CN116264187A - 晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供晶片的加工方法，能够增加每一张晶片的器件的数量。晶片的加工方法是在正面的由交叉的多条分割预定线划分的区域内分别形成有器件的晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：激光加工槽形成步骤(1002)，对晶片的正面照射对于晶片具有吸收性的波长的激光束而形成沿着分割预定线的激光加工槽；以及切割步骤(1005)，在实施了激光加工槽形成步骤(1002)之后，一边使切削刀具从晶片的背面切入至到达激光加工槽的深度一边利用切削刀具沿着分割预定线对晶片进行切削而将晶片分割。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及在正面的由交叉的多条分割预定线划分的区域内分别形成有器件的晶片的加工方法。
背景技术
市场上广泛流通如下的半导体器件：该半导体器件为了提高半导体器件的特性而利用由SiOF、BSG(SiOB)等无机物系的膜或聚酰亚胺系、聚对二甲苯系等聚合物膜即有机物系的膜构成的低介电常数绝缘体被膜(Low-k膜)作为层间绝缘膜。另外，在晶片的分割预定线上形成有用于器件的检查的被称为TEG(test element group，测试元件组)的金属图案的半导体晶片也被广泛利用。
利用切削刀具沿着分割预定线对半导体晶片进行切削，由此形成各个半导体器件，但存在如下的问题：当利用切削刀具对这些Low-k膜或TEG进行切削时，Low-k膜发生剥离或切削刀具因TEG而堵塞、钝化等，使加工品质劣化。
因此，广泛采用照射激光束而将Low-k膜或TEG切断并利用切削刀具对半导体晶片进行切削的加工方法(例如参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2005-64231号公报
但是，在专利文献1所示的加工方法中，需要形成比利用切削刀具形成的切削槽宽的激光加工槽，也就是说，需要使半导体晶片的分割预定线的宽度形成得比切削槽的宽度宽。因此，在专利文献1所示的加工方法中，存在能够从一张半导体晶片形成的半导体器件的数量减少的问题，迫切期望得到改善。
发明内容
本发明的目的在于提供晶片的加工方法，能够增加每一张晶片的器件的数量。
为了解决上述课题实现目的，本发明的晶片的加工方法是在正面的由交叉的多条分割预定线划分的区域内分别形成有器件的晶片的加工方法，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：激光加工槽形成步骤，向晶片的该正面照射对于晶片具有吸收性的波长的激光束而形成沿着该分割预定线的激光加工槽；以及切割步骤，在实施了该激光加工槽形成步骤之后，一边使切削刀具从晶片的背面切入至到达该激光加工槽的深度一边利用该切削刀具沿着该分割预定线对晶片进行切削而将晶片分割。
在所述晶片的加工方法中，也可以具有如下的片配设步骤：在实施了该激光加工槽形成步骤之后且在实施该切割步骤之前，将片粘贴于晶片的该正面而在该激光加工槽中填充该片，在该切割步骤中，一边向该切削刀具与晶片接触的加工点提供切削液一边利用该切削刀具对晶片进行切削。
在所述晶片的加工方法中，也可以具有如下的保护膜形成步骤：在实施该激光加工槽形成步骤之前，在晶片的该正面上形成保护膜，在该片配设步骤中，在该保护膜上粘贴该片，该晶片的加工方法还具有如下的步骤：转移步骤，在实施了该切割步骤之后，在晶片的该背面上粘贴带，并且从晶片的该正面去除该片；以及保护膜去除步骤，在实施了该转移步骤之后，将该保护膜去除。
在所述晶片的加工方法中，也可以在该切割步骤中，使该切削刀具切入至未完全切断该片的深度。
在所述晶片的加工方法中，也可以是，该片不具有糊料层，在该片配设步骤中，对该片进行加热而将该片粘贴于晶片的该正面。
本发明起到能够增加每一张晶片的器件的数量的效果。
附图说明
