CN115910869B - 装载腔体及其清洗方法、及半导体设备 - Google Patents
装载腔体及其清洗方法、及半导体设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115910869B CN115910869B CN202211730410.2A CN202211730410A CN115910869B CN 115910869 B CN115910869 B CN 115910869B CN 202211730410 A CN202211730410 A CN 202211730410A CN 115910869 B CN115910869 B CN 115910869B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- loading
- cavity
- dispersing
- chamber
- air
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 25
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 24
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 13
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 abstract description 9
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 4
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 49
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 11
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
本申请涉及一种装载腔体及其清洗方法、及半导体设备,包括腔本体。腔本体内部构造有至少一个装载腔,且具有连通各装载腔的进气部和出气部。其中,腔本体具有至少一个分散部,每一分散部对应一装载腔布置,各分散部包括独立设置的多个分散孔,各个分散孔均连通进气部与对应的装载腔,并用于分散进入对应装载腔内的气流。与现有技术相比,本申请能够分散气流并降低气流速度,有效避免气流集中形成涡流,装载腔内气体分布更加均匀,气流与装载腔内壁的接触几率大大增加,提高了气流清除装载腔内壁附着的微粒粉尘效果,可以延长装载腔体的维护周期,降低维护成本,也可帮助提高基片的良品率。
Description
技术领域
本申请涉及半导体技术领域,特别是涉及装载腔体及其清洗方法、及半导体设备。
背景技术
用于基片(如晶圆)处理的半导体设备,通常包括设备前端模块(EquipmentFront-End Module,EFEM)、装载腔体(Load Lock Chamber)、传片腔体(TransferChamber)、反应腔体(Process Module)等。在基片的加工过程中,基片需要在大气压环境下经设备前端模块取放于装载腔体,并在真空环境下经传片腔体取放于反应腔体。
在实际生产工况下,由于反应腔体、传片腔体、装载腔体和设备前端模块之间存在压强差,装载腔体内会不可避免地进入大量化学反应残留的微粒和大气粉尘微粒,这会对装载腔体的内壁和装载腔内的基片造成污染,影响基片的良品率。
通常,生产厂家会根据设备使用状况制定相应的产品维护周期,并定期对装载腔进行拆洗。此种清洁方式,拆洗装载腔不仅容易耗费大量拆装时间且费时费力,而且在维修周期内仍然存在基片被污染的风险,不利于基片良品率的提高。
发明内容
基于此,有必要针对现有对装载腔体的清洗方式存在费时费力且不利于基片良品率提高的问题,提供一种装载腔体及其清洗方法、及半导体设备。
一种装载腔体,包括:
腔本体,其内部构造有至少一个装载腔,且具有连通各个所述装载腔的进气部和出气部;
其中,所述腔本体具有至少一个分散部,每一所述分散部对应一所述装载腔布置;各所述分散部均包括独立设置的多个分散孔,各个所述分散孔均连通所述进气部与对应的所述装载腔,并用于分散进入对应所述装载腔的气流。
