CN115910886B - 传输腔、半导体设备及晶圆传输方法 - Google Patents

传输腔、半导体设备及晶圆传输方法 Download PDF

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CN115910886B CN202211700113.3A CN202211700113A CN115910886B CN 115910886 B CN115910886 B CN 115910886B CN 202211700113 A CN202211700113 A CN 202211700113A CN 115910886 B CN115910886 B CN 115910886B
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Abstract

本申请公开了一种传输腔、半导体设备及晶圆传输方法;该传输腔,用于将晶圆从第一腔室转移至第二腔室;传输腔包括:腔体;机械手,活动设置在腔体内,并具有第一待机位和第二待机位,第一待机位靠述第一腔室;第二待机位靠近第二腔室;其中,在机械手承载所述晶圆的情况下:第一密封阀打开时,机械手位于第二待机位;第二密封阀打开时,机械手位于第一待机位。本申请公开的传输腔,第一腔室和第二腔室中晶圆传输至的腔室为目标腔室;在晶圆承载于机械手的情况下,打开目标腔室与传输腔之间的密封阀时,机械手恰巧位于远离目标腔室的待机位上,进而避免了目标腔室内的尘埃和颗粒物不可避免的飘散、附着在晶圆的表面,有效保证了晶圆的表面质量。

Description

传输腔、半导体设备及晶圆传输方法
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,更具体地说涉及一种传输腔,还涉及一种具有上述传输腔的半导体设备,还涉及一种适用于上述半导体设备的晶圆传输方法。
背景技术
碳化硅(SiC)材料是继第一代半导体材料硅(Si)和第二代半导体(砷化镓GaAs)后的第三代宽禁带半导体材料。碳化硅晶体结构具有同质多型的特点,其基本结构是Si-C的四面体结构,属于密堆积结构。碳化硅晶圆具有高禁带宽度、高临界击穿电场、高导热率、高载流子饱和漂移速度等优越的性能,在半导体照明、新能源车、电力电子器件、激光器、探测器等领域应用中蕴含着巨大的前景。
晶圆传输过程中的良好洁净环境是保障晶圆的表面质量的重要环节。晶圆在不同腔室之间通过传输腔进行中转传输,并且相邻腔室之间通过密封阀进行气体隔绝。由于第一腔室和第二腔室内不可避免的会产生粉尘,并且传统的传输腔内仅具有一个中置的待机位,其距离第一腔室和第二腔室的距离均较小;当晶圆通过传输腔从其中一个腔室传输至另一个腔室即目标腔室时,随着传输腔与目标腔室之间的密封阀的开启和关闭,产生了环境差异,导致目标腔室内的尘埃和颗粒物不可避免的飘散、附着在处于传输腔的待机位的晶圆的表面,进而对晶圆的表面质量造成影响。
有鉴于此,本申请提供了一种传输腔,本申请还提供了一种具有上述传输腔的半导体设备,本申请还提供了一种适用于上述半导体设备的晶圆传输方法,其解决了晶圆通过传输腔传输至目标腔室时,随着密封阀的开启和关闭,导致目标腔室内的尘埃和颗粒物不可避免的飘散、附着在晶圆的表面的问题。
为了达到上述目的,本申请提供如下技术方案:
一种传输腔,用于将晶圆从第一腔室转移至第二腔室;所述传输腔与所述第一腔室之间具有第一密封阀;所述传输腔与所述第二腔室之间具有第二密封阀;所述传输腔包括:
腔体;
机械手,活动设置在所述腔体内,并具有第一待机位和第二待机位,所述第一待机位靠近所述第一腔室;所述第二待机位靠近所述第二腔室;
