CN116075773A - 透镜驱动装置以及包括其的相机模块和光学设备 - Google Patents

Abstract

一实施例包括：基座；壳体，设置在基座上；筒架，设置在壳体内部；第一磁体，设置在筒架上；线圈，面对第一磁体并且设置在壳体上；第二磁体，与第一磁体间隔开并且设置在筒架上；轭，设置在壳体上，面对第二磁体；滚珠构件，设置在筒架与壳体之间；以及位置传感器，在光轴方向上面对第一磁体或第二磁体，并且设置在基座上。

Description

透镜驱动装置以及包括其的相机模块和光学设备

技术领域

实施例涉及透镜移动装置以及均包括该透镜移动装置的相机模块和光学设备。

背景技术

将现有通用相机模块中使用的音圈马达(VCM)技术应用于超小型、低功率相机模块是困难的，并因此已经积极地进行了与其相关的研究。

对电子产品(诸如配备有相机的移动电话和智能电话)的需求和生产已经增加。用于移动电话的相机趋向于增加分辨率和小型化。因此，致动器也已经小型化，直径被增加，并且被制成多功能的。为了实现用于移动电话的高分辨率相机，需要改进用于移动电话的相机的性能及其附加功能，诸如自动聚焦(autofocusing)、手抖校正和变焦。

发明内容

技术问题

实施例提供了一种透镜移动装置以及包括透镜移动装置的一种相机模块和一种光学设备，其能够容易且自由地设计筒架(bobbin，骨架)和/或壳体与滚珠构件之间的摩擦力，以稳定地支撑AF移动单元。

此外，实施例能够减小线圈的磁场对位置传感器的影响并确保AF操作的可靠性。

另外，实施例提供了一种透镜移动装置、一种相机模块和一种光学设备，其能够在用于自动聚焦的可移动单元的总行程范围内保持恒定的摩擦力，而不管可移动单元的重量如何。

技术方案

根据实施例的透镜移动装置包括：基座；壳体，设置在基座上；筒架，设置在壳体中；第一磁体，设置在筒架上；线圈，设置在壳体上，以面对第一磁体；第二磁体，设置在筒架上，以与第一磁体间隔开；轭，设置在壳体上，以面对第二磁体；滚珠构件，设置在筒架与壳体之间；以及位置传感器，设置在基座上，以在光轴方向上面对第一磁体或第二磁体。

第二磁体可以设置在轭与第一磁体之间，并且第一磁体可以设置在第二磁体与线圈之间。

所述透镜移动装置还可以包括设置在壳体上的电路板，并且线圈可以导电地连接到电路板。

所述透镜移动装置还可以包括导电地连接到位置传感器的导电构件。

位置传感器在垂直于光轴方向的方向上不可以与第一磁体或第二磁体重叠。

位置传感器在垂直于光轴方向的方向上不可以与轭重叠。

第一磁体可以设置在筒架的第一侧部上，并且第二磁体可以设置在筒架的与筒架的第一侧部相对的第二侧部上，并且线圈可以设置在壳体的第一侧部上，并且轭可以设置在壳体的与壳体的第一侧部相对的第二侧部上。

滚珠构件可以设置在筒架的其上设置第二磁体的侧部与壳体的其上设置轭的侧部之间。

滚珠构件可以设置在筒架的其上设置第一磁体的侧部与壳体的其上设置线圈的侧部之间，并且排斥力可以作用在轭与第二磁体之间。

轭可以是磁性体，并且轭在光轴方向上的长度可以不同于第二磁体在光轴方向上的长度。

驱动信号可以被供应到线圈，并且筒架可以借助于与第一磁体的相互作用而在光轴方向上可移动。

导电构件可以设置在基座上，并且可以包括将位置传感器导电地连接到电路板的至少一个端子。

替代地，导电构件可以包括设置在基座上的电路构件，并且电路构件可以包括导电地连接到位置传感器的至少一个端子。

轭在光轴方向上的长度可以大于第二磁体在光轴方向上的长度，并且当筒架被定位在光轴方向上的最低点处时，第二磁体的上端与轭的上端之间在光轴方向上的距离可以是筒架在光轴方向上的总行程距离的一倍或多倍及三倍或更少倍(一倍以上以及三倍以下)。这里，当筒架被定位在最低点处时，第二磁体的下端与轭的下端之间在光轴方向上的距离可以是0或更大，并且可以是筒架的总行程距离的两倍或更少倍。

替代地，第二磁体在光轴方向上的长度可以大于轭在光轴方向上的长度，并且当筒架被定位在光轴方向上的最低点处时，第二磁体的下端与轭的下端之间在光轴方向上的距离可以是筒架在光轴方向上的总行程距离的一倍或多倍及三倍或更少倍。这里，当筒架被定位在最低点处时，第二磁体的上端与轭的上端之间在光轴方向上的距离可以是0或更大，并且可以是筒架在光轴方向上的总行程距离的两倍或更少倍。

根据实施例的相机设备包括：壳体；筒架，设置在壳体中；第一磁体，设置在筒架上；线圈，设置在壳体上，以面对第一磁体；第二磁体，设置在筒架上，以与第一磁体间隔开；轭，设置在壳体上，以面对第二磁体；滚珠构件，设置在筒架与壳体之间；第一电路板，设置在壳体下方；以及位置传感器，包括设置在第一电路板上的图像传感器，并且所述位置传感器设置在第一电路板上，以在光轴方向上面对第一磁体或第二磁体。

在所述相机设备中，第二磁体可以设置在轭与第一磁体之间，并且第一磁体可以设置在第二磁体与线圈之间。

所述相机设备可以包括第二电路板，该第二电路板设置在壳体上并且导电地连接到第一电路板，并且线圈可以导电地连接到第二电路板。

有益效果

由于实施例包括第一磁体和独立于第一磁体的第二磁体，因此借助于由轭与第二磁体之间的相互作用所产生的吸引力，可以容易且自由地设计筒架和/或壳体与滚珠构件之间的摩擦力，并因此稳定地支撑AF移动单元。

此外，由于实施例被构造成使得位置传感器被设置成与线圈间隔很远，因此可以减小线圈的磁场对位置传感器的影响并确保AF操作的可靠性。

另外，实施例能够在可移动单元的总行程范围内保持在用于自动聚焦的可移动单元的移动期间产生的恒定摩擦力，而不管可移动单元的重量如何。

附图说明

图1是根据实施例的透镜移动装置的分解立体图；

图2是图1中所示的筒架、第一磁体和第二磁体的分解立体图；

图3是图1中所示的壳体和轭的分解立体图；

图4a是根据图1中所示的实施例的透镜移动装置的平面图，其中移除了盖构件；

图4b示出了图4a中所示的实施例的修改方案；

图5a是根据实施例的第一磁体、线圈、第二磁体和轭的平面图；

图5b是根据另一实施例的第一磁体、线圈、第二磁体和轭的平面图；

图6a是在光轴方向上截取的根据实施例的第一磁体、线圈、第二磁体和轭的横截面图；

图6b示出了当图6a中所示的筒架被定位在最低点处时第二磁体的上端与轭的上端之间的距离；

图6c示出了当图6a中所示的筒架被定位在最高点处时第二磁体的上端与轭的上端之间的距离；

图7a是在光轴方向上截取的根据另一实施例的第一磁体、线圈、第二磁体和轭的横截面图；

图7b示出了当图7a中所示的筒架被定位在最低点处时第二磁体的上端与轭的上端之间的距离；

图7c示出了当图7a中所示的筒架被定位在最高点处时第二磁体的上端与轭的上端之间的距离；

图8a是根据另一实施例的透镜移动装置的平面图；

图8b是图8a中所示的壳体、滚珠构件和轭的立体图；

图9a是根据另一实施例的透镜移动装置的平面图；

图9b示出了图9a中所示的实施例的修改方案；

图10是图9a中所示的透镜移动装置的第一磁体、线圈、第二磁体和轭的平面图；

图11a示出了根据实施例的位置传感器的设置；

图11b示出了根据另一实施例的位置传感器的设置；

图12a示出了位置传感器与导电构件之间的导电连接的实施例；

图12b示出了位置传感器与导电构件之间的导电连接的另一实施例；

图13是根据比较实施例的滚珠型透镜移动装置的示意性横截面图；

图14是根据实施例的相机模块的分解立体图；

图15是根据另一实施例的相机模块的分解立体图；

图16是根据进一步实施例的相机模块的分解立体图；

图17是根据实施例的透镜移动装置的分解图；

图18是图17中所示的筒架、第一磁体和第二磁体的分解立体图；

图19是图17中所示的壳体和轭的分解立体图；

图20a是图17中所示的透镜移动装置的平面图，其中移除了盖构件；

图20b示出了图20a中所示的实施例的修改方案；

图21a是根据实施例的第一磁体、线圈、第二磁体和轭的平面图；

图21b是根据另一实施例的第一磁体、线圈、第二磁体和轭的平面图；

图22a是在光轴方向上截取的根据实施例的第一磁体、线圈、第二磁体和轭的横截面图；

图22b示出了当图22a中所示的筒架被定位在最低点处时第二磁体的上端与轭的上端之间的距离；

图22c示出了当图22a中所示的筒架被定位在最高点处时第二磁体的上端与轭的上端之间的距离；

图23a是在光轴方向上截取的根据另一实施例的第一磁体、第二磁体和轭的横截面图；

图23b示出了当图23a中所示的筒架被定位在最低点处时第二磁体的上端与轭的上端之间的距离；

图23c示出了当图23a中所示的筒架被定位在最高点处时第二磁体的上端与轭的上端之间的距离；

图24a是根据另一实施例的透镜移动装置的平面图；

图24b是图24a中所示的壳体、滚珠构件和轭的立体图；

图25a是根据进一步实施例的透镜移动装置的平面图；

图25b示出了图25a中所示的实施例的修改方案；

图26是图25中所示的透镜移动装置的第一磁体、线圈、第二磁体和轭的平面图；

图27是包括图17中所示的透镜移动装置的相机模块的分解立体图；

图28是根据进一步实施例的透镜移动装置的横截面图；

图29是图28中的区域A的放大横截面图；

图30是图28中的区域B的放大横截面图；

图31是示出了图28中所示的透镜移动装置的线圈、霍尔传感器和第一至第三磁体的设置的视图；

图32是示出了根据修改的透镜移动装置的线圈、霍尔传感器和第一至第三磁体的设置的视图；

图33是示出了根据另一实施例的相机模块的分解立体图；

图34是根据实施例的便携式终端的立体图；以及

图35是示出了图34中所示的便携式终端的配置的视图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图详细描述本发明的实施例。

本发明的技术思想可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文阐述的以下实施例。在不脱离本发明的技术精神和范围的情况下，实施例的部件中的一个或多个可以选择性地彼此组合或替换。

除非另外特别定义，否则本发明的实施例中使用的术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是，常用的术语(诸如词典中定义的那些术语)应被解释为具有与其在相关领域的上下文中的含义一致的含义。

本发明的实施例中使用的术语解释仅用于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本发明。如在本公开和所附权利要求中所使用的那样，单数形式也旨在包括复数形式，除非上下文另有明确说明。短语“A、B和C中的至少一个(或一个或多个)”可以被解释为包括A、B和C的所有组合中的一个或多个。

此外，当描述本公开的部件时，可以使用诸如“第一”、“第二”、“A”、“B”、“(a)”和“(b)”等术语。由于提供这些术语仅用于将部件彼此区分的目的，因此它们不限制部件的性质、顺序或序列。

应当理解，当元件被称为“链接”、“联接”或“连接”到另一元件时，该元件可以直接“链接”、“联接”或“连接”到另一元件，或者可以经由其间***的另一元件“链接”、“联接”或“连接”到另一元件。此外，应当理解，当一个元件被称为形成在另一个元件“上”或“下方”时，它可以直接在另一个元件“上”或“下方”，或者可以相对于另一个元件间接设置，其间具有一个或多个中间元件。另外，还应当理解，元件“上”或“下方”可以表示基于元件的向上方向或向下方向。

在下文中，透镜移动装置可以替代地被称为透镜移动单元、音圈马达(VCM)、致动器、或透镜移动设备。术语“线圈”可以与“线圈单元”互换使用，并且术语“弹性构件”可以与“弹性单元”或“弹簧”互换使用。

在下面的描述中，“端子”可以替代地被称为“垫”、“电极”、“导电层”或“粘接部”。

为了便于描述，尽管使用笛卡尔坐标系(x，y，z)描述了根据实施例的透镜移动装置，但是可以使用一些其他坐标系来描述透镜移动装置，并且实施例不限于此。在相应的附图中，X轴方向和Y轴方向是指垂直于光轴(即，Z轴)的方向。作为光轴OA方向的Z轴方向可以被称为“第一方向”，X轴方向可以被称为“第二方向”，并且Y轴方向可以被称为“第三方向”。

“自动聚焦功能”用于将对象的图像自动聚焦在图像传感器的表面上。根据实施例的透镜移动装置可以在第一方向上移动由至少一个透镜构成的光学模块，以执行自动聚焦。

图1是根据实施例的透镜移动装置100的分解图。图2是图1中所示的筒架110、第一磁体132和第二磁体134的分解立体图。图3是图1中所示的壳体140和轭136的分解立体图。图4a是图1中所示的透镜移动装置100的平面图，其中移除了盖构件300。

参考图1至图4a，透镜移动装置100可以包括筒架110、第一磁体132、第二磁体134、壳体140、线圈120、滚珠构件310、轭136和位置传感器170。

透镜移动装置100还可以包括设置在壳体140下方的基座210。透镜移动装置100还可以包括被配置为将驱动信号提供到线圈120的电路板190。例如，位置传感器170导电地连接到电路板190，并且电路板190可以将驱动信号提供到位置传感器170并且可以接收位置传感器170的输出。

透镜移动装置100还可以包括被配置为在其中容纳壳体140的盖构件300。

被配置为允许透镜或透镜筒安装在其上的筒架110可以设置在壳体140中，以通过线圈120与第一磁体132之间的电磁相互作用在光轴OA的方向上或在第一方向(例如，Z轴方向)上可移动。筒架110可以替代地被称为“透镜保持器”。

筒架110可以具有膛孔21(参见图5a)，透镜或透镜筒安装在该膛孔中。例如，筒架110中的膛孔21可以是通孔，并且可以具有圆形形状、椭圆形形状或多边形形状，而不限于此。

尽管在图2中未示出，但是筒架110可以包括形成在其上表面上的至少一个第一止动件。例如，第一止动件可以在光轴方向上或在向上方向上从筒架1110的上表面突出，以防止筒架110的上表面与盖构件300的上板301的内表面直接碰撞。此外，筒架110可以包括形成在其下表面上的至少一个第二止动件。

筒架110可以包括多个侧表面或外表面。

例如，筒架110可以包括多个侧部11A至11D。此外，筒架110可以包括位于两个相邻侧部之间的拐角或拐角部。

为了设置或安置第一磁体132，筒架110可以包括第一安置部105A，该第一安置部形成在多个侧部(或侧表面或外表面)中的第一侧部(第一侧表面或第一外表面)中或设置在其上。第一安置部105A可以具有凹槽的形式。

例如，第一安置部105A可以是具有从筒架110的第一侧部11A(或第一侧表面或第一外表面)凹陷的结构的凹槽，并且可以具有形成在筒架110的上表面或下表面中的至少一个中的开口。例如，第一安置部105A的下部可以不是敞开的，而是可以在筒架110的下表面处封闭。

为了设置或安置第二磁体134，筒架110可以包括第二安置部105B，该第二安置部形成在多个侧部(或侧表面或外表面)中的第二侧部11B(或第二侧表面或第二外表面)中或设置在其上。第二安置部105B可以具有凹槽的形式，该凹槽具有从第二侧部11B凹陷的结构，并且可以具有形成在筒架110的上表面和下表面中的至少一个中的开口。例如，第二安置部105B的下部可以不是敞开的，而是可以在筒架110的下表面处封闭。

例如，筒架110的第二侧部11B(或第二侧表面或第二外表面)可以被定位成与筒架110的第一侧部11A(或第一侧表面或第一外表面)相对。

筒架110的第三侧部11C(或第三侧表面或第三外表面)和第四侧部11D(或第四侧表面或第四外表面)可以设置在第一侧部与第二侧部之间，并且可以被定位成彼此相对。

筒架110可以包括至少一个避开部(escape portion，避让部)115，以便避免与壳体140的突起部31空间干扰。避开部115可以替代地被称为“凹槽”或“避开凹槽”。

例如，避开部115可以形成在筒架110的拐角中的至少一个拐角中。例如，避开部115可以形成在筒架110的与筒架110的第二侧部11B(或第二侧表面或第二外表面)相邻的至少一个拐角中。

例如，避开部115可以包括：第一避开部115A，该第一避开部形成在筒架110的与第二侧部11B(或第二侧表面或第二外表面)相邻的一个拐角中；以及第二避开部115B，该第二避开部形成在筒架110的与第二侧部11B(或第二侧表面或第二外表面)相邻的另一个拐角中。筒架110的避开部115与稍后将描述的壳体140的突起部31结合可以用于抑制筒架110的旋转。

壳体140的突起部31可以用于抑制筒架110围绕光轴旋转的程度。突起部31也可以被称为“旋转抑制件”、“止动件”、“捕获台阶部”、“冲击缓和部”或“冲击吸收部”。

借助于突起部31，可以抑制或防止筒架110由于外部冲击而旋转超过预期程度，以缓和由于外部冲击而导致的筒架110与壳体140之间的冲击，减少由于冲击或碰撞引起的异物或颗粒的产生，并且防止筒架110和/或壳体140的变形或断裂。此外，突起部31也可以在垂直于光轴的方向上用作止动件。

筒架110可以包括至少一个凹槽117，在其上或其中设置或接收滚珠构件310。凹槽117可以替代地被称为“接收凹槽”或“引导凹槽”。滚珠构件310的至少一部段可以与凹槽117接触。

例如，凹槽117可以形成在筒架110的第二侧部11B(或第二侧表面或第二外表面)中。凹槽117可以具有从筒架110的第二侧部11B(第二侧表面或第二外表面)凹陷的结构。

例如，凹槽117可以被定位在第二安置部105B和筒架110的与第二侧部11B相邻的拐角之间。

例如，凹槽117可以包括第一凹槽117A和第二凹槽117B。例如，第一凹槽117A可以被定位在第二安置部105B和筒架110的与第二侧部11B相邻的拐角之间。第二凹槽117B可以被定位在第二安置部105B和筒架110的与第二侧部11B相邻的另一个拐角之间。

例如，第一凹槽117A可以被定位在第二安置部105B与第一避开部115A之间，并且第二凹槽117B可以被定位在第二安置部105B与第二避开部115B之间。

例如，凹槽117可以具有形成在筒架110的上表面中的开口。例如，凹槽117的下部可以不是敞开的，而是可以在筒架110的下表面处封闭。凹槽117的下部可以在光轴方向上相对于筒架110的下表面具有高度差。例如，凹槽117的下部可以被定位成高于筒架110的下表面。

例如，凹槽117可以形成为在光轴方向上延伸。例如，凹槽117可以从筒架110的上表面延伸到下表面，或者可以在光轴方向上延伸，以形成在筒架110的上表面与下表面之间。

例如，尽管当从上方观察时凹槽117可以具有三角形形状，但是本公开不限于此。凹槽117可以具有多边形形状(例如，矩形形状或五边形形状)。替代地，凹槽117可以具有“V”形或“U”形。

在另一实施例中，筒架110可以不设置有凹槽117，并且壳体140可以在其内表面中设置有凹槽，滚珠构件310设置或接收在该凹槽上或其中。

例如，凹槽117可以形成在筒架110的第二侧部11B的外表面(或第二外表面)上形成的至少一个突起部114(或突出部)中。突起部114可以包括其中形成有第一凹槽117A的第一突起部114A和其中形成有第二凹槽117B的第二突起部114B。

第一磁体132和第二磁体134可以设置在筒架110上，以彼此间隔开。例如，第二磁体134可以被定位成与第一磁体132相对。

例如，第一磁体132可以设置在筒架110的第一侧部11A(第一侧表面或第一外表面)上，并且第二磁体134可以设置在筒架110的第一侧部11A(第一侧表面或第一外表面)上。

例如，第一磁体132可以设置在筒架110中的第一安置部105A中，并且第二磁体134可以设置在筒架110中的第二安置部105B中。

第一磁体132可以设置为对应于或面对线圈120。借助于第一磁体132与线圈120之间的相互作用，可以产生电磁力，并且筒架110可以由于电磁力而在光轴方向上可移动。

第一磁体132可以包括至少一个磁体单元。尽管在图1中第一磁体132包括单个磁体单元，但是本公开不限于此。在另一实施例中，第一磁体132可以包括两个或更多个磁体单元。

尽管第一磁体132和第二磁体134中的每个都可以具有与筒架110的侧部11A和11B的外表面中的对应一个外表面相对应的形状，例如，整体多面体形式(例如，正六面体形式或直角平行六面体形式)，但是本公开不限于此。

第一磁体132可以是单极磁化磁体，其包括两个不同的极性和在两个不同的极性之间自然形成的界面平面。

例如，第一磁体132可以是N极与S极在光轴方向上分离的单极磁化磁体。例如，第一磁体132可以是单极磁化磁体，在该单级磁化磁体中，其面对线圈120的第一表面包括N极和S极。尽管第一磁体132的N极可以位于较高水平并且第一磁体132的S极可以位于较低水平，但是本公开不限于此。在另一实施例中，N极和S极的位置可以颠倒。

在另一实施例中，第一磁体132也可以是单极磁化磁体，其中N极在垂直于光轴方向的方向上与S极分离。尽管根据另一实施例的第一磁体可以例如被构造成使得其面对线圈120的第一表面成为N极，并且其与第一表面相对的第二表面成为S极，但是本公开不限于此。在进一步实施例中，N极和S极的位置可以颠倒。

