CN116110863A - 一种低压大电流沟槽型mos器件 - Google Patents

一种低压大电流沟槽型mos器件 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种低压大电流沟槽型MOS器件,涉及MOS器件技术领域,包括器件本体,器件本体安装在底座上,器件本体上表面设置第一散热板,第一散热板左右两侧对称设置防护板,第一散热板上左右对称设置第二散热板,第二散热板下端贯穿第一散热板,器件本体上端设置与第二散热板相对应的散热孔,散热孔下端与器件本体内部连通,第二散热板内设置盲孔,盲孔下端与散热孔上端连通,第二散热板外壁设置若干气孔。本发明中,通过第一散热板与器件本体上表面贴合,增大了第一散热板与器件本体的接触面积,增大了散热面积,器件本体内部的热气体通过散热孔进入盲孔并从气孔排出,增强了器件本体的散热效果。

Description

一种低压大电流沟槽型MOS器件
技术领域
本发明涉及MOS器件技术领域,特别涉及一种低压大电流沟槽型MOS器件。
背景技术
MOS管又称场效应管,即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor,即金属-氧化物-半导体,表示为:在一定结构的半导体器件上,加上二氧化硅和金属,形成栅极。MOS管是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体三端器件,很多特性和应用方向都与三极管类似。这种器件不仅体积小、质量轻、耗电省、寿命长、而且还具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强等优点,应用广泛,特别是在大规模的集成电路中。
授权公告号为“CN218351447U”的申请公开了了一种低压大电流沟槽型功率MOSFET器件,包括器件本体,所述器件本体的底部固定有安装底座,所述器件本体的左右两侧均固定有若干器件引脚本体,且器件引脚本体呈L型设置,所述器件本体顶部的左右两侧均设置有防护板,且防护板底部的一侧与器件本体铰接,所述防护板的顶部开设有容纳槽;本实用新型通过防护板、容纳槽、固定块和固定槽的设置,使得该器件能够在安装完成后,对其两侧暴露在外界的引脚进行遮挡防护,避免引脚受到冲击出现弯折或者断裂情况,延长了该器件的使用寿命。
由于MOS器件工作时会因大电流产生较高的温度,MOS器件内部温度过高会影响MOS器件的性能及使用寿命,上述器件本体仅通过散热板对器件本体散热,散热板与器件本体接触面积小,使得散热效率较低,影响器件本体的散热。
发明内容
本发明提供一种低压大电流沟槽型MOS器件,用以解决目前器件本体仅通过散热板对器件本体散热,散热板与器件本体接触面积小,散热效率较低,影响器件本体的散热的技术问题。
为解决上述技术问题,本发明公开了一种低压大电流沟槽型MOS器件,包括:器件本体,器件本体安装在底座上,器件本体左右两侧设置若干引脚,器件本体上表面设置第一散热板,第一散热板左右两侧对称设置防护板,第一散热板上左右对称设置第二散热板,第二散热板下端贯穿第一散热板并与器件本体上表面抵接,器件本体上端设置与第二散热板相对应的散热孔,散热孔下端与器件本体内部连通,第二散热板内设置盲孔,盲孔下端与散热孔上端连通,第二散热板外壁设置若干气孔,气孔一端与第二散热板外部连通,气孔另一端与盲孔内部连通。
优选的,气孔呈倾斜设置,气孔靠近盲孔一端高度大于气孔远离盲孔一端高度。
优选的,防护板内竖直设置第一滑动孔,第一滑动孔上下两端分别贯穿防护板上下表面,第一滑动孔下方设置安装孔,安装孔设置在底座内,第一滑动孔内滑动设置第一滑动杆,第一滑动杆上端延伸至第一滑动孔上方,第一滑动杆下端延伸至安装孔内并通过连接组件与安装孔连接。
