CN116068360A - 一种动态参数测试*** - Google Patents

Abstract

本发明提供一种动态参数测试***，包括测试机台、示波器、待测半导体器件和栅极近端驱动板，测试机台分别与示波器和栅极近端驱动板电连接，并用于向示波器提供电平转换的触发信号，还用于通过栅极近端驱动板与待测半导体器件形成大电流回路，栅极近端驱动板固定在待测半导体器件的附近，并用于驱动待测半导体器件开通和关闭，示波器用于测试待测半导体器件的动态参数。本发明通过增设栅极近端驱动板，并将所述栅极近端驱动板放置在待测半导体器件附近，缩短了栅极驱动回路与待测半导体器件之间的长度，减少了栅极驱动回路的寄生参数，优化了测量结果和测量波形，使得测试数据更加精确，测量结果更加可靠。

Description

一种动态参数测试***

技术领域

本发明涉及测试领域，特别是涉及一种动态参数测试***。

背景技术

目前市面上的第三代半导体材料器件，如碳化硅材料器件等，由于具有过高的开关速度（即di/dt电流上升速率和dv/dt电压上升速率），使得第三代半导体材料器件的测试电路中的寄生参数（例如寄生电感）会对测试结果造成影响，严重时容易造成测试波形出现振铃现象，从而导致测试数据不稳定，例如栅极驱动部分杂散电感越大，导致栅极电压振荡和测试***越不稳定，从而造成测试结果偏差。

目前比较成熟的垂直式分选测试机，由于第三代半导体材料器件的测试接触部分是测试爪，测试机或测试仪只能通过一定长度的测试线连接到测试爪的末端，同时栅极的驱动设置在测试仪内部，而长的栅极回路驱动线使得栅极回路寄生电感增大，导致电压振荡和测试***不稳定，严重时还会损坏第三代半导体材料器件，损坏测试***，影响测试结果。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种动态参数测试***，可以减少栅极回路寄生参数，优化测试结果和测试波形。

为了解决上述问题，本发明提供一种动态参数测试***，包括测试机台、示波器、待测半导体器件和栅极近端驱动板，所述测试机台分别与所述示波器和栅极近端驱动板电连接，并用于向所述示波器提供电平转换的触发信号，还用于通过所述栅极近端驱动板与所述待测半导体器件形成大电流回路，所述栅极近端驱动板固定在所述待测半导体器件的附近，并用于驱动所述待测半导体器件开通和关闭，所述示波器用于测试所述待测半导体器件的动态参数。

可选的，所述测试机台具有CE外接端口、电源外接端口、栅极驱动输出端口、ICE输出端口和触发信号输出端口，所述CE外接端口、电源外接端口和栅极驱动输出端口均与所述栅极近端驱动板电连接；所述ICE输出端口和触发信号输出端口均与所述示波器连通，并用于向所述示波器提供触发信号。

进一步的，所述栅极近端驱动板包括第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘，所述栅极近端驱动板具有第一测试端口、第二测试端口和第三测试端口，所述第一焊盘连接所述第一测试端口，所述第二焊盘连接所述第二测试端口，所述第三焊盘连接所述第三测试端口，所述第四焊盘连接所述栅极近端驱动板的地。

进一步的，所述待测半导体器件包括第一端口、第二端口和第三端口，所述第一端口连接所述第四焊盘，所述第二端口连接所述第二焊盘，所述第三端口连接所述第一焊盘和所述第三焊盘。

进一步的，所述栅极近端驱动板包括栅极驱动芯片器件、电源输入端子、栅极驱动输入端子、第一电容组、第二电容组、第一二极管、第二二极管、第一电阻和第二电阻，所述栅极驱动芯片器件包括输入端、输出端、正电源端和负电源端，所述电源输入端子具有第一输入端口、第二输入端口和第三输入端口；