图1是作为实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的晶片的立体图。
图2是示出实施方式1的晶片的加工方法的流程的流程图。
图3是以局部剖面示意性示出图2所示的晶片的加工方法的保护膜形成步骤的侧视图。
图4是示意性示出图2所示的晶片的加工方法的保护膜形成步骤后的晶片的主要部分的剖视图。
图5是以局部剖面示意性示出图2所示的晶片的加工方法的激光加工槽形成步骤的侧视图。
图6是示意性示出图2所示的晶片的加工方法的激光加工槽形成步骤后的晶片的主要部分的剖视图。
图7是以局部剖面示意性示出图2所示的晶片的加工方法的保护膜去除步骤的侧视图。
图8是示意性示出在图2所示的晶片的加工方法的片配设步骤中粘贴于晶片的正面的片即保护带的主要部分的剖视图。
图9是示意性示出图2所示的晶片的加工方法的片配设步骤后的晶片的立体图。
图10是以局部剖面示意性示出图2所示的晶片的加工方法的切割步骤的侧视图。
图11是示意性示出图2所示的晶片的加工方法的切割步骤后的晶片的主要部分的剖视图。
图12是示出实施方式2的晶片的加工方法的流程的流程图。
图13是示意性示出图12所示的晶片的加工方法的片配设步骤后的晶片的立体图。
图14是示意性示出图13所示的晶片的主要部分的剖视图。
图15是示意性示出图12所示的晶片的加工方法的切割步骤后的晶片的主要部分的剖视图。
图16是以局部剖面示意性示出图12所示的晶片的加工方法的晶片背面清洗步骤的侧视图。
图17是示意性示出图12所示的晶片的加工方法的转移步骤后的晶片的立体图。
图18是以局部剖面示意性示出图12所示的晶片的加工方法的保护膜去除步骤的侧视图。
标号说明
1：晶片；3：正面；4：分割预定线；5：器件；7：背面；12：保护带(片)；14：树脂片(片)；17：带；25：保护膜；35：激光加工槽；54：切削刀具；1001：保护膜形成步骤；1002：激光加工槽形成步骤；1003：保护膜去除步骤；1004：片配设步骤；1005：切割步骤；1011：转移步骤。
具体实施方式
参照附图，对用于实施本发明的方式(实施方式)进行详细说明。本发明并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。
[实施方式1]
根据附图，对本发明的实施方式1的晶片的加工方法进行说明。图1是作为实施方式1的晶片的加工方法的加工对象的晶片的立体图。图2是示出实施方式1的晶片的加工方法的流程的流程图。
实施方式1的加工方法是图1所示的晶片1的加工方法。实施方式1的加工方法的加工对象的晶片1是以硅、蓝宝石、砷化镓或SiC(碳化硅)等为基板2的圆板状的半导体晶片或光器件晶片等。晶片1在正面3上设置有交叉的多条分割预定线4，在正面3的由分割预定线4呈格子状划分的区域内分别形成有器件5。
器件5例如是IC(Integrated Circuit，集成电路)或LSI(Large ScaleIntegration，大规模集成)等集成电路、CCD(Charge Coupled Device，电感耦合元件)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)等图像传感器、或存储器(半导体存储装置)等。
在实施方式1中，如图1所示，晶片1在基板2上具有作为有机膜的器件层6。器件层6具有：低介电常数绝缘体被膜(以下称为Low-k膜)，其由SiOF、BSG(SiOB)等无机物系的膜或聚酰亚胺系、聚对二甲苯系等聚合物膜即有机物系的膜或含碳氧化硅(SiOCH)构成；以及电路层，其构成为包含导电性的金属图案或金属膜。
Low-k膜与电路层层叠而形成器件5。电路层构成器件5的电路。因此，器件5由层叠在基板2上的器件层6的相互层叠的Low-k膜和层叠在Low-k膜间的电路层构成。在分割预定线4中，器件层6除了TEG(Test Elementary Group，测试元件组)以外，由层叠在基板2上的Low-k膜构成。
另外，在实施方式1中，晶片1在分割预定线4上形成有未图示的TEG。TEG是评价用的元件，用于发现产生于器件5的设计上或制造上的问题。Low-k膜那样的器件层6和TEG在利用切削刀具从正面3侧切削晶片1时容易从基板2剥离。
