CN116134106A - 电子装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种电子装置的制造方法，其至少具备如下工序：工序(A)，准备结构体(100)，所述结构体(100)具备具有电路形成面(30A)的电子部件(30)和贴合于电子部件(30)的电路形成面(30A)侧的粘着性膜(50)；工序(B)，将电子部件(30)的与电路形成面(30A)侧相反一侧的面进行背面研磨；以及工序(C)，对粘着性膜(50)照射紫外线之后，从电子部件(30)除去粘着性膜(50)，粘着性膜(50)具备基材层(10)和设置于基材层(10)的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层(20)，在工序(C)中，通过下述方法测定的照射紫外线后的粘着性膜(50)的60°剥离强度为0.4N/25mm以上5.0N/25mm以下。(方法)使用拉伸试验机，在23℃、速度150mm/分钟的条件下将照射紫外线后的粘着性膜(50)从电子部件(30)向60°方向剥离，将此时的强度(N/25mm)设为60°剥离强度。

Description

电子装置的制造方法
技术领域
本发明涉及电子装置的制造方法。
背景技术
在电子装置的制造工序中，在磨削电子部件的工序中，为了固定电子部件、或防止电子部件的损伤，会在电子部件的电路形成面粘贴粘着性膜。
这样的粘着性膜一般使用在基材膜上层叠有粘着性树脂层而成的膜。
伴随着高密度安装技术的进步，要求半导体晶片等电子部件的薄厚度化，例如要求薄厚度加工至50μm以下的厚度。
作为这样的薄厚度加工之一，有先切割法，即：在电子部件的磨削加工之前，在电子部件的表面形成预定深度的槽，接着进行磨削，从而将电子部件单片化。另外，还有先隐形法，即：在磨削加工之前，对电子部件内部照射激光，从而形成改性区域，接着进行磨削从而将电子部件单片化。
作为与这样的先切割法、先隐形法用的粘着性膜相关的技术，例如可列举专利文献1(日本特开2014-75560号公报)和专利文献2(日本特开2016-72546号公报)所记载的技术。
专利文献1中记载了一种表面保护片，其为在基材上具有粘着剂层的表面保护片，满足下述要件(a)～(d)。
(a)上述基材的杨氏模量为450MPa以上；
(b)上述粘着剂层的25℃时的储能模量为0.10MPa以上；
(c)上述粘着剂层的50℃时的储能模量为0.20MPa以下；
(d)上述粘着剂层的厚度为30μm以上。
专利文献1中记载了：这样的表面保护片在工件的背面磨削工序时，能够抑制水从工件被割断而形成的间隙浸入工件的被保护表面(废渣浸入)，防止工件的被保护表面的污染。
专利文献2中记载了一种半导体晶片表面保护用粘着胶带，其特征在于，具有基材树脂膜和形成于上述基材树脂膜的至少单面侧的放射线固化性的粘着剂层，上述基材树脂膜具有至少一层拉伸弹性模量为1～10GPa的刚性层，使上述粘着剂层放射线固化之后的剥离角度30°时的剥离力为0.1～3.0N/25mm。
专利文献2中记载了：根据这样的半导体晶片表面保护用粘着胶带，能够在应用了先切割法或先隐形法的半导体晶片的背面磨削工序中，抑制被单片化的半导体芯片的划痕移动(kerf shift)，并且将半导体晶片没有破损、污染地进行加工。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2014-75560号公报
专利文献2：日本特开2016-72546号公报
发明内容
发明要解决的课题
根据本发明人等的研究，例如明确了在使用了先切割法、先隐形法等的电子装置的制造工艺中，在背面研磨工序之后从电子部件剥离粘着性膜时，电子部件侧容易产生残胶。
本发明是鉴于上述情况而完成的发明，提供能够在背面研磨工序之后，抑制从电子部件剥离粘着性膜时的电子部件侧的残胶的电子装置的制造方法。
用于解决课题的方法
本发明人等为了实现上述课题而反复深入研究。其结果发现：通过将照射紫外线后的粘着性膜的60°剥离强度调节为特定范围，从而能够在背面研磨工序之后，抑制从电子部件剥离粘着性膜时的电子部件侧的残胶，由此完成本发明。
根据本发明，提供以下所示的电子装置的制造方法。
[1]
一种电子装置的制造方法，其至少具备如下工序：
工序(A)，准备结构体，所述结构体具备具有电路形成面的电子部件和贴合于上述电子部件的上述电路形成面侧的粘着性膜，
工序(B)，将上述电子部件的与上述电路形成面侧相反一侧的面进行背面研磨，以及
工序(C)，对上述粘着性膜照射紫外线之后，从上述电子部件除去上述粘着性膜，
上述粘着性膜具备基材层和设置于上述基材层的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层，
在上述工序(C)中，通过下述方法测定的照射紫外线后的上述粘着性膜的60°剥离强度为0.4N/25mm以下5.0N/25mm以下。
(方法)
使用拉伸试验机，在23℃、速度150mm/分钟的条件下将照射紫外线后的上述粘着性膜从上述电子部件向60°方向剥离，将此时的强度(N/25mm)设为60°剥离强度。
[2]
根据上述[1]所述的电子装置的制造方法，
上述工序(A)包含如下工序：
