CN116113300A - 一种发光层、发光器件和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种发光层、发光器件和显示装置，涉及显示技术领域，该发光层至少包括：第一热激活延迟荧光材料，所述第一热激活延迟荧光材料的反系间窜越速率kRISC满足：kRISC＞1.0×104s‑1；所述第一热激活延迟荧光材料处于纯膜状态的情况下的光致发光量子产率PLQY满足：PLQY≥50％；所述第一热激活延迟荧光材料的水平偶极子比θ//满足：θ//＞67％。本申请提供的发光层，通过第一热激活延迟荧光材料，从而可以使得应用该发光层的发光器件的发光效率和发光性能较高。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光层、发光器件和显示装置。
背景技术
目前的OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)显示装置的发光方式分为磷光发光和荧光发光，其中荧光发光的OLED显示装置由于其优异的特性得到越来越广泛的应用。
然而，传统有机荧光发光材料受激发后会以25∶75的比例产生单重态激子和三重态激子，25％的单重态激子跃迁到基态时放射荧光，75％的三重态激子跃迁到基态时不发光。由于无法将产生比例高的三重态激子用于发光，必然导致传统荧光发光材料的发光效率低，使得基于荧光发光的OLED显示装置的IQE(Internal Quantum Efficiency，内量子效率)最高只能达到其理论极限值，致使基于传统荧光发光的OLED显示装置的发光效率低，发光性能差。
因此，亟需提供一种新型的OLED显示装置，以解决上述问题。
发明内容
本申请的实施例采用如下技术方案：
一方面，本申请的实施例提供了一种发光层，至少包括：
第一热激活延迟荧光材料，所述第一热激活延迟荧光材料的反系间窜越速率kRISC满足：kRISC＞1.0×104s-1；所述第一热激活延迟荧光材料处于纯膜状态的情况下的光致发光量子产率PLQY满足：PLQY≥50％；所述第一热激活延迟荧光材料的水平偶极子比θ//满足：θ//＞67％。
可选地，所述第一热激活延迟荧光材料的单重态能级与所述第一热激活延迟荧光材料的三重态能级之间的能级差△EST1满足：△EST1≤0.15eV。
可选地，所述第一热激活延迟荧光材料的结构通式为：
其中，R1-R3各自独立地为氢、氘、氟、氯、溴、碘、CN、Si(R6)3、直链烷基、烷氧基、具有1-40个碳的硫代烷基、具有3-40个碳的支链、具有3-40个碳的环状烷基、具有3-40个碳的烷氧基、具有3-40个碳的硫代烷基、具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基中的任一种；R1-R3各自独立地能够被一个或多个R4取代，其中，R4为氢、具有1-22个碳的直链烷基、具有1-22个碳的烷氧基链、具有3-22个碳的支链、具有3-22个碳的环状烷基、具有3-22个碳的烷氧基链中的任一种；R4中一个或多个不相邻的碳能够被氧、硫、SO、SO2、CO、O-CO-O、CO-O、-CH＝CH-、-C≡C中的任一种取代；R4中一个或多个氢能够被氟、氯、溴、碘、CN、具有5-40个碳的芳基、具有5-40个碳的杂芳基、具有5-40个碳的芳氧基、具有5-40个碳的杂芳氧基、非芳族中的任一种取代；R1-R3各自独立地一个或多个不相邻的CH2能够被Si(R6)2、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、氧、硫、CONR6中的任一种取代；R1-R3各自独立地一个或多个氢能够被氘、氟、氯、溴、碘中的任一种取代；
两个或多个相邻的R1-R3任选地形成单环、多环的脂族环中的任一种，单环、多环的脂族环中的任一种能够被R4取代；
R2和R3中的至少一个不为氢；
R1至少被一个氰基取代；R1包含t个氮原子，t为1、2、3中的任一种；
A1和A2各自独立地为具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基中的任一种；A1和A2各自独立地能够被一个或多个R4取代；
m和n各自独立地为0、1、2、3、4中的任一种；
p和q各自独立地为0或者1，且p+q≠0。
可选地，所述第一热激活延迟荧光材料包括二苯啶或者含氮二苯啶。
可选地，在所述第一热激活延迟荧光材料包括含氮二苯啶的情况下，所述第一热激活延迟荧光材料的结构通式为：
可选地，所述R3选自
可选地，所述第一热激活延迟荧光材料的化学结构式包括：
可选地，所述发光层还包括第一化合物，所述第一化合物掺杂在所述第一热激活延迟荧光材料中；
所述第一化合物的重组能λRISC和所述第一化合物的单重态能级与所述第一化合物的三重态能级之间的能级差△EST2之间的差值的绝对值满足：|λRISC-△EST2|≤0.1eV。
可选地，所述第一化合物为第二热激活延迟荧光材料；
所述第一化合物的反系间窜越速率kRISC2满足：kRISC2＞1.0×104s-1。
可选地，所述第一化合物的结构通式为：
其中，X、Y、Z各自独立地为碳、氮、BR3、C(R3)2、-C(R3)2-C(R3)2-、-C(R3)2-O-、-C(R3)2-S-、-R3C＝CR3-、-R3C＝N-、Si(R3)2、-Si(R3)2-Si(R3)2-、C＝O、氧、硫、S＝O、SO2、NR3、PR3、P(＝O)R3中的任一种；
R1为氢、氘、氟、氯、溴、碘、CN、Si(R6)3、直链烷基、烷氧基、具有1-40个碳的硫代烷基、具有3-40个碳的支链、具有3-40个碳的环状烷基、具有3-40个碳的烷氧基、具有3-40个碳的硫代烷基、具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基中的任一种；R1能够被一个或多个R4取代，其中，R4为氢、具有1-22个碳的直链烷基、具有1-22个碳的烷氧基链、具有3-22个碳的支链、具有3-22个碳的环状烷基、具有3-22个碳的烷氧基链中的任一种；R4中一个或多个不相邻的碳能够被氧、硫、SO、SO2、CO、O-CO-O、CO-O、-CH＝CH-、-C≡C中的任一种取代；R4中一个或多个氢能够被氟、氯、溴、碘、CN、具有5-40个碳的芳基、具有5-40个碳的杂芳基、具有5-40个碳的芳氧基、具有5-40个碳的杂芳氧基、非芳族中的任一种取代；R1中一个或多个不相邻的CH2能够被Si(R6)2、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、氧、硫、CONR6中的任一种取代；R1中一个或多个氢能够被氘、氟、氯、溴、碘中的任一种取代；
两个或多个相邻的R1任选地形成单环、多环的脂族环中的任一种，单环、多环的脂族环中的任一种能够被R4取代；
A1和A2各自独立地为具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基中的任一种；A1和A2各自独立地能够被一个或多个R4取代；
p、q和t各自独立地为0或者1，且p+q≠0；
m和n各自独立地为0、1、2、3、4中的任一种。
可选地，所述第一化合物包括第一给电子基团、第一受电子基团和第一连接基团，所述第一给电子基团通过所述第一连接基团与所述第一受电子基团键合；所述第一连接基团包括苯环或吡啶。
可选地，所述第一化合物的化学结构式包括：
可选地，所述第一化合物包括第二给电子基团、第三给电子基团和第二受电子基团，所述第二给电子基团通过所述第二受电子基团与所述第三给电子基团键合。