实施方式1的晶片的加工方法是将上述结构的晶片1沿着分割预定线4分割成各个器件5的方法。如图2所示，实施方式1的晶片的加工方法具有保护膜形成步骤1001、激光加工槽形成步骤1002、保护膜去除步骤1003、片配设步骤1004以及切割步骤1005。
(保护膜形成步骤)
图3是以局部剖面示意性示出图2所示的晶片的加工方法的保护膜形成步骤的侧视图。图4是示意性示出图2所示的晶片的加工方法的保护膜形成步骤后的晶片的主要部分的剖视图。
保护膜形成步骤1001是在实施激光加工槽形成步骤1002之前在晶片1的正面3上通过图3所示的保护膜包覆装置20形成保护膜25(图4所示)的步骤。另外，在实施方式1中，在保护膜形成步骤1001中，在晶片1的正面3的背面侧的背面7上粘贴直径比晶片1大的粘接带10，在粘接带10的外周缘粘贴环状的环状框架11，通过环状框架11对晶片1进行支承。
在实施方式1中，在保护膜形成步骤1001中，保护膜包覆装置20将晶片1的背面7侧隔着粘接带10而吸引保持于旋转工作台21的保持面，将环状框架11利用设置于旋转工作台21的周围的夹持部22进行夹持。在保护膜形成步骤1001中，如图3所示，保护膜包覆装置20使旋转工作台21绕轴心旋转，并且从水溶性树脂提供喷嘴23向晶片1的正面3的中央滴加水溶性树脂24。
所滴加的水溶性树脂24通过由旋转工作台21的旋转产生的离心力而在晶片1的正面3上从中心侧朝向外周侧流动，涂布至晶片1的整个正面3。
另外，水溶性树脂24例如是聚乙烯醇(polyvinyl alcohol：PVA)、或聚乙烯吡咯烷酮(Polyvinylpyrrolidone：PVP)等水溶性树脂。在保护膜形成步骤1001中，通过使涂布至晶片1的整个正面3的水溶性树脂24硬化，如图4所示，形成包覆晶片1的整个正面3的水溶性的保护膜25。另外，图3中，省略了器件层6。
(激光加工槽形成步骤)
图5是以局部剖面示意性示出图2所示的晶片的加工方法的激光加工槽形成步骤的侧视图。图6是示意性示出图2所示的晶片的加工方法的激光加工槽形成步骤后的晶片的主要部分的剖视图。
激光加工槽形成步骤1002是通过图5所示的激光加工装置30对晶片1的正面3照射对于晶片1具有吸收性的波长的激光束33而形成沿着分割预定线4的激光加工槽35(图6所示)的步骤。在实施方式1中，在激光加工槽形成步骤1002中，激光加工装置30将晶片1的背面7侧隔着粘接带10而吸引保持于卡盘工作台31的保持面，将环状框架11利用设置于卡盘工作台31的周围的未图示的夹持部进行夹持。
在激光加工槽形成步骤1002中，激光加工装置30一边使卡盘工作台31和激光束照射单元32沿着分割预定线4相对地移动一边如图5所示那样从激光束照射单元32从正面3侧隔着保护膜25对分割预定线4照射对于晶片1的基板2具有吸收性的波长的激光束33。另外，在实施方式1中，在激光加工槽形成步骤1002中，激光加工装置30将聚光点设定于各分割预定线4的正面3的预先设定的位置即宽度方向的中央而照射激光束33。
在激光加工槽形成步骤1002中，激光束33具有对于晶片1具有吸收性的波长，因此如图6所示，对分割预定线4上的器件层6和基板2实施烧蚀加工，将分割预定线4上的器件层6断开，沿着分割预定线4形成到达基板2的激光加工槽35。在激光加工槽形成步骤1002中，在所有的分割预定线4上形成激光加工槽35。
另外，在实施方式1中，在分割预定线4的预先设定的位置即宽度方向的中央形成激光加工槽35。另外，在激光加工槽形成步骤1002中，在对晶片1照射激光束33而形成激光加工槽35时，产生碎屑。所产生的碎屑附着于保护膜25。
(保护膜去除步骤)
图7是以局部剖面示意性示出图2所示的晶片的加工方法的保护膜去除步骤的侧视图。保护膜去除步骤1003是从晶片1的正面3去除保护膜25的步骤。