工序(A1)，选自将上述电子部件进行半切割的工序(A1-1)和对上述电子部件照射激光而在上述电子部件形成改性层的工序(A1-2)中的至少一种；
工序(A2)，在上述工序(A1)之后，在上述电子部件的上述电路形成面侧粘贴上述粘着性膜。
[3]
根据上述[1]或[2]所述的电子装置的制造方法，
上述工序(C)中，通过对上述粘着性膜照射200mJ/cm2以上2000mJ/cm2以下的剂量的紫外线，从而使上述粘着性树脂层紫外线固化而使上述粘着性树脂层的粘着力降低之后，从上述电子部件除去上述粘着性膜。
[4]
根据上述[1]至[3]中任一项所述的电子装置的制造方法，
上述粘着性树脂层包含分子中具有聚合性碳-碳双键的(甲基)丙烯酸系树脂和光引发剂。
[5]
根据上述[1]至[4]中任一项所述的电子装置的制造方法，
上述粘着性树脂层的厚度为5μm以上300μm以下。
[6]
根据上述[1]至[5]中任一项所述的电子装置的制造方法，
构成上述基材层的树脂包含选自聚烯烃、聚酯、聚酰胺、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚丙烯腈、聚碳酸酯、聚苯乙烯、离子交联聚合物、聚砜、聚醚砜和聚苯醚中的一种或两种以上。
发明效果
根据本发明，能够提供一种电子装置的制造方法，其在背面研磨工序之后，能够抑制从电子部件剥离粘着性膜时的电子部件侧的残胶。
附图说明
图1是示意性表示本发明涉及的实施方式的粘着性膜的结构的一例的截面图。
图2是示意性表示本发明涉及的实施方式的电子装置的制造方法的一例的截面图。
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是，全部附图中，同样的构成要素附上共同的符号，适当省略说明。另外，图为概略图，与实际的尺寸比率不一致。需要说明的是，只要没有特别说明，数值范围的“A～B”就表示A以上B以下。另外，本实施方式中，所谓“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸、甲基丙烯酸或丙烯酸和甲基丙烯酸这两者。
图1是示意性表示本发明涉及的实施方式的粘着性膜50的结构的一例的截面图。图2是示意性表示本发明涉及的实施方式的电子装置的制造方法的一例的截面图。
本实施方式涉及的电子装置的制造方法为至少具备如下工序的电子装置的制造方法：工序(A)，准备结构体100，所述结构体100具备具有电路形成面30A的电子部件30和贴合于电子部件30的电路形成面30A侧的粘着性膜50；工序(B)，将电子部件30的与电路形成面30A侧相反一侧的面进行背面研磨；以及工序(C)，对粘着性膜50照射紫外线之后，从电子部件30除去粘着性膜50，粘着性膜50具备基材层10和设置于基材层10的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层20，在工序(C)中，通过下述方法测定的照射紫外线后(紫外线固化后)的粘着性膜50的60°剥离强度为0.4N/25mm以上5.0N/25mm以下。
(方法)使用拉伸试验机，在23℃、速度150mm/分钟的条件下将照射紫外线后的粘着性膜50从电子部件30向60°方向剥离，将此时的强度(N/25mm)设为60°剥离强度。
如上所述，根据本发明人等的研究，明确了例如在使用先切割法、先隐形法等的电子装置的制造工艺中，在背面研磨工序之后从电子部件30剥离粘着性膜50时，在电子部件30侧容易产生残胶。
其理由尚不清楚，但与通常的电子部件30的背面研磨工序不同，需要从被割断的电子部件30剥离粘着性膜50，因此认为在被割断的电子部件30的边缘部容易产生残胶。
本发明人等为了实现上述课题而反复深入研究。其结果首先发现，通过将照射紫外线后的粘着性膜50的60°剥离强度调节为特定范围，从而能够在背面研磨工序之后，抑制从电子部件30剥离粘着性膜50时的电子部件30侧的残胶。
本实施方式涉及的电子装置的制造方法中，从防止对各种表面状态的电子部件30的残胶的观点考虑，在工序(C)中，照射紫外线后的粘着性膜50的60°剥离强度为0.4N/25mm以上5.0N/25mm以下，优选为3.0N/25mm以下，更优选调节为2.5N/25mm以下。
在工序(C)中，照射紫外线后的粘着性膜50的60°剥离强度例如可以通过控制构成粘着性树脂层20的粘着性树脂、交联剂、光引发剂的种类、配合比例、粘着性树脂中的各单体的种类、含有比例、工序(C)中的紫外线照射条件(例如，紫外线量、照射强度、照射时间)来控制于上述范围内。
1.粘着性膜
如图1所示，本实施方式涉及的粘着性膜50具备基材层10和设置于基材层10的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层20。
从机械特性与操作性的平衡考虑，本实施方式涉及的粘着性膜50整体的厚度优选为50μm以上600μm以下，更优选为50μm以上400μm以下，进一步优选为50μm以上300μm以下。
本实施方式涉及的粘着性膜50可以在不损害本发明的效果的范围内，在各层之间设置凹凸吸收性树脂层、粘接层、抗静电层(未图示)等其他层。根据凹凸吸收性树脂层，能够提高粘着性膜50的凹凸吸收性。根据粘接层，能够提高各层之间的粘接性。另外，根据抗静电层，能够提高粘着性膜50的抗静电性。