可选地，所述第一化合物的化学结构式包括：
可选地，所述发光层还包括第二化合物，所述第二化合物掺杂在所述第一热激活延迟荧光材料中；
所述第一热激活延迟荧光材料的三重态能级T1满足：T1≥2.7eV。
可选地，所述第二化合物为第三热激活延迟荧光材料。
可选地，所述第二化合物的结构通式为：
其中，X、Y、Z、W各自独立地为碳、氮、硼、氧、硫、硒、碲、BR3、C(R3)2、-C(R3)2-C(R3)2-、-C(R3)2-O-、-C(R3)2-S-、-R3C＝CR3-、-R3C＝N-、Si(R3)2、-Si(R3)2-Si(R3)2-、C＝O、S＝O、SO2、NR3、PR3、P(＝O)R3中的任一种；
R1为氢、氘、氟、氯、溴、碘、CN、Si(R6)3、直链烷基、烷氧基、具有1-40个碳的硫代烷基、具有3-40个碳的支链、具有3-40个碳的环状烷基、具有3-40个碳的烷氧基、具有3-40个碳的硫代烷基、具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基中的任一种；R1能够被一个或多个R4取代，其中，R4为氢、具有1-22个碳的直链烷基、具有1-22个碳的烷氧基链、具有3-22个碳的支链、具有3-22个碳的环状烷基、具有3-22个碳的烷氧基链中的任一种；R4中一个或多个不相邻的碳能够被氧、硫、SO、SO2、CO、O-CO-O、CO-O、-CH＝CH-、-C≡C中的任一种取代；R4中一个或多个氢能够被氟、氯、溴、碘、CN、具有5-40个碳的芳基、具有5-40个碳的杂芳基、具有5-40个碳的芳氧基、具有5-40个碳的杂芳氧基、非芳族中的任一种取代；R1中一个或多个不相邻的CH2能够被Si(R6)2、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、氧、硫、CONR6中的任一种取代；R1中一个或多个氢能够被氘、氟、氯、溴、碘中的任一种取代；
两个或多个相邻的R1任选地形成单环、多环的脂族环中的任一种，单环、多环的脂族环中的任一种能够被R4取代；
R2为氢、氘、氟、氯、溴、碘、CN、Si(R6)3、直链烷基、烷氧基、具有1-40个碳的硫代烷基、具有3-40个碳的支链、具有3-40个碳的环状烷基、具有3-40个碳的烷氧基、具有3-40个碳的硫代烷基、具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基、具有10-30芳环的苯并基中的任一种；R2能够被一个或多个R4取代，其中，R4为氢、具有1-22个碳的直链烷基、具有1-22个碳的烷氧基链、具有3-22个碳的支链、具有3-22个碳的环状烷基、具有3-22个碳的烷氧基链中的任一种；R4中一个或多个不相邻的碳能够被氧、硫、SO、SO2、CO、O-CO-O、CO-O、-CH＝CH-、-C≡C中的任一种取代；R4中一个或多个氢能够被氟、氯、溴、碘、CN、具有5-40个碳的芳基、具有5-40个碳的杂芳基、具有5-40个碳的芳氧基、具有5-40个碳的杂芳氧基、非芳族中的任一种取代；R1中一个或多个不相邻的CH2能够被Si(R6)2、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、氧、硫、CONR6中的任一种取代；R1中一个或多个氢能够被氘、氟、氯、溴、碘中的任一种取代；
R2中一个或多个不相邻的CH2能够被Si(R6)2、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、氧、硫、CONR6中的任一种取代；R2中一个或多个氢能够被氘、氟、氯、溴、碘中的任一种取代；
两个或多个相邻的R2任选地形成单环、多环的脂族环中的任一种，单环、多环的脂族环中的任一种能够被R4取代；
A1、A2、A3和A4各自独立地为具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基中的任一种；A1和A2各自独立地能够被一个或多个R4取代；
p、q、t和s各自独立地为0或者1，且p+q＞0；
m和n各自独立地为0、1、2、3、4中的任一种。
可选地，所述第二化合物包括至少一个苯环、以及硼原子和/或氮原子。
可选地，所述第二化合物的化学结构式包括：
中的任一种。
可选地，所述第二化合物包括苯环、以及在所述苯环上键合的多个第四给电子基团和多个第三受电子基团。
可选地，所述第二化合物的化学结构式包括：
另一方面，本申请的实施例提供了一种发光器件，包括上述的发光层。
又一方面，本申请的实施例提供了一种显示装置，包括上述的发光器件。
上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图1为本申请实施例提供的一种发光器件的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在图中，为了清晰，可能夸大了区域和层的厚度。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本申请的示意性图解，并非一定是按比例绘制。
在本申请的实施例中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上；术语“上”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的结构或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”、“特定示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本申请的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
在本申请的实施例中，采用“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分，仅为了清楚描述本申请实施例的技术方案，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
随着科技的发展，OLED发光器件因其优异的性能受到了广泛的应用，OLED发光器件的发光方式分为磷光发光和荧光发光。
磷光发光材料由于具有来源于重原子中心的强自旋-轨道耦合效应，增强了发光分子的系间窜越，可以有效利用电激发，使得受激发后产生的单重态激子可以转换为三重态激子、且跃迁到基态时都能够发光，使得基于磷光发光的OLED发光器件的IQE达到100％。但是，由于磷光发光材料通常使用重金属作为重原子中心，致使磷光发光的OLED发光器件存在价格昂贵、器件效率滚落严重、污染严重等问题。
因此，荧光发光的OLED发光器件应运而生，以避免使用重金属元素。然而，传统有机荧光发光材料受激发后会以25∶75的比例产生单重态激子和三重态激子，25％的单重态激子跃迁到基态时放射荧光，75％的三重态激子跃迁到基态时不发光。由于无法将产生比例高的三重态激子用于发光，必然导致传统荧光发光材料的发光效率低，使得基于荧光发光的OLED发光器件的IQE最高只能达到其理论极限值(一般最高仅能达到25％)，致使基于传统荧光发光的OLED发光器件的发光效率低，发光性能差。
基于上述，本申请的实施例提供了一种发光层，参考图1所示，该发光层2至少包括：第一热激活延迟荧光材料，第一热激活延迟荧光材料的反系间窜越速率kRISC满足：kRISC＞1.0×104s-1；第一热激活延迟荧光材料处于纯膜状态的情况下的光致发光量子产率PLQY满足：PLQY≥50％；第一热激活延迟荧光材料的水平偶极子比θ//满足：θ//＞67％。
