CN115986382A - 介质谐振器天线、介质谐振器天线模块和电子装置 - Google Patents
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Abstract
本公开提供一种介质谐振器天线、介质谐振器天线模块和电子装置。所述介质谐振器天线包括:介质材料块,在第一方向、与所述第一方向不同的第二方向以及与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上延伸;以及馈电部,从所述介质材料块的底表面在所述第三方向上延伸到所述介质材料块的一部分,其中,所述馈电部与所述介质材料块的所述底表面的与第一位置相交的对角线或所述对角线的延长线叠置,所述介质材料块的所述底表面的与所述第一方向平行的第一边缘和所述介质材料块的所述底表面的与所述第二方向平行的第二边缘在所述第一位置处交汇。
Description
本申请要求于2021年10月15日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0137777号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的全部内容出于所有目的通过引用被包含于此。
技术领域
本申请涉及一种介质谐振器天线、介质谐振器天线模块和电子装置。
背景技术
在过去20年中,无线通信***的发展极大地改变了生活方式。需要具有每秒千兆位的数据速度的先进移动***来支持潜在的无线应用(诸如,多媒体装置、物联网和智能交通***)。由于有限的带宽,这在当前的4G通信***中是无法实现的。为了克服带宽限制,国际电信联盟已经为潜在第5代的5G应用范围分配了毫米波(mmWave)频谱。从那时起,学术界和工业界都对毫米波天线的研究产生了很大的兴趣。
近来,移动电话需要缩小尺寸的mmWave 5G天线模块。考虑到辐射特性,由于5G天线位于移动电话的最外侧,因此在具有较大屏幕和较薄外壳的移动电话的结构中,天线模块的一侧的长度逐渐减小。
随着天线模块尺寸减小,诸如天线增益和带宽的性能可能劣化。
在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对所描述的技术的背景的理解,因此其可能包含不构成本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
提供本发明内容以按照简化的形式对选择的构思进行介绍,下面在具体实施方式中进一步描述所述构思。本发明内容既不意在确定所要求保护的主题的关键特征或必要特征,也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。
在一个总体方面,一种介质谐振器天线包括:介质材料块,在第一方向、与所述第一方向不同的第二方向以及与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上延伸;以及馈电部,从所述介质材料块的底表面在所述第三方向上延伸到所述介质材料块的一部分,其中,所述馈电部与所述介质材料块的所述底表面的与第一位置相交的对角线或所述对角线的延长线叠置,所述介质材料块的所述底表面的与所述第一方向平行的第一边缘和所述介质材料块的所述底表面的与所述第二方向平行的第二边缘在所述第一位置处交汇。
所述第一位置与所述馈电部之间的距离可小于所述介质材料块的所述底表面的所述第一边缘的中心与所述馈电部之间的距离,并且所述馈电部与所述第一位置之间的距离可小于所述馈电部与所述介质材料块的所述底表面的中心之间的距离。
所述馈电部可包括馈电过孔,所述馈电过孔从所述介质材料块的所述底表面在所述第三方向上在所述介质材料块内部延伸。
所述馈电部可包括馈电带,所述馈电带从所述介质材料块的所述底表面在所述第三方向上沿着所述介质材料块的外表面延伸。
所述馈电带可接触所述第一位置,并且可沿着所述介质材料块的在所述第三方向上延伸的拐角在所述第三方向上延伸。
所述介质材料块可包括第一介质材料块和第二介质材料块,所述第二介质材料块在所述第三方向上堆叠在所述第一介质材料块上。所述介质谐振器天线还可包括接合层,所述接合层设置在所述第一介质材料块与所述第二介质材料块之间,所述第一介质材料块的底表面可以是所述介质材料块的所述底表面,并且所述馈电部可从所述第一介质材料块的所述底表面在所述第三方向上延伸到所述第一介质材料块的一部分。
所述介质谐振器天线还可包括:馈电图案,设置在所述第一介质材料块与所述第二介质材料块之间,并且连接到所述馈电部;以及天线图案,设置在所述第一介质材料块与所述第二介质材料块之间,并且耦合到所述馈电图案。
所述馈电部可包括馈电过孔,所述馈电过孔从所述第一介质材料块的所述底表面在所述第三方向上完全延伸穿过所述第一介质材料块,并且所述馈电图案可连接到所述馈电过孔。
所述馈电部可包括馈电带,所述馈电带从所述第一介质材料块的所述底表面在所述第三方向上沿着所述第一介质材料块的外表面延伸,并且所述馈电图案可连接到所述馈电带。
在另一总体方面,一种介质谐振器天线模块包括基板以及设置在所述基板上的多个介质谐振器天线,其中,所述多个介质谐振器天线中的每个包括:介质材料块,在第一方向、与所述第一方向不同的第二方向以及与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上延伸;以及馈电部,从所述介质材料块的底表面在所述第三方向上延伸到所述介质材料块的一部分,其中,所述馈电部与所述介质材料块的所述底表面的与第一位置相交的对角线或所述对角线的延长线叠置,所述介质材料块的所述底表面的与所述第一方向平行的第一边缘和所述介质材料块的所述底表面的与所述第二方向平行的第二边缘在所述第一位置处交汇,并且所述多个介质谐振器天线沿着在第四方向上延伸的线设置在所述基板上。
所述第一位置与所述馈电部之间的距离可小于所述第一边缘的中心与所述馈电部之间的距离,并且所述馈电部与所述第一位置之间的距离可小于所述馈电部与所述介质材料块的所述底表面的中心之间的距离。
所述介质材料块的所述底表面的所述对角线可平行于所述第四方向。
所述多个介质谐振器天线的所述馈电部可沿着在所述第四方向上延伸的线设置。
所述多个介质谐振器天线的所述底表面的所述对角线可基本上垂直于所述第四方向。
所述多个介质谐振器天线的所述馈电部可沿着在所述第四方向上延伸的线设置。
所述多个介质谐振器天线的所述底表面的所述对角线与所述第四方向之间的角度可小于90度。
所述多个介质谐振器天线的所述馈电部可沿着在所述第四方向上延伸的线设置。
在另一总体方面,一种介质谐振器天线包括:介质材料块,在第一方向、与所述第一方向不同的第二方向以及与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上延伸;以及馈电部,接触所述介质材料块,并且在所述第三方向上延伸,其中,相比于所述馈电部与所述介质材料块的底表面的平行于所述第一方向的第一边缘的中心之间的距离、所述馈电部与所述介质材料块的所述底表面的平行于所述第二方向的第二边缘的中心之间的距离以及所述馈电部与所述介质材料块的所述底表面的中心之间的距离,所述馈电部与第一位置之间的距离更小,所述介质材料块的所述底表面的所述第一边缘与所述介质材料块的所述底表面的所述第二边缘在所述第一位置处交汇。
所述第二方向可垂直于所述第一方向,所述介质材料块可具有六个表面,并且所述六个表面中的每个可以是矩形。
所述馈电部可包括馈电过孔,所述馈电过孔设置在所述介质材料块内部并且在所述第三方向上延伸。
所述馈电过孔可从所述介质材料块的所述底表面在所述第三方向上延伸,并且可与所述介质材料块的所述底表面的与所述第一位置相交的对角线叠置。
所述馈电部可包括馈电带,所述馈电带设置在所述介质材料块的外表面上并且在所述第三方向上延伸。
所述馈电带的底表面可接触所述第一位置,并且可与所述介质材料块的所述底表面的与所述第一位置相交的对角线的延长线叠置,并且所述馈电带可沿着所述介质材料块的在所述第三方向上延伸的拐角在所述第三方向上延伸,并且可与所述介质材料块的在所述拐角处交汇的两个表面叠置。
所述六个表面中的每个可以是正方形。
在另一总体方面,一种电子装置包括如上所述的介质谐振器天线。
通过以下具体实施方式和附图,其他特征和方面将是易于理解的。
附图说明
图1是根据实施例的介质谐振器天线的立体图。
图2是图1的介质谐振器天线的俯视平面图。
图3是根据常规技术的介质谐振器天线的立体图。
图4是根据另一实施例的介质谐振器天线的立体图。
图5是图4的介质谐振器天线的俯视平面图。
图6是根据另一实施例的介质谐振器天线的立体图。
图7是图6的介质谐振器天线的除了第二介质材料块和接合层之外的部分的俯视平面图。
图8是图6的介质谐振器天线的截面图。
图9是示出根据实施例的介质谐振器天线的制造方法的示图。
图10是根据另一实施例的介质谐振器天线的立体图。
图11是图10的介质谐振器天线的除了第二介质材料块和接合层之外的部分的俯视平面图。
图12是根据另一实施例的介质谐振器天线的立体图。
图13是图12的介质谐振器天线的除了第二介质材料块和接合层之外的部分的俯视平面图。
图14是根据另一实施例的介质谐振器天线的立体图。
图15是图14的介质谐振器天线的除了第二介质材料块和接合层之外的部分的俯视平面图。
图16是根据实施例的包括多个介质谐振器天线的天线模块的立体图。
图17是图16的天线模块的截面图。
图18是图16的天线模块的俯视平面图。
图19是根据另一实施例的天线模块的俯视平面图。
图20是根据另一实施例的天线模块的俯视平面图。