优选的,连接组件包括弹性卡块与卡槽,卡槽设置在安装孔内壁,卡槽设置有若干个,弹性卡块固定设置在第一滑动杆靠近下端外壁,弹性卡块与卡槽相适配,弹性卡块采用弹性硅胶材质制成。
优选的,第一滑动杆靠近上端位置水平设置第二滑动孔,第二滑动孔左右两端分别贯穿第一滑动杆左右两侧壁,第二滑动孔呈直角梯形状,第二滑动孔下端设置第一斜面,第二滑动孔靠近第一散热板一端截面积大于第二滑动孔远离第一散热板一端截面积,防护板上表面滑动设置第二滑动杆,第二滑动杆与第二滑动孔内壁滑动连接,第二滑动杆远离第二散热板一端设置第二斜面,第二斜面与第一斜面相适配,第二滑动杆靠近第二散热板一端贯穿第二散热板,第二滑动杆通过第三滑动孔与第二散热板滑动连接,第二滑动杆内设置第一流通孔,第一流通孔与盲孔内部连通。
优选的,第二滑动杆远离第一滑动杆一端设置挡板,挡板与第一散热板上表面滑动连接,挡板与第二散热板之间设置第一弹簧,第一弹簧一端与第二散热板外壁固定连接,第一弹簧另一端与挡板侧壁固定连接。
优选的,盲孔内设置连通组件,连通组件位于第二滑动杆上,连通组件包括底板,底板内设置若干第二流通孔,第二流通孔上下两端分别贯穿底板上下表面,第二流通孔与盲孔连通,底板上端设置套管,套管外壁与盲孔内壁滑动连接,套管内设置环形块,环形块外侧壁与套管内壁固定连接,环形块上端设置封堵板,环形块内设置环形槽,环形槽内设置固定块,固定块中心设置连通孔,连通孔内滑动设置连接绳,连接绳一端延伸至环形槽上方并与封堵板外壁连接,连接绳另一端设置密封块,密封块位于固定块下方,密封块与环形槽内壁滑动连接,密封块与固定块之间设置第二弹簧,第二弹簧一端与固定块下表面连接,第二弹簧另一端与密封块上表面连接。
优选的,封堵板截面呈圆弧状。
优选的,盲孔内壁设置限位槽,限位槽位于第三滑动孔上方,限位槽与第三滑动孔连通,底板外周与限位槽相适配。
优选的,盲孔内壁设置若干安装槽,安装槽位于固定块与密封块之间,安装槽内设置转轴,转轴上设置防滑板,防滑板一端延伸至环形槽内,防滑板下方设置弹性块,弹性块与安装槽底壁固定连接。
本发明的技术方案具有以下优点:本发明提供了一种低压大电流沟槽型MOS器件,涉及MOS器件技术领域,包括器件本体,器件本体安装在底座上,器件本体上表面设置第一散热板,第一散热板左右两侧对称设置防护板,第一散热板上左右对称设置第二散热板,第二散热板下端贯穿第一散热板,器件本体上端设置与第二散热板相对应的散热孔,散热孔下端与器件本体内部连通,第二散热板内设置盲孔,盲孔下端与散热孔上端连通,第二散热板外壁设置若干气孔。本发明中,通过第一散热板与器件本体上表面贴合,增大了第一散热板与器件本体的接触面积,增大了散热面积,器件本体内部的热气体通过散热孔进入盲孔并从气孔排出,增强了器件本体的散热效果,器件本体产生的热量通过第一散热板、第二散热板及气孔快速发散至器件本体外部,提高了器件本体的散热效率,保证了器件本体的使用性能,使得器件本体保持在稳定的工作温度,延长了器件本体的使用寿命。
本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述,并且,部分地从说明书中变得显而易见,或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他优点可通过在所写的说明书以及说明书附图中所特别指出的装置来实现和获得。
下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本发明的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1为本发明一种低压大电流沟槽型MOS器件整体结构示意图;
