CN116000821B - 喷嘴及化学机械研磨装置 - Google Patents
喷嘴及化学机械研磨装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116000821B CN116000821B CN202310293275.8A CN202310293275A CN116000821B CN 116000821 B CN116000821 B CN 116000821B CN 202310293275 A CN202310293275 A CN 202310293275A CN 116000821 B CN116000821 B CN 116000821B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- liquid
- liquid outlet
- polishing pad
- nozzle
- outlets
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
本公开实施例提供一种喷嘴及化学机械研磨装置,涉及研磨装置技术领域。该喷嘴用于向化学机械研磨装置的研磨垫提供处理液,研磨垫的承载面的法线方向为第一方向;其中,喷嘴包括具有流通通道的本体,流通通道用于与处理液供给装置连通;本体包括与流通通道连通的多个出液口,至少部分出液口的出液方向与第一方向具有预设夹角,预设夹角不为零。本公开用于增加了处理液落入研磨垫的接触区域的面积。当研磨垫在转动的过程中,可以使处理液快速均匀地铺满整个研磨垫,提高了化学机械研磨装置的研磨效率。
Description
技术领域
本公开实施例涉及研磨装置技术领域,尤其涉及一种喷嘴及化学机械研磨装置。
背景技术
半导体器件的制作中往往会采用化学机械研磨工艺(CMP),对晶圆或者其他的结构进行平坦化处理。具体来说,在化学机械研磨工艺中,需要在研磨机台上添加处理液,使处理液与硅晶圆发生化学反应,进而使得硅晶圆表面的硬度和强度降低,然后利用机械力将表面层磨去。
相关技术中,化学机械研磨装置包括喷嘴和研磨机台,研磨机台包括研磨垫,喷嘴位于研磨垫的上方,并向研磨垫提供处理液。但是,上述的化学机械研磨装置的处理液无法尽快铺满研磨垫,且存在分散不均匀的缺陷,降低了化学机械研磨装置的研磨效果。
发明内容
鉴于上述问题,本公开实施例提供一种喷嘴及化学机械研磨装置,用于提高处理液的分散均匀度,进而提高化学机械研磨装置的研磨效果。
本公开实施例的第一方面提供一种喷嘴,所述喷嘴用于向化学机械研磨装置的研磨垫提供处理液,所述研磨垫的承载面的法线方向为第一方向;其中所述喷嘴包括具有流通通道的本体,所述流通通道用于与处理液供给装置连通;
所述本体包括与所述流通通道连通的多个出液口,至少部分所述出液口的出液方向与所述第一方向具有预设夹角,所述预设夹角不为零。
在一些实施例中,在多个所述出液口中,出液方向与所述第一方向具有预设夹角的出液口为第一出液口;所述第一出液口设置在所述本体的侧面,和/或,所述第一出液口设置在所述本体的底面。
在一些实施例中,当所述第一出液口设置在所述本体的侧面上时,至少部分剩余的所述出液口为第二出液口,所述第二出液口设置在所述本体的底面,经由所述第二出液口的处理液的出液方向与所述第一方向相互平行。
在一些实施例中,所述第二出液口的个数为多个,多个所述第二出液口间隔设置在所述本体的底面上。
在一些实施例中,所述本体包括中空的柱状体,所述柱状体的内腔构成所述流通通道,且所述流通通道为柱形。
在一些实施例中,所述本体包括中空的第一螺旋体,所述第一螺旋体的内腔构成所述流通通道,且所述流通通道为螺旋形。
在一些实施例中,所述第一出液口沿所述螺旋体的螺旋方向均匀排布。
在一些实施例中,沿所述流通通道的延伸方向,所述流通通道的直径逐渐减小。
在一些实施例中,当所述第一出液口设置在所述本体的底面时,所述第一出液口包括间隔设置第一子出液口和第二子出液口;
经由所述第一子出液口的处理液的出液方向,与经由所述第二子出液口的处理液的出液方向相交,且分别与所述第一方向具有预设夹角。
在一些实施例中,经由所述第一子出液口的处理液的出液方向,与经由所述第二子出液口的处理液的出液方向相对于所述第一方向对称设置。
在一些实施例中,所述本体包括中空的第二螺旋体和第三螺旋体,所述第二螺旋体和所述第三螺旋体相互配合形成双螺旋结构;
所述第一子出液口设置在所述第二螺旋体的底面,所述第二子出液口设置在所述第二螺旋体的底面。
在一些实施例中,所述预设夹角大于0°,小于等于45°。