上述发光层至少包括第一热激活延迟荧光材料是指：上述发光层仅包括第一热激活延迟荧光材料，此时发光层为单一材料构成的膜层，制作工艺较为简单；或者，上述发光层除了包括第一热激活延迟荧光材料，还包括其它材料。在发光层包括第一热激活延迟荧光材料和其它材料的情况下，可以是第一热激活延迟荧光材料做主体材料，其它材料作为客体材料掺杂在第一热激活延迟荧光材料中。
上述发光层可以是红色发光层、绿色发光层或者蓝色发光层中的任一种，此时，该发光层可用于单一颜色的发光。发光器件可以同时包括红色发光层、绿色发光层或者蓝色发光层三种发光层；当然，也可以仅包括一种发光层，例如：仅包括多个红色发光层，或者仅包括多个绿色发光层，或者仅包括多个蓝色发光层。具体可以根据实际要求确定。
这里对于上述第一热激活延迟荧光材料的反系间窜越速率kRISC不做具体限定，示例的，上述第一热激活延迟荧光材料的反系间窜越速率kRISC可以为1.0×105s-1、1.0×106s-1、1.0×107s-1或者1.0×108s-1等等。
这里对于上述第一热激活延迟荧光材料处于纯膜状态的情况下的光致发光量子产率PLQY不做具体限定，示例的，上述第一热激活延迟荧光材料处于纯膜状态的情况下的光致发光量子产率PLQY可以为50％、70％、80％或者90％等等。进一步可选地，上述第一热激活延迟荧光材料处于纯膜状态的情况下的光致发光量子产率PLQY满足：PLQY≥90％，具体的，上述第一热激活延迟荧光材料处于纯膜状态的情况下的光致发光量子产率PLQY可以为91％、93％、95％或者97％等等。
这里对于上述第一热激活延迟荧光材料的水平偶极子比θ//不做具体限定，示例的，上述第一热激活延迟荧光材料的水平偶极子比θ//可以为68％、70％、80％或者90％等等。
本申请的实施例提供了一种发光层，该发光层至少包括：第一热激活延迟荧光材料，第一热激活延迟荧光材料的反系间窜越速率kRISC满足：kRISC＞1.0×104s-1；第一热激活延迟荧光材料处于纯膜状态的情况下的光致发光量子产率PLQY满足：PLQY≥50％；第一热激活延迟荧光材料的水平偶极子比θ//满足：θ//＞67％。第一热激活延迟荧光材料(TADF)受激发后产生25％的单重态激子和75％的三重态激子，只有25％的单重态激子跃迁到基态时进行荧光发光。由于本申请实施例提供的第一热激活延迟荧光材料的反系间窜越速率kRISC较大，从而使得该第一热激活延迟荧光材料的单重态能级与第一热激活延迟荧光材料的三重态能级之间的能级差较小，而单重态和三重态之间的能级差越小越有利于发生反向系间窜跃，则第一热激活延迟荧光材料中75％的三重态激子可以更容易地反向系间窜跃到单重态形成单重态激子，形成的单重态激子受激发后进行荧光发光。即将原本不能参与发光的高比例三重态激子转换成能够参与发光的单重态激子，从而大幅提高了三重态激子的利用率，使得发光层的发光效率得到了有效的提升，进而提高了应用上述发光层的发光器件的发光效率和发光性能，用户体验佳。
另外，由于第一热激活延迟荧光材料具有多种分子间相互作用的刚性分子框架，且分子结构可以扭转，能够有效的减少甚至抑制分子运动和几何振动等，从而可以大幅减少由于浓度猝灭引起的非辐射衰减，进而有效提高了应用上述发光层的发光器件的发光效率和发光性能。
可选地，第一热激活延迟荧光材料的单重态能级与第一热激活延迟荧光材料的三重态能级之间的能级差△EST1满足：△EST1≤0.15eV。
这里对于上述第一热激活延迟荧光材料的单重态能级与第一热激活延迟荧光材料的三重态能级之间的能级差△EST1不做具体限定，示例的，上述第一热激活延迟荧光材料的单重态能级与第一热激活延迟荧光材料的三重态能级之间的能级差△EST1可以为0.05eV、0.1eV、0.13eV或者0.15eV等等。
本申请的实施例提供了一种发光层，该发光层中的第一热激活延迟荧光材料的单重态能级与第一热激活延迟荧光材料的三重态能级之间的能级差△EST1很小，从而有利于将激子限制在第一热激活延迟荧光材料发射体中，且单重态和三重态之间的能级差越小越有利于发生反向系间窜跃，则第一热激活延迟荧光材料中75％的三重态激子可以更容易地反向系间窜跃到单重态形成单重态激子，形成的单重态激子受激发后进行荧光发光。即将原本不能参与发光的高比例三重态激子转换成能够参与发光的单重态激子，从而大幅提高了三重态激子的利用率，使得发光层的发光效率得到了有效的提升，进而提高了应用上述发光层的发光器件的发光效率和发光性能。
可选地，第一热激活延迟荧光材料的结构通式为：
其中，R1-R3各自独立地为氢、氘、氟、氯、溴、碘、CN、Si(R6)3、直链烷基、烷氧基、具有1-40个碳的硫代烷基、具有3-40个碳的支链、具有3-40个碳的环状烷基、具有3-40个碳的烷氧基、具有3-40个碳的硫代烷基、具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基中的任一种；R1-R3各自独立地能够被一个或多个R4取代，其中，R4为氢、具有1-22个碳的直链烷基、具有1-22个碳的烷氧基链、具有3-22个碳的支链、具有3-22个碳的环状烷基、具有3-22个碳的烷氧基链中的任一种；R4中一个或多个不相邻的碳能够被氧、硫、SO、SO2、CO、O-CO-O、CO-O、-CH＝CH-、-C≡C中的任一种取代；R4中一个或多个氢能够被氟、氯、溴、碘、CN、具有5-40个碳的芳基、具有5-40个碳的杂芳基、具有5-40个碳的芳氧基、具有5-40个碳的杂芳氧基、非芳族中的任一种取代；R1-R3各自独立地一个或多个不相邻的CH2能够被Si(R6)2、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、氧、硫、CONR6中的任一种取代；R1-R3各自独立地一个或多个氢能够被氘、氟、氯、溴、碘中的任一种取代；两个或多个相邻的R1-R3任选地形成单环、多环的脂族环中的任一种，单环、多环的脂族环中的任一种能够被R4取代；R2和R3中的至少一个不为氢；R1至少被一个氰基取代；R1包含t个氮原子，t为1、2、3中的任一种；A1和A2各自独立地为具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基中的任一种；A1和A2各自独立地能够被一个或多个R4取代；m和n各自独立地为0、1、2、3、4中的任一种；p和q各自独立地为0或者1，且p+q≠0。
可选地，第一热激活延迟荧光材料包括二苯啶或者含氮二苯啶。由此，第一热激活延迟荧光材料有较大的空间位阻，且二苯啶结构有较大的扭转角，从而可以有效抑制浓度猝灭，使得第一热激活延迟荧光材料处于纯膜状态的情况下的光致发光量子产率PLQY较大，进而有效提高了应用上述发光层的发光器件的发光效率和发光性能。
可选地，在第一热激活延迟荧光材料包括含氮二苯啶的情况下，第一热激活延迟荧光材料的结构通式为：
可选地，R3选自
可选地，第一热激活延迟荧光材料的化学结构式包括：
可选地，发光层还包括第一化合物，第一化合物掺杂在第一热激活延迟荧光材料中；第一化合物的重组能λRISC和第一化合物的单重态能级与第一化合物的三重态能级之间的能级差△EST2之间的差值的绝对值满足：|λRISC-△EST2|≤0.1eV。
这里对于上述第一化合物的掺杂浓度不做具体限定，示例的，上述第一化合物的掺杂浓度范围可以包括小于或等于50％，具体的，上述第一化合物的掺杂浓度可以为10％、20％、30％、40％或者50％等等。进一步可选地，上述第一化合物的掺杂浓度范围可以包括小于或等于30％，具体的，上述第一化合物的掺杂浓度可以为10％、20％或者30％等等。