接着，对于构成本实施方式涉及的粘着性膜50的各层进行说明。
＜基材层＞
基材层10是以使粘着性膜50的操作性、机械特性、耐热性等特性变得更良好为目的而设置的层。
基材层10只要具有能够耐受加工电子部件30时施加的外力的机械强度就没有特别限定，例如可列举树脂膜。
作为构成基材层10的树脂，例如可列举选自聚乙烯、聚丙烯、聚(4-甲基-1-戊烯)、聚(1-丁烯)等聚烯烃；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯；尼龙-6、尼龙-66、聚间苯二甲酰胺等聚酰胺；(甲基)丙烯酸系树脂；聚氯乙烯；聚偏二氯乙烯；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；聚丙烯腈；聚碳酸酯；聚苯乙烯；离子交联聚合物；聚砜；聚醚砜；聚醚醚酮等中的一种或两种以上。
其中，从使机械物性和透明性变得良好的观点考虑，优选为选自聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚酰胺、聚酰亚胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物和聚对苯二甲酸丁二醇酯中的一种或两种以上，更优选为选自聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或两种以上。
基材层10可以为单层，也可以为两种以上的层。
另外，作为用于形成基材层10的树脂膜的形态，可以为拉伸膜，也可以为沿单轴方向或双轴方向拉伸的膜，但从提高基材层10的机械强度的观点考虑，优选为沿单轴方向或双轴方向拉伸的膜。从抑制磨削后的电子部件30的翘曲的观点考虑，基材层10优选预先进行了退火处理。为了改良与其他层的粘接性，基材层10也可以进行表面处理。具体地说，可以进行电晕处理、等离子体处理、下涂(under coat)处理、底涂(primer coat)处理等。
从获得良好的膜特性的观点考虑，基材层10的厚度优选为20μm以上250μm以下，更优选为30μm以上200μm以下，进一步优选为50μm以上150μm以下。
＜粘着性树脂层＞
本实施方式涉及的粘着性膜50具备紫外线固化型的粘着性树脂层20。
粘着性树脂层20是设置于基材层10的一面侧的层，是在将粘着性膜50粘贴在电子部件30的电路形成面30A时，与电子部件30的电路形成面30A接触并粘着的层。
构成粘着性树脂层20的粘着剂，可列举(甲基)丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、氨基甲酸酯系粘着剂、烯烃系粘着剂、苯乙烯系粘着剂等。其中，从能够容易地调节粘接力方面等出发，优选为将(甲基)丙烯酸系树脂作为基础聚合物的(甲基)丙烯酸系粘着剂。
另外，作为构成粘着性树脂层20的粘着剂，优选使用通过紫外线使粘着力降低的紫外线交联型粘着剂。
由紫外线交联型粘着剂构成的粘着性树脂层20由于通过紫外线的照射而交联，粘着力显著地减少，因此容易从粘着性膜50剥离电子部件30。
作为(甲基)丙烯酸系粘着剂中所含的(甲基)丙烯酸系树脂，例如可列举(甲基)丙烯酸酯化合物的均聚物、(甲基)丙烯酸酯化合物与共聚单体的共聚物等。作为(甲基)丙烯酸酯化合物，例如可列举(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。这些(甲基)丙烯酸酯化合物可以单独使用一种，也可以并用两种以上来使用。
另外，作为构成(甲基)丙烯酸系共聚物的共聚单体，例如可列举乙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、苯乙烯、(甲基)丙烯酸、衣康酸、(甲基)丙烯酰胺、羟甲基(甲基)丙烯酰胺、马来酸酐等。这些共聚单体可以单独使用一种，也可以并用两种以上来使用。
作为紫外线交联型的(甲基)丙烯酸系粘着剂，可以例示如下的粘着剂，即：包含分子中具有聚合性碳-碳双键的(甲基)丙烯酸系树脂和光引发剂，且根据需要通过交联剂使上述(甲基)丙烯酸系树脂交联而获得的粘着剂。紫外线交联型的(甲基)丙烯酸系粘着剂可以进一步包含分子内具有两个以上聚合性碳-碳双键的低分子量化合物。
分子中具有聚合性碳-碳双键的(甲基)丙烯酸系树脂具体如下操作而获得。首先，使具有乙烯性双键的单体与具有官能团(P)的共聚性单体共聚。接着，使该共聚物中所含的官能团(P)和具有能够与该官能团(P)发生加成反应、缩合反应等的官能团(Q)的单体在残留该单体中的双键的状态下进行反应，向共聚物分子中导入聚合性碳-碳双键。
作为上述具有乙烯性双键的单体，例如从(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸乙酯等丙烯酸烷基酯和甲基丙烯酸烷基酯单体、乙酸乙烯酯那样的乙烯基酯、(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酰胺、苯乙烯等具有乙烯性双键的单体中，使用一种或两种以上。
作为上述具有官能团(P)的共聚性单体，可列举(甲基)丙烯酸、马来酸、(甲基)丙烯酸-2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯等。它们可以为一种，也可以组合两种以上来使用。
