CN116090496A - 制造多层芯片卡的方法及多层芯片卡 - Google Patents

Abstract

本发明公开了制造多层芯片卡的方法及多层芯片卡。提供具有前表面和后表面的芯层结构(2)，该芯层结构(2)包括前表面上的接触垫(20)，还包括IC芯片(10)和导体图案，沿前后方向看，IC芯片(10)和接触垫(20)不重叠；在芯层结构(2)的前表面上提供前层结构(1)，前层结构具有通孔(5)，其横截面形状在尺寸和位置方面与接触垫(20)的外部轮廓基本上对应；在芯层结构(2)的后表面上提供后层结构(3)；在后层结构(3)与芯层结构(2)之间提供标签(50)，沿前后方向看，标签(50)与接触垫(20)重叠并优选具有在尺寸和位置方面与接触垫(20)的外部轮廓基本上对应的外部轮廓；通过向叠层施加热量和压力来层压叠置的前层结构、芯层结构和后层结构及标签。

Description

制造多层芯片卡的方法及多层芯片卡

技术领域

本发明涉及一种制造多层芯片卡(又称为集成电路卡或智能卡)的方法、以及一种多层芯片卡，尤其是双接口芯片卡。双接口芯片卡是一种在卡结构中组合有集成电路芯片(IC芯片)、用于与IC芯片导电连通的金属接触垫和用于与IC芯片非接触连通的天线的芯片卡。

背景技术

通常，IC芯片和接触垫作为芯片模块提供，在该芯片模块中它们安装在承载基材的相对侧。IC芯片与接触垫之间的接触是通过承载它们的承载基材实现的。芯片模块安装在卡主体的腔体中，从而其接触垫与卡主体的外表面齐平，并且IC芯片隐藏在该腔体中。双接口芯片卡的天线通常具有嵌入卡主体内的天线线圈的形式，其中两个天线接触区域外露在卡主体的腔体内，从而在芯片模块安装在腔体内时，它们与芯片模块下侧的相应接触区域接触，由此导电连接至芯片模块的IC芯片。

EP 3 384 434 B1公开了一种双接口智能卡，其中IC芯片、接触垫和天线都设置在同一片柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)承载基材上，该承载基材形成卡主体的芯层。前层具有通孔，并且布置在芯层的前侧，从而接触垫容纳在该通孔中。后层具有腔体，并且安装在芯层的后侧，从而IC芯片容纳在该腔体中。IC芯片和接触垫电连接至芯层上的导体图案，并且，沿前后方向看，它们不重叠。

根据EP 3 384 434 B1，首先，在热压阶段中在至少80℃的温度和2兆帕的压力下经过大约30分钟将芯层和后层层压成叠层，然后在冷压阶段中在不超过30℃的温度和2兆帕的压力下对芯层和后层层压大约20分钟。在层压期间，后层软化，并且作为倒装芯片设置在芯层上的IC芯片被挤压并嵌入到软化的后层中。接下来，在冷却之后，在同样的条件下将该层压结构层压到前层上，其中芯层上的接触垫穿过前层中的通孔突出，从而与最终层压结构的前表面形成连续的平坦平面。或者，接触垫和IC芯片设置在芯层的同一侧，在这种情况下，用于容纳IC芯片的腔***于前层的后侧。

发明内容

本发明的目的是改善包括如上所述的芯层结构的芯片卡的外表面的外观，即，该芯片卡包括具有至少一个接触垫和以不重叠方式设置在其上的IC芯片的芯层，并且该芯层被层压到芯片卡的其它层中。

此目的通过如所附独立权利要求中要求保护的一种方法和一种多层芯片卡实现的。在从属权利要求中限定了本发明的优选实施例和改进的特定特征。

本发明的第一方面涉及一种制造多层芯片卡的方法，其中该芯片卡设有：

-具有前表面和后表面的芯层结构，其中该芯层结构包括前表面上的接触垫，并且还包括IC芯片和导体图案，其中所述IC芯片和所述接触垫导电连接至所述导体图案，并且，沿前后方向看，它们不重叠，