这里对于上述第一化合物的重组能λRISC和第一化合物的单重态能级与第一化合物的三重态能级之间的能级差△EST2之间的差值的绝对值|λRISC-△EST2|不做具体限定，示例的，上述第一化合物的重组能λRISC和第一化合物的单重态能级与第一化合物的三重态能级之间的能级差△EST2之间的差值的绝对值|λRISC-△EST2|可以为0.01eV、0.03eV、0.08eV或者0.1eV等等。
本申请的实施例提供了一种发光层，该发光层包括第一热激活延迟荧光材料和第一化合物，一方面，使得第一热激活延迟荧光材料在充当主体材料的同时可以进行有效的能量传递，从而有效提高了应用上述发光层的发光器件的发光效率和发光性能；另一方面，由于第一化合物的重组能λRISC和第一化合物的单重态能级与第一化合物的三重态能级之间的能级差△EST2之间的差值的绝对值较小，从而可以提高上转换能力(即第一化合物中的三重态激子反向系间窜跃到单重态形成单重态激子的能力)，进而有效提高了应用上述发光层的发光器件的发光效率和发光性能。
可选地，第一化合物为第二热激活延迟荧光材料；第一化合物的反系间窜越速率kRISC2满足：kRISC2＞1.0×104s-1。
这里对于上述第一化合物的反系间窜越速率kRISC不做具体限定，示例的，上述第一化合物的反系间窜越速率kRISC可以为1.0×105s-1、1.0×106s-1、1.0×107s-1或者1.0×108s-1等等。
本申请的实施例提供了一种发光层，该发光层包括第一化合物。由于第一化合物为第二热激活延迟荧光材料、且反系间窜越速率kRISC较大，从而使得该第一化合物的单重态能级与第一化合物的三重态能级之间的能级差较小，而单重态和三重态之间的能级差越小越有利于发生反向系间窜跃，则第一化合物中75％的三重态激子可以更容易地反向系间窜跃到单重态形成单重态激子，形成的单重态激子受激发后进行荧光发光。即将原本不能参与发光的高比例三重态激子转换成能够参与发光的单重态激子，从而大幅提高了三重态激子的利用率，进而有效提高了应用上述发光层的发光器件的发光效率和发光性能。
可选地，第一化合物的结构通式为：
其中，X、Y、Z各自独立地为碳、氮、BR3、C(R3)2、-C(R3)2-C(R3)2-、-C(R3)2-O-、-C(R3)2-S-、-R3C＝CR3-、-R3C＝N-、Si(R3)2、-Si(R3)2-Si(R3)2-、C＝O、氧、硫、S＝O、SO2、NR3、PR3、P(＝O)R3中的任一种；R1为氢、氘、氟、氯、溴、碘、CN、Si(R6)3、直链烷基、烷氧基、具有1-40个碳的硫代烷基、具有3-40个碳的支链、具有3-40个碳的环状烷基、具有3-40个碳的烷氧基、具有3-40个碳的硫代烷基、具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基中的任一种；R1能够被一个或多个R4取代，其中，R4为氢、具有1-22个碳的直链烷基、具有1-22个碳的烷氧基链、具有3-22个碳的支链、具有3-22个碳的环状烷基、具有3-22个碳的烷氧基链中的任一种；R4中一个或多个不相邻的碳能够被氧、硫、SO、SO2、CO、O-CO-O、CO-O、-CH＝CH-、-C≡C中的任一种取代；R4中一个或多个氢能够被氟、氯、溴、碘、CN、具有5-40个碳的芳基、具有5-40个碳的杂芳基、具有5-40个碳的芳氧基、具有5-40个碳的杂芳氧基、非芳族中的任一种取代；R1中一个或多个不相邻的CH2能够被Si(R6)2、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、氧、硫、CONR6中的任一种取代；R1中一个或多个氢能够被氘、氟、氯、溴、碘中的任一种取代；两个或多个相邻的R1任选地形成单环、多环的脂族环中的任一种，单环、多环的脂族环中的任一种能够被R4取代；A1和A2各自独立地为具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基中的任一种；A1和A2各自独立地能够被一个或多个R4取代；p、q和t各自独立地为0或者1，且p+q≠0；m和n各自独立地为0、1、2、3、4中的任一种。
进一步可选地，m和n各自独立地为2。
可选地，第一化合物包括第一给电子基团、第一受电子基团和第一连接基团，第一给电子基团通过第一连接基团与第一受电子基团键合；第一连接基团包括苯环或吡啶。从而通过苯环或吡啶将第一给电子基团和第一受电子基团桥连。
可选地，第一化合物的化学结构式包括：
中的任一种。
可选地，第一化合物包括第二给电子基团、第三给电子基团和第二受电子基团，第二给电子基团通过第二受电子基团与第三给电子基团键合。从而通过第二受电子基团将第二给电子基团和第三给电子基团桥连。
可选地，第一化合物的化学结构式包括：
可选地，发光层还包括第二化合物，第二化合物掺杂在第一热激活延迟荧光材料中；第一热激活延迟荧光材料的三重态能级T1满足：T1≥2.7eV。
这里对于上述第二化合物的掺杂浓度不做具体限定，示例的，上述第二化合物的掺杂浓度范围可以包括小于或等于50％，具体的，上述第二化合物的掺杂浓度可以为10％、20％、30％、40％或者50％等等。进一步可选地，上述第二化合物的掺杂浓度范围可以包括小于或等于30％，具体的，上述第二化合物的掺杂浓度可以为10％、20％或者30％等等。
这里对于上述第一热激活延迟荧光材料的三重态能级T1不做具体限定，示例的，上述第一热激活延迟荧光材料的三重态能级T1可以为2.7eV、2.9eV、3eV、4eV或者5eV等等。
本申请的实施例提供了一种发光层，该发光层包括第一热激活延迟荧光材料和第二化合物，一方面，使得第一热激活延迟荧光材料在充当主体材料的同时可以进行有效的能量传递，从而有效提高了应用上述发光层的发光器件的发光效率和发光性能；另一方面，由于第二化合物为蓝光的发射体，且第一热激活延迟荧光材料的三重态能级T1较大，从而有效提高了应用上述发光层的发光器件的发光效率和发光性能。
可选地，第二化合物为第三热激活延迟荧光材料。
本申请的实施例提供了一种发光层，该发光层包括第二化合物。由于第二化合物为第三热激活延迟荧光材料，从而使得该第二化合物的单重态能级与第二化合物的三重态能级之间的能级差较小，而单重态和三重态之间的能级差越小越有利于发生反向系间窜跃，则第二化合物中75％的三重态激子可以更容易地反向系间窜跃到单重态形成单重态激子，形成的单重态激子受激发后进行荧光发光。即将原本不能参与发光的高比例三重态激子转换成能够参与发光的单重态激子，从而大幅提高了三重态激子的利用率，进而有效提高了应用上述发光层的发光器件的发光效率和发光性能。
可选地，第二化合物的结构通式为：