图2为本发明图1中A处结构放大图;
图3为本发明图1中B处结构放大图;
图4为本发明图1中C处结构放大图;
图5为本发明中第一滑动杆与安装孔未连接示意图;
图6为本发明中器件本体处于非工作状态时连通组件示意图;
图7为本发明图6中D处结构放大图;
图8为本发明图6中E处结构放大图;
图9为本发明中器件本体处于工作状态时连通组件示意图;
图10为本发明图9中F处结构放大图。
图中:1、器件本体;2、底座;3、引脚;4、第一散热板;5、防护板;6、第二散热板;7、散热孔;8、盲孔;9、气孔;10、第一滑动孔;11、安装孔;12、第一滑动杆;13、弹性卡块;14、卡槽;15、第二滑动孔;16、第二滑动杆;17、第一流通孔;18、挡板;19、第一弹簧;20、连通组件;21、底板;22、第二流通孔;23、套管;24、环形块;25、环形槽;26、固定块;27、连接绳;28、封堵板;29、密封块;30、第二弹簧;31、限位槽;32、安装槽;33、转轴;34、防滑板;35、弹性块。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本发明,并不用于限定本发明。
另外,在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,并非特别指称次序或顺位的意思,亦非用以限定本发明,其仅仅是为了区别以相同技术用语描述的组件或操作而已,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外,各个实施例之间的技术方案以及技术特征可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本发明要求的保护范围之内。
实施例1:
本发明实施例提供了一种低压大电流沟槽型MOS器件,如图1-5所示,包括:器件本体1,器件本体1安装在底座2上,器件本体1左右两侧设置若干引脚3,器件本体1上表面设置第一散热板4,第一散热板4左右两侧对称设置防护板5,第一散热板4上左右对称设置第二散热板6,第二散热板6下端贯穿第一散热板4并与器件本体1上表面抵接,器件本体1上端设置与第二散热板6相对应的散热孔7,散热孔7下端与器件本体1内部连通,第二散热板6内设置盲孔8,盲孔8下端与散热孔7上端连通,第二散热板6外壁设置若干气孔9,气孔9一端与第二散热板6外部连通,气孔9另一端与盲孔8内部连通。
上述技术方案的工作原理及有益效果为:将器件本体1安装在底座2中心位置,然后在器件本体1上表面放置第一散热板4,通过第一散热板4与器件本体1上表面贴合,增大了第一散热板4与器件本体1的接触面积,增大了散热面积,有助于第一散热板4的快速导热、散热,第一散热板4左右两侧设置防护板5,防护板5位于引脚3上方,能够保护引脚3,避免引脚3发生弯折或断裂的问题,延长了器件本体1的使用寿命,第一散热板4上设置第二散热板6,第二散热板6贯穿第一散热板4并与器件本体1上表面抵接,第二散热板6外周设置若干气孔9,第二散热孔7内设置的盲孔8与器件本体1上端设置的散热孔7连通,器件本体1内部的热气体通过散热孔7进入盲孔8并从气孔9排出,有助于器件本体1内部热量的外散,增强了器件本体1的散热效果,器件本体1产生的热量通过第一散热板4、第二散热板6及气孔9快速发散至器件本体1外部,提高了器件本体1的散热效率,保证了器件本体1的使用性能,使得器件本体1保持在稳定的工作温度,进一步延长了器件本体1的使用寿命。
实施例2
在上述实施例1的基础上,如图2所示,气孔9呈倾斜设置,气孔9靠近盲孔8一端高度大于气孔9远离盲孔8一端高度。