在进一步实施例中，第一磁体132也可以是四极或双极磁化磁体，以增加电磁力。

例如，第一磁体132可以包括：第一磁体单元，包括N极和S极；第二磁体单元，包括S极和N极；以及分隔壁，设置在第一磁体单元与第二磁体单元之间。这里，分隔壁是几乎完全非磁性的部段，并且可以包括几乎没有极性的区段。分隔壁可以填充有空气或非磁性材料，并且可以被称为“中性区段”。

例如，第一磁体和第二磁体可以在光轴方向上彼此面对，并且可以被设置成使得其不同的极彼此面对。

例如，第一磁体的面对第一线圈120的第一表面可以是N极(或S极)，并且第二磁体的面对第一线圈120的第一表面可以是S极(或N极)。例如，第一磁体的面对第一线圈120的第一表面和第二磁体的第一表面可以具有相反的极性。

在另一实施例中，例如，第一磁体和第二磁体可以在垂直于光轴方向的方向上彼此面对，并且第一磁体和第二磁体可以设置成以使得第一磁体和第二磁体的不同的极在垂直于光轴方向的方向上彼此面对。

尽管第一磁体132的第一表面可以具有平坦表面，但是本公开不限于此。第一磁体132的第一表面可以具有弯曲表面、倾斜表面或锥形表面。例如，第一磁体132的第一表面可以是面对线圈120的表面。

第二磁体134可以包括至少一个磁体单元。尽管在图1中第一磁体132包括单个磁体单元，但是本公开不限于此。在另一实施例中，第二磁体134可以包括两个或更多个磁体单元。

第二磁体134可以是单极磁化磁体或双极磁化磁体。第一磁体132的单极磁化磁体或双极磁化磁体的描述可以在修改或不修改的情况下应用于第二磁体134。

第二磁体134的磁力的强度可以与第一磁体132的磁力的强度不同。尽管第二磁体132的磁力的强度可以例如小于第一磁体132的磁力的强度，但是本公开不限于此。在另一实施例中，第二磁体134的磁力的强度可以等于或大于第一磁体132的磁力的强度。

例如，第二磁体134可以由与第一磁体132的材料不同的材料制成。第二磁体134可以包括与第一磁体132的成分(component，部件)不同的成分。

例如，第二磁体134可以由磁力低于第一磁体132材料的磁力的材料制成。例如，第一磁体134可以由第一材料制成，并且第二磁体134可以由不同于第一材料的第二材料制成。这里，第一材料的磁力可以高于第二材料的磁力。第二磁体134可以包括钕合金(NdFeB)或钐钴(samarium-cobalt)中的至少一种。

在另一实施例中，第二磁体134可以由与第一磁体132的材料相同的材料制成。

壳体140可以设置在盖构件300中，并且可以在其中接收筒架110的至少一部段。

参考图3，壳体140可以支撑线圈120、电路板190和轭136，并且可以在其中接收筒架110，使得AF移动单元(或AF操作单元)可以在光轴方向上移动。

例如，AF移动单元可以包括筒架110和联接到或安装到筒架110的部件。例如，AF移动单元可以包括筒架110、第一磁体132和第二磁体134。替代地，AF移动单元可以包括联接或安装到筒架110的透镜模块400(参见图14)。

替代地，在轭136设置在筒架110上并且第二磁体132设置在壳体140上的另一实施例中，AF移动单元可以包括筒架110、第一磁体132和轭136。

替代地，在线圈120设置在筒架110上并且第一磁体132设置在壳体上的进一步实施例中，AF移动单元可以包括筒架110、线圈120和第二磁体134。在又进一步实施例中，AF移动单元可以包括轭136来代替第二磁体134。

壳体140可以具有被配置为在其中接收筒架110的膛孔201、孔洞或腔体。这里，壳体140中的膛孔201可以被定位在壳体140的中心或中心区域处。例如，壳体140中的膛孔可以是在光轴方向上穿过壳体140形成的通孔。尽管壳体140中的膛孔201可以具有与筒架110的形状对应的形状，例如，多边形形状(例如，四边形形状或八边形形状)或圆形形状(或椭圆形形状)，但是本公开不限于此。壳体140中的膛孔201可以具有各种形状。

壳体140可以包括多个侧部12A至12D。壳体140可以包括被定位在两个相邻侧部之间的拐角或拐角部段。

壳体140可以包括对应于筒架110的第一侧部11A的第一侧部12A、对应于筒架110的第二侧部11B的第二侧部12B、对应于筒架110的第三侧部11C的第三侧部12C以及对应于筒架110的第四侧部11D的第四侧部12D。壳体140的第一侧部12A(或第一侧表面或第一外表面)可以被定位成与壳体140的第二侧部12B(或第二侧表面或第二外表面)相对，并且壳体140的第三侧部12C(或第三侧表面或第三外表面)可以被定位成与壳体140的第四侧部12D(或第四侧表面或第四外表面)相对。

壳体140的第一侧部12A至第四侧部12D中的每个都可以设置成平行于盖构件300的侧板中的对应的一个侧板。

为了设置或安置轭136的目的，壳体140可以包括形成在壳体140的第二侧部12B中的第一安置部141。第一安置部141可以具有孔洞、凹槽或安置凹槽的形式。例如，第一安置部141可以是具有从壳体140的第二侧部12B(或第二侧表面或第二外表面)凹陷的结构的凹槽，并且可以具有形成在壳体140的上表面和下表面中的至少一个中的开口。例如，第一安置部141的下部可以不是敞开的，而是可以在壳体140的下表面处封闭。

壳体140的第一侧部12A(或第一侧表面或第一外表面)可以具有穿过其形成的开口或孔洞106。线圈120的至少一部段可以设置在壳体140中的孔洞106中。孔洞106可以是穿过第一侧部12A形成的通孔。

在另一实施例中，壳体140可以包括代替孔洞106的凹槽或凹部，以用于设置线圈120。

为了设置或安置电路板190，壳体140的第一侧部12A(或第一侧表面或第一外表面)在其中形成有第二安置部142。

例如，第二安置部142可以是具有从壳体140的第一侧部12A(或第一侧表面或第一外表面)凹陷的结构的凹槽，并且可以具有形成在壳体140的上表面和下表面中的至少一个中的开口。例如，孔洞106可以形成在壳体140的第二安置部142的底表面中。

在另一实施例中，第二安置部142可以包括待联接到电路板的突出部，并且电路板可以具有待联接到壳体的突出部的孔洞。

壳体140可以包括对应于或面对筒架110中的避开凹槽115的突起部31。突起部31可以从壳体140的内部表面或内表面朝向筒架110突起。

例如，突起部31可以形成在壳体140的两个相邻侧部之间。例如，突起部31可以包括对应于或面对筒架110中的第一避开部115A的第一突起部31A和对应于或面对筒架110中的第二避开部115B的第二突起部31B。

例如，第一突起部31A可以形成在壳体140的第二侧部12B的内表面与第四侧部12D的内表面之间，并且第二突起部31B可以形成在壳体140的第二侧部12B的内表面和第三侧部12C的内表面之间。

尽管在图3中突起部31形成为从壳体140的上表面延伸到下表面，但是本公开不限于此。在另一实施例中，突起部117的一端(例如，上端或上表面)可以与壳体140的上表面间隔开，并且可以被定位在壳体140的上表面下方。在进一步实施例中，突起部117的另一端(例如，下端或下表面)可以与壳体140的下表面间隔开，并且可以被定位在壳体140的下表面上方。

尽管在图2中避开部115形成为从筒架110的上表面延伸到下表面，但是本公开不限于此。在另一实施例中，避开部115的一端(例如，上端)可以与筒架110的上表面间隔开，并且可以被定位在筒架110的上表面下方。在进一步实施例中，突起部117的另一端(例如，下端或下表面)可以与筒架110的下表面间隔开，并且可以被定位在筒架110的下表面上方。

尽管在图3中未示出，但是壳体140可以包括形成在其上部、上表面或上端上的第一止动件，以及形成在其下部、下表面或下端上的第二止动件。筒架110和壳体140的第一止动件和第二止动件中的每个都可以替代地被称为“凸出部”或“突出部”。

筒架110的第一侧部11A(或第一侧表面或第一外表面)可以在其上设置有至少一个突起部112(或突出部)，壳体140的第一侧部12A的内表面可以在其中设置有对应于或面对筒架110的突起部112的至少一个凹槽部或凹槽23。

例如，筒架110可以包括设置在第一侧部11A(或第一侧表面或第一外表面)的一侧上的第一突起部112A(或第一突出部)，以及设置在第一侧部11A(或第一侧表面或第一外表面)的另一侧上的第二突起部112B(或第二突出部)。

例如，第一安置部105A可以被定位在第一突起部112A与第二突起部112B之间。

壳体140可以包括至少一个凹槽部23，该至少一个凹槽部通过第一侧部12A的内表面朝向筒架110的突起部而形成，并且对应于或面对筒架110的至少一个突起部112。

例如，壳体140中的凹槽部23可以包括：第一凹槽部23A，该第一凹槽部被定位在与第四侧部12D相邻的内表面的一侧处；以及第二凹槽部23B，被定位在与第三侧部12C相邻的第一侧部12A的内表面的另一侧处。

例如，筒架110的至少一个突起部112可以设置在壳体140中的至少一个凹槽部23中。

例如，筒架110的第一突起部112A可以设置在壳体140中的第一凹槽部23A中，并且筒架110的第二突起部112B可以设置在壳体140中的第二凹槽部23B中。

筒架110的突起部112和壳体140中的凹槽部23可以一起用于抑制筒架110围绕光轴旋转的程度。例如，突起部112可以被称为“旋转抑制部”、“止动件”、“捕获台阶部”、“冲击缓和部”或“冲击吸收部”。

借助于突起部112，可以抑制或防止筒架110由于外部冲击而旋转超过预期的程度，以缓和由于外部冲击而导致的筒架110与壳体140之间的冲击，以减少由于冲击或碰撞引起的异物或颗粒的产生，并且防止筒架110和/或壳体140的变形或断裂。另外，突起部31也可以在垂直于光轴方向的方向上用作止动件。

在另一实施例中，为了防止旋转，可以在筒架110中形成凹槽部来代替突起部112，并且可以在壳体140上形成突起部来代替凹槽部23。

壳体140可以包括设置在筒架110中的第一安置部105A中的至少一个突起部41(或突出部)。突起部41可以从壳体140的第一侧部12A的内表面朝向筒架110的第一侧部11A突起。

例如，突起部41(或突出部)可以包括第一突起部41A和第二突起部。

接着，将描述线圈120。

线圈120可以被定位成在垂直于光轴方向的方向上对应于或面对第一磁体132。例如，线圈120可以设置在壳体140的第一侧部12A上，以对应于或面对第一磁体132。替代地，例如，线圈120可以设置在筒架110的第一侧部11A(或第一侧表面或第一外表面)与盖构件300的第一侧板之间。

例如，线圈120可以是被配置为与设置在筒架110处的第一磁体132电磁地相互作用的AF驱动线圈。

例如，线圈120可以设置在壳体140上。例如，线圈120的至少一部段可以设置在壳体140中的孔洞106中。

为了从与第一磁体132的相互作用产生电磁力，可以将驱动信号(例如，驱动电流或电压)供应或施加到线圈120。

施加到线圈120的驱动信号可以是DC信号，但不限于此。驱动信号可以是AC信号或包含DC和AC分量两者的信号。

AF移动单元(或AF操作单元)可以借助于由线圈120与磁体130之间的相互作用产生的电磁力而在第一方向上移动，例如，在向上方向上(在+z轴方向上)或在向下方向上(在–z轴方向上)移动。

通过控制施加到第一线圈120的驱动信号的强度和/或极性(例如，电流流动的方向)并因此控制由线圈120与第一磁体132之间的相互作用产生的电磁力的强度和/或方向，可以控制AF移动单元在第一方向上的移动，从而执行自动聚焦功能。

线圈120可以具有闭环形状，例如，具有中心孔120A的环形。线圈120可以联接到设置在壳体140上的电路板190，或者可以安装在电路板190上。例如，线圈120可以设置在电路板190的第一表面上。例如，电路板190的第一表面可以是面对筒架110的第一侧部11A(或第一侧表面或第一外表面)的表面。

例如，线圈120可以被实施为线圈环，其围绕垂直于光轴的轴沿顺时针方向或逆时针方向缠绕或卷绕。

线圈120可以导电地连接到电路板190。例如，线圈120可以使用焊料或导电粘合剂导电地连接到电路板190的端子。例如，线圈120可以导电地连接到电路板190的端子9-1至9-n(n是大于1的自然数)中的两个。

电路板190可以设置在壳体140的第一侧部12A(或第一侧表面或第一外表面)上。例如，电路板190的至少一部段可以设置在形成在壳体140的第一侧部12A中的第二安置部142中。

例如，电路板190的第一表面的至少一部段可以与壳体140中的第二安置部142的底表面接触。

电路板190可以包括多个端子9-1至9-n(n是大于1的自然数)，该多个端子将导电地连接到外部装置或设备。例如，多个端子9-1至9-n可以设置在电路板190的第二表面上。电路板190的第二表面可以是与电路板190的第一表面相对的表面。

例如，电路板190可以是印刷电路板或FPCB。

尽管多个端子9-1至9-n可以例如在电路板190的第二表面的下端处布置成一排，但是本公开不限于此。

尽管根据图1中所示的实施例的电路板190包括六个端子9-1至9-n(例如，n＝6)，但是端子的数量不限于此。

电路板190可以包括用于将位置传感器190导电地连接到端子9-1至9-n的单独的电路图案、导线和/或垫。

轭136可以设置在壳体140上，以对应于或面对第二磁体134。例如，轭136可以设置成在垂直于光轴方向的方向上面对第二磁体134。

轭136可以设置在壳体140的除了壳体140的其上设置有线圈120的第一侧部12A之外的侧部上。例如，轭136可以被定位成与线圈120相对。例如，轭136可以设置在壳体140的第二侧部12B上。例如，第二磁体134可以设置在筒架110的第二侧部11B与轭136之间。替代地，例如，第二磁体134可以设置在第一磁体132与轭136之间。

轭136可以设置成与电路板190间隔开。例如，电路板190可以设置在壳体140的第一侧部12A上，并且第一磁体132可以设置在电路板190与轭136之间。

例如，吸引力可以在垂直于光轴方向的方向上作用在轭136与第二磁体134之间。磁回路可以形成在轭136与第二磁体134之间。

轭136可以由铁磁材料制成。例如，轭136可以是磁性体。例如，轭136可以由铁磁金属制成。替代地，例如，轭136可以由具有磁性的材料制成。

替代地，例如，轭136可以是磁体。这里，轭136可以替代地被称为“第三磁体”。

因为轭136设置在作为静止体的壳体140上，所以联接到第二磁体134的筒架110可以借助于作用在轭136与第二磁体134之间的吸引力而朝向轭136被吸引。

因为滚珠构件310借助于轭136与第二磁体134之间的相互作用被筒架110和壳体140按压，所以轭136和第二磁体134可以被称为“按压单元”或“按压构件”。当筒架110通过按压单元在光轴方向上移动时，可以保持筒架110与滚珠构件310之间的接触以及壳体140与滚珠构件310之间的接触。

滚珠构件310可以设置在筒架110与壳体140之间。滚珠构件310可以替代地被称为“滚动构件”、“滚珠”或“滚珠轴承”。

由于滚珠构件310与筒架110和壳体140接触并且在筒架110与壳体140之间滚动，因此滚珠构件310能够支撑筒架110在光轴方向上的移动。当筒架110在光轴方向上移动时，滚珠构件310能够减小筒架110与壳体140之间的摩擦。借助于滚珠构件310的滚动运动，筒架110在与滚珠构件310接触的状态下在光轴方向上以滑动方式可移动。

尽管滚珠构件310可以由例如金属材料、塑料材料或树脂材料制成，但是本公开不限于此。

滚珠构件310可以具有圆形形状，并且可以具有足够的直径以支撑筒架110在光轴方向上的移动。

例如，滚珠构件310可以设置在筒架110的第二侧部11B(或第二侧表面或第二外表面)与壳体140的第二侧部12B之间。例如，滚珠构件310可以设置成与第一磁体132相对。

例如，滚珠构件310的至少一部段可以设置在筒架110中的凹槽117中。例如，滚珠构件310可以设置在筒架110中的凹槽117与壳体140的内表面之间，并且可以与筒架110中的凹槽117和壳体140的内表面接触。

此外，滚珠构件310可以包括至少一个滚珠构件。例如，滚珠构件310可以包括两个或更多个滚珠构件310A和310B。

例如，滚珠构件310可以包括：第一滚珠构件310A，该第一滚珠构件设置在筒架110中的第一凹槽117A与壳体140的第二侧部12B之间；以及第二滚珠构件310B，该第二滚珠构件设置在筒架110中的第二凹槽117B与壳体140的第二侧部12B之间。

例如，第一滚珠构件310A可以包括多个滚珠B1至B3，并且第二滚珠构件310B可以包括多个滚珠B4至B6。

例如，滚珠构件310的至少一部段可以设置在筒架110中的第一凹槽117A中，并且可以与第一凹槽17A接触。滚珠构件310的至少另一部段可以与壳体140的第二侧部12B的内表面接触。

图4b示出了图4a中所示的实施例的修改方案。

参考图4b，壳体140可以具有凹槽116，该凹槽对应于或面对筒架110中的凹槽117。

例如，凹槽116可以形成在壳体140的第二侧部12B中。例如，凹槽116可以形成在壳体140的第二侧部12B的内表面中。筒架110中的凹槽117的描述可以在修改或不修改的情况下应用于壳体140中的凹槽116。

例如，凹槽116可以包括：第一凹槽116A，该第一凹槽对应于或面对筒架110中的第一凹槽117A；以及第二凹槽116B，该第二凹槽对应于或面对筒架110中的第二凹槽117B。

滚珠构件310的至少一部段可以设置在筒架110中的凹槽117中，并且可以与筒架110中的凹槽117接触。例如，在滚珠构件310的至少一部段与筒架110中的凹槽117之间可以存在一个或多个接触点。

滚珠构件310的至少另一部段可以设置在壳体140中的凹槽116中，并且可以与壳体140中的凹槽116接触。例如，在滚珠构件310的至少另一部段与壳体140中的凹槽116之间可以存在一个或多个接触点。

借助于作用在轭136与第二磁体134之间的吸引力，滚珠构件310可以被筒架110和/或壳体140按压，并且可以稳定地支撑筒架110。

尽管在图1中所示的实施例中，轭136设置在壳体140上并且第二磁体134设置在筒架110上，但是本公开不限于此。在另一实施例中，轭136可以设置在筒架110的第二侧部11B上，并且第二磁体134可以设置在壳体140的第二侧部12B上。

盖构件300可以在其中容纳壳体140。

盖构件300可以具有盒的形式，其在其下部是敞开的并且包括上板301和侧板302。盖构件300的侧板302可以从盖构件300的上板301向下延伸。盖构件300的上板301可以具有多边形形状，例如，四边形形状或八边形形状，并且可以具有穿过其形成的膛孔，以允许透镜或透镜模块暴露于外部光。

盖构件300可以由诸如不锈钢或塑料的非磁性材料制成，以防止盖构件300被吸引到磁体132和134。然而，盖构件300可以替代地由磁性材料制成以用作轭。

图5a是示出了第一磁体132、线圈120、第二磁体134和轭136的实施例的平面图。

参考图5a，例如，第一磁体132在竖直方向上的长度L1可以大于第二磁体134在竖直方向上的长度L2。其原因是，因为第一磁体132是用于AF操作的驱动磁体，所以通过增加第一磁体132在竖直方向上的长度来确保用于AF操作的足够的电磁力。

在另一实施例中，第一磁体132在竖直方向上的长度L1可以等于第二磁体134在竖直方向上的长度L2。在进一步实施例中，第一磁体132在竖直方向上的长度可以小于第二磁体134在竖直方向上的长度。

轭136在竖直方向上的长度L3可以大于第二磁体134在竖直方向上的长度L2。

例如，轭136的面对第二磁体134的第一表面的表面积可以大于第二磁体134的面对轭136的第一表面的表面积。

例如，轭136在竖直方向上的长度L3可以是第二磁体134在竖直方向上的长度L2的三倍或更多倍。替代地，例如，轭136在竖直方向上的长度L3可以是第二磁体134在竖直方向上的长度L2的五倍或更多倍及十倍或更少倍(五倍以上以及十倍以下)。

其原因是，通过增加轭136的长度来增加作用在轭136与第二磁体134之间的吸引力，使得轭136经受到第二磁体134的足够磁力。

这里，“竖直方向”可以是垂直于光轴方向并且从筒架110的第三侧部11C朝向第四侧部11D指向的方向。替代地，“竖直方向”可以是垂直于光轴方向并且平行于第一侧部11A或第二侧部11B的方向。

第一磁体132在水平方向上的长度W1可以大于第二磁体134在水平方向上的长度W2。其原因是，因为第一磁体132是用于AF操作的驱动磁体，所以通过增加第一磁体132在水平方向上的长度来确保用于AF操作的足够的电磁力。在另一实施例中，第一磁体132在水平方向上的长度W1可以等于第二磁体134在水平方向上的长度W2。在进一步实施例中，第一磁体132在水平方向上的长度W1可以小于第二磁体134在水平方向上的长度W2。

例如，“水平方向”可以是与“竖直方向”垂直的方向。

替代地，例如，“水平方向”可以是垂直于光轴方向并且从筒架110的第一侧部11A指向第二侧部11B的方向。替代地，“水平方向”可以是垂直于光轴方向并且平行于筒架110的第三侧部11C或第四侧部11D的方向。