图21是根据另一实施例的天线模块的俯视平面图。
图22是根据另一实施例的天线模块的俯视平面图。
图23是根据另一实施例的天线模块的俯视平面图。
图24是示出根据实施例的包括介质谐振器天线模块的电子装置的示图。
图25是示出根据另一实施例的包括介质谐振器天线的电子装置的示图。
图26是示出根据另一实施例的包括介质谐振器天线模块的电子装置的示图。
图27和图28是示出试验示例的结果的曲线图。
图29和图30是示出另一试验示例的结果的示图。
图31和图32是示出另一试验示例的结果的曲线图。
在整个附图和具体实施方式中,相同的附图标记指示相同的要素。附图可不按照比例绘制,为了清楚、说明及便利起见,可夸大附图中的要素的相对尺寸、比例和描绘。
具体实施方式
提供下面的具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或***的全面理解。然而,在理解本申请的公开内容之后,在此描述的方法、设备和/或***的各种改变、变型和等同方案将是易于理解的。例如,在此描述的操作的顺序仅是示例,并且不局限于在此阐述的顺序,而是除了必须以特定顺序发生的操作之外,可做出在理解本申请的公开内容之后将易于理解的改变。此外,为了提高清楚性和简洁性,可省略对本领域已知的特征的描述。
在此描述的特征可以以不同的形式实施,并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说,已经提供在此描述的示例,仅是为了示出在理解本申请的公开内容之后将易于理解的实现在此描述的方法、设备和/或***的许多可行方式中的一些可行方式。
在整个说明书中,当要素(诸如,层、区域或基板)被描述为“在”另一要素“上”、“连接到”另一要素或“耦合到”另一要素时,该要素可直接“在”所述另一要素“上”、直接“连接到”所述另一要素或直接“耦合到”所述另一要素,或者可存在介于它们之间的一个或更多个其他要素。相比之下,当要素被描述为“直接在”另一要素“上”、“直接连接到”另一要素或“直接耦合到”另一要素时,不存在介于它们之间的其他要素。
如在此使用的,术语“和/或”包括相关所列项中的任意一项或者任意两项或更多项的任意组合。
尽管可在此使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分,但是这些构件、组件、区域、层或部分不受这些术语的限制。更确切地说,这些术语仅用于将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此,在不脱离示例的教导的情况下,在此描述的示例中提及的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称作第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了易于描述,在此可使用诸如“上方”、“上面”、“下方”和“下面”的空间相对术语来描述如附图中示出的一个要素与另一要素的关系。这样的空间相对术语意在除了包含附图中描绘的方位之外还包含装置在使用或操作中的不同方位。例如,如果附图中的装置被翻转,则描述为相对于另一要素位于“上方”或“上面”的要素于是将相对于另一要素位于“下方”或“下面”。因此,术语“上方”根据装置的空间方位包括“上方”和“下方”两种方位。装置还可以以其他方式被定位(例如,旋转90度或者处于其他方位),并且将相应地解释在此使用的空间相对术语。
在此使用的术语仅用于描述各种示例且不用于限制本公开。除非上下文另外清楚地指出,否则单数形式也意在包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、要素和/或它们的组合,但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、数量、操作、构件、要素和/或它们的组合。
在整个说明书中,图案、过孔、接地面、布线和电连接结构可包括金属材料(例如,铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)、铅(Pb)、钛(Ti)或它们的合金的导电材料),并且可通过诸如化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、溅射、减成工艺、加成工艺、半加成工艺(SAP)或改良的半加成工艺(MSAP)的镀覆方法来形成,但不限于此。
在整个说明书中,介质层和/或绝缘层可利用以下材料形成:热固性树脂(诸如,环氧树脂)、热塑性树脂(诸如,聚酰亚胺)、或通过将无机填料和/或芯材料(诸如,玻璃纤维、玻璃布、玻璃织物等)浸渍在热固性树脂或热塑性树脂中而制备的材料(诸如,半固化片、味之素堆积膜(Ajinomoto build-up film,ABF)、双马来酰亚胺三嗪(BT)、FR4)、感光介电(PID)树脂、覆铜层压板(CCL)或者玻璃或陶瓷系列的绝缘材料(诸如,液晶聚合物(LCP)、低温共烧陶瓷(LTCC)等)。
在整个说明书中,RF(射频)信号可具有但不限于根据以下协议的格式:Wi-Fi(IEEE 802.11系列等)、WiMAX(IEEE 802.16系列等)、IEEE 802.20、LTE(长期演进)、演进数据优化(Ev-DO)、高速分组接入(HSPA)、高速下行链路分组接入(HSDPA)、高速上行链路分组接入(HSUPA)、增强型数据速率演进(EDGE)、全球移动通信***(GSM)、全球定位***(GPS)、通用分组无线业务(GPRS)、码分多址(CDMA)、时分多址(TDMA)、增强型数字无绳电信(DECT)、蓝牙、第三代移动通信技术(3G)、***移动通信技术(4G)、第五代移动通信技术(5G)以及在上述协议之后指定的其他任意无线和有线协议。在下文中,可将介质谐振器天线简称为天线,并且可将介质谐振器天线模块简称为天线模块。
参照图1和图2描述根据实施例的介质谐振器天线100。图1是根据实施例的介质谐振器天线100的立体图,并且图2是图1的介质谐振器天线100的俯视平面图。图3是根据常规技术的介质谐振器天线100a的立体图。
参照图1和图2,根据实施例的介质谐振器天线(DRA)100可包括:介质材料块111,具有在彼此不同的第一方向DR1和第二方向DR2以及与第一方向DR1和第二方向DR2垂直的第三方向DR3上延伸的形状;馈电过孔11,设置在介质材料块111内部;以及多个连接部1和1a,设置在介质材料块111下方(即,附接到介质材料块111的底表面)。
介质材料块111可具有例如长方体形状,并且介质材料块111可具有通路孔,馈电过孔11***到该通路孔中。
介质材料块111可具有如下长方体形状:在第一方向DR1上具有第一长度a,在第二方向DR2上具有第二长度b,并且在第三方向DR3上具有第三长度c。
馈电过孔11可被设置为在介质材料块111的一部分内在第三方向DR3上延伸。
馈电过孔11可与介质材料块111的底表面上的第一位置CP相邻地设置,第一位置CP通过与第一方向DR1平行的第一边缘Ea和与第二方向DR2平行的第二边缘Eb的交汇而形成。
相对于介质材料块111的底表面,馈电过孔11的第一中心C1可与介质材料块111的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1叠置。此外,相对于介质材料块111的底表面,馈电过孔11的第一中心C1可被设置为相比于介质材料块111的底表面的中心更靠近第一位置CP(即,馈电过孔11的第一中心C1与介质材料块111的底表面的中心之间的距离大于馈电过孔11的第一中心C1与第一位置CP之间的距离)。
相对于介质材料块111的底表面,馈电过孔11的第一中心C1与第一边缘Ea的第二中心C2之间的第一间隔d1可大于馈电过孔11的第一中心C1与第一位置CP之间的第二间隔d2,并且类似地,馈电过孔11的第一中心C1与第二边缘Eb的第三中心C3之间的第三间隔d3可大于馈电过孔11的第一中心C1与第一位置CP之间的第二间隔d2。
如此,通过将馈电过孔11设置为使得馈电过孔11的第一中心C1与介质材料块111的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1叠置,如图2中的箭头所示,在介质材料块111的上表面上产生的电场分布的主方向可平行于对角线D1。
与馈电过孔11被设置为靠近介质材料块111的第一边缘Ea的第二中心C2或第二边缘Eb的第三中心C3的情况(与图3所示的根据常规技术的天线100a一样)相比,在根据实施例的介质谐振器天线100中,可增加由从馈电过孔11施加的电信号产生的电场的分布长度。因此,与根据常规技术的天线100a相比,在根据实施例的介质谐振器天线100中,可在不增加介质材料块111的第一长度a和第二长度b的情况下增加天线100的增益。
当向馈电过孔11施加电信号时,在介质材料块111内部发生预定频率的谐振,并且可根据天线100的谐振频率发送和接收RF信号。
在根据本实施例的天线100的谐振频率恒定的情况下,当介质材料块111的相对介电常数值为e时,天线100的尺寸与e-1/2成比例。因此,如果介质材料块111的相对介电常数值增大,则天线100的尺寸可减小。
根据本实施例的天线100的介质材料块111可具有大的介电常数,例如,可具有1或更大的介电常数,并且更具体地,可具有10或更大的介电常数。
可在构成介质材料块111的介质层中形成多个通路孔,以形成多个馈电过孔11,然后可通过将介质层切割成单独的介质谐振器天线100来共同制造多个介质谐振器天线100。
多个连接部1和1a可包括电连接构件(诸如,焊球)。