-设置在芯层结构的前表面上的前层结构，其中所述前层结构具有通孔，该通孔的横截面形状在尺寸和位置方面与芯层结构的前表面上的接触垫的外部轮廓基本上对应，

-设置在芯层结构的后表面上的后层结构，以及

-设置在后层结构与芯层结构之间的标签，其中，沿前后方向看，标签和接触垫完全重叠或者至少在很大程度上重叠。

然后，通过向叠层施加热量和压力来层压叠置的前层结构、芯层结构和后层结构、以及位于芯层结构与后层结构之间的标签。由于通孔的横截面形状在尺寸和位置方面与接触垫的外部轮廓基本上对应，因此接触垫会在层压期间穿过通孔，并且优选与层压叠层的外表面齐平。

本发明的第二方面涉及一种具有相应结构的多层芯片卡。在要制造的芯片卡是双接口芯片卡的情况下，所述芯层结构可进一步包括导电连接至IC芯片的天线，例如天线线圈。优选所述IC芯片和所述接触垫设置在一片公共基材上，更优选设置在公共基材的相对侧。具体而言，所述IC芯片和所述接触垫可彼此横向间隔地设置。

设置在后层与芯层结构之间的标签具有补偿可能在叠层的前侧和/或后侧出现的起伏不平的功能。在叠层的层压期间，借助于标签在芯层结构的后侧产生局部压力，并迫使芯层结构连同其前侧的接触垫进入前层结构的通孔。也就是说，接触垫与前层结构的厚度相比较薄，接触垫应穿过该前层结构突出到与叠层的外表面齐平。因此，标签的材料在一定程度上补偿了通孔中缺少的材料。

优选，标签的外部轮廓在尺寸和位置方面与芯层结构的前表面上的接触垫的外部轮廓基本上对应。这样，标签在层压期间产生的压力均匀地分布在接触垫的整个区域上。

此外，标签的厚度优选选择为与前层结构的厚度一样厚或者更厚。例如，标签的厚度可选择为比前层结构的厚度大5％至15％。如上所述，标签的体积应补偿前层结构的通孔中缺少的材料。补偿过度优于补偿不足，因为多余的材料会流动并均匀分布在层结构之间。在一个优选实施例中，前层结构的厚度选择为0.3毫米或稍小于该值，标签的厚度选择为0.3毫米或稍大于该值。

优选所述标签由乙二醇改性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PETG)制成，因为其粘度较低。

在一个优选实施例中，所述芯层结构由其上安装有IC芯片的第一层和具有孔口的第二层形成，从而第一层上的IC芯片容纳在第二层的孔口中。这能减小在层压期间在IC芯片上施加的力。更具体地说，孔口的尺寸优选大于IC芯片的尺寸，从而在这两层与多层结构的其余层一起层压时，IC芯片容纳在孔口内而不承受任何力。

在一个实施例中，所述芯层结构的第二层中的孔口可具有通孔的形式，并且在该通孔的区域中提供胶粘剂，从而在芯层结构的第二层与后层结构接触时实现容纳在通孔中的IC芯片与后层结构之间的粘合连接。

进一步优选前层结构和后层结构之中的至少一个是由至少两层、优选三层的多个层形成的。例如，其内层可具有有利于与上述的承载接触垫的第一层或上述的容纳IC芯片的第二层接触的特性。内层之中的一层或两层可带有胶粘剂，以改善与芯层结构的粘合。前和/或后层结构的外层可提供良好的保护和/或抗划伤特性。前层和/或后层结构的一层(例如中间层)可具有良好的印刷质量，并承载一个或多个印刷图案。例如，前层和/或后层结构的至少一层可以是白色的，和/或前层和/或后层结构的至少一层可设有从叠层外部可见的印刷图案。

为了进一步改善层压叠层的外表面的外观，在层压步骤之前，可在叠层的前表面和叠层的后表面之中的一个或两个上设置隔离膜，优选至少在叠层的前表面上设置，并且在层压步骤之后去除隔离膜。为此，所述隔离膜可包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，或优选由PET制成。该隔离膜用于保护层压片，避免其出现压痕，否则前层结构中的通孔尤其可能在层压片上导致压痕。总而言之，叠层的前表面和后表面以及最终的芯片卡的外观得到了改善。

关于层压过程，优选前层结构、芯层结构和后层结构通过单次层压过程叠置并层压在一起。更优选的是，在这些层结构之中的一个或多个包括不止一层的情况下，所有层结构的所有层通过单次层压过程叠置并层压在一起。