上述具有乙烯性双键的单体与具有官能团(P)的共聚性单体的比例优选的是：上述具有乙烯性双键的单体为70～99质量％，具有官能团(P)的共聚性单体为1～30质量％。进一步优选的是：上述具有乙烯性双键的单体为80～95质量％，具有官能团(P)的共聚性单体为5～20质量％。
作为上述具有官能团(Q)的单体，例如可列举与上述具有官能团(P)的共聚性单体同样的单体。
作为在具有乙烯性双键的单体与具有官能团(P)的共聚性单体的共聚物中导入聚合性碳-碳双键时发生反应的官能团(P)与官能团(Q)的组合，期望为羧基与环氧基、羧基与氮丙啶基、羟基与异氰酸酯基等容易发生加成反应的组合。另外，不限于加成反应，如羧酸基与羟基的缩合反应等，只要是能够容易导入聚合性碳-碳双键的反应就可以使用任何反应。
作为分子中具有两个以上聚合性碳-碳双键的低分子量化合物，例如可列举三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二(三羟甲基丙烷)四丙烯酸酯等。它们可以使用一种或两种以上。分子中具有两个以上聚合性碳-碳双键的低分子量化合物的添加量相对于上述(甲基)丙烯酸系树脂100质量份，优选为0.1～20质量份，更优选为5～18质量份。
作为光引发剂，例如可列举苯偶姻、异丙基苯偶姻醚、异丁基苯偶姻醚、二苯甲酮、米蚩酮、氯噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、苯乙酮二乙基缩酮、苯偶酰二甲基缩酮、1-羟基环己基苯基酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮、2-苄基-2-二甲基氨基-4'-吗啉代苯丁酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2-二甲基氨基-2-(4-甲基苄基)-1-(4-吗啉-4-基-苯基)丁烷-1-酮等。它们可以使用一种或两种以上。光引发剂的添加量相对于上述(甲基)丙烯酸系树脂100质量份优选为0.1～15质量份，更优选为1～10质量份，进一步优选为4～10质量份。
可以在上述紫外线固化型粘着剂中添加交联剂。作为交联剂，例如可列举山梨糖醇聚缩水甘油醚、聚甘油聚缩水甘油醚、季戊四醇聚缩水甘油醚、二甘油聚缩水甘油醚等环氧系化合物；四羟甲基甲烷三-β-氮丙啶基丙酸酯、三羟甲基丙烷三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N'-二苯基甲烷-4,4'-双(1-氮丙啶羧基酰胺)、N,N'-六亚甲基-1,6-双(1-氮丙啶羧基酰胺)等氮丙啶系化合物；四亚甲基二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、多异氰酸酯等异氰酸酯系化合物等。上述紫外线固化型粘着剂可以为溶剂型、乳液型、热熔型等的任一者。
交联剂的含量通常优选为交联剂中的官能团数不多于(甲基)丙烯酸系树脂中的官能团数的程度的范围。但是，在因交联反应而新产生官能团的情况下、交联反应慢的情况下等，也可以根据需要过量地含有。
从提高粘着性树脂层20的耐热性、与密合力的平衡的观点考虑，(甲基)丙烯酸系粘着剂中的交联剂的含量相对于(甲基)丙烯酸系树脂100质量份，优选为0.1质量份以上15质量份以下，优选为0.5质量份以上5质量份以下。
粘着性树脂层20例如可以通过在基材层10上涂布粘着剂涂布液而形成。
作为涂布粘着剂涂布液的方法，例如可以采用辊涂法、反向辊涂法、凹版辊法、棒涂法、缺角轮涂布法、模涂法等以往公知的涂布方法。涂布后的粘着剂的干燥条件没有特别限制，一般而言，优选在80～200℃的温度范围内，干燥10秒～10分钟。进一步优选在80～170℃干燥15秒～5分钟。为了充分促进交联剂与(甲基)丙烯酸系树脂的交联反应，也可以在粘着剂涂布液的干燥结束后，在40～80℃加热5～300小时左右。
本实施方式涉及的粘着性膜50中，粘着性树脂层20的厚度优选为5μm以上300μm以下，更优选为10μm以上100μm以下，进一步优选为10μm以上50μm以下。如果粘着性树脂层20的厚度在上述范围内，则对于电子部件30的表面的粘着性与操作性的平衡良好。
2.电子装置的制造方法
本实施方式涉及的电子装置的制造方法至少具备以下三个工序。
(A)准备结构体100的工序，所述结构体100具备具有电路形成面30A的电子部件30和贴合于电子部件30的电路形成面30A侧的粘着性膜50，
(B)将电子部件30的与电路形成面30A侧相反一侧的面进行背面研磨的工序，以及
(C)对粘着性膜50照射紫外线之后从电子部件30除去粘着性膜50的工序。
而且具有如下特征，在工序(C)中，照射紫外线后的粘着性膜50的60°剥离强度为0.4N/25mm以上5.0N/25mm以下。
以下，对本实施方式涉及的电子装置的制造方法的各工序进行说明。
(工序(A))
首先，准备结构体100，所述结构体100具备具有电路形成面30A的电子部件30和贴合于电子部件30的电路形成面30A侧的粘着性膜50。
这样的结构体100例如可以如下制作：从粘着性膜50的粘着性树脂层20剥离脱模膜，使粘着性树脂层20的表面露出，在该粘着性树脂层20上粘贴电子部件30的电路形成面30A而制作。
