2，掺杂气体包括但不限于氟化物、或者GeCl4气体和氟化物的组合，沉积后经过1600～1800℃烧结获得光纤预制棒；(2)预制棒拉丝：光纤预制棒在1800～2100℃条件下进行熔融，软化后抽丝获得裸石英光纤，降温退火至900～1200℃去除热应力，再将石英光纤冷却降至室温，拉丝张力大小控制在50～150g，然后在石英光纤表面经过涂层涂覆、固化后，牵引绕线成盘，得到光纤。
在一种优选的实施方式中，沉积法包括但不限于改进化学气相沉积法(MCVD)、等离子体化学气相沉积法(PCVD)、轴向气相沉积法(VAD)、以及外部气相沉积法(OVD)中的一种或几种。
在一种优选的实施方式中，氟化物包括但不限于CF4、C2F6、SF6和SiF4中的一种或多种。
在一种优选的实施方式中，沉积过程的温度为1300～1600℃，时间为6～8h。沉积过程的温度和时间包括但不限于上述范围，将其限定在上述范围内有利于控制掺杂气体在沉积层中的扩散，提升折射率剖面精度。
本申请第三方面还提供了一种本申请提供的上述光纤在光通信领域中的应用。本申请提供的上述光纤具有较小的宏弯曲损耗，耐张力性能优异，尤其适合作为通信载体而应用于深海探测潜水器中，对于实现深海装备的实时通信具有重要意义。
以下结合具体实施例对本申请作进一步详细描述，这些实施例不能理解为限制本申请所要求保护的范围。
实施例1
一种光纤的制备方法，包括：
(1)预制棒制备：在反应炉中，采用MCVD沉积法对基本气体和掺杂气体进行沉积，通入基本气体SiCl4、H2和O2，并以惰性气体Ar或He作为载气导入反应腔，通入GeCl4气体和CF4，沉积过程的温度为1360℃，沉积8h后经过1750℃烧结4h后获得光纤预制棒；
(2)预制棒拉丝：光纤预制棒在1910℃条件下进行熔融，软化后抽丝获得裸石英光纤，降温退火至50℃去除热应力，拉丝张力大小为130g，然后在石英光纤表面涂覆内层涂层和外层涂层、固化后，牵引绕线成盘，得到光纤。
如图1所示的结构剖面示意图，实施例1中制得的上述光纤由内到外依次包括芯层10、过渡层20、凹陷层30和外包层40，其中，芯层10的半径R0为4.3μm，过渡层20与凹陷层30的接触界面距离光纤中心的径向距离R1为15.1μm，即过渡层20厚度为10.8μm；凹陷层30的厚度为5.6μm；芯层10的材料为掺Ge的SiO2，且GeO2掺杂量为2.6wt％，过渡层20的材料为掺杂F元素的SiO2，且过渡层20与芯层10界面处的F元素的掺杂量为0.17wt％，凹陷层30为掺杂F元素的SiO2，F元素的掺杂量为0.9wt％。
如图2所示的折射率结构剖面图，上述制得的光纤中，芯层10材料的相对折射率差△1为0.364％，过渡层20中的最大相对折射率差△2max为-0.1％，凹陷层30材料的相对折射率差△3为-0.4％。采用光纤双折射应力测量方法测得芯层10与凹陷层20之间的应力差为15.2％，过渡层20与凹陷层30之间的应力差为1％；采用拉伸法或弯曲法测得内层涂层的弹性模量为0.35MPa，外层涂层的弹性模量为820MPa。
实施例2
采用与实施例1相同的制备方法制备光纤。与实施例1的区别在于：拉丝张力大小为130g；凹陷层30材料中F元素的掺杂量为0.5wt％。
上述制得的光纤中，过渡层20与凹陷层30的接触界面距离光纤中心的径向距离R1为15.05μm，芯层10材料的相对折射率差△1为0.38％，过渡层20中的最大相对折射率差△2max为0，凹陷层30材料的相对折射率差△3为-0.35％，过渡层20与凹陷层30之间的应力差为0.3％。
实施例3
采用与实施例1相同的制备方法制备光纤。与实施例1的区别在于：拉丝张力为50g；过渡层20与芯层10界面处的F元素的掺杂量为0.08wt％，凹陷层30材料中F元素的掺杂量为0.9wt％。
上述制得的光纤中，过渡层20与凹陷层30的接触界面距离光纤中心的径向距离R1为17.6μm，芯层10材料的相对折射率差△1为0.35％，过渡层20中的最大相对折射率差△2max为-0.05％，凹陷层30材料的相对折射率差△3为-0.42％，过渡层20与凹陷层30之间的应力差为1.8％。