所述电源输入端子连接所述电源外接端口，所述栅极驱动输入端子连接所述栅极驱动输出端口，所述第一输入端口同时连接所述第一电容组的一端和所述栅极驱动芯片器件的正电源端；所述栅极近端驱动板的地同时连接所述第二输入端口、所述第一电容组的另一端、第二电容组的一端、输入端、栅极驱动输入端子和第四焊盘；所述第三输入端口连接所述第二电容组的另一端和所述负电源端；所述第一二极管的正极和所述第二二极管的负极均连接所述输出端，所述第一二极管的负极连接所述第一电阻的一端，所述第二二极管的正极连接所述第二电阻的一端，所述第一电阻的另一端和所述第二电阻的另一端均连接所述第一焊盘。

进一步的，所述示波器包括第一连接端、第二连接端、第三连接端和第四连接端，所述第二连接端连接所述第二测试端口，所述第一连接端连接所述第三测试端口，所述第三连接端连接所述ICE输出端口，所述第四连接端连接所述触发信号输出端口，并用于接收所述测试机台提供的触发信号。

进一步的，还包括连接部件，所述待测半导体器件和栅极近端驱动板相对固定在所述连接部件的两侧，所述测试机台通过双绞线连接在所述连接部件上。

进一步的，所述连接部件包括限位部和多个测试爪，所述限位部具有多个限位槽，每个所述限位槽中通过螺丝固定有一个所述测试爪，且所述限位部固定在所述栅极近端驱动板的一侧上，所述测试爪固定设置在所述第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘上。

进一步的，多个所述测试爪分别为CV压片、CI压片、BV压片、BI压片、EI压片和EV压片，所述EI压片、BI压片和CI压片均沿所述测试爪的宽度方向平行且间隔设置，所述EV压片、BV压片和CV压片均沿所述测试爪的宽度方向平行且间隔设置，所述EI压片设置在所述EV压片下方，所述BI压片设置在BV压片下方，所述CI压片设置在所述CV压片下方。

进一步的，每个所述测试爪均具有第一端和第二端，

所述CI压片的第一端通过双绞线连接所述CE外接端口，所述CV压片的第一端焊接在所述第二焊盘上，所述CI压片的第二端和所述CV压片的第二端均压接在所述第一端口上；

所述BI压片的第一端焊接在所述第一焊盘上，所述BV压片的第一端焊接在所述第三焊盘上，所述BI压片的第二端和所述BV压片的第二端均压接在所述第二端口上；

所述EI压片的第一端通过双绞线连接所述CE外接端口，所述EV压片的第一端焊接在所述第四焊盘上，所述EI压片的第二端和所述EV压片的第二端均压接在所述第三端口上。

进一步的，所述CE外接端口具有EI子端、CI子端和输出端口，所述CI压片的第一端通过双绞线和输出端口连接CI子端，所述EI压片的第一端通过双绞线和输出端口连接所述EI子端。

与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：

本发明提供一种动态参数测试***，包括测试机台、示波器、待测半导体器件和栅极近端驱动板，所述测试机台分别与所述示波器和栅极近端驱动板电连接，并用于向所述示波器提供电平转换的触发信号，还用于通过所述栅极近端驱动板与所述待测半导体器件形成大电流回路，所述栅极近端驱动板固定在所述待测半导体器件的附近，并用于驱动所述待测半导体器件开通和关闭，所述示波器用于测试所述待测半导体器件的动态参数。本发明通过增设栅极近端驱动板，并将所述栅极近端驱动板放置在待测半导体器件附近，缩短了栅极驱动回路与待测半导体器件之间的长度，减少了栅极驱动回路的寄生参数，优化了测量结果和测量波形，使得测试数据更加精确，测量结果更加可靠。

附图说明

图1为本发明一实施例提供的一种动态参数测试***的示意图；

图2 -图4为本发明一实施例提供的待测半导体器件与栅极近端驱动板连接的立体结构示意图；

图5a为利用LTspice软件对现有的动态参数测试***的测试结果的仿真示图；

图5b为利用LTspice软件对本发明一实施例提供的一种动态参数测试***的测试结果的仿真示图。

附图标记说明：

100-测试机台；110-电源电路部分；120-控制电路部分；111-CE外接端口；121-电源外接端口；122-栅极驱动输出端口；123- ICE输出端口；124-触发信号输出端口；200-栅极近端驱动板；211-栅极驱动芯片器件；212-电源输入端子；213-栅极驱动输入端子；214-第一电容组；215-第二电容组；300-示波器；310-第四连接端；400-连接部件；410-限位部；421-CV压片；422-CI压片；423-BV压片；424-BI压片；425-EV压片；426-EI压片；DUT-待测半导体器件；D1-第一端口；D2-第二端口；D3-第三端口。