上述技术方案的工作原理及有益效果为:气孔9呈外低内高设置,外部附着在气孔9处时会顺着气孔9滑落至第二散热板6外部,防止外部灰尘通过盲孔8、散热孔7进去器件本体1内,保证了器件本体1内部的工作环境,热气体通过气孔9排出时,热气体能与气孔9内壁摩擦,对气孔9内壁进行清理,使得气孔9内壁附着的灰尘排出至第二散热板6外部。
实施例3
在实施例1或2的基础上,如图1、图4所示,防护板5内竖直设置第一滑动孔10,第一滑动孔10上下两端分别贯穿防护板5上下表面,第一滑动孔10下方设置安装孔11,安装孔11设置在底座2内,第一滑动孔10内滑动设置第一滑动杆12,第一滑动杆12上端延伸至第一滑动孔10上方,第一滑动杆12下端延伸至安装孔11内并通过连接组件与安装孔11连接。
上述技术方案的工作原理及有益效果为:安装第一散热板4及防护板5时,将第一滑动杆12对准安装孔11,然后使第一滑动杆12在第一滑动孔10内向下滑动,第一滑动杆12滑动至安装孔11内并通过连接组件与安装孔11连接,此时,防护板5及第一散热板4无法在水平方向运动,使得盲孔8下端对准散热孔7,提高了盲孔8与散热孔7连通的准确性,通过第一滑动杆12与安装孔11、第一滑动孔10的连接,避免了第一散热板4及防护板5的位置偏移,提高了防护板5对引脚3的防护,保证了第一散热板4与器件本体1上表面充分接触。
实施例4
在实施例3的基础上,如图1、图4所示,连接组件包括弹性卡块13与卡槽14,卡槽14设置在安装孔11内壁,卡槽14设置有若干个,弹性卡块13固定设置在第一滑动杆12靠近下端外壁,弹性卡块13与卡槽14相适配,弹性卡块13采用弹性硅胶材质制成。
上述技术方案的工作原理及有益效果为:第一滑动杆12下端伸入安装孔11时,弹性卡块13受到安装孔11内壁挤压变形,随着第一滑动杆12的向下运动,弹性卡块13进入卡槽14内并恢复原状,此时,第一滑动杆12无法上下运动,使得防护板5及第一散热板4准确安装在器件本体1上。
实施例5
在实施例4的基础上,如图1-图5所示,第一滑动杆12靠近上端位置水平设置第二滑动孔15,第二滑动孔15左右两端分别贯穿第一滑动杆12左右两侧壁,第二滑动孔15呈直角梯形状,第二滑动孔15下端设置第一斜面,第二滑动孔15靠近第一散热板4一端截面积大于第二滑动孔15远离第一散热板4一端截面积,防护板5上表面滑动设置第二滑动杆16,第二滑动杆16与第二滑动孔15内壁滑动连接,第二滑动杆16远离第二散热板6一端设置第二斜面,第二斜面与第一斜面相适配,第二滑动杆16靠近第二散热板6一端贯穿第二散热板6,第二滑动杆16通过第三滑动孔与第二散热板6滑动连接,第二滑动杆16内设置第一流通孔17,第一流通孔17与盲孔8内部连通。
上述技术方案的工作原理及有益效果为:第二滑动杆16处于初始位置时,第二滑动杆16一端与第一滑动杆12侧壁抵接,此时第一流通孔17未与盲孔8连通,盲孔8靠近下端位置处于封闭状态,外部灰尘无法大量进入盲孔8内,保证了盲孔8内部的清洁度,安装第一散热板4时,先将第一散热板4放置在器件本体1上表面,然后第一滑动杆12下端对准安装孔11,向下按压第一滑动杆12,使得第二滑动杆16能进入第二滑动孔15内,推动第二滑动杆16,第二滑动杆16的第二斜面与第一滑动孔10的第一斜面配合,第二斜面沿第一斜面滑动,使得第一滑动杆12向下滑动,直至第一滑动杆12下端与安装孔11连接,此时第二滑动杆16卡在第二滑动孔15处,盲孔8与第一流通孔17连通,散热孔7处排出的热气体通过第一流通孔17流向盲孔8上端,并从气孔9排出,第二滑动杆16能够实现盲孔8的导通,并通过调节第二滑动杆16的位置来调节盲孔8与第一流通孔17的连通面积,改变热气体排出速度,实现散热效率的调节,第二滑动杆16通过第二滑动孔15将第一滑动杆12卡住,能够避免防护板5在竖直方向上随意运动,使得第一散热板4与器件本体1上表面紧密贴合,保证了散热效率,同时第一散热板4能够将器件本体1压在底座2上,提高了器件本体1的稳定性。