在其中一个实施例中,所述装载腔体用于装载基片;
在所述腔本体高度方向上,至少一个所述分散部位于对应所述装载腔内的所述基片的上方,且其所述分散孔的出口均朝向所述基片所在一侧开设。
在其中一个实施例中,在所述腔本体高度方向上,至少一个所述分散部的正投影覆盖对应所述装载腔内的所述基片的正投影。
在其中一个实施例中,至少一个所述装载腔所对应的所述分散部配置有至少两层;
所述至少两层分散部在气流路径上间隔布置,且至少有两个所述分散部的所述分散孔在垂直于间隔方向的平面上彼此错开布置。
在其中一个实施例中,所述腔本体的内部构造有回气腔和回风孔,所述回气腔连通所述出气部,每一所述装载腔均对应设置有多个所述回风孔,同一所述装载腔的各回风孔之间独立设置并均连通所述回气腔及所述装载腔。
在其中一个实施例中,各所述装载腔所对应的所述分散部与所述回风孔布置于所述装载腔的相对两侧。
在其中一个实施例中,所述腔本体包括上盖和侧板,所述上盖盖合于所述侧板上,且两者共同界定有至少一个所述装载腔,所述上盖设置有所述进气部,所述分散部设置于所述上盖。
在其中一个实施例中,所述腔本体内具有连通所述进气部的进气腔,至少一个所述分散部分隔所述进气腔与对应的所述装载腔,且其上的所述分散孔连通所述进气腔和所述装载腔。
在其中一个实施例中,所述腔本体包括至少一个隔离部,全部所述隔离部将所述腔本体的内部空间分隔形成彼此独立的多个所述装载腔;
至少一个所述隔离部上构造有与自身分隔形成的至少一个所述装载腔连通的所述进气腔和所述分散部。
在其中一个实施例中,全部所述装载腔沿所述腔本体的高度方向依次布置,且与所述进气腔连通的所述进气部位于所述腔本体的侧面。
在其中一个实施例中,每一所述装载腔一一对应连通有一所述进气部和一所述出气部。
一种半导体设备,包括上述任一项所述的装载腔。
一种装载腔体的清洗方法,包括:
开启所述装载腔体的腔本体的进气部和出气部;其中,所述腔本体具有装载腔以及分散部,所述进气部和所述出气部均连通所述装载腔,每一分散部对应一装载腔布置,且各分散部均包括独立设置的多个分散孔,各个所述分散孔均连通所述进气部与对应的所述装载腔;
向所述进气部通入清洗气体直至满足预设条件。
上述装载腔体及其清洗方法、及半导体设备,通过各装载腔的各分散部的各个分散孔,能够分散气流并降低气流速度,有效避免气流集中形成涡流,装载腔内气体分布更加均匀,气流与装载腔内壁的接触几率大大增加,提高了气流清除装载腔内壁附着的微粒粉尘效果,可以延长装载腔体的维护周期,降低维护成本,也可帮助提高基片的良品率。同时,分散部的设置还能够减小装载腔体的实体重量,有助于降低整个腔体的重量,更加利于人工搬运和装配。
附图说明
图1为本申请一些实施例中的装载腔体的外形结构示意图;
图2为图1所述的装载腔体的另一方位视图;
图3为图1所示的装载腔体的另一方位制图;
图4为图3中A-A处的剖视图;
图5为图3中B-B处的剖视图;
图6为本申请一些实施例中提供的半导体设置的组成示意图。
1000、半导体设备;100、装载腔体;10、腔本体;11、上盖;12、侧板;Q1、装载腔;Q2、进气腔;Q3、回气腔;I、进气部;I1、第一进气部;I2、第二进气部;O、出气部;O1、第一出气部;O2、第二出气部;k2、回风孔;10a、分散部;a1、第一分散部;a2、第二分散部;k1、分散孔;W、匀气空间;13、底座;14、隔离部;20、支撑座;X、第一方向;Y、第二方向;Z、第三方向;200、设备前端模块;300、传片腔体;400、反应腔体;500、基片。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进,因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触,或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的,并不表示是唯一的实施方式。
如背景技术所记载,现有技术中,对装载腔体进行清洗时大多采取的是拆洗装载腔体的方式,此种方式费时费力且不利于基片良品率的提高。
装载腔体作为基片运输的中转场所,其担任了频繁在真空状态与大气压状态之间转换的能力,当设备前端模块取放基片于装载腔,装载腔体需切换至大气压状态,当传片腔体取放基片于装载腔,装载腔体需切换至真空状态,也即,装载腔体具备支持在真空状态与大气压状态之间切换的进气孔和出气孔。