在保护膜去除步骤1003中，清洗装置40将晶片1的背面7侧隔着粘接带10而吸引保持于旋转工作台41的保持面，将环状框架11利用设置于旋转工作台41的周围的夹持部42进行夹持。在保护膜去除步骤1003中，如图7所示，清洗装置40在使旋转工作台41绕轴心旋转的状态下从清洗液提供喷嘴43向晶片1的正面3的中央提供由纯水构成的清洗液44。提供至晶片1的正面3的清洗液44通过由旋转工作台41的旋转产生的离心力而在晶片1的正面3上从中心侧朝向外周侧流动，对晶片1的正面3进行清洗，将保护膜25与碎屑一起从晶片1的正面3上去除。另外，图7中，省略了器件层6。
(片配设步骤)
图8是示意性示出在图2所示的晶片的加工方法的片配设步骤中粘贴于晶片的正面的片即保护带的主要部分的剖视图。图9是示意性示出图2所示的晶片的加工方法的片配设步骤后的晶片的立体图。
片配设步骤1004是在实施了激光加工槽形成步骤1002之后且在实施切割步骤1005之前将片即图8所示的保护带12粘贴于晶片1的正面3而在激光加工槽35中填充保护带12的一部分的步骤。在实施方式1中，如图8所示，在片配设步骤1004中，将具有基材层121和层叠于基材层121的糊料层122的保护带12作为片而粘贴于晶片1的正面3。
基材层121由挠性和非粘接性的树脂构成。糊料层122由挠性和粘接性的树脂构成。在实施方式1中，糊料层122的厚度123(图8所示)比激光加工槽35的距离正面3的深度36(图6所示)大。
在片配设步骤1004中，如图9所示，将直径比晶片1大的圆板状的保护带12的糊料层122粘贴于晶片1的正面3，并且在保护带12的外缘部粘贴环状的环状框架13，通过环状框架13对晶片1进行支承，并且从背面7剥离粘接带10。在实施方式1中，在片配设步骤1004中，将保护带12按压至晶片1的正面3，将作为保护带12的一部分的糊料层122填充至激光加工槽35内。
(切割步骤)
图10是以局部剖面示意性示出图2所示的晶片的加工方法的切割步骤的侧视图。图11是示意性示出图2所示的晶片的加工方法的切割步骤后的晶片的主要部分的剖视图。
切割步骤1005是在实施了激光加工槽形成步骤1002之后通过图10所示的切削装置50从晶片1的背面7将切削刀具54切入至到达激光加工槽35的深度并且利用切削刀具54沿着分割预定线4对晶片1进行切削而将晶片1分割的步骤。在切割步骤1005中，切削装置50将晶片1的正面3侧隔着保护带12而吸引保持于卡盘工作台51的保持面，将环状框架13利用设置于卡盘工作台51的周围的夹持部52进行夹持。
在切割步骤1005中，切削装置50利用红外线相机从晶片1的背面7侧进行拍摄或隔着保护带12和卡盘工作台51对晶片1的正面3侧进行拍摄，执行对准即进行切削单元53的切削刀具54与分割预定线4的对位。在切割步骤1005中，如图10所示，切削装置50一边使卡盘工作台51和切削刀具54沿着分割预定线4相对地移动一边向切削刀具54与晶片1接触的加工点提供未图示的切削液，并且使切削刀具54以到达激光加工槽35且未到达卡盘工作台51的保持面的深度切入至晶片1的分割预定线4的预先设定的位置即宽度方向的中央，利用切削刀具54对晶片1进行切削。
在实施方式1中，在切割步骤1005中，切削装置50使切削刀具54以比晶片1的基板2的厚度浅且未到达保护带12的深度切入至晶片1。这样，在切割步骤1005中，使切削刀具54切入至未完全切断保护带12的深度。
于是，在切割步骤1005中，切削刀具54以上述的深度切入至分割预定线4的宽度方向的中央，因此如图11所示，在通过切削刀具54的切削而形成的切削槽55的底部，激光加工槽35露出，通过切削槽55和激光加工槽35将分割预定线4分割。在切割步骤1005中，利用切削刀具54对所有的分割预定线4进行切削，在所有的分割预定线4上形成切削槽55，将晶片1分割成各个器件5，结束晶片的加工方法。另外，图10中，省略了糊料层122。另外，各个分割而得的器件5从保护带12的糊料层122进行拾取。
以上说明的实施方式1的晶片的加工方法对晶片1的正面3照射激光束33而形成激光加工槽35，并且从晶片1的背面7利用切削刀具54对分割预定线4进行切削，因此能够使晶片1的分割预定线4的宽度与切削槽55的宽度等同。