本公开实施例的第二方面提供一种化学机械研磨装置,其包括:
具有研磨垫的旋转载台;
第一方面所述的喷嘴,所述喷嘴位于旋转载台的上方,用于向所述研磨垫提供处理液。
本公开实施例所提供的喷嘴及化学机械研磨装置中,至少部分出液口的方向与第一方向之间具有不为零的预设夹角,使得处理液向背离第一方向的方向向外扩散,增加了处理液落入研磨垫的接触区域的面积。当研磨垫在转动的过程中,可以使处理液快速均匀地铺满整个研磨垫,提高了化学机械研磨装置的研磨效率。
除了上面所描述的本公开实施例解决的技术问题、构成技术方案的技术特征以及由这些技术方案的技术特征所带来的有益效果外,本公开实施例提供的喷嘴及化学机械研磨装置所能解决的其他技术问题、技术方案中包含的其他技术特征以及这些技术特征带来的有益效果,将在具体实施方式中作出进一步详细的说明。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术中提供的喷嘴的结构示意图;
图2为本公开实施例提供的化学机械研磨装置的结构示意图;
图3为本公开实施例提供的喷嘴和研磨垫的结构示意图一;
图4为本公开实施例提供的喷嘴和研磨垫的结构示意图二;
图5为本公开实施例提供的喷嘴和研磨垫的结构示意图三;
图6为本公开实施例提供的喷嘴的结构示意图;
图7为本公开实施例提供的喷嘴和研磨垫的结构示意图四;
图8为本公开实施例提供的喷嘴和研磨垫的结构示意图五。
附图标记:
10:喷嘴;20:研磨垫;
1000:化学机械研磨装置;
100:喷嘴;110:本体;111:柱状体;112:第一螺旋体;113:第二螺旋体;114:第三螺旋体;120:出液口;121:第一出液口;1211:第一子出液口;1212:第二子出液口;122:第二出液口;
200:研磨垫;210:承载面;220:第一区域;
300:旋转载台;400:研磨浆臂;500:研磨头;600:冲洗喷嘴。
具体实施方式
正如背景技术所述,相关技术中的化学机械研磨装置存在处理液分散不均匀的缺陷。经发明人研究发现,出现这种问题的原因在于,请参考附图1,相关技术中,出液口通常设置在喷嘴10的底面,相应地,出液口的出液方向垂直于研磨垫20的承载面,致使处理液落入研磨垫20的接触区域,与出液口在研磨垫20的承载面的投影区域基本一致,导致接触区域的面积较小,从而处理液很难铺满整个研磨垫,降低化学机械研磨装置的研磨效率。此外,还需要根据接触区域的面积调整研磨垫20的转速,致使研磨垫的转速过大,降低研磨垫的使用寿命。
针对上述技术问题,本公开实施例提供了一种喷嘴及化学机械研磨装置,通过使至少部分出液口的方向与第一方向之间具有不为零的预设夹角,使得处理液向背离第一方向的方向向外扩散,增加了处理液落入研磨垫的接触区域的面积。当研磨垫在转动的过程中,可以使处理液快速均匀地铺满整个研磨垫,提高了化学机械研磨装置的研磨效率。此外,增加了处理液落入研磨垫的接触区域的面积,可以不必过度增大研磨垫的转速,降低了研磨垫损伤程度,提高了研磨垫的使用寿命。
为了使本公开实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面将结合本公开实施例中的附图,对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,均属于本公开保护的范围。
请参考附图2,本公开实施例提供一种喷嘴100,喷嘴100用于向化学机械研磨装置1000的研磨垫200提供处理液。其中,化学机械研磨装置1000包括旋转载台300,研磨垫200设置在旋转载台300上。旋转载台300用于带动研磨垫200旋转。
研磨垫200具有承载面210,承载面210用于承载处理液以及待处理件(例如,晶圆),并对待处理件(例如,晶圆)进行研磨。其中,承载面210可以理解为研磨垫200的上表面。在本实施例中,承载面210的法线方向定义为第一方向。需要说明的是,当研磨垫200水平放置时,第一方向为垂直方向,即,附图2中的Z方向。
当旋转载台300旋转时,可以带动研磨垫200旋转,并通过研磨垫200对待处理件(例如,晶圆)进行表面处理。其中,待处理件的表面处理可以理解为使得待处理件的表面平坦化,同时通过摩擦去除待处理件的表面残存的杂质(例如,化学反应物)。
请参考附图3和附图4,喷嘴100包括本体110,本体110内具有流通通道。即,本体110为中空的结构,本体110的内腔构成流通通道。流通通道的一端用于与处理液供给装置连通,通过处理液供给装置给流通通道提供处理液。其中,处理液可以包括研磨液,研磨液可以与待处理件(例如,晶圆)发生研磨,去除待处理件表面的一些膜层或者碎屑颗粒,以对待处理件的表面进行清理。