参照图4和图5描述根据另一实施例的介质谐振器天线101。图4是根据另一实施例的介质谐振器天线101的立体图,并且图5是图4的介质谐振器天线101的俯视平面图。
参照图4和图5,类似于根据参照图1和图2描述的实施例的介质谐振器天线100,根据本实施例的介质谐振器天线101可包括:介质材料块111,具有在第一方向DR1、第二方向DR2以及与第一方向DR1和第二方向DR2垂直的第三方向DR3上延伸的形状;馈电带12,设置在介质材料块111的外表面上;以及多个连接部1和1a,设置在介质材料块111下方(即,附接到介质材料块111的底表面)。
介质材料块111可具有例如长方体形状,并且设置在介质材料块111的外表面上的馈电带12可以是天线101的馈电单元。例如,介质材料块111可具有每个表面为正方形的正方体形状。
介质材料块111可具有如下长方体形状:在第一方向DR1上具有第一长度a,在第二方向DR2上具有第二长度b,并且在第三方向DR3上具有第三长度c。
馈电带12可设置在介质材料块111的从介质材料块111的底表面上的第一位置CP沿第三方向DR3延伸的第一拐角Eg上,第一位置CP通过与第一方向DR1平行的第一边缘Ea和与第二方向DR2平行的第二边缘Eb的交汇而形成。如图4所示,馈电带12与介质材料块111的在第一拐角Eg处交汇的两个表面叠置。馈电带12可接触介质材料块111的底表面上的第一位置CP(通过与第一方向DR1平行的第一边缘Ea和与第二方向DR2平行的第二边缘Eb的交汇而形成)。
相对于介质材料块111的底表面,馈电带12可与介质材料块111的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1的延长线ED1叠置。
如此,与将馈电带12设置为与介质材料块111的第一边缘Ea的第二中心C2或第二边缘Eb的第三中心C3相邻的情况相比,通过将馈电带12设置为与介质材料块111的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1的延长线ED1叠置,可增加由从馈电带12施加的电信号产生的电场的分布长度。由此,可增加天线101的增益。
根据先前参照图1和图2描述的实施例的天线100的许多特征适用于根据本实施例的介质谐振器天线101。
参照图6至图8描述根据另一实施例的介质谐振器天线200。图6是根据另一实施例的介质谐振器天线200的立体图,图7是图6的介质谐振器天线200的除了第二介质材料块120和接合层130之外的部分的俯视平面图,并且图8是图6的介质谐振器天线200的截面图。
参照图6至图8,根据本实施例的介质谐振器天线200包括:第一介质材料块110和第二介质材料块120,在第三方向DR3上堆叠;接合层130,设置在第一介质材料块110与第二介质材料块120之间;馈电过孔11,***第一介质材料块110中;馈电图案21和天线贴片31,设置在第一介质材料块110与第二介质材料块120之间;以及多个连接部1和1a,设置在第一介质材料块110下方(即,附接到第一介质材料块110的底表面)。
第一介质材料块110和第二介质材料块120可具有在彼此不同的第一方向DR1和第二方向DR2以及与第一方向DR1和第二方向DR2垂直的第三方向DR3上延伸的形状,并且第一介质材料块110和第二介质材料块120在第三方向DR3上彼此堆叠,且接合层130介于第一介质材料块110与第二介质材料块120之间。
第一介质材料块110可具有例如长方体形状,并且第一介质材料块110可具有通路孔,馈电过孔11***到该通路孔中。馈电过孔11可在第三方向DR3上从第一介质材料块110的下表面贯穿至第一介质材料块110的上表面。然而,馈电过孔11可在第三方向DR3上设置在第一介质材料块110的一部分内。
馈电过孔11与第一介质材料块110的底表面上的第一位置CP相邻地设置,第一位置CP通过与第一方向DR1平行的第一边缘Ea和与第二方向DR2平行的第二边缘Eb的交汇而形成。
相对于第一介质材料块110的底表面,馈电过孔11的第一中心C1可与第一介质材料块110的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1叠置。
如此,通过将馈电过孔11设置为使得馈电过孔11的第一中心C1与第一介质材料块110的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1叠置,可增加馈电过孔11的第一中心C1与第一介质材料块110的底表面的在不同方向上彼此相交的两个边的位置之中除了第一位置CP之外的位置之间的最大间隔。由此,可增加天线200的增益。
第二介质材料块120可具有例如长方体形状。
第一介质材料块110和第二介质材料块120可具有相同的平面形状,以在第三方向DR3上彼此叠置。因此,当第一介质材料块110和第二介质材料块120在第三方向DR3上彼此层叠并且通过接合层130彼此接合时,四对侧面可彼此平滑地连接而没有台阶,以分别共面。然而,在由第一方向DR1和第二方向DR2相交形成的一个平面上,接合层130的平面面积可小于第一介质材料块110的平面面积和第二介质材料块120的平面面积。
将参照图9描述根据实施例的介质谐振器天线的制造方法。图9是示出根据实施例的介质谐振器天线的制造方法的示图。如图9所示,可在构成第一介质材料块110的第一介质层10a中钻出多个通路孔11a,并且可在多个通路孔11a中填充导电材料。接下来,在第一介质层10a上形成多个馈电图案21和多个天线贴片31,之后,在第一介质层10a上设置构成接合层的聚合物层,在聚合物层上设置构成第二介质材料块120的第二介质层,然后固化第一介质层10a与第二介质层之间的聚合物层,以接合第一介质层10a和第二介质层,并且像图9所示的划分线DL一样,将彼此接合的第一介质层10a和第二介质层切割为单个天线单元,从而共同制造多个介质谐振器天线200。如此,通过共同制造多个介质谐振器天线200,使得在介质谐振器天线200中,第一介质材料块110和第二介质材料块120在第三方向DR3上堆叠,并且四对侧表面可形成为彼此平滑地连接而没有台阶差,以分别设置在同一平面上。
参照图8,在第三方向DR3上测量的第一介质材料块110的厚度和第二介质材料块120的厚度可彼此不同。例如,第二介质材料块120的第二厚度T2可比第一介质材料块110的第一厚度T1厚。
接合层130可具有粘附性,以将第一介质材料块110与第二介质材料块120彼此接合。此外,接合层130包括可固化的材料,并且在第一介质材料块110与第二介质材料块120之间固化,并且第一介质材料块110和第二介质材料块120可通过接合层130彼此接合。
在第三方向DR3上测量的接合层130的第三厚度T3可比在第三方向DR3上测量的第一介质材料块110的第一厚度T1和第二介质材料块120的第二厚度T2薄。
馈电图案21和天线贴片31可设置在第一介质材料块110与接合层130的一部分之间,并且馈电图案21和天线贴片31被设置为在由第一方向DR1和第二方向DR2相交形成的平面上彼此间隔开。
例如,在第三方向DR3上,馈电图案21和天线贴片31可设置在第一介质材料块110上,并且接合层130可设置在第一介质材料块110、馈电图案21和天线贴片31上。
馈电图案21可具有例如长方形(例如,正方形)的平面形状,并且可具有比第一介质材料块110的平面面积小的平面面积。
馈电图案21可从馈电过孔11馈电。也就是说,馈电过孔11可以是天线200的馈电单元。在所示实施例中,馈电图案21可在第三方向DR3上设置在馈电过孔11上方且与馈电过孔11接触。
天线贴片31与被馈电过孔11馈电的馈电图案21间隔开,并且以电容耦合馈电方式通过馈电图案21被馈电。
因此,在第二介质材料块120与馈电图案21之间不设置金属层(即,天线贴片31),并且仅将接合层130设置在第二介质材料块120与馈电图案21之间。
馈电图案21和天线贴片31的尺寸和形状是可变的(例如,馈电图案21可具有图7所示的形状),并且馈电图案21与天线贴片31之间的间隔是可变的,因此可改善天线的设计自由度。
第一介质材料块110和第二介质材料块120可包括陶瓷材料,并且接合层130可包括聚合物。更具体地,接合层130可包括PI(聚酰亚胺)、PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PTFE(聚四氟乙烯)、PPE(聚丙乙烯)、BCB(苯并环丁烯)和LCP基聚合物中的任意一种或者任意两种或更多种的任意组合。
第一介质材料块110的相对介电常数和第二介质材料块120的相对介电常数可彼此相同或彼此不同。更具体地,第二介质材料块120的相对介电常数可大于第一介质材料块110的相对介电常数。
接合层130的相对介电常数可低于第一介质材料块110的相对介电常数和第二介质材料块120的相对介电常数。
天线200可具有如下长方体形状:在第一方向DR1上具有第一长度a,在第二方向DR2上具有第二长度b并且在第三方向DR3上具有第三长度c。
当向馈电过孔11施加电信号时,在第一介质材料块110、第二介质材料块120和接合层130内部发生特定频率的谐振,并且可根据天线200的谐振频率发送和接收RF信号。
第一介质材料块110、第二介质材料块120和接合层130内部的谐振频率可根据以下值来确定:第一介质材料块110、第二介质材料块120和接合层130的相对介电常数值,天线200的第一方向DR1的第一长度a的值、第二方向DR2的第二长度b的值、第三方向DR3的第三长度c的值,以及与第一方向DR1平行的轴线方向的传播常数、与第二方向DR2平行的轴线方向的传播常数和与第三方向DR3平行的轴线方向的传播常数。