其中,在所述机械手承载所述晶圆的情况下:所述第一密封阀打开时,所述机械手位于所述第二待机位;所述第二密封阀打开时,所述机械手位于所述第一待机位。
可选的,上述传输腔中,在所述机械手未承载所述晶圆的情况下:
所述第一密封阀打开时,所述机械手位于所述第一待机位;所述第二密封阀打开时,所述机械手位于所述第二待机位。
可选的,上述传输腔中,
所述腔体内设置有驱动机构;
所述驱动机构与所述机械手传动连接,以驱动所述机械手在所述第一待机位和所述第二待机位之间进行位置切换。
可选的,上述传输腔中,
所述驱动机构为旋转机构;所述旋转机构设置在所述第一待机位与所述第二待机位之间的中心位置;
所述旋转机构驱动所述机械手绕所述旋转机构的旋转中轴线旋转,以实现所述机械手在所述第一待机位和所述第二待机位之间的位置切换。
可选的,上述传输腔中,
所述机械手能够在所述第一腔室至所述第一待机位之间往复移动;
所述机械手能够在所述第二腔室至所述第二待机位之间往复移动。
一种半导体设备,包括:反应腔、传输腔、载台腔;
所述传输腔为上文所述的传输腔;
所述反应腔为第一腔室;
所述载台腔为第二腔室。
一种晶圆传输方法,适用于上文所述的半导体设备;所述晶圆传输方法包括晶圆入片流程;所述晶圆入片流程包括:
开启载台腔与传输腔之间的第二密封阀;
使位于所述第二待机位的机械手进入所述载台腔内,并承载所述载台腔内的所述晶圆;
使承载所述晶圆的所述机械手返回至所述第二待机位并关闭所述第二密封阀;
开启所述传输腔与反应腔之间的第一密封阀;
控制承载所述晶圆的所述机械手从所述第二待机位移动至所述反应腔内,并将所述晶圆放置于所述反应腔;
使所述机械手从所述反应腔移动至第一待机位并关闭所述第一密封阀。
可选的,上述晶圆传输方法中,还包括晶圆出片流程;所述晶圆出片流程包括:
开启所述第一密封阀;
使位于所述第一待机位的所述机械手进入所述反应腔内,并承载所述反应腔内的所述晶圆;
使承载所述晶圆的所述机械手返回至所述第一待机位并关闭所述第一密封阀;
开启所述第二密封阀;
控制承载所述晶圆的所述机械手从所述第一待机位移动至所述载台腔内,并将所述晶圆放置于所述载台腔;
使所述机械手从所述载台腔移动至所述第二待机位并关闭所述第二密封阀。
可选的,上述晶圆传输方法中,
打开所述第二密封阀之前,在所述载台腔内充入惰性气体,以在打开所述第二密封阀后平衡所述载台腔与所述传输腔之间的压差;
打开所述第一密封阀之前,在所述传输腔内充入惰性气体,以在打开所述第一密封阀后平衡所述传输腔与所述反应腔之间的压差。
可选的,上述晶圆传输方法中,通过驱动机构驱动所述机械手在所述第一待机位和所述第二待机位之间进行位置切换,以实现所述晶圆在所述第一待机位和所述第二待机位之间的位置切换。
本申请公开的传输腔、具有上述传输腔的半导体设备,以及适用于上述半导体设备的晶圆传输方法中,通过传输腔将晶圆从第一腔室传输至第二腔室;传输腔的腔体内设置有机械手,并且机械手在腔体内具有靠近第一腔室且远离第二腔室的第一待机位、靠近第二腔室且远离第一腔室的第二待机位;第一腔室和第二腔室中晶圆传输至的腔室为目标腔室;在晶圆承载于传输腔的腔体内的机械手的情况下,打开目标腔室与传输腔之间的密封阀时,机械手恰巧位于远离目标腔室的待机位上,进而避免了目标腔室内的尘埃和颗粒物不可避免的飘散、附着在晶圆的表面,有效保证了晶圆的表面质量。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为现有技术传输腔的结构示意图;
图2为现有技术晶圆传输方法的入片流程的流程图;