本体110包括多个出液口120,每个出液口120均与流通通道连通,以便于将位于流通通道内的处理液喷射在研磨垫200上,并使得处理液快速地铺满研磨垫200。
至少部分出液口120的出液方向与第一方向之间具有预设夹角,且预设夹角不为零。示例性地,预设夹角大于0°,小于等于45°。例如,预设夹角为30°。
当处理液经由上述的出液口120喷射至研磨垫200时,处理液可以向背离第一方向的方向向研磨垫200的四周扩散,使得处理液呈扇形喷洒,增加了处理液落入研磨垫200的接触区域的面积。进而当研磨垫200在转动的过程中,可以使处理液快速均匀地铺满整个研磨垫200,提高了化学机械研磨装置的研磨效率和研磨均匀性。
此外,本实施例通过对至少部分的出液口120的出液方向与第一方向之间具有预设夹角,在保证增加处理液落入接触区域的面积的前提下,可以适当减缓研磨垫200的转速,降低研磨垫200的磨损程度,延长研磨垫200的使用寿命,减少了生产成本。
请参考附图4,在一种可能的实施方式中,在多个出液口120中,出液方向与第一方向具有预设夹角的出液口120可以定义为第一出液口121。出液方向与第一方向相互平行的出液口120可以定义为第二出液口122。需要说明的是,本实施例中,第一出液口121的个数可以为全部的出液口120,也可以是部分的出液口120。
第一出液口121设置在本体110的侧面,和/或,第一出液口121设置在本体110的底面。经由第一出液口121处理液的出液方向向背离第一方向的方向向外扩散,使得处理液呈扇形喷洒,增加了处理液落入研磨垫200的接触区域的面积,一方面可以使得处理液在少用量的前提下可以使处理液快速均匀地铺满整个研磨垫200,减少了处理液的消耗节约成本;另一方面,保证处理液均匀覆盖在研磨垫200表面,提高了化学机械研磨装置的研磨效率和研磨均匀性。
需要说明的是,本实施例中,本体110的底面可以理解为本体110的朝向旋转载台300的表面,即,本体110的下表面。
请继续参考附图4,在一示例中,当第一出液口121设置在本体110的侧面时,至少部分剩余的出液口为第二出液口122。例如,第一出液口121的数量小于出液口120的数量,相应地,将剩余全部的出液口120可以定义为第二出液口122。也就是说,多个出液口120中部分定义为第一出液口121,剩余的出液口120定义为第二出液口122。又例如,第一出液口121的数量小于出液口120的数量,部分的第一出液口121设置在本体110的侧面上的同时,还有部分的第一出液口121设置在本体110的底面上,也就是说,在除去设置在本体110上的第一出液口121之外,剩余的部分出液口定义为第二出液口122。
第二出液口122设置在本体110的底面,经由第二出液口122的处理液的出液方向与第一方向相互平行。
请参考附图4,经由第一出液口121流出的处理液在研磨垫200上形成第一区域220,第一区域220的面积大于本体110的底面在研磨垫200的投影面积。当研磨垫200在一定的转速下旋转时,第一区域220内的处理液可以快速且均匀地铺满整个研磨垫200。
此外,本实施例在第一出液口121的基础上,还在本体110的底面上设置第二出液口122,经由第二出液口122的处理液落入第一区域220内,如此设置,可以增加第一区域220内的处理液的总量,进而在研磨垫200在旋转的过程中,可以使处理液快速均匀地铺满整个研磨垫200,减少了处理液的消耗节约成本的同时,保证处理液在均匀覆盖研磨垫200表面,提高了化学机械研磨装置的研磨效率和研磨均匀性。
第二出液口122的个数可以为一个,也可以为多个。示例性地,多个第二出液口122间隔且均匀设置在本体110的底面上。如此设置,可以均匀处理液的分散区域,使得处理液更加均匀分布在研磨垫200上,提高化学机械研磨装置的研磨效率。
需要说明的是,本体110的形状可以有多种选择。在一示例中,请参考附图5,本体110包括中空的柱状体111,柱状体111的内腔构成流通通道,且流通通道为柱形。柱状体111的内腔具有两端开口,其中一个开口用于与处理液供给装置连通,另一个开口构成第二出液口122。
第一出液口121设置在柱状体111的侧面上。在本实施例中,第一出液口121可以均匀设置,也可以不均匀设置。示例性地,多个第一出液口121划分为若干个第一出液口组,若干个第一出液口组沿第一方向间隔设置,且每个第一出液口组中多个第一出液口121沿着柱状体111的圆周方向均匀设置。当处理液经由第一出液口121喷射至研磨垫200上时,能够形成多层的伞状喷射区域,使得处理液的分散更加均匀,更有利于保证各个方位上的处理液的均匀性。
