CN115966542A - 功率模块和具有其的电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种功率模块和具有其的电子设备，功率模块包括塑封体、基板、功率芯片、框架和驱动芯片。基板设于塑封体，第一导电层设在绝缘层的厚度方向的两侧。多个功率芯片均设在第一导电层上。框架包括框架本体、多个控制引脚和多个功率引脚，框架本体设在塑封体内，框架本体上具有多个第一折弯部，多个第一折弯部的自由端与第一导电层绝缘设置，功率芯片与第一折弯部的自由端通过第一引线电连接。多个驱动芯片均设在框架本体上。根据本发明的功率模块，提高了功率模块的封装效率，且可以防止注塑过程中基板靠近功率侧位置处发生溢胶，增加了功率模块的可靠性。

Description

功率模块和具有其的电子设备

技术领域

本发明涉及功率模块技术领域，尤其是涉及一种功率模块和具有其的电子设备。

背景技术

相关技术中，IGBT芯片贴装于线路板的表面，IC芯片上的金线下拉键合于IGBT芯片的电极上。对于厚度较薄的功率模块，用于放置的框架与线路板表面的垂直距离较小，IC芯片上的金线能够与IGBT芯片的电极键合。

然而，随着大功率的需求，基于产品强度、绝缘性、散热等考量，功率模块的尺寸也随之增加，使得IC芯片的焊点往IGBT芯片的电极键合的下沉深度超出了键合设备的垂直操作能力，无法键合金线，且功率模块中所用的引线种类较多，从而导致切换线径或设备的次数较多，影响了功率模块的生产效率。

另外，当IC芯片的焊点往IGBT芯片的电极键合的下沉深度过大时，使得金线的端部应力增加而产生金线断线或短路风险。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明的一个目的在于提出一种功率模块，提升了第一引线的键合效率，提高了功率模块的封装效率，并且可以防止注塑过程中基板靠近功率侧位置处发生溢胶，增加了功率模块的可靠性，且减少引线断线或短路风险。

本发明的另一目的在于提出一种采用上述功率模块的电子设备。

根据本发明第一方面实施例的功率模块，包括：塑封体；基板，所述基板设于所述塑封体，所述基板包括绝缘层和第一导电层，所述第一导电层设在所述绝缘层的厚度方向的一侧，所述绝缘层的宽度方向的两侧分别为控制侧和功率侧；多个功率芯片，多个所述功率芯片均设在所述第一导电层上，多个所述功率芯片沿所述绝缘层的长度方向间隔设置；框架，所述框架包括框架本体、多个控制引脚和多个功率引脚，所述框架本体设在所述塑封体内，所述框架本***于所述基板的所述控制侧，且所述框架本体在所述基板的所述功率芯片的一侧与所述基板间隔开，所述框架本体上连接有多个第一折弯部，多个所述第一折弯部均位于所述控制侧，多个所述第一折弯部沿所述绝缘层的长度方向间隔设置，多个所述第一折弯部的自由端均朝向所述基板延伸，多个所述第一折弯部的所述自由端与所述基板相连，多个所述第一折弯部的所述自由端与所述第一导电层绝缘设置，所述功率芯片与所述第一折弯部的所述自由端通过所述第一引线电连接，多个所述控制引脚相对于所述框架本***于所述控制侧，多个所述控制引脚沿所述绝缘层的长度方向间隔设置，每个所述控制引脚的一端与所述框架本体相连，每个所述控制引脚的另一端伸出所述塑封体外，多个所述功率引脚位于所述功率侧，多个所述功率引脚沿所述绝缘层的长度方向间隔设置，每个所述功率引脚的一端与所述功率芯片电连接，每个所述功率引脚的另一端伸出所述塑封体外；至少一个驱动芯片，所述至少一个驱动芯片均设在所述框架本体上，所述驱动芯片与所述框架本体通过所述第二引线、所述框架本体、所述第一折弯部和所述第一引线实现电连接。