实施例6
在实施例5的基础上,如图1、图5所示,第二滑动杆16远离第一滑动杆12一端设置挡板18,挡板18与第一散热板4上表面滑动连接,挡板18与第二散热板6之间设置第一弹簧19,第一弹簧19一端与第二散热板6外壁固定连接,第一弹簧19另一端与挡板18侧壁固定连接。
上述技术方案的工作原理及有益效果为:初始状态时,第一弹簧19处于拉伸状态,第二滑动杆16与第二滑动孔15分离,第二滑动杆16一端与第一滑动杆12侧壁抵接,安装第一散热板4时,先将第一散热板4放置在器件本体1上表面,第一滑动杆12对准安装孔11,然后向下按压第一滑动孔10杆,使得第二滑动杆16进入第二滑动孔15内,然后在第一弹簧19的作用下,挡板18向靠近第二散热板6方向滑动并带动第二滑动杆16在第二滑动孔15内滑动,直至第二滑动杆16上表面与第二滑动孔15上端内壁抵接,此时第一滑动杆12下端顺利安装至安装孔11内,拆除第一散热板4时,先拉动挡板18,使得两个挡板18向相互靠近方向运动,待第二滑动杆16与第二滑动孔15分离后,向上拉动第一滑动杆12,使得弹性卡块13与卡槽14分离,第一滑动杆12向远离安装孔11方向运动,此时便可以拆除第一散热板4,提高了便捷性,第二滑动杆16与第一滑动杆12侧壁抵接时,第一滑动杆12无法上下滑动,避免第一滑动杆12从第一滑动孔10处滑落而丢失。
实施例7
在实施例1-6中任一项的基础上,如图3、图6-图10所示,盲孔8内设置连通组件20,连通组件20位于第二滑动杆16上,连通组件20包括底板21,底板21内设置若干第二流通孔22,第二流通孔22上下两端分别贯穿底板21上下表面,第二流通孔22与盲孔8连通,底板21上端设置套管23,套管23外壁与盲孔8内壁滑动连接,套管23内设置环形块24,环形块24外侧壁与套管23内壁固定连接,环形块24上端设置封堵板28,环形块24内设置环形槽25,环形槽25内设置固定块26,固定块26中心设置连通孔,连通孔内滑动设置连接绳27,连接绳27一端延伸至环形槽25上方并与封堵板28外壁连接,连接绳27另一端设置密封块29,密封块29位于固定块26下方,密封块29与环形槽25内壁滑动连接,密封块29与固定块26之间设置第二弹簧30,第二弹簧30一端与固定块26下表面连接,第二弹簧30另一端与密封块29上表面连接。
上述技术方案的工作原理及有益效果为:盲孔8内设置连通组件20,连通组件20用于实现散热孔7与盲孔8的连通,第一散热板4安装完毕后,第一流通孔17与第二流通孔22连通,当器件本体1处于非工作状态时,器件本体1内部未产生热气体,在第二弹簧30的作用下,封堵板28下表面与环形块24上表面抵接,此时器件本体1外部的气体无法通过盲孔8、散热孔7进入器件本体1内部,连通组件20对器件本体1内部具有防护作用,减少了器件本体1内部的灰尘,当器件本体1处于工作状态时,器件本体1内部温度升高,器件本体1内部的热气体通过散热孔7进入盲孔8,然后依次经过第一流通孔17、第二流通孔22进入环形块24内部,在热气体的压力下封堵板28向上运动,封堵板28通过连接绳27带动密封块29在环形槽25内向上滑动,使得第二弹簧30压缩,封堵板28与环形块24上端分离,热气体便从进入连通组件20上方的盲孔8内,并从气孔9排出至第二散热板6外部,加速散热,工作完毕后,在第二弹簧30的弹力作用下,密封块29恢复原位,使得封堵板28重新封堵在环形块24上,在器件本体1处于非工作状态时,第二弹簧30处于自然状态,减少第二弹簧30的使用,延长了连通组件20的使用寿命,并且,器件本体1处于工作状态时,第二弹簧30处于压缩状态,相比拉伸第二弹簧30,能够保护第二弹簧30的弹性,避免第二弹簧30失效,进一步延长了第二弹簧30的使用寿命。