这里，在粘着性膜50粘贴电子部件30的电路形成面30A时的条件没有特别限定，例如可以设为：温度为20～80℃、压力为0.05～0.5MPa、粘贴速度为0.5～20mm/秒。
工序(A)优选进一步包含工序(A1)和工序(A2)，工序(A1)是选自将电子部件30进行半切割的工序(A1-1)以及对电子部件30照射激光而在电子部件30形成改性层的工序(A1-2)中的至少一种；工序(A2)是在工序(A1)之后，在电子部件30的电路形成面30A侧粘贴粘着性膜50。
如上所述，在使用先切割法、先隐形法等的电子装置的制造工艺中，在背面研磨工序之后容易产生电子部件30的飞散、缺口，因此在使用了先切割法、先隐形法等的电子装置的制造工艺中可以适合地应用本实施方式涉及的电子装置的制造方法。因此，优选进行作为先切割法的上述工序(A1-1)、作为先隐形法的上述工序(A1-2)的制造方法。
工序(A2)中，能够将粘着性膜50加热而粘贴在电子部件30的电路形成面30A。由此，能够使粘着性树脂层20与电子部件30的粘接状态长时间地良好。作为加热温度没有特别限定，例如为60～80℃。
虽然将粘着性膜50粘贴在电子部件30的操作也有时通过人工来进行，但一般能够通过安装有卷状的粘着性膜的被称为自动粘贴机的装置来进行。
作为粘贴于粘着性膜50的电子部件30没有特别限定，优选为具有电路形成面30A的电子部件30。例如可列举半导体晶片、环氧模塑晶片、模塑面板、模塑阵列封装、半导体基板等，优选为半导体晶片和环氧模塑晶片。
另外，半导体晶片例如可列举硅晶片、蓝宝石晶片、锗晶片、锗-砷晶片、镓-磷晶片、镓-砷-铝晶片、镓-砷晶片、钽酸锂晶片等，但适合用于硅晶片。关于环氧模塑晶片，可列举通过作为扇出型WLP的制作方法之一的eWLB(Embedded Wafer Level Ball Grid Array，嵌入式晶片级球栅阵列)工艺来制作的晶片。
作为具有电路形成面的半导体晶片和环氧模塑晶片没有特别限定，例如用于表面形成有配线、电容器、二极管或晶体管等电路的晶片。另外，也可以对电路形成面进行等离子体处理。
电子部件30的电路形成面30A例如也可以通过具有凸块电极等而形成凹凸面。
另外，凸块电极例如是：在将电子装置安装于安装面时，与形成在安装面的电极接合，形成电子装置与安装面(印刷基板等的安装面)之间的电连接的凸块电极。
作为凸块电极，例如可列举球凸块、印刷凸块、钉头凸块(Stud bump)、镀敷凸块、立柱凸块等。即，凸块电极通常为凸电极。这些凸块电极可以单独使用一种也可以并用两种以上。
凸块电极的高度和直径没有特别限定，分别优选为10～400μm，更优选为50～300μm。此时的凸块间距也没有特别限定，优选为20～600μm，更优选为100～500μm。
另外，构成凸块电极的金属种类没有特别限定，例如可列举焊料、银、金、铜、锡、铅、铋和它们的合金等。粘着性膜50适合用于凸块电极为焊料凸块的情况。这些金属种类可以单独使用一种也可以并用两种以上。
(工序(B))
接着，将电子部件30的与电路形成面30A侧相反一侧的面(也称为背面。)进行背面研磨。
这里，所谓进行背面研磨是指将电子部件30没有破损地进行薄化加工至预定的厚度。
例如在磨削机的夹盘台等上固定结构体100，将电子部件30的背面(电路非形成面)进行磨削。
在这样的背面磨削操作中，电子部件30被磨削至厚度成为所期望的厚度以下。磨削之前的电子部件30的厚度根据电子部件30的直径、种类等适当确定，磨削之后的电子部件30的厚度根据所获得的芯片的尺寸、电路的种类等适当确定。
另外，在电子部件30被半切割、或通过激光照射形成改性层的情况下，如图1所示，通过工序(B)，电子部件30被单片化。
作为背面磨削方式，没有特别限定，可以采用公知的磨削方式。各个磨削能够一边将水施与电子部件30和磨削石进行冷却一边进行。根据需要，在磨削工序的最后可以进行作为不使用磨削水的磨削方式的干式抛光工序。背面磨削结束后，根据需要进行化学蚀刻。化学蚀刻通过如下方法进行，即：在选自由包含氢氟酸、硝酸、硫酸、乙酸等单独或混合液的酸性水溶液、氢氧化钾水溶液、氢氧化钠水溶液等碱性水溶液组成的组中的蚀刻液中，以贴有粘着性膜50的状态浸渍电子部件30等的方法。该蚀刻出于以下目的而进行：在电子部件30的背面产生的应变的除去、电子部件30的进一步薄层化、氧化膜等的除去、在背面形成电极时的前处理等目的。蚀刻液根据上述目的而适当选择。
(工序(C))
接着，对粘着性膜50照射紫外线后，从电子部件30除去粘着性膜50。在工序(C)中，对于粘着性膜50，例如照射200mJ/cm2以上2000mJ/cm2以下的剂量的紫外线从而使粘着性树脂层20紫外线固化，使粘着性树脂层20的粘着力降低之后，从电子部件30除去粘着性膜50。
另外，紫外线照射例如可以使用高压水银灯，使用主波长365nm的紫外线来进行。
紫外线的照射强度例如为50mW/cm2以上500mW/cm2以下。
也可以在从电子部件30除去粘着性膜之前，在切割胶带、或带晶片粘结膜的切割胶带上安装电子部件30。虽然从电子部件30除去粘着性膜50的操作也有时通过人工来进行，但是一般能够通过被称为自动剥离机的装置来进行。