根据本发明实施例的功率模块，通过使框架本体上具有多个第一折弯部，多个第一折弯部均位于基板的控制侧，且功率芯片通过第一引线与第一折弯部电连接。由此，与传统的功率模块相比，可以减小框架本体与基板之间的距离，提升了第一引线的键合效率，提高了功率模块的封装效率，并且可以防止注塑过程中基板靠近功率侧位置处发生溢胶，增加了功率模块的可靠性，且可以避免第一引线和第二引线的端部应力增加，从而可以防止第一引线或第二引线断裂或短路。

根据本发明的一些实施例，多个所述第一折弯部的所述自由端与所述基板相连，多个所述第一折弯部与所述第一导电层绝缘设置，所述第一功率芯片与所述第一折弯部的所述自由端通过所述第一引线电连接。

根据本发明的一些实施例，所述第一引线和所述第二引线的材质相同。

根据本发明的一些实施例，所述第一引线和所述第二引线均为金线。

根据本发明的一些实施例，每个所述第一折弯部的所述自由端与所述绝缘层的邻近所述第一导电层的一侧表面之间连接有第一导电件，所述第一引线连接在所述功率芯片和所述第一导电件之间。

根据本发明的一些实施例，所述第一导电件的厚度方向的一侧表面与所述绝缘层的邻近所述第一导电层的一侧表面相连，所述第一导电件的厚度方向的另一侧表面与所述第一引线连接，所述第一导电件在所述绝缘层的宽度方向上相对于所述第一导电层更靠近控制侧，多个所述第一导电件沿所述绝缘层的长度方向间隔排布。

根据本发明的一些实施例，每个所述第一折弯部的所述自由端具有连接脚，所述连接脚沿所述绝缘层的长度方向延伸，所述第一导电件在所述绝缘层的长度方向上的长度大于所述连接脚在所述绝缘层的长度方向上的长度，所述第一引线的一端连接在所述第一导电件的远离所述绝缘层的一侧表面上。

根据本发明的一些实施例，所述第一导电件的远离所述绝缘层的一侧表面与所述第一导电层的远离所述绝缘层的一侧表面平齐。

根据本发明的一些实施例，所述框架本体包括至少一个驱动芯片岛部，所述驱动芯片设在所述驱动芯片岛部上，所述驱动芯片的接地焊盘与所述驱动芯片岛部通过第三引线电连接；功率模块进一步包括：第二导电件，所述第二导电件设在所述绝缘层的邻近所述第一导电层所在一侧的表面的所述控制侧，所述第二导电件沿所述绝缘层的长度方向延伸，所述第二导电件分别与所述第一导电件和所述第一导电层彼此间隔开；至少一个第二折弯部，所述第二折弯部连接在所述驱动芯片岛部上，所述第二折弯部位于所述控制侧，所述第二折弯部的自由端与所述第二导电件相连且电连接。

根据本发明的一些实施例，所述第二导电件的远离所述绝缘层的一侧表面与所述第一导电层的远离所述绝缘层的一侧表面平齐。

根据本发明的一些实施例，所述第二导电件位于所述第一导电件的远离所述第一导电层的一侧；多个所述第二折弯部位于多个所述第一折弯部的远离所述第一导电层的一侧。

根据本发明的一些实施例，每个所述第二折弯部在所述绝缘层的长度方向上的宽度大于每个所述第一折弯部在所述绝缘层的长度方向上的宽度。

根据本发明的一些实施例，多个所述第一折弯部的自由端分别与多个所述第一导电件焊接，多个所述第二折弯部的自由端均与所述第二导电件焊接。

根据本发明的一些实施例，所述绝缘层裸露在所述塑封体外，且所述绝缘层的远离所述第一导电层的一侧表面与所述塑封体的厚度方向的一侧表面平齐。

根据本发明的一些实施例，所述基板还包括第二导电层，所述第二导电层设在所述绝缘层的厚度方向的另一侧，所述第二导电层裸露在所述塑封体外，且所述第二导电层的远离所述绝缘层的一侧表面与所述塑封体的厚度方向的一侧表面平齐。