图3为现有技术晶圆传输方法的出片流程的流程图;
图4为本申请传输腔的结构示意图;
图5为本申请晶圆传输方法的入片流程的流程图;
图6为本申请晶圆传输方法的出片流程的流程图。
图1-图3中:
1-传输腔,2-反应腔,3-载台腔,4-晶圆,5-第一密封阀,6-第二密封阀;
11-待机位,12-机械手,13-驱动机构;
201-反应腔待机位;
302-载台腔待机位。
图4-图6中:
1-传输腔,2-反应腔,3-载台腔,4-晶圆,5-第一密封阀,6-第二密封阀;
101-第一待机位,102-第二待机位,103-机械手,104-驱动机构;
201-反应腔待机位;
301-载台腔待机位。
具体实施方式
本申请提供了一种传输腔,还提供了一种包括上述传输腔的半导体设备;还提供了一种适用于上述半导体设备的晶圆传输方法。
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
如图4-图6所示,一种传输腔1用于将晶圆4从第一腔室转移至第二腔室;传输腔1与第一腔室之间具有第一密封阀;传输腔1与第二腔室之间具有第二密封阀。传输腔1包括腔体和活动设置在腔体内的机械手103。机械手103在腔体内具有第一待机位101和第二待机位102。第一待机位101靠近第一腔室且远离第二腔室;第二待机位102靠近第二腔室且远离第一腔室。
通过传输腔1将晶圆4从第一腔室传输至第二腔室;第一腔室和第二腔室中晶圆4传输至的腔室为目标腔室。
当目标腔室为第一腔室,且传输腔1的腔体内的机械手103承载晶圆时,打开第一腔室与传输腔1之间的第一密封阀时,机械手103位于远离第一腔室的第二待机位102。
如上设置,当第一密封阀打开时,因产生了环境差异,导致第一腔室内的尘埃和颗粒物向外飘散时,由于晶圆4处于远离第一腔室的第二待机位102处,进而避免了尘埃和颗粒物附着在晶圆4的表面,有效保证了晶圆4在传输腔1的腔体内的清洁度,进而保证了晶圆4的表面质量。
当目标腔室为第二腔室,且传输腔1的腔体内的机械手103承载晶圆时,打开第二腔室与传输腔1之间的第二密封阀时,机械手103位于远离第二腔室的第一待机位101。
如上设置,当第二密封阀打开时,因产生了环境差异,导致第二腔室内的尘埃和颗粒物向外飘散时,由于晶圆4处于远离第二腔室的第一待机位101处,进而避免了尘埃和颗粒物附着在晶圆4的表面,有效保证了晶圆4在传输腔1的腔体内的清洁度,进而保证了晶圆4的表面质量。
在本申请的某些实施例中,通过传输腔1将晶圆4从第一腔室传输至第二腔室;第一腔室和第二腔室中晶圆4传输起点的腔室为起始腔室。
当传输腔1的腔体内的机械手103未承载晶圆4,且起始腔室为第一腔室,晶圆4位于第一腔室内时,打开第一腔室与传输腔1之间的第一密封阀时,机械手103位于靠近第一腔室的第一待机位101。
如上设置,缩短了第一腔室与机械手103之间的传输距离,进而保证了位于第一腔室内的晶圆4快速的转移至位于靠近第一腔室的第一待机位101处的机械手103上,进而极大提升了晶圆的传输效率。
当传输腔1的腔体内的机械手103未承载晶圆4,且起始腔室为第二腔室,晶圆4位于第二腔室内时,打开第二腔室与传输腔1之间的第二密封阀时,机械手103位于靠近第二腔室的第二待机位102。
如上设置,缩短了第二腔室与机械手103之间的传输距离,进而保证了位于第二腔室内的晶圆4快速的转移至位于靠近第二腔室的第二待机位102处的机械手103上,进而极大提升了晶圆的传输效率。
综上,保证了传输腔1内的机械手103在未承载晶圆4的情况下,始终位于靠近起始腔室的待机位,进而提升了晶圆4的传输效率;同时恰巧也保证了当机械手103在承载晶圆4的情况下,始终位于远离目标腔室的待机位,进而保证了晶圆在传输过程中的清洁度。