剥离粘着性膜50后的电子部件30的表面也可以根据需要进行洗涤。作为洗涤方法，可列举水洗涤、溶剂洗涤等湿式洗涤、等离子体洗涤等干式洗涤等。在湿式洗涤的情况下，也可以并用超声波洗涤。这些洗涤方法可以根据电子部件30的表面的污染状况来适当选择。
(其他工序)
在进行工序(A)～工序(C)之后，也可以进一步进行将所获得的半导体芯片安装于电路基板的工序等。这些工序能够基于公知的信息来进行。
以上，对于本发明的优选实施方式进行了描述，但是它们是本发明的例示，也可以采用上述以外的各种构成。
实施例
以下，通过实施例和比较例具体地说明本发明，但本发明并不限定于此。
关于粘着性膜的制作的详细情况如下所述。
＜基材层＞
基材层1：聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(东洋纺公司制，制品名：E7180，厚度：50μm，单面电晕处理品)
基材层2：包含低密度聚乙烯膜/聚对苯二甲酸乙二醇酯膜/低密度聚乙烯膜的层叠膜(总厚度：110μm)
在聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(东丽公司制，制品名：Lumirror S10，厚度：50μm)的两侧层压低密度聚乙烯膜(密度：0.925kg/m3，厚度：30μm)而获得。对所获得的层叠膜的单侧实施电晕处理。
基材层3：包含聚对苯二甲酸乙二醇酯膜/乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜/丙烯酸膜的层叠膜(总厚度：145μm)
将聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(东洋纺公司制，制品名：E7180，厚度：50μm)和乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(三井·陶氏聚合化学株式会社制，MFR：2.5g/10分钟)膜(厚度：70μm)，通过对乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜的与聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的贴合面侧实施电晕处理而层叠。进一步，对乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜的与聚对苯二甲酸乙二醇酯膜的相反面侧也实施了电晕放电处理。
接着，在经脱模处理的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(隔膜)的脱模面上，将以下所示的基材用的丙烯酸系树脂涂布液以干厚度成为20μm的方式涂布并干燥，借由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜贴合于上述包含聚对苯二甲酸乙二醇酯膜/乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜的层叠膜上，进行熟化(40℃，3天)。接着，剥离隔膜，获得了基材层3。
＜基材用的丙烯酸系树脂涂布液＞
作为聚合引发剂，使用0.5质量份4,4'-偶氮双-4-氰基戊酸(大塚化学公司制，制品名：ACVA)，使丙烯酸丁酯74质量份、甲基丙烯酸甲酯14质量份、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯9质量份、甲基丙烯酸2质量份、丙烯酰胺1质量份、聚氧乙烯壬基丙烯基苯基醚硫酸铵的水溶液(第一工业制药公司制，制品名：Aquaron HS-1025)3质量份在去离子水中，在70℃乳液聚合9小时。聚合结束后，用氨水调节为PH＝7，获得固体成分浓度42.5％的丙烯酸聚合物水系乳液。接着，相对于该丙烯酸聚合物水系乳液100质量份，使用氨水，调节为ph＝9以上，并且配合氮丙啶系交联剂〔日本触媒化学工业制，Chemitite PZ-33〕0.75质量份、及二乙二醇单丁基醚5质量份，获得了基材用的涂布液。
＜(甲基)丙烯酸系树脂溶液＞
(甲基)丙烯酸系树脂溶液1：
使丙烯酸乙酯49质量份、丙烯酸-2-乙基己酯20质量份、丙烯酸甲酯21质量份、甲基丙烯酸缩水甘油酯10质量份、和作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰系聚合引发剂0.5质量份在甲苯65质量份和乙酸乙酯50质量份中，在80℃反应10小时。反应结束后，将获得的溶液冷却，在冷却后的溶液中添加二甲苯25质量份、丙烯酸5质量份、和十四烷基二甲基苄基氯化铵0.5质量份，一边吹入空气一边在85℃反应32小时，获得(甲基)丙烯酸系树脂溶液1。
(甲基)丙烯酸系树脂溶液2：
使丙烯酸正丁酯77质量份、甲基丙烯酸甲酯16质量份、丙烯酸-2-羟基乙酯16质量份、和作为聚合引发剂的叔丁基过氧化-2-乙基己酸酯0.3质量份在甲苯20质量份和乙酸乙酯80质量份中，在85℃反应10小时。反应结束后，将该溶液冷却，在其中添加甲苯30质量份、甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(昭和电工制，制品名：karenz MOI)7质量份、和二月桂酸二丁基锡0.05质量份，一边吹入空气一边在85℃反应12小时，获得(甲基)丙烯酸系树脂溶液2。