中的任一种；其中，X、Y、Z、W各自独立地为碳、氮、硼、氧、硫、硒、碲、BR3、C(R3)2、-C(R3)2-C(R3)2-、-C(R3)2-O-、-C(R3)2-S-、-R3C＝CR3-、-R3C＝N-、Si(R3)2、-Si(R3)2-Si(R3)2-、C＝O、S＝O、SO2、NR3、PR3、P(＝O)R3中的任一种；R1为氢、氘、氟、氯、溴、碘、CN、Si(R6)3、直链烷基、烷氧基、具有1-40个碳的硫代烷基、具有3-40个碳的支链、具有3-40个碳的环状烷基、具有3-40个碳的烷氧基、具有3-40个碳的硫代烷基、具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基中的任一种；R1能够被一个或多个R4取代，其中，R4为氢、具有1-22个碳的直链烷基、具有1-22个碳的烷氧基链、具有3-22个碳的支链、具有3-22个碳的环状烷基、具有3-22个碳的烷氧基链中的任一种；R4中一个或多个不相邻的碳能够被氧、硫、SO、SO2、CO、O-CO-O、CO-O、-CH＝CH-、-C≡C中的任一种取代；R4中一个或多个氢能够被氟、氯、溴、碘、CN、具有5-40个碳的芳基、具有5-40个碳的杂芳基、具有5-40个碳的芳氧基、具有5-40个碳的杂芳氧基、非芳族中的任一种取代；R1中一个或多个不相邻的CH2能够被Si(R6)2、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、氧、硫、CONR6中的任一种取代；R1中一个或多个氢能够被氘、氟、氯、溴、碘中的任一种取代；两个或多个相邻的R1任选地形成单环、多环的脂族环中的任一种，单环、多环的脂族环中的任一种能够被R4取代；R2为氢、氘、氟、氯、溴、碘、CN、Si(R6)3、直链烷基、烷氧基、具有1-40个碳的硫代烷基、具有3-40个碳的支链、具有3-40个碳的环状烷基、具有3-40个碳的烷氧基、具有3-40个碳的硫代烷基、具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基、具有10-30芳环的苯并基中的任一种；R2能够被一个或多个R4取代，其中，R4为氢、具有1-22个碳的直链烷基、具有1-22个碳的烷氧基链、具有3-22个碳的支链、具有3-22个碳的环状烷基、具有3-22个碳的烷氧基链中的任一种；R4中一个或多个不相邻的碳能够被氧、硫、SO、SO2、CO、O-CO-O、CO-O、-CH＝CH-、-C≡C中的任一种取代；R4中一个或多个氢能够被氟、氯、溴、碘、CN、具有5-40个碳的芳基、具有5-40个碳的杂芳基、具有5-40个碳的芳氧基、具有5-40个碳的杂芳氧基、非芳族中的任一种取代；R1中一个或多个不相邻的CH2能够被Si(R6)2、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、氧、硫、CONR6中的任一种取代；R1中一个或多个氢能够被氘、氟、氯、溴、碘中的任一种取代；R2中一个或多个不相邻的CH2能够被Si(R6)2、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、氧、硫、CONR6中的任一种取代；R2中一个或多个氢能够被氘、氟、氯、溴、碘中的任一种取代；两个或多个相邻的R2任选地形成单环、多环的脂族环中的任一种，单环、多环的脂族环中的任一种能够被R4取代；A1、A2、A3和A4各自独立地为具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基中的任一种；A1和A2各自独立地能够被一个或多个R4取代；p、q、t和s各自独立地为0或者1，且p+q＞0；m和n各自独立地为0、1、2、3、4中的任一种。
进一步可选地，第二化合物中包括至多三个咔唑基团。从而可以节省制作工艺，简单易实现。
可选地，第二化合物包括至少一个苯环、以及硼原子和/或氮原子。从而可以使得第二化合物具有刚性较强、分子平面性较好、原位振动较好等优点，进而有效提高了应用上述发光层的发光器件的发光效率和发光性能。
可选地，第二化合物的化学结构式包括：
中的任一种。
可选地，第二化合物包括苯环、以及在苯环上键合的多个第四给电子基团和多个第三受电子基团。从而可以通过多个吸电子性很强的受电子基团和多个给电子基团使得第二化合物的发射性能较好，进而有效提高了应用上述发光层的发光器件的发光效率和发光性能。
这里对于上述第四给电子基团的类型不做具体限定，示例的，上述第四给电子基团可以包括咔唑、噻吩、呋喃等。
这里对于上述第三受电子基团的类型不做具体限定，示例的，上述第三受电子基团可以包括氰基。
可选地，第二化合物的化学结构式包括：
中的任一种。
本申请的实施例还提供了一种发光器件，包括上述的发光层。
这里对于上述发光器件的制备工艺不做具体限定，示例的，该发光器件可以采用真空蒸镀制备发光器件中的各膜层。
这里对于上述发光器件的类型不做具体限定，示例的，该发光器件可以包括顶发射型发光器件或者底发射型发光器件。
本申请的实施例提供了一种发光器件，该发光器件的发光层至少包括第一热激活延迟荧光材料，该第一热激活延迟荧光材料的反系间窜越速率kRISC较大，从而使得该第一热激活延迟荧光材料的单重态能级与第一热激活延迟荧光材料的三重态能级之间的能级差较小，而单重态和三重态之间的能级差越小越有利于发生反向系间窜跃，则第一热激活延迟荧光材料中75％的三重态激子可以更容易地反向系间窜跃到单重态形成单重态激子，形成的单重态激子受激发后进行荧光发光。即将原本不能参与发光的高比例三重态激子转换成能够参与发光的单重态激子，从而大幅提高了三重态激子的利用率，使得发光层的发光效率得到了有效的提升，进而提高了应用上述发光层的发光器件的发光效率和发光性能，用户体验佳。
另外，由于第一热激活延迟荧光材料具有多种分子间相互作用的刚性分子框架，且分子结构可以扭转，能够有效的减少甚至抑制分子运动和几何振动等，从而可以大幅减少由于浓度猝灭引起的非辐射衰减，进而有效提高了应用上述发光层的发光器件的发光效率和发光性能。
可选地，参考图1所示，发光器件还包括阳极1和阴极3，发光层2位于阳极1和阴极3之间。
这里对于上述阳极的材料不做具体限定，示例的，上述阳极的材料可以包括ITO(IndiumTin Oxides，铟锡氧化物)。
这里对于上述阳极的制作工艺不做具体限定，示例的，可以将带有Ag/ITO的玻璃板在真空度为1×10-5Pa下处理，然后烘干，得到阳极。
可选地，发光器件还包括空穴传输层和电子传输层，空穴传输层位于阳极和发光层之间；电子传输层位于阴极和发光层之间。
这里对于上述空穴传输层的材料不做具体限定，示例的，上述空穴传输层的材料可以包括第一热激活延迟荧光材料。
这里对于上述电子传输层的材料不做具体限定，示例的，上述电子传输层的材料可以包括第一热激活延迟荧光材料。
可选地，参考图2所示，发光器件还包括空穴注入层4、电子阻挡层6、电子注入层7和空穴阻挡层9，空穴注入层4位于阳极1和空穴传输层5之间；电子阻挡层6位于空穴传输层5和发光层2之间；电子注入层7位于阴极3和电子传输层8之间；空穴阻挡层9位于电子传输层8和发光层2之间。
上述电子阻挡层的材料可以是mCP、CCP、Tris-PCz中的任一种。这里mCP的中文名称为甲基环戊烯醇酮；CCP的中文名称为环瓜氨酸肽，其化学结构式为
Tris-PCz的中文名称为9-苯基-3,6-双(9-苯基-9H咔唑-3-基)-9H-咔唑，其化学结构式为
上述空穴阻挡层的材料可以是BCP、Bphen、TPBI中的任一种。这里BCP的中文名称为2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-菲罗啉；Bphen的中文名称为邻二氮菲；TPBI的中文名称为1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯，其化学结构式为
上述电子阻挡层能够阻挡发光层中的电子穿出发光层，保证更多地电子在发光层中与空穴发生复合，从而提高激子数量，进而提高发光效率。上述空穴阻挡层能够阻挡发光层中的空穴穿出发光层，保证更多地空穴在发光层中与电子发生复合，从而提高激子数量，进而提高发光效率。