在本申请的某些实施例中,传输腔还包括驱动机构104;驱动机构104设置在传输腔1的腔体内。驱动机构104与机械手103传动连接。驱动机构104驱动机械手103在第一待机位101和第二待机位102之间进行位置切换,进而实现了晶圆4在第一待机位101和第二待机位102之间的位置切换,保证了晶圆4在传输腔1的腔体内的传输效率。
在本申请的某些实施例中,驱动机构104为旋转机构。旋转机构设置在第一待机位101与第二待机位102之间的中心位置。旋转机构驱动机械手103绕旋转机构的旋转中轴线旋转,进而实现了机械手103在第一待机位101和第二待机位102之间的位置切换。
其中需要说明的是,旋转机构位于第一待机位101和第二待机位102直线距离的中心位置。旋转机构包括旋转轴;旋转轴竖直放置;旋转轴的中心轴线即为旋转机构的旋转中轴线。机械手103具包括延伸支杆和夹爪;延伸支杆水平放置,且延伸支杆的一端固设于旋转轴上,延伸支杆的另一端连接夹爪。延伸支杆具有延伸长度,且能够将机械手103的夹爪自旋转轴整好延伸至第一待机位101或第二待机位102。
旋转机构工作,带动机械手103绕旋转轴旋转,进而实现了机械手103自第一待机位101至第二待机位102的位置切换,其传输平稳可靠,且速度快;与此同时,恰巧也完成了夹爪的180°的对调,进而保证机械手103的夹爪的夹取端始终朝向第一腔室或第二腔室,以便于晶圆4自机械手103至第一腔室或第二腔室之间的转移。
其中需要说明的,驱动机构104除了选择旋转机构外,也可以是其他形式的设置;例如,能够在第一待机位101和第二待机位102之间直线往复移动的驱动缸或电机,
进一步的,机械手103能够在第一腔室至第一待机位101之间往复移动;机械手103能够在第二腔室至第二待机位102之间往复移动。
其中需要说明的是,机械手103包括驱动件;驱动件包括驱动部和伸缩部,驱动部驱动伸缩部进行伸缩长度的改变;延伸支杆即为伸缩部。延伸支杆具有驱动夹爪自第一待机位101至第一腔室内的伸缩量。
如上设置,通过机械手103完成了从第一待机位101至第一腔室的入片或出片流程;同时通过机械手103完成了从第二待机位102至第二腔室的入片或出片流程;晶圆4自起始腔室至目标腔室的传输过程流畅、平稳、快速,极大提升了晶圆4的传输效率。
一种半导体设备,包括:反应腔2、传输腔1、载台腔3;传输腔1为上文所述的传输腔;反应腔2为第一腔室;载台腔3为第二腔室。
由于本申请的半导体设备具有上文所述的传输腔,因此半导体设备由传输腔带来的有益效果请参见上文,在此不再赘述。
具体的:
载台腔3(Load Lock)是半导体设备中,晶圆4传输至反应腔2,以及晶圆4从反应腔2传输至其他工艺节点的过渡腔体,作用为隔绝反应腔2与大气的作用,载台腔3的腔体内具有载台腔待机位301;载台腔待机位301处具有承载晶圆4的托盘。载台腔3与传输腔1之间通过可以活动的第二密封阀进行气体隔绝。载台腔3打开的过程中会有大气的粉尘进入其腔体,进而导致载台腔3的腔体内部有沉积一定的粉尘,而且承载晶圆4的托盘也因沉积晶体的粘结不稳定,导致一些晶粒掉落或被回填气体吹落在载台腔3的腔体腔壁上。
传输腔1为晶圆4从载台腔3向反应腔2传输的中间腔体,也是晶圆4的载具机械手103的安装腔体。传输腔1通过可活动的第一密封阀与反应腔2进行气体隔绝,通过可活动的第二密封阀与载台腔3进行气体隔绝。机械手103安装在传输腔1的腔体内的中间,机械手103在旋转机构的旋转轴的配合下通过前后方向的伸缩动作,实现晶圆4从载台腔3的托盘上抓取/释放晶圆4,以及从反应腔2释放和抓取晶圆4等运载功能。