例如，第一磁体132在竖直方向上的长度L1可以等于或大于线圈120在竖直方向上的长度L4。在另一实施例中，第一磁体132在竖直方向上的长度L1可以小于线圈120在竖直方向上的长度L4。

此外，例如，第一磁体132在水平方向上的长度W1可以等于或大于线圈120在水平方向上的长度W4。在另一实施例中，第一磁体132在水平方向上的长度W1可以小于线圈120在水平方向上的长度W4。

当轭136是磁体时，第二磁体134和轭136的面对表面可以具有不同的极性，以允许吸引力作用在轭136与第二磁体134之间。

如图5a所示，例如，第二磁体134的第一表面可以面对轭136的第一表面，第二磁体134的第一表面可以具有S极性，并且轭136的第一表面可以具有N极性。替代地，例如，第二磁体134的第一表面可以具有N极性，并且轭136的第一表面可以具有S极性。

图5b是示出了第一磁体132、线圈120、第二磁体134和轭136的另一实施例的平面图。图5b中所示的第二磁体134和轭136在竖直方向上的长度可以与图5a中所示的实施例不同。

参考图5b，第二磁体134在竖直方向上的长度L21可以小于轭136在竖直方向上的长度L31(L21<L31)。

例如，轭136的面对第二磁体134的第一表面的表面积可以小于第二磁体134的面对轭136的第一表面的表面积。

第二磁体134在竖直方向上的长度L21可以等于或小于第一磁体132在竖直方向上的长度L1。在另一实施例中，第二磁体134在竖直方向上的长度L21可以大于第一磁体132在竖直方向上的长度L1。

虽然图5b中所示的轭136是磁体，但是图5a中所示的实施例的描述可以在修改或不修改的情况下应用于图5b中所示的第二磁体134和轭134的极性。

为了防止筒架110在AF操作期间的倾斜，第二磁体134在光轴方向上的长度可以不同于轭136在光轴方向上的长度。

此外，例如，在筒架110在光轴方向上移动的整个区段中，第二磁体134的整个区域可以在垂直于光轴方向的方向上与轭136重叠。

图6a是在光轴OA的方向上截取的第一磁体132、线圈120、第二磁体134和轭136的实施例的横截面图。

参考图6a，第一磁体132在光轴方向上的长度H1可以大于第二磁体134在光轴方向上的长度H2。其原因是，因为第一磁体132是用于AF操作的驱动磁体，所以通过增加第一磁体132在光轴方向上的长度来确保用于AF操作的足够的电磁力。

在另一实施例中，第一磁体132在光轴方向上的长度可以等于第二磁体134在光轴方向上的长度。在进一步实施例中，第一磁体132在光轴方向上的长度可以小于第二磁体134在光轴方向上的长度。

第一磁体132的至少一部段可以在垂直于光轴OA的方向上与第二磁体134的至少一部段重叠。这里，垂直于光轴OA的方向可以是与延伸穿过光轴OA且与光轴OA垂直的直线平行的方向。

轭136在光轴方向上的长度H3可以大于第二磁体134在光轴方向上的长度H2(H3>H2)。

例如，轭136在光轴方向上的长度H3可以是第二磁体134在光轴方向上的长度H2的1.5倍或更多倍。例如，轭136在光轴方向上的长度H3可以是第二磁体134在光轴方向上的长度H2的两倍或更多倍及五倍或更少倍(两倍以上以及五倍以下)。

长度H3大于长度H2的原因是，在筒架110在光轴方向上移动以进行AF操作的区段中保持作用在第二磁体134与轭136之间的吸引力恒定。

作用在第二磁体134与轭136之间的吸引力可能受到轭136在垂直于光轴方向的方向上与第二磁体134重叠的范围的影响。

例如，当在筒架110在光轴方向上移动的整个区段中第二磁体134的整个区域在垂直于光轴方向的方向上与轭136重叠时，可以保持作用在第二磁体134与轭136之间的吸引力恒定。

相比之下，当第二磁体134的至少一部段在垂直于光轴方向的方向上不与轭136重叠时，作用在第二磁体134与轭136之间的吸引力可能减小，从而导致筒架110不与滚珠构件310紧密接触的情况。因此，筒架110可能相对于光轴倾斜，从而使得不可能执行精确的AF操作。

因此，在筒架110在光轴方向上移动的整个区段中，第二磁体134的上端26A(或上表面或上部)可以被定位在比轭136的上端27A(或上表面或上部)低的位置，并且第二磁体134的下端2BA(或下表面或下部)可以被定位在比轭136的下端27B(或上表面或上部)高的位置。这里，用于筒架移动的整个区段可以是筒架从筒架110的最低点到筒架110的最高点的位置(或位移)。

在另一实施例中，当筒架110被定位在最高点处时，第二磁体134的上端25A(或上表面或上部)可以与轭136的上端27A(或上表面或上部)齐平。同时，当筒架110被定位在最低点处时，第二磁体134的下端26B(或下表面或下部)可以与轭136的下端27B(或下表面或下部)齐平。

尽管在图6a中轭136的下端27B被定位成高于筒架110的最低端72，但是本公开不限于此。在另一实施例中，轭136的下端27B可以被定位成低于筒架110的最低端72，或者可以被定位在与图6a中的筒架110的最低端72相同的水平处。例如，筒架110的最下端72可以是设置在筒架110的下表面或筒架110的下侧处的止动件的下端或下表面。例如，轭136的下端27B可以向下突起超过筒架110的最低端72。

图6b示出了当图6a中所示的筒架110被定位在最低点处时，第二磁体134的上端26A与轭136的上端27A之间的距离。

参考图6b，当筒架110被定位在最低点处时，第二磁体134的上端26A与轭136的上端27A之间在光轴方向上的第一距离d1可以大于筒架110在光轴方向上的总行程距离或可移动距离。

例如，筒架110的总行程距离可以是筒架110从其最低点移动到最高点的距离。

例如，最低点可以是筒架110在光轴方向上移动以进行AF操作的位移的最低点。例如，最低点可以是当筒架110的下端或筒架110的下止动件与静止部段(例如，壳体140)接触或碰撞时筒架110的位移或位置。

例如，最高点可以是筒架110在光轴方向上移动以进行AF操作的位移的最高点。例如，最高点可以是当筒架110的上端或筒架110的上止动件与静止部段(或壳体140)或盖构件300接触或碰撞时筒架110的位移或位置。

例如，第一距离d1可以是筒架110在光轴方向上的总行程距离的一倍或多倍及三倍或更少倍。替代地，例如，第一距离d1可以是筒架110在光轴方向上的总行程距离的1.5至两倍。

在另一实施例中，例如，第一距离d1可以等于筒架110在光轴方向上的总行程距离。

例如，当筒架110被定位在最低点处时，第二磁体134的下端26B与轭136的下端27A之间在光轴方向上的第二距离d2可以是0或更大，并且可以是筒架110在光轴方向上的总行程距离的两倍或更少倍。

例如，第二距离d2可以是筒架110在光轴方向上的总行程距离的一至两倍。替代地，第二距离d2可以是0或更大，并且可以是筒架110在光轴方向上的总行程距离的1.5倍或更小倍。

图6c示出了当图6a中所示的筒架110被定位在最高点处时，第二磁体134的上端26A与轭136的上端27A之间的距离。

参考图6c，例如，当筒架110被定位在最高点处时，第二磁体134的上端26A与轭136的上端27A之间在光轴方向上的第三距离d3可以是0或更大，并且可以是筒架110在光轴方向上的总行程距离的两倍或更少倍。

例如，第三距离d3可以是筒架110在光轴方向上的总行程距离的一至两倍。替代地，例如，第三距离d3可以是0或更大，并且可以是筒架110在光轴方向上的总行程距离的1.5倍或更小倍。

当筒架110被定位在最高点处时，第二磁体134的下端26B与轭136的下端27B之间在光轴方向上的第四距离d4可以大于筒架110在光轴方向上的总行程距离或可移动距离。

例如，第四距离d4可以是筒架110在光轴方向上的总行程距离的一倍或多倍及三倍或更少倍。替代地，第四距离d4可以是筒架110在光轴方向上的总行程距离的1.5至两倍。

当第一距离d1(或第四距离d4)小于总行程距离时，作用在第二磁体134与轭136之间的吸引力可能不会保持恒定，从而恶化AF操作的可靠性。同时，当第一距离d1(或第四距离d4)大于总行程距离的三倍时，轭136的尺寸可能不必要地增加，从而增加了透镜移动装置的尺寸和总成本。

在另一实施例中，例如，第四距离d4可以等于筒架110在光轴方向上的总行程距离。

如图6b和图6c所示，由于即使当筒架110在光轴方向上移动以进行AF操作时，第二磁体134的整个区域也与轭136重叠，因此施加到第一滚珠构件310的按压力可以保持恒定，并且可以抑制筒架110的倾斜并因此确保AF操作的可靠性。

在另一实施例中，在筒架110在光轴方向上移动的整个区段中，第二磁体134在垂直于光轴方向的方向上与轭136重叠的区域可以是第二磁体134的总体积的50％或更多。

图7a是在光轴OA的方向上截取的第一磁体132、线圈120、第二磁体134和轭136的另一实施例的横截面图。

参考图7a，第二磁体134在光轴方向上的长度H21可以大于第一磁体132在光轴方向上的长度H1(H21>H1)。

轭136在光轴方向上的长度H31可以小于第二磁体134在光轴方向上的长度H21。长度H21大于长度H31的原因是，在筒架110在光轴方向上移动以进行AF操作的区段中保持作用在第二磁体134与轭136之间的吸引力恒定。

因此，在筒架110在光轴方向上移动的整个区段中，轭136的上端27A(或上表面或上部)可以被定位成低于第二磁体134的上端26A(或上表面或上部)，并且轭136的下端27B(或下表面或下部)可以被定位成高于第二磁体134的下端26B(或上表面或上部)。

在另一实施例中，当筒架110被定位在最高点处时，轭136的上端27A(或上表面或上部)可以与第二磁体134的上端26A(或上表面或上部)齐平。此外，当筒架110被定位在最低点处时，轭136的下端27B(或下表面或下部)可以与第二磁体134的下端26B(或下表面或下部)齐平。

图7b示出了当筒架110被定位在最低点处时，第二磁体134的上端26A与轭136的上端27A之间的距离。

参考图7b，当筒架110被定位在最低点处时，第二磁体134的上端26A与轭136的上端27A之间在光轴方向上的第一距离d11可以是0或更大，并且可以是筒架110在光轴方向上的总行程距离的两倍或更少倍。

例如，第一距离d11可以是筒架110在光轴方向上的总行程距离的一至两倍。替代地，例如，第一距离d11可以是0或更大，并且可以是筒架110在光轴方向上的总行程距离的1.5倍或更小倍。

当筒架110被定位在最低点处时，第二磁体134的下端26B与轭136的下端27B之间在光轴方向上的第二距离d12可以大于筒架110在光轴方向上的总行程距离或可移动距离。

例如，第二距离d12可以是筒架110在光轴方向上的总行程距离的一倍或多倍及三倍或更少倍。替代地，例如，第二距离d12可以是筒架110在光轴方向上的总行程距离的1.5至两倍。

在另一实施例中，例如，第二距离d12可以等于筒架110在光轴方向上的总行程距离。

图7c示出了当筒架110被定位在最高点处时，第二磁体134的上端26A与轭136的上端27A之间的距离。

参考图7c，当筒架110被定位在最高点处时，第二磁体134的上端26A与轭136的上端27A之间在光轴方向上的第三距离d13可以大于筒架110在光轴方向上的行程范围或可移动距离。

例如，第三距离d13可以是筒架110在光轴方向上的总行程距离的一倍或多倍及三倍或更少倍。替代地，例如，第三距离d13可以是筒架110在光轴方向上的总行程距离的1.5至两倍。

在另一实施例中，例如，第三距离d13可以等于筒架110在光轴方向上的总行程距离。

例如，当筒架110被定位在最高点处时，第二磁体134的下端26B与轭136的下端27B之间在光轴方向上的第四距离d14可以是0或更大，并且可以是筒架110在光轴方向上的总行程距离的两倍或更少倍。

例如，第四距离d14可以是筒架110在光轴方向上的总行程距离的一至两倍。替代地，例如，第四距离d14可以是0或更大，并且可以是筒架110在光轴方向上的总行程距离的1.5倍或更小倍。

当第二距离d12(或第三距离d13)小于总行程距离时，作用在第二磁体134与轭136之间的吸引力可能不会保持恒定，从而恶化AF操作的可靠性。当第二距离d12(或第三距离d13)大于总行程距离的三倍时，第二磁体134的尺寸可能不必要地增加，从而增加了透镜移动装置的尺寸和总成本。

如图7b和图7c所示，由于即使当筒架110在光轴方向上移动以进行AF操作时，整个轭132也在垂直于光轴方向的方向上与第二磁体134重叠，因此施加到第一滚珠构件310的按压力可以保持恒定，从而抑制筒架110的倾斜并确保AF操作的可靠性。

图8a是根据另一实施例的透镜移动装置的平面图。图8b是图8a中所示的壳体140、滚珠构件320和轭136的立体图。图8a和图8b中所示的实施例可以是图3和图4a中所示的实施例的修改方案。

附加于图3和图4a所示的实施例，根据图8a和图8b所示的实施例的透镜移动装置还可以包括滚珠构件320。

滚珠构件320可以设置在筒架110的第一侧部11A与壳体140的第一侧部12A之间。例如，壳体140可以包括一个或多个凹槽118A和118B，滚珠构件320设置或接收在该一个或多个凹槽中。

例如，凹槽118A和118B可以形成在壳体的第一侧部12A中。凹槽118A和118B可以具有从壳体140的第一侧部12A的内表面凹陷的结构。

例如，凹槽118A和118B可以形成在壳体140的突起部41(或突出部)中。例如，凹槽118A和118B可以形成在壳体140的突起部41的面对筒架110的第一侧部11A(或第一侧表面或第一外表面)的侧表面中。

例如，凹槽118A和118B可以被定位在线圈120与壳体140的与壳体140的第一侧部12A相邻的拐角之间。

例如，壳体140可以包括第一凹槽118A和第二凹槽118B。例如，第一凹槽118A可以被定位在线圈120与壳体140的与第一侧部12A相邻的拐角之间。此外，第二凹槽118B可以被定位在线圈120与壳体140的与第一侧部12A相邻的另一个拐角之间。

例如，第一凹槽118A可以形成在壳体140的第一突起部41A中，并且第二凹槽118B可以形成在壳体140的第二突起部41B中。

例如，凹槽118A和118B可以具有形成在壳体140的上表面中的开口。例如，凹槽118A和118B的下部可以不是敞开的，而是可以在壳体140的下表面处封闭。凹槽118A和118B的下部可以在光轴方向上相对于壳体140的下表面具有高度差。例如，凹槽118A和118B的下部可以被定位成高于壳体140的下表面。

尽管当从上方观察时，凹槽118A和118B中的每个都可以具有例如三角形形状，但是本公开不限于此。凹槽118A和118B中的每个都可以具有多边形形状(例如，四边形形状、五边形形状等)。例如，凹槽118A和118B中的每个都可以是“V”形或“U”形凹槽。

在另一实施例中，凹槽可以不形成在壳体140中，而是形成在筒架110的第一侧部11A(第一侧表面或第一外表面)中，以允许滚珠构件320设置或接收在其中。

滚珠构件320可以设置在壳体140中的凹槽118A和118B中的对应一个与筒架110的第一侧部11A之间。滚珠构件320可以与壳体140中的凹槽118A和118B中的对应一个以及筒架110的第一侧部11A接触。

滚珠构件320的至少一部段可以设置在壳体140中的凹槽118A和118B中的对应一个中并与其接触。在滚珠构件320的至少一部段与壳体140中的凹槽118A和118B中的对应一个之间可以存在一个或多个接触点。

滚珠构件320可以包括至少一个滚珠构件。例如，滚珠构件320可以包括两个或更多个滚珠构件320A和320B。例如，滚珠构件320可以包括第三滚珠构件320A和第四滚珠构件320B。

第三滚珠构件320A可以设置或接收在壳体140中的第一凹槽118A中，并且第四滚珠构件320B可以设置或接收在壳体140中的第二凹槽118B中。

图4a中所示的滚珠构件320的形状和材料的描述可以在修改或不修改的情况下应用于图8a和图8b中所示的滚珠构件320。

与图4a中所示的实施例相比，图8a和图8b中所示的实施例能够借助于滚珠构件320进一步减小筒架110与壳体140之间的摩擦，以减小正常AF操作所需的驱动力，并降低功耗。

在图8a中所示的实施例的修改方案中，壳体140可以包括图4B中所示的凹槽116，并且筒架110可以包括图9b中所示的凹槽119。

图9a是根据进一步实施例的透镜移动装置的平面图。图10是图9中所示的透镜移动装置的第一磁体132、线圈120、第二磁体134和轭136的平面图。

根据图9a和图10中所示的实施例的透镜移动装置可以是图4a和图8a中所示的透镜移动装置的修改方案。在图9a和图10中所示的透镜移动装置中，可以省略图4a和图8a中所示的滚珠构件310，滚珠构件320可以设置在筒架110的第一侧部11A与壳体140的第一侧部12A之间，并且排斥力可以作用在第二磁体134与轭136之间。

例如，借助于作用在第二磁体134与轭136之间的排斥力，筒架110(和/或壳体140)可以按压滚珠构件320，并且因此滚珠构件320可以稳定地支撑筒架110。

轭136可以将第二磁体134推向滚珠构件320。此外，轭134可以将筒架110推向滚珠构件320。因此，筒架110可以与滚珠构件320紧密接触。

例如，作用在轭136与第二磁体134之间的排斥力可以是5[gf]或更小。替代地，作用在轭136与第二磁体134之间的排斥力可以是1[gf]至3[gf]。替代地，作用在轭136与第二磁体134之间的排斥力可以是0.1[gf]至2[gf]。

轭134可以在平行于下列直线的方向上与第一磁体132重叠，该直线垂直于光轴OA并且延伸穿过筒架110的中心。例如，当第一磁体132是双极磁化磁体时，轭134可以在平行于下列直线的方向上与第一磁体132重叠，该直线垂直于光轴OA并且延伸穿过筒架的中心。

除了对施加有吸引力的第二磁体134和轭136的极性的描述之外，图5a至图7c中所示的实施例的描述可以在修改或不修改的情况下应用于图9a至图10中所示的实施例。

在图9a和图10中，轭136可以是“磁体”(例如，“第三磁体”)，并且第二磁体134和轭136的面对表面可以具有相同的极性，以使排斥力作用在图10中所示的轭136与第二磁体134之间。

如图10所示，例如，第二磁体134的第一表面可以面对轭136的第一表面，第二磁体134的第一表面可以具有N极性，并且轭136的第一表面可以具有N极性。替代地，例如，第二磁体134的第一表面可以具有S极性，并且轭136的第一表面可以具有S极性。

例如，作为磁体的轭136的磁力的强度可以低于第一磁体132的磁力的强度。替代地，在另一实施例中，作为磁体的轭136的磁力的强度可以等于或高于第一磁体132的磁力的强度。

例如，作为磁体的轭136的磁力的强度可以高于第二磁体134的磁力的强度。替代地，在另一实施例中，例如，作为磁体的轭136的磁力的强度可以等于第二磁体134的磁力的强度。在另一实施例中，例如，作为磁体的轭136的磁力的强度可以高于第二磁体134的磁力的强度。

作为磁体的轭136和第一磁体132可以由不同的材料或成分制成。在另一实施例中，轭136和第一磁体132可以由相同的材料或成分制成。

第二磁体132和轭136可以由相同的材料或成分制成。在另一实施例中，第二磁体132和轭136可以由不同的材料或成分制成。

图4a至图7c中所示的实施例的描述可以在修改或不修改的情况下应用于图10中所示的实施例的第一磁体132的磁力强度与第二磁体134的磁力强度之间的关系。

在图9a和图10所示的实施例中，因为排斥力作用在独立于第一磁体132的第二磁体134与轭136之间，所以可以容易且自由地设计或设定筒架110/壳体140与滚珠构件310之间的摩擦力。

因此，在图9a和图10中所示的实施例中，可以容易且自由地设计或设定筒架110/壳体140与滚珠构件310之间的摩擦力，而不管AF操作所需的电磁力的保证如何。此外，由于轭136的尺寸不受第一磁体132的限制，因此可以自由地改变轭136的尺寸，从而自由地改变透镜移动装置100的设计自由度。

随着蜂窝电话功能的改进和像素数量的增加，图像传感器和透镜孔径(lensaperture，透镜光圈)的尺寸正在增加。特别地，存在以实现高数量像素和改善图像品质为目的来增加透镜孔径的趋势。

因为当透镜光圈增加时AF移动单元的重量增加，所以AF移动单元必须被稳定地支撑，并且AF移动单元相对于光轴的倾斜必须被抑制或减小，以确保稳定且可靠的AF操作。在包括用于支撑筒架的滚珠构件的滚珠型透镜移动装置中，需要根据透镜的重量容易地调节或设定筒架和/或壳体与滚珠构件之间的摩擦力。

图9b示出了图9a中所示的实施例的修改方案。

参考图9b，筒架110可以包括凹槽119，该凹槽对应于或面对壳体140中的凹槽118A和118B中的对应一个。

例如，凹槽119可以形成在筒架110的第一侧部11A中。例如，凹槽119可以形成在筒架110的第一侧部11A的侧表面或外表面中。筒架110中的凹槽117的描述可以在修改或不修改的情况下应用于筒架110中的凹槽119。

例如，凹槽119可以包括：第一凹槽119A，该第一凹槽对应于或面对壳体140中的第一凹槽118A；以及第二凹槽119B，该第二凹槽对应于或面对壳体140中的第二凹槽118B。