层压过程包括第一加热温度下的第一加热步骤和高于第一加热温度的第二加热温度下的第二加热步骤，随后是冷却步骤。这样，可避免气泡的产生和天线(若存在)的暴露。第一加热温度可设定在120℃至130℃范围内，例如125℃，第二加热温度可设定在140℃至150℃范围内，例如145℃。优选第一加热步骤在第一层压机中进行，第二加热步骤在另外的第二层压机中进行。冷却例如可在低至20℃的温度下进行。冷却可在第二层压机中进行。

根据一个优选实施例，压力在第一加热步骤期间升高，并在第二加热步骤期间进一步升高，并且优选在冷却步骤期间更进一步升高。例如，在第一加热步骤期间，压力可连续或逐步地从3巴升高到15巴，例如通过3巴、10巴和15巴三个子步骤进行。类似地，在第二加热步骤期间，压力可连续或逐步地从25巴升高到35巴，例如通过25巴和35巴的两个子步骤进行。在冷却步骤期间，压力可连续或逐步地从50巴进一步升高到60巴，例如通过50巴和60巴的两个子步骤进行。

加热和冷却步骤及子步骤的适当持续时间可根据具体情况选择，尤其是取决于层的材料和层的厚度。上述的层压温度和压力已经证明在大多数层的材料由聚氯乙烯(PVC)组成而其它层由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)制成的情况下是有用的，但是也可证明在其它情况下也是有用的。

附图说明

图1以分解图示出了多个层。

具体实施方式

下面将参照附图说明本发明的优选实施例，其中图1是唯一的图，它以分解图示出了多个层1.1至3.3，这些层将被层压在一起以形成多层芯片卡，更具体地说是双接口芯片卡。

在一个实施例中，设有第一层结构1，又称为前层结构，该层结构设有通孔5，并且总共由三层1.1、1.2和1.3组成。前层结构1可包括更多或更少的层，并且包括至少一层。

第二层结构2(又称为芯层结构)至少包括层2.1，该层在其前表面上承载接触垫20，在其后表面上承载IC芯片10。在前表面和后表面上还设有天线30的天线线圈。在图中未示出层2.1上的导体图案，IC芯片10通过该导体图案分别导电连接至接触垫20和天线30。层2.1可由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)制成。IC芯片10可使用引线键合技术安装和连接在层2.1上并嵌入聚合物基体中，或者使用倒装芯片技术安装和连接。导体图案(未示出)和天线30以及接触垫20可由覆盖层2.1的铝涂层蚀刻而成。

在所示的实施例中，芯层结构还包括具有孔口40的第二层2.2，IC芯片10容纳在该孔口40中。可利用胶粘剂G将第二层2.2附接到第一层2.1上，胶粘剂G最好设置在第二层2.2上。孔口40可具有层2.2中的凹口的形式，或者可像当前情况一样形成通孔。当这些层叠置在一起时，胶粘剂被填充到孔口40中，从而将IC芯片10粘接至下一个相邻层。芯层结构2的第二层2.2用于保护IC芯片10。

第三层结构3(又称为后层结构)包括三个层3.1、3.2和3.3。后层结构可包括更多或更少的层，并且包括至少一层。层3.1、3.2、3.3的厚度和材料可与前层结构1的相应层1.1、1.2和1.3的厚度和材料对应。前层结构1和后层结构3的内表面涂有胶粘剂G，以实现与芯层结构2的牢固粘接。

此外，在前层结构1和后层结构3之中的一个或两个中可分别设有印刷图案P1和/或P2。例如，前层结构1和后层结构3的中央层1.2和3.2可分别由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)制成，该PET材料可以是无色的(即，透明的)，并且在其任何一个表面上带有印刷图案P2、P1，或者优选是白色的(即，不透明的)，并且在相应的外表面上带有印刷图案P2、P1，如图所示。或者或另外，内层1.3和3.3之中的一个或两个可带有印刷图案。优选内层1.3和3.3由聚氯乙烯(PVC)制成，更优选由无色(即，不透明的)PVC制成。最后，前层结构1和后层结构3的外层1.1和3.1分别可以是无色的，并且优选同样由PVC构成。这些层用于保护多层结构内的层和印刷图案。上述印刷图案是可从外部看到(即，最终芯片卡的用户能看到)的印刷图案。