实施例8
在实施例7的基础上,如图6所示,封堵板28截面呈圆弧状。
上述技术方案的工作原理及有益效果为:封堵板28截面为圆弧状,能够为通过第二流通孔22的热气体提供导流,便于器件本体1内部的热气体快速排出,提高了散热效率。
实施例9
在实施例7或8的基础上,如图7所示,盲孔8内壁设置限位槽31,限位槽31位于第三滑动孔上方,限位槽31与第三滑动孔连通,底板21外周与限位槽31相适配。
上述技术方案的工作原理及有益效果为:盲孔8内设置限位槽31,底板21外壁与限位槽31内壁滑动连接,将第二滑动杆16从第三滑动孔处抽出后,底板21能沿限位槽31向下滑动,并带动套管23沿盲孔8内壁向下滑动,使得连通组件20整体落入第三滑动孔处,便于对连通组件20快速拆装,热气体通过第二流通孔22时会推动底板21,在限位槽31的限位作用下,能够防止连通组件20沿盲孔8内壁向下滑动,提高了连通组件20的稳定性。
实施例10
在实施例9的基础上,如图8、图10所示,盲孔8内壁设置若干安装槽32,安装槽32位于固定块26与密封块29之间,安装槽32内设置转轴33,转轴33上设置防滑板34,防滑板34一端延伸至环形槽25内,防滑板34下方设置弹性块35,弹性块35与安装槽32底壁固定连接。
上述技术方案的工作原理及有益效果为:在盲孔8内壁设置安装槽32,安装槽32内设置转轴33,转轴33与安装槽32前后内壁转动连接,当器件本体1处于工作状态时,密封块29沿环形槽25内壁向上滑动,使得封堵板28开启,密封块29与防滑板34一端抵接,并带动防滑板34转动,防滑板34靠近弹性块35一端向下运动并挤压弹性块35,使得弹性块35压缩,防滑板34对密封块29侧壁挤压,防止密封块29向上滑动过快,当器件本体1工作完毕后,器件本体1内部热量逐渐减少,在第二弹簧30的作用下,密封块29向下运动,为保证器件本体1内部热量的充分发散,密封块29两侧的防滑板34能够减缓密封块29向下滑动速度,使得封堵板28与环形块24之间的距离减小变慢,防止封堵板28快速封堵环形块24上端,从而使得器件本体1内部的热量大部分排出,进一步提高了器件本体1的散热效果,并且能够为外部气体进入器件本体1内部提供充分时长,维持器件本体1内部气压稳定,待密封块29与防滑板34分离后,弹性块35恢复原状,并带动防滑板34转动恢复原状,以便下次使用,密封块29两侧的防滑板34对密封块29同时作用,可以防止密封块29在环形槽25内随意滑动,提高密封块29上下滑动的稳定性。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种低压大电流沟槽型MOS器件,其特征在于,包括:器件本体(1),器件本体(1)安装在底座(2)上,器件本体(1)左右两侧设置若干引脚(3),器件本体(1)上表面设置第一散热板(4),第一散热板(4)左右两侧对称设置防护板(5),第一散热板(4)上左右对称设置第二散热板(6),第二散热板(6)下端贯穿第一散热板(4)并与器件本体(1)上表面抵接,器件本体(1)上端设置与第二散热板(6)相对应的散热孔(7),散热孔(7)下端与器件本体(1)内部连通,第二散热板(6)内设置盲孔(8),盲孔(8)下端与散热孔(7)上端连通,第二散热板(6)外壁设置若干气孔(9),气孔(9)一端与第二散热板(6)外部连通,气孔(9)另一端与盲孔(8)内部连通。
2.根据权利要求1所述的一种低压大电流沟槽型MOS器件,其特征在于,气孔(9)呈倾斜设置,气孔(9)靠近盲孔(8)一端高度大于气孔(9)远离盲孔(8)一端高度。