请继续参考附图4,在另一个示例中,本体110包括中空的第一螺旋体112,第一螺旋体112的内腔构成流通通道,且流通通道为螺旋形。第一出液口121间隔设置在第一螺旋体112的侧面上。换而言之,第一出液口121可以均匀设置在第一螺旋体112的侧面上,也可以不均匀设置在第一螺旋体112的侧面上。
当处理液在螺旋形的流通通道内流动时,处理液会碰触流通通道的内壁,流通通道的内壁会起到缓冲功能,以减缓处理液在本体110中流动速度,降低经由第一出液口121和第二出液口122的处理液的速度,进而降低了处理液对研磨垫200的冲击力,减缓了对研磨垫200的损伤,提高了研磨垫200的使用寿命。此外,还能够使得处理液更加均匀地分布在研磨垫200上,提高化学机械研磨装置1000的研磨效率。
作为一种可能的实施方式,第一出液口121沿螺旋体的螺旋方向均匀排布。在相邻的两个第一出液口121中,其中一个第一出液口121至第一方向的垂直距离,与另一个第一出液口121至第一方向的垂直距离不同。使得,多个第一出液口121能够形成多层的伞状喷射区域,更有利于处理液的分散,以使处理液快速均匀地铺满整个研磨垫200,减少了处理液的消耗节约成本的同时,保证处理液均匀覆盖在研磨垫200表面上,提高了化学机械研磨装置的研磨效率和研磨均匀性。
在本实施例中,第一出液口121的个数以及具体设置位置,可以依据实际的情况进行设计。
其中,流通通道的直径可以处处相等,也可以不等。示例性地,请参考附图6,沿流通通道的延伸方向,流通通道的直径逐渐减小。也就是说,从本体110的顶端指向本体110的底端,流通通道的直径逐渐减小。如此设置,可以根据需求调节第一出液口121和第二出液口122的处理液的速度,使得处理液形成一定的压力,并从第一出液口121和第二出液口122中喷出,有利于扩大处理液的喷洒面积,使得处理液快速均匀地铺满整个研磨垫200,减少了处理液的消耗节约成本的同时,保证处理液均匀覆盖在研磨垫200表面,提高了化学机械研磨装置的研磨效率和研磨均匀性。
请参考附图7,在一种可能的实施方式中,第一出液口121设置在本体110的底面时,第一出液口121包括间隔设置第一子出液口1211和第二子出液口1212;经由第一子出液口1211的处理液的出液方向,与经由第二子出液口1212的处理液的出液方向相交,且分别与第一方向具有预设夹角。
示例性地,第一子出液口1211的出液方向向右喷射,第二子出液口1212的出液方向向左喷射,第一子出液口1211和第二子出液口1212交叉喷洒处理液,在旋转载台300初始旋转状态下,可以扩大处理液与研磨垫200的接触区域面积,有利于更快且更均匀的铺满整个研磨垫200,降低了研磨垫200的转速对处理液的依赖性,同时也降低了制程过程中研磨垫200的转速对处理液的均匀性的影响程度。
需要说明的是,第一子出液口1211的出液方向与第一方向之间的预设夹角,和第二子出液口1212的出液方向与第一方向之间的预设夹角可以相等,也可以不等。
示例性地,经由第一子出液口1211的处理液的出液方向,与经由第二子出液口1212的处理液的出液方向相对于第一方向对称设置。也就是说,第一子出液口1211的出液方向与第一方向之间的预设夹角,和第二子出液口1212的出液方向与第一方向之间的预设夹角可以相等。如此设置,可以使得处理液在研磨垫200上形成接触区域的形状相对于第一方向对称设置。当研磨垫200在转动的过程中,可以使处理液快速均匀地铺满整个研磨垫200,提高了化学机械研磨装置的研磨效率。此外,增加了处理液落入研磨垫的接触区域的面积,可以不必过度增大研磨垫的转速,降低了研磨垫损伤程度,提高了研磨垫的使用寿命。
作为本体110的一种可能的实施方式中,本体110包括中空的第二螺旋体113和第三螺旋体114,第二螺旋体113和所述第三螺旋体114相互配合形成双螺旋结构;即,第二螺旋体113和第三螺旋体114相对于第一方向对称设置,第二螺旋体113和第三螺旋体114的螺旋角度相同。
第一子出液口1211设置在第二螺旋体113的底面,第二子出液口1212设置在第二螺旋体113的底面。第一子出液口1211的出液方向与第一方向之间预设夹角为正角,第二子出液口1212的出液方向与第一方向之间的预夹角为负角,且正角和负角的数值相等。
在本实施例中,流通通道包括第二螺旋体113的内腔和第三螺旋体114的内腔,使得同等流量的处理液经过两个流通通道流通,可以提高处理液在流动过程中的稳定性,进而在旋转载台300初始旋转状态下,可以扩大处理液与研磨垫200的接触区域面积,有利于更快且更均匀的铺满整个研磨垫200,降低了研磨垫200的转速对处理液的依赖性,同时也降低了制程过程中研磨垫200的转速对处理液的均匀性的影响程度。