具体实施方式

以下将对本发明的一种动态参数测试***作进一步的详细描述。下面将参照附图对本发明进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本发明由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关***或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

为使本发明的目的、特征更明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步的说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

图1为本实施例提供的一种动态参数测试***的示意图。如图1所示，本实施例提供一种动态参数测试***，基于第三代的半导体器件（例如碳化硅材料器件）的动态参数测试***，以对待测半导体器件DUT进行动态参数的测试。所述动态参数测试***符合JEDEC标准。所述待测半导体器件DUT例如包括多个阵列分布的NPN三极管，所述待测半导体器件DUT包括第一端口D1、第二端口D2和第三端口D3，所述NPN三极管的E极对应所述第一端口D1，所述NPN三极管的C极对应所述第二端口D2，所述NPN三极管的B极对应所述第三端口D3。

所述动态参数测试***包括测试机台100、示波器300、待测半导体器件DUT和栅极近端驱动板200，所述测试机台100分别与所述示波器300和栅极近端驱动板200电连接，并用于向所述示波器300提供电平转换的触发信号，还用于通过所述栅极近端驱动板200与所述待测半导体器件DUT形成大电流回路，所述待测半导体器件DUT固定在所述栅极近端驱动板200附近，所述栅极近端驱动板200用于驱动所述待测半导体器件DUT开通和关闭，所述示波器300用于测试所述待测半导体器件DUT的动态参数。其中，所述测试机台100可以为垂直式分选测试机，在本实施例中所述测试机台为开关时间测试仪。

所述测试机台100包括相互连接的电源电路部分110和控制电路部分120，所述测试机台100具有多个外接端口，分别为CE外接端口111、电源外接端口121、栅极驱动输出端口122、ICE输出端口123和触发信号输出端口124。其中，所述CE外接端口111具有EI子端、CI子端和输出端口。所述电源外接端口121、栅极驱动输出端口122和触发信号输出端口124均与所述控制电路部分120电连接。

所述电源电路部分110包括第一电容C1、第二电容C2、第一电感L、续流二极管D和电流传感器ICE，所述第一电容C1的正极端、所述第二电容C2的一端、第一电感L的一端和续流二极管D的负极均连接电源POWER；所述续流二极管D的正极和所述第一电感L的另一端均连接所述CI子端；所述第一电容C1的负极端和所述第二电容C2的另一端均连接所述测试机台100的地PGND，同时，所述EI子端通过导线与所述测试机台100的地PGND连接，所述导线穿设在所述电流传感器ICE中，所述电流传感器ICE具有两个输出端，两个所述输出端均连接所述ICE输出端口123。其中，所述第一电感L为可调电感负载。

所述控制电路部分120包括ADC模数转换电路和DAC数模转换电路（图中未示出），用于对所述DAC数模转换电路的参数设置、各个继电器通断状态设置以及高压输出电路设置等，还用于提供测量驱动信号以及示波器触发信号等，并按照特定的测试时序工作向所述示波器300提供触发信号。

所述示波器300包括第一连接端CH1、第二连接端CH2、第三连接端CH3和第四连接端310，所述第一连接端CH1和第二连接端CH2均与所述栅极近端驱动板200电连接，所述第三连接端CH3与ICE输出端口123连接，所述第四连接端310与触发信号输出端口124电连接，并用于接收所述测试机台100提供的触发信号。其中，所述示波器300为高带宽数字示波器。