3.根据权利要求1所述的一种低压大电流沟槽型MOS器件,其特征在于,防护板(5)内竖直设置第一滑动孔(10),第一滑动孔(10)上下两端分别贯穿防护板(5)上下表面,第一滑动孔(10)下方设置安装孔(11),安装孔(11)设置在底座(2)内,第一滑动孔(10)内滑动设置第一滑动杆(12),第一滑动杆(12)上端延伸至第一滑动孔(10)上方,第一滑动杆(12)下端延伸至安装孔(11)内并通过连接组件与安装孔(11)连接。
4.根据权利要求3所述的一种低压大电流沟槽型MOS器件,其特征在于,连接组件包括弹性卡块(13)与卡槽(14),卡槽(14)设置在安装孔(11)内壁,卡槽(14)设置有若干个,弹性卡块(13)固定设置在第一滑动杆(12)靠近下端外壁,弹性卡块(13)与卡槽(14)相适配,弹性卡块(13)采用弹性硅胶材质制成。
5.根据权利要求4所述的一种低压大电流沟槽型MOS器件,其特征在于,第一滑动杆(12)靠近上端位置水平设置第二滑动孔(15),第二滑动孔(15)左右两端分别贯穿第一滑动杆(12)左右两侧壁,第二滑动孔(15)呈直角梯形状,第二滑动孔(15)下端设置第一斜面,第二滑动孔(15)靠近第一散热板(4)一端截面积大于第二滑动孔(15)远离第一散热板(4)一端截面积,防护板(5)上表面滑动设置第二滑动杆(16),第二滑动杆(16)与第二滑动孔(15)内壁滑动连接,第二滑动杆(16)远离第二散热板(6)一端设置第二斜面,第二斜面与第一斜面相适配,第二滑动杆(16)靠近第二散热板(6)一端贯穿第二散热板(6),第二滑动杆(16)通过第三滑动孔与第二散热板(6)滑动连接,第二滑动杆(16)内设置第一流通孔(17),第一流通孔(17)与盲孔(8)内部连通。
6.根据权利要求5所述的一种低压大电流沟槽型MOS器件,其特征在于,第二滑动杆(16)远离第一滑动杆(12)一端设置挡板(18),挡板(18)与第一散热板(4)上表面滑动连接,挡板(18)与第二散热板(6)之间设置第一弹簧(19),第一弹簧(19)一端与第二散热板(6)外壁固定连接,第一弹簧(19)另一端与挡板(18)侧壁固定连接。
7.根据权利要求6所述的一种低压大电流沟槽型MOS器件,其特征在于,盲孔(8)内设置连通组件(20),连通组件(20)位于第二滑动杆(16)上,连通组件(20)包括底板(21),底板(21)内设置若干第二流通孔(22),第二流通孔(22)上下两端分别贯穿底板(21)上下表面,第二流通孔(22)与盲孔(8)连通,底板(21)上端设置套管(23),套管(23)外壁与盲孔(8)内壁滑动连接,套管(23)内设置环形块(24),环形块(24)外侧壁与套管(23)内壁固定连接,环形块(24)上端设置封堵板(28),环形块(24)内设置环形槽(25),环形槽(25)内设置固定块(26),固定块(26)中心设置连通孔,连通孔内滑动设置连接绳(27),连接绳(27)一端延伸至环形槽(25)上方并与封堵板(28)外壁连接,连接绳(27)另一端设置密封块(29),密封块(29)位于固定块(26)下方,密封块(29)与环形槽(25)内壁滑动连接,密封块(29)与固定块(26)之间设置第二弹簧(30),第二弹簧(30)一端与固定块(26)下表面连接,第二弹簧(30)另一端与密封块(29)上表面连接。
8.根据权利要求7所述的一种低压大电流沟槽型MOS器件,其特征在于,封堵板(28)截面呈圆弧状。
9.根据权利要求7所述的一种低压大电流沟槽型MOS器件,其特征在于,盲孔(8)内壁设置限位槽(31),限位槽(31)位于第三滑动孔上方,限位槽(31)与第三滑动孔连通,底板(21)外周与限位槽(31)相适配。