滚珠构件320A和320B的至少一部分可以设置在筒架110中的凹槽119中并与其接触。例如，在滚珠构件320的至少一部段与筒架110中的凹槽119之间可以存在一个接触点。

滚珠构件320A和320B的至少另一部段可以设置在壳体140中的凹槽118A和118B中并与其接触。例如，在滚珠构件320A和320B的至少另一部段与壳体140中的凹槽118A和118B之间可以存在一个或多个接触点。

图13是根据比较实施例的滚珠型透镜移动装置10A的示意性横截面图。

参考图13，在比较实施例10A中，驱动磁体20设置在筒架10的第一侧部上或联接到筒架的第一侧部，并且线圈40可以设置在壳体30的第一侧部上以面对驱动磁体20。电路板50可以设置在壳体30的第一侧部上，线圈40可以设置在电路板50的前表面上，并且轭60可以设置在电路板50的后表面上。在比较实施例10A中，滚珠构件(未示出)可以设置在筒架10的第一侧部与壳体140的第一侧部之间。

因为驱动磁体20必须用于通过与线圈40的相互作用而使筒架10在光轴方向上移动，所以需要设计能够确保AF操作所需的电磁力的尺寸和磁力。

筒架10和/或壳体30与滚珠构件之间的摩擦力可以根据作用在驱动磁体20与轭60之间的吸引力来确定。例如，当吸引力增加时，筒架10和/或壳体30与滚珠构件之间的摩擦力可以增加。同时，当吸引力减小时，筒架10和/或壳体30与滚珠构件之间的摩擦力可以减小。

在比较实施例中，因为预先设定了用于AF操作的驱动磁体20的尺寸和磁力，所以根据驱动磁体20的设计，作用在驱动磁体20与轭60之间的吸引力可能受到限制。此外，根据驱动磁体20的设计，轭60的尺寸也可能受到限制。

换言之，不可能自由地设计或设定作用在驱动磁体20与轭60之间的吸引力，以调节或控制筒架10和/或壳体30与滚珠构件之间的摩擦力。

相反，在本实施例中，由于吸引力作用在独立于第一磁体132的第二磁体134与轭136之间，因此可以容易且自由地设计或设定筒架110和/或壳体140与滚珠构件310之间的摩擦力。

因此，在本实施例中，具有能够容易且自由地设计或设定筒架110和/或壳体140与滚珠构件310之间的摩擦力的效果，而不管AF操作所需的电磁力的保证如何。

此外，因为轭136的尺寸不受第一磁体132的限制，所以可以自由地改变轭136的尺寸，从而改善透镜移动装置100的设计自由度。

图11a示出了根据该实施例的位置传感器170和基座210。

参考图11a，基座210可以设置在壳体140d(或筒架110)下方。基座210可以具有与筒架110中的膛孔21和/或壳体140中的膛孔201对应的膛孔21A，并且可以具有与盖构件300重合或对应的形状，例如，四边形形状。

台阶212可以形成在基座210的外表面的下端处，并且粘合剂可以被施加到基座210的台阶212，以便粘合地固定盖构件300。这里，基座210的台阶211可以引导联接到台阶211上侧的盖构件300的侧板302的下端，并且可以面对盖构件300的侧板302的下端。粘合构件或密封构件可以设置或施加在基座210的侧板302的下端与基座210的台阶211之间。

例如，基座210可以借助于粘合构件(诸如环氧树脂或硅树脂)联接到壳体140。

基座210可以具有凹槽215，该凹槽形成在其对应于电路板190的外表面中，以允许电路板190的至少一部段(例如，下端)设置、***或安置在其中。

例如，凹槽215可以形成在基座210的与壳体140的第一侧部12A对应的第一外表面中。例如，电路板190的端子9-1至9-n可以设置在基座210中的凹槽215中。在另一实施例中，基座210可以不具有凹槽215。

基座210可以具有安置凹槽214，位置传感器170设置、***或安置在该安置凹槽中。例如，安置凹槽214可以具有从基座210的上表面凹陷的结构。

位置传感器170可以设置在基座210上。例如，位置传感器170可以设置在基座210的上表面上(或凹槽214中)。例如，位置传感器170的描述可以在修改或不修改的情况下应用于稍后将描述的图28中所示的霍尔传感器140。

例如，位置传感器170可以被设置为对应于第一磁体132。

例如，位置传感器170可以在光轴方向上设置在与第一磁体132对应的位置处。例如，位置传感器170可以设置在基座210上以检测第一磁体132的磁场。

例如，位置传感器170的至少一部段可以在光轴方向上与第一磁体132重叠。例如，位置传感器170可以在光轴方向上不与第二磁体134和轭136重叠。此外，例如，位置传感器170可以在垂直于光轴方向的方向上不与第一磁体132重叠。此外，例如，位置传感器170可以在垂直于光轴方向的方向上不与第二磁体134和轭136重叠。

在另一实施例中，位置传感器170可以在光轴方向上不与第一磁体132重叠。

例如，位置传感器170可以设置在第一磁体132下方。此外，例如，位置传感器170可以设置得比线圈120更低。此外，例如，位置传感器170可以被定位成低于筒架110。例如，位置传感器170可以被定位成低于筒架110的下端、下部或下表面。

位置传感器170可以在筒架110的移动期间检测安装在筒架110上的第一磁体132的磁场的强度，并且可以输出与检测结果对应的信号(例如，输出信号)。例如，相机设备200的控制器或终端200A的控制器780可以使用来自位置传感器170的输出信号来感测或检测筒架110在光轴方向上的位移。

位置传感器170可以包括霍尔传感器，并且可以被实现为任何传感器，只要该传感器能够检测磁场即可。

位置传感器170可以被实现为单独的霍尔传感器，或者可以被实现为包括霍尔传感器的驱动器。驱动器型位置传感器可以包括温度感测元件。

例如，当位置传感器170被实现为单独的霍尔传感器时，位置传感器170可以包括：两个输入端子，驱动信号或功率被供应到该两个输入端子；以及两个输出端子，通过该两个输出端子输出感测到的电压(或输出电压)。

例如，当位置传感器170被实现为单独的霍尔传感器时，电路板190可以包括第一端子和第二端子(例如，9-1和9-2)，该第一端子和第二端子导电地连接到位置传感器170的两个输入端子，以为两个输入端子提供功率或驱动信号。这里，电路板190可以包括第三端子和第四端子(例如，9-3和9-4)，该第三端子和第四端子导电连接到位置传感器170的两个输出端子，以从该两个输出端子接收位置传感器170的输出信号。此外，电路板190可以包括第五端子和第六端子(例如，9-5和9-6)，该第五端子和第六端子导电地连接到线圈120，以将驱动信号供应到线圈120。

替代地，例如，当位置传感器170是包括霍尔传感器的驱动器型位置传感器时，位置传感器170可以包括：第一端子至第四端子，用于使用诸如I2C通信的协议通过数据通信向外部设备发送数据和从外部设备接收数据；以及第五端子和第六端子，用于将驱动信号供应到线圈120。这里，位置传感器170的第一端子和第二端子可以是用于接收功率信号的端子，并且位置传感器170的第三端子和第四端子可以是用于发送和接收时钟信号和数据信号的端子。

当位置传感器170是包括霍尔传感器的驱动器型位置传感器时，电路板190可以包括导电连接到位置传感器170的第一端子至第四端子的第一端子至第四端子(例如，9-1至9-4)。位置传感器170的第五端子和第六端子可以经由电路板190导电地连接到线圈120，使得驱动信号经由位置传感器170的第五端子和第六端子被供应到线圈120。

图11a示出了位置传感器170的另一设置。图11b示出了图11a中所示的实施例的修改方案。

参考图11b，例如，位置传感器170可以设置为对应于第二磁体134。例如，位置传感器170可以在光轴方向上设置在与第二磁体134对应的位置处。例如，位置传感器170可以设置在基座210上，以检测第二磁体134的磁场。

例如，位置传感器170的至少一部段可以在光轴方向上与第二磁体134重叠。例如，位置传感器170可以在光轴方向上不与第一磁体132和轭136重叠。在另一实施例中，位置传感器170可以在光轴方向上不与第二磁体134重叠。

例如，位置传感器170可以设置在第二磁体134下方。例如，位置传感器170可以设置为低于线圈120。

透镜移动装置100可以包括导电地连接到位置传感器170的导电构件。导电构件可以包括导电地连接到位置传感器170的至少一个端子。

图12a示出了位置传感器170与导电构件410之间的导电连接的实施例。

参考图12a，导电构件410可以设置在基座210上，并且可以导电地连接到位置传感器170。导电构件410可以由导电材料(例如，金属)制成。

例如，导电构件410可以导电地连接到电路板190。例如，导电构件410可以包括被配置为将位置传感器170导电地连接到电路板190的多个导电部段。

例如，导电构件410可以是通过表面电极技术等形成在基座210的表面上的端子、导线或电路图案。

替代地，例如，导电构件410可以是通过***注射成型形成在基座210上的***端子。例如，导电构件410可以包括被配置为将位置传感器170导电地连接到电路板190的多个端子。

尽管导电构件410可以形成在例如基座410上，但是本公开不限于此。

图12a示出了图11a中所示的实施例，并且图12a中所示的导电构件410的描述可以在修改或不修改的情况下应用于图11b中所示的实施例。

图12b示出了位置传感器170与导电构件420之间的导电连接的另一实施例。

参考图12b，导电构件420可以包括电路板或电路构件，电路板或电路构件包括导电地连接到位置传感器170的至少一个端子。例如，导电构件420可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。

导电构件420可以设置在基座210上。例如，导电构件420可以设置在基座210的上表面上。位置传感器170可以设置在导电构件420下方，并且可以直接联接到导电构件420。

例如，位置传感器170可以联接到导电构件420(例如，电路板)的下表面，以使用焊料或导电粘合剂导电地连接到导电构件170。例如，位置传感器170可以设置在导电构件420与基座210之间。

例如，导电构件420可以包括朝向基座210的外表面弯曲或朝向外表面延伸的端子部423。端子部423可以包括导电地连接到位置传感器170的至少一个端子425。

例如，导电构件420可以包括：本体421，该本体设置在基座210的上表面上并且其上设置有位置传感器170；以及端子部423，该端子部在本体421的端部处朝向基座210的外表面弯曲或从本体421朝向外表面延伸。例如，位置传感器170可以设置在本体421的下表面上，并且多个端子425可以形成在端子部423上。

例如，尽管电路板190可以与电路板420分离或间隔开，但是本公开不限于此。在另一实施例中，电路板190和电路板420可以一体地形成为单个板。

在另一实施例中，位置传感器170可以设置在导电构件420上。在另一实施例中，例如，位置传感器170可以联接到导电构件420(例如，电路板)的上表面，并且因此可以使用焊料或导电粘合剂导电地连接到导电构件170。

图12b示出了图11b中所示的实施例，并且图12b中所示的导电构件420的描述可以应用于图11a中所示的实施例。

尽管在图11a、图11b、图12a和图12b中示出了根据图6a中所示的实施例的第一磁体132、第二磁体134和轭136，但是本公开不限于此。图11a、图11b、图12a和图12b的描述可以在修改或不修改的情况下应用于图1至图10中所示的其他实施例。

尽管在图1至图12b中所示的实施例中位置传感器170设置在基座210上，但是可以省略基座210，并且在另一实施例中，位置传感器170可以设置在壳体140的底表面上，以在光轴方向上对应于、面对或重叠第一磁体132或第二磁体134。

根据实施例的透镜移动装置可以应用于各种领域，例如，相机模块、相机、相机设备或光学设备的领域。

例如，根据实施例的透镜移动装置100可以被包括在光学仪器中，该光学仪器被设计成使用作为光的特性的反射、折射、吸收、干涉、衍射等来形成空间中的物体的图像，以扩展视力，记录通过透镜获得的图像或再现图像，执行光学测量，或传播或传送图像。例如，虽然根据实施例的光学仪器可以是移动电话、蜂窝电话、智能电话、便携式智能仪器、数码相机、膝上型计算机、数字广播终端、PDA(个人数字助理)、PMP(便携式多媒体播放器)、导航设备等，但是本公开不限于此。此外，能够拍摄图像或照片的任何设备都是可能的。

图14是示出了根据实施例的相机设备200的分解立体图。

参考图14，相机设备200可以包括透镜模块400、透镜移动装置100、电路板800和图像传感器810。

相机设备200还可以包括被定位在透镜模块400与图像传感器810之间的滤光器(filter，过滤器)(未示出)。尽管滤光器可以设置或安置在例如基座210上，但是本公开不限于此。例如，基座210的下表面可以设置有安置凹槽，滤光器安置或设置在该安置凹槽中。基座210可以经由粘合构件(未示出)联接、附接或固定到电路板800的上表面。

透镜模块400可以包括透镜和/或透镜筒，并且可以安装在透镜移动装置100的筒架110中。

例如，透镜模块400可以包括一个或多个透镜和被配置为容纳透镜的透镜筒。然而，透镜模块的一个部件不限于透镜筒，并且可以使用任何部件，只要其具有能够支撑一个或多个透镜的保持结构即可。透镜模块可以联接到透镜移动装置100并且可以随其移动。

例如，透镜模块400可以通过螺纹接合被联接到透镜移动装置100。例如，透镜模块400可以借助于粘合剂(未示出)联接到透镜移动装置100。已经穿过透镜模块400的光可以通过滤光器被辐射到图像传感器810。

滤光器可以用于防止穿过透镜筒400的特定频带内的光被引入图像传感器810中。滤光器可以是例如红外光阻挡滤光器，但不限于此。

电路板800可以设置在透镜移动装置100下方，并且图像传感器810可以设置或安装在电路板800上。图像传感器810可以接收被包括在通过透镜移动装置100引入的光中的图像，并且可以将接收到的图像转换为电信号。

电路板800可以导电地连接到透镜移动装置100的电路板190。例如，电路板800可以包括端子801，该端子导电地连接到透镜移动装置100的电路板190的端子9-1至9-n。例如，待被供应到线圈120的驱动信号和待被供应到位置传感器170的驱动信号(或时钟信号和/或数据信号)可以被发送到电路板800的端子801和透镜移动装置100的电路板190的端子9-1至9-n。位置传感器170的输出可以从透镜移动装置100的电路板190的端子9-1至9-n发送到电路板800的端子801。

图像传感器810可以被定位成使得其光轴与透镜模块400的光轴对准。因此，图像传感器810可以获得已经穿过透镜模块400的光。图像传感器810可以输出辐射光作为图像。例如，图像传感器810可以例如是CCD(电荷耦合器件)、MOS(金属氧化物半导体)、CPD或CID。然而，图像传感器的种类不限于此。

滤光器和图像传感器810可以设置成在光学方向上彼此面对的状态下彼此间隔开。

图15是根据进一步(另外的)实施例的相机设备200-2的分解立体图。

参考图15，相机设备200-2是图14中所示的相机模块的修改方案。在图15中，位置传感器170未设置在基座210上，而是设置在相机设备200-1的电路板800上。

例如，位置传感器170可以设置在基座210与电路板800之间。替代地，例如，位置传感器170可以设置在基座210下方。为了避免与位置传感器170空间干扰，可以在基座210的下表面中形成凹槽或避开凹槽。

例如，位置传感器170可以直接联接到电路板800，并且可以使用焊料或导电粘合剂导电地连接到电路板800。因此，在图15中所示的实施例中，不需要提供被配置为将位置传感器170导电地连接到电路板170的附加导电构件410和420。

例如，位置传感器170可以在光轴方向上对应于、面对或重叠第一磁体132。

替代地，在另一实施例中，位置传感器170可以在光轴方向上对应于、面对或重叠第二磁体134。图11a和图11b中所示的位置传感器170的描述可以在修改或不修改的情况下应用于图15中所示的实施例。

图16是根据进一步实施例的相机设备200-2的分解立体图。图16中所示的相机设备200-2可以是图14中所示的相机设备200的修改方案。

参考图16，位置传感器170可以不设置在基座210上，而是可以设置在相机设备200-1(200-2)的电路板800上，并且在图16中可以省略基座210。

位置传感器170可以设置在筒架110(和/或壳体140)与电路板800之间。例如，位置传感器170可以设置在设置在筒架110上的第一磁体132或第二磁体134与电路板800之间。

为了避免与位置传感器170空间干扰，可以在壳体140的下表面中形成凹槽或避开凹槽。

例如，位置传感器170可以在光轴方向上对应于、面对或重叠第一磁体132或第二磁体134。图11a和图11b中所示的位置传感器170的描述可以在修改或不修改的情况下应用于图16中所示的实施例。

此外，图15中所示的实施例的描述可以应用于电路板800与位置传感器170之间的联接和导电连接。

图17是根据实施例的透镜移动装置1100的分解图。图18是图17中所示的筒架1110、第一磁体1132和第二磁体1134的分解立体图。图19是图17中所示的壳体1140和轭1136的分解立体图。图20a是图17中所示的透镜移动装置110的平面图，其中移除了盖构件1300。

参考图17至图20a，透镜移动装置1100可以包括筒架1110、第一磁体1132、第二磁体1134、壳体1140、线圈1120、滚珠构件1310和轭1136。

透镜移动装置1100还可以包括用于AF反馈操作的位置传感器1170。另外，透镜移动装置1100还可以包括电路板1190，该电路板导电地连接到位置传感器1170，以将驱动信号供应到位置传感器1170并接收位置传感器1170的输出。

透镜移动装置1100还可以包括被配置为在其中容纳壳体1140的盖构件1300。

旨在在其上安装透镜或透镜筒的筒架1110可以设置在壳体1140中，并且可以借助于线圈1120与第一磁体1132之间的电磁相互作用而在光轴OA的方向上或在第一方向上(例如，在Z轴方向上)移动。替代地，筒架1110可以被称为“透镜保持器”。

筒架1110可以具有膛孔1021(参见图23a)，该膛孔被配置为允许透镜或透镜筒安装在其中。例如，筒架1110中的膛孔1021可以是通孔，并且可以具有圆形形状、椭圆形形状或多边形形状，而不限于此。

尽管在图18中未示出，但是筒架1110可以包括形成在其上的至少一个第一止动件。例如，第一止动件可以具有在光轴方向上或在向上方向上从筒架1110的上表面突起的结构，以防止筒架1110的上表面与盖构件1300的上板1301的内表面直接碰撞。筒架1110还可以包括形成在其下表面上的至少一个第二止动件。

筒架1110可以包括多个侧表面或外表面。

例如，筒架1110可以包括多个侧部1011A至1011D。此外，筒架1110可以包括被定位在两个相邻侧部之间的拐角或拐角部。

为了设置或安置第一磁体1132，筒架1110可以包括第一安置部1105A，该第一安置部形成或设置在多个侧部(或侧表面或外表面)中的第一侧部(第一侧表面或第一外表面)上。第一安置部1105A可以采用凹槽的形式。

例如，第一安置部1105A可以是具有从第一侧部1011A(或第一侧表面或第一外表面)凹陷的结构的凹槽，并且可以具有形成在筒架1110的上表面或下表面中的至少一个中的开口。例如，第一安置部1105A的下部可以不是敞开的，而是可以在筒架1110的下表面处封闭。

为了设置或安置第二磁体1134，筒架1110可以包括第二安置部1105B，该第二安置部形成或设置在多个侧部(或侧表面或外表面)中的第二侧部1011B(或第二侧表面或第二外表面)上。第二安置部1105B可以具有凹槽的形式，该凹槽具有从第二侧部1011B凹陷的结构，并且可以具有形成在筒架1110的上表面或下表面中的至少一个中的开口。例如，第二安置部1105B的下部可以不是敞开的，而是可以在筒架1110的下表面处封闭。

例如，筒架1110的第二侧部1011B(或第二侧表面或第二外表面)可以被定位成与筒架1110的第一侧部1011A(或第一侧表面或第一外表面)相对。

筒架1110的第三侧部1011C(或第三侧表面或第三外表面)和第四侧部1011D(或第四侧表面或第四外表面)可以设置在筒架1110的第一侧部与第二侧部之间，并且可以被定位成彼此相对。

筒架1110可以包括至少一个避开部1115，该避开部被配置为避免与壳体1140的突起部1031空间干扰。避开部1115可以替代地被称为“避开凹槽”。

例如，避开部1115可以形成在筒架1110的多个拐角中的至少一个中。例如，避开部1115可以形成在筒架1110的与筒架1110的第二侧部(或第二侧表面或第二外表面)相邻的至少一个拐角中。

例如，避开部1115可以包括：第一避开部115，该第一避开部形成在筒架1110的与第二侧部1011B(或第二侧表面或第二外表面)相邻的一个拐角中；以及第二避开部1115B，该第二避开部形成在筒架1110的与第二侧部1011B(或第二侧表面或第二外表面)相邻的另一拐角中。筒架1110中的避开部1115与稍后将描述的壳体1140的突起部1031结合可以用于抑制筒架1110的旋转。

壳体1140的突起部1031可以用于抑制筒架1110围绕光轴旋转的程度。突起部1031可以替代地被称为“旋转抑制部”、“止动件”、“捕获台阶部”、“冲击缓和部”或“冲击吸收部”。

借助于突起部1031，可以抑制或防止筒架1110由于外部冲击而旋转超过预期程度，以缓和由于外部冲击而导致的筒架1110与壳体1140之间的冲击，以减少由于冲击或碰撞引起的异物或颗粒的产生，并且防止筒架1110和/或壳体1140的变形或断裂。此外，突起部1031也可以在垂直于光轴的方向上用作止动件。

筒架1110可以包括至少一个凹槽1117，在其上或其中设置或接收滚珠构件1310。凹槽1117可以替代地被称为“接收凹槽”或“引导凹槽”。滚珠构件1310的至少一部段可以与凹槽1117接触。

例如，凹槽1117可以形成在筒架1110的第二侧部1011B(或第二侧表面或第二外表面)中。凹槽1117可以具有从筒架1110的第二侧部1011B(第二侧表面或第二外表面)凹陷的结构。