根据本发明的一些实施例，所述第一导电层和所述第二导电层均为铜层，所述绝缘层为陶瓷层。

根据本发明的第二方面实施例的电子设备，包括根据本发明上述第一方面实施例的功率模块。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1是根据本发明实施例的功率模块的示意图；

图2是根据本发明实施例的功率模块的示意图，其中未示出塑封体；

图3是图2中圈示的A部放大图；

图4是图2中圈示的B部放大图；

图5是根据本发明的功率模块的框架的示意图；

图6是根据本发明的功率模块的基板的示意图。

附图标记：

100、功率模块；

1、塑封体；2、基板；21、绝缘层；22、第一导电层；23、第二导电层；

31、功率芯片；311：IGBT芯片；312：续流二极管；4、框架；41、框架本体；

411、第一折弯部；4111、连接段；4112、连接脚；412、第一框架段；

413、第二框架段；414：驱动芯片岛部；42、控制引脚；43、功率引脚；

5、驱动芯片；6、第一导电件；7、第二导电件；8、第二折弯部；9、第一引线；

10：第二引线；11、第一连接线；12、第三引线；13：第四引线；14：第五引线。

具体实施方式

下面参考图1-图6描述根据本发明第一方面实施例的功率模块100。

如图1-图6所示，根据本发明第一方面实施例的功率模块100，包括塑封体1、基板2、多个功率芯片3、框架4和至少一个驱动芯片5。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上。

具体而言，基板2设于塑封体1。基板2可以整***于塑封体1内，或者基板2的至少一部分裸露在塑封体1外。基板2包括绝缘层21和第一导电层22，第一导电层22设在绝缘层21的厚度方向的一侧，绝缘层21的宽度方向的两侧分别为控制侧和功率侧。多个功率芯片31均设在第一导电层22上，多个功率芯片31位于控制侧，多个功率芯片31沿绝缘层21的长度方向间隔设置。

例如，在图2和图4的示例中，沿基板2的厚度方向从上到下依次为第一导电层22和绝缘层21。功率芯片31可以为6个，6个功率芯片31位于第一导电层22的远离绝缘层21的一侧的表面上，且6个功率芯片31位于第一导电层22的边缘，并沿第一导电层22的长度方向间隔排布。需要说明的是，在绝缘层21的宽度方向上绝缘层21的邻近功率芯片31的一侧为控制侧，在绝缘层21的宽度方向上绝缘层21的远离功率芯片31的一侧为功率侧。

框架4包括框架本体41、多个控制引脚42和多个功率引脚43，框架本体41设在塑封体1内，框架本体41位于基板2的控制侧，且框架本体41在沿基板2的功率芯片31的一侧与基板2间隔开，框架本体41位于第一导电层22的远离绝缘层21的一侧，框架本体41上连接有多个第一折弯部411，多个第一折弯部411均位于控制侧，多个第一折弯部411沿绝缘层21的长度方向间隔设置，多个第一折弯部411的自由端均朝向基板2延伸，多个第一折弯部411的自由端与基板2相连，多个第一折弯部411与第一导电层22绝缘设置，功率芯片31与第一折弯部411的自由端通过第一引线9电连接。参照图2、图3和图5，框架本体41位于基板2的厚度方向的一侧，且框架本体41与基板2之间有间隔。第一折弯部411连接至基板2上，第一折弯部411与第一导电层22绝缘连接，可以防止第一折弯部411与第一导电层22上的其它电子元件电连接，第一引线9的两端分别与功率芯片31与第一折弯部411键合，实现功率芯片31与驱动芯片5之间的电连接，能够进行信号传递。