如图2所示，同时请参阅图1，所述栅极近端驱动板200包括栅极驱动芯片器件211、电源输入端子212、栅极驱动输入端子213、第一电容组214、第二电容组215、第一二极管DP、第二二极管DN、第一电阻RP和第二电阻RN。所述栅极近端驱动板200具有第一测试端口BI、第二测试端口CV、第三测试端口BV。所述栅极驱动芯片器件211例如是运算放大器，其包括输入端IN、输出端OUT、正电源端V+和负电源端V-，所述第一电容组214和第二电容组215均由一个极性电容和普通电容并联组成。

所述栅极驱动芯片器件211用于驱动所述待测半导体器件DUT开通和关闭；所述第一二极管DP、第二二极管DN、第一电阻RP和第二电阻RN均用于调节所述待测半导体器件DUT开通和关闭速度；所述第一电容组214和第二电容组215均用于旁路去藕的作用。

所述栅极近端驱动板200上还具有连接所述第一测试端口BI的第一焊盘、连接所述第二测试端口CV的第二焊盘、连接所述第三测试端口BV的第三焊盘，以及连接所述第一端口D1的第四焊盘，所述第一焊盘和所述第三焊盘均连接所述第三端口D3，所述第二焊盘连接所述第二端口D2。

所述电源输入端子212连接所述电源外接端口121，所述栅极驱动输入端子213连接所述栅极驱动输出端口122，所述电源输入端子212具有第一输入端口1、第二输入端口2和第三输入端口3，所述第一输入端口1同时连接所述第一电容组214的一端和所述栅极驱动芯片器件211的正电源端V+；所述栅极近端驱动板200的地VG-GND同时连接所述第二输入端口2、所述第一电容组214的另一端、第二电容组215的一端、输入端IN、栅极驱动输入端子213和第四焊盘；所述第三输入端口3连接所述第二电容组215的另一端和所述负电源端V-；所述第一二极管DP的正极和所述第二二极管DN的负极均连接所述输出端OUT，所述第一二极管DP的负极连接所述第一电阻RP的一端，所述第二二极管DN的正极连接所述第二电阻RN的一端，所述第一电阻RP的另一端和所述第二电阻RN的另一端均连接所述第一焊盘，所述第二测试端口CV连接所述第二焊盘，同时还通过连接所述CE外接端口111的输出端口连通CI子端。所述第一端口D1通过连接所述CE外接端口111的输出端口连通所述EI子端。

所述第二测试端口CV连接所述示波器300的第二连接端CH2，以测试所述待测半导体器件DUT的C级电压信号的波形；所述第三测试端口BV连接所述示波器的第一连接端CH1，以测试所述待测半导体器件DUT的B级电压信号的波形。

图2 -图4为本实施例提供的待测半导体器件与栅极近端驱动板连接的立体结构示意图。如图2-图4所示，所述动态参数测试***还包括连接部件400，所述待测半导体器件DUT和栅极近端驱动板200相对固定在所述连接部件400的两侧，所述测试机台100通过双绞线连接在所述连接部件400上，使得所述栅极驱动芯片器件211与所述待测半导体器件DUT之间距离短，以尽可能的缩短所述待测半导体器件DUT和栅极近端驱动板200之间的长度，实现了减少所述待测半导体器件DUT的栅极回路寄生参数，优化了动态参数测试***的测试结果和测试波形，并大大提高了动态参数（如开关时间参数）的测试数据的精确度，为客户提供可靠的测量结果，为普及应用铺平道路。

所述连接部件400包括限位部410和多个测试爪，所述限位部410固定在所述栅极近端驱动板200的一侧，所述测试爪固定设置在所述限位部410的多个焊垫盘（即第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘），优选的，所述测试爪通过螺丝固定在所述限位部410上。详细的，所述限位部410具有多个限位槽，每个所述限位槽中通过螺丝固定有一个所述测试爪。

多个所述测试爪分别为CV压片421、CI压片422、BV压片423、BI压片424、EI压片426和EV压片425，多个所述测试爪均为长条状，所述EI压片426、BI压片424和CI压片422均沿所述测试爪的宽度方向平行且间隔设置，所述EV压片425、BV压片423和CV压片421均沿所述测试爪的宽度方向平行且间隔设置，所述EI压片426设置在所述EV压片425下方，所述BI压片424设置在BV压片423下方，所述CI压片422设置在所述CV压片421下方。