反应腔2为MOCVD外延生长的反应腔室,反应腔2的腔体内具有反应腔待机位201;在高温下,混合好的反应气体原料根据工艺要求进入反应腔2,在反应腔2的腔体内和晶圆4的表面发生化学反应形成碳化硅薄膜;残余的气体原料被抽气子***抽走,保证反应腔2内气体压力恒定。同时由于高温的反应腔2的腔体内与气体接触的壁面温度的差异性,在晶圆表面之外的区域也会颗粒状和粉尘状的的副产物。
由于本申请的传输腔1选择了上文所述的传输腔1,进而可以保证晶圆4在传输过程中不被载台腔3和传输腔1内的灰尘和颗粒物污染,进而保证了晶圆4的表面质量。
请参阅附图4和附图5,一种晶圆传输方法,适用于上文所述的半导体设备;晶圆传输方法包括晶圆入片流程;晶圆入片流程包括:
A:开启载台腔3与传输腔1之间的第二密封阀;
B:使位于第二待机位102的机械手103进入载台腔3内,并抓取载台腔3的载台腔待机位301处的托盘上的晶圆4;
C:使承载晶圆4的机械手103返回至第二待机位102并关闭第二密封阀;
D:开启传输腔1与反应腔2之间的第一密封阀;
E:控制承载晶圆4的机械手103从第二待机位102移动至反应腔2内,并将晶圆4放置于反应腔2的反应腔待机位201;
F:使机械手103从反应腔2返回至第一待机位101并关闭第一密封阀。
其中需要说明的是,上述流程E包括:
E1:控制承载晶圆4的机械手103从第二待机位102切换位置至第一待机位101;
E2:使位于第一待机位101的机械手103进入反应腔2内,并将晶圆4放置于反应腔2的反应腔待机位201。
上述晶圆入片流程中,载台腔3为起始腔室,反应腔2为目标腔室;晶圆入片流程是将位于载台腔3的晶圆4传输至反应腔2进行晶圆4的外延生长。
上述晶圆入片流程,实现了当机械手103未承载晶圆4,且第二密封阀打开时,机械手103恰巧位于靠近载台腔3的第二待机位102,进而实现了晶圆4的快速取片的流程;与此同时,当机械手103承载晶圆4,且第一密封阀打开时,机械手103恰巧位于远离反应腔2的第二待机位102,进而保证了晶圆4更加远离反应腔2,进而避免了反应腔2内的尘埃和颗粒物对晶圆4的污染,进而保证了晶圆入片流程的清洁度,保证了晶圆4的表面质量。
请参阅附图4和附图6,进一步的,晶圆传输方法包括晶圆出片流程;晶圆出片流程包括:
a:开启反应腔2与传输腔1之间的第一密封阀;
b:使位于第一待机位101的机械手103进入反应腔2内,并抓取反应腔2的反应腔待机位201处的晶圆4;
c:使承载晶圆4的机械手103返回至第一待机位101并关闭第一密封阀;
d:开启载台腔3与反应腔2之间的第二密封阀;
e:控制承载晶圆4的机械手103从第一待机位101移动至载台腔3内,并将晶圆4放置于载台腔3的载台腔待机位301处的托盘上;
f:使机械手103从载台腔3返回至第二待机位102并关闭第二密封阀;
g:完成晶圆出片流程。
其中需要说明的是,上述流程e包括:
e1:控制承载晶圆4的机械手103从第一待机位101切换位置至第二待机位102;
e2:使位于第二待机位102的机械手103进入载台腔3内,并将晶圆4放置于载台腔3的载台腔待机位301处的托盘上。
上述晶圆出片流程中,反应腔2为起始腔室,载台腔3为目标腔室;晶圆出片流程是将外延生长完成的晶圆从反应腔2传输至载台腔3。
上述晶圆出片流程,实现了当机械手103未承载晶圆4,且第一密封阀打开时,机械手103恰巧位于靠近反应腔2的第一待机位101,进而实现了晶圆4的快速出片的流程;与此同时,当机械手103承载晶圆4,且第二密封阀打开时,机械手103恰巧位于远离载台腔3的第一待机位101,进而保证了晶圆4更加远离载台腔3,进而避免了载台腔3内的尘埃和颗粒物对晶圆4的污染,进而保证了晶圆出片流程的清洁度,保证了晶圆4的表面质量。