在相关技术中,装载腔体的进气孔和出气孔主要用于装载腔体内气压环境的转变,其对装载腔体内部的清洗作用较小。本申请发明人深究其原因后发现,在相关技术中,装载腔的进气孔和出气孔均布置在装载腔体的相对两个侧面且数量为1至2个,装载腔体的进气孔直接连通装载腔内部,在向装载腔体内通入大量气体时,容易在装载腔体内形成涡流,涡流气流流向出气孔时气流分布局部集中,无法有效与装载腔体各处的内壁接触,对于附着在装载腔部分内壁上的微粒粉尘清除效果有限,因此需要定期拆洗装载腔体,导致上述技术问题的存在。
针对上述技术问题,本申请发明人提出的装载腔体,通过改变气流在装填腔体内的流动状态,提高气流在装载腔内均匀分布性,进而提高气流与装载腔体内壁的均匀接触效果,提高对装载腔体内壁的气流清洗效果,能够有效降低装载腔壁的拆洗频次,省时省力,同时也能够提高在维修期限内装载腔体内壁的洁净度,有利于基片良品率的提高。
下面对本申请实施例提供的装载腔体进行详细介绍。
图1至图5为本申请一些实施例中的装载腔体的结构示意图。
请参阅图1、图2、图3和图4,本申请一些实施例提供的装载腔体100,包括腔本体10。腔本体10内部构造有至少一个装载腔Q1,且具有连通各装载腔Q1的进气部I和出气部O。其中,腔本体10具有至少一个分散部10a,每一分散部10a对应一装载腔Q1布置,各分散部10a包括独立设置的多个分散孔k1,各个分散孔k1均连通进气部I与对应的装载腔Q1,并用于分散进入对应装载腔Q1内的气流。
装载腔Q1的数量可以配置有一个或者多个。当装载腔Q1配置有多个,可以对应所有装载腔Q1配置一个进气部I和一个出气部O,也可以对应各个装载腔Q1独立配置一个进气部I和一个出气部O。各个进气部I可以包括一个或几个进气孔,各个出气部O可以包括一个或几个出气孔。进气部I连通有供气设备,出气部O连通有抽气设备,供气设备可以提供氮气、惰性气体等,抽气设备可以包括真空泵。在实际应用时,为了减小供气设备和抽气设备,各个进气部I和各个出气部O分别包括一个进气孔和一个出气孔。
分散部10a作为腔本体10的一部分,其可以一体成型于腔本体10上,也可以固定在腔本体10上,至于固定方式可以为本领域的常规设置(如紧固连接、焊接等),在此不进行赘述。
每一装载腔Q1均对应设置有一个分散部10a。用于分散进入装载腔Q1内的气流。具体地,分散部10a包括多个分散孔k1,各个分散孔k1之间是独立地设置,也就是说,气体在流动过程中,可以在同一时间途经同一分散部10a的各个分散孔k1,而后进入同一装载腔Q1内。各分散孔k1的截面形状可以是圆形、方形、多边形或者其他形状,在此不赘述。
对于各装载腔Q1而言,气流进入进气部I后途经其对应的分散部10a,在分散部10a各个分散孔k1的作用下分散形成多股小气流流动,在分散过程中气流动能有所损耗,气流速度有所降低,最后较为均匀地进入装载腔Q1内。
与现有技术相比,通过各装载腔Q1的各分散部10a的各个分散孔k1,能够分散气流并降低气流速度,有效避免气流集中形成涡流,装载腔Q1内气体分布更加均匀,气流与装载腔Q1内壁的接触几率大大增加,提高了气流清除装载腔Q1内壁附着的微粒粉尘效果,可以延长装载腔体100的维护周期,降低维护成本,也可帮助提高基片500的良品率。分散部10a的设置还能够减小装载腔体100的实体重量,有助于降低整个腔体的重量,更加利于人工搬运和装配。
在一些实施例中,请参阅图4,装载腔体100用于装载基片500。在腔本体10的高度方向上,至少一个分散部10a位于对应装载腔Q1内的基片500的上方,且其分散孔k1的出口均朝向基片500所在一侧开设。
各装载腔Q1内可以均设置有一支撑座20,支撑座20用于支撑装载于装载腔Q1内的基片500。支撑座20的结构形式不限定,例如由设置在装载腔Q1内的多个支撑柱共同组合构成。
在装载腔体100的使用状态下,腔本体10的高度方向与重力方向一致。当基片500支撑在支撑座20上,在高度方向上,基片500位于分散部10a和支撑座20之间。
在图1、图2和图3所示实施例中,装载腔体100大致呈长方体构造,第一方向X为装载腔体100的宽度方向,第二方向Y为装载腔体100的长度方向,第三方向Z为装载腔体100的高度方向。