请参考附图8,当本体110包括中空的第二螺旋体113和第三螺旋体114时,第一出液口121不仅仅设置在本体110的底面上,且还可以设置在第二螺旋体113的侧面和第三螺旋体114的侧面中至少一个。如此设置,可以尽可能扩大处理液与研磨垫200的接触区域面积,有利于更快且更均匀的铺满整个研磨垫200,降低了研磨垫200的转速对处理液的依赖性,同时也降低了制程过程中研磨垫200的转速对处理液的均匀性的影响程度。
请继续参考附图2,本公开实施例还提供一种化学机械研磨装置1000,该装置用于对待处理件进行表面处理。其中,化学机械研磨装置1000包括旋转载台300,旋转载台300的表面用于固定研磨垫200,且能够带动研磨垫200旋转。示例性地,化学机械研磨装置1000还包括驱动器,驱动器的输出端与旋转载台300连接,用于带动旋转载台300旋转。其中,驱动器的结构可以采用常规的结构,本实施例在此不再多加赘述。
化学机械研磨装置还包括上述任意实施例所提供的喷嘴100,喷嘴100位于旋转载台300的上方,作为一示例,化学机械研磨装置还包括研磨浆臂400,喷嘴100通过研磨浆臂400固定在旋转载台300的上方,用于向研磨垫200提供处理液。
化学机械研磨装置还包括研磨头500,研磨头500和研磨浆臂400位于旋转载台300的同一侧,例如,研磨头500和研磨浆臂400同时位于旋转载台300的上方。其中,研磨头500和研磨浆臂400间隔设置,研磨头500用于固定待处理件(例如,晶圆),并与研磨垫200相互配合,以对待处理件(例如,晶圆)进行研磨。
在实际工作过程中,待处理件固定在研磨头500朝向旋转载台300的底面。当需要对待处理件进行表面处理时,驱动研磨头500朝向旋转载台300移动,直至将待处理件压在旋转的研磨垫200的表面上,并与研磨垫200之间具有一定的压力。通过待处理件与研磨垫200和处理液之间发生摩擦,进而对待处理件进行表面处理。其中,处理液通过上述任意实施例中的喷嘴100喷射在研磨垫200上。
在上述的过程中,鉴于至少部分出液口120的出液方向与第一方向之间具有预设夹角,且预设夹角不为零。使得处理液向背离第一方向的方向向外扩散,增加了处理液落入研磨垫200的接触区域的面积。并结合研磨垫200旋转所形成的离心力,可以使处理液快速地分布在整个研磨垫200上,提高了化学机械研磨装置的研磨效率。
此外,与相关技术的技术方案相比,不必过度增大研磨垫200的旋转速度,降低研磨垫200的磨损程度,延长的研磨垫200的使用寿命。
在一种可能的实施方式中,化学机械研磨装置1000还包括冲洗喷嘴600,冲洗喷嘴600设置在研磨浆臂400上,且与喷嘴100间隔设置。以附图1所示的方位为例,冲洗喷嘴600设置在喷嘴100背离研磨头500的一侧。
本实施例所提供的化学机械研磨装置1000还包括处理液供给装置和清洗液供给装置。其中,处理液供给装置通过第一供液通道与喷嘴100连通。清洗液供给装置通过第二供液通道与冲洗喷嘴600连通,用于向研磨垫200喷射高压清洗液体。例如,清洗液供给装置用于向研磨垫200供应去离子水。
高压清洗液体能够对研磨垫200的表面进行清洗,能够对研磨晶圆上的研磨液以及抛光研磨产生的副产品等进行冲洗,以起到对晶圆的保护作用,尤其是在对金属进行研磨出现故障时,大量研磨液停留在晶圆表面,向晶圆表面喷洒去离子水也可以防止晶圆的金属腐蚀,避免晶圆报废,进而降低对待处理件的损伤,提高了待处理件的良率。
在本实施例中,第一供液通道和第二供液通道均可以设置在研磨浆臂400内,且第一供液通道和第二供液通道相对独立设置,避免第一供液通道和第二供液通道相互干扰。
本实施例所提供的化学机械研磨装置1000将冲洗喷嘴600和喷嘴100均集成在研磨浆臂400上,可以减小化学机械研磨装置1000的占用空间,使得化学机械研磨装置1000结构简单,而且便于清洗研磨垫200表面所产生的颗粒碎屑等杂物。
本公开实施例所提供的化学机械研磨装置1000还可以包括高压空气喷嘴(图中未示出),高压空气喷嘴与冲洗喷嘴600以及喷嘴100间隔设置。高压空气喷嘴可以向研磨垫200的表面喷洒压缩干燥空气。在研磨工艺开启之前,采用高压空气去除为保持研磨垫表面的清洁和湿润以及在上一片晶圆化学机械研磨完毕后对研磨垫进行清洗而残留在研磨垫表面的去离子水,可改善处理液在研磨垫表面的均匀分布,提高化学机械研磨的均匀性;同时,有效减少研磨初期处理液喷洒至研磨垫表面形成均匀分布的时间,减少处理液用量,提高研磨速率,增加处理液利用率,减少生产成本。