多个控制引脚42相对于框架本体41位于控制侧，多个控制引脚42沿绝缘层21的长度方向间隔设置，每个控制引脚42的一端与框架本体41相连，每个控制引脚42的另一端伸出塑封体1外，多个功率引脚43位于功率侧，多个功率引脚43沿绝缘层21的长度方向间隔设置，每个功率引脚43的一端与功率芯片31电连接，每个功率引脚43的另一端伸出塑封体1外。至少一个驱动芯片5均设在框架本体41上，驱动芯片5与框架本体41通过第二引线10、框架本体41、第一折弯部411和第一引线9实现电连接。

参照图5，控制引脚42可以为21个，21个控制引脚42位于基板2的宽度方向的一侧，且21个控制引脚42沿基板2的长度方向间隔排布，功率引脚43可以为8个，8个功率引脚43位于基板2的宽度方向的另一侧，且8个功率引脚43沿基板2的长度方向间隔排布。

驱动芯片5位于框架本体41的远离基板2的一侧，驱动芯片5的个数可以为4个，4个驱动芯片5沿基板2的长度方向间隔排布。第一折弯部411与驱动芯片5位于基板2的宽度方向的同一侧，第一折弯部411从第一框架段412的邻近基板2的一侧朝向基板2的方向延伸形成。第一折弯部411的设置可以减小框架本体41与基板2之间的距离，驱动芯片5可以通过第一折弯部411和第一引线9与功率芯片31电连接。由此，与传统的功率模块100相比，一方面，第一折弯部411可以减小框架本体41与基板2之间的距离，利于第一引线9的键合，提高功率模块100的封装效率；另一方面，由于框架本体41与基板2之间有第一折弯部411支撑，即第一折弯部411的自由端具有向下压住基板2的作用力，从而能够防止注塑过程中基板2靠近功率侧位置处发生溢胶，增加了功率模块100的可靠性，可以避免第一引线9和第二引线10的端部应力增加，并且可以减少引线短线或短路风险。

根据本发明实施例的功率模块100，通过使框架本体41上具有多个第一折弯部411，多个第一折弯部411均位于基板2的控制侧，且功率芯片31通过第一引线9与第一折弯部411电连接。由此，与传统的功率模块100相比，可以减小框架本体41与基板2之间的距离，提升了第一引线9的键合效率，提高了功率模块100的封装效率，并且可以防止注塑过程中基板2靠近功率侧位置处发生溢胶，增加了功率模块100的可靠性，且可以避免第一引线9和第二引线10的端部应力增加，从而可以防止第一引线9或第二引线10断裂或短路。

根据本发明的一些实施例，第一引线9和第二引线10的材质相同。例如，第一引线9和第二引线10可以为金线，从而减少了功率芯片31和驱动芯片5之间采用的引线种类，进而减少了在生产过程中键合设备切换线材的次数，提高生产效率，且金线的键合率较高，提升了键合效率，从而可以进一步提高生产效率。根据本发明的一些实施例，多个第一折弯部411的自由端均与绝缘层21相连，多个第一折弯部411的自由端均与第一导电层22彼此间隔开。如图1-图3所示，第一折弯部411可以为9个，每个第一折弯部411的自由端延伸至绝缘层21，第一折弯部411与第一导电层22之间具有一定的间隙，进而将第一折弯部411与第一导电层22之间绝缘设置，防止第一折弯部411与第一导电层22上的其它电子元件通电。

根据本发明的一些具体实施例，每个第一折弯部411的自由端与绝缘层21的邻近第一导电层22的一侧表面之间连接有第一导电件6，第一引线9连接在功率芯片31和第一导电件6之间。例如，在图3的示例中，第一导电件6设置于第一折弯部411的自由端与绝缘层21之间，第一折弯部411与第一导电件6电连接，相邻两个第一导电件6中的其中一个与功率芯片31的栅极端子相连，相邻两个第一导电件6中的另一个与功率芯片31的发射极端子相连，通过第一引线9、第一导电件6和第一折弯部411，实现功率芯片31和驱动芯片5之间的信号传递。

进一步地，第一导电件6的厚度方向的一侧表面与绝缘层21的邻近第一导电层22的一侧表面相连，第一导电件6的厚度方向的另一侧表面与第一引线9连接，第一导电件6在绝缘层21的宽度方向上相对于第一导电层22更靠近控制侧，多个第一导电件6沿绝缘层21的长度方向间隔排布。如此设置，可以减小第一折弯段411的长度，降低成本。

进一步地，每个第一折弯部411的自由端具有连接脚4112，连接脚4112沿绝缘层21的长度方向延伸，第一导电件6在绝缘层21的长度方向上的长度大于连接脚4112在绝缘层21的长度方向上的长度，第一引线9的一端连接在第一导电件6的远离绝缘层21的一侧表面上。参照图1-图3，第一折弯部411包括连接段4111和连接脚4112，连接段4111连接在第一框架段412和连接脚4112之间，且连接段4111沿朝向基板2的方向向下延伸，连接脚4112沿基板2的长度方向延伸，且连接脚4112沿连接段4111的宽度方向的中心轴线对称，连接脚4112连接在第一导电件6的远离绝缘层21的一侧表面且连接脚4112位于第一导电件的长度方向的一端。由此，通过使第一导电件6的长度小于连接脚4112的长度，以使第一导电件6具有较多空间用于连接第一引线9，实现功率芯片31和驱动芯片5的电连接，从而使得功率芯片31的信号能够传递至驱动芯片5。

根据本发明的一些实施例，如图3所示，第一导电件6的远离绝缘层21的一侧表面与第一导电层22的远离绝缘层21的一侧表面平齐。如此设置，第一导电件6的厚度与第一导电层22的厚度相等，当第一引线9的两端分别连接第一导电件6和第一导电层22上的功率芯片31时，可以减短第一引线9的长度，同时使基板2的结构更加规整。

根据本发明的一些实施例，框架本体41包括至少一个驱动芯片岛部414，驱动芯片5设在驱动芯片岛部414上，驱动芯片5的接地焊盘与驱动芯片岛部414通过第三引线12电连接，功率模块100进一步包括第二导电件7和至少一个第二折弯部8。第二导电件7设在绝缘层21的邻近第一导电层22所在一侧的表面的控制侧，第二导电件7沿绝缘层21的长度方向延伸，第二导电件7分别与第一导电件6和第一导电层22彼此间隔开。第二折弯部8连接驱动芯片岛部414上，第二折弯部8位于控制侧，多个第二折弯部8沿绝缘层21的长度方向间隔设置，以使第一折弯部411和第二折弯部8相互绝缘，多个第二折弯部8的自由端与第二导电件7相连且电连接，驱动芯片5通过第三引线12、驱动芯片岛部414、第二折弯部8和第二导电件7实现各个驱动芯片5共用接地端引出实现接地。

参照图1、图3和图5，第二导电件7、第一导电件6和第一导电层22沿绝缘层21的宽度方向间隔排布。第二折弯部8从框架本体41的靠近绝缘层21的一侧朝向基板2的方向延伸，且第二折弯部8和第一折弯部411位于框架本体41的同一侧。第二折弯部8延伸至与第二导电件7电连接，且第二折弯部8与第一折弯部411沿绝缘层21的长度方向交错排布，方便驱动芯片5与第二导电层电连接，同时通过第一折弯部411和第二折弯部8的支撑，可以保证框架4的稳定性。由此，驱动芯片5通过第三引线、驱动芯片导部414、第二折弯部8和第二导电件6实现各个驱动芯片5共用接地端引出。

进一步地，第二导电件7的远离绝缘层21的一侧表面与第一导电层22的远离绝缘层21的一侧表面平齐。如此设置，使得基板2的表面更加规整，且可以在基板2的厚度方向的一侧表面进行刻蚀，同时形成第一导电层22、第一导电件6和第二导电件7。

进一步地，第二导电件7位于第一导电件6的远离第一导电层22的一侧，多个第二折弯部8位于多个第一折弯部411的远离第一导电层22的一侧。例如，在图2的示例中，第二导电件7位于绝缘层21的宽度方向的一侧的边缘，且沿绝缘层21的长度方向延伸。第二折弯部8与第一折弯部411在绝缘层21的宽度方向上错开，且第二折弯部8位于第一导电件6的靠近框架本体41的一侧。多个第二折弯部8在第二导电件7的长度方向上间隔排布。由此，使得第一折弯部411与第二折弯部8能够分别与基板2相连，且可以避免第一折弯部411和第二折弯部8接触。

根据本发明的一些实施例，每个第二折弯部8在绝缘层21的长度方向上的宽度大于每个第一折弯部411在绝缘层21的长度方向上的宽度。如图2所示，由于驱动芯片5的个数为4个，第二折弯部8从设有驱动芯片5的框架本体41的自由端延伸出来，从而第二折弯部8的个数也为4个，通过使第二折弯部8在绝缘层21的长度方向上的宽度较大，可以提高框架本体41的结构强度。

根据本发明的一些实施例，多个第一折弯部411的自由端分别与多个第一导电件6焊接，多个第二折弯部8的自由端均与第二导电件7焊接。例如，第一折弯部411和第一导电件6可以采用锡膏焊接，同样地，第二折弯部8和第二导电件7可以采用锡膏焊接，焊接的连接方式，一方面，可以保证连接的可靠性，可以防止第一折弯部411与第二折弯部8从第一导电件6或第二导电件7上脱落，提升功率模块100的可靠性；另一方面，方便操作，且可以降低生产成本。

在一些可选的实施例中，绝缘层21裸露在塑封体外，且绝缘层21的远离第一导电层22的一侧表面与塑封体的厚度方向的一侧表面平齐。如此设置，功率模块100工作产生的热量可以经绝缘层21传递至外界，实现功率模块100的散热。

在另一些可选的实施例中，基板2还包括第二导电层23，第二导电层23设在绝缘层21的厚度方向的另一侧。其中，第一导电层22用于安装功率芯片3和其它电子元件。

根据本发明的一些实施例，第二导电层23裸露在塑封体外，且第二导电层23的远离绝缘层21的一侧表面与塑封体的厚度方向的一侧表面平齐。具体而言，第二导电层23可以裸露在塑封体外，功率模块100工作产生的热量可以经第二导电层23传递至外界，实现功率模块100的散热。第二导电层23的厚度方向的一侧表面与塑封体的厚度方向的一侧表面平齐，可以使塑封体的厚度方向的上述一侧表面为平整面，使得功率模块100能够与散热器贴合，从而能够快速对功率模块100进行散热。

可选地，第一导电层22和第二导电层23均为铜层，第一导电层22构成电路图案同时起到热传导的作用，第二导电层23通常为整片铜层起热传导的作用。绝缘层21为陶瓷层。

根据本发明的一些实施例，参照图1并结合图3，功率引脚43通过第四引线13与功率芯片31电连接。可选地，第四引线13的线径大于第一引线9的线径，第四引线13的线径大于第二引线10的线径。例如，第四引线13可以为粗铝线，以保证功率芯片31与功率引脚43的连接可靠性。

控制引脚42通过第五引线14与驱动芯片5电连接。可选地，第五引线14的线径小于第四引线13的线径。第五引线14的线径可以与第一引线9的线径、第二引线10的线径均相同。例如，第五引线14可以为金线。

在一些可选的实施例中，每个功率芯片31可以包括IGBT芯片311和续流二极管312，IGBT芯片311可以设在基板2的控制侧，续流二极管312可以设在基板2的功率侧，IGBT芯片311通过第一连接线11例如粗铝线与续流二极管312电连接，续流二极管312通过第四引线13例如粗铝线与对应的功率引脚43电连接，IGBT芯片311和驱动芯片5均通过金线与框架本体41电连接，以实现IGBT芯片311和驱动芯片5的电连接，驱动芯片5通过金线与控制引脚42电连接。

在另一些可选的实施例中，续流二极管312可以集成在IGBT芯片311上，以形成功率芯片31。

功率芯片31还可以为MOSFET芯片。

根据本发明实施例的功率模块100的具体封装过程如下：先通过锡膏印刷将功率芯片31粘接在第一导电层22上，随后将功率引脚43和框架本体41通过锡膏或者激光焊接与基板2进行预固定，通过回流焊烧结技术将功率芯片31和框架4与基板2进行结合。驱动芯片5则通过银胶或其它粘性材料粘接在框架本体41上。IGBT芯片通过第一连接线11例如铝线或铜线与续流二极管进行电性连接，功率芯片31通过第一引线9与第一导电件6电连接，驱动芯片5通过第一引线9例如金线或细铜线与框架本体41进行电性连接，最后对基板2、功率芯片3、框架4和驱动芯片5进行塑封。由此，将功率模块100封装完成，而由于功率模块100的控制侧和基板2之间有第一折弯部411和第二折弯部8支撑，可以防止注塑过程中基板2靠近功率侧位置溢胶，并且保证了各个部件之间连接的可靠性。

根据本发明的第二方面实施例的电子设备，包括根据本发明上述第一方面实施例的功率模块100。

根据本发明实施例的电子设备，通过采用上述功率模块100，极大地提升了键合效率，有利于提升电子设备的生产效率。

根据本发明实施例的功率模块100的其他构成以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的，这里不再详细描述。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“内”、“外”、等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本发明的描述中，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由权利要求及其等同物限定。

Claims (17)

1.一种功率模块，其特征在于，包括：

塑封体；

基板，所述基板设于所述塑封体，所述基板包括绝缘层和第一导电层，所述第一导电层设在所述绝缘层的厚度方向的一侧，所述绝缘层的宽度方向的两侧分别为控制侧和功率侧；

多个功率芯片，多个所述功率芯片均设在所述第一导电层上，多个所述功率芯片沿所述绝缘层的长度方向间隔设置；

框架，所述框架包括框架本体、多个控制引脚和多个功率引脚，所述框架本体设在所述塑封体内，所述框架本***于所述基板的所述控制侧，且所述框架本体在所述基板的所述功率芯片的一侧与所述基板间隔开，所述框架本体上连接有多个第一折弯部，多个所述第一折弯部均位于所述控制侧，多个所述第一折弯部沿所述绝缘层的长度方向间隔设置，多个所述第一折弯部的自由端均朝向所述基板延伸，多个所述第一折弯部的所述自由端与所述基板相连，多个所述第一折弯部的所述自由端与所述第一导电层绝缘设置，所述功率芯片与所述第一折弯部的所述自由端通过所述第一引线电连接，多个所述控制引脚相对于所述框架本***于所述控制侧，多个所述控制引脚沿所述绝缘层的长度方向间隔设置，每个所述控制引脚的一端与所述框架本体相连，每个所述控制引脚的另一端伸出所述塑封体外，多个所述功率引脚位于所述功率侧，多个所述功率引脚沿所述绝缘层的长度方向间隔设置，每个所述功率引脚的一端与所述功率芯片电连接，每个所述功率引脚的另一端伸出所述塑封体外；

至少一个驱动芯片，所述至少一个驱动芯片均设在所述框架本体上，所述驱动芯片与所述框架本体通过第二引线电连接，所述驱动芯片和所述功率芯片通过所述第二引线、所述框架本体、所述第一折弯部和所述第一引线实现电连接。