因此，实施方式1的晶片的加工方法即使是形成有TEG或器件层6的晶片1，与在对正面3照射激光束33而形成了激光加工槽35之后对激光加工槽35间进行切削的以往的加工方法相比，也能够抑制分割预定线4的宽度。其结果是，实施方式1的晶片的加工方法即使是形成有TEG或器件层6的晶片1，也起到能够增加每一张晶片1的器件5的数量的效果。
通常，加工方法中，在激光加工槽形成步骤1002中对晶片1的正面3照射了激光束33之后利用切削刀具54从背面7进行切削时，有时包含切削时的切削屑的切削液会通过激光加工槽35而浸入晶片1的正面3侧从而污染晶片1的正面3。该晶片1的正面3侧的污染即使在切削后对露出的晶片1的背面7侧进行清洗也无法去除。另外，晶片1的正面3侧的污染即使在切削后进行转移而尝试进行正面3的清洗，由于切削后切削液会蒸发而使污染物固着于晶片1的正面3，因此通过清洗也无法去除。
但是，实施方式1的晶片的加工方法在片配设步骤1004中预先在激光加工槽35内填充保护带12的糊料层122，因此在切割步骤1005中，能够抑制包含切削屑的切削液绕入晶片1的正面3侧而附着于正面3。
另外，实施方式1的晶片的加工方法在激光加工槽形成步骤1002前的保护膜形成步骤1001中在晶片1的正面3上形成保护膜25，因此能够抑制照射激光束33时产生的碎屑附着于晶片1的正面3。
[实施方式2]
根据附图，对实施方式2的晶片的加工方法进行说明。图12是示出实施方式2的晶片的加工方法的流程的流程图。图13是示意性示出图12所示的晶片的加工方法的片配设步骤后的晶片的立体图。图14是示意性示出图13所示的晶片的主要部分的剖视图。图15是示意性示出图12所示的晶片的加工方法的切割步骤后的晶片的主要部分的剖视图。图16是以局部剖面示意性示出图12所示的晶片的加工方法的晶片背面清洗步骤的侧视图。图17是示意性示出图12所示的晶片的加工方法的转移步骤后的晶片的立体图。图18是以局部剖面示意性示出图12所示的晶片的加工方法的保护膜去除步骤的侧视图。
另外，图12、图13、图14、图15、图16、图17和图18中，对与实施方式1相同的部分标记相同的标号，并省略了说明。如图12所示，实施方式2的晶片的加工方法具有保护膜形成步骤1001、激光加工槽形成步骤1002、片配设步骤1004、切割步骤1005、晶片背面清洗步骤1010、转移步骤1011以及保护膜去除步骤1003。实施方式2的晶片的加工方法中，保护膜形成步骤1001和激光加工槽形成步骤1002与实施方式1相同。
实施方式2的晶片的加工方法的片配设步骤1004与实施方式1同样地是在实施了激光加工槽形成步骤1002之后且在实施切割步骤1005之前将片即图13所示的树脂片14粘贴于晶片1的正面3而在激光加工槽35中填充树脂片14的一部分的步骤。另外，在实施方式2中，如图14所示，在片配设步骤1004中，将仅具有基材层141而不具有粘接性的糊料层的树脂片14作为片，隔着保护膜25而粘贴于晶片1的正面3。
基材层141由挠性和非粘接性的热塑性树脂构成。构成基材层141即树脂片14的热塑性树脂由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯系的树脂、聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯等聚烯烃系的树脂构成。
在实施方式2中，在片配设步骤1004中，在直径比晶片1大的已加热的保持工作台上载置晶片1的背面7和环状框架15，在晶片1的正面3和环状框架15上载置直径比晶片1大的圆板状的树脂片14。在实施方式2中，在片配设步骤1004中，一边隔着晶片1而对树脂片14进行加热并利用辊将树脂片14按压至晶片1，一边使树脂片14软化而如图13所示那样将树脂片14隔着保护膜25而热压接于晶片1的正面3，并在树脂片14的外缘部热压接环状的环状框架15。在实施方式2中，片配设步骤1004将粘接带10从晶片1的背面7剥离。