本说明书中各实施例或实施方式采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施方式或示例中。
在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本公开的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述各实施例对本公开进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的范围。
Claims (9)
1.一种喷嘴,所述喷嘴用于向化学机械研磨装置的研磨垫提供处理液,所述研磨垫的承载面的法线方向为第一方向;其特征在于,所述喷嘴包括具有流通通道的本体,所述流通通道用于与处理液供给装置连通;
所述本体包括与所述流通通道连通的多个出液口,至少部分所述出液口的出液方向与所述第一方向具有预设夹角,所述预设夹角不为零;
所述本体包括中空的螺旋体,所述螺旋体的内腔构成所述流通通道,且所述流通通道为螺旋形;
在多个所述出液口中,出液方向与所述第一方向具有预设夹角的出液口为第一出液口;所述第一出液口设置在所述本体的侧面和所述第一出液口设置在所述本体的底面;
当所述第一出液口设置在所述本体的侧面上时,至少部分剩余的所述出液口为第二出液口,所述第二出液口设置在所述本体的底面,经由所述第二出液口的处理液的出液方向与所述第一方向相互平行。
2.根据权利要求1所述的喷嘴,其特征在于,所述第二出液口的个数为多个,多个所述第二出液口间隔设置在所述本体的底面上。
3.根据权利要求1所述的喷嘴,其特征在于,所述第一出液口沿所述螺旋体的螺旋方向均匀排布。
4.根据权利要求3所述的喷嘴,其特征在于,沿所述流通通道的延伸方向,所述流通通道的直径逐渐减小。
5.根据权利要求1所述的喷嘴,其特征在于,当所述第一出液口设置在所述本体的底面时,所述第一出液口包括间隔设置第一子出液口和第二子出液口;
经由所述第一子出液口的处理液的出液方向,与经由所述第二子出液口的处理液的出液方向相交,且分别与所述第一方向具有预设夹角。
6.根据权利要求5所述的喷嘴,其特征在于,经由所述第一子出液口的处理液的出液方向,与经由所述第二子出液口的处理液的出液方向相对于所述第一方向对称设置。
7.根据权利要求6所述的喷嘴,其特征在于,所述本体包括两个所述螺旋体,两个所述螺旋体相互配合形成双螺旋结构;
所述第一子出液口设置在其中一个所述螺旋体的底面,所述第二子出液口设置在另一个所述螺旋体的底面。
8.根据权利要求1-7任一项所述的喷嘴,其特征在于,所述预设夹角大于0°,小于等于45°。
9.一种化学机械研磨装置,其特征在于,包括:
具有研磨垫的旋转载台;
权利要求1-8任一项所述的喷嘴,所述喷嘴位于旋转载台的上方,用于向所述研磨垫提供处理液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310293275.8A CN116000821B (zh) | 2023-03-24 | 2023-03-24 | 喷嘴及化学机械研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202310293275.8A CN116000821B (zh) | 2023-03-24 | 2023-03-24 | 喷嘴及化学机械研磨装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116000821A CN116000821A (zh) | 2023-04-25 |
CN116000821B true CN116000821B (zh) | 2023-09-22 |
Family
ID=86033856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202310293275.8A Active CN116000821B (zh) | 2023-03-24 | 2023-03-24 | 喷嘴及化学机械研磨装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116000821B (zh) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7052374B1 (en) * | 2005-03-01 | 2006-05-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Multipurpose slurry delivery arm for chemical mechanical polishing |