例如，凹槽1117可以被定位在第二安置部1105B和筒架1110的与第二侧部1011B相邻的拐角之间。

例如，凹槽1117可以包括第一凹槽1117A和第二凹槽1117B。例如，第一凹槽1117A可以被定位在第二安置部1105B和筒架1110的与第二侧部1011B相邻的拐角之间。第二凹槽1117B可以被定位在第二安置部1105B和筒架1110的与第二侧部1011B相邻的另一拐角之间。

例如，第一凹槽1117A可以被定位在第二安置部1105B与第一避开部115A之间，并且第二凹槽1117B可以被定位在第二安置部1105B与第二避开部1115B之间。

例如，凹槽1117可以具有形成在筒架1110的上表面中的开口。例如，凹槽1117的下部可以不是敞开的，而是可以在筒架1110的下表面处封闭。凹槽1117的下部可以在光轴方向上相对于筒架1110的下表面具有高度差。例如，凹槽1117的下部可以被定位成高于筒架1110的下表面。

例如，槽1117可以形成为在光轴方向上延伸。例如，凹槽1117可以从筒架1110的上表面延伸到下表面，或者可以在光轴方向上延伸，使得形成在筒架1110的上表面与下表面之间。

例如，尽管当从上方观察时凹槽1117可以具有三角形形状，但是本公开不限于此。凹槽1117可以具有多边形形状(例如，四边形形状、五边形形状等)。例如，凹槽1117可以是“V”形或“U”形凹槽。

在另一实施例中，凹槽1117可以不形成在筒架1110中，而是形成在壳体1140的内表面中，以允许滚珠构件1310设置或接收在其中。

例如，凹槽1117可以形成在至少一个突起部1114(或突出部)中，该至少一个突起部(或突出部)形成在筒架1110的第二侧部1011B的外表面(或第二外表面)上。突起部1114可包括其中形成有第一凹槽1117A的第一突起部1114A和其中形成有第二凹槽1117B的第二突起部1114B。

第一磁体1132和第二磁体1134可以设置在筒架1110上，以彼此间隔开。例如，第二磁体1134可以被定位成与第一磁体1132相对。

例如，第一磁体1132可以设置在筒架1110的第一侧部1011A(第一侧表面或第一外表面)上，并且第二磁体1134可以设置在筒架1110的第一侧部1011A(第一侧表面或第一外表面)上。

例如，第一磁体1132可以设置在筒架1110中的第一安置部1105中，并且第二磁体1134可以设置在筒架1110中的第二安置部1105B中。

第一磁体1132可以设置为对应于或面对线圈1120。可以通过第一磁体1132与线圈1120之间的相互作用产生电磁力，并且筒架1110可以借助于电磁力在光轴方向上移动。

第一磁体1132可以包括至少一个磁体单元。尽管在图1中所示的实施例中第一磁体1132包括一个磁体单元，但是本公开不限于此。在另一实施例中，第一磁体1132可以包括两个或更多个磁体单元。

尽管第一磁体1132和第二磁体1134中的每个都可以具有与侧部1011A和1011B中的对应一个的外表面对应的形状，例如，多面体形式(例如，正六面体形式或直角平行六面体形式)，但是本公开不限于此。

第一磁体1132可以是单极磁化磁体，其包括两个不同的极性和在两个不同极性之间自然形成的界面平面。

例如，第一磁体1132可以是N极与S极在光轴方向上分离的单极磁化磁体。例如，第一磁体1132可以是单极磁化磁体，其中，其面对线圈1120的第一表面包括N极和S极。尽管第一磁体1132的N极可以位于较高水平并且第一磁体1132的S极可以位于较低水平，但是本公开不限于此。在进一步实施例中，N极和S极的位置可以颠倒。

在另一实施例中，第一磁体1132也可以是单极磁化磁体，其中，N极在垂直于光轴方向的方向上与S极分离。尽管根据另一实施例的第一磁体可以例如被构造成使得其面对线圈1120的第一表面成为N极，并且其与第一表面相对的第二表面成为S极，但是本公开不限于此。在进一步实施例中，N极和S极的位置可以颠倒。

在进一步实施例中，第一磁体1132也可以是四极或双极磁化磁体，以增加电磁力。

例如，第一磁体1132可以包括：第一磁体单元，包括N极和S极；第二磁体单元，包括S极和N极；以及分隔壁，设置在第一磁体单元与第二磁体单元之间。这里，分隔壁是几乎完全非磁性的部段，并且可以包括几乎没有极性的区段。分隔壁可以填充有空气或非磁性材料，并且可以被称为“中性区段”。

例如，第一磁体和第二磁体可以在光轴方向上彼此面对，并且可以被布置成使得其不同的极彼此相对。

例如，第一磁体的面对第一线圈1120的第一表面可以是N极(或S极)，并且第二磁体的面对第一线圈1120的第一表面可以是S极(或N极)。例如，第一磁体的面对第一线圈120的第一表面和第二磁体的第一表面可以具有相反的极性。

在另一实施例中，例如，第一磁体和第二磁体可以在垂直于光轴方向的方向上彼此面对，并且第一磁体和第二磁体可以设置成使得第一磁体和第二磁体的不同的极在垂直于光轴方向的方向上彼此面对。

尽管第一磁体1132的第一表面可以具有平坦表面，但是本公开不限于此。第一磁体1132的第一表面可以具有弯曲表面、倾斜表面或锥形表面。例如，第一磁体1132的第一表面可以是面对线圈1120的表面。

第二磁体1134可以包括至少一个磁体单元。尽管在图1中第一磁体1132包括单个磁体单元，但是本公开不限于此。在另一实施例中，第二磁体1134可以包括两个或更多个磁体单元。

第二磁体1134可以是单极磁化磁体或双极磁化磁体。第一磁体1132的单极磁化或双极磁化的描述可以在修改或不修改的情况下应用于第二磁体1134。

第二磁体1134的磁力的强度可以与第一磁体1132的磁力的强度不同。尽管第二磁体1134的磁力的强度可以例如小于第一磁体1132的磁力的强度，但是本公开不限于此。在另一实施例中，第二磁体1134的磁力的强度可以等于或大于第一磁体1132的磁力的强度。

例如，第二磁体1134和第一磁体1132可以由不同的材料制成。第二磁体1134和第一磁体1132可以包括不同的成分。

例如，第二磁体1134可以由磁力低于第一磁体1132的材料磁力的材料制成。例如，第一磁体1132可以由第一材料制成，并且第二磁体1134可以由不同于第一材料的第二材料制成。这里，第一材料的磁力可以高于第二材料的磁力。第二磁体1134可以包括钕合金(NdFeB)或钐钴中的至少一种。

在另一实施例中，第二磁体1134可以由与第一磁体1132的材料相同的材料制成。

壳体1140可以设置在盖构件1300中，并且可以在其中接收筒架1110的至少一部段。

参考图19，壳体1140可以支撑线圈1120、电路板1190和轭1136，并且可以在其中接收筒架1110以允许AF移动单元(或AF操作单元)可移动。

例如，AF移动单元可以包括筒架1110和联接或安装在筒架1110上的部件。例如，AF移动单元可以包括筒架1110、第一磁体1132和第二磁体1134。替代地，AF移动单元可以包括联接或安装在筒架1110上的透镜模块400(参见图12)。

在轭1136设置在筒架1110上并且第二磁体132设置在壳体1140上的另一实施例中，AF移动单元可包括筒架1110、第一磁体1132和轭1136。

在其中线圈1120设置在筒架1110上并且第一磁体1132设置在壳体1140上的进一步实施例中，AF移动单元可以包括筒架1110、线圈1120和第二磁体1134。在又一进一步实施例中，AF移动单元可以包括轭1136，以代替第二磁体1134。

壳体1140可以具有用于在其中接收筒架1110的膛孔1201、孔洞或腔体。这里，壳体1140中的膛孔1201可以被定位在壳体1140的中心区域的中心处。例如，壳体1140中的膛孔可以是在光轴方向上穿过壳体1140形成的通孔。尽管壳体1140中的膛孔1201可以具有与筒架1110的形状对应的形状，例如，多边形形状(例如，四边形形状或八边形形状)或圆形形状(或椭圆形形状)，但是本公开不限于此。壳体1140中的膛孔1201可以具有各种形状。

壳体1140可以包括多个侧部1012A至1012D。壳体1140可以包括被定位在两个相邻侧部之间的拐角或拐角部。

壳体1140可以包括对应于筒架1110的第一侧部1012A的第一侧部1012A、对应于筒架1110的第二侧部1011B的第二侧部1012B、对应于筒架1110的第三侧部1011C的第三侧部1012C以及对应于筒架1110的第四侧部1011D的第四侧部1012D。壳体1140的第一侧部1012A(或第一侧表面或第一外表面)可以被定位成与壳体1140的第二侧部1012B(或第二侧表面或第二外表面)相对，并且壳体1140的第三侧部1012C(或第三侧表面或第三外表面)可以被定位成与壳体1140的第四侧部1012D(或第四侧表面或第四外表面)相对。

壳体1140的第一侧部1012A至第四侧部1012D中的每个都可以设置成平行于盖构件1300的侧板中的对应的一个侧板。

为了设置或安置轭1136，壳体1140可以包括形成在其第二侧部1012B中的第一安置部1141。第一安置部1141可以具有孔洞、凹槽或安置凹槽的形式。例如，第一安置部1141可以是具有从壳体1140的第二侧部(或第二侧表面或第二外表面)凹陷的结构的凹槽，并且可以具有形成在壳体1140的上表面或下表面中的至少一个中的开口。例如，第一安置部1141的下部可以不是敞开的，而是可以在壳体1140的下表面处封闭。

开口或孔洞1106可以形成在壳体1140的第一侧部1012A(或第一侧表面或第一外表面)中。线圈1120的至少一部段可以设置在壳体1140中的孔洞1106中。孔洞1106可以是穿过第一侧部1012A形成的通孔。由于孔洞1106是通孔，因此壳体1140可以不***在位置传感器1170与第一磁体1132之间，从而增加位置传感器1170的输出并改善位置传感器1170的灵敏度。

在另一实施例中，壳体1140可以具有代替孔洞的凹槽或凹部，以用于设置线圈1120。

为了布置或安置电路板1190，第二安置部1142可以形成在壳体1140的第一侧部1012A(或第一侧表面或第一外表面)中。

例如，第二安置部1142可以是具有从壳体1140的第一侧部1012A(或第一侧表面或第一外表面)凹陷的结构的凹槽，并且可以具有形成在壳体1140的上表面或下表面中的至少一个中的开口。例如，孔洞1106可以形成在壳体1140的第二安置部1142的底表面中。

在另一实施例中，第二安置部1142可以包括待联接到电路板的突出部，并且电路板可以具有待联接到壳体的突出部的孔洞。

壳体1140可以包括对应于或面对筒架1110中的避开凹槽115的突起部1031。突起部1031可以从壳体1140的内表面或内部表面朝向筒架1110突起。

例如，突起部1031可以形成在壳体1140的两个相邻侧部的内表面之间。例如，突起部1031可以包括对应于或面对筒架1110中的第一避开部115A的第一突起部1031A和对应于或面对筒架1110中的第二避开部1115B的第二突起部1031B。

例如，第一突起部1031A可以形成在壳体1140的第二侧部1012B的内表面与第四侧部1012D的内表面之间，并且第二突起部1031B可以形成在壳体1140的第二侧部1012B的内表面与第三侧部1012C的内表面之间。

尽管在图19中突起部1031形成为从壳体1140的上表面延伸到下表面，但是本公开不限于此。在另一实施例中，突起部1031的一端(例如，上端或上表面)可以与壳体1140的上表面间隔开，并且可以被定位在壳体1140的上表面下方。在另一实施例中，突起部1031的另一端(例如，下端或下表面)可以与壳体1140的下表面间隔开，并且可以被定位在壳体1140的下表面上方。

此外，尽管在图18中避开部1115形成为从筒架1110的上表面延伸到下表面，但是本公开不限于此。在另一实施例中，避开部1115的一端(例如，上端)可以与筒架1110的上表面间隔开，并且可以被定位在筒架1110的上表面下方。在进一步实施例中，突起部1031的另一端(例如，下端或下表面)可以与筒架1110的下表面间隔开，并且可以被定位在筒架1110的下表面上方。

尽管在图19中未示出，但是壳体1140可以包括形成在其上部、上表面或上端上的第一止动件，以及形成在其下部、下表面或下端上的第二止动件。筒架1110和壳体1140的第一止动件和第二止动件可以替代地被称为“凸出部”或“突出部”。

至少一个突起部1112(或突出部)可以形成在筒架1110的第一侧部1011A(或第一侧表面或第一外表面)上，并且对应于筒架1110的突起部1112的至少一个凹槽部1023或凹槽可以形成在壳体1140的第一侧部1012A的内表面中。

例如，筒架1110可以包括设置在第一侧部1011A(或第一侧表面或第一外表面)的一侧的第一突起部1112A(或第一突出部)，以及设置在第一侧部1011A(或第一侧表面或第一外表面)的另一侧的第二突起部1112B(或第二突出部)。

例如，第一安置部1105A可以被定位在第一突起部1112A与第二突起部1112B之间。

壳体1140可以包括至少一个凹槽部1023，该至少一个凹槽部通过第一侧部1012A的内表面朝向筒架1110的突起部而形成，并且对应于或面对筒架1110的至少一个突起部1112。

例如，壳体1140中的凹槽部1023可以包括：第一凹槽部1023A，该第一凹槽部被定位在第一侧部1012A的内表面的与第四侧部1012D相邻的一侧处；以及第二凹槽部1023B，该第二凹槽部被定位在第一侧部1012A的内表面的与第三侧部1012C相邻的另一侧处。

例如，筒架1110的至少一个突起部1112可以设置在壳体1140中的至少一个凹槽部1023中。

例如，筒架1110的第一突起部1112A可以设置在壳体1140中的第一凹槽部1023A中，并且筒架1110的第二突起部1112可以设置在壳体1140中的第二凹槽部1023B中。

筒架1110的突起部1112和壳体1140中的凹槽部1023可以一起用于抑制筒架1110围绕光轴旋转的程度。例如，突起部1112可以被称为“旋转抑制部”、“止动件”、“捕获台阶部”、“冲击缓和部”或“冲击吸收部”。

借助于突起部1112，可以抑制或防止筒架1110由于外部冲击而旋转超过预期的程度，以缓和由于外部冲击而导致的筒架1110与壳体1140之间的冲击，以减少由于冲击或碰撞引起的异物或颗粒的产生，并且防止筒架1110和/或壳体1140的变形或断裂。另外，突起部1031也可以在垂直于光轴方向的方向上用作止动件。

在另一实施例中，为了防止旋转，可以在筒架1110中形成凹槽部来代替突起部1112，并且可以在壳体1140上形成突出部来代替凹槽部1023。

壳体1140可以包括设置在筒架1110中的第一安置部1105A中的至少一个突起部1041(或突出部)。突起部1041可以从壳体1140的第一侧部1012A的内表面朝向筒架1110的第一侧部1101A突起。

例如，突起部1041(或突出部)可以包括第一突起部1041A和第二突起部。

接着，将描述线圈1120。

线圈1120可以被定位成在垂直于光轴方向的方向上对应于或面对第一磁体1132。例如，线圈1120可以设置在壳体1140的第一侧部1012A上，以对应于或面对第一磁体1132。替代地，例如，线圈1120可以设置在筒架1110的第一侧部1011A(或第一侧表面或第一外表面)与盖构件1300的第一侧板之间。

例如，线圈1120可以是被配置为与设置在筒架1110处的第一磁体1132电磁相互作用的驱动器型AF线圈。

例如，线圈1120可以设置在壳体1140中。例如，线圈1120的至少一部段可以设置在壳体1140中的孔洞1106中。

为了从与第一磁体1132的相互作用产生电磁力，可以将驱动信号(例如，驱动电流或电压)提供或供应到线圈1120。

施加到线圈1120的驱动信号可以是DC信号，但不限于此。驱动信号可以是AC信号或包含DC和AC分量两者的信号。

AF移动单元(或AF操作单元)可以借助于由线圈1120与磁体130之间的相互作用所产生的电磁力而在第一方向上移动，例如，在向上方向上(在+z轴方向上)或在向下方向上(在–z轴方向上)移动。

通过控制施加到第一线圈1120的驱动信号的强度和/或极性(例如，电流流动的方向)并因此控制由线圈1120与第一磁体1132之间的相互作用所产生的电磁力的强度和/或方向，可以控制AF移动单元在第一方向上的移动，从而执行自动聚焦功能。

线圈1120可以具有闭环形状，例如，具有中心孔1120A的环形。线圈1120可以联接到设置在壳体1140上的电路板1190，或者可以安装在电路板1190上。例如，线圈1120可以设置在电路板1190的第一表面上。例如，电路板1190的第一表面可以是面对筒架1110的第一侧部1011A(或第一侧表面或第一外表面)的表面。

例如，线圈1120可以实现为线圈环，其围绕垂直于光轴的轴沿顺时针方向或逆时针方向缠绕或卷绕。

线圈1120可以导电地连接到电路板1190。例如，线圈1120可以使用焊料或导电粘合剂导电地连接到电路板1190的垫。

电路板1190和位置传感器1170可以设置在壳体1140的第一侧部1012A(或第一侧表面或第一外表面)上。例如，电路板1190的至少一部段可以设置在形成在壳体1140的第一侧部1012A中的第二安置部1142中。

例如，电路板1190的第一表面的至少一部段可以与壳体1140中的第二安置部1142的底表面接触。

电路板1190可以包括多个端子1009-1至1009-n(n是大于1的自然数)，该多个端子将导电地连接到外部装置或设备。例如，多个端子1009-1至1009-n可以设置在电路板1190的第二表面上。电路板1190的第二表面可以是与电路板1190的第一表面相对的表面。

例如，电路板1190可以是印刷电路板或FPCB。

尽管多个端子1009-1至1009-n可以例如在电路板1190的第二表面的下端处布置成一排，但是本公开不限于此。

尽管根据图17中所示的实施例的电路板190包括六个端子1009-1至1009-n(例如，n＝6)，但是端子的数量不限于此。

电路板1190可以包括用于将位置传感器190导电地连接到端子1009-1至1009-n的电路图案或导线。

位置传感器1170可以安装或设置在电路板1190的第一表面上，并且可以导电地连接到电路板1190。

例如，位置传感器1170可以设置在电路板1190内部，该电路板设置在壳体1140的第一侧部1012A上。这里，电路板1190的内部可以是从电路板1190朝向壳体1140中心的一侧。

例如，位置传感器1170可以设置在线圈1120中的中心孔1120A中，该线圈设置在电路板1190上。位置传感器1170可以在垂直于光轴方向的方向上不与线圈1120重叠。例如，位置传感器1170可以设置在壳体1140中的孔洞1106中。在另一实施例中，位置传感器1170也可以被定位在线圈1120中的中心孔1120A的外部。

此外，位置传感器1170可以在垂直于光轴方向的方向上面对或重叠轭1136。在另一实施例中，位置传感器1170可以在垂直于光轴方向的方向上不面对或不重叠轭1136。

位置传感器1170可以在筒架1110的移动期间检测安装在筒架1110上的第一磁体1132的磁场强度，并且可以输出与检测结果对应的输出信号(例如，输出电压)。例如，相机模块200-3的控制器或终端200A的控制器780可以使用来自位置传感器1170的输出信号来感测或检测筒架1110在光轴方向上的位移。

位置传感器1170可以被实施为单独的霍尔传感器，或者可以被实施为包括霍尔传感器的驱动器。驱动器型位置传感器可以包括温度感测元件。

例如，当位置传感器1170被实施为单独的霍尔传感器时，位置传感器1170可以包括：两个输入端子，驱动信号或功率被供应到该两个输入端子；以及两个输出端子，通过该两个输出端子输出感测到的电压(或输出电压)。

电路板1190可以包括第一端子和第二端子(例如，1009-1和1009-2)，该第一端子和第二端子导电地连接到位置传感器1170的两个输入端子，以为两个输入端子供应功率或驱动信号。此外，电路板1190可以包括第三端子和第四端子(例如，1009-3和1009-4)，该第三端子和第四端子导电地连接到位置传感器1170的两个输出端子，以从两个输出端子接收位置传感器1170的输出信号。此外，电路板1190可以包括第五端子和第六端子(例如，1009-5和1009-6)，该第五端子和第六端子导电地连接到线圈1120，以将驱动信号供应到线圈1120。

例如，当位置传感器1170是包括霍尔传感器的驱动器型位置传感器时，位置传感器1170可以包括：第一端子至第四端子，用于使用诸如I2C通信的协议通过数据通信向外部设备发送数据和从外部设备接收数据；以及第五端子和第六端子，用于将驱动信号供应到线圈1120。这里，位置传感器1170的第一端子和第二端子可以是用于接收功率信号的端子，并且位置传感器1170的第三端子和第四端子可以是用于发送和接收时钟信号和数据信号的端子。

这里，电路板1190可以包括导电地连接到位置传感器1170的第一端子至第四端子的第一端子至第四端子(例如，1009-1至1009-4)。位置传感器1170的第五端子和第六端子可以经由电路板1190导电地连接到线圈1120，使得驱动信号经由位置传感器1170的第五端子和第六端子被供应到线圈1120。

轭1136可以设置在壳体1140上，以对应于或面对第二磁体1134。例如，轭1136可以设置成在垂直于光轴方向的方向上面对第二磁体1134。

轭1136可以设置在壳体1140的除了其上设置有线圈1120的壳体1140的第一侧部1012A之外的侧部上。例如，轭136可以被定位成与线圈120相对。例如，轭1136可以设置在壳体1140的第二侧部1012B上。例如，第二磁体1134可以设置在筒架1110的第二侧部1011B与轭1136之间。替代地，例如，第二磁体1134可以设置在第一磁体1132与轭1136之间。