另外，在实施方式2中，在片配设步骤1004中，一边将树脂片14按压至晶片1一边对树脂片14进行加热，因此如图14所示，将树脂片14的一部分填充至激光加工槽35内。这样，在实施方式2中，在片配设步骤1004中，对树脂片14进行加热而在保护膜25上粘贴树脂片14，由此在晶片1的正面3上粘贴树脂片14。
另外，在实施方式2中，在片配设步骤1004中，当树脂片14的加热温度超过树脂片14的熔点时，有可能无法维持树脂片14的形状，因此优选将树脂片14加热至软化点以上且熔点以下的温度。另外，在加热时，可以将热源设定成比树脂片14的熔点高的温度。
在实施方式2中，在片配设步骤1004中，优选将树脂片14加热至比熔点低20℃的温度以上且熔点以下的温度。例如在实施方式2中，在片配设步骤1004中，在树脂片14由聚对苯二甲酸乙二醇酯构成的情况下，优选将树脂片14加热至240℃以上且260℃以下的温度，在树脂片14由聚萘二甲酸乙二醇酯构成的情况下，优选将树脂片14加热至245℃以上且265℃以下的温度，在树脂片14由聚丙烯构成的情况下，优选将树脂片14加热至145℃以上且165℃以下的温度，在树脂片14由聚苯乙烯构成的情况下，优选将树脂片14加热至220℃以上且240℃以下的温度。
另外，在本发明中，在片配设步骤1004中，也可以在常温的保持工作台上载置晶片1的背面7和环状框架15，在晶片1的正面3和环状框架15上载置直径比晶片1大的圆板状的树脂片14，一边利用加热至规定温度的加热辊按压树脂片14一边使加热辊在树脂片14上滚动，由此进行热压接。另外，在本发明中，在片配设步骤1004中，可以在使树脂片14紧贴于晶片1之后，利用热风枪的热风喷射或灯等的加热将树脂片14热压接于晶片1。
另外，在本发明中，在片配设步骤1004中，可以与实施方式1同样地将作为片的保护带12粘贴于晶片1的正面3。
实施方式2的晶片的加工方法的切割步骤1005与实施方式1同样地是在实施了激光加工槽形成步骤1002之后，一边从晶片1的背面7使切削刀具54以到达激光加工槽35的深度切入至分割预定线4的预先设定的位置即宽度方向的中央一边利用切削刀具54沿着分割预定线4对晶片1进行切削而将晶片1分割的步骤。另外，在实施方式2的晶片的加工方法的切割步骤1005中，与实施方式1同样地一边向切削刀具54与晶片1接触的加工点提供切削液一边利用切削刀具54对晶片1进行切削。
在实施方式2中，在切割步骤1005中，切削装置50使切削刀具54到达激光加工槽35，以比基板2的厚度浅且未到达树脂片14的深度切入至晶片1。这样，在实施方式2中，在切割步骤1005中，使切削刀具54切入至未完全切断树脂片14的深度。
于是，在切割步骤1005中，切削刀具54以上述的深度切入至分割预定线4的宽度方向的中央，因此如图15所示，在通过切削刀具54的切削而形成的切削槽55的底部，激光加工槽35露出，通过切削槽55和激光加工槽35将分割预定线4分割。在切割步骤1005中，利用切削刀具54对所有的分割预定线4进行切削，在所有的分割预定线4上形成切削槽55，将晶片1分割成各个器件5。
晶片背面清洗步骤1010是在切割步骤1005之后对晶片1的背面7进行清洗的步骤。在晶片背面清洗步骤1010中，清洗装置60将晶片1的正面3侧隔着树脂片14而吸引保持于旋转工作台61的保持面，将环状框架15利用设置于旋转工作台61的周围的夹持部62进行夹持。在晶片背面清洗步骤1010中，如图16所示，清洗装置60在使旋转工作台61绕轴心旋转的状态下，从清洗液提供喷嘴63向晶片1的背面7的中央提供由纯水构成的清洗液64。提供至晶片1的背面7的清洗液64通过由旋转工作台61的旋转产生的离心力而在晶片1的背面7上从中心侧朝向外周侧流动，对晶片1的背面7进行清洗，将切削屑等从晶片1的背面7上去除。另外，图16中，省略了器件层6。
转移步骤1011是在实施了切割步骤1005之后在晶片1的背面7上粘贴图17所示的带17并且从晶片1的正面3去除树脂片14的步骤。在转移步骤1011中，将与保护带12同样地具有基材层和层叠于基材层的糊料层的带17粘贴于晶片1的背面7。