分散孔k1的出口朝基片500所在一侧开设,说明从分散孔k1的出口流出的气体朝下方流动。由于此时气流速度较小,气流途经分散部10a下方的基片500时,可带走落于基片500上的微粒粉尘,提高基片500的洁净度,减小基片500被微粒粉尘等腐蚀的概率,进而提高基片500的良品率。
此外,分散部10a布置在装载腔体100内的基片500上方,其能够与支撑座20上的基片500相对,经分散部10a分散的气流能够有效覆盖基片500的绝大部分,对基片500的清洁效果更好。
在其他实施例中,各分散部10a也可以布置在各装载腔Q1的其他方位,例如分散部10a布置在装载腔Q1的宽度方向或者长度方向的内壁上。可理解地,无论分散部10a布置在支撑座20的哪个方位,由于分散部10a具有多个分散孔k1,分散孔k1能够将从进气部I集中吹出的气流进行分散、降速,能够提高气流在装载腔Q1内的均匀分布性,进而可提高气流与装载腔Q1内壁的接触几率,提高度装载腔Q1内部的清理程度。在本申请实施例中对于分散部10a的布置方位不作具体限定。
具体到实施例中,请参阅图4,在腔本体10的高度方向上,至少一个分散部10a的正投影覆盖对应装载腔Q1内的基片500的正投影。当分散部10a位于支撑座20的上方,且其正投影覆盖基片500时,分散部10a在垂直于高度方向的平面的布置面积较大,能够将气流送向装载腔Q1的绝大部分空间,气流与装载腔Q1内壁的接触概率较大,有助于提高对装载腔Q1内壁的清理效果。
在一些实施例中,请参阅图4,至少一个装载腔Q1所对应的分散部10a配置有至少两层,所有分散部10a在气流路径上间隔布置,且至少有两个分散部10a的分散孔k1在垂直于间隔方向的平面上彼此错开布置。
气流路径是指气体从进气部I流向装载腔Q1的路径。各个分散部10a在气流路径上间隔布置时,气体能够依次流经各个分散部10a。
间隔方向是指各个分散部10a的间隔方向。在垂直于间隔方向的平面(定义为参考平面)上,至少有两个分散部10a(具体如第一分散部a1)的分散孔k1彼此错开布置,也就是说,至少有两个分散部10a的分散孔k1在该参考平面上的投影彼此是不相交的。具体地,可以相邻的两个分散部10a的分散孔k1在垂直于间隔方向的参考平面上错开布置,在间隔方向上被某一分散部10a所隔开的两个分散部10a的分散孔k1在垂直于间隔方向的参考平面上错开布置。
当气流经过各层分散孔k1与其他分散部10a的分散错开布置的分散部10a时,能够多次分散并消耗动能,如此可使得流向装载腔Q1的气流更加分散和均匀,且流速更慢,不会因气流速度太快冲击基片500而损伤基片500,有助于提高基片500的良品率。
在一些实施例中,请参阅图5,腔本体10的内部构造有回气腔Q3和回风孔k2,回气腔Q3连通出气部O,每一所述装载腔Q1均对应设置有多个回风孔k2,同一所述装载腔Q1的各回风孔k2均独立设置并连通回气腔Q3及装载腔Q1。
回风孔k2设置各装载腔Q1的内壁上,各装载腔Q1均设置有多个回风孔k2,各回风孔k2与回气腔Q3连通,装载腔Q1内的气体经各个回风孔k2进入到回气腔Q3,而后经回气腔Q3、出气部O排出腔本体10外。
可以对应一个装载腔Q1布置有一个回气腔Q3,各装载腔Q1内的气体经其上的回风孔k2进入到对应的回气腔Q3,而后经出气部O排出腔本体10外。也可以对应多个装载腔Q1布置一个回气腔Q3,多个装载腔Q1内的气体经各自的回风孔k2进入同一回气腔Q3,而后经出气部O排出腔本体10之外。
此时,各个装载腔Q1内的气体能够经各个回风孔k2分散的进入回气腔Q3,而后流向出气部O,与现有技术中,经一个出气孔出气的方案相比,气体流出装载腔Q1时不会集中在一处而是分散的从装载腔Q1的多处位置流出,有助于提高气流在装载腔Q1内均匀分布效果,进而提高装载腔Q1内壁的清理效果。同时,回气腔Q3的设置还有助于降低装载腔体100的重量。
具体到实施例中,各装载腔Q1所对应的分散部10a与回风孔k2布置于装载腔Q1的相对两侧。具体地,分散部10a和回风孔k2可以布置在装载腔Q1在高度方向上的两侧,也可以布置在装载腔Q1在宽度方向上(或者长度方向)上的两侧,具体不限定。
当分散部10a和回风孔k2相对布置,气体从分散部10a的各分散孔k1流出时,基本沿直线路径流向各个回风孔k2,气流在装载腔Q1内较少转弯,能够途经位于两侧空间范围内的绝大部分区域,清洁范围大,可提高对装载腔Q1的清洁效果。