在天线200的谐振频率恒定的情况下,当第一介质材料块110、第二介质材料块120和接合层130的相对介电常数值被称为“e”时,天线200的尺寸与e-1/2成比例。因此,如果第一介质材料块110、第二介质材料块120和接合层130的相对介电常数增大,则天线200的尺寸可减小。
此时,如果天线200的介质材料块的相对介电常数增大,则因馈电过孔11、馈电图案21和天线贴片31导致的导体损耗可能增加。
然而,根据本实施例的天线200,第一介质材料块110的相对介电常数可小于第二介质材料块120的相对介电常数,馈电过孔11可设置在具有相对小的相对介电常数的第一介质材料块110中,并且可不设置在具有相对大的相对介电常数的第二介质材料块120中。因此,可通过减少由于馈电过孔11导致的导体损耗来防止天线200的效率劣化,从而增加天线200的增益。
此外,通过将具有相对大的相对介电常数的第二介质材料块120的第二厚度T2形成为大于具有相对小的相对介电常数的第一介质材料块110的第一厚度T1,可增大第一介质材料块110和第二介质材料块120的整体相对介电常数,从而增加天线200的增益并减小天线200的尺寸。
此外,在第二介质材料块120与馈电图案21之间,不设置天线贴片31,并且可仅设置接合层130。因此,如图8中的CD所示,施加到馈电图案21的电信号可被发送到第二介质材料块120(具有相对大的相对介电常数值和第三方向DR3上的相对厚的厚度),而不被金属层(即,天线贴片31)阻挡。因此,可在设置于第一介质材料块110上的第二介质材料块120中发生谐振频率,从而即使天线200在第一方向DR1的第一长度a和在第二方向DR2上的第二长度b不大,也提高了天线200的效率。因此,可增加天线200的增益并且可扩展天线200的频带。
此外,通过使用设置在第一介质材料块110与第二介质材料块120之间的天线贴片31另外发送和接收电信号,可提高天线200的效率,并且通过将天线贴片31与具有相对小的相对介电常数的接合层130相邻地设置,可减少因天线贴片31导致的导体损耗,从而增加天线200的增益。
此外,通过包括设置在第一介质材料块110与第二介质材料块120之间并且与要被馈送电力的馈电图案21电容耦合的天线贴片31,可通过由天线贴片31产生的附加谐振来扩展天线200的带宽,而不干扰施加到第二介质材料块120的电信号,并且可增加天线200的增益。
此外,如上所述,馈电过孔11与第一介质材料块110的底表面上的第一位置CP(通过与第一方向DR1平行的第一边缘Ea和与第二方向DR2平行的第二边缘Eb的交汇而形成)相邻地设置,并且相对于第一介质材料块110的底表面,馈电过孔11的第一中心C1可与第一介质材料块110的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1叠置。
如此,通过将馈电过孔11设置为使得馈电过孔11的第一中心C1与第一介质材料块110的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1叠置,可增加由从馈电过孔11施加的电信号产生的电场的分布长度。由此,可增加天线200的增益。
如此,根据本实施例,天线200可安装在窄的区域中,天线200的频带可扩展,并且天线200的增益可增加。
根据参照图1和图2描述的实施例的介质谐振器天线100以及根据参照图4和图5描述的实施例的介质谐振器天线101的许多特征的描述适用于根据本实施例的介质谐振器天线200。
接下来,参照图10和图11描述根据另一实施例的介质谐振器天线201。图10是根据另一实施例的介质谐振器天线201的立体图,并且图11是图10的介质谐振器天线201的除了第二介质材料块120和接合层130之外的部分的俯视平面图。
参照图10和图11,根据本实施例的天线201与根据上面参照图6至图8描述的实施例的天线200类似。
根据本实施例的天线201包括:第一介质材料块110和第二介质材料块120,在第三方向DR3上堆叠;接合层130,设置在第一介质材料块110与第二介质材料块120之间,并且将第一介质材料块110与第二介质材料块120彼此接合;馈电图案21,设置在第一介质材料块110与第二介质材料块120之间;以及天线贴片31,设置在第一介质材料块110与第二介质材料块120之间,并且与馈电图案21分离。因此,在馈电图案21与第二介质材料块120之间可不设置金属层(即,天线贴片31)。省略了与根据参照图6至图8描述的实施例的天线200的构成要素相同的构成要素的详细描述。
与根据参照图6至图8描述的实施例的天线200不同,根据本实施例的天线201可包括设置在第一介质材料块110的外表面上的馈电带12。
天线201的馈电带12可连接到设置在第一介质材料块110上的馈电图案21。馈电带12可以是天线201的馈电单元。
馈电带12可设置在第一介质材料块110的从第一介质材料块110的底表面上的第一位置CP沿第三方向DR3延伸的第一拐角Eg上,第一位置CP通过与第一方向DR1平行的第一边缘Ea和与第二方向DR2平行的第二边缘Eb的交汇而形成。馈电带12可接触第一介质材料块110的底表面上的第一位置CP(通过与第一方向DR1平行的第一边缘Ea和与第二方向DR2平行的第二边缘Eb的交汇而形成)。
相对于第一介质材料块110的底表面,馈电带12可与第一介质材料块110的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1的延长线ED1叠置。
如此,通过将馈电带12设置为与第一介质材料块110的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1的延长线ED1叠置,可增加由从馈电带12施加的电信号产生的电场的分布长度。由此,可增加天线201的增益。
由于馈电图案21可被设置为在由第一方向DR1和第二方向DR2相交形成的平面上与天线贴片31间隔开,并且馈电图案21与天线贴片31彼此耦合,因此天线贴片31可通过馈电图案21以电容耦合馈电方式被馈电。
施加到馈电带12的电信号被发送到第一介质材料块110和第二介质材料块120以产生谐振,并且通过馈电图案21被发送到天线贴片31,以另外发送和接收电信号,从而提高介质谐振器天线201的效率。
根据参照图1和图2描述的实施例的介质谐振器天线100、根据参照图4和图5描述的实施例的介质谐振器天线101以及根据参照图6至图8描述的实施例的介质谐振器天线200的许多特征的描述适用于根据本实施例的介质谐振器天线201。
接下来,参照图12和图13描述根据另一实施例的介质谐振器天线202。图12是根据另一实施例的介质谐振器天线202的立体图,并且图13是图12的介质谐振器天线202的除了第二介质材料块120和接合层130之外的部分的俯视平面图。
参照图12和图13,根据本实施例的天线202与根据上面参照图6至图8描述的实施例的天线200类似。
根据本实施例的天线202包括:第一介质材料块110和第二介质材料块120,在第三方向DR3上堆叠;接合层130,设置在第一介质材料块110与第二介质材料块120之间,以接合第一介质材料块110与第二介质材料块120;馈电图案21,设置在第一介质材料块110与第二介质材料块120之间;以及天线贴片31,设置在第一介质材料块110与第二介质材料块120之间,并且与馈电图案21分离。因此,在馈电图案21与第二介质材料块120之间可不设置金属层(即,天线贴片31)。省略了与根据参照图6至图8描述的实施例的天线200的构成要素相同的构成要素的详细描述。
与根据参照图6至图8描述的实施例的天线200不同,根据本实施例的天线202的天线贴片31的两个边缘可平行于第一介质材料块110的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1。因此,在第二介质材料块120的上表面上发生的电场分布的主方向(平行于对角线D1)和天线贴片31的两个边缘的方向彼此平行,于是根据沿着天线贴片31的两个边缘流动的表面电流的电场分布方向和第二介质材料块120的电场方向彼此平行,从而天线202的增益可更大。
此外,类似于根据参照图6至图8描述的实施例的天线200,通过将馈电过孔11设置为与第一介质材料块110的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1叠置,可增加由从馈电过孔11施加的电信号产生的电场的分布长度。由此,可增加天线202的增益。
由于馈电图案21可被设置为在由第一方向DR1和第二方向DR2相交形成的平面上与天线贴片31间隔开,并且馈电图案21和天线贴片31彼此耦合,因此天线贴片31可通过馈电图案21以电容耦合馈电方式被馈电。
施加到馈电过孔11的电信号被发送到第一介质材料块110和第二介质材料块120以产生谐振,并且通过馈电图案21被发送到天线贴片31,以另外发送和接收电信号,从而提高介质谐振器天线202的效率。
根据参照图1和图2描述的实施例的介质谐振器天线100、根据参照图4和图5描述的实施例的介质谐振器天线101、根据参照图6至图8描述的实施例的介质谐振器天线200以及根据参照图10和图11描述的实施例的介质谐振器天线201的许多特征的描述适用于根据本实施例的介质谐振器天线202。
接下来,参照图14和图15描述根据另一实施例的介质谐振器天线203。图14是根据另一实施例的介质谐振器天线203的立体图,并且图15是图14的介质谐振器天线203的除了第二介质材料块120和接合层130之外的部分的俯视平面图。