10.根据权利要求9所述的一种低压大电流沟槽型MOS器件,其特征在于,盲孔(8)内壁设置若干安装槽(32),安装槽(32)位于固定块(26)与密封块(29)之间,安装槽(32)内设置转轴(33),转轴(33)上设置防滑板(34),防滑板(34)一端延伸至环形槽(25)内,防滑板(34)下方设置弹性块(35),弹性块(35)与安装槽(32)底壁固定连接。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117374026A (zh) * 2023-12-08 2024-01-09 深圳辰达半导体有限公司 一种低导通电阻的车规级mos管及其制备方法

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0661387A (ja) * 1992-08-12 1994-03-04 Ibiden Co Ltd 半導体装置用放熱基板
JPH10144831A (ja) * 1996-11-12 1998-05-29 Showa Alum Corp ヒートパイプ式ヒートシンク
CN204216024U (zh) * 2014-06-12 2015-03-18 何思达 晶片散热装置
CN208189576U (zh) * 2018-04-26 2018-12-04 中山大洋电机股份有限公司 电子功率器件液冷散热器装置及新能源汽车电机控制器
CN208370104U (zh) * 2018-07-04 2019-01-11 镇江元普电子科技有限公司 一种电子元器件散热用的电子散热器
CN109637987A (zh) * 2018-11-15 2019-04-16 华中科技大学 一种浸没式射流微喷直接液冷散热装置
CN211700256U (zh) * 2020-04-10 2020-10-16 深圳市深鸿盛电子有限公司 一种具有低电阻结构的集成电路装置
CN218498057U (zh) * 2022-08-30 2023-02-17 广东三合电子实业有限公司 一种低热阻芯片

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0661387A (ja) * 1992-08-12 1994-03-04 Ibiden Co Ltd 半導体装置用放熱基板
JPH10144831A (ja) * 1996-11-12 1998-05-29 Showa Alum Corp ヒートパイプ式ヒートシンク
CN204216024U (zh) * 2014-06-12 2015-03-18 何思达 晶片散热装置
CN208189576U (zh) * 2018-04-26 2018-12-04 中山大洋电机股份有限公司 电子功率器件液冷散热器装置及新能源汽车电机控制器
CN208370104U (zh) * 2018-07-04 2019-01-11 镇江元普电子科技有限公司 一种电子元器件散热用的电子散热器
CN109637987A (zh) * 2018-11-15 2019-04-16 华中科技大学 一种浸没式射流微喷直接液冷散热装置
CN211700256U (zh) * 2020-04-10 2020-10-16 深圳市深鸿盛电子有限公司 一种具有低电阻结构的集成电路装置
CN218498057U (zh) * 2022-08-30 2023-02-17 广东三合电子实业有限公司 一种低热阻芯片

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117374026A (zh) * 2023-12-08 2024-01-09 深圳辰达半导体有限公司 一种低导通电阻的车规级mos管及其制备方法

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