上述空穴注入层的材料可以是MoO3、F4-TCNQ、HAT-CN这的任意一种。这里MoO3的中文名称为三氧化钼；F4-TCNQ的中文名称为2,3,5,6-四氟-7,7',8,8'-四氰二甲基对苯醌；HAT-CN的中文名称为2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲2,3,6,7,10,11，其化学结构式为
上述电子注入层的材料可以是LiF、Yb、Liq中的任一种。这里LiF的中文名称为氟化锂；Yb的中文名称为镱；Liq的中文名称为8-羟基喹啉-锂，其化学结构式为
下面给出了第一热激活延迟荧光材料F9(分子结构式为
)、第一热激活延迟荧光材料F10(分子结构式为
)、第一热激活延迟荧光材料F12(分子结构式为
)、第一化合物B4(分子结构式为
)、第二化合物C4(分子结构式为
)、第二化合物D11(分子结构式为
)、第二化合物E5(分子结构式为
)和对比例D(分子结构式为
)的分子激发态信息，如下表一所示。
表一
| 材料 | T1(eV) | S1(eV) | λRISC(eV) | <![CDATA[kRISC(s<sup>-1</sup>)]]> |
| F9 | 2.78 | 2.90 | - | <![CDATA[5.0×10<sup>5</sup>]]> |
| F10 | 2.79 | 2.88 | - | <![CDATA[7.5×10<sup>6</sup>]]> |
| F12 | 2.80 | 2.98 | - | <![CDATA[6.7×10<sup>6</sup>]]> |
| B4 | 2.61 | 2.63 | 0.025 | <![CDATA[6.2×10<sup>7</sup>]]> |
| C4 | 2.40 | 2.37 | - | - |
| D11 | 2.37 | 2.36 | - | - |
| E5 | 2.77 | 2.76 | - | - |
| D | 2.59 | 2.69 | 0.28 | <![CDATA[3.0×10<sup>3</sup>]]> |
将上述各个化合物分别应用于发光器件中，得到下述的多个发光器件。
下面提供本申请的具体实施例1。发光器件包括：阳极，其材料为Ag/ITO，厚度为90/10nm；位于阳极上的空穴注入层；位于空穴注入层上的空穴传输层；位于空穴传输层上的发光层，其材料为第一热激活延迟荧光材料(分子结构式为
)，厚度为30nm；位于发光层上的电子传输层；位于电子传输层上的电子注入层，其材料为Liq，厚度为1nm；位于电子注入层上的阴极，其材料为Mg:Al(比例为9:1)，厚度为15nm；位于阴极上的覆盖层，其厚度为60nm。
下面提供本申请的具体实施例2。发光器件包括：阳极，其材料为Ag/ITO，厚度为90/10nm；位于阳极上的空穴注入层；位于空穴注入层上的空穴传输层；位于空穴传输层上的发光层，其材料为第一热激活延迟荧光材料(分子结构式为
)，厚度为30nm；位于发光层上的电子传输层；位于电子传输层上的电子注入层，其材料为Liq，厚度为1nm；位于电子注入层上的阴极，其材料为Mg:Al(比例为9:1)，厚度为15nm；位于阴极上的覆盖层，其厚度为60nm。
下面提供本申请的具体实施例3。发光器件包括：阳极，其材料为Ag/ITO，厚度为90/10nm；位于阳极上的空穴注入层；位于空穴注入层上的空穴传输层；位于空穴传输层上的发光层，其材料为第一热激活延迟荧光材料(分子结构式为
浓度各为50％)，厚度为30nm；位于发光层上的电子传输层；位于电子传输层上的电子注入层，其材料为Liq，厚度为1nm；位于电子注入层上的阴极，其材料为Mg:Al(比例为9:1)，厚度为15nm；位于阴极上的覆盖层，其厚度为60nm。
下面提供本申请的具体实施例4。发光器件包括：阳极，其材料为Ag/ITO，厚度为90/10nm；位于阳极上的空穴注入层；位于空穴注入层上的空穴传输层；位于空穴传输层上的发光层，其主体材料为第一热激活延迟荧光材料(分子结构式为
)，浓度为97％、客体材料为第一化合物(分子结构式为
)，浓度为3％，厚度为30nm；位于发光层上的电子传输层；位于电子传输层上的电子注入层，其材料为Liq，厚度为1nm；位于电子注入层上的阴极，其材料为Mg:Al(比例为9:1)，厚度为15nm；位于阴极上的覆盖层，其厚度为60nm。
下面提供本申请的具体实施例5。发光器件包括：阳极，其材料为Ag/ITO，厚度为90/10nm；位于阳极上的空穴注入层；位于空穴注入层上的空穴传输层；位于空穴传输层上的发光层，其主体材料为第一热激活延迟荧光材料(分子结构式为
)，浓度为99％、客体材料为第二化合物(分子结构式为
)，浓度为1％，厚度为30nm；位于发光层上的电子传输层；位于电子传输层上的电子注入层，其材料为Liq，厚度为1nm；位于电子注入层上的阴极，其材料为Mg:Al(比例为9:1)，厚度为15nm；位于阴极上的覆盖层，其厚度为60nm。
下面提供本申请的具体实施例6。发光器件包括：阳极，其材料为Ag/ITO，厚度为90/10nm；位于阳极上的空穴注入层；位于空穴注入层上的空穴传输层；位于空穴传输层上的发光层，其主体材料为第一热激活延迟荧光材料(分子结构式为
)，浓度为90％、客体材料为第二化合物(分子结构式为
)，浓度为10％，厚度为30nm；位于发光层上的电子传输层；位于电子传输层上的电子注入层，其材料为Liq，厚度为1nm；位于电子注入层上的阴极，其材料为Mg:Al(比例为9:1)，厚度为15nm；位于阴极上的覆盖层，其厚度为60nm。
下面提供本申请的具体实施例7。发光器件包括：阳极，其材料为Ag/ITO，厚度为90/10nm；位于阳极上的空穴注入层；位于空穴注入层上的空穴传输层；位于空穴传输层上的发光层，其主体材料为第一热激活延迟荧光材料(分子结构式为
)，浓度为90％、客体材料为第二化合物(分子结构式为
)，浓度为10％，厚度为30nm；位于发光层上的电子传输层；位于电子传输层上的电子注入层，其材料为Liq，厚度为1nm；位于电子注入层上的阴极，其材料为Mg:Al(比例为9:1)，厚度为15nm；位于阴极上的覆盖层，其厚度为60nm。
下面提供本申请的对比例1。发光器件包括：阳极，其材料为Ag/ITO，厚度为90/10nm；位于阳极上的空穴注入层；位于空穴注入层上的空穴传输层；位于空穴传输层上的发光层，其材料的分子结构式为
厚度为30nm；位于发光层上的电子传输层；位于电子传输层上的电子注入层，其材料为Liq，厚度为1nm；位于电子注入层上的阴极，其材料为Mg:Al(比例为9:1)，厚度为15nm；位于阴极上的覆盖层，其厚度为60nm。
下面提供本申请的对比例2。发光器件包括：阳极，其材料为Ag/ITO，厚度为90/10nm；位于阳极上的空穴注入层；位于空穴注入层上的空穴传输层；位于空穴传输层上的发光层，其主体材料为第一热激活延迟荧光材料(分子结构式为
)，浓度为97％、客体材料的分子结构式为
浓度为3％，厚度为30nm；位于发光层上的电子传输层；位于电子传输层上的电子注入层，其材料为Liq，厚度为1nm；位于电子注入层上的阴极，其材料为Mg:Al(比例为9:1)，厚度为15nm；位于阴极上的覆盖层，其厚度为60nm。
对上述各发光器件进行测试，得到发光器件的性能如下表二所示。
表二
| 发光器件 | <![CDATA[电流密度(mA/cm<sup>2</sup>)]]> | 电压(V) | 效率(cd/A) |
| 实施例1 | 10 | 8.7 | 31 |
| 实施例2 | 10 | 4.6 | 62 |
| 实施例3 | 10 | 4.1 | 81 |
| 实施例4 | 10 | 3.9 | 110 |
| 实施例5 | 10 | 3.9 | 56 |