参照图14和图15,根据本实施例的天线203与根据上面参照图6至图8描述的实施例的天线200类似。
根据本实施例的天线203包括:第一介质材料块110和第二介质材料块120,在第三方向DR3上堆叠;接合层130,设置在第一介质材料块110与第二介质材料块120之间,以接合第一介质材料块110与第二介质材料块120;馈电图案21,设置在第一介质材料块110与第二介质材料块120之间;以及天线贴片31,设置在第一介质材料块110与第二介质材料块120之间,并且与馈电图案21分离。因此,在馈电图案21与第二介质材料块120之间可不设置金属层(即,天线贴片31)。省略了与根据参照图6至图8描述的实施例的天线200的构成要素相同的构成要素的详细描述。
与根据参照图6至图8描述的实施例的天线200不同,根据本实施例的天线203的天线贴片31的两个边缘可平行于第一介质材料块110的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1。因此,在第二介质材料块120的上表面上发生的电场分布的主方向(平行于对角线D1)和天线贴片31的两个边缘的方向彼此平行,于是根据沿着天线贴片31的两个边缘流动的表面电流的电场分布方向和第二介质材料块120的电场方向彼此平行,从而天线203的增益可更大。
此外,与根据参照图6至图8描述的实施例的天线200不同,根据本实施例的天线203可包括设置在第一介质材料块110的外表面上的馈电带12。
天线203的馈电带12可连接到设置在第一介质材料块110上的馈电图案21。馈电带12可以是天线203的馈电单元。
馈电带12可设置在第一介质材料块110的从第一介质材料块110的底表面上的第一位置CP沿第三方向DR3延伸的第一拐角Eg上,第一位置CP通过与第一方向DR1平行的第一边缘Ea和与第二方向DR2平行的第二边缘Eb的交汇而形成。馈电带12可接触第一介质材料块110的底表面上的第一位置CP(通过与第一方向DR1平行的第一边缘Ea和与第二方向DR2平行的第二边缘Eb的交汇而形成)。
相对于第一介质材料块110的底表面,馈电带12可与第一介质材料块110的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1的延长线ED1叠置。
如此,通过将馈电带12设置为与第一介质材料块110的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1的延长线ED1叠置,可增加由从馈电带12施加的电信号产生的电场的分布长度。由此,可增加天线203的增益。
由于馈电图案21可被设置为在由第一方向DR1和第二方向DR2相交形成的平面上与天线贴片31间隔开,并且馈电图案21与天线贴片31彼此耦合,因此天线贴片31可通过馈电图案21以电容耦合馈电方式被馈电。
施加到馈电带12的电信号被发送到第一介质材料块110和第二介质材料块120以产生谐振,并且通过馈电图案21被发送到天线贴片31,以另外发送和接收电信号,从而提高介质谐振器天线203的效率。
根据参照图1和图2描述的实施例的介质谐振器天线100、根据参照图4和图5描述的实施例的介质谐振器天线101、根据参照图6至图8描述的实施例的介质谐振器天线200、根据参照图10和图11描述的实施例的介质谐振器天线201以及根据参照图12和图13描述的实施例的介质谐振器天线202的许多特征的描述适用于根据本实施例的介质谐振器天线203。
接下来,参照图16至图18描述根据实施例的包括多个介质谐振器天线10的天线模块1000。图16是根据实施例的包括多个介质谐振器天线10的天线模块1000的立体图,图17是图16的天线模块1000的示意性截面图,并且图18是图16的天线模块1000的示意性俯视平面图。
参照图16至图18,根据本实施例的天线模块1000可包括在连接基板300上沿着在第四方向AD上延伸的线设置的多个介质谐振器天线10。多个介质谐振器天线10可布置在作为布置方向的第四方向AD上。
连接基板300可包括能够将电信号施加到多个天线10的信号线(诸如,接地电极和馈电线)。
多个介质谐振器天线10可通过上述多个连接部1和1a连接到连接基板300。
参照图16和图17,在连接基板300与天线10之间可设置有底部填充材料230。
当将天线10安装到连接基板300时,在通过多个连接部1和1a中的连接部1a将馈电过孔11连接到连接基板300的馈电线220a并且通过多个连接部1和1a中的连接部1将馈电过孔11连接到连接基板300的接地电极220之后,可在多个天线10与连接基板300之间的空间中填充底部填充材料230并且将底部填充材料230固化。固化的底部填充材料230可形成为围绕多个连接部1和1a与天线10彼此连接的部分,从而支撑天线10,以使天线10牢固地固定在连接基板300上。此外,底部填充材料230填充多个天线10与连接基板300之间的空间,以防止灰尘或湿气从外部渗透,从而防止对连接部1和1a以及连接基板300的损坏以及由此导致的故障。
多个介质谐振器天线10可包括根据参照图6至图8描述的实施例的介质谐振器天线200、根据参照图10和图11描述的实施例的介质谐振器天线201、根据参照图12和图13描述的实施例的介质谐振器天线202以及根据参照图14和图15描述的实施例的介质谐振器天线203。然而,本公开不限于此,并且多个介质谐振器天线10可包括根据参照图1和图2描述的实施例的介质谐振器天线100以及根据参照图4和图5描述的实施例的介质谐振器天线101。
参照图16至图18,多个介质谐振器天线10的馈电过孔11与多个介质谐振器天线10的底表面的第一位置CP相邻地设置。
相对于多个介质谐振器天线10的底表面,馈电过孔11可与多个介质谐振器天线10的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1叠置。此外,馈电过孔11可被设置为相比于多个介质谐振器天线10的底表面的中心部分更靠近第一位置CP。
多个介质谐振器天线10的底表面的对角线D1可平行于第四方向AD。此外,通过图18中的空心箭头示出了多个介质谐振器天线10的上表面上的电场的分布方向,并且由于多个介质谐振器天线10的上表面的表面电流的方向彼此平行,因此可通过天线布置而增加天线模块1000的增益。
如上所述,通过将多个介质谐振器天线10的馈电过孔11设置为与多个介质谐振器天线10的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1叠置,可增加由从馈电过孔11施加的电信号产生的电场的分布长度。由此,可增加天线模块1000的增益。
根据参照图1和图2描述的实施例的介质谐振器天线100、根据参照图4和图5描述的实施例的介质谐振器天线101、根据参照图6至图8描述的实施例的介质谐振器天线200、根据参照图10和图11描述的实施例的介质谐振器天线201、根据参照图12和图13描述的实施例的介质谐振器天线202以及根据参照图14和图15描述的实施例的介质谐振器天线203的许多特征的描述适用于根据本实施例的天线模块1000的多个介质谐振器天线10。
接下来,参照图19描述根据另一实施例的天线模块1001。图19是根据另一实施例的天线模块1001的俯视平面图。
参照图19,根据本实施例的天线模块1001可包括在连接基板300上沿着在第四方向AD上延伸的线设置的多个介质谐振器天线10。多个介质谐振器天线10可布置在作为布置方向的第四方向AD上。
多个介质谐振器天线10的馈电过孔11与多个介质谐振器天线10的底表面的第一位置CP相邻地设置。
相对于多个介质谐振器天线10的底表面,馈电过孔11可与多个介质谐振器天线10的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1叠置。此外,馈电过孔11可被设置为相比于多个介质谐振器天线10的底表面的中心部分更靠近第一位置CP。
然而,与根据参照图16至图18描述的实施例的天线模块1000不同,根据本实施例的天线模块1001的多个介质谐振器天线10的底表面的对角线D1不平行于第四方向AD,并且可与第四方向AD大致形成直角。
通过图19中的空心箭头示出了多个介质谐振器天线10的上表面上的电场的分布方向,并且多个介质谐振器天线10的上表面上的电场的分布方向可相同。通过将多个介质谐振器天线10的上表面上的电场的分布方向设置为相同,可通过天线布置而增加天线模块1001的增益。
如上所述,通过将多个介质谐振器天线10的馈电过孔11设置为与多个介质谐振器天线10的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1叠置,可增加由从馈电过孔11施加的电信号产生的电场的分布长度。由此,可增加天线模块1001的增益。
根据本实施例的天线模块1001的多个介质谐振器天线10可包括根据上面参照图1和图2描述的实施例的介质谐振器天线100、根据参照图4和图5描述的实施例的介质谐振器天线101、根据参照图6至图8描述的实施例的介质谐振器天线200、根据参照图10和图11描述的实施例的介质谐振器天线201、根据参照图12和图13描述的实施例的介质谐振器天线202以及根据参照图14和图15描述的实施例的介质谐振器天线203。
根据参照图1和图2描述的实施例的介质谐振器天线100、根据参照图4和图5描述的实施例的介质谐振器天线101、根据参照图6至图8描述的实施例的介质谐振器天线200、根据参照图10和图11描述的实施例的介质谐振器天线201、根据参照图12和图13描述的实施例的介质谐振器天线202以及根据参照图14和图15描述的实施例的介质谐振器天线203的许多特征的描述适用于根据本实施例的天线模块1001的多个介质谐振器天线10。