(甲基)丙烯酸系树脂溶液3：
使丙烯酸乙酯30质量份、丙烯酸甲酯11质量份、丙烯酸-2-乙基己酯26质量份、甲基丙烯酸-2-羟基乙酯7质量份、和作为聚合引发剂的过氧化苯甲酰系聚合引发剂0.8质量份在甲苯7质量份和乙酸乙酯50质量份中，在80℃反应9小时。反应结束后，将获得的溶液冷却，在冷却后的溶液中添加甲苯25质量份，获得(甲基)丙烯酸系树脂溶液3。
＜粘着性膜的制作＞
通过在丙烯酸系树脂溶液中添加表1所示的添加剂，从而调制粘着性树脂层用的粘着剂涂布液。将该涂布液涂布于经有机硅脱模处理后的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(隔膜)上。接着，在120℃干燥3分钟，形成厚度20μm的粘着性树脂层，贴合于基材层。对于基材层1和2，贴合于电晕处理面。对于基材层3，剥离隔膜，贴合于丙烯酸层侧。利用烘箱将所获得的层叠体在40℃加热3天，制作粘着性膜。
＜粘着性膜的评价方法＞
(1)紫外线固化后的60°剥离强度
将硅镜面晶片(8英寸单面镜面晶片)切成50mm×100mm的大小。通过UV臭氧洗涤装置(Technovision公司制，UV-208)将晶片镜面进行了臭氧洗涤(臭氧处理时间：60秒)。然后，将用乙醇擦拭晶片镜面后的晶片设为被粘物晶片。
在23℃、50％RH的环境下，将粘着性膜切为横宽25mm，剥离隔膜，使用手动辊，将粘着性膜借由其粘着性树脂层粘贴于被粘物晶片镜面，放置1小时。放置后，使用高压水银灯，以照射强度100mW/cm2对粘着性膜照射紫外线量1080mJ/cm2的主波长365nm的紫外线。然后，将粘贴有粘着性膜的被粘物晶片固定在粘着/皮膜剥离解析装置(VPA-2S，协和界面科学公司制)，用赛璐玢带将粘着性膜的一端固定在负载传感器侧。以剥离角度：60°、剥离速度：150mm/分钟从被粘物晶片的表面剥离粘着性膜，根据此时的应力求出UV照射后的60°剥离强度。评价以N＝2来实施，将该值进行平均而设为测定值。
(2)180°剥离强度评价
被粘物晶片：
通过UV臭氧洗涤装置(Technovision公司制，UV-208)将硅镜面晶片(4英寸单面镜面晶片)的镜面进行了臭氧洗涤(臭氧处理时间：60秒)。然后，将用乙醇擦拭晶片镜面后的晶片设为被粘物晶片。
紫外线照射前剥离强度：
在23℃、50％RH的环境下，将粘着性膜切为横宽50mm，剥离隔膜，使用手动辊，将粘着性膜借由其粘着性树脂层粘贴于被粘物晶片镜面，放置1小时。放置后，使用拉伸试验机(岛津制作所，制品名：自动绘图仪AGS-X)，夹持粘着性膜的一端，以剥离角度：180度、剥离速度：300mm/分钟从被粘物晶片的表面剥离粘着性膜。测定此时的应力，换算为N/25mm，求出剥离强度。评价以N＝2来实施，将该值进行平均而设为测定值。
紫外线照射后剥离强度：在23℃、50％RH的环境下，将粘着性膜切为横宽50mm，剥离隔膜，使用手动辊，将粘着性膜借由其粘着性树脂层粘贴于被粘物晶片镜面，放置1小时。放置后，在25℃的环境下，使用高压水银灯，以照射强度100mW/cm2对粘着性膜照射紫外线量1080mJ/cm2的主波长365nm的紫外线。然后，使用拉伸试验机(岛津制作所，制品名：自动绘图仪AGS-X)，夹持粘着性膜的一端，以剥离角度：180度、剥离速度：300mm/分钟从被粘物晶片的表面剥离粘着性膜。测定此时的应力，换算为N/25mm，求出剥离强度。评价以N＝2来实施，将该值进行平均而设为测定值。
残胶评价：
通过目测观察上述剥离后的被粘物晶片，按照以下基准进行了评价。
〇(好)：没有确认到残胶的情况
×(差)：确认到残胶的情况
(3)先切割法评价
评价晶片1：
使用切割机，将镜面晶片(8英寸镜面晶片，直径：200±0.5mm，厚度：725±50μm，单面镜面)的镜面进行半切割，获得评价晶片1。(刀片：ZH05-SD3500-N1-70-DD，芯片尺寸：5mm×8mm，切口深度：58μm，刀片旋转速度：30000rpm)。利用光学显微镜观察评价晶片1，结果划痕宽度为35μm。
评价晶片2：
使用切割机，对镜面晶片(8英寸镜面晶片，直径：200±0.5mm，厚度：725±50μm，单面镜面)的镜面实施第一阶段的半切割(刀片：Z09-SD2000-Y158×0.25A×40×45E-L，芯片尺寸：5mm×8mm，切口深度：15μm，刀片旋转速度：30000rpm)。利用光学显微镜进行了观察，结果划痕宽度为60μm。接着，实施第二阶段的半切割(刀片：ZH05-SD3500-N1-70-DD，芯片尺寸：5mm×8mm，切口深度：58μm，刀片旋转速度：30000rpm)，获得评价晶片2。
先切割法：
使用带层压机(日东电工公司制，DR3000II)，将粘着性膜粘贴于上述评价晶片的被半切割的面(23℃，粘贴速度：5mm/分钟，粘贴压力：0.36MPa)。
接着，使用研磨机(DISCO公司制，DGP8760)将上述晶片进行背面磨削(粗切削和精密切削，精密切削量：40μm，无抛光，磨削后厚度：38μm)，进行了单片化。
关于先切割时的芯片飞散，在实施背面磨削之后，通过目测按照以下基准进行了评价。
〇(好)：包括三角角部在内，没有确认到芯片飞散的情况
×(差)：包括三角角部在内，确认到芯片飞散的情况