实施例4
采用与实施例1相同的制备方法制备光纤。与实施例1的区别在于：R0为4.0μm，R1为14μm，凹陷层30的厚度为6.5μm。
实施例5
采用与实施例1相同的制备方法制备光纤。与实施例1的区别在于：R0为4.5μm，R1为18μm，凹陷层30的厚度为5.5μm。
实施例6
采用与实施例1相同的制备方法制备光纤。与实施例1的区别在于：R1为20μm。
实施例7
采用与实施例1相同的制备方法制备光纤。与实施例1的区别在于：△1为0.35％；△2max为-0.1％；△3为-0.35％。
实施例8
采用与实施例1相同的制备方法制备光纤。与实施例1的区别在于：△1为0.38％；△2max为0；△3为-0.45％。
实施例9
采用与实施例1相同的制备方法制备光纤。与实施例1的区别在于：△1为0.4％；△2max为0；△3为-0.3％。
实施例10
与实施例1的区别在于：在外包层40外周包裹涂层，且该涂层包括内层涂层和外层涂层，内层涂层的弹性模量为0.3MPa；外层涂层的弹性模量为900MPa。
实施例11
与实施例10的区别在于：内层涂层的弹性模量为0.8MPa；外层涂层的弹性模量为600MPa。
实施例12
与实施例10的区别在于：内层涂层的弹性模量为0.9MPa；外层涂层的弹性模量为500MPa。
对比例1
与实施例1的区别在于：光纤由内到外依次包括芯层10、过渡层20和外包层40，即未设置凹陷层30。
对比例2
与实施例1的区别在于：光纤由内到外依次包括芯层10、凹陷层30和外包层40，即未设置过渡层20。
对比例3
与实施例1的区别在于：芯层10材料的相对折射率差△1为0.45％；过渡层20中的最大相对折射率差为△2max为-0.2％；凹陷层30材料的相对折射率差△3为-0.2％。
测量上述全部实施例和对比例中制得的光纤在1310nm波长处的模场直径；在弯曲半径5mm，缠绕1圈的条件下，在1550nm波长处的宏弯曲损耗；光纤在300g缠绕张力下，在1550nm波长处的光纤附加衰减系数；以及0.5m标距抗拉强度E15％和E50％的韦伯尔分布，测试结果见表1。
表1
Figure BDA0004035909410000081
从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：
比较实施例1至3以及对比例1至3可知，通过特定的光纤折射率剖面设计，在芯层10***依次设置过渡层20、凹陷层30以及外包层30，且外包层30为二氧化硅层。其中，芯层10与过渡层20形成的折射率剖面能够调节光纤衰减系数；凹陷层30的设置能够约束光纤导波传输，提升光纤抗弯曲能力，从而能够保证光纤具有较小的宏弯曲损耗。相比于其它范围，将上述芯层10以及***各个包层的相对折射率差限定在本申请优选范围内同时使相对折射率差呈非线性变化(即限定了△2(r)、△2max与△3满足上述特定关系)，这有利于充分发挥各层间的协同作用，进而有利于减小光纤的宏弯曲损耗，从而提高其耐张力性能。
比较实施例1、4至6可知，芯层10的半径R0、R1与R0的比值以及凹陷层30的厚度包括但不限于本申请优选范围，将其限定在本申请优选范围内有利于发挥各层间的协同作用，有利于调节光纤衰减系数，从而有利于减小光纤的宏弯曲损耗，提高光纤的耐张力性能。
比较实施例1、7至9可知，相比于其它范围，将上述芯层10、过渡层20以及凹陷层30的相对折射率差限定在本申请优选范围内有利于约束光纤导波传输，同时还有利于调节光纤衰减系数，从而有利于减小光纤的宏弯曲损耗，从而提高其耐张力性能。
比较实施例1、10至12可知，涂层的设置有利于提高光纤的综合性能，相比于其它材料的涂层，采用上述种类的涂层有利于降低涂层的弹性模量，从而有利于提高光纤的柔韧性。