在转移步骤1011中，如图17所示，将直径比晶片1大的圆板状的带17的糊料层粘贴于晶片1的背面7，并且在带17的外缘部粘贴环状的环状框架18，通过环状框架18对晶片1进行支承，并且从正面3侧剥离树脂片14。另外，在本发明中，带17可以与树脂片14同样地仅具有基材层而不具有糊料层。
实施方式2的晶片的加工方法的保护膜去除步骤1003是在实施了转移步骤1011之后从晶片1的正面3去除保护膜25的步骤。在保护膜去除步骤1003中，清洗装置40将晶片1的背面7侧隔着带17而吸引保持于旋转工作台41的保持面，将环状框架18利用夹持部42进行夹持，如图18所示，与实施方式1同样地将保护膜25与碎屑一起从晶片1的正面3上去除。另外，图18中，省略了器件层6。
实施方式2的晶片的加工方法对晶片1的正面3照射激光束33而形成激光加工槽35，并且利用切削刀具54从晶片1的背面7对分割预定线4进行切削，因此与实施方式1同样地起到能够增加每一张晶片1的器件5的数量的效果。
另外，实施方式2的晶片的加工方法在片配设步骤1004中在激光加工槽35内预先填充树脂片14的一部分，因此在切割步骤1005中，能够抑制包含切削屑的切削液绕入晶片1的正面3侧而附着于正面3。
另外，实施方式2的晶片的加工方法在激光加工槽形成步骤1002前的保护膜形成步骤1001中在晶片1的正面3上形成保护膜25，因此能够抑制碎屑附着于晶片1的正面3。
另外，实施方式2的晶片的加工方法在切割步骤1005中残留有保护膜25，因此能够进一步降低在切削中污染物附着于晶片1的正面3侧的可能，并且也能够抑制在转移步骤1011中污染物附着于晶片1的正面3的可能。
另外，实施方式2的晶片的加工方法在片配设步骤1004中与实施方式1同样地在将保护带12粘贴于晶片1的正面3时，隔着保护膜25而将保护带12粘贴于正面3，因此能够抑制保护带12的糊料层122的一部分附着并残留于晶片1的正面3的可能。
另外，本发明并不限于上述实施方式。即，可以在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形并实施。另外，在本发明中，在实施方式1的晶片的加工方法的片配设步骤1004中，可以将作为片的实施方式2所示的树脂片14粘贴于晶片1的正面3。

Claims (5)

1.一种晶片的加工方法，该晶片在正面的由交叉的多条分割预定线划分的区域内分别形成有器件，其中，
该晶片的加工方法具有如下的步骤：
激光加工槽形成步骤，对晶片的该正面照射对于晶片具有吸收性的波长的激光束而形成沿着该分割预定线的激光加工槽；以及
切割步骤，在实施了该激光加工槽形成步骤之后，一边使切削刀具从晶片的背面切入至到达该激光加工槽的深度一边利用该切削刀具沿着该分割预定线对晶片进行切削而将晶片分割。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
该晶片的加工方法具有如下的片配设步骤：在实施了该激光加工槽形成步骤之后且在实施该切割步骤之前，将片粘贴于晶片的该正面而在该激光加工槽中填充该片，
在该切割步骤中，一边向该切削刀具与晶片接触的加工点提供切削液一边利用该切削刀具对晶片进行切削。
3.根据权利要求2所述的晶片的加工方法，其中，
该晶片的加工方法具有如下的保护膜形成步骤：在实施该激光加工槽形成步骤之前，在晶片的该正面上形成保护膜，
在该片配设步骤中，在该保护膜上粘贴该片，
该晶片的加工方法还具有如下的步骤：
转移步骤，在实施了该切割步骤之后，在晶片的该背面上粘贴带，并且从晶片的该正面去除该片；以及
保护膜去除步骤，在实施了该转移步骤之后，将该保护膜去除。
4.根据权利要求2或3所述的晶片的加工方法，其中，
在该切割步骤中，使该切削刀具切入至未完全切断该片的深度。
5.根据权利要求2至4中的任意一项所述的晶片的加工方法，其中，
该片不具有糊料层，
在该片配设步骤中，对该片进行加热而将该片粘贴于晶片的该正面。
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