在本申请的某些实施例中,打开第二密封阀之前,在载台腔3内充入惰性气体,以在打开第二密封阀后平衡载台腔3与传输腔1之间的压差。打开第一密封阀之前,在传输腔1内充入惰性气体,以在打开第一密封阀后平衡传输腔1与反应腔2之间的压差。
如上设置,可以保证晶圆4在整个传输过程中,均处于恒压状态下,避免了压差对晶圆4造成不良影响的弊端,进一步保证了晶圆4的表面质量。
在本申请的某些实施例中,通过驱动机构104驱动机械手103在第一待机位101和第二待机位102之间进行位置切换,以实现晶圆4在第一待机位101和第二待机位102之间的位置切换。
进一步的,驱动机构104为旋转机构。旋转机构设置在第一待机位101与第二待机位102之间的中心位置。旋转机构驱动机械手103绕旋转机构的旋转中轴线旋转,进而实现了机械手103在第一待机位101和第二待机位102之间的位置切换。
旋转机构工作,带动机械手103绕旋旋转中轴线旋转转,进而实现了机械手103与晶圆4自第一待机位101至第二待机位102的位置切换,其传输平稳可靠,且速度快;与此同时,恰巧也完成了机械手103的夹取端的180°的对调,进而保证机械手103的夹取端始终朝向反应腔2或载台腔3,以便于机械手103将晶圆4转移至反应腔2或载台腔3。
本申请中涉及的部件、装置仅作为例示性的例子并且不意图要求或暗示必须按照附图示出的方式进行连接、布置、配置。如本领域技术人员将认识到的,可以按任意方式连接、布置、配置这些部件、装置。诸如“包括”、“包含”、“具有”等等的词语是开放性词汇,指“包括但不限于”,且可与其互换使用。这里所使用的词汇“或”和“和”指词汇“和/或”,且可与其互换使用,除非上下文明确指示不是如此。这里所使用的词汇“诸如”指词组“诸如但不限于”,且可与其互换使用。
还需要指出的是,在本申请的装置中,各部件是可以分解和/或重新组合的。这些分解和/或重新组合应视为本申请的等效方案。
提供所公开的方面的以上描述以使本领域的任何技术人员能够做出或者使用本申请。对这些方面的各种修改对于本领域技术人员而言是非常显而易见的,并且在此定义的一般原理可以应用其他方面而不脱离本申请的范围。因此,本申请不意图被限制到在此示出的方面,而是按照与在此公开的原理和新颖的特征一致的最宽范围。
为了例示和描述的目的已经给出了以上描述。此外,此描述不意图将本申请的实施例限制到在此公开的形式。尽管以上已经讨论了多个示例方面和实施例,但是本领域技术人员将认识到其某些变型、修改、改变、添加和子组合。
以上所述仅为本申请的较佳实施例而已,并不用以限制本申请,凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换等,均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种传输腔,用于将晶圆从第一腔室转移至第二腔室;所述传输腔与所述第一腔室之间具有第一密封阀;所述传输腔与所述第二腔室之间具有第二密封阀;其特征在于,包括:
腔体;
机械手(103),活动设置在所述腔体内,并具有第一待机位(101)和第二待机位(102),所述第一待机位(101)靠近所述第一腔室,且远离所述第二密封阀;所述第二待机位(102)靠近所述第二腔室,远离所述第一密封阀;
其中,在所述机械手(103)承载所述晶圆的情况下:所述第一密封阀由闭合状态切换至完全打开状态时,所述机械手(103)始终位于远离所述第一腔室的所述第二待机位(102);所述第二密封阀由闭合状态切换至完全打开状态时,所述机械手(103)始终位于远离所述第二腔室的所述第一待机位(101)。