在芯层结构2仅包括其上安装有电子元件的第一层2.1的实施例中，孔口40可设置在相邻的后层结构3中，更具体地说，设置在其层3.3中。若IC芯片10与接触垫20一起安装在层2.1的前侧，则孔口40可设置在前层结构1中，更具体地说，设置在其层1.3中。

还设有标签50。沿前向方向看，标签50精确地位于接触垫20之后。也就是说，接触垫20具有与通孔5的横截面形状基本上或精确地对应的外部轮廓，并且标签50同样具有与接触垫的外部轮廓基本上或精确地对应的外部轮廓。当层1.1至3.3叠置在一起时，接触垫20受压穿过通孔5，从而与整个叠层的外表面齐平，并且接触垫20后面的标签50支持此过程。

标签50由PETG制成，该PETG材料具有较低的熔化温度和低粘度，从而在熔化时很容易流动。

各个层1.1至3.3可成组叠置，并且在将各组彼此叠置并层压之前点焊在一起，以提高定位精度。例如，前层结构1的层1.1至1.3可叠置成第一组，并且例如使用烙铁点焊在一起。然后从点焊的一组叠层1.1至1.3冲出通孔5。类似地，在冲出芯层结构2的层2.2中的孔口40之后，芯层结构2的层2.1、2.2可与后层结构3的层3.3叠置在一起，其中标签50在层2.2与3.3之间放置在覆盖接触垫20的正确位置。然后，将前层结构的层3.2和3.1叠置并点焊在一起，以形成第三组点焊层。然后将第一组和第二组点焊层叠置并转移至层压机，在层压机处将所有层层压在一起，以形成整体的多层结构。

显而易见的是，附图中所示的尺寸不是按真实比例绘制的，应该仅示意性地理解。但是，各个层的厚度比例是按真实比例绘制的。也就是说，PVC层1.3、2.2和3.3可具有150微米厚度，PVC层1.1和3.1可具有80微米厚度，PET层1.2和3.2可具有100微米厚度，带有电子元件的PET层2.1(又称为“嵌层”)可具有40微米厚度，从而最终层压的叠层的总厚度大约为850微米。PETG标签50可具有300微米厚度，比前层结构1的层1.1至1.3的组合厚度稍大。

后层结构3的外露表面可承载其它元件，例如防伪元件60(例如全息图)、签名板70、磁条80等。签名板和磁条可在层压步骤之前施加到后层结构3的层3.1的外露表面上，而全息图60可在层压之后施加，例如在热冲压过程中施加。

层压过程在两台相继布置的层压机中进行，以最大限度地减少连续生产线上的制造时间。在第一台机器中，分别在依次提高的3巴、10巴和15巴压力下使叠层承受125℃温度480秒、120秒和420秒。在第二台层压机中，分别在依次提高的25巴和35巴压力下使叠层承受更高的145℃温度300秒和720秒。最后，分别在依次提高的50巴和60巴压力和20℃温度下使叠层承受冷却步骤300秒和720秒。这样，可避免气泡的产生和天线30的暴露。冷却步骤可在第二台层压机或另外的第三台层压机中进行。

在层压步骤期间，至少在叠层的前表面上(即，在前层结构1的外表面上)设置隔离膜(未示出)，优选在层压步骤之前在叠层的前表面和叠层的后表面上设置隔离膜，并且在层压步骤之后去除隔离膜。隔离膜包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，或者优选由PET制成。隔离膜可具有0.05毫米厚度。

应理解，这些层通常以较大的薄片的形式提供，在这些薄片上以矩阵的形式(例如3×8矩阵)多次设置相应的电子元件、孔和孔口，并且最终以适当的格式(例如ISO 7810规定的ID-1格式)从薄片的叠层冲压出各个芯片卡。

除了上面提到的那些可见的印刷图案(例如印刷图案P1和P2)，还可在某些层上提供加工标记，这些标记同样可按印刷图案的形式提供。例如，可在芯层结构2的第二层2.2上提供印刷图案P2.2，并且该印刷图案P2.2可具有便于识别待产生孔口40(例如通过冲压产生)的位置的功能。更具体地说，如图所示，除了待产生孔口40的区域之外，印刷图案P2.2可完全覆盖第二层2.2，也可仅部分地提供，即，精确地在孔口40周围提供。或者，可仅在孔口40的区域中精确地提供印刷图案P2.2。