| 实施例6 | 10 | 3.9 | 42 |
| 对比例1 | 10 | 6.3 | 11.2 |
| 对比例2 | 10 | 4.2 | 19 |
从上表二可以看出，将实施例1与对比例1相比，本申请的材料F10比材料D更适合做非掺杂发光材料。
将实施例3-实施例5与对比例2相比，本申请的材料比材料D更适合做发光层的发光材料。
本申请的材料F10适合做单一的主体材料，或与其它客体材料掺杂作为主体材料。
上述发光器件可以应用于显示装置中，这里对于显示装置的具体结构不做限定。
示例的，显示装置可以包括显示基板和发光器件。显示基板包括阵列排布的多个像素单元，发光器件包括阵列排布的红色发光器件、绿色发光器件和蓝色发光器件。每个像素单元包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素，红色子像素与红色发光器件电连接，绿色子像素与绿色发光器件电连接，蓝色子像素与蓝色发光器件电连接。
参考图3所示，红色子像素与红色发光器件100电连接，绿色子像素与绿色发光器件200电连接，蓝色子像素与蓝色发光器件300电连接。参考图3所示，以位于最左端的红色子像素为例说明具体结构，红色子像素包括：位于衬底10上的依次层叠设置的缓冲层11、有源层210、栅绝缘层12、栅极金属层(包括栅极110和第一电极212)、绝缘层13、电极层(包括第二电极213)、层间介质层14、源漏金属层(包括源极111和漏极112)、平坦层15、像素界定层302。其中，第一电极212和第二电极213用于形成存储电容。像素界定层302包括开口，开口内设置有红色发光器件100，红色发光器件100的阳极1与薄膜晶体管的漏极112电连接。显示基板还包括位于像素界定层302之上的隔垫物34。需要说明的是，该显示基板中，可以是部分像素界定层上设置有隔垫物，也可以是全部像素界定层上设置有隔垫物，这里不做限定。
红色发光器件100包括阳极1、以及位于阳极1上的依次层叠设置的空穴注入层4、空穴传输层5、电子阻挡层6、红色发光层113、空穴阻挡层9、电子传输层8、电子注入层7、阴极3。
需要说明的是，图3所示的绿色发光器件200和蓝色发光器件300的发光层与红色发光器件100的发光层的材料不同，绿色发光器件的发光层用于发出绿光，蓝色发光器件的发光层用于发出蓝光，红色发光器件的发光层用于发出红光。另外，绿色发光器件和蓝色发光器件的电子阻挡层与红色发光器件的电子阻挡层的材料也不同。除发光层和电子阻挡层以外，绿色发光器件、蓝色发光器件包括的其它膜层均与红色发光器件相同，这里不再赘述。
参考图3所示，该显示装置还可以包括覆盖发光器件的第一无机层421、有机层43、第二无机层422，第一无机层421、有机层43和第二无机层422可以起到封装作用，保护发光器件，延长使用寿命。
本申请的实施例又提供了一种显示装置，包括上述的发光器件。
上述显示装置可以是柔性显示装置(又称柔性屏)，也可以是刚性显示装置(即不能折弯的显示屏)，这里不做限定。上述显示装置可以是OLED显示装置，还可以是LCD(Liquid Crystal Display，液晶显示装置)显示装置。上述显示装置可以是电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件；上述显示装置还可以应用于身份识别、医疗器械等领域，已推广或具有很好推广前景的产品包括安防身份认证、智能门锁、医疗影像采集等。该显示装置具有发光效率高、显示效果好、寿命长、稳定性高、对比度高、成像质量好、产品品质高等优点。
在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本申请的实施例可以在没有这些具体细节的情况下被实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (23)
1.一种发光层，其中，至少包括：
第一热激活延迟荧光材料，所述第一热激活延迟荧光材料的反系间窜越速率kRISC1满足：kRISC1＞1.0×104s-1；所述第一热激活延迟荧光材料处于纯膜状态的情况下的光致发光量子产率PLQY满足：PLQY≥50％；所述第一热激活延迟荧光材料的水平偶极子比θ//满足：θ//＞67％。
2.根据权利要求1所述的发光层，其中，所述第一热激活延迟荧光材料的单重态能级与所述第一热激活延迟荧光材料的三重态能级之间的能级差△EST1满足：△EST1≤0.15eV。
3.根据权利要求2所述的发光层，其中，所述第一热激活延迟荧光材料的结构通式为：
其中，R1-R3各自独立地为氢、氘、氟、氯、溴、碘、CN、Si(R6)3、直链烷基、烷氧基、具有1-40个碳的硫代烷基、具有3-40个碳的支链、具有3-40个碳的环状烷基、具有3-40个碳的烷氧基、具有3-40个碳的硫代烷基、具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基中的任一种；R1-R3各自独立地能够被一个或多个R4取代，其中，R4为氢、具有1-22个碳的直链烷基、具有1-22个碳的烷氧基链、具有3-22个碳的支链、具有3-22个碳的环状烷基、具有3-22个碳的烷氧基链中的任一种；R4中一个或多个不相邻的碳能够被氧、硫、SO、SO2、CO、O-CO-O、CO-O、-CH＝CH-、-C≡C中的任一种取代；R4中一个或多个氢能够被氟、氯、溴、碘、CN、具有5-40个碳的芳基、具有5-40个碳的杂芳基、具有5-40个碳的芳氧基、具有5-40个碳的杂芳氧基、非芳族中的任一种取代；R1-R3各自独立地一个或多个不相邻的CH2能够被Si(R6)2、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、氧、硫、CONR6中的任一种取代；R1-R3各自独立地一个或多个氢能够被氘、氟、氯、溴、碘中的任一种取代；
两个或多个相邻的R1-R3任选地形成单环、多环的脂族环中的任一种，单环、多环的脂族环中的任一种能够被R4取代；
R2和R3中的至少一个不为氢；
R1至少被一个氰基取代；R1包含t个氮原子，t为1、2、3中的任一种；
A1和A2各自独立地为具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基中的任一种；A1和A2各自独立地能够被一个或多个R4取代；
m和n各自独立地为0、1、2、3、4中的任一种；
p和q各自独立地为0或者1，且p+q≠0。
4.根据权利要求3所述的发光层，其中，所述第一热激活延迟荧光材料包括二苯啶或者含氮二苯啶。
5.根据权利要求4所述的发光层，其中，在所述第一热激活延迟荧光材料包括含氮二苯啶的情况下，所述第一热激活延迟荧光材料的结构通式为：
6.根据权利要求3-5任一项所述的发光层，其中，所述R3选自
7.根据权利要求6所述的发光层，其中，所述第一热激活延迟荧光材料的化学结构式包括：
8.根据权利要求1所述的发光层，其中，所述发光层还包括第一化合物，所述第一化合物掺杂在所述第一热激活延迟荧光材料中；
所述第一化合物的重组能λRISC和所述第一化合物的单重态能级与所述第一化合物的三重态能级之间的能级差△EST2之间的差值的绝对值满足：|λRISC-△EST2|≤0.1eV。
9.根据权利要求8所述的发光层，其中，所述第一化合物为第二热激活延迟荧光材料；
所述第一化合物的反系间窜越速率kRISC2满足：kRISC2＞1.0×104s-1。
10.根据权利要求8所述的发光层，其中，所述第一化合物的结构通式为：