轭1136可以设置成与电路板1190间隔开。例如，电路板1190可以设置在壳体1140的第一侧部1012A上，并且第一磁体1132可以设置在电路板1190与轭1136之间。

例如，吸引力可以在垂直于光轴方向的方向上作用在轭1136与第二磁体1134之间。磁回路可以形成在轭1136与第二磁体1134之间。

轭1136可以由铁磁材料制成。例如，轭1136可以是磁性体。例如，轭1136可以由铁磁金属制成。替代地，例如，轭1136可以由具有磁性的材料制成。

替代地，例如，轭1136可以是磁体。这里，轭1136可以替代地被称为“第三磁体”。

因为轭1136设置在作为静止体的壳体1140上，所以联接到第二磁体1134的筒架1110可以借助于作用在轭1136与第二磁体1134之间的吸引力而被吸引向轭1136。

因为滚珠构件1310借助于1136与第二磁体1134之间的相互作用被筒架1110和壳体1140按压，所以轭1136和第二磁体1134可以被称为“按压单元”或“按压构件”。当筒架1110通过按压单元在光轴方向上移动时，可以保持筒架1110与滚珠构件1310之间的接触以及壳体1140与滚珠构件1310之间的接触。

滚珠构件1310可以设置在筒架1110与壳体1140之间。滚珠构件1310可替代地被称为“滚动构件”、“滚珠”或“滚珠轴承”。

由于滚珠构件1310与筒架1110和壳体1140接触并且在筒架1110与壳体1140之间滚动，因此滚珠构件1310能够支撑筒架1110在光轴方向上的移动。当筒架1110在光轴方向上移动时，滚珠构件1310能够减小筒架1110与壳体1140之间的摩擦。借助于滚珠构件1310的滚动运动，筒架1110在与滚珠构件1310接触的状态下在光轴方向上以滑动方式可移动。

尽管滚珠构件1310可以由例如金属材料、塑料材料或树脂材料制成，但是本公开不限于此。

滚珠构件1310可以具有圆形形状，并且可以具有足够的直径，以支撑筒架1110在光轴方向上的移动。

例如，滚珠构件1310可以设置在筒架1110的第二侧部1011B(或第二侧表面或第二外表面)与壳体1140的第二侧部1012B之间。例如，滚珠构件1310可以设置成与第一磁体1132相对。

例如，滚珠构件1310的至少一部段可以设置在筒架1110中的凹槽1117中。例如，滚珠构件1310可以设置在筒架1110中的凹槽1117与壳体1140的内表面之间，并且可以与筒架1110中的凹槽1117和壳体1140的内表面接触。

滚珠构件1310可以包括至少一个滚珠构件。例如，滚珠构件1310可以包括两个或更多个滚珠构件310A和310B。

例如，滚珠构件1310可以包括：第一滚珠构件1310A，该第一滚珠构件设置在筒架1110中的第一凹槽1117A与壳体1140的第二侧部1012B之间；以及第二滚珠构件1310B，该第二滚珠构件设置在筒架1110中的第二凹槽1117B与壳体1140的第二侧部1012B之间。

例如，第一滚珠构件310A可以包括多个滚珠B1至B3，并且第二滚珠构件310B可以包括多个滚珠B4至B6。

例如，滚珠构件1310的至少一部段可以设置在筒架1110中的第一凹槽1117A中，并且可以与第一凹槽17A接触。滚珠构件1310的至少另一部段可以与壳体1140的第二侧部1012B的内表面接触。

图20b示出了图20a中所示的实施例的修改方案。

参考图20b，壳体1140可以包括凹槽1116，该凹槽对应于或面对筒架1110中的凹槽1117。

例如，凹槽1116可以形成在壳体1140的第二侧部1012B中。例如，凹槽1116可以形成在壳体1140的第二侧部1012B的内表面中。筒架1110中的凹槽1117的形状的描述可以在修改或不修改的情况下应用于壳体1140中的凹槽1116。

例如，凹槽1116可以包括：第一凹槽116A，该第一凹槽对应于或面对筒架1110中的第一凹槽1117A；以及第二凹槽116B，该第二凹槽对应于或面对筒架1110中的第二凹槽1117B。

滚珠构件1310的至少一部段可以设置在筒架1110中的凹槽1117中，并且可以与筒架1110中的凹槽1117接触。例如，在滚珠构件1310的至少一部段与筒架1110中的凹槽1117之间可以存在一个或多个接触点。

滚珠构件1310的至少另一部段可以设置在壳体1140中的凹槽1116中，并且可以与壳体1140中的凹槽1116接触。例如，在滚珠构件1310的至少另一部段与壳体1140中的凹槽1116之间可以存在一个或多个接触点。

借助于作用在轭1136与第二磁体1134之间的吸引力，滚珠构件1310可被筒架1110和/或壳体1140按压，并且可以稳定地支撑筒架1110。

尽管在图17中所示的实施例中，轭1136设置在壳体1140上并且第二磁体1134设置在筒架1110上，但是本公开不限于此。在另一实施例中，轭1136可以设置在筒架1110的第二侧部1011B上，并且第二磁体1134可以设置在壳体1140的第二侧部1012B上。

盖构件1300可以在其中容纳壳体1140。

盖构件1300可以具有盒的形式，其在其下部处是敞开的并且包括上板1301和侧板1302。盖构件1300的侧板1302可以从盖构件1300的上板1301向下延伸。盖构件1300的上板1301可以具有多边形形状，例如，四边形形状或八边形形状，并且可以具有穿过其形成的膛孔，以允许透镜或透镜模块400暴露于外部光。

尽管盖构件1300可以由诸如SUS或塑料的非磁性材料制成，以防止盖构件1300被吸引到磁体1132和1134，但是盖构件1300也可以由磁性材料制成以用作轭。

图21a是示出了第一磁体1132、线圈1120、第二磁体1134和轭1136的实施例的平面图。

参考图21a，例如，第一磁体1132在竖直方向上的长度L1可以大于第二磁体1134在竖直方向上的长度L2。其原因是因为第一磁体1132是用于AF操作的驱动磁体，所以通过增加第一磁体1132在竖直方向上的长度来确保用于AF操作的足够的电磁力。

在另一实施例中，第一磁体1132在竖直方向上的长度L1可以等于第二磁体1134在竖直方向上的长度L2。在进一步实施例中，第一磁体1132在竖直方向上的长度可以小于第二磁体1134在竖直方向上的长度。

轭1136在竖直方向上的长度L3可以大于第二磁体1134在竖直方向上的长度L2。

例如，轭1136的面对第二磁体134的第一表面的表面积可以大于第二磁体1134的面对轭1136的第一表面的表面积。

例如，轭1136在竖直方向上的长度L3可以是第二磁体1134在竖直方向上的长度L2的三倍或更多倍。替代地，例如，轭1136在竖直方向上的长度L3可以是第二磁体1134在竖直方向上的长度L2的五倍或更多倍及十倍或更少倍。

其原因是通过增加轭1136的长度来增加作用在轭1136与第二磁体1134之间的吸引力，使得轭1136经受到第二磁体1134的足够磁力。

例如，“竖直方向”可以是垂直于光轴方向并且从筒架1110的第三侧部1011C朝向第四侧部1011D指向的方向。替代地，“竖直方向”可以是垂直于光轴方向并且平行于第一侧部1011A或第二侧部1011B的方向。

第一磁体1132在水平方向上的长度W1可以大于第二磁体1134在水平方向上的长度W2。其原因是因为第一磁体1132是用于AF操作的驱动磁体，所以通过增加第一磁体1132在水平方向上的长度来确保用于AF操作的足够的电磁力。在另一实施例中，第一磁体1132在水平方向上的长度W1可以等于第二磁体1134在水平方向上的长度W2。在进一步实施例中，第一磁体1132在水平方向上的长度W1可以小于第二磁体1134在水平方向上的长度W2。

例如，“水平方向”可以是与“竖直方向”垂直的方向。

替代地，例如，“水平方向”可以是垂直于光轴方向并且从筒架1110的第一侧部1011A朝向第二侧部1011B指向的方向。替代地，“水平方向”可以是垂直于光轴方向并且平行于筒架1110的第三侧部1011C或第四侧部1011D的方向。

例如，第一磁体1132在竖直方向上的长度L1可以等于或大于线圈1120在竖直方向上的长度L4。在另一实施例中，第一磁体1132在竖直方向上的长度L1可以小于线圈1120在竖直方向上的长度L4。

此外，例如，第一磁体1132在水平方向上的长度W1可以等于或大于线圈1120在水平方向上的长度W4。在另一实施例中，第一磁体1132在水平方向上的长度W1可以小于线圈1120在水平方向上的长度W4。

当轭1136是磁体时，第二磁体1134和轭1136的面对表面可以具有不同的极性，以允许吸引力作用在轭1136与第二磁体1134之间。

如图21a所示，例如，第二磁体1134的第一表面可以面对轭1136的第一表面，第二磁体1134的第一表面可以具有S极性，并且轭1136的第一表面可以具有N极性。替代地，例如，第二磁体1134的第一表面可以具有N极性，并且轭1136的第一表面可以具有S极性。

图21b是示出了第一磁体1132、线圈1120、第二磁体1134和轭1136的另一实施例的平面图。图21b中所示的第二磁体1134和轭1136在竖直方向上的长度可以与图21a中所示的实施例不同。

参考图21b，第二磁体1134在竖直方向上的长度L21可以小于轭1136在竖直方向上的长度L31(L21<L31)。

例如，轭1136的面对第二磁体1134的第一表面的表面积可以小于第二磁体1134的面对轭1136的第一表面的表面积。

第二磁体1134在竖直方向上的长度L21可以等于或小于第一磁体1132在竖直方向上的长度L1。在另一实施例中，第二磁体1134在竖直方向上的长度L21可以大于第一磁体1132在竖直方向上的长度L1。

虽然图21b中所示的轭1136是磁体，但是图21a中所示的实施例的描述可以在修改或不修改的情况下应用于图21b中所示的第二磁体1134和轭134的极性。

为了防止筒架1110在AF操作期间的倾斜，第二磁体1134在光轴方向上的长度可以不同于轭1136在光轴方向上的长度。

此外，例如，在筒架1110在光轴方向上移动的整个区段中，第二磁体1134的整个区域可以在垂直于光轴方向的方向上与轭1136重叠。

图22a是在光轴OA的方向上截取的第一磁体1132、线圈1120、第二磁体1134和轭1136的实施例的横截面图。

参考图22a，第一磁体1132在光轴方向上的长度H1可以大于第二磁体1134在光轴方向上的长度H2。其原因是，因为第一磁体1132是用于AF操作的驱动磁体，所以通过增加第一磁体1132在光轴方向上的长度来确保用于AF操作的足够的电磁力。

在另一实施例中，第一磁体1132在光轴方向上的长度可以等于第二磁体1134在光轴方向上的长度。在进一步实施例中，第一磁体1132在光轴方向上的长度可以小于第二磁体1134在光轴方向上的长度。

第一磁体1132的至少一部段可以在垂直于光轴OA的方向上与第二磁体1134的至少一部段重叠。这里，垂直于光轴OA的方向可以是与延伸穿过光轴OA且与光轴OA垂直的直线平行的方向。

轭1136在光轴方向上的长度H3可以大于第二磁体1134在光轴方向上的长度H2(H3>H2)。

例如，轭1136在光轴方向上的长度H3可以是第二磁体1134在光轴方向上的长度H2的1.5倍或更多倍。例如，轭1136在光轴方向上的长度H3可以是第二磁体1134在光轴方向上的长度H2的两倍或更多倍及五倍或更少倍。

长度H3大于长度H2的原因是，在筒架1110在光轴方向上移动以进行AF操作的区段中保持作用在第二磁体1134与轭1136之间的吸引力恒定。

作用在第二磁体1134与轭1136之间的吸引力可能由于轭1136在垂直于光轴方向的方向上与第二磁体1134重叠的范围受到影响。

例如，当在筒架1110在光轴方向上移动的整个区段中第二磁体1134的整个区域在垂直于光轴方向的方向上与轭1136重叠时，可以保持作用在第二磁体1134与轭1136之间的吸引力1201恒定。

相比之下，当第二磁体1134的至少一部段在垂直于光轴方向的方向上不与轭1136重叠时，作用在第二磁体1134与轭1136之间的吸引力可能减小，从而导致筒架1110不与滚珠构件1310紧密接触的情况。因此，筒架1110可能相对于光轴倾斜，从而使得不可能执行精确的AF操作。

因此，在筒架1110在光轴方向上移动的整个区段中，第二磁体1134的上端1026A(或上表面或上部)可以被定位得比轭1136的上端1027A(或上表面或上部)低，并且第二磁体1134的下端1026B(或下表面或下部)可以被定位得比轭1136的下端1027B(或上表面或上部)高。这里，用于筒架移动的整个区段可以是筒架从筒架1110的最低点到筒架1110的最高点的位置(或位移)。

在另一实施例中，当筒架1110被定位在最高点处时，第二磁体1134的上端25A(或上表面或上部)可以与轭1136的上端1027A(或上表面或上部)齐平。同时，当筒架1110被定位在最低点处时，第二磁体1134的下端1026B(或下表面或下部)可以与轭1136的下端1027B(或下表面或下部)齐平。

尽管在图22a中轭1136的下端1027B被定位成高于筒架1110的最低端1072，但是本公开不限于此。在另一实施例中，轭1136的下端1027B可以被定位成低于筒架1110的最低端1072，或者可以被定位在与图22a中的筒架1110的最低端1072相同的水平处。例如，筒架1110的最低端1072可以是设置在筒架1110的下表面处或筒架1110的下侧处的止动件的下端或下表面。例如，轭1136的下端1027B可以向下突起超过筒架1110的最低端1072。

图22b示出了当图22a中所示的筒架1110被定位在最低点处时，第二磁体1134的上端1026A与轭1136的上端1027A之间的距离。

参考图22b，当筒架1110被定位在最低点处时，第二磁体1134的上端1026A与轭1136的上端1027A之间在光轴方向上的第一距离d1可以大于筒架1110在光轴方向上的总行程距离或可移动距离。

例如，筒架1110的总行程距离可以是筒架1110从其最低点移动到最高点的距离。

例如，最低点可以是筒架1110在光轴方向上移动以进行AF操作的位移的最低点。例如，最低点可以是当筒架1110的下端部或筒架1110的下止动件与静止部段(例如，壳体1140)接触或碰撞时筒架1110的位移或位置。

例如，最高点可以是筒架1110在光轴方向上移动以进行AF操作的位移的最高点。例如，最高点可以是当筒架1110的上端或筒架1110的上止动件与静止部段(或壳体1140或盖构件1300)接触或碰撞时筒架1110的位移或位置。

例如，第一距离d1可以是筒架1110在光轴方向上的总行程距离的一倍或多倍及三倍或更少倍。替代地，例如，第一距离d1可以是筒架1110在光轴方向上的总行程距离的1.5至两倍。

在另一实施例中，例如，第一距离d1可以等于筒架1110在光轴方向上的总行程距离。

例如，在最低点处时，第二磁体1134的下端1026B与轭1136的下端27A之间在光轴方向上的第二距离d2可以是0或更大，并且可以是筒架1110在光轴方向上的总行程距离的两倍或更少倍。

例如，第二距离d2可以是筒架1110在光轴方向上的总行程距离的一至两倍。替代地，第二距离d2可以是0或更大，并且可以是筒架1110在光轴方向上的总行程距离的1.5倍或更小倍。

图22c示出了当图22a中所示的筒架1110被定位在最高点处时，第二磁体1134的上端1026A与轭1136的上端1027A之间的距离。

参考图22c，例如，当筒架1110被定位在最高点处时，第二磁体1134的上端1026A与轭1136的上端1027A之间在光轴方向上的第三距离d3可以是0或更大，并且可以是筒架1110在光轴方向上的总行程距离的两倍或更少倍。

例如，第三距离d3可以是筒架1110在光轴方向上的总行程距离的一至两倍。替代地，例如，第三距离d3可以是0或更大，并且可以是筒架1110在光轴方向上的总行程距离的1.5倍或更小倍。

当筒架1110被定位在最高点处时，第二磁体1134的下端1026B与轭1136的下端1027B之间在光轴方向上的第四距离d4可以大于筒架1110在光轴方向上的总行程距离或可移动距离。

例如，第四距离d4可以是筒架1110在光轴方向上的总行程距离的一倍或多倍及三倍或更少倍。替代地，第四距离d4可以是筒架1110在光轴方向上的总行程距离的1.5至两倍。

当第一距离d1(或第四距离d4)小于总行程距离时，作用在第二磁体1134与轭1136之间的吸引力可能不保持恒定，从而恶化AF操作的可靠性。同时，当第一距离d1(或第四距离d4)大于总行程距离的三倍时，轭1136的尺寸可能不必要地增加，从而增加了透镜移动装置的尺寸和总成本。

在另一实施例中，例如，第四距离d4可以等于筒架1110在光轴方向上的总行程距离。

如图22b和图22c所示，由于即使当筒架1110在光轴方向上移动以进行AF操作时，第二磁体1134的整个区域也与轭1136重叠，因此施加到第一滚珠构件1310的按压力可以保持恒定，并且可以抑制筒架1110的倾斜，从而确保AF操作的可靠性。

在另一实施例中，在筒架1110在光轴方向上移动的整个区段中，第二磁体1134在垂直于光轴方向的方向上与轭1136重叠的区域可以是第二磁体1134的总体积的50％或更多。

图23a是在光轴OA的方向上截取的第一磁体1132、线圈1120、第二磁体1134和轭1136的另一实施例的横截面图。

参考图23a，第二磁体1134在光轴方向上的长度H21可以大于第一磁体1132在光轴方向上的长度H1(H21>H1)。

轭1136在光轴方向上的长度H31可以小于第二磁体1134在光轴方向上的长度H2。长度H21大于长度H31的原因是，在筒架1110在光轴方向上移动以进行AF操作的区段中保持作用在第二磁体1134与轭1136之间的吸引力恒定。

因此，在筒架1110在光轴方向上移动的整个区段中，轭1136的上端1027A(或上表面或上部)可以被定位成低于第二磁体1134的上端1026A(或上表面或上部)，并且轭1136的下端1027B(或下表面或下部)可以被定位成高于第二磁体1134的下端1026B(或上表面或上部)。

在另一实施例中，当筒架1110被定位在最高点处时，轭1136的上端1027A(或上表面或上部)可以与第二磁体1134的上端1026A(或上表面或上部)齐平。此外，当筒架1110被定位在最低点处时，轭1136的下端1027B(或下表面或下部)可以与第二磁体1134的下端1026B(或下表面或下部)齐平。

图23b示出了当筒架1110被定位在最低点处时，第二磁体1134的上端1026A与轭1136的上端1027A之间的距离。

参考图23b，当筒架1110被定位在最低点处时，第二磁体1134的上端1026A与轭1136的上端1027A之间在光轴方向上的第一距离d11可以是0或更大，并且可以是筒架1110在光轴方向上的总行程距离的两倍或更少倍。

例如，第一距离d11可以是筒架1110在光轴方向上的总行程距离的一至两倍。替代地，例如，第一距离d11可以是0或更大，并且可以是筒架1110在光轴方向上的总行程距离的1.5倍或更小倍。

当筒架1110被定位在最低点处时，第二磁体1134的下端1026B与轭1136的下端1027B之间在光轴方向上的第二距离d12可以大于筒架1110在光轴方向上的总行程距离或可移动距离。

例如，第二距离d12可以是筒架1110在光轴方向上的总行程距离的一倍或更多倍及三倍或更少倍。替代地，例如，第二距离d12可以是筒架1110在光轴方向上的总行程距离的1.5至两倍。

在另一实施例中，例如，第二距离d12可以等于筒架1110在光轴方向上的总行程距离。

图23c示出了当筒架1110被定位在最高点处时，第二磁体1134的上端1026A与轭1136的上端1027A之间的距离。

参考图23c，当筒架1110被定位在最高点处时，第二磁体1134的上端1026A与轭1136的上端1027A之间在光轴方向上的第三距离d13可以大于筒架1110在光轴方向上的行程范围或可移动距离。

例如，第三距离d13可以是筒架1110在光轴方向上的总行程距离的一倍或多倍及三倍或更少倍。替代地，例如，第三距离d13可以是筒架1110在光轴方向上的总行程距离的1.5至两倍。

在另一实施例中，例如，第三距离d13可以等于筒架1110在光轴方向上的总行程距离。

例如，当筒架1110被定位在最高点处时，第二磁体1134的下端1026B与轭1136的下端1027B之间在光轴方向上的第四距离d14可以是0或更大，并且可以是筒架1110在光轴方向上的总行程距离的两倍或更少倍。

例如，第四距离d14可以是筒架1110在光轴方向上的总行程距离的一至两倍。替代地，例如，第四距离d14可以是0或更大，并且可以是筒架1110在光轴方向上的总行程距离的1.5倍或更小倍。

当第二距离d12(或第三距离d13)小于总行程距离时，作用在第二磁体1134与轭1136之间的吸引力可能不会保持恒定，从而恶化AF操作的可靠性。当第二距离d12(或第三距离d13)大于总行程距离的三倍时，第二磁体1134的尺寸可能不必要地增加，从而增加了透镜移动装置的尺寸和总成本。

如图23b和图23c所示，由于即使当筒架1110在光轴方向上移动以进行AF操作时，整个轭132也在垂直于光轴方向的方向上与第二磁体1134重叠，因此施加到第一滚珠构件1310的按压力可以保持恒定，从而抑制筒架1110的倾斜并确保AF操作的可靠性。

图24a是根据另一实施例的透镜移动装置的平面图。图24b是在图24a中示出的壳体1140、滚珠构件1320和轭1136的立体图。图24a和图24b中所示的实施例可以是图19和图20a中所示的实施例的修改方案。