接下来,参照图20描述根据另一实施例的天线模块1002。图20是根据另一实施例的天线模块1002的俯视平面图。
参照图20,根据本实施例的天线模块1002可包括在连接基板300上沿着在第四方向AD上延伸的线设置的多个介质谐振器天线10。多个介质谐振器天线10可布置在作为布置方向的第四方向AD上。
多个介质谐振器天线10的馈电过孔11与多个介质谐振器天线10的底表面的第一位置CP相邻地设置。
相对于多个介质谐振器天线10的底表面,馈电过孔11可与多个介质谐振器天线10的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1叠置。此外,馈电过孔11可被设置为相比于多个介质谐振器天线10的底表面的中心部分更靠近第一位置CP。
根据本实施例的天线模块1002的多个介质谐振器天线10的底表面的对角线D1不平行于第四方向AD,并且可与第四方向AD大致形成直角。
在根据本实施例的天线模块1002中,虚拟第一线La(连接多个介质谐振器天线10之中的从左侧计数的奇数位置的介质谐振器天线10的馈电过孔11并且在第四方向AD上延伸)与虚拟第二线Lb(连接多个介质谐振器天线10之中的从左侧计数的偶数位置的介质谐振器天线10的馈电过孔11并且在第四方向AD上延伸)彼此平行,但彼此不重合,使得多个介质谐振器天线10的馈电过孔11可不沿着在第四方向AD上延伸的单条线设置。
通过图20中的空心箭头示出了多个介质谐振器天线10的上表面上的电场的分布方向,并且多个介质谐振器天线10的上表面上的电场的分布方向彼此平行,并且相邻的介质谐振器天线10的上表面上的电场的分布方向彼此相反。通过将多个介质谐振器天线10的上表面的电场的分布方向设置为彼此平行,多个介质谐振器天线10的信号可不彼此干扰,并且通过将相邻的介质谐振器天线10的上表面上的电场的分布方向设置在相反方向上,可改变多个介质谐振器天线10的信号的传播方向。
如上所述,通过将多个介质谐振器天线10的馈电过孔11设置为与多个介质谐振器天线10的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1叠置,可增加由从馈电过孔11施加的电信号产生的电场的分布长度。由此,可增加天线模块1002的增益。
根据本实施例的天线模块1002的多个介质谐振器天线10可包括根据上面参照图1和图2描述的实施例的介质谐振器天线100、根据参照图4和图5描述的实施例的介质谐振器天线101、根据参照图6至图8描述的实施例的介质谐振器天线200、根据参照图10和图11描述的实施例的介质谐振器天线201、根据参照图12和图13描述的实施例的介质谐振器天线202以及根据参照图14和图15描述的实施例的介质谐振器天线203。
根据参照图1和图2描述的实施例的介质谐振器天线100、根据参照图4和图5描述的实施例的介质谐振器天线101、根据参照图6至图8描述的实施例的介质谐振器天线200、根据参照图10和图11描述的实施例的介质谐振器天线201、根据参照图12和图13描述的实施例的介质谐振器天线202以及根据参照图14和图15描述的实施例的介质谐振器天线203的许多特征的描述适用于根据本实施例的天线模块1002的多个介质谐振器天线10。
接下来,参照图21描述根据另一实施例的天线模块1003。图21是根据另一实施例的天线模块1003的俯视平面图。
参照图21,根据本实施例的天线模块1003可包括在连接基板300上沿着在第四方向AD上延伸的两条线设置的多个介质谐振器天线10。多个介质谐振器天线10可布置在作为布置方向的第四方向AD上。
多个介质谐振器天线10可不沿着在第四方向AD上延伸的单条线设置,而是可沿着在第四方向AD上延伸的两条线以Z字形布置顺序地设置。
因此,虚拟第一线La(连接多个介质谐振器天线10之中的从左侧计数的偶数位置的介质谐振器天线10的馈电过孔11并且在第四方向AD上延伸)和虚拟第二线Lb(连接多个介质谐振器天线10之中的从左侧计数的奇数位置的介质谐振器天线10的馈电过孔11并且在第四方向AD上延伸)彼此平行,但彼此不重合,因此多个介质谐振器天线10的馈电过孔11可不沿着在第四方向AD上延伸的单条线设置。
如此,通过不将多个介质谐振器天线10设置成单行,可减小相邻的介质谐振器天线10之间的干扰。
通过图21中的空心箭头示出了多个介质谐振器天线10的上表面上的电场的分布方向,并且通过将多个介质谐振器天线10的上表面上的电场的分布方向设置为彼此平行,可通过天线布置而增加天线模块1003的增益。
多个介质谐振器天线10的馈电过孔11与多个介质谐振器天线10的底表面的第一位置CP相邻地设置。
相对于多个介质谐振器天线10的底表面,馈电过孔11可与多个介质谐振器天线10的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1叠置。此外,馈电过孔11可被设置为相比于多个介质谐振器天线10的底表面的中心部分更靠近第一位置CP。
如上所述,通过将多个介质谐振器天线10的馈电过孔11设置为与多个介质谐振器天线10的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1叠置,可增加由从馈电过孔11施加的电信号产生的电场的分布长度。由此,可增加天线模块1003的增益。
多个介质谐振器天线10可包括根据上面参照图1和图2描述的实施例的介质谐振器天线100、根据参照图4和图5描述的实施例的介质谐振器天线101、根据参照图6至图8描述的实施例的介质谐振器天线200、根据参照图10和图11描述的实施例的介质谐振器天线201、根据参照图12和图13描述的实施例的介质谐振器天线202以及根据参照图14和图15描述的实施例的介质谐振器天线203。
根据参照图1和图2描述的实施例的介质谐振器天线100、根据参照图4和图5描述的实施例的介质谐振器天线101、根据参照图6至图8描述的实施例的介质谐振器天线200、根据参照图10和图11描述的实施例的介质谐振器天线201、根据参照图12和图13描述的实施例的介质谐振器天线202以及根据参照图14和图15描述的实施例的介质谐振器天线203的许多特征的描述适用于根据本实施例的天线模块1003的多个介质谐振器天线10。
接下来,参照图22描述根据另一实施例的天线模块1004。图22是根据另一实施例的天线模块1004的俯视平面图。
参照图22,根据本实施例的天线模块1004可包括在连接基板300上沿着在第四方向AD上延伸的线设置的多个介质谐振器天线10。多个介质谐振器天线10可布置在作为布置方向的第四方向AD上。
多个介质谐振器天线10的馈电过孔11与多个介质谐振器天线10的底表面的第一位置CP相邻地设置。
相对于多个介质谐振器天线10的底表面,馈电过孔11可与多个介质谐振器天线10的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1叠置。此外,馈电过孔11可被设置为相比于多个介质谐振器天线10的底表面的中心部分更靠近第一位置CP。
相对于多个介质谐振器天线10的底表面,多个介质谐振器天线10的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1可与第四方向AD形成小于约90度的预定角度,例如,可形成约45度的预定角度。
多个介质谐振器天线10的底表面的对角线D1可彼此平行。
通过图22中的空心箭头示出了多个介质谐振器天线10的上表面上的电场的分布方向,并且通过将多个介质谐振器天线10的上表面上的电场的分布方向设置为彼此平行,可通过天线布置而增加天线模块1004的增益。
如上所述,通过将多个介质谐振器天线10的馈电过孔11设置为与多个介质谐振器天线10的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1叠置,可增加由从馈电过孔11施加的电信号产生的电场的分布长度。由此,可增加天线模块1004的增益。
多个介质谐振器天线10可包括根据上面参照图1和图2描述的实施例的介质谐振器天线100、根据参照图4和图5描述的实施例的介质谐振器天线101、根据参照图6至图8描述的实施例的介质谐振器天线200、根据参照图10和图11描述的实施例的介质谐振器天线201、根据参照图12和图13描述的实施例的介质谐振器天线202以及根据参照图14和图15描述的实施例的介质谐振器天线203。
根据参照图1和图2描述的实施例的介质谐振器天线100、根据参照图4和图5描述的实施例的介质谐振器天线101、根据参照图6至图8描述的实施例的介质谐振器天线200、根据参照图10和图11描述的实施例的介质谐振器天线201、根据参照图12和图13描述的实施例的介质谐振器天线202以及根据参照图14和图15描述的实施例的介质谐振器天线203的许多特征的描述适用于根据本实施例的天线模块1004的多个介质谐振器天线10。
接下来,参照图23描述根据另一实施例的天线模块1005。图23是根据另一实施例的天线模块1005的俯视平面图。
参照图23,根据本实施例的天线模块1005可包括在连接基板300上沿着在第四方向AD上延伸的线设置的多个介质谐振器天线10。多个介质谐振器天线10可布置在作为布置方向的第四方向AD上。
虚拟第一线La(连接多个介质谐振器天线10之中的从左侧计数的奇数位置的介质谐振器天线10的馈电过孔11并且在第四方向AD上延伸)与虚拟第二线Lb(连接多个介质谐振器天线10之中的从左侧计数的偶数位置的介质谐振器天线10的馈电过孔11并且在第四方向AD上延伸)彼此平行,但彼此不重合,因此多个介质谐振器天线10的馈电过孔11可不沿着在第四方向AD上延伸的单条线设置。