进一步，进行紫外线照射和粘着性膜剥离，评价先切割法后的残胶。
紫外线照射是在25℃的环境下使用高压水银灯，以照射强度100mW/cm2对粘着性膜照射紫外线量1080mJ/cm2的主波长365nm的紫外线。
粘着性膜的剥离按照以下步骤来进行。首先，使用晶片装配机(日东电工公司制，MSA300)，将另外准备的切割胶带(用作安装用胶带)借由该切割胶带的粘着面，粘贴于8英寸晶片用环框架和上述被单片化后的晶片的晶片侧。接着，使用胶带剥离机(日东电工公司制，HR3000III)，通过剥离胶带(lasting system公司制，PET38REL)，从晶片切口部剥离粘着性膜。装置剥离性按照以下基准进行了评价。
〇(好)：第一次就能将粘着性膜从晶片剥离的情况
×(差)：第一次未能将粘着性膜从晶片剥离的情况
关于先切割法后的被单片化的晶片上的残胶，使用光学显微镜(奥林巴斯公司制)，按照以下的基准进行了评价。
〇(好)：没有确认到残胶的情况
×(差)：确认到残胶的情况
[实施例1]
相对于(甲基)丙烯酸系树脂溶液1(固体成分)100质量份，添加作为光引发剂的2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮(IGM公司制，商品名：omnirad 651)6.9质量份、异氰酸酯系交联剂(三井化学公司制，商品名：olester P49-75S)0.93质量份，获得粘着性树脂层用的粘着剂涂布液1。通过上述方法，制作粘着性膜。另外，基于先前描述的评价方法，实施紫外线固化后的60°剥离强度评价、180°剥离强度评价和先切割法评价。将结果示于表1中。
[实施例2～9以及比较例1和2]
将粘着性树脂层和基材层的种类变更为表1所示的种类，除此以外，与实施例1同样地操作，分别制作粘着性膜。另外，与实施例1同样地分别进行各评价。将获得的结果分别示于表1中。
需要说明的是，表1所记载的化合物如下所述。
omnirad 651(IGM公司制)：2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮
omnirad 369(IGM公司制)：2-苄基-2-二甲基氨基-4'-吗啉代苯丁酮
aronix M400(东亚合成公司制)：二季戊四醇五丙烯酸酯和二季戊四醇六丙烯酸酯的混合物
NK ESTER AD-TMP(新中村化学工业公司制)：二(三羟甲基丙烷)四丙烯酸酯
[表1]
Figure BDA0004113647010000191
本申请主张于2020年7月22日申请的日本申请特愿2020-125449号作为基础的优先权，将其公开的全部内容援引入此。
符号说明
10基材层
20粘着性树脂层
30电子部件
30A电路形成面
50粘着性膜
100结构体。

Claims (6)

1.一种电子装置的制造方法，其至少具备如下工序：
工序(A)，准备结构体，所述结构体具备具有电路形成面的电子部件和贴合于所述电子部件的所述电路形成面侧的粘着性膜，
工序(B)，将所述电子部件的与所述电路形成面侧相反一侧的面进行背面研磨，以及
工序(C)，对所述粘着性膜照射紫外线后从所述电子部件除去所述粘着性膜，
所述粘着性膜具备基材层和设置于所述基材层的一面侧的紫外线固化型的粘着性树脂层，
在所述工序(C)中，通过下述方法测定的照射紫外线之后的所述粘着性膜的60°剥离强度为0.4N/25mm以上5.0N/25mm以下，
方法：
使用拉伸试验机，在23℃、速度150mm/分钟的条件下将照射紫外线后的所述粘着性膜从所述电子部件向60°方向剥离，将此时的强度(N/25mm)设为60°剥离强度。
2.根据权利要求1所述的电子装置的制造方法，所述工序(A)包含如下工序：
工序(A1)，选自将所述电子部件进行半切割的工序(A1-1)和对所述电子部件照射激光而在所述电子部件形成改性层的工序(A1-2)中的至少一种；
工序(A2)，在所述工序(A1)之后，在所述电子部件的所述电路形成面侧粘贴所述粘着性膜。
3.根据权利要求1或2所述的电子装置的制造方法，所述工序(C)中，通过对所述粘着性膜照射200mJ/cm2以上2000mJ/cm2以下的剂量的紫外线，从而使所述粘着性树脂层紫外线固化而使所述粘着性树脂层的粘着力降低之后，从所述电子部件除去所述粘着性膜。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的电子装置的制造方法，所述粘着性树脂层包含分子中具有聚合性碳-碳双键的(甲基)丙烯酸系树脂和光引发剂。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的电子装置的制造方法，所述粘着性树脂层的厚度为5μm以上300μm以下。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的电子装置的制造方法，构成所述基材层的树脂包含选自聚烯烃、聚酯、聚酰胺、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚丙烯腈、聚碳酸酯、聚苯乙烯、离子交联聚合物、聚砜、聚醚砜和聚苯醚中的一种或两种以上。
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