CN101456162A (zh) * | 2007-12-13 | 2009-06-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 研磨液供给管路以及化学机械研磨装置 |
JP2010240752A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Ebara Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
CN202240910U (zh) * | 2011-08-24 | 2012-05-30 | 长沙理工大学 | 一种对磨削加工进行喷雾冷却的喷嘴 |
CN106003446A (zh) * | 2016-07-11 | 2016-10-12 | 北京创世捷能机器人有限公司 | 用于金刚线多晶硅片的三轴联动自动喷砂装置 |
CN107303653A (zh) * | 2016-04-19 | 2017-10-31 | 不二越机械工业株式会社 | 喷嘴和工件研磨装置 |
CN108015676A (zh) * | 2017-12-10 | 2018-05-11 | 成都科创谷科技有限公司 | 一种多角度研磨液加液*** |
CN109940517A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-28 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种研磨液分配臂及化学机械平坦化装置 |
CN113386044A (zh) * | 2020-03-13 | 2021-09-14 | 芯恩(青岛)集成电路有限公司 | 一种用于化学机械研磨设备的研磨液施液手臂及研磨方法 |
CN218613495U (zh) * | 2022-12-06 | 2023-03-14 | 上海积塔半导体有限公司 | 研磨液输送装置及研磨设备 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7182677B2 (en) * | 2005-01-14 | 2007-02-27 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing pad for controlling polishing slurry distribution |
JP4271678B2 (ja) * | 2005-09-07 | 2009-06-03 | 株式会社タクボ精機製作所 | 眼鏡レンズ研削装置 |
CN212527188U (zh) * | 2020-04-18 | 2021-02-12 | 张博 | 一种自动化打磨设备 |
-
2023
- 2023-03-24 CN CN202310293275.8A patent/CN116000821B/zh active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7052374B1 (en) * | 2005-03-01 | 2006-05-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Multipurpose slurry delivery arm for chemical mechanical polishing |
CN101456162A (zh) * | 2007-12-13 | 2009-06-17 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 研磨液供给管路以及化学机械研磨装置 |
JP2010240752A (ja) * | 2009-04-01 | 2010-10-28 | Ebara Corp | 研磨装置及び研磨方法 |
CN202240910U (zh) * | 2011-08-24 | 2012-05-30 | 长沙理工大学 | 一种对磨削加工进行喷雾冷却的喷嘴 |
CN107303653A (zh) * | 2016-04-19 | 2017-10-31 | 不二越机械工业株式会社 | 喷嘴和工件研磨装置 |