类似地，对于芯层结构2的第二层2.2上的印刷图案P2.2，可在第三层结构3的内层3.3的内表面上提供印刷图案P3.3，并且印刷图案P3.3可具有便于识别将在层压之前放置标签50的位置的功能。更具体地说，如图所示，除了待放置标签50的区域之外，印刷图案P3.3可完全覆盖内层3.3，也可仅部分地提供，即，精确地在待放置标签50的区域周围提供。或者，印刷图案P3.3可仅设置在内层3.3上，并且精确地设置在标签50的区域中。

最后，印刷图案P1甚至可起到便于识别将在第一层结构2中产生通孔5(例如通过冲压产生)的位置的作用。更具体地说，印刷图案P1可完全或部分地覆盖中央层1.2，并精确地留下待产生通孔5的区域，如图所示。

在以下的第1至26段中概述了本发明的优选实例：

1.一种制造多层芯片卡的方法，包括以下步骤：

-提供具有前表面和后表面的芯层结构(2)，其中该芯层结构(2)包括前表面上的接触垫(20)，并且还包括IC芯片(10)和导体图案，其中所述IC芯片(10)和所述接触垫(20)导电连接至所述导体图案，并且，沿前后方向看，它们不重叠，

-在芯层结构(2)的前表面上提供前层结构(1)，其中所述前层结构(1)具有通孔(5)，该通孔的横截面形状在尺寸和位置方面与芯层结构(2)的前表面上的接触垫(20)的外部轮廓基本上对应，

-在芯层结构(2)的后表面上提供后层结构(3)，

-在后层结构(3)与芯层结构(2)之间提供标签(50)，其中，沿前后方向看，所述标签(50)和所述接触垫(20)完全重叠或者至少在很大程度上重叠；并且

-通过向叠层施加热量和压力来层压叠置的前层结构(1)、芯层结构(2)和后层结构(3)、以及位于芯层结构(2)与后层结构(3)之间的标签(50)。

2.如第1段所述的方法，其中，所述标签(50)的外部轮廓在尺寸和位置方面与芯层结构(2)的前表面上的接触垫(20)的外部轮廓基本上对应。

3.如第1段或第2段所述的方法，其中，所述标签(50)的厚度选择为等于或大于前层结构(1)的厚度。

4.如第3段所述的方法，其中，所述标签(50)的厚度选择为比前层结构(1)的厚度大5％至15％。

5.如第3段或第4段所述的方法，其中，所述前层结构(1)的厚度选择为0.3毫米或更小，所述标签(50)的厚度选择为0.3毫米或更大。

6.如第1至5段中的任何一段所述的方法，其中，所述标签(50)是由乙二醇改性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PETG)制成的。

7.如第1至6段中的任何一段所述的方法，包括从在其上安装有IC芯片(10)的第一层(2.1)和具有孔口(40)的第二层(2.2)形成芯层结构(2)的步骤，使得第一层(2.1)上的IC芯片(10)容纳在第二层(2.2)的孔口(40)中。

8.如第7段所述的方法，其中，所述芯层结构(2)的第二层(2.2)中的孔口(40)是通孔，并且其中所述方法还包括在通孔的区域中提供胶粘剂的步骤，从而在芯层结构(2)的第二层(2.2)与后层结构(3)接触时，在容纳在通孔中的IC芯片(10)与后层结构(3)之间形成粘合连接。

9.如第1至8段中的任何一段所述的方法，包括从多个层(1.1、1.2、1.3、3.1、3.2、3.3)形成前层结构(1)和后层结构(3)之中的至少一个的步骤。

10.如第9段所述的方法，其中，优选前层结构或后层结构的至少一层(1.3、3.3)是白色的，并且前层结构或后层结构的一层(1.2、3.3)设有从叠层外部可见的印刷图案(P)。

11.如第1至10段中的任何一段所述的方法，包括在层压步骤之前在叠层的前表面和叠层的后表面上提供隔离膜并在层压步骤之后去除该隔离膜的步骤。

12.如第11段所述的方法，其中，所述隔离膜包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，或者由PET制成。

13.如第1至12段中的任何一段所述的方法，其中，所述前层结构(1)、所述芯层结构(2)和所述后层结构(3)通过单次层压过程层压在一起。

14.如第13段所述的方法，其中，所述前层结构(1)、所述芯层结构(2)和所述后层结构(3)之中的一个或多个包括不止一层，所有层结构(1、2、3)的所有层(1.1、1.2、1.3、2.1、2.2、3.1、3.2、3.3)通过单次层压过程层压在一起。