多个介质谐振器天线10的馈电过孔11与多个介质谐振器天线10的底表面的第一位置CP相邻地设置。
相对于多个介质谐振器天线10的底表面,馈电过孔11可与多个介质谐振器天线10的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1叠置。此外,馈电过孔11可被设置为相比于多个介质谐振器天线10的底表面的中心部分更靠近第一位置CP。
相对于多个介质谐振器天线10的底表面,多个介质谐振器天线10的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1可与第四方向AD形成小于约90度的预定角度,例如,可形成约45度的预定角度。
多个介质谐振器天线10的底表面的对角线D1可彼此平行。
通过图23中的空心箭头示出了多个介质谐振器天线10的上表面上的电场的分布方向,并且多个介质谐振器天线10的上表面上的电场的分布方向彼此平行,并且相邻的介质谐振器天线10的上表面上的电场的分布方向彼此相反。通过将多个介质谐振器天线10的上表面的电场的分布方向设置为彼此平行,多个介质谐振器天线10的信号可不彼此干扰,并且通过将相邻的介质谐振器天线10的上表面上的电场的分布方向设置在相反方向上,可改变多个介质谐振器天线10的信号的传播方向。
如上所述,通过将多个介质谐振器天线10的馈电过孔11设置为与多个介质谐振器天线10的底表面的与第一位置CP相交的对角线D1叠置,可增加由从馈电过孔11施加的电信号产生的电场的分布长度。由此,可增加天线模块1005的增益。
多个介质谐振器天线10可包括根据上面参照图1和图2描述的实施例的介质谐振器天线100、根据参照图4和图5描述的实施例的介质谐振器天线101、根据参照图6至图8描述的实施例的介质谐振器天线200、根据参照图10和图11描述的实施例的介质谐振器天线201、根据参照图12和图13描述的实施例的介质谐振器天线202以及根据参照图14和图15描述的实施例的介质谐振器天线203。
根据参照图1和图2描述的实施例的介质谐振器天线100、根据参照图4和图5描述的实施例的介质谐振器天线101、根据参照图6至图8描述的实施例的介质谐振器天线200、根据参照图10和图11描述的实施例的介质谐振器天线201、根据参照图12和图13描述的实施例的介质谐振器天线202以及根据参照图14和图15描述的实施例的介质谐振器天线203的许多特征的描述适用于根据本实施例的天线模块1005的多个介质谐振器天线10。
现在,参照图24描述根据实施例的包括介质谐振器天线装置的电子装置2000。图24是示出根据实施例的包括介质谐振器天线模块的电子装置2000的示图。
参照图24,根据实施例的电子装置2000包括设置在电子装置2000的组板400中的多个介质谐振器天线模块10000。
电子装置2000可以是智能电话、个人数字助理、数字摄像机、数字静态相机、网络***、计算机、监视器、平板电脑、膝上型电脑、上网本、电视机、视频游戏机、智能手表或汽车部件,但不限于此。
电子装置2000可具有多边形侧面,并且介质谐振器天线模块10000可与电子装置2000的至少一些侧面相邻地设置。
可在组板400中设置通信模块610和基带电路620。介质谐振器天线模块10000可通过同轴电缆630电连接到通信模块610和基带电路620。
通信模块610可包括以下项中的至少一项以执行数字信号处理:存储器芯片,诸如,易失性存储器(例如,DRAM)、非易失性存储器(例如,ROM)、闪存;应用处理器芯片,诸如,中央处理器(CPU)、图形处理器(GPU)、数字信号处理器、加密处理器、微处理器、微控制器;逻辑芯片,诸如,模数转换器和专用集成电路(ASIC)。
基带电路620可通过执行模数转换、模拟信号的放大、滤波和频率转换来生成基带信号。从基带电路620输出的基带信号可通过电连接结构、芯过孔和布线传输到集成电路(IC)。IC可将基带信号转换为毫米波段的RF信号。
介质谐振器天线模块10000可包括先前参照图16至图23描述的包括多个介质谐振器天线10的天线模块1000、1001、1002、1003、1004和1005中的任意一个或者任意两个或更多个的任意组合。
先前参照图16至图23描述的天线模块1000、1001、1002、1003、1004和1005的许多特征的描述适用于根据本实施例的电子装置2000的介质谐振器天线模块10000。
接下来,参照图25描述根据另一实施例的包括介质谐振器天线的电子装置3000。图25是示出根据另一实施例的包括介质谐振器天线的电子装置3000的示图。
参照图25,根据另一实施例的电子装置3000可包括通过电子装置3000的组板35设置的多个介质谐振器天线20。电子装置3000可具有多边形侧面,并且介质谐振器天线20可与电子装置3000的至少一些侧面相邻且平行地设置。
例如,介质谐振器天线20中的一个或更多个可与电子装置3000的前侧和后侧中的一个或更多个相邻且平行地设置,并且介质谐振器天线20中的一个或更多个可与电子装置3000的左侧、右侧、顶侧和底侧中的一个或更多个相邻且平行地设置。
根据实施例的介质谐振器天线20可包括根据上述实施例的天线100、101、200、201、202和203中的任意一个或者任意两个或更多个的任意组合。
介质谐振器天线20可具有大致长方体的形状,因此介质谐振器天线20可容易地邻近并沿着电子装置3000的边缘设置。
根据参照图1和图2描述的实施例的介质谐振器天线100、根据参照图4和图5描述的实施例的介质谐振器天线101、根据参照图6至图8描述的实施例的介质谐振器天线200、根据参照图10和图11描述的实施例的介质谐振器天线201、根据参照图12和图13描述的实施例的介质谐振器天线202、根据参照图14和图15描述的实施例的介质谐振器天线203的许多特征的描述适用于根据本实施例的电子装置3000的多个介质谐振器天线20。
接下来,参照图26描述根据另一实施例的包括介质谐振器天线模块的电子装置4000。图26是示出根据另一实施例的包括介质谐振器天线模块的电子装置4000的示图。
参照图26,根据另一实施例的电子装置4000包括设置在电子装置4000的电路板5000上的多个介质谐振器天线模块10000。电路板5000可安装在车辆中,并且电路板5000可垂直于车辆的底表面安装,即,在垂直于地面的第五方向DR5上安装。
介质谐振器天线模块10000可包括沿着在第五方向DR5上延伸的线布置的多个介质谐振器天线10。
多个介质谐振器天线模块10000之中的在与第五方向DR5垂直的方向上彼此相邻的两个介质谐振器天线模块10000可被设置为在第五方向DR5上彼此错开间隔距离dH。
以这种方式,通过将多个介质谐振器天线模块10000设置为在第五方向DR5上彼此错开间隔距离dH,使得地面与多个介质谐振器天线模块10000之间存在不同的距离,可改善由安装在车辆中的介质谐振器天线模块10000构成的天线的性能。
介质谐振器天线模块10000可包括上面参照图16至图23描述的包括多个介质谐振器天线10的天线模块1000、1001、1002、1003、1004和1005中的任意一个或者任意两个或更多个的任意组合。
上面参照图16至图23描述的天线模块1000、1001、1002、1003、1004和1005的许多特征的描述适用于根据本实施例的电子装置4000的介质谐振器天线模块10000。
现在,参照图27和图28描述试验示例。图27和图28是示出试验示例的结果的曲线图。
在试验示例中,形成体积为0.95mm×0.95mm×0.96mm的介质谐振器天线,并且针对第一种情况和第二种情况测量S参数并测量天线的增益,在第一种情况下,如在图3的根据常规技术的天线100a中那样,馈电过孔与介质材料块的边缘的中心相邻地形成,在第二种情况下,如在根据在此描述的实施例的天线中那样,馈电过孔与第一位置相邻地形成并且馈电过孔的中心被设置为与介质材料块的底表面的穿过第一位置的对角线叠置。
图27中示出了第一种情况和第二种情况下的S参数的结果,并且图28中示出了第一种情况和第二种情况下的天线增益的结果。
在图27中,a1表示第一种情况下的结果,a2表示第二种情况下的结果。
参照图27,发现在第一种情况和第二种情况两种情况下,在期望的频带76GHz至81GHz中很好地完成阻抗匹配,并且发现第二种情况的天线的带宽比第一种情况的天线的带宽更宽。
在图28中,a3示出了第一种情况的峰值增益,a4示出了第二种情况的峰值增益,a5示出了第一种情况的峰值实际增益,并且a6示出了第二种情况的峰值实际增益。
参照图28,第一种情况的最大增益为约6.1dBi,并且第二种情况的最大增益为约6.7dBi,并且发现,与第一种情况相比,第二种情况改善了约0.6dBi。
如此,发现:在第二种情况(与根据在此描述的实施例的的天线一样,在所述天线中,馈电过孔与第一位置CP相邻地形成并且馈电过孔的中心与介质材料块的底表面的穿过第一位置CP的对角线D1叠置)下,天线的增益得到改善。
接下来,参照图29和图30描述另一试验示例。图29和图30是示出另一试验示例的结果的示图。
在试验示例中,形成体积为0.95mm×0.95mm×0.96mm的介质谐振器天线,并且针对第一种情况和第二种情况测量电场分布并示出电场分布的结果,第一种情况是,如在图3的根据常规技术的天线100a中那样,馈电过孔与介质材料块的边缘的中心相邻地形成,第二种情况是,如在根据在此描述的实施例的天线中那样,馈电过孔与第一位置相邻地形成并且馈电过孔的中心被设置为与介质材料块的底表面的穿过第一位置的对角线叠置。图29示出了第二种情况的结果,图30示出了第一种情况的结果。