需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的术语在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施方式例如能够以除了在这里描述的那些以外的顺序实施。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种光纤，其特征在于，所述光纤由内到外依次包括芯层(10)、过渡层(20)、凹陷层(30)和外包层(40)；所述芯层(10)材料的相对折射率差为△1，所述过渡层(20)中的最大相对折射率差为△2max，所述凹陷层(30)材料的相对折射率差为△3，且△1＞△2max≥△3；r表示所述过渡层(20)中某个位置距离所述光纤中心的径向距离，△2(r)表示所述过渡层(20)中距离中心r处的材料的相对折射率差，所述△2(r)与所述△2max和所述△3满足如下关系式(1)：
Figure FDA0004035909400000011
其中，R0表示所述芯层(10)的半径，R1表示所述过渡层(20)与所述凹陷层(30)的接触界面距离所述光纤中心的径向距离；
所述外包层(40)为二氧化硅层。
2.根据权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述R0为4.0～4.5μm，所述R1与所述R0的比值为(3.5～4.0):1，所述凹陷层(30)的厚度为5.5～6.5μm。
3.根据权利要求2所述的光纤，其特征在于，所述△1为0.35％～0.38％；所述△2max为-0.1％～0；所述△3为-0.45％～-0.35％。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的光纤，其特征在于，所述芯层(10)的材料选自掺杂Ge元素的SiO2，所述过渡层(20)的材料选自掺杂F元素的SiO2、或者掺杂Ge元素和F元素的SiO2，所述凹陷层(30)为掺杂F元素的SiO2。
5.根据权利要求4所述的光纤，其特征在于，所述光纤中，以占所述芯层(10)的材料的总重量计，当芯层(10)的材料选自掺杂GeO2的SiO2时，所述GeO2的掺杂量为2.5～4.5％；以占所述过渡层(20)的材料的总重量计，当所述过渡层(20)的材料选自掺杂F元素的SiO2时，所述F元素的掺杂量＞0且≤1.0wt％；当所述过渡层(20)的材料选自掺杂GeO2和F元素的SiO2时，所述GeO2和所述F元素的掺杂量为0.2～2.0wt％；以占所述凹陷层(30)的总重量计，所述F元素的掺杂量为0.5～1.0wt％。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的光纤，其特征在于，所述芯层(10)与所述凹陷层(30)之间的应力差≤20％，所述过渡层(20)与所述凹陷层(30)之间的应力差≤2％。
7.根据权利要求6所述的光纤，其特征在于，所述外包层(40)的外表面还包覆有涂层，所述涂层的材料选自聚丙烯酸树脂、环氧丙烯酸树脂和聚氨酯丙烯酸树脂组成的组中的一种或多种；
优选地，所述涂层包括内层涂层和外层涂层，所述内层涂层的弹性模量为0.3～0.8MPa；所述外层涂层的弹性模量为600～900MPa。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的光纤，其特征在于，所述光纤在弯曲半径5mm，缠绕1圈的条件下，在1550nm波长处的宏弯曲损耗≤0.15dB。
9.根据权利要求8所述的光纤，其特征在于，所述光纤在1310nm处的模场直径MFD为8.2～9.0μm，所述光纤的光缆截止波长≤1260nm，所述光纤在1310nm波长处的衰减系数≤0.324dB/km，在1550nm波长处的衰减系数≤0.184dB/km。
10.一种权利要求1至9中任一项所述的光纤在光通信领域中的应用。
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