15.如第1至14段中的任何一段所述的方法，其中，所述层压步骤包括第一加热温度下的第一加热步骤和高于第一加热温度的第二加热温度下的第二加热步骤，随后是冷却步骤。

16.如第15段所述的方法，其中，所述第一加热温度设定在120℃至130℃范围内，所述第二加热温度设定在140℃至150℃范围内。

17.如第15段或第16段所述的方法，其中，所述第一加热步骤是在第一层压机中进行的，所述第二加热步骤是在另外的第二层压机中进行的。

18.如第15至17段中的任何一段所述的方法，其中，所述压力在第一加热步骤期间升高，并在第二加热步骤期间进一步升高，并且在冷却步骤期间更进一步升高。

19.一种多层芯片卡，包括：

-具有前表面和后表面的芯层结构(2)，其中该芯层结构(2)包括前表面上的接触垫(20)，并且还包括IC芯片(10)和导体图案，其中所述IC芯片(10)和所述接触垫(20)导电连接至所述导体图案，并且，沿前后方向看，它们不重叠，

-芯层结构(2)的前表面上的前层结构(1)，其中所述前层结构(1)具有通孔(5)，该通孔的横截面形状在尺寸和位置方面与芯层结构(2)的前表面上的接触垫(20)的外部轮廓基本上对应，

-芯层结构(2)的后表面上的后层结构(3)，以及

-后层结构(3)与芯层结构(2)之间的标签(50)，其中，沿前后方向看，所述标签(50)和所述接触垫(20)完全重叠或者至少在很大程度上重叠。

20.如第19段所述的多层芯片卡，其中，所述标签(50)的外部轮廓在尺寸和位置方面与芯层结构(2)的前表面上的接触垫(20)的外部轮廓基本上对应。

21.如第19段或第20段所述的多层芯片卡，其中，所述标签(50)是由乙二醇改性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PETG)制成的。

22.如第19至21段中的任何一段所述的多层芯片卡，其中，所述芯层结构(2)包括在其上安装有IC芯片(10)的第一层(2.1)以及具有孔口(40)的第二层(2.2)，第一层(2.1)上的IC芯片(10)容纳在该孔口(40)中。

23.如第19至22段中的任何一段所述的多层芯片卡，其中，所述芯层结构(2)包括与IC芯片(10)导电连接的天线(30)。

24.如第23段所述的多层芯片卡，其中，所述IC芯片(10)和所述接触垫(20)设置在公共基材(2.1)上。

25.如第24段所述的多层芯片卡，其中，所述IC芯片(10)和所述接触垫(20)设置在所述公共基材(2.1)的相对侧。

26.如第19至25段中的任何一段所述的多层芯片卡，其中，所述IC芯片(10)和所述接触垫(20)彼此横向间隔地设置。

Claims (15)

1.一种制造多层芯片卡的方法，包括以下步骤：

-提供具有前表面和后表面的芯层结构(2)，其中该芯层结构(2)包括前表面上的接触垫(20)，并且还包括IC芯片(10)和导体图案，其中所述IC芯片(10)和所述接触垫(20)导电连接至所述导体图案，并且，沿前后方向看，它们不重叠，

-在芯层结构(2)的前表面上提供前层结构(1)，其中所述前层结构(1)具有通孔(5)，该通孔的横截面形状在尺寸和位置方面与芯层结构(2)的前表面上的接触垫(20)的外部轮廓基本上对应，