参照图29和图30,发现:与如根据常规技术的天线一样的第一种情况(馈电过孔与介质材料块的边缘的中心相邻地形成)相比,在如根据实施例的天线一样的第二种情况(馈电过孔与第一位置CP相邻地形成,并且馈电过孔的中心与介质材料块的底表面的与第一位置CP相交的对角线叠置)下,电场广泛且强烈地分布在天线周围。
如此,发现天线的增益由于电场广泛且强烈地分布在天线周围而得到改善。
接下来,参照图31和图32描述另一试验示例。图31和图32是示出另一试验示例的结果的曲线图。
在本试验示例中,针对如下第一种情况和第二种情况测量S参数并测量天线模块的增益:在第一种情况下,如在图3的根据常规技术的天线100a中那样馈电过孔与介质材料块的边缘的中心相邻地形成,并且形成包括以约2.23mm的间隔布置的四个天线的天线模块,在第二种情况下,如根据在此描述的实施例的天线中那样馈电过孔与第一位置相邻地形成并且馈电过孔的中心形成为与介质材料块的底表面的穿过第一位置的对角线叠置,并且如实施例那样形成包括以约2.23mm的间隔布置的四个天线的天线模块。
图31中示出了第一种情况和第二种情况下的S参数的结果,并且图32中示出了第一种情况和第二种情况的天线模块增益的结果。
在图31中,a7、a9、a11和a13示出了第一种情况的结果,并且a8、a10、a12和a14示出了第二种情况的结果。参照图31,发现第二种情况的天线的带宽比第一种情况的天线的带宽更宽。
在图32中,a15示出了第一种情况的峰值增益,a16示出了第二种情况的峰值增益,a17示出了第一种情况的峰值实际增益,并且a18示出了第二种情况的峰值实际增益。
参照图32,发现与第一种情况的天线模块相比,第二种情况的天线模块的最大增益改善了约1dBi。
如此,可确认,根据在此描述的实施例的天线和包括多个天线的天线模块具有更宽的带宽和更大的增益。
虽然本公开包括具体示例,但是在理解本申请的公开内容之后将易于理解的是,在不脱离权利要求及其等同方案的精神和范围的情况下,可在这些示例中做出形式上和细节上的各种改变。在此描述的示例将仅被认为是描述性的意义,而不是出于限制的目的。每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其他示例中的类似的特征或方面。如果以不同的顺序执行描述的技术,和/或如果以不同的方式组合描述的***、架构、装置或电路中的组件和/或用其他组件或它们的等同组件替换或补充描述的***、架构、装置或电路中的组件,则可获得合适的结果。因此,本公开的范围不由具体实施方式限定,而是由权利要求及其等同方案来限定,并且在权利要求及其等同方案的范围内的所有变型将被解释为包括在本公开中。
Claims (25)
1.一种介质谐振器天线,包括:
介质材料块,在第一方向、与所述第一方向不同的第二方向以及与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上延伸;以及
馈电部,从所述介质材料块的底表面在所述第三方向上延伸到所述介质材料块的一部分,
其中,所述馈电部与所述介质材料块的所述底表面的与第一位置相交的对角线或所述对角线的延长线叠置,所述介质材料块的所述底表面的与所述第一方向平行的第一边缘和所述介质材料块的所述底表面的与所述第二方向平行的第二边缘在所述第一位置处交汇。
2.根据权利要求1所述的介质谐振器天线,其中,所述第一位置与所述馈电部之间的距离小于所述介质材料块的所述底表面的所述第一边缘的中心与所述馈电部之间的距离,并且
所述馈电部与所述第一位置之间的距离小于所述馈电部与所述介质材料块的所述底表面的中心之间的距离。
3.根据权利要求2所述的介质谐振器天线,其中,所述馈电部包括馈电过孔,所述馈电过孔从所述介质材料块的所述底表面在所述第三方向上在所述介质材料块内部延伸。
4.根据权利要求2所述的介质谐振器天线,其中,所述馈电部包括馈电带,所述馈电带从所述介质材料块的所述底表面在所述第三方向上沿着所述介质材料块的外表面延伸。
5.根据权利要求4所述的介质谐振器天线,其中,所述馈电带接触所述第一位置,并且沿着所述介质材料块的在所述第三方向上延伸的拐角在所述第三方向上延伸。
6.根据权利要求2所述的介质谐振器天线,其中,所述介质材料块包括第一介质材料块和第二介质材料块,所述第二介质材料块在所述第三方向上堆叠在所述第一介质材料块上,所述介质谐振器天线还包括接合层,所述接合层设置在所述第一介质材料块与所述第二介质材料块之间,
所述第一介质材料块的底表面是所述介质材料块的所述底表面,并且
所述馈电部从所述第一介质材料块的所述底表面在所述第三方向上延伸到所述第一介质材料块的一部分。
7.根据权利要求6所述的介质谐振器天线,所述介质谐振器天线还包括:
馈电图案,设置在所述第一介质材料块与所述第二介质材料块之间,并且连接到所述馈电部;以及
天线图案,设置在所述第一介质材料块与所述第二介质材料块之间,并且耦合到所述馈电图案。
8.根据权利要求7所述的介质谐振器天线,其中,所述馈电部包括馈电过孔,所述馈电过孔从所述第一介质材料块的所述底表面在所述第三方向上完全延伸穿过所述第一介质材料块,并且
所述馈电图案连接到所述馈电过孔。
9.根据权利要求7所述的介质谐振器天线,其中,所述馈电部包括馈电带,所述馈电带从所述第一介质材料块的所述底表面在所述第三方向上沿着所述第一介质材料块的外表面延伸,并且
所述馈电图案连接到所述馈电带。
10.一种介质谐振器天线模块,包括:
基板;以及
多个介质谐振器天线,设置在所述基板上;
其中,所述多个介质谐振器天线中的每个包括:
介质材料块,在第一方向、与所述第一方向不同的第二方向以及与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上延伸;以及
馈电部,从所述介质材料块的底表面在所述第三方向上延伸到所述介质材料块的一部分,
其中,所述馈电部与所述介质材料块的所述底表面的与第一位置相交的对角线或所述对角线的延长线叠置,所述介质材料块的所述底表面的与所述第一方向平行的第一边缘和所述介质材料块的所述底表面的与所述第二方向平行的第二边缘在所述第一位置处交汇,并且
所述多个介质谐振器天线沿着在第四方向上延伸的线设置在所述基板上。
11.根据权利要求10所述的介质谐振器天线模块,其中,所述第一位置与所述馈电部之间的距离小于所述第一边缘的中心与所述馈电部之间的距离,并且
所述馈电部与所述第一位置之间的距离小于所述馈电部与所述介质材料块的所述底表面的中心之间的距离。
12.根据权利要求10所述的介质谐振器天线模块,其中,所述介质材料块的所述底表面的所述对角线平行于所述第四方向。
13.根据权利要求12所述的介质谐振器天线模块,其中,所述多个介质谐振器天线的所述馈电部沿着在所述第四方向上延伸的线设置。
14.根据权利要求10所述的介质谐振器天线模块,其中,所述多个介质谐振器天线的所述底表面的所述对角线基本上垂直于所述第四方向。
15.根据权利要求14所述的介质谐振器天线模块,其中,所述多个介质谐振器天线的所述馈电部沿着在所述第四方向上延伸的线设置。
16.根据权利要求10所述的介质谐振器天线模块,其中,所述多个介质谐振器天线的所述底表面的所述对角线与所述第四方向之间的角度小于90度。
17.根据权利要求16所述的介质谐振器天线模块,其中,所述多个介质谐振器天线的所述馈电部沿着在所述第四方向上延伸的线设置。
18.一种介质谐振器天线,包括:
介质材料块,在第一方向、与所述第一方向不同的第二方向以及与所述第一方向和所述第二方向垂直的第三方向上延伸;以及
馈电部,接触所述介质材料块,并且在所述第三方向上延伸,
其中,相比于所述馈电部与所述介质材料块的底表面的平行于所述第一方向的第一边缘的中心之间的距离、所述馈电部与所述介质材料块的所述底表面的平行于所述第二方向的第二边缘的中心之间的距离以及所述馈电部与所述介质材料块的所述底表面的中心之间的距离,所述馈电部与第一位置之间的距离更小,所述介质材料块的所述底表面的所述第一边缘与所述介质材料块的所述底表面的所述第二边缘在所述第一位置处交汇。
19.根据权利要求18所述的介质谐振器天线,其中,所述第二方向垂直于所述第一方向,
所述介质材料块具有六个表面,并且
所述六个表面中的每个是矩形。
20.根据权利要求18所述的介质谐振器天线,其中,所述馈电部包括馈电过孔,所述馈电过孔设置在所述介质材料块内部并且在所述第三方向上延伸。
21.根据权利要求20所述的介质谐振器天线,其中,所述馈电过孔从所述介质材料块的所述底表面在所述第三方向上延伸,并且与所述介质材料块的所述底表面的与所述第一位置相交的对角线叠置。
22.根据权利要求18所述的介质谐振器天线,其中,所述馈电部包括馈电带,所述馈电带设置在所述介质材料块的外表面上并且在所述第三方向上延伸。
23.根据权利要求22所述的介质谐振器天线,其中,所述馈电带的底表面接触所述第一位置,并且与所述介质材料块的所述底表面的与所述第一位置相交的对角线的延长线叠置,并且
所述馈电带沿着所述介质材料块的在所述第三方向上延伸的拐角在所述第三方向上延伸,并且与所述介质材料块的在所述拐角处交汇的两个表面叠置。
24.根据权利要求19所述的介质谐振器天线,其中,所述六个表面中的每个是正方形。
25.一种电子装置,包括根据权利要求1至9以及权利要求18至24中任一项所述的介质谐振器天线。
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