CN106003446A (zh) * | 2016-07-11 | 2016-10-12 | 北京创世捷能机器人有限公司 | 用于金刚线多晶硅片的三轴联动自动喷砂装置 |
CN108015676A (zh) * | 2017-12-10 | 2018-05-11 | 成都科创谷科技有限公司 | 一种多角度研磨液加液*** |
CN109940517A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-06-28 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种研磨液分配臂及化学机械平坦化装置 |
CN113386044A (zh) * | 2020-03-13 | 2021-09-14 | 芯恩(青岛)集成电路有限公司 | 一种用于化学机械研磨设备的研磨液施液手臂及研磨方法 |
CN218613495U (zh) * | 2022-12-06 | 2023-03-14 | 上海积塔半导体有限公司 | 研磨液输送装置及研磨设备 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
敞开式水雾化喷嘴;仲伟聪;刘丹;;粉末冶金材料科学与工程(04) * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN116000821A (zh) | 2023-04-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101088785B1 (ko) | 폴리싱장치 및 폴리싱방법 | |
JP2006147773A5 (zh) | ||
US7066795B2 (en) | Polishing pad conditioner with shaped abrasive patterns and channels | |
TWI457204B (zh) | 基板研磨裝置及基板研磨方法 | |
US6238271B1 (en) | Methods and apparatus for improved polishing of workpieces | |
TWI558505B (zh) | 研磨墊之修整方法及修整裝置 | |
CN203305047U (zh) | 研磨装置 | |
KR20110100080A (ko) | 화학적 기계적 연마 공정용 연마 패드 및 이를 포함하는 화학적 기계적 연마 설비 | |
JP2011181644A (ja) | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 | |
KR20200016184A (ko) | 연마 장치 및 연마 방법 | |
CN110549239A (zh) | 化学机械研磨装置及研磨垫表面修整方法 | |
US6454637B1 (en) | Edge instability suppressing device and system | |
CN116000821B (zh) | 喷嘴及化学机械研磨装置 | |
CN102873640B (zh) | 研磨垫修整器 | |
TW202004886A (zh) | 化學機械平坦化系統 | |
KR20010039590A (ko) | 작업대상물을 폴리싱하는 방법 및 장치 | |
KR20030040212A (ko) | Cmp 장치 및 반도체 소자의 제조 방법 | |
US6468134B1 (en) | Method and apparatus for slurry distribution | |
EP1190455A2 (en) | Dual cmp pad conditioner | |
US9296088B2 (en) | Method and device for the injection of CMP slurry | |
JPH11156704A (ja) | 基板の研磨装置 | |
JP2011176342A (ja) | 研磨方法及び配線形成方法 | |
KR200419418Y1 (ko) | 연마 패턴 및 채널이 형성된 폴리싱 패드 컨디셔너 | |
CN112405336A (zh) | 研磨垫 | |
KR200419310Y1 (ko) | 연마 패턴 및 채널이 형성된 폴리싱 패드 컨디셔너 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |