CN115911219A - 球形发光芯片及其制备方法、显示装置 - Google Patents

球形发光芯片及其制备方法、显示装置 Download PDF

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Abstract

本申请提供一种球形发光芯片及其制备方法、显示装置，球形发光芯片包括：发光层；第一电极，第一电极与发光层间隔设置；第二电极，第二电极与发光层间隔设置，第二电极与第一电极用于加载电压，使发光层发光，且球形发光芯片具有穿过球形发光芯片球心的中轴线，第二电极沿中轴线方向延伸，中轴线穿过第二电极；对位引导层，对位引导层环绕于第二电极设置，且对位引导层环绕于第二电极的表面与第二电极的周侧面相贴合。球形发光芯片转移的过程中，在对位引导层的引导作用下精确地转移到目标位置，且对位引导层集中靠近于球形发光芯片的中轴线设置，使得球形发光芯片在对位时更加稳定，进而有效提高球形发光芯片的转移精度及效率。

Description

球形发光芯片及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种球形发光芯片及其制备方法、显示装置。
背景技术
近年来，微发光二极管（Micro Light Emitting Diode，Micro LED）和次毫米发光二极管（Mini Light Emitting Diode，Mini LED）因其功耗低、响应快、寿命长、光效率高等特点，被视为继液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）、有机发光二极管（OrganicLight Emitting Diode，OLED）之后的新一代显示面板技术。
不同于液晶显示屏采用两块基板夹设液晶层的结构，Micro LED显示装置仅有一块显示基板，其中包含成千上万颗发光二极管（Light Emitting Diode，LED）芯片。因此，如何高效准确地将LED芯片转移到目标基板上，成为目前的一大难题。
发明内容
第一方面，本发明提供了一种球形发光芯片，包括：
发光层；
第一电极，所述第一电极与所述发光层间隔设置；
第二电极，所述第二电极与所述发光层间隔设置，所述第二电极与所述第一电极用于加载电压，使所述发光层发光，且所述球形发光芯片具有穿过所述球形发光芯片球心的中轴线，所述第二电极沿所述中轴线方向延伸，所述中轴线穿过所述第二电极；
对位引导层，所述对位引导层环绕于所述第二电极设置，且所述对位引导层环绕于所述第二电极的表面与所述第二电极的周侧面相贴合。
其中，所述发光层具有出光面和周侧面，所述周侧面与所述出光面弯折相连且环绕于所述出光面设置；
所述第二电极设置于所述发光层背离所述出光面的一侧。
其中，所述对位引导层设置于所述第二电极背离所述发光层的一端，且所述对位引导层构成所述球形发光芯片部分外观面。
其中，所述第一电极环绕于所述发光层的周侧面设置。
其中，所述球形发光芯片具有穿过所述球形发光芯片球心的球心平面，所述发光层设置于所述球形发光芯片的球心平面，且所述球心平面垂直于所述中轴线。
其中，所述球形发光芯片还包括：
第一半导体，所述第一半导体覆盖且贴合于所述发光层的出光面，且所述第一半导体与所述第一电极导通；
第二半导体，所述第二半导体设置于所述发光层背离所述出光面的表面，所述第二半导体与所述第二电极导通，且所述第二半导体的周侧面与所述第一电极间隔设置；及
绝缘层，包括相连的第一绝缘部及第二绝缘部，所述第一绝缘部设置于所述第二绝缘部的周缘，且与所述第二绝缘部弯折相连，所述第一绝缘部背离所述第二绝缘部的一端设置于所述发光层的周侧面与所述第一电极之间，所述第一绝缘部邻近所述第二绝缘部的一端设置于所述第二半导体的周侧面与所述第一电极之间，所述第二绝缘部环绕所述第二电极，且位于所述对位引导层与所述第二半导体之间。
其中，所述球形发光芯片具有直径D；
所述第一电极沿所述中轴线上的高度范围为H1，所述H1满足：H1＜ 0.5*D；
所述第二电极沿所述中轴线上的高度范围为H2，所述H2满足：H2＜ 0.5*D。
第二方面，本发明还提供一种显示装置，包括显示基板及所述球形发光芯片，所述显示基板具有多个凹槽，所述凹槽用于***述球形发光芯片。
其中，所述显示装置包括对位引导件，所述对位引导件设置于所述显示基板且对应所述凹槽设置，所述对位引导件与所述球形发光芯片的对位引导层吸引，并用于对所述球形发光芯片进行定位。
第三方面，本发明还提供一种球形发光芯片的制备方法，所述方法包括：
提供第一承载基板；
在所述第一承载基板上制作发光坯层；
对所述发光坯层进行阵列分割，以形成贯穿所述发光坯层且间隔设置的多个第一贯孔；
提供对位引导坯层，所述对位引导坯层设置于所述发光坯层背离所述第一承载基板的一侧；
形成贯穿所述对位引导坯层的多个第二贯孔及第三贯孔；
在所述对位引导坯层上设置导电层，所述导电层包括位于所述第二贯孔的第一导电部及位于所述第三贯孔的第二导电部，所述第一导电部与所述发光坯层间隔设置，所述第二导电部与所述发光坯层间隔设置，且所述对位引导坯层环绕于所述第二导电部，所述对位引导坯层环绕于所述第二导电部的表面与所述第二导电部的周侧面相贴合；
去除多余的对位引导坯层、第一导电部及第二导电部，形成半球形发光芯片；
提供第二承载基板，所述第二承载基板设置于所述半球形发光芯片背离所述第一承载基板的一侧；
剥离第一承载基板，将所述半球形发光芯片背离所述第二承载基板的一端制成半球形；
剥离第二承载基板，得到球形发光芯片，且所述球形发光芯片具有穿过所述球形发光芯片球心的中轴线，所述第二导电部沿所述中轴线方向延伸，所述中轴线穿过所述第二导电部。
本申请实施方式提供的球形发光芯片包括发光层、第一电极、第二电极及对位引导层。所述球形发光芯片具有穿过所述球形发光芯片球心的中轴线，所述第二电极沿所述中轴线方向延伸，所述中轴线穿过所述第二电极。所述对位引导层环绕于所述第二电极设置，且所述对位引导层环绕于所述第二电极的表面与所述第二电极的周侧面相贴合。所述球形发光芯片转移的过程中，在所述对位引导层的引导作用下精确地转移到目标位置，且所述对位引导层集中靠近于所述球形发光芯片的中轴线设置，使得所述球形发光芯片在对位时更加稳定，进而有效提高所述球形发光芯片的转移精度及效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例的球形发光芯片的结构示意图。
图2是图1中提供的球形发光芯片沿A-A线的截面结构示意图。
图3是本申请一实施例的球形发光芯片沿A-A线的截面结构示意图。
图4是本申请一实施例的球形发光芯片沿A-A线的截面结构示意图。
图5是本申请实施例的显示装置的结构示意图。
图6是图5中提供的显示装置沿B-B线的截面的部分结构示意图。
图7是本申请一实施例的显示装置部分结构的俯视示意图。
图8是图7中提供的显示装置部分结构沿C-C线的截面结构示意图。
图9是本申请一实施例的球形发光芯片的制备方法流程示意图。
图10是本申请一实施例的球形发光芯片的制备方法流程示意图。
图11是本申请一实施例的球形发光芯片的制备方法流程示意图。
图12是本申请一实施例的球形发光芯片的制备方法流程示意图。
图13是本申请一实施例的球形发光芯片的转移方法流程示意图。
图14是本申请一实施例的球形发光芯片的转移方法流程示意图。
附图标记说明：
1-显示装置，2-喷墨装置，10-球形发光芯片，20-显示基板，30-第一承载基板，40-第二承载基板，50-半球形发光芯片，60-基板，70-油墨，11-发光层，12-第一电极，13-第二电极，14-对位引导层，15-中轴线，16-球心平面，17-第一半导体，18-第二半导体，19-绝缘层，21-凹槽，22-对位引导件，23-第三电极，24-第四电极，51-发光坯层，52-第一贯孔，53-对位引导坯层，54-第二贯孔，55-第三贯孔，56-导电层，57-第一半导体坯层，58-第二半导体坯层，59-绝缘坯层，111-出光面，112-周侧面，191-第一绝缘部，192-第二绝缘部，561-第一导电部，562-第二导电部，591-绝缘本体层，592-绝缘坯部，D-球形发光芯片直径，H1-第一电极高度范围，H2-第二电极高度范围。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、***、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其他步骤或单元。
在本文中提及“实施例”或“实施方式”意味着，结合实施例或实施方式描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
请参阅图1及图2，图1是本申请实施例的球形发光芯片的结构示意图，图2是图1中提供的球形发光芯片沿A-A线的截面结构示意图。本发明实施例的球形发光芯10，包括发光层11、第一电极12、第二电极13及对位引导层14。所述第一电极12与所述发光层11间隔设置。所述第二电极13与所述发光层11间隔设置。所述第二电极13与所述第一电极12用于加载电压，使所述发光层11发光。且所述球形发光芯片10具有穿过所述球形发光芯片10球心的中轴线15。所述第二电极13沿所述中轴线15方向延伸，所述中轴线15穿过所述第二电极13。所述对位引导层14环绕于所述第二电极13设置，且所述对位引导层14环绕于所述第二电极13的表面与所述第二电极13的周侧面相贴合。
所述球形发光芯片10可以为应用于微发光二极管（Micro Light EmittingDiode，Micro LED）或次毫米发光二极管（Mini Light Emitting Diode，Mini LED）等显示器件，可以理解地，所述球形发光芯片10还可以为应用于其他器件中，所述球形发光芯片10的应用场景不应当成为对本实施方式提供的球形发光芯片10的限定。所述球形发光芯片10可以为发光二极管（Light Emitting Diode，LED）芯片，并用于将电能转换为光能。所述球形发光芯片10通过将外观面设计成球形的结构，可以减少芯片内反射引起的光损耗并有效提高芯片的出光利用效率。且球形外观面的设计可以使得所述球形发光芯片10更易于进行吸附拾取和转移，提高芯片转移良率。
所述发光层11的材质可以为但不仅限于为氮化镓（Gallium Nitride，GaN）、或铟氮化镓（Indium gallium nitride，InGaN）等。所述发光层11可以为但不仅限于为圆柱体的结构设计，在本实施方式的示意图中，以所述发光层11为圆柱体为例进行示意，从而便于在所述球形发光芯片10中进行均匀地出射光线。可以理解地，所述发光层11也可以为其他形状的结构设计，所述发光层11的形状不应当成为对本实施方式提供的球形发光芯片10的限定。所述发光层11可以为但不仅限于为环绕于所述球形发光芯片10的中轴线15设置，在本实施方式的示意图中，以所述发光层11环绕于所述球形发光芯片10的中轴线15设置为例进行示意，从而便于在所述球形发光芯片10中进行均匀地出射光线。
所述第一电极12可以为但不仅限于为N型电极。所述第一电极12可以为用于加载电压。所述第一电极12的材质可以为但不仅限于为Ni/Au、或Cr/Pt/Au等其他类似金属合金。所述第一电极12与所述发光层11间隔设置，从而减少所述第一电极12对所述发光层11出光效率的影响。所述第一电极12可以为但不仅限于为环绕于所述发光层11的周侧设置，从而便于在所述球形发光芯片10中提供稳定的电压传输。所述第一电极12可以为但不仅限于为构成所述球形发光芯片10的外观面，从而便于进行电压的传输。
所述第二电极13可以为但不仅限于为P型电极。所述第二电极13可以为用于加载电压。所述第二电极13的材质可以为但不仅限于为Ni/Au、或Cr/Pt/Au等其他类似金属合金。所述第二电极13与所述发光层11间隔设置，从而减少所述第二电极13对所述发光层11出光效率的影响。所述球形发光芯片10具有穿过所述球形发光芯片10球心的中轴线15。所述第二电极13可以为沿所述中轴线15方向延伸，且所述中轴线15穿过所述第二电极13。所述第二电极13可以为但不仅限于为环绕于所述中轴线15设置，在本实施方式的示意图中，以所述第二电极13环绕于所述中轴线15设置为例进行示意，从而便于所述第二电极13均匀地向所述发光层11传输电压。所述第二电极13可以为但不仅限于为圆柱体或大致为圆柱体的结构设计，在本实施方式的示意图中，以所述第二电极13为大致为圆柱体为例进行示意，可以理解地，所述第二电极13也可以为其他形状的设计，所述第二电极13的形状不应当成为对本实施方式提供的球形发光芯片10的限定。所述第二电极13与所述第一电极12用于加载电压，所述第二电极13可以为但不仅限于为与P型半导体相连，所述第一电极12可以为但不仅限于为与N型半导体相连，并使得N型半导体内的电子与P型半导体内的空穴在发光层11进行碰撞复合产生光子，从而使得所述发光层11发光。
所述对位引导层14可以为但不仅限于为由带电粒子形成，并采用静电力吸附的作用来实现所述球形发光芯片10的精准转移和对位。静电力吸附转移的原理主要是利用同性电荷相斥，异性电荷相吸来实现对所述球形发光芯片10的吸附和转移。具体地，所述球形发光芯片10的转移目标基板60可以为但不仅限于为设置与所述对位引导层14相配合的部件，当所述球形发光芯片10的对位引导层14由带正电的粒子组成时，则在球形发光芯片10的转移目标基板60上设置带负电粒子组成的部件。当所述球形发光芯片10的对位引导件22由带负电的粒子组成时，则在球形发光芯片10的转移目标基板60上设置带正电粒子组成的部件。当球形发光芯片10在转移过程中，受对位引导层14产生的静电吸附力作用调节转移过程中的运动姿态，使所述球形发光芯片10的电极能够与目标基板60上的电极一一对应。所述对位引导层14也可以为由磁性材料组成，例如电工钢、或稀土合金、金属合金或铁氧体材料等，所述球形发光芯片10的转移目标基板60可以为但不仅限于为设置具有磁性的部件，从而基于磁性吸附的作用完成对所述球形发光芯片10的精准对位和转移。所述对位引导层14环绕于所述第二电极13设置，且所述对位引导层14环绕于所述第二电极13的表面与所述第二电极13的周侧面112相贴合，使得所述对位引导层14集中靠近于所述球形发光芯片10的中轴线15，可使得所述球形发光芯片10在转移过程中具有更加稳定的吸附效果，从而有效减少因吸附作用力分散而导致的所述球形发光芯片10在转移过程中产生的对位不精确的情况。
综上所述，所述球形发光芯片10包括发光层11、第一电极12、第二电极13及对位引导层14。所述球形发光芯片10具有穿过所述球形发光芯片10球心的中轴线15，所述第二电极13沿所述中轴线15方向延伸，所述中轴线15穿过所述第二电极13。所述对位引导层14环绕于所述第二电极13设置，且所述对位引导层14环绕于所述第二电极13的表面与所述第二电极13的周侧面112相贴合。所述球形发光芯片10转移的过程中，在所述对位引导层14的引导作用下精确地转移到目标位置，且所述对位引导层14集中靠近于所述球形发光芯片10的中轴线15设置，使得所述球形发光芯片10在对位时更加稳定，进而有效提高所述球形发光芯片10的转移精度及效率。
请再次参阅图1及图2。所述发光层11具有出光面111和周侧面112。所述周侧面112与所述出光面111弯折相连且环绕于所述出光面111设置。所述第二电极13设置于所述发光层11背离所述出光面111的一侧。
所述出光面111可以为但不仅限于为平齐或大致为平齐的表面，从而便于所述发光层11出射均匀的光线。所述周侧面112可以为但不仅限于为平齐或大致为平齐的表面，从而便于所述发光层11的工艺实现。所述周侧面112与所述出光面111弯折相连，所述周侧面112与所述出光面111的弯折角度可以为但不仅限于为90°或大致为90°，在本实施方式提供的示意图中，以所述周侧面112与所述出光面111的弯折角度为90°为例进行示意，从而便于所述发光层11的工艺制备。所述出光面111可以为但不仅限于为圆形的平面，在本实施方式的示意图中，以所述出光面111为圆形的平面为例进行示意，从而使得所述发光层11在所述球形发光芯片10中具有均匀的光线出射效果。所述周侧面112环绕于所述出光面111设置，所述周侧面112可以为但不仅限于为环绕于所述出光面111并围设成圆柱体的结构，从而便于所述发光层11的工艺流程实现。
所述第二电极13设置于所述发光层11背离所述出光面111的一侧，从而使得所述发光层11的出光面积不受影响，从而使得所述球形发光芯片10拥有良好的出光效果。
请再次参阅图1及图2。所述对位引导层14设置于所述第二电极13背离所述发光层11的一端，且所述对位引导层14构成所述球形发光芯片10部分外观面。
所述对位引导层14设置于所述第二电极13背离所述发光层11的一端，即所述对位引导层14靠近所述球形发光芯片10的外观面设计，从而便于所述球形发光芯片10在转移的过程中进行对位。所述对位引导层14构成所述球形发光芯片10部分外观面，从而便于所述球形发光芯片10在转移的过程中进行对位，相较于将所述对位引导层14设置于所述球形发光芯片10的内部而言，可以使得所述球形发光芯片10具有更强的吸附力，从而使得所述球形发光芯片10在转移过程中具有更稳定的吸附效果。
请再次参阅图1及图2。所述第一电极12环绕于所述发光层11的周侧面112设置。
所述第一电极12环绕于所述发光层11的周侧面112设置，从而不会对所述发光层11的出光面111的出射光线产生阻挡，能够最大化所述球形发光芯片10的出光面积，从而使得所述球形发光芯片10拥有优良的出光效果。
请参阅图1、图2及图3，图3是本申请一实施例的球形发光芯片沿A-A线的截面结构示意图。所述球形发光芯片10具有穿过所述球形发光芯片10球心的球心平面16。所述发光层11设置于所述球形发光芯片10的球心平面16，且所述球心平面16垂直于所述中轴线15。
所述球形发光芯片10具有穿过所述球形发光芯片10球心的球心平面16，在本实施方式的示意图中，以所述球心平面16垂直于所述中轴线15为例进行示意。所述发光层11设置于所述球形发光芯片10的球心平面16，所述发光层11可以为但不仅限于为部分穿过所述球心平面16，或所述发光层11的出光面111可以为但不仅限于为贴合于所述球心平面16设置，在本实施方式的示意图中，以所述发光层11的出光明贴合于所述球心平面16为例进行示意（参考图3），能够最大化球形发光芯片10的出光面积，进而使得所述球形发光芯片10可以获得最佳的出光效率。
请再次参阅图1及图2。所述球形发光芯片10还包括第一半导体17、第二半导体18及绝缘层19。所述第一半导体17覆盖且贴合于所述发光层11的出光面111，且所述第一半导体17与所述第一电极12导通。所述第二半导体18设置于所述发光层11背离所述出光面111的表面。所述第二半导体18与所述第二电极13导通，且所述第二半导体18的周侧面112与所述第一电极12间隔设置。绝缘层19包括相连的第一绝缘部191及第二绝缘部192。所述第一绝缘部191设置于所述第二绝缘部192的周缘，且与所述第二绝缘部192弯折相连。所述第一绝缘部191背离所述第二绝缘部192的一端设置于所述发光层11的周侧面112与所述第一电极12之间。所述第一绝缘部191邻近所述第二绝缘部192的一端设置于所述第二半导体18的周侧面112与所述第一电极12之间。所述第二绝缘部192环绕所述第二电极13，且位于所述对位引导层14与所述第二半导体18之间。
所述第一半导体17可以为但不仅限于为N型半导体，所述第一半导体17可以为向所述发光层11注入电子。所述第一半导体17的材质可以为但不仅限于为GaP、InP或InN、GaN等。所述第一半导体17与所述第一电极12导通，所述第一半导体17在所述第一电极12施加的电压的作用下，可以将电子扩散至所述发光层11。所述第一半导体17可以为但不仅限于为半球形的设计，在本实施方式的示意图中，以所述第一半导体17为半球形的设计为例进行示意。所述第一半导体17覆盖且贴合于所述发光层11的出光面111，从而便于所述第一半导体17将电子均匀地扩散至所述发光层11。
所述第二半导体18可以为但不仅限于为P型半导体，所述第二半导体18可以为向所述发光层11注入空穴。所述第二半导体18的材质可以为但不仅限于为GaP、InP或InN、GaN等。所述第二半导体18与所述第二电极13导通，所述第二半导体18在所述第二电极13施加的电压的作用下，可以将空穴扩散至所述发光层11。在外加电压的作用下，所述第一半导体17的电子向所述发光层11扩散，所述第二半导体18的空穴向所述发光层11扩散，所述电子与所述空穴在所述发光层11内复合并以发光的形式将复合的能量释放出来，从而使得所述球形发光芯片10进行光线的出射。所述第二半导体18可以为但不仅限于为圆柱体的设计，在本实施方式的示意图中，以所述第二半导体18为圆柱体的设计为例进行示意。所述第二半导体18设置于所述发光层11背离所述出光面111的表面，所述第二半导体18可以为但不仅限于为贴合于所述发光层11背离所述出光面111的表面设置，从而便于所述第二半导体18将空穴均匀地扩散至所述发光层11。所述第二半导体18的周侧面112与所述第一电极12间隔设置，从而避免所述第一电极12的外加电压对所述第二半导体18的正常工作运行产生干扰，进而保障了所述球形发光芯片10的正常出光效果及工作运行。
所述绝缘层19包括相连的第一绝缘部191及第二绝缘部192，所述第一绝缘部191与所述第二绝缘部192可以为但不仅限于为一体成型，在本实施方式的示意图中，以所述第一绝缘部191与所述第二绝缘部192一体成型为例进行示意，从而便于工艺流程的设计与实现。所述第一绝缘部191设置于所述第二绝缘部192的周缘，且与所述第二绝缘部192弯折相连，所述第一绝缘部191与所述第二绝缘部192的弯折角度可以为但不仅限于为90°或大致为90°，在本实施方式提供的示意图中，以所述第一绝缘部191与所述第二绝缘部192的弯折角度为90°为例进行示意，可以理解地，所述第一绝缘部191与所述第二绝缘部192的弯折角度也可以为其他角度，所述第一绝缘部191与所述第二绝缘部192之间的弯折角度不应当成为对本实施方式中提供的球形发光芯片10的限定。所述第一绝缘部191可以为但不仅限于为环绕于所述发光层11及所述第二半导体18设置，在本实施方式的示意图中，以所述第一绝缘部191环绕于所述发光层11及所述第二半导体18设置为例进行示意。所述第一绝缘部191背离所述第二绝缘部192的一端设置于所述发光层11的周侧面112与所述第一电极12之间，从而减少所述第一电极12对所述发光层11出光效率的影响。所述第一绝缘部191背离所述第二绝缘部192的一端可以为但不仅限于为贴合于所述发光层11及所述第一电极12设置，从而在保障了良好的绝缘效果的同时便于工艺设计的实现。所述第一绝缘部191邻近所述第二绝缘部192的一端设置于所述第二半导体18的周侧面112与所述第一电极12之间，从而避免所述第一电极12对所述第二半导体18的正常工作运行产生影响。所述第一绝缘部191邻近所述第二绝缘部192的一端可以为但不仅限于为贴合于所述第二半导体18及所述第一电极12设置，从而在保障了良好的绝缘效果的同时便于工艺设计的实现。所述第二绝缘部192环绕于所述第二电极13设置，所述第二绝缘部192可以为但不仅为贴合于所述第二电极13的表面进行设置。所述第二绝缘部192位于所述对位引导层14与所述第二半导体18之间，从而避免所述对位引导层14于所述第二半导体18之间相互产生干扰，进而保障了所述球形发光芯片10的转移良率及正常的工作运行。
请参阅图4，图4是本申请一实施例的球形发光芯片沿A-A线的截面结构示意图。所述球形发光芯片10具有直径D。所述第一电极12沿所述中轴线15上的高度范围为H1，H1满足：H1＜ 0.5*D。所述第二电极13沿所述中轴线15上的高度范围为H2，H2满足：H2＜ 0.5*D。
所述第一电极12沿所述中轴线15上的高度范围为H1，所述H1可以为但不仅限于为0.3*D、0.2*D或0.4*D等，只要满足H1＜0.5*D即可。当所述高度范围H1满足：H1＜0.5*D时，可以便于进行电极层的加工制作，且减少电极层在发光芯片及应用装置中的体积占比，保障了所述球形发光芯片10及其应用装置的最大化出光效率。
所述第二电极13沿所述中轴线15上的高度范围为H2，所述H2可以为但不仅限于为0.3*D、0.2*D或0.4*D等，只要满足H2＜0.5*D即可。当所述高度范围H2满足：H2＜0.5*D时，可以便于进行电极层的加工制作，且减少电极层在发光芯片及应用装置中的体积占比，保障了所述球形发光芯片10及其应用装置的最大化出光效率。
请参阅图5、图6、图7及图8，图5是本申请实施例的显示装置的结构示意图，图6是图5中提供的显示装置沿B-B线的截面的部分结构示意图，图7是本申请一实施例的显示装置部分结构的俯视示意图，图8是图7中提供的显示装置部分结构沿C-C线的截面结构示意图。本申请实施例还提供一种显示装置1，所述显示装置1包括显示基板20及所述球形发光芯片10，所述显示基板20具有多个凹槽21，所述凹槽21用于***述球形发光芯片10。
所述显示装置1可以为但不仅限于为手机、或手表、或平板电脑、或笔记本电脑、或电视、或便携式电子设备等。所述显示装置1包括显示基板20及所述球形发光芯片10，所述显示装置1可以为但不仅限于为还包括电源、壳体等其他部件，可以理解地，所述显示装置1的其他部件不应当成为对本实施方式提供的显示装置1的限定。
具体地，所述显示基板20可以为但不仅限于为互补式金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS）基板、或薄膜晶体管（Thin FilmTransistor, TFT）基板、或硅基液晶（Liquid Crystal on Silicon, LCOS）基板。所述显示基板20可以为但不仅限于为包括半导体材料。例如，硅、碳化硅、氮化镓、锗、砷化镓、磷化铟等。所述显示基板20可以为但不仅限于为包括非导电材料。例如，玻璃、蓝宝石等。所述显示基板20可以为但不仅限于为包括驱动电路，所述驱动电路可以用于驱动所述球形发光芯片10。驱动电路可以为有源矩阵驱动电路，或者可以为无源矩阵驱动电路。所述显示基板20可以为用于承载所述球形发光芯片10，并驱动所述球形发光芯片10的工作运行。所述显示基板20可以为具有多个凹槽21。所述凹槽21可以为设置于所述显示基板20的表面，从而用于***述球形发光芯片10，且便于在所述球形发光芯片10转移的过程中对其进行限位。所述凹槽21与所述球形发光芯片10可以为一一对应的关系，即单个凹槽21内容纳单个球形发光芯片10，从而便于对所述球形发光芯片10进行精准地限位。所述凹槽21可以为但不仅限于为半球形的设计，在本实施方式的示意图中，以所述凹槽21为半球形的设计为例进行示意，从而贴合于所述球形发光芯片10的外观面，进而便于收容固定所述球形发光芯片10，可以理解地，所述凹槽21也可以为其他形状的设计，所述凹槽21的形状设计不应当成为对本实施例提供的显示装置1的限定。
所述显示基板20可以为但不仅限于为还包括第三电极23、第四电极24。所述第三电极23可以为与所述第一电极12相连，并用于向所述第一电极12输送电压。所述第三电极23可以为但不仅限于为部分为圆环状的设计，在本实施方式的示意图中，以所述第三电极23部分为环绕于所述球形发光芯片10的圆环状为例进行示意，从而便于均匀地与所述第一电极12进行连接，进而保障了所述第三电极23与所述第一电极12之间具有稳定的电压传输效果。所述第四电极24可以为与所述第二电极13相连，并用于向所述第二电极13输送电压。所述第四电极24可以为但不仅限于为部分投影为圆形的形状设计，在本实施方式的示意图中，以所述第四电极24与所述第二电极13的相连处为的投影为圆形的形状设计为例进行示意，从而便于与所述第二电极13的形状设计相配合，从而便于均匀地与所述第二电极13进行连接，进而保障了所述第四电极24与所述第二电极13之间具有稳定的电压传输效果。
请再次参阅图5、图6、图7及图8。所述显示装置1包括对位引导件22，所述对位引导件22设置于所述显示基板20且对应所述凹槽21设置。所述对位引导件22与所述球形发光芯片10的对位引导层14吸引，并用于对所述球形发光芯片10进行定位。
所述对位引导件22可以为但不仅限于为由带电粒子形成，并采用静电力吸附的作用来实现所述球形发光芯片10的精准转移和对位。具体地，当所述球形发光芯片10的对位引导层14由带正电的粒子组成时，则所述对位引导件22由带负电粒子组成。当所述球形发光芯片10的对位引导件22由带负电的粒子组成时，则所述对位引导件22由带正电粒子组成。当球形发光芯片10在转移过程中，受所述对位引导层14及所述对位引导件22之间互相产生的静电吸附力作用调节转移过程中的运动姿态，使所述球形发光芯片10的电极能够与所述显示上的电极一一对应。所述对位引导件22也可以为由磁性材料组成，例如电工钢、或稀土合金、金属合金或铁氧体材料等，从而基于磁性吸附的作用完成对所述球形发光芯片10的精准对位和转移。
所述对位引导件22设置于所述显示基板20且对应于所述凹槽21设置，所述对位引导件22可以为但不仅限于为设置于所述凹槽21的底部，在本实施方式的示意图中，以所述对位引导件22设置于所述凹槽21的底部为例进行示意，从而便于与所述球形发光芯片10的对位引导层14进行相互配合，并用于对所述球形发光芯片10进行定位，从而实现所述球形发光芯片10的精准转移。
所述对位引导层14环绕于所述第二电极13设置，且所述对位引导层14环绕于所述第二电极13的表面与所述第二电极13的周侧面112相贴合，使得所述对位引导层14集中靠近于所述球形发光芯片10的中轴线15，可使得所述球形发光芯片10在转移过程中具有更加稳定的吸附效果，从而有效减少因吸附作用力分散而导致的所述球形发光芯片10在转移过程中产生的对位不精确的情况。
请参阅图9及图10，图9是本申请一实施例的球形发光芯片的制备方法流程示意图。图10是本申请一实施例的球形发光芯片的制备方法流程示意图。所述球形发光芯片10的制备方法，包括S101、S102、S103、S104、S105、S106、S107、S108、S109及S110，详细描述如下。
S101，提供第一承载基板30。
S102，在所述第一承载基板30上制作发光坯层51。
具体地，所述发光坯层51的材质可以为但不仅限于为氮化镓（Gallium Nitride，GaN）、或铟氮化镓（Indium gallium nitride，InGaN）等。所述发光坯层51可以为但不仅限于采用气相沉积法、或蒸镀等工艺方法进行制作，可以理解地，所述发光坯层51也可以为采用其他工艺方法进行制作。
S103，对所述发光坯层51进行阵列分割，以形成贯穿所述发光坯层51且间隔设置的多个第一贯孔52。
具体地，所述发光坯层51的阵列分割可以为但不仅限于采用激光或其他的工艺方法进行实现。所述第一贯孔52贯穿所述发光坯层51，所述第一贯孔52的形状可以为但不仅限于为长方体、或大致为长方体、或其他形状的设计，可以理解地，所述第一贯孔52的形状不应当成为对本实施方式提供的第一贯孔52的限定。所述第一贯孔52为间隔设置，所述第一贯孔52的间隔距离可以为但不仅限于为相等或大致相等。
S104，提供对位引导坯层53，所述对位引导坯层53设置于所述发光坯层51背离所述第一承载基板30的一侧。
具体地，所述对位引导坯层53可以为但不仅限于为由带电粒子形成，并采用静电力吸附的作用来实现所述球形发光芯片10的精准转移和对位。所述对位引导坯层53也可以为由磁性材料组成，例如电工钢、或稀土合金、金属合金或铁氧体材料等，从而基于磁性吸附的作用完成对所述球形发光芯片10的精准对位和转移。所述对位引导坯层53设置于所述发光坯层51背离所述第一承载基板30的一侧，所述对位引导坯层53可以为与所述发光坯层51间隔设置，从而避免对所述发光坯层51的发光效率产生影响。
S105，形成贯穿所述对位引导坯层53的多个第二贯孔54及第三贯孔55。
具体地，所述第二贯孔54可以为但不仅限于为采用刻蚀或其他的工艺方法进行实现。所述第二贯孔54可以为贯穿于所述对位引导坯层53。
所述第三贯孔55可以为但不仅限于为采用刻蚀或其他的工艺方法进行实现。所述第三贯孔55可以为贯穿于所述对位引导坯层53。
S106，在所述对位引导坯层53上设置导电层56，所述导电层56包括位于所述第二贯孔54的第一导电部561及位于所述第三贯孔55的第二导电部562，所述第一导电部561与所述发光坯层51间隔设置，所述第二导电部562与所述发光坯层51间隔设置，且所述对位引导坯层53环绕于所述第二导电部562，所述对位引导坯层53环绕于所述第二导电部562的表面与所述第二导电部562的周侧面112相贴合。
具体地，所述导电层56可以为但不仅限于为通过气相沉积法、或蒸镀等工艺方法在所述对位引导坯层53上形成。所述导电层56的材质可以为但不仅限于为Ni/Au、或Cr/Pt/Au等其他类似金属合金。所述导电层56包括位于所述第二贯孔54的第一导电部561及位于所述第三贯孔55的第二导电部562。所述第一导电部561与所述发光坯层51间隔设置，从而避免对所述发光坯层51的出光效率产生干扰。所述第二导电部562与所述发光坯层51间隔设置，从而避免对所述发光坯层51的出光效率产生干扰。且所述对位引导坯层53可以为环绕于所述第二导电部562设置，所述对位引导坯层53环绕于所述第二导电部562的表面可以为与所述第二导电部562的周侧面112相贴合，从而使得所述对位引导层14集中靠近于所述球形发光芯片10的中心位置，可使得所述球形发光芯片10在转移过程中具有更加稳定的吸附效果。
S107，去除多余的对位引导坯层53、第一导电部561及第二导电部562，形成半球形发光芯片50。
具体地，所述多余的对位引导坯层53、第一导电部561及第二导电部562可以为但不仅限于为采用刻蚀或其他的工艺方法去除，并形成半球形发光芯片50。
S108，提供第二承载基板40，所述第二承载基板40设置于所述半球形发光芯片50背离所述第一承载基板30的一侧。
具体地，所述第二承载基板40可以为设置于所述半球形发光芯片50背离所述第一承载基板30的一侧，且所述第二承载基板40可以为但不仅限于为贴合于所述半球形发光芯片50的半球面设置。
S109，剥离所述第一承载基板30，将所述半球形发光芯片50背离所述第二承载基板40的一端制成半球形。
具体地，可以为但不仅限于为采用显影剥离或其他的工艺方法剥离所述第一承载基板30，将所述半球形发光芯片50背离所述第二承载基板40的一端制成半球形。
S110，剥离所述第二承载基板40，得到球形发光芯片10，所述球形发光芯片10具有穿过所述球形发光芯片10球心的中轴线15，所述第二导电部562沿所述中轴线15方向延伸，所述中轴线15穿过所述第二导电部562。
具体地，可以为但不仅限于为采用显影剥离或其他的工艺方法剥离所述第二承载基板40，得到球形发光芯片10。所述球形发光芯片10具有穿过所述球形发光芯片10球心的中轴线15，所述第二导电部562沿所述中轴线15方向延伸，所述中轴线15穿过所述第二导电部562。所述球形发光芯片10转移的过程中，在所述对位引导层14的引导作用下精确地转移到目标位置，且所述对位引导层14集中靠近于所述球形发光芯片10的中轴线15设置，使得所述球形发光芯片10在对位时更加稳定，进而有效提高所述球形发光芯片10的转移精度及效率。
请参阅图11及图12，图11是本申请一实施例的球形发光芯片的制备方法流程示意图。图12是本申请一实施例的球形发光芯片的制备方法流程示意图。在本申请的另一实施例中，还提供一种球形发光芯片10的制备方法，包括S201、S202、S203、S204、S205、S206、S207、S208、S209、S210、S211详细描述如下。
S201，提供第一承载基板30。
S202，在所述第一承载基板30上依次制作第一半导体坯层57、发光坯层51、第二半导体坯层58。
具体地，所述第一半导体坯层57的材质可以为但不仅限于为GaP、InP或InN、GaN等。所述第一半导体坯层57可以为但不仅限于采用气相沉积法、或蒸镀等工艺方法进行制作，可以理解地，所述第一半导体坯层57也可以为采用其他工艺方法进行制作。所述第一半导体坯层57可以为但不仅限于为N型半导体，从而用于向所述发光坯层51注入电子。
所述发光坯层51的材质可以为但不仅限于为氮化镓（Gallium Nitride，GaN）、或铟氮化镓（Indium gallium nitride，InGaN）等。所述发光坯层51可以为但不仅限于采用气相沉积法、或蒸镀等工艺方法进行制作，可以理解地，所述发光坯层51也可以为采用其他工艺方法进行制作。
所述第二半导体坯层58的材质可以为但不仅限于为GaP、InP或InN、GaN等。所述第二半导体坯层58可以为但不仅限于采用气相沉积法、或蒸镀等工艺方法进行制作，可以理解地，所述第二半导体坯层58也可以为采用其他工艺方法进行制作。所述第二半导体坯层58可以为但不仅限于为P型半导体，从而用于向所述发光坯层51注入空穴。
S203，对所述第二半导体坯层58和所述发光坯层51进行阵列分割以形成贯穿所述第二半导体坯层58及所述发光坯层51的且间隔设置的多个第一贯孔52。
具体地，所述第二半导体坯层58和所述发光坯层51的阵列分割可以为但不仅限于采用激光或其他的工艺方法进行实现。所述第一贯孔52贯穿所述第二半导体坯层58及所述发光坯层51，所述第一贯孔52的形状可以为但不仅限于为长方体、或大致为长方体、或其他形状的设计，可以理解地，所述第一贯孔52地形状不应当成为对本实施方式提供的第一贯孔52的限定。所述第一贯孔52为间隔设置，所述第一贯孔52的间隔距离可以为但不仅限于为相等或大致相等。
S204，在所述第一半导体坯层57、所述发光坯层51及所述第二半导体坯层58的表面覆盖绝缘坯层59，所述绝缘坯层59包括绝缘本体层591及设置于所述第一贯孔52内的绝缘坯部592。
具体地，所述绝缘坯层59可以为但不仅限于采用气相沉积法、或蒸镀等工艺方法进行制作，可以理解地，所述绝缘坯层59也可以为采用其他工艺方法进行制作。所述绝缘坯层59包括绝缘本体层591及设置于所述第一贯孔52内绝缘坯部592。所述绝缘本体层591可以为但不仅限于为覆盖于所述第一半导体坯层57的部分，所述绝缘坯部592可以为但不仅限于为设置于所述第一贯孔52内的部分。
S205，在所述绝缘坯层59的表面覆盖对位引导坯层53。
具体地，所述对位引导坯层53可以为但不仅限于采用气相沉积法、或蒸镀等工艺方法进行制作形成。所述对位引导坯层53可以为但不仅限于为由带电粒子形成，并采用静电力吸附的作用来实现所述球形发光芯片10的精准转移和对位。所述对位引导坯层53也可以为由磁性材料组成，例如电工钢、或稀土合金、金属合金或铁氧体材料等，从而基于磁性吸附的作用完成对所述球形发光芯片10的精准对位和转移。
S206，形成贯穿所述对位引导坯层53及所述绝缘坯部592的多个第二贯孔54，以及贯穿所述对位引导坯层53及所述绝缘本体层591的第三贯孔55。
具体地，所述第二贯孔54可以为但不仅限于为采用刻蚀或其他的工艺方法进行实现。所述第二贯孔54可以为贯穿于所述对位引导坯层53及所述绝缘坯部592。
所述第三贯孔55可以为但不仅限于为采用刻蚀或其他的工艺方法进行实现。所述第三贯孔55可以为贯穿于所述对位引导坯层53及所述绝缘本体层591。
S207，在所述对位引导坯层53上设置导电层56，所述导电层56包括位于所述第二贯孔54的第一导电部561及位于所述第三贯孔55的第二导电部562。
具体地，所述导电层56可以为但不仅限于为通过气相沉积法、或蒸镀等工艺方法在所述对位引导坯层53上形成。所述导电层56的材质可以为但不仅限于为Ni/Au、或Cr/Pt/Au等其他类似金属合金。
S208，去除多余的所述绝缘坯层59、所述对位引导坯层53、所述第一导电部561及所述第二导电部562，形成半球形发光芯片50。
具体地，所述多余的所述绝缘坯层59、所述对位引导坯层53、所述第一导电部561及所述第二导电部562可以为但不仅限于为采用刻蚀或其他的工艺方法去除，并形成半球形发光芯片50。
S209，提供第二承载基板40，所述第二承载基板40设置于所述半球形发光芯片50背离所述第一承载基板30的一侧。
具体地，所述第二承载基板40可以为设置于所述半球形发光芯片50背离所述第一承载基板30的一侧，且所述第二承载基板40可以为但不仅限于为贴合于所述半球形发光芯片50的半球面设置。
S210，剥离所述第一承载基板30，去除多余的第一半导体坯层57。
具体地，可以为但不仅限于为采用显影剥离或其他的工艺方法剥离所述第一承载基板30。所述多余的第一半导体坯层57可以为但不仅限于为采用刻蚀或其他的工艺方法进行去除，并可以为将所述第一半导体坯层57制成半球形，从而得到完整的球形发光芯片10。
S211，剥离所述第二承载基板40，得到球形发光芯片10。
具体地，可以为但不仅限于为采用显影剥离或其他的工艺方法剥离所述第二承载基板40，从而得到球形发光芯片10。所述第一半导体坯层57构成所述球形发光芯片10的第一半导体17，所述发光坯层51构成所述球形发光芯片10的发光层11，所述第二半导体坯层58构成所述球形发光芯片10的第二半导体18，所述绝缘坯层59构成所述球形发光芯片10的绝缘层19，所述绝缘本体层591构成所述球形发光芯片10的第二绝缘部192，所述绝缘坯部592构成所述球形发光芯片10的第一绝缘部191，所述第一导电部561构成所述球形发光芯片10的第一电极12，所述第二导电部562构成所述球形发光芯片10的第二电极13，所述对位引导坯层53构成所述球形发光芯片10的对位引导层14。且所述球形发光芯片10可以为具有穿过所述球形发光芯片10球心的中轴线15，所述第二电极13沿所述中轴线15方向延伸，所述中轴线15穿过所述第二导电部562，所述对位引导层14环绕于所述第二电极13设置，且所述对位引导层14环绕于所述第二电极13的表面与所述第二电极13的周侧面112相贴合。所述球形发光芯片10转移的过程中，在所述对位引导层14的引导作用下精确地转移到目标位置，所述对位引导层14集中靠近于所述球形发光芯片10的中轴线15设置，使得所述球形发光芯片10在对位时更加稳定，进而有效提高所述球形发光芯片10的转移精度及效率。
请参阅图13及图14，图13是本申请一实施例的球形发光芯片的转移方法流程示意图，图14是本申请一实施例的球形发光芯片的转移方法流程示意图。本申请还提供一种球形发光芯片10的转移方法，包括S301、S302、S303、S304、S305详细描述如下。
S301，提供球形发光芯片10，所述球形发光芯片10包括发光层11、第一电极12、第二电极13及对位引导层14，所述球形发光芯片10具有穿过球形发光芯片10球心的中轴线15，所述第二电极13沿所述中轴线15方向延伸，所述中轴线15穿过所述第二电极13，所述对位引导层14环绕于第二电极13设置，且对位引导层14环绕于第二电极13的表面与第二电极13的周侧面112相贴合。
具体地，所述对位引导层14可以为但不仅限于为由带电粒子形成，并采用静电力吸附的作用来实现所述球形发光芯片10的精准转移和对位。所述对位引导层14也可以为由磁性材料组成，例如电工钢、或稀土合金、金属合金或铁氧体材料等，从而基于磁性吸附的作用完成对所述球形发光芯片10的精准对位和转移。所述球形发光芯片10转移的过程中，在所述对位引导层14的引导作用下精确地转移到目标位置，所述对位引导层14集中靠近于所述球形发光芯片10的中轴线15设置，使得所述球形发光芯片10在对位时更加稳定。
S302，提供喷墨装置2，将所述球形发光芯片10混合形成油墨70，并注入至所述喷墨装置2中。
具体地，所述喷墨装置2可以为用于喷墨打印。所述球形发光芯片10可以为但不仅限于为采用静电力吸附的方式进行拾取，并混合形成球形发光芯片10的油墨70，并将所述球形发光芯片10的油墨70注入至所述喷墨装置2中。所述球形发光芯片10经剥离后与溶剂进行混合形成油墨70，并注入至所述喷墨装置2中，优选的，所述溶剂为非导电类溶剂，可以为醇类、酯类、苯类、酮类等一种或多种，且体积占比为30%~70%，以利于喷出及干燥为佳。
S303，提供基板60，所述基板60包括凹槽21、对位引导件22、第三电极23及第四电极24。
具体地，所述基板60可以为但不仅限于为互补式金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS）基板、或薄膜晶体管（Thin FilmTransistor, TFT）基板、或硅基液晶（Liquid Crystal on Silicon, LCOS）基板。所述基板60可以为但不仅限于为包括半导体材料，例如，硅、碳化硅、氮化镓、锗、砷化镓、磷化铟等。所述基板60可以为但不仅限于为包括非导电材料。例如，玻璃、蓝宝石等。所述基板60可以为但不仅限于为包括驱动电路，所述驱动电路可以用于驱动所述球形发光芯片10。驱动电路可以为有源矩阵驱动电路，或者可以为无源矩阵驱动电路。
所述对位引导件22可以为但不仅限于为由带电粒子形成，并采用静电力吸附的作用来实现所述球形发光芯片10的精准转移和对位。具体地，当所述球形发光芯片10的对位引导层14由带正电的粒子组成时，则所述对位引导件22由带负电粒子组成。当所述球形发光芯片10的对位引导件22由带负电的粒子组成时，则所述对位引导件22由带正电粒子组成。当球形发光芯片10在转移过程中，受所述对位引导层14及所述对位引导件22之间互相产生的静电吸附力作用调节转移过程中的运动姿态，使所述球形发光芯片10的电极能够与所述显示上的电极一一对应。所述对位引导件22也可以为由磁性材料组成，例如电工钢、或稀土合金、金属合金或铁氧体材料等，从而基于磁性吸附的作用完成对所述球形发光芯片10的精准对位和转移。
S304，所述喷墨装置2将所述球形发光芯片10的油墨70滴落在所述基板60的凹槽21内。
具体地，所述喷墨装置2可以为但不仅限于为通过控制加载于压电元件上的驱动脉冲，来实现对所述喷墨装置2的喷头喷出的液滴速度和尺寸的精准控制。所述喷墨装置2通过对喷头喷出的液滴尺寸的精准控制，可以为但不仅限于为使得所述喷墨装置2的喷头形成具有单一球形发光芯片10的油墨液滴。所述喷墨装置2通过对喷头喷出的液滴速度的精准控制，可将形成的单一球形发光芯片10的油墨液滴精准落入至所述基板60上的凹槽21所在的位置。且所述球形发光芯片10的油墨液滴在落入所述基板60上的凹槽21的过程中，所述球形发光芯片10的对位引导层14与所述基板60的对位引导件22可以为但不仅限于为基于静电力吸附或磁性吸附的作用来实现对所述球形发光芯片10的吸引，从而使得所述球形发光芯片10精准落入至所述基板60的凹槽21内，实现对球形发光芯片10的精准转移。
所述喷墨装置2可以为但不仅限于为调节喷墨频率和移动速度，来精准匹配球形发光芯片10的目标位置，且进一步地提高所述球形发光芯片10的转移效率，优选的，所述喷墨装置2还可以为设置多个喷头同时作业，即多个喷头可同时喷出所述球形发光芯片10的油墨液滴，所述喷墨装置2可实现对多个喷头喷出的液滴速度和尺寸的精准控制，从而可同时将多个球形发光芯片10的油墨液滴精准滴入至所述基板60的凹槽21内，且实现所述球形发光芯片10在所述基板60上的整列排布，大幅度地提高所述球形发光芯片10的转移效率。
所述球形发光芯片10可以为但不仅限于为包括实现红色（R）显示的球形发光芯片10、实现绿色（G）显示的球形发光芯片10、实现蓝色（B）显示的球形发光芯片10，优选的，所述喷墨装置2可以为但不仅限于为同时设置多个喷头，包括装有实现红色（R）显示的球形发光芯片10的油墨的喷头、装有实现绿色（G）显示的球形发光芯片10的油墨的喷头，装有实现蓝色（B）显示的球形发光芯片10的油墨的喷头，分别装有红色（R）球形发光芯片10、绿色（G）球形发光芯片10、蓝色（B）球形发光芯片10的油墨的多个喷头同时作业，且通过对每个喷头喷出的油墨液滴速度和尺寸的精准控制，来实现对红色（R）球形发光芯片10、绿色（G）球形发光芯片10、蓝色（B）球形发光芯片10的同时精准转移，从而进一步大幅度地提高所述球形发光芯片10的转移效率，从而有效解决微发光二极管（Micro Light Emitting Diode，Micro LED）和次毫米发光二极管（Mini Light Emitting Diode，Mini LED）显示装置1的巨量的芯片转移的难题。
当所述显示装置1中显示面板的子像素为RGB（红绿蓝）成排设计时，如R子像素呈一排，B子像呈一排，B子像素呈一排,此时，可将所述喷墨装置2的喷头呈多排设计，例如一排的喷头对应R子像素以喷墨打印红色（R）球形发光芯片10，另一排的喷头对应B子像素以喷墨打印蓝色（B）球形发光芯片10，再一排的喷头对应G子像素以喷墨打印绿色（G）球形发光芯片10。所述喷墨装置2的喷头如此和子像素对应多排设置，实现一次打印多个球形发光芯片10，同时实现多个球形发光芯片10的高效精准转移。进一步有效提高了微发光二极管（Micro Light Emitting Diode，Micro LED）和次毫米发光二极管（Mini Light EmittingDiode，Mini LED）显示装置1的巨量的芯片转移效率。
S305，对所述基板60上的所述球形发光芯片10进行封装并固化成型。
具体地，所述球形发光芯片10可以为但不仅限于为采用环氧树脂或其他材质进行封装。所述球形发光芯片10的封装层可以为但不仅限于为采用紫外照射或其他的工艺形式进行固化成型，从而便于将所述球形发光芯片10封装于所述基板60上，完成芯片向所述基板60的转移。
综上所述，本实施方式提供一种球形发光芯片10的转移方法，具体为，基于喷墨打印的方式，可以通过调节喷墨频率和移动速度，来匹配球形发光芯片10的目标位置，且可以实时调节喷墨频率和移动速度，使得所述球形发光芯片10转移过程的灵活性高。同时基于静电力吸附或磁性对位的方式，可以有效提高球形发光芯片10转移的精度，提升所述球形发光芯片10的转移良率，使得所述球形发光芯片10经一次转移后便可进行封装并固化成型。基于喷墨打印的方式，可以节约往复拾取释放所述球形发光芯片10芯片的工时，提高转移效率。且相比流体自组装方式、点对点的转移等芯片转移方法，基于喷墨打印的球形发光芯片10的转移方法能够降低原材料的损失和浪费。对于阵列化的显示基板20布局，所述基于喷墨打印的球形发光芯片10的转移方法还可以为但不仅限于为布置多个喷头并行作业，从而进一步提高所述球形发光芯片10的转移效率。所述基于喷墨打印的球形发光芯片10的转移方法还可以为但不仅限于为实现多种类别芯片同时转移，如红色、绿色、蓝色芯片同时转移形成一个像素单元，从而进一步地提高球形发光芯片10的转移效率。
在本申请中提及“实施例”“实施方式”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现所述短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本申请所描述的实施例可以与其它实施例相结合。此外，还应该理解的是，本申请各实施例所描述的特征、结构或特性，在相互之间不存在矛盾的情况下，可以任意组合，形成又一未脱离本申请技术方案的精神和范围的实施例。
最后应说明的是，以上实施方式仅用以说明本申请的技术方案而非限制，尽管参照以上较佳实施方式对本申请进行了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本申请的技术方案进行修改或等同替换都不应脱离本申请技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种球形发光芯片，其特征在于，包括：
发光层；
第一电极，所述第一电极与所述发光层间隔设置；
第二电极，所述第二电极与所述发光层间隔设置，所述第二电极与所述第一电极用于加载电压，使所述发光层发光，且所述球形发光芯片具有穿过所述球形发光芯片球心的中轴线，所述第二电极沿所述中轴线方向延伸，所述中轴线穿过所述第二电极；
对位引导层，所述对位引导层环绕于所述第二电极设置，且所述对位引导层环绕于所述第二电极的表面与所述第二电极的周侧面相贴合。
2.如权利要求1所述的球形发光芯片，其特征在于，所述发光层具有出光面和周侧面，所述周侧面与所述出光面弯折相连且环绕于所述出光面设置；
所述第二电极设置于所述发光层背离所述出光面的一侧。
3.如权利要求2所述的球形发光芯片，其特征在于，所述对位引导层设置于所述第二电极背离所述发光层的一端，且所述对位引导层构成所述球形发光芯片部分外观面。
4.如权利要求2所述的球形发光芯片，其特征在于，所述第一电极环绕于所述发光层的周侧面设置。
5.如权利要求1所述的球形发光芯片，其特征在于，所述球形发光芯片具有穿过所述球形发光芯片球心的球心平面，所述发光层设置于所述球形发光芯片的球心平面，且所述球心平面垂直于所述中轴线。
6.如权利要求2～5任意一项所述的球形发光芯片，其特征在于，所述球形发光芯片还包括：
第一半导体，所述第一半导体覆盖且贴合于所述发光层的出光面，且所述第一半导体与所述第一电极导通；
第二半导体，所述第二半导体设置于所述发光层背离所述出光面的表面，所述第二半导体与所述第二电极导通，且所述第二半导体的周侧面与所述第一电极间隔设置；及
绝缘层，包括相连的第一绝缘部及第二绝缘部，所述第一绝缘部设置于所述第二绝缘部的周缘，且与所述第二绝缘部弯折相连，所述第一绝缘部背离所述第二绝缘部的一端设置于所述发光层的周侧面与所述第一电极之间，所述第一绝缘部邻近所述第二绝缘部的一端设置于所述第二半导体的周侧面与所述第一电极之间，所述第二绝缘部环绕所述第二电极，且位于所述对位引导层与所述第二半导体之间。
7.如权利要求1所述的球形发光芯片，其特征在于，所述球形发光芯片具有直径D；
所述第一电极沿所述中轴线上的高度范围为H1，H1满足：H1＜ 0.5*D；
所述第二电极沿所述中轴线上的高度范围为H2，H2满足：H2＜ 0.5*D。
8.一种显示装置，其特征在于，包括显示基板及如权利要求1~7任意一项所述的球形发光芯片，所述显示基板具有多个凹槽，所述凹槽用于***述球形发光芯片。
9.如权利要求8所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置包括对位引导件，所述对位引导件设置于所述显示基板且对应所述凹槽设置，所述对位引导件与所述球形发光芯片的对位引导层吸引，并用于对所述球形发光芯片进行定位。
10.一种球形发光芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供第一承载基板；
在所述第一承载基板上制作发光坯层；
对所述发光坯层进行阵列分割，以形成贯穿所述发光坯层且间隔设置的多个第一贯孔；
提供对位引导坯层，所述对位引导坯层设置于所述发光坯层背离所述第一承载基板的一侧；
形成贯穿所述对位引导坯层的多个第二贯孔及第三贯孔；
在所述对位引导坯层上设置导电层，所述导电层包括位于所述第二贯孔的第一导电部及位于所述第三贯孔的第二导电部，所述第一导电部与所述发光坯层间隔设置，所述第二导电部与所述发光坯层间隔设置，且所述对位引导坯层环绕于所述第二导电部，所述对位引导坯层环绕于所述第二导电部的表面与所述第二导电部的周侧面相贴合；
去除多余的对位引导坯层、第一导电部及第二导电部，形成半球形发光芯片；
提供第二承载基板，所述第二承载基板设置于所述半球形发光芯片背离所述第一承载基板的一侧；
剥离第一承载基板，将所述半球形发光芯片背离所述第二承载基板的一端制成半球形；
剥离第二承载基板，得到球形发光芯片，且所述球形发光芯片具有穿过所述球形发光芯片球心的中轴线，所述第二导电部沿所述中轴线方向延伸，所述中轴线穿过所述第二导电部。
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