-在芯层结构(2)的后表面上提供后层结构(3)，

-在后层结构(3)与芯层结构(2)之间提供标签(50)，其中，沿前后方向看，所述标签(50)和所述接触垫(20)完全重叠或者至少在很大程度上重叠；并且

-通过向叠层施加热量和压力来层压叠置的前层结构(1)、芯层结构(2)和后层结构(3)、以及位于芯层结构(2)与后层结构(3)之间的标签(50)。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述标签(50)的外部轮廓在尺寸和位置方面与芯层结构(2)的前表面上的接触垫(20)的外部轮廓基本上对应。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中，所述标签(50)的厚度选择为等于或大于前层结构(1)的厚度，其中优选标签(50)的厚度选择为比前层结构(1)的厚度大5％至15％，和/或前层结构(1)的厚度选择为0.3毫米或更小，并且标签(50)的厚度选择为0.3毫米或更大。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述标签(50)是由乙二醇改性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PETG)制成的。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，包括从在其上安装有IC芯片(10)的第一层(2.1)和具有孔口(40)的第二层(2.2)形成芯层结构(2)的步骤，使得第一层(2.1)上的IC芯片(10)容纳在第二层(2.2)的孔口(40)中，其中优选芯层结构(2)的第二层(2.2)中的孔口(40)是通孔，并且其中所述方法还包括在通孔的区域中提供胶粘剂的步骤，从而在芯层结构(2)的第二层(2.2)与后层结构(3)接触时，在容纳在通孔中的IC芯片(10)与后层结构(3)之间形成粘合连接。

6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，包括从多个层(1.1、1.2、1.3、3.1、3.2、3.3)形成前层结构(1)和后层结构(3)之中的至少一个的步骤，其中优选前层结构或后层结构的至少一层(1.3、3.3)是白色的，并且前层结构或后层结构的一层(1.2、3.3)设有从叠层外部可见的印刷图案(P)。

7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，包括在层压步骤之前在叠层的前表面和叠层的后表面上提供隔离膜并在层压步骤之后去除该隔离膜的步骤，其中优选所述隔离膜包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，或者由PET制成。

8.如权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，所述前层结构(1)、所述芯层结构(2)和所述后层结构(3)通过单次层压过程层压在一起，更优选地，在这些层结构之中的一个或多个包括不止一层的情况下，所有层结构(1、2、3)的所有层(1.1、1.2、1.3、2.1、2.2、3.1、3.2、3.3)通过单次层压过程层压在一起。

9.如权利要求1至8中任一项所述的方法，其中，所述层压过程包括第一加热温度下的第一加热步骤和高于第一加热温度的第二加热温度下的第二加热步骤，随后是冷却步骤，其中优选第一加热温度设定在120℃至130℃范围内，第二加热温度设定在140℃至150℃范围内，和/或第一加热步骤在第一层压机中进行，第二加热步骤在另外的第二层压机中进行。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述压力在第一加热步骤期间升高，并在第二加热步骤期间进一步升高，并且在冷却步骤期间更进一步升高。

11.一种多层芯片卡，包括：

-具有前表面和后表面的芯层结构(2)，其中该芯层结构(2)包括前表面上的接触垫(20)，并且还包括IC芯片(10)和导体图案，其中所述IC芯片(10)和所述接触垫(20)导电连接至所述导体图案，并且，沿前后方向看，它们不重叠，

-芯层结构(2)的前表面上的前层结构(1)，其中所述前层结构(1)具有通孔(5)，该通孔的横截面形状在尺寸和位置方面与芯层结构(2)的前表面上的接触垫(20)的外部轮廓基本上对应，

-芯层结构(2)的后表面上的后层结构(3)，以及

-后层结构(3)与芯层结构(2)之间的标签(50)，其中，沿前后方向看，所述标签(50)和所述接触垫(20)完全重叠或者至少在很大程度上重叠。

12.如权利要求11所述的多层芯片卡，其中，所述标签(50)的外部轮廓在尺寸和位置方面与芯层结构(2)的前表面上的接触垫(20)的外部轮廓基本上对应，并且/或者其中所述标签(50)是由乙二醇改性聚对苯二甲酸乙二醇酯(PETG)制成的。

13.如权利要求11或12所述的多层芯片卡，其中，所述芯层结构(2)包括在其上安装有IC芯片(10)的第一层(2.1)以及具有孔口(40)的第二层(2.2)，第一层(2.1)上的IC芯片(10)容纳在该孔口(40)中。

14.如权利要求11至13中任一项所述的多层芯片卡，其中，所述芯层结构(2)包括与IC芯片(10)导电连接的天线(30)，其中优选所述IC芯片(10)和所述接触垫(20)设置在一片公共基材(2.1)上，更优选所述IC芯片(10)和所述接触垫(20)设置在所述公共基材(2.1)的相对侧。

15.如权利要求11至14中任一项所述的多层芯片卡，其中，所述IC芯片(10)和所述接触垫(20)彼此横向间隔地设置。

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