每个所述测试爪均具有第一端和第二端，每个所述测试爪的第一端均焊接在所述栅极近端驱动板200上，且所述限位部410靠近所述第一端设置，由于所述栅极近端驱动板200上的零部件较少，使得所述栅极近端驱动板200为一个轻且小的PCBA板件，其不会对测试爪的测试动作造成影响，且由于所述栅极驱动芯片器件211靠近所述限位部设置，从而尽可能的缩短了栅极驱动回路与所述待测半导体器件DUT之间的长度，实现了减少所述待测半导体器件DUT的栅极回路寄生参数，优化了动态参数测试***的测试结果和测试波形，并大大提高了动态参数（如开关时间参数）的测试数据的精确度。

所有所述测试爪的第二端均朝向垂直于所述测试爪的长度方向弯折设置，且所有所述第二端同侧弯折。所有所述第二端分别压设在所述待测半导体器件DUT的第一端口D1、第二端口D2和第三端口D3，详细的，所述CI压片422的第一端通过双绞线和所述CE外接端口111的CI子端连接，所述CV压片421的第一端焊接在所述第二焊盘上，所述CI压片422的第二端和所述CV压片421的第二端均压接在所述第一端口D1上；所述BI压片424的第一端焊接在所述第一焊盘上，所述BV压片423的第一端焊接在所述第三焊盘上，所述BI压片424的第二端和所述BV压片423的第二端均压接在所述第二端口D2上；所述EI压片426的第一端通过双绞线和所述CE外接端口111的EI子端连接，所述EV压片425的第一端焊接在所述第四焊盘上，所述EI压片426的第二端和所述EV压片425的第二端均压接在所述第三端口D3上。

如图5a所示，在其他参数不变的情况下，利用LTspice软件模拟出采用现有的动态参数测试***对应的栅极驱动回路中的寄生电感L1和L2的取值均为100nH。如图5b所示，在其他参数不变的情况下，利用LTspice软件模拟出采用本实施例提供的一种动态参数测试***对应的栅极驱动回路中的寄生电感L1和L2的10nH。由此可见，本实施例提供的一种动态参数测试***可以减少栅极驱动回路的寄生电感（即从100nH降到10nH），可以减少驱动波形振铃现象，优化测试波形，使测试数据、测试结果更加准确。

综上所述，本发明提供一种动态参数测试***，在测试爪方式的垂直式分选测试机应用中，增设栅极近端驱动板，并将所述栅极近端驱动板放置在靠近测试爪的限位部，缩短了栅极驱动回路与待测半导体器件之间的长度，减少了栅极驱动回路的寄生参数，优化了测量结果和测量波形，使得测试数据更加精确，测量结果更加可靠。

此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语 “第一”、“第二”的描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。

可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (11)

1.一种动态参数测试***，其特征在于，包括测试机台、示波器、待测半导体器件和栅极近端驱动板，所述测试机台分别与所述示波器和栅极近端驱动板电连接，并用于向所述示波器提供电平转换的触发信号，还用于通过所述栅极近端驱动板与所述待测半导体器件形成大电流回路，所述栅极近端驱动板固定在所述待测半导体器件的附近，并用于驱动所述待测半导体器件开通和关闭，所述示波器用于测试所述待测半导体器件的动态参数。

2.如权利要求1所述的动态参数测试***，其特征在于，所述测试机台具有CE外接端口、电源外接端口、栅极驱动输出端口、ICE输出端口和触发信号输出端口，所述CE外接端口、电源外接端口和栅极驱动输出端口均与所述栅极近端驱动板电连接；所述ICE输出端口和触发信号输出端口均与所述示波器连通，并用于向所述示波器提供触发信号。

3.如权利要求2所述的动态参数测试***，其特征在于，所述栅极近端驱动板包括第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘，所述栅极近端驱动板具有第一测试端口、第二测试端口和第三测试端口，所述第一焊盘连接所述第一测试端口，所述第二焊盘连接所述第二测试端口，所述第三焊盘连接所述第三测试端口，所述第四焊盘连接所述栅极近端驱动板的地。