2.根据权利要求1所述的传输腔,其特征在于,在所述机械手(103)未承载所述晶圆的情况下:
所述第一密封阀打开时,所述机械手(103)位于所述第一待机位(101);所述第二密封阀打开时,所述机械手(103)位于所述第二待机位(102)。
3.根据权利要求1所述的传输腔,其特征在于,
所述腔体内设置有驱动机构(104);
所述驱动机构(104)与所述机械手(103)传动连接,以驱动所述机械手(103)在所述第一待机位(101)和所述第二待机位(102)之间进行位置切换。
4.根据权利要求3所述的传输腔,其特征在于,
所述驱动机构(104)为旋转机构;所述旋转机构设置在所述第一待机位(101)与所述第二待机位(102)之间的中心位置;
所述旋转机构驱动所述机械手(103)绕所述旋转机构的旋转中轴线旋转,以实现所述机械手(103)在所述第一待机位(101)和所述第二待机位(102)之间的位置切换。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的传输腔,其特征在于,
所述机械手(103)能够在所述第一腔室至所述第一待机位(101)之间往复移动;
所述机械手(103)能够在所述第二腔室至所述第二待机位(102)之间往复移动。
6.一种半导体设备,包括:反应腔、传输腔、载台腔;其特征在于,
所述传输腔为权利要求1-5中任一项所述的传输腔;
所述反应腔为第一腔室;
所述载台腔为第二腔室。
7.一种晶圆传输方法,适用于权利要求6所述的半导体设备,其特征在于,包括晶圆入片流程;所述晶圆入片流程包括:
开启载台腔与传输腔之间的第二密封阀;
使位于所述第二待机位(102)的机械手(103)进入所述载台腔内,并承载所述载台腔内的所述晶圆;
使承载所述晶圆的所述机械手(103)返回至所述第二待机位(102)并关闭所述第二密封阀;
开启所述传输腔与反应腔之间的第一密封阀;
控制承载所述晶圆的所述机械手(103)从所述第二待机位(102)移动至所述反应腔内,并将所述晶圆放置于所述反应腔;
使所述机械手(103)从所述反应腔移动至第一待机位(101)并关闭所述第一密封阀。
8.根据权利要求7所述的晶圆传输方法,其特征在于,还包括晶圆出片流程;所述晶圆出片流程包括:
开启所述第一密封阀;
使位于所述第一待机位(101)的所述机械手(103)进入所述反应腔内,并承载所述反应腔内的所述晶圆;
使承载所述晶圆的所述机械手(103)返回至所述第一待机位(101)并关闭所述第一密封阀;
开启所述第二密封阀;
控制承载所述晶圆的所述机械手(103)从所述第一待机位(101)移动至所述载台腔内,并将所述晶圆放置于所述载台腔;
使所述机械手(103)从所述载台腔移动至所述第二待机位(102)并关闭所述第二密封阀。
9.根据权利要求7或8所述的晶圆传输方法,其特征在于,
打开所述第二密封阀之前,在所述载台腔内充入惰性气体,以在打开所述第二密封阀后平衡所述载台腔与所述传输腔之间的压差;
打开所述第一密封阀之前,在所述传输腔内充入惰性气体,以在打开所述第一密封阀后平衡所述传输腔与所述反应腔之间的压差。
10.根据权利要求7或8所述的晶圆传输方法,其特征在于,通过驱动机构(104)驱动所述机械手(103)在所述第一待机位(101)和所述第二待机位(102)之间进行位置切换,以实现所述晶圆在所述第一待机位(101)和所述第二待机位(102)之间的位置切换。
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