其中，X、Y、Z各自独立地为碳、氮、BR3、C(R3)2、-C(R3)2-C(R3)2-、-C(R3)2-O-、-C(R3)2-S-、-R3C＝CR3-、-R3C＝N-、Si(R3)2、-Si(R3)2-Si(R3)2-、C＝O、氧、硫、S＝O、SO2、NR3、PR3、P(＝O)R3中的任一种；
R1为氢、氘、氟、氯、溴、碘、CN、Si(R6)3、直链烷基、烷氧基、具有1-40个碳的硫代烷基、具有3-40个碳的支链、具有3-40个碳的环状烷基、具有3-40个碳的烷氧基、具有3-40个碳的硫代烷基、具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基中的任一种；R1能够被一个或多个R4取代，其中，R4为氢、具有1-22个碳的直链烷基、具有1-22个碳的烷氧基链、具有3-22个碳的支链、具有3-22个碳的环状烷基、具有3-22个碳的烷氧基链中的任一种；R4中一个或多个不相邻的碳能够被氧、硫、SO、SO2、CO、O-CO-O、CO-O、-CH＝CH-、-C≡C中的任一种取代；R4中一个或多个氢能够被氟、氯、溴、碘、CN、具有5-40个碳的芳基、具有5-40个碳的杂芳基、具有5-40个碳的芳氧基、具有5-40个碳的杂芳氧基、非芳族中的任一种取代；R1中一个或多个不相邻的CH2能够被Si(R6)2、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、氧、硫、CONR6中的任一种取代；R1中一个或多个氢能够被氘、氟、氯、溴、碘中的任一种取代；
两个或多个相邻的R1任选地形成单环、多环的脂族环中的任一种，单环、多环的脂族环中的任一种能够被R4取代；
A1和A2各自独立地为具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基中的任一种；A1和A2各自独立地能够被一个或多个R4取代；
p、q和t各自独立地为0或者1，且p+q≠0；
m和n各自独立地为0、1、2、3、4中的任一种。
11.根据权利要求10所述的发光层，其中，所述第一化合物包括第一给电子基团、第一受电子基团和第一连接基团，所述第一给电子基团通过所述第一连接基团与所述第一受电子基团键合；所述第一连接基团包括苯环或吡啶。
12.根据权利要求11所述的发光层，其中，所述第一化合物的化学结构式包括：
13.根据权利要求10所述的发光层，其中，所述第一化合物包括第二给电子基团、第三给电子基团和第二受电子基团，所述第二给电子基团通过所述第二受电子基团与所述第三给电子基团键合。
14.根据权利要求13所述的发光层，其中，所述第一化合物的化学结构式包括：
15.根据权利要求1所述的发光层，其中，所述发光层还包括第二化合物，所述第二化合物掺杂在所述第一热激活延迟荧光材料中；
所述第一热激活延迟荧光材料的三重态能级T1满足：T1≥2.7eV。
16.根据权利要求15所述的发光层，其中，所述第二化合物为第三热激活延迟荧光材料。
17.根据权利要求15所述的发光层，其中，所述第二化合物的结构通式为：
其中，X、Y、Z、W各自独立地为碳、氮、硼、氧、硫、硒、碲、BR3、C(R3)2、-C(R3)2-C(R3)2-、-C(R3)2-O-、-C(R3)2-S-、-R3C＝CR3-、-R3C＝N-、Si(R3)2、-Si(R3)2-Si(R3)2-、C＝O、S＝O、SO2、NR3、PR3、P(＝O)R3中的任一种；
R1为氢、氘、氟、氯、溴、碘、CN、Si(R6)3、直链烷基、烷氧基、具有1-40个碳的硫代烷基、具有3-40个碳的支链、具有3-40个碳的环状烷基、具有3-40个碳的烷氧基、具有3-40个碳的硫代烷基、具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基中的任一种；R1能够被一个或多个R4取代，其中，R4为氢、具有1-22个碳的直链烷基、具有1-22个碳的烷氧基链、具有3-22个碳的支链、具有3-22个碳的环状烷基、具有3-22个碳的烷氧基链中的任一种；R4中一个或多个不相邻的碳能够被氧、硫、SO、SO2、CO、O-CO-O、CO-O、-CH＝CH-、-C≡C中的任一种取代；R4中一个或多个氢能够被氟、氯、溴、碘、CN、具有5-40个碳的芳基、具有5-40个碳的杂芳基、具有5-40个碳的芳氧基、具有5-40个碳的杂芳氧基、非芳族中的任一种取代；R1中一个或多个不相邻的CH2能够被Si(R6)2、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、氧、硫、CONR6中的任一种取代；R1中一个或多个氢能够被氘、氟、氯、溴、碘中的任一种取代；
两个或多个相邻的R1任选地形成单环、多环的脂族环中的任一种，单环、多环的脂族环中的任一种能够被R4取代；
R2为氢、氘、氟、氯、溴、碘、CN、Si(R6)3、直链烷基、烷氧基、具有1-40个碳的硫代烷基、具有3-40个碳的支链、具有3-40个碳的环状烷基、具有3-40个碳的烷氧基、具有3-40个碳的硫代烷基、具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基、具有10-30芳环的苯并基中的任一种；R2能够被一个或多个R4取代，其中，R4为氢、具有1-22个碳的直链烷基、具有1-22个碳的烷氧基链、具有3-22个碳的支链、具有3-22个碳的环状烷基、具有3-22个碳的烷氧基链中的任一种；R4中一个或多个不相邻的碳能够被氧、硫、SO、SO2、CO、O-CO-O、CO-O、-CH＝CH-、-C≡C中的任一种取代；R4中一个或多个氢能够被氟、氯、溴、碘、CN、具有5-40个碳的芳基、具有5-40个碳的杂芳基、具有5-40个碳的芳氧基、具有5-40个碳的杂芳氧基、非芳族中的任一种取代；R1中一个或多个不相邻的CH2能够被Si(R6)2、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、氧、硫、CONR6中的任一种取代；R1中一个或多个氢能够被氘、氟、氯、溴、碘中的任一种取代；
R2中一个或多个不相邻的CH2能够被Si(R6)2、C＝NR6、P(＝O)(R6)、SO、SO2、NR6、氧、硫、CONR6中的任一种取代；R2中一个或多个氢能够被氘、氟、氯、溴、碘中的任一种取代；
两个或多个相邻的R2任选地形成单环、多环的脂族环中的任一种，单环、多环的脂族环中的任一种能够被R4取代；
A1、A2、A3和A4各自独立地为具有6-60个碳的芳族环、具有6-60个碳的杂芳族环、具有5-60个芳环的芳氧基、具有5-60个芳环的杂芳氧基、具有5-60个芳环的芳烷基、具有5-60个芳环的杂芳烷基中的任一种；A1和A2各自独立地能够被一个或多个R4取代；
p、q、t和s各自独立地为0或者1，且p+q＞0；
m和n各自独立地为0、1、2、3、4中的任一种。
18.根据权利要求17所述的发光层，其中，所述第二化合物包括至少一个苯环、以及硼原子和/或氮原子。
19.根据权利要求18所述的发光层，其中，所述第二化合物的化学结构式包括：
20.根据权利要求17所述的发光层，其中，所述第二化合物包括苯环、以及在所述苯环上键合的多个第四给电子基团和多个第三受电子基团。
21.根据权利要求20所述的发光层，其中，所述第二化合物的化学结构式包括：
22.一种发光器件，其中，包括至少一层如权利要求1-21任一项所述的发光层。
23.一种显示装置，其中，包括如权利要求22所述的发光器件。
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