4.如权利要求3所述的动态参数测试***，其特征在于，所述待测半导体器件包括第一端口、第二端口和第三端口，所述第一端口连接所述第四焊盘，所述第二端口连接所述第二焊盘，所述第三端口连接所述第一焊盘和所述第三焊盘。

5.如权利要求3所述的动态参数测试***，其特征在于，所述栅极近端驱动板包括栅极驱动芯片器件、电源输入端子、栅极驱动输入端子、第一电容组、第二电容组、第一二极管、第二二极管、第一电阻和第二电阻，所述栅极驱动芯片器件包括输入端、输出端、正电源端和负电源端，所述电源输入端子具有第一输入端口、第二输入端口和第三输入端口；

所述电源输入端子连接所述电源外接端口，所述栅极驱动输入端子连接所述栅极驱动输出端口，所述第一输入端口同时连接所述第一电容组的一端和所述栅极驱动芯片器件的正电源端；所述栅极近端驱动板的地同时连接所述第二输入端口、所述第一电容组的另一端、第二电容组的一端、输入端、栅极驱动输入端子和第四焊盘；所述第三输入端口连接所述第二电容组的另一端和所述负电源端；所述第一二极管的正极和所述第二二极管的负极均连接所述输出端，所述第一二极管的负极连接所述第一电阻的一端，所述第二二极管的正极连接所述第二电阻的一端，所述第一电阻的另一端和所述第二电阻的另一端均连接所述第一焊盘。

6.如权利要求5所述的动态参数测试***，其特征在于，所述示波器包括第一连接端、第二连接端、第三连接端和第四连接端，所述第二连接端连接所述第二测试端口，所述第一连接端连接所述第三测试端口，所述第三连接端连接所述ICE输出端口，所述第四连接端连接所述触发信号输出端口，并用于接收所述测试机台提供的触发信号。

7.如权利要求4所述的动态参数测试***，其特征在于，还包括连接部件，所述待测半导体器件和栅极近端驱动板相对固定在所述连接部件的两侧，所述测试机台通过双绞线连接在所述连接部件上。

8.如权利要求7所述的动态参数测试***，其特征在于，所述连接部件包括限位部和多个测试爪，所述限位部具有多个限位槽，每个所述限位槽中通过螺丝固定有一个所述测试爪，且所述限位部固定在所述栅极近端驱动板的一侧上，所述测试爪固定设置在所述第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘和第四焊盘上。

9.如权利要求8所述的动态参数测试***，其特征在于，多个所述测试爪分别为CV压片、CI压片、BV压片、BI压片、EI压片和EV压片，所述EI压片、BI压片和CI压片均沿所述测试爪的宽度方向平行且间隔设置，所述EV压片、BV压片和CV压片均沿所述测试爪的宽度方向平行且间隔设置，所述EI压片设置在所述EV压片下方，所述BI压片设置在BV压片下方，所述CI压片设置在所述CV压片下方。

10.如权利要求9所述的动态参数测试***，其特征在于，每个所述测试爪均具有第一端和第二端，

所述CI压片的第一端通过双绞线连接所述CE外接端口，所述CV压片的第一端焊接在所述第二焊盘上，所述CI压片的第二端和所述CV压片的第二端均压接在所述第一端口上；

所述BI压片的第一端焊接在所述第一焊盘上，所述BV压片的第一端焊接在所述第三焊盘上，所述BI压片的第二端和所述BV压片的第二端均压接在所述第二端口上；

所述EI压片的第一端通过双绞线连接所述CE外接端口，所述EV压片的第一端焊接在所述第四焊盘上，所述EI压片的第二端和所述EV压片的第二端均压接在所述第三端口上。

11.如权利要求10所述的动态参数测试***，其特征在于，所述CE外接端口具有EI子端、CI子端和输出端口，所述CI压片的第一端通过双绞线和输出端口连接CI子端，所述EI压片的第一端通过双绞线和输出端口连接所述EI子端。

Images