附加于图16和图20a所示的实施例，根据图24a和图24b所示的实施例的透镜移动装置还可以包括滚珠构件1320。

滚珠构件1320可以设置在筒架1110的第一侧部1011A与壳体1140的第一侧部1012A之间。例如，壳体1140可以包括一个或多个凹槽1118A和1118B，滚珠构件1320设置或接收在该一个或多个凹槽中。

例如，凹槽1118A和1118B可以形成在壳体的第一侧部1012A中。凹槽1118A和1118B可以具有从壳体1140的第一侧部1012A的内表面凹陷的结构。

例如，凹槽1118A和1118B可以形成在壳体1140的突起部1041(或突出部)中。例如，凹槽1118A和1118B可以形成在壳体1140的突起部1041的侧表面中，该侧表面面对筒架1110的第一侧部1011A(或第一侧表面或第一外表面)。

例如，凹槽1118A和1118B可以被定位在线圈1120和壳体1140的与壳体1140的第一侧部1012A相邻的拐角之间。

例如，壳体1140可以包括第一凹槽1118A和第二凹槽1118B。例如，第一凹槽1118A可以被定位在线圈1120和壳体1140的与第一侧部1012A相邻的拐角之间。此外，第二凹槽1118B可以被定位在线圈1120和壳体1140的与第一侧部1012A相邻的另一个拐角之间。

例如，第一凹槽1118A可以形成在壳体1140的第一突起部1041A中，并且第二凹槽1118B可以形成在壳体1140的第二突起部1041B中。

例如，凹槽1118A和1118B可以具有形成在壳体1140的上表面中的开口。例如，凹槽1118A和1118B的下部可以不是敞开的，而是可以在壳体1140的下表面处封闭。凹槽1118A和1118B的下部可以在光轴方向上相对于壳体1140的下表面具有高度差。例如，凹槽1118A和1118B的下部可以被定位成高于壳体1140的下表面。

尽管当从上方观察时，凹槽1118A和1118B中的每个都可以具有例如三角形形状，但是本公开不限于此。凹槽1118A和1118B中的每个都可以具有多边形形状(例如，四边形形状、五边形形状等)。例如，凹槽1118A和1118B中的每个都可以是“V”形或“U”形凹槽。

在另一实施例中，凹槽可以不形成在壳体1140中，而是形成在筒架1110的第一侧部1011A(第一侧表面或第一外表面)中，以允许滚珠构件1320设置或接收在其中。

滚珠构件1320可以设置在壳体1140中的凹槽1118A和1118B中的对应一个与筒架1110的第一侧部1011A之间。滚珠构件1320可以与壳体1140中的凹槽1118A和1118B中的对应一个以及筒架1110的第一侧部1011A接触。

滚珠构件1320的至少一部分可以设置在壳体1140中的凹槽1118A和1118B中的相应一个中并与其接触。在滚珠构件1320的至少一部段与壳体1140中的凹槽1118A和1118B中的对应一个之间可以存在一个或多个接触点。

滚珠构件1320可以包括至少一个滚珠构件。例如，滚珠构件1320可以包括两个或更多个滚珠构件1320A和1320B。例如，滚珠构件1320可以包括第三滚珠构件1320A和第四滚珠构件1320B。

第三滚珠构件320A可以设置或接收在壳体1140中的第一凹槽1118A中，并且第四滚珠构件320B可以设置或接收在壳体1140中的第二凹槽1118B中。

图20a中所示的滚珠构件1320的形状和材料的描述可以应用于或者类推应用于图24a和图24b中所示的滚珠构件1320。

与图20a中所示的实施例相比，图24a和图24b中所示的实施例能够借助于滚珠构件1320进一步减小筒架1110与壳体1140之间的摩擦，以减小正常AF操作所需的驱动力，并降低功耗。

在图24a中所示的实施例的修改方案中，壳体1140可以包括图20b中所示的凹槽1116，并且筒架1110可以包括图25b中所示的凹槽1119。

图25a是根据进一步实施例的透镜移动装置的平面图。图26是图25中所示的透镜移动装置的第一磁体1132、线圈1120、第二磁体1134和轭1136的平面图。

根据图25a和图26中所示的实施例的透镜移动装置可以是图20a和图24a中所示的透镜移动装置的修改方案。在图25a和图26中所示的透镜移动装置中，可以省略图20a和图24a中所示的滚珠构件1310，滚珠构件1320可以设置在筒架1110的第一侧部1011A与壳体1140的第一侧部1012A之间，并且排斥力可以作用在第二磁体1134与轭1136之间。

例如，借助于作用在第二磁体1134与轭1136之间的排斥力，筒架1110(和/或壳体1140)可以按压滚珠构件1320，因此滚珠构件1320可以稳定地支撑筒架1110。

轭1136可以将第二磁体1134推向滚珠构件1320。此外，轭1136可以将筒架1110推向滚珠构件1320。因此，筒架1110可以与滚珠构件1320紧密接触。

例如，作用在轭1136与第二磁体1134之间的排斥力可以是5[gf]或更小。替代地，作用在轭1136与第二磁体1134之间的排斥力可以是1[gf]至3[gf]。替代地，作用在轭1136与第二磁体1134之间的排斥力可以是0.1[gf]至2[gf]。

轭134可以在平行于直线的方向上与第一磁体1132重叠，该直线垂直于光轴OA并且延伸穿过筒架1110的中心。例如，当第一磁体1132是双极磁化磁体时，轭134可以在平行于直线的方向上与第一磁体1132重叠，该直线垂直于光轴OA并且延伸穿过筒架的中心。

除了对施加有吸引力的第二磁体1134和轭1136的极性的描述之外，图21a至图23c中所示的实施例的描述可以在修改或不修改的情况下应用于图25a至图26中所示的实施例。

在图25a和图26中，轭1136可以是“磁体”(例如，“第三磁体”)，并且第二磁体1134和轭1136的面对表面可以具有相同的极性，以使排斥力作用在图26中所示的轭1136与第二磁体1134之间。

如图26所示，例如，第二磁体1134的第一表面可以面对轭1136的第一表面，第二磁体1134的第一表面可以具有N极性，并且轭1136的第一表面可以具有N极性。替代地，例如，第二磁体1134的第一表面可以具有S极性，并且轭1136的第一表面可以具有S极性。

例如，作为磁体的轭1136的磁力的强度可以低于第一磁体1132的磁力的强度。替代地，在另一实施例中，作为磁体的轭1136的磁力的强度可以等于或高于第一磁体1132的磁力的强度。

例如，作为磁体的轭1136的磁力的强度可以高于第二磁体1134的磁力的强度。替代地，在另一实施例中，例如，作为磁体的轭1136的磁力的强度可以等于第二磁体1134的磁力的强度。在进一步实施例中，例如，作为磁体的轭1136的磁力的强度可以高于第二磁体1134的磁力的强度。

作为磁体的轭1136和第一磁体1132可以由不同的材料或成分制成。在另一实施例中，轭1136和第一磁体1132可以由相同的材料或成分制成。

第二磁体132和轭136可以由相同的材料或成分制成。在另一实施例中，第二磁体132和轭136可以由不同的材料或成分制成。

图20a至图23c中所示的实施例的描述可以在修改或不修改的情况下应用于图26中所示的实施例的第一磁体1132的磁力的强度与第二磁体1134的磁力的强度之间的关系。

在图25a和图26所示的实施例中，因为排斥力作用在独立于第一磁体1132的第二磁体1134与轭1136之间，所以可以容易且自由地设计或设定筒架1110/壳体1140与滚珠构件1310之间的摩擦力。

因此，在图25a和图26中所示的实施例中，可以容易且自由地设计或设定筒架1110/壳体1140与滚珠构件1310之间的摩擦力，而不管AF操作所需的电磁力的保证如何。此外，由于轭1136的尺寸不受第一磁体1132的限制，因此可以改善轭1136的尺寸的自由度，从而提高透镜移动装置1100的设计自由度。

随着蜂窝电话功能的改进和像素数量的增加，图像传感器和透镜孔径的尺寸正在增加。特别地，存在以实现高数量像素和改善图像品质为目的增加透镜孔径的趋势。

因为当透镜孔径增加时AF移动单元的重量增加，所以AF移动单元必须被稳定地支撑，并且AF移动单元相对于光轴的倾斜必须被抑制或减小，以确保稳定且可靠的AF操作。在包括用于支撑筒架的滚珠构件的滚珠型透镜移动装置中，需要根据透镜的重量来容易地调节或设定筒架和/或壳体与滚珠构件之间的摩擦力。

图25b示出了图25a中所示的实施例的修改方案。

参考图25b，筒架1110可以包括凹槽1119，该凹槽对应于或面对壳体1140中的凹槽1118A和1118B中的对应一个。

例如，凹槽1119可以形成在筒架1110的第一侧部1011A中。例如，凹槽1119可以形成在筒架1110的第一侧部1011A的侧表面或外表面中。筒架1110中的凹槽1117的描述可以在有或没有修改的情况下应用于筒架1110中的凹槽1119。

例如，凹槽1119可以包括：第一凹槽1119A，该第一凹槽对应于或面对壳体1140中的第一凹槽1118A；以及第二凹槽1119B，该第二凹槽对应于或面对壳体1140中的第二凹槽1118B。

滚珠构件1320A和1320B的至少一部段可以设置在筒架1110中的凹槽1119中并与其接触。例如，在滚珠构件1320的至少一部段与筒架1110中的凹槽1119之间可以存在一个接触点。

滚珠构件1320A和1320B的至少另一部段可以设置在壳体1140中的凹槽1118A和1118B中并与其接触。例如，在滚珠构件1320A和1320B的至少另一部段与壳体1140中的凹槽1118A和1118B之间可以存在一个或多个接触点。

与图13的比较实施例相比，由于在本实施例中吸引力作用在独立于第一磁体1132的第二磁体1134与轭1136之间，因此可以容易且自由地设计或设定筒架1110和/或壳体1140与滚珠构件1310的摩擦力。

因此，在本实施例中，具有能够容易且自由地设计或设定筒架1110和/或壳体1140与滚珠构件1310之间的摩擦力的效果，而不管AF操作所需的电磁力的保证如何。

此外，因为轭1136的尺寸不受第一磁体1132的限制，所以可以自由地改变轭1136的尺寸，从而改善透镜移动装置1100的设计自由度。

图27是包括图17中所示的透镜移动装置1100的相机模块200-3的分解立体图。

参考图27，相机模块200-3可以包括透镜模块400、透镜移动装置1100、电路板800和图像传感器810。

尽管在图27中未示出，但是相机模块200-3还可以包括设置在壳体1140与电路板800之间的“基座”。另外，相机模块200-3还可以包括被定位在透镜模块400与图像传感器810之间的滤光器。例如，尽管滤光器可以设置或安置在基座上，但是本公开不限于此。基座可以使用粘合构件(未示出)联接、附接或固定到电路板800的上表面。

图14中所示的透镜模块400、电路板800、滤光器和图像传感器810的描述可以在修改或不修改的情况下应用于图27中所示的实施例。

图28是根据进一步实施例的透镜移动装置2010的横截面图。图29是示出了图28中的区域A的放大横截面图。图30是示出了图28中的区域B的放大横截面图。图31是示出了图28中所示的透镜移动装置的线圈、霍尔传感器和第一至第三磁体的设置的视图。

透镜移动装置2010可以是音圈马达(VCM)。透镜移动装置2010可以是透镜移动马达。透镜移动装置2010可以是透镜移动致动器。透镜移动装置2010可以包括AF模块。透镜移动装置2010可以包括OIS模块。例如，透镜移动装置2010可以是图1、图17和图28中所示的实施例100、1100和2010中的任何一个。

透镜移动装置2010可以包括静止单元2100。静止单元2100可以是组合了与可移动单元2200相比在AF操作期间相对不可移动的一个或多个部件的单元。静止单元2100可以在其中容纳可移动单元2200。

静止单元2100可以包括壳体2110。壳体2110可以设置在筒架2210外部。壳体2110可以在其中接收筒架2210的至少一部段。壳体2110可以设置在盖构件2500中。壳体2110可以设置在盖构件2500与筒架2210之间。壳体2110可以由与盖构件2500的材料不同的材料制成。壳体2110可以由绝缘材料制成。壳体2110可以是注入成型的。板2120可以设置在壳体2110上。线圈2130可以设置在壳体2110上。

壳体2110可以包括突起部2111。突起部2111可以从壳体2110的侧壁的内表面对内突起。突起部2111可以从壳体2110的侧壁朝向筒架2210突起。突起部2111可以包括多个突起部。突起部2111可以包括两个突起部。操作单元可以设置在两个突起部之间。这里，操作单元可以是被配置为移动可移动单元2200的部件，并且可以包括线圈2130和第一磁体2220。滚珠2300可以设置在突起部2111上。

壳体2110可以具有凹槽2112。凹槽2112可以是“滚珠接收凹槽”。滚珠2300可以设置在凹槽2112中。凹槽2112可以接收滚珠2300的至少一部段。凹槽2112可以形成在突起部2111的内表面中。凹槽2112可以形成为使得具有球体形式的滚珠2300可以在两个点处与壳体2110接触。凹槽2112可以具有V形形状。凹槽2112可以在光轴方向上延伸。凹槽2112可以在光轴方向上从壳体2110的上表面延伸到下表面。凹槽2112可以包括多个凹槽。凹槽可以包括两个凹槽。

静止单元2100可以包括板2120。板2120可以设置在壳体2110上。板2120可以包括电路板。板2120可以包括柔性印刷电路板(FPCB)。线圈2130和霍尔传感器2140可以设置在板2120的内表面上。板2120可以导电地连接到霍尔传感器2140。板2120可以导电地连接到印刷电路板2050。板2120可以包括设置在其下端上的多个端子。板2120的多个端子可以焊接到图33中所示的相机模块的印刷电路板的端子。

静止单元2100可以包括线圈2130。线圈2130可以是用于AF操作的“AF操作线圈”。线圈2130可以设置在板2120上。线圈2130可以设置在壳体2110上。线圈2130可以设置在筒架2210与壳体2110之间。线圈2130可以设置在筒架2210与壳体2110之间。线圈2130可以设置在筒架2210与盖构件2500的侧板520之间。线圈2130可以设置在筒架2210与板2120之间。线圈2130可以面对第一磁体2220。线圈2130可以设置成面对第一磁体2220。线圈2130可以执行与第一磁体2220的电磁相互作用。这里，当电流被供应到线圈2130并且因此在线圈2130周围形成电磁场时，第一磁体2220可以借助于线圈2130与第一磁体2220之间的电磁相互作用而相对于线圈2130移动。线圈2130可以由单个线圈组成。在修改方案中，线圈2130可以包括彼此间隔开的多个线圈。

当正向电流施加到线圈2130时，可移动单元2200可以远离图像传感器2060移动。当反向电流施加到线圈2130时，可移动单元220可以移动靠近图像传感器2060。

静止单元2100可以包括霍尔传感器2140。霍尔传感器2140可以设置在板2120上。霍尔传感器2140可以设置在线圈2130中。霍尔传感器2140可以包括霍尔IC。霍尔传感器2140可以面对第一磁体2220。霍尔传感器可以检测第一磁体2220。霍尔传感器2140可以检测第一磁体2220的磁力。霍尔传感器2140可以检测可移动单元220的位置的变化。霍尔传感器2140可以检测筒架2210的位置变化。霍尔传感器2140可以用其中包括霍尔器件的驱动器IC代替。驱动器IC可以导电地连接到线圈2130，以控制施加到线圈2130的电流。霍尔传感器2140可以设置在线圈2130的外部。

透镜移动装置2010可以包括可移动单元2200。可移动单元2200可以是被配置为在AF操作期间相对于静止单元2100移动的一个或多个部件所联接到的单元。可移动单元2200可以设置成在静止单元2100中可移动。可移动单元2200可以在光轴方向上相对于静止单元2100可移动。

可移动单元2200可以包括筒架2210。筒架2210可以设置在壳体2110中。筒架2210可以设置在壳体2110中的孔洞中。筒架2210可以可移动地设置在壳体2110中。筒架2210可以在光轴方向上在第一行程内可移动。筒架2210可以在光轴方向上相对于壳体2110可移动。透镜模块2020可以联接到筒架2210。筒架2210可以使用螺钉和/或粘合剂联接到透镜模块2020。第一磁体2220可以联接到筒架2210。筒架2210可以是注入成型的。

筒架2210可以具有第一凹槽2211。第一凹槽2211可以形成在筒架2210的第一表面中。第一凹槽2211可以形成为具有从筒架2210的第一表面凹陷的结构。第一凹槽2211可以是“第一磁体接收凹槽”。第一凹槽2211可以接收第一磁体2220。第一凹槽2211可以形成为具有与第一磁体2220对应的尺寸和形状。

筒架2210可以具有第二凹槽2212。第二凹槽2212可以形成在与筒架2210的第一表面相对的第二表面中。第二凹槽2212可以形成为具有从筒架2210的第二表面凹陷的结构。第二凹槽2212可以是“第二磁体接收凹槽”。第二凹槽2212可以在其中接收第二磁体2410。第二凹槽2212可以具有与第二磁体2410对应的尺寸和形状。

可移动单元2200可以包括第一磁体2220。第一磁体2220可以移动筒架2210。第一磁体2220可以借助于与线圈2130的相互作用来移动筒架2210。第一磁体2220可以借助于与线圈2130的电磁相互作用来移动筒架2210。第一磁体2220可以设置在筒架2210的第一表面上。第一磁体2220可以设置在第一凹槽2211中，以不从筒架2210的第一表面突起。

第一磁体2220可以包括面对线圈2130的第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一磁体2220可以形成为使得第一磁体2220的第一表面的上部和第一磁体2220的第二表面的下部具有相同的极性，并且第一磁体2220的第一表面的下部和第一磁体2220的第二表面的上部具有相同的极性。

第一磁体2220可以包括中性部2221。中性部2221可以形成在第一磁体2220的中心。中性部2221可以设置在垂直于光轴方向的方向上。中性部2221可以包括极性为中性的部段。

透镜移动装置2010可以包括滚珠2300。滚珠2300可以设置在筒架2210与壳体2110之间。滚珠2300可以在光轴方向上引导筒架2210。滚珠2300可以防止筒架2210在垂直于光轴方向的方向上移动。滚珠2300可以是“引导构件”。滚珠2300可以形成为具有球形形状。滚珠2300可以可旋转地设置在筒架2210与壳体2110之间。滚珠2300可以在一个点处与筒架2210接触。滚珠2300可以在两个点处与壳体2110接触。相反，滚珠2300可以在两个点处与筒架2210接触，并且可以在一个点处与壳体2110接触。

滚珠2300可以包括多个滚珠。滚珠2300可以包括两组滚珠。该两组滚珠可以分别设置在两个凹槽2112中。该两组中的每一组都可以包括多个滚珠。例如，该两组中的每一组都可以包括两个、三个或更多个滚珠。第一组滚珠中的每个都可以在总共三个点处与筒架2210和壳体2110两者接触。第二组滚珠中的每个都可以在总共四个点处与筒架2210和壳体2110两者接触。换言之，在其中接收第一组滚珠的筒架2210和壳体2110的形状可以不同于在其间接收第二组滚珠的筒架2210和壳体2110的形状。

透镜移动装置2010可以包括按压单元2400。按压单元2400可以将可移动单元2200压靠在滚珠2300上。按压单元2400可以将滚珠2300压靠在静止单元2100上。按压单元2400可以将筒架2210压靠在滚珠2300上。按压单元2400可以将滚珠2300压靠在壳体2110上。按压单元2400可以使滚珠2330与筒架2210紧密接触。因此，即使当筒架2210移动时，也可以保持筒架2210与滚珠2300之间的接触以及滚珠2300与壳体2110之间的接触。按压单元2400可以包括磁体。按压单元2400可以包括多个磁体。按压单元2400可以包括两个磁体。按压单元2400可以利用作用在两个磁体之间的排斥力。

透镜移动装置2010可以包括第二磁体2410。按压单元2400可以包括第二磁体2410。第二磁体2410可以设置在筒架2210的与第一表面相对的第二表面上。第二磁体2410可以设置在筒架2210中的第二凹槽2212中，以不从筒架2210的第二表面突起。第二磁体2410可以设置在第一磁体2220与第三磁体2420之间。

第二磁体2410可以按压筒架2210以使筒架2210与滚珠2300接触。第二磁体2410可以按压筒架2210以借助于与第三磁体2420的相互作用使筒架2210与滚珠2300接触。第二磁体2410和第三磁体2420可以设置成使得其相同的极性彼此面对。因此，可以在第二磁体2410与第三磁体2420之间产生排斥力。换言之，借助于作用在第二磁体2410与第三磁体2420之间的排斥力，第二磁体2410可以按压筒架2210以使筒架2210与滚珠2300接触。第二磁体2410和第三磁体2420可以设置成使得排斥力作用在其间。

壳体2110的一部段、筒架2210的一部段或附加构件可以设置在第二磁体2410与第三磁体2420之间。这里，排斥力可以作用在第二磁体2410与第三磁体2420之间。

第二磁体2410可以在垂直于光轴方向和第一方向的方向上与第一磁体2220的中性部2221重叠。这里，光轴方向可以对应于图31中的z轴方向，第一方向可以对应于图31中的x轴方向，并且第二方向可以对应于图31中的y轴方向。

第二磁体2410在光轴方向上的极性之间的边界部段可以被定位在与第三磁体2420在光轴方向上的极性之间的边界部段相同的水平。这里，极性之间的边界部段可以是中性部段。极性之间的边界部段可以形成为区域或线。第二磁体2410在光轴方向上的极性之间的边界部段可以被定位在比第三磁体2420的极性之间的边界部段的水平高的水平处。第二磁体2410在光轴方向上的极性之间的边界部段可以被定位在比第三磁体2420的极性之间的边界部段的水平低的水平处。