2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述第一引线和所述第二引线的材质相同。

3.根据权利要求2所述的功率模块，其特征在于，所述第一引线和所述第二引线均为金线。

4.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，多个所述第一折弯部的所述自由端均与所述绝缘层相连，多个所述第一折弯部的所述自由端均与所述第一导电层彼此间隔开。

5.根据权利要求4所述的功率模块，其特征在于，每个所述第一折弯部的所述自由端与所述绝缘层的邻近所述第一导电层的一侧表面之间连接有第一导电件，所述第一引线连接在所述功率芯片和所述第一导电件之间。

6.根据权利要求5所述的功率模块，其特征在于，所述第一导电件的厚度方向的一侧表面与所述绝缘层的邻近所述第一导电层的一侧表面相连，所述第一导电件的厚度方向的另一侧表面与所述第一引线连接，所述第一导电件在所述绝缘层的宽度方向上相对于所述第一导电层更靠近控制侧，多个所述第一导电件沿所述绝缘层的长度方向间隔排布。

7.根据权利要求5所述的功率模块，其特征在于，每个所述第一折弯部的所述自由端具有连接脚，所述连接脚沿所述绝缘层的长度方向延伸，所述第一导电件在所述绝缘层的长度方向上的长度大于所述连接脚在所述绝缘层的长度方向上的长度，所述第一引线的一端连接在所述第一导电件的远离所述绝缘层的一侧表面上。

8.根据权利要求5所述的功率模块，其特征在于，所述第一导电件的远离所述绝缘层的一侧表面与所述第一导电层的远离所述绝缘层的一侧表面平齐。

9.根据权利要求5-8中任一项所述的功率模块，其特征在于，所述框架本体包括至少一个驱动芯片岛部，所述驱动芯片设在所述驱动芯片岛部上，所述驱动芯片的接地焊盘与所述驱动芯片岛部通过第三引线电连接；

所述功率模块进一步包括：

第二导电件，所述第二导电件设在所述绝缘层的邻近所述第一导电层所在一侧的表面的所述控制侧，所述第二导电件沿所述绝缘层的长度方向延伸，所述第二导电件分别与所述第一导电件和所述第一导电层彼此间隔开；

至少一个第二折弯部，所述第二折弯部连接在所述驱动芯片岛部上，所述第二折弯部位于所述控制侧，所述第二折弯部的自由端与所述第二导电件相连且电连接。

10.根据权利要求9所述的功率模块，其特征在于，所述第二导电件的远离所述绝缘层的一侧表面与所述第一导电层的远离所述绝缘层的一侧表面平齐。

11.根据权利要求9所述的功率模块，其特征在于，所述第二导电件位于所述第一导电件的远离所述第一导电层的一侧；

多个所述第二折弯部位于多个所述第一折弯部的远离所述第一导电层的一侧。

12.根据权利要求9所述的功率模块，其特征在于，每个所述第二折弯部在所述绝缘层的长度方向上的宽度大于每个所述第一折弯部在所述绝缘层的长度方向上的宽度。

13.根据权利要求9所述的功率模块，其特征在于，多个所述第一折弯部的自由端分别与多个所述第一导电件焊接，多个所述第二折弯部的自由端均与所述第二导电件焊接。

14.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述绝缘层裸露在所述塑封体外，且所述绝缘层的远离所述第一导电层的一侧表面与所述塑封体的厚度方向的一侧表面平齐。

15.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述基板还包括第二导电层，所述第二导电层设在所述绝缘层的厚度方向的另一侧，所述第二导电层裸露在所述塑封体外，且所述第二导电层的远离所述绝缘层的一侧表面与所述塑封体的厚度方向的一侧表面平齐。

16.据权利要求15所述的功率模块，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层均为铜层，所述绝缘层为陶瓷层。

17.一种电子设备，其特征在于，包括根据权利要求1-16任一项所述的功率模块。

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