筒架2210和第二磁体2410可以在光轴方向上在第一行程a(参见图31)内移动。第二磁体2410可以在垂直于光轴方向的方向上在第一行程s的整个范围内与第三磁体2420重叠。第二磁体2410可以在垂直于光轴方向的方向上在第一行程s的整个范围内以第二磁体2410的总体积的70％或更多与第三磁体2420重叠。第二磁体2410可以在垂直于光轴方向的方向上在第一行程s的整个范围内以第二磁体2410的总体积的50％或更多与第三磁体2420重叠。这里，垂直于光轴方向的方向可以对应于图31中的y轴方向。

当从上方观察时，第二磁体2410可以设置在第一磁体2220与第三磁体2420之间。第三磁体2420、第二磁体2410和第一磁体2220可以在垂直于光轴方向和第一方向的第二方向上以该次序顺序地设置。第二方向可以垂直于第三磁体2420的第一表面。

第二磁体2410可以由与第一磁体2220不同的材料制成。第二磁体2410可以包括与第一磁体2220不同的成分。第二磁体2410可以由具有比第一磁体2220的材料的磁力低的磁力的材料制成。换言之，第一磁体2220可以由第一材料制成，并且第二磁体2410可以由不同于第一材料的第二材料制成。这里，第一材料的磁力可以高于第二材料的磁力。第二磁体2410可以包括钕合金(NdFeB)或钐钴中的至少一种。

第二磁体2410可以包括面对第三磁体2420的第一表面。这里，第二磁体2410的第一表面的表面积可以小于第三磁体2420的第一表面(面对表面)的表面积。第二磁体2410的体积可以小于第三磁体2420的体积。第二磁体2410的尺寸可以小于第三磁体2420的尺寸。

第二磁体2410的磁力可以低于第一磁体2220的磁力。第二磁体2410的材料可以与第一磁体2220的材料相同。第二磁体2410可以由磁力低于第一磁体2220磁力的材料制成。第二磁体2410的磁力可以等于或高于第一磁体2220的磁力。

透镜移动装置2010可以包括第三磁体2420。按压单元2400可以包括第三磁体2420。第三磁体2420可以设置在壳体2110上。第三磁体2420可以按压筒架2210以使筒架2210与滚珠2300接触。第三磁体2420可以按压筒架2210以借助于与第二磁体2410的相互作用使筒架2210与滚珠2300接触。第三磁体2420和第二磁体2410可以设置成使得其相同的极性彼此面对。因此，可以在第三磁体2420与第二磁体2410之间产生排斥力。换言之，借助于第三磁体2420与第二磁体2410之间的排斥力，第三磁体2420可以按压筒架2210以使筒架与滚珠2300接触。第三磁体2420可以将第二磁体2410推向滚珠2300。第三磁体2420可以将筒架2210推向滚珠2300。因此，筒架2210可以与滚珠2300紧密接触。此外，滚珠2300可以与壳体2110紧密接触。作用在第二磁体2410与第三磁体2420之间的排斥力可以为2gf或更低。

第三磁体2420的磁力可以低于第一磁体2220的磁力。第三磁体2420的材料可以与第一磁体2220的材料相同。第三磁体2420可以由磁力低于第一磁体2220磁力的材料制成。第三磁体2420的磁力可以等于或高于第一磁体2220的磁力。

第三磁体2420可以包括朝向第二磁体2410的第一表面指向的第一表面。第三磁体2420可以包括面对第二磁体2410的第一表面的第一表面。第三磁体2420的第一表面的表面积可以大于第二磁体2410的第一表面(面对表面)的表面积。第三磁体2420的第一表面和第二磁体2410的第一表面可以具有相同的极性。例如，第三磁体2420的第一表面和第二磁体2410的第一表面可以是N极。替代地，第三磁体2420的第一表面和第二磁体2410的第一表面可以是S极。

如图31中所示，第三磁体2420可以在光轴方向上比第二磁体2410长。在光轴方向上，第三磁体2420的长度b(参见图31)可以是第二磁体2410的长度a(参见图31)的两倍或更多倍。在光轴方向上，第三磁体2420的长度b(参见图31)可以是第二磁体2410的长度a(参见图31)的1.5倍或更多倍。在光轴方向上，第三磁体2420的长度b(参见图31)可以是第二磁体2410的长度a(参见图31)的1.2倍或更多倍。

如图29中所示，第三磁体2420可以在垂直于光轴方向的第一方向上比第二磁体2410长。在第一方向上，第三磁体2420的宽度b(参见图29)可以是第二磁体2410的宽度a(参见图29)的5倍或更多倍。这里，第一方向可以对应于图1中的x轴方向。在垂直于光轴方向的第一方向上，第三磁体2420的宽度可以大于第二磁体2410的宽度。第一方向可以是第三磁体2420的较长侧所延伸的方向。第一方向可以平行于第三磁体2420的第一表面。第一方向可以平行于第二磁体2410的第一表面。在第一方向上，第三磁体2420的宽度b(参见图29)可以是第二磁体2410的宽度a(参见图29)的两倍或更多倍。在第一方向上，第三磁体2420的宽度b(参见图29)可以是第二磁体2410的宽度a(参见图29)的1.5倍或更多倍。

在垂直于光轴方向和第一方向的第二方向上，第三磁体2420的厚度可以等于第二磁体2410的厚度。这里，第二方向可以对应于图28中的y轴方向。在垂直于光轴方向和第一方向的第二方向上，第三磁体2420的厚度可以大于第二磁体2410的厚度。在垂直于光轴方向和第一方向的第二方向上，第三磁体2420的厚度可以小于第二磁体2410的厚度。

第三磁体2420可以由与第一磁体2220不同的材料制成。第三磁体2420可以包括与第一磁体2220不同的成分。第三磁体2420可以由磁力低于第一磁体2220的材料磁力的材料制成。换言之，第一磁体2220可以由第一材料制成，并且第三磁体2420可以由与第一材料不同的材料制成。这里，第一材料的磁力可以高于第二材料的磁力。第三磁体2420可以包括钕合金(NdFeB)或钐钴中的至少一种。

第二磁体2410和第三磁体2420可以由相同的材料制成。在一修改方案中，第二磁体2410和第三磁体2420可以由不同的材料制成。第二磁体2410和第三磁体2420可以包括彼此不同的成分。

在一修改方案中，第一磁体2220和第二磁体2410可以由相同的材料制成，并且第三磁体2420可以由不同的材料制成。这里，第三磁体2420的材料的磁力可以低于第一磁体2220和第二磁体2410的材料的磁力。

在另一修改方案中，第一磁体2220和第三磁体2420可以由相同的材料制成，并且第二磁体2410可以由不同的材料制成。这里，第二磁体2410的材料的磁力可以低于第一磁体2220和第三磁体2420的材料的磁力。

透镜移动装置2010可以包括盖构件2500。盖构件2500可以包括“盖罐”。盖构件2500可以设置成围绕壳体2110。盖构件2500可以在其中容纳壳体2110。盖构件250可以限定透镜移动装置2010的外观。盖构件2500可以具有在下表面处开口的六面体的形式。盖构件2500可以是非磁性体。盖构件2500可以由金属制成。盖构件2500可以由金属板构成。盖构件2500可以连接到印刷电路板2050的接地部段。因此，盖构件2500可以接地。盖构件2500可以屏蔽电磁干扰(EMI)。这里，盖构件2500可以被称为“EMI屏蔽罐”。

盖构件2500可以包括上板和侧板。盖构件2500可以包括具有孔洞的上板和从上板的外周边或边缘向下延伸的侧板。盖构件2500的侧板可以包括多个侧板。该多个侧板可以包括第一侧板至第四侧板。盖构件2500的侧板可以包括设置成彼此相对的第一侧板和第二侧板，以及设置在第一侧板与第二侧板之间并且彼此相对的第三侧板和第四侧板。板2120和线圈2130可以设置在盖构件2500的第一侧板上，并且第三磁体2420可以设置在第二侧板上。

在一实施例中，用于驱动筒架2210的第一磁体2220设置在筒架2210的一侧上，并且线圈2130可以设置在与第一磁体2220相对的静止单元2100上。霍尔器件或其中内置有霍尔器件的驱动器IC可以设置在线圈2130的内部或外部。霍尔器件可以设置在板2120上。

第二磁体2410可以与作为筒架2210操作单元的第一磁体2220相对设置，并且第三磁体2420设置在作为静止单元2100的壳体2110上，使得滚珠2300和壳体2110借助于作用在它们之间的排斥力彼此紧密接触。

因为第二磁体2410设置在可移动单元2200上，所以第二磁体2410可以具有小于第三磁体2420的尺寸和高度，以保持恒定的排斥力。

第三磁体2420的内侧和外侧可以具有不同的极性。第二磁体2410可以设置成对应于第三磁体2410，以施加排斥力。特别地，为了保持排斥力恒定并使分散最小化，第二磁体2410和第三磁体2420使用具有比第一磁体2220更低等级和更好温度性质的磁体。例如，第二磁体2410和第三磁体2420可以使用钕合金(NdFeB)磁体和/或钐钴磁体。为了实现上述目的，第二磁体2410和第三磁体2420可以使用不同种类的磁体。根据最近的趋势，考虑到透镜的重量和操作单元的重量，排斥力为2gf或更低是合适的。为了抑制倾斜的产生，第一磁体2220和第三磁体2420的中心位置不可以偏离致动器***作的总行程，并且第一磁体2220和第三磁体2420可以彼此部分地重叠，如从横截面图(图4)所理解的那样。第三磁体2420可以是在行程范围内与第二磁体2410重叠的致动器。

一实施例可以包括透镜移动装置2010，其中可移动单元2200、滚珠2300和静止单元2100在彼此接触的状态下，借助于作用在与致动器中的操作单元相对的一侧的磁体之间的排斥力以滑动方式进行相对性移动，在致动器中，滚珠2300与多个点接触。

在该实施例中，第二磁体2410和第三磁体2420的磁力可以低于第一磁体2220的磁力，并且可以在第二磁体2410与第三磁体2420之间产生排斥力。第二磁体2410可以具有小于第三磁体2420的尺寸和高度。

在下文中，将参考附图描述根据实施例的透镜移动装置2010。

图32是示出了根据修改方案的透镜移动装置2010的线圈、霍尔传感器和第一至第三磁体的布置的视图。

在下文中，将主要描述实施例与修改方案之间的差异。这里，实施例的描述将在修改或不修改的情况下应用于未被描述的修改方案的细节。

在修改方案中，第二磁体2410a可以形成为大于第三磁体2420a。第二磁体2410a的体积可以大于第三磁体2420a的体积。第二磁体2410a可以包括第一表面，并且第三磁体2420a可以包括面对第二磁体2410a的第一表面的第一表面。这里，第三磁体2420a的第一表面的表面积可以小于第二磁体2410a的第一表面的表面积。在光轴方向上，第二磁体2410a的长度可以大于第三磁体2420a的长度。在垂直于光轴方向的第一方向上，第二磁体2410a的长度可以大于第三磁体2420a的长度。借助于该结构，即使当第二磁体2410a在AF操作期间移动时，也可以防止筒架2210的倾斜。

图33是根据另一实施例的相机模块的分解立体图。

相机模块可以是相机设备。

相机模块可以包括透镜模块2020。透镜模块2020可以包括至少一个透镜。透镜可以设置在与图像传感器2060对应的位置处。透镜模块2020可以包括透镜和镜筒。透镜模块2020可以联接到透镜移动装置2010的筒架2210。透镜模块2020可以使用螺钉和/或粘合剂联接到筒架2210。透镜模块2020和筒架2210可以一体地移动。

相机模块可以包括滤光器2030。滤光器2030可以用于防止穿过透镜模块2020的光中的特定频带的光进入图像传感器2060。滤光器2030可以平行于x-y平面设置。滤光器2030可以设置在透镜模块2020与图像传感器2060之间。滤光器2030可以设置在传感器基座2040上。滤光器2030可以包括红外滤光器。红外滤光器可以防止红外光进入图像传感器2060。红外滤光器可以包括红外反射滤光器或红外吸收滤光器。

相机模块可以包括传感器基座2040。传感器基座2040可以设置在透镜移动装置2010与印刷电路板2050之间。传感器基座2040可以包括突起部2041，滤光器2030设置在该突起部上。膛孔可以被形成穿过传感器基座2040的其上设置滤光器2030的部段，以允许穿过滤光器2030的光进入图像传感器2060。粘合构件可以设置在基座2040与透镜移动装置2010之间。粘合构件可以将透镜移动装置2010附接到传感器基座2040的上表面。粘合构件可以用于防止污染物进入透镜移动装置2010。粘合构件可以包括环氧树脂、热硬化粘合剂或紫外线硬化粘合剂中的至少一种。

相机模块可以包括印刷电路板(PCB)2050。印刷电路板2050可以是板或电路板。透镜移动装置2010可以设置在印刷电路板2050上。传感器基座2040可以设置在印刷电路板2050与透镜移动装置2010之间。印刷电路板2050可以导电地连接到透镜移动装置2010。图像传感器2060可以设置在印刷电路板2050上。印刷电路板2050还可以包括各种电路、设备、控制器等，以将形成在图像传感器2060上的图像转换为电信号并将信号发送到外部设备。

相机模块可以包括图像传感器2060。图像传感器2060可以是已经穿过透镜和滤光器2030的光入射在其上以形成图像的部件。图像传感器2060可以安装在印刷电路板2050上。图像传感器2060可以导电地连接到印刷电路板2050。例如，图像传感器2060可以通过表面安装技术(SMT)联接到印刷电路板2050。替代地，图像传感器2060可以通过倒装芯片技术联接到印刷电路板2050。图像传感器2060可以设置成与光轴对准。换言之，图像传感器2060的光轴可以与透镜的光轴对准。图像传感器2060可以将入射在其有效图像区域上的光转换为电信号。图像传感器2060可以是电荷耦合器件(CCD)、金属氧化物半导体(MOS)、CPD和CID中的任何一种。

相机模块可以包括运动传感器2070。运动传感器2070可以表面安装在印刷电路板2050上。运动传感器2070可以经由设置在印刷电路板2050处的电路图案被导电地连接到控制器2080。运动传感器2070可以输出相机模块的移动的旋转角速度信息。运动传感器2070可以包括双轴或三轴陀螺仪传感器或角速度传感器。

相机模块可以包括控制器2080。控制器2080可以设置在印刷电路板2050处。控制器2080可以导电地连接到透镜移动装置2010的线圈2130。控制器2080可以分别控制供应到线圈2130的电流的方向、强度、幅度等。控制器2080可以控制透镜移动装置2010执行自动聚焦功能。控制器2080可以导电地连接到霍尔传感器2140。控制器2080可以通过经由霍尔传感器2140检测可移动单元2200的位置来执行用于透镜移动装置1010的自动聚焦反馈控制。

相机模块可以包括连接器2090。连接器2090可以导电地连接到印刷电路板2050。连接器2090可以包括端口，该端口将导电地连接到外部设备。

图28至图32中所示的实施例的描述可以在修改或不修改的情况下应用于图17至图27中所示的实施例。

图34是示出根据实施例的光学设备200A的立体图。图35是示出图34中所示的光学设备200A的配置的视图。

参考图34和图35，光学设备(下文被称为“终端”)200A可以包括本体850、无线通信单元710、音频/视频(A/V)输入单元720、感测单元740、输入/输出单元750、存储单元760、接口单元770、控制器780和电源单元790。

图34中所示的本体850具有条形状，但不限于此，并且可以是各种类型中的任何一种，诸如例如滑动型、折叠型、摆动型或旋转型，其中，两个或更多个子本体被联接以相对于彼此可移动。

本体850可以包括限定终端外观的壳(外壳、壳体、盖等)。例如，本体850可以被分成前壳851和后壳852。终端的各种电子部件可以容纳在前壳851与后壳852之间限定的空间中。

无线通信单元710可以包括一个或多个模块，该一个或多个模块使得能够在终端200A与无线通信***之间或者在终端200A与终端200A所在的网络之间进行无线通信。例如，无线通信单元710可以包括广播接收模块711、移动通信模块712、无线互联网模块713、近场通信模块714和位置信息模块715。

A/V输入单元720用于输入音频信号或视频信号，并且可以包括例如相机721和麦克风722。

相机721可以包括根据实施例的相机设备200、200-1和200-3。

感测单元740可以感测终端200A的当前状态，诸如例如终端200A的打开或关闭、终端200A的定位、存在用户触摸、终端200A的定向或终端200A的加速/减速，并且可以生成感测信号以控制终端200A的操作。当终端200A是例如滑动型蜂窝电话时，感测单元740可以感测滑动型蜂窝电话是打开的还是关闭的。此外，感测单元740可以感测来自电源单元790的电力供应、接口单元770与外部设备的联接等。

输入/输出单元750用于生成例如视觉、听觉或触觉输入或输出。输入/输出单元750可以生成输入数据以控制终端200A的操作，并且可以显示在终端200A中处理的信息。

输入/输出单元750可以包括键盘单元730、显示模块751、声音输出模块752和触摸屏面板753。键盘单元730可以响应于键盘上的输入而生成输入数据。

显示模块751可以包括多个像素，其颜色根据施加到其的电信号而变化。例如，显示模块751可以包括液晶显示器、薄膜晶体管液晶显示器、有机发光二极管、柔性显示器和3D显示器中的至少一种。

声音输出模块752可以在例如呼叫信号接收模式、呼叫模式、记录模式、语音识别模式或广播接收模式下输出从无线通信单元710接收的音频数据，或者可以输出存储在存储单元760中的音频数据。

触摸屏面板753可以将由用户在触摸屏的特定区域上的触摸引起的电容变化转换为电输入信号。

存储单元760可以临时存储用于控制器780的处理和控制的程序，以及输入/输出数据(例如，电话号码、消息、音频数据、静止图像、运动图像等)。例如，存储单元760可以存储由相机721捕获的图像，例如，图片或移动图像。

接口单元770用作透镜移动装置通过其连接到与终端200A连接的外部设备的路径。接口单元770可以从外部部件接收功率或数据，并且可以将其发送到终端200A内部的相应组成元件，或者可以将终端200A内部的数据发送到外部部件。例如，接口单元770可以包括有线/无线头戴组件端口、外部充电器端口、有线/无线数据端口、存储卡端口、用于连接到配备有识别模块的设备的端口、音频输入/输出(I/O)端口、视频输入/输出(I/O)端口、耳机端口等。

控制器780可以控制终端200A的整体操作。例如，控制器780可以执行与例如语音呼叫、数据通信和视频呼叫相关的控制和处理。

控制器780可以包括用于多媒体回放的多媒体模块781。多媒体模块781可以在控制器780中实施，或者可以独立于控制器780实施。

控制器780可以执行能够将在触摸屏上执行的书写输入或绘图输入分别识别为字符和图像的图案识别处理。

电源单元790可以在控制器780的控制下在接收外部电力或内部电力后供应操作相应组成元件所需的电力。

以上在实施例中描述的特征、配置、效果等包括在至少一个实施例中，但是本发明不仅限于该实施例。另外，在相应实施例中例示的特征、配置、效果等可以由本领域技术人员与其他实施例组合或修改。因此，与这些组合和修改相关的内容应被解释为落入本公开的范围内。

工业适用性

实施例可应用于透镜移动装置、相机模块和光学设备，其能够容易且自由地设计筒架、壳体和滚珠构件之间的摩擦力，以稳定地支撑AF移动单元。

Claims (10)

1.一种透镜移动装置，包括：

基座；

壳体，设置在所述基座上方；

筒架，设置在所述壳体中；

第一磁体，设置在所述筒架上；

线圈，设置在所述壳体上，以面对所述第一磁体；

第二磁体，设置在所述筒架上，以与所述第一磁体间隔开；

轭，设置在所述壳体上，以面对所述第二磁体；

滚珠构件，设置在所述筒架与所述壳体之间；以及

位置传感器，设置在所述基座上，以在光轴方向上面对所述第一磁体或所述第二磁体。

2.根据权利要求1所述的透镜移动装置，其中，所述第二磁体设置在所述轭与所述第一磁体之间，且所述第一磁体设置在所述第二磁体与所述线圈之间。

3.根据权利要求1所述的透镜移动装置，其中，还包括设置在所述壳体上的电路板，

其中，所述线圈导电地连接到所述电路板。

4.根据权利要求3所述的透镜移动装置，其中，还包括导电地连接到所述位置传感器的导电构件。

5.根据权利要求1所述的透镜移动装置，其中，所述位置传感器在垂直于所述光轴方向的方向上不与所述第一磁体或所述第二磁体重叠。

6.根据权利要求1所述的透镜移动装置，其中，所述位置传感器在垂直于所述光轴方向的方向上不与所述轭重叠。

7.根据权利要求1所述的透镜移动装置，其中，所述第一磁体设置在所述筒架的第一侧部上，且所述第二磁体设置在与所述第一侧部相对的所述筒架的第二侧部上，且

其中，所述线圈设置在所述壳体的第一侧部上，且所述轭设置在与所述第一侧部相对的所述壳体的第二侧部上。

8.根据权利要求1所述的透镜移动装置，其中，所述滚珠构件设置在所述筒架的供所述第二磁体设置的侧部与所述壳体的供所述轭设置的侧部之间。

9.根据权利要求1所述的透镜移动装置，其中，所述滚珠构件设置在所述筒架的供所述第一磁体设置的侧部与所述壳体的供所述线圈设置的侧部之间，且排斥力作用在所述轭与所述第二磁体之间。

10.根据权利要求1所述的透镜移动装置，其中，所述轭是磁性体，且所述轭在所述光轴方向上的长度不同于所述第二磁体在所述光轴方向上的长度。

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