在一些实施例中,请参阅图4,腔本体10包括上盖11和侧板12,上盖11盖合于侧板12上,且两者共同界定有至少一个装载腔Q1,上盖11设置有进气部I,分散部10a设置于上盖11。
在腔本体10的高度方向上,上盖11盖合在侧板12的上方。上盖11与侧板12界定有至少一个装载腔Q1。当两者界定有多个装载腔Q1时,多个装载腔Q1在腔本体10的宽度方向和/或长度方向相邻布置。上盖11和侧板12界定装载腔Q1,是指上盖11和侧板12形成装载腔Q1的至少部分内壁。
设置在上盖11上的进气部I为第一进气部I1,第一进气部I1位于所连通的装载腔Q1的上方,也就是说,该装载腔Q1由上方进气,此时进气路径短,进气速度较快。
可理解地,分散部10a与盖体之间形成有匀气空间W,从进气部I进入的气体先进入匀气空间W,在匀气空间W内流动扩散后,经分散部10a上与匀气空间W流通的各个分散孔k1排向装载腔Q1。
此时,经上盖11上的进气部I进入到装载腔Q1内的气流自上而下流动,可对支撑座20上的基片500进行有效清理。
在进一步实施例中,请参阅图3和图4,腔本体10还包括底座13,底座13设置在侧板12的下方,上盖11、侧板12和底座13共同形成腔本体10的内部空间。底座13与侧板12可以一体成型,也可以分体设置而固定连接。可理解地,上盖11、底座13和侧板12之间是密封连接的。
在一些实施例中,请参阅图4,腔本体10内具有连通进气部I的进气腔Q2,至少一个分散部10a分隔进气腔Q2和对应的装载腔Q1,且其上的分散孔k1连通进气腔Q2和装载腔Q1。
进气腔Q2是形成于腔本体10内的一个空间,其与至少一个进气部I,并经过至少一个分散部10a与其对应的装载腔Q1连通。可以对应一个装载腔Q1设置一个进气腔Q2和一个进气部I,也可以是对应多个装载腔Q1设置一个进气腔Q2和一个进气部I。关于进气腔Q2、进气部I与装载腔Q1的设置方式在本申请实施例中不作限定。
隔离部14分隔进气腔Q2与对应的装载腔Q1,此时隔离部14可以是与腔本体10一体成型的一部分与腔本体10的其他部分共同围合形成进气腔Q2。
此时,从进气部I进入气体,先经过进气腔Q2,而后经隔离部14上的分散孔k1分散进入装载腔Q1,可以对进气部I的布置位置进行灵活设置。
在一些实施例中,请参阅图4和图5,腔本体10包括至少一个隔离部14,全部隔离部14将腔本体10的内部空间分隔形成彼此独立的多个装载腔Q1。至少一个隔离部14上构造有与自身分隔形成的至少一个装载腔Q1连通的进气腔Q2和分散部10a。
隔离部14可以与腔本体10一体成型,也可以是与腔本体10固定连接,只要能够实现装载腔Q1彼此独立即可。多个隔离部14可以沿腔本体10的高度方向间隔布置,也可以沿腔本体10的宽度方向或者长度方向间隔布置,具体不限定。
至少一个隔离部14上具有进气腔Q2和分散部10a(具体如第二分散部a2),也就是说,隔离部14作为气体流通中介向由自身分隔形成的装载腔Q1输送气体。可理解地,设置在隔离部14上的分散部10a可以与隔离部14的其他部分一体成型,也可以分体且固定设置,具体不限定。
此时,通过隔离部14将腔本体10的内部空间分隔形成多个装载腔Q1,提高了装载腔体100的中转能力,有助于提高配置有该装载腔体100的半导体设备1000的生产效率。同时,进气腔Q2有助于减轻装载腔体100的整体重量。
进一步到实施例中,请参阅图4,全部装载腔Q1沿腔本体10的高度方向依次布置,且与进气腔Q2连通的进气部I位于腔本体10的侧面。
装载腔Q1沿腔本体10的高度方向相邻设置,说明隔离部14沿腔本体10的长度方向或宽度方向延伸。当隔离部14具有进气腔Q2,且进气部I位于腔本体10的侧面时,进气部I与进气腔Q2的距离较近,如此可缩短气体从进气部I进入进气腔Q2的距离,加快气体向装载腔Q1的输送。
在一些实施例中,每一装载腔Q1一一对应连通有一进气部I和一出气部O。即,一个装载腔Q1连通一个进气部I和一个出气部O,则对应各个装载腔Q1可以进行独立进气和独立出气,可以提供不同的气压状态。在实际应用时,可以部分装载腔Q1处于真空状态而方便传片腔体300取放基片500,另一部分装载腔Q1处于大气压状态而方便设备前端模块200取放基片500,如此可以提高基片500的输送效率,提高基片500的处理效率。
可以理解地,当一个隔离部14内既有进气腔Q2又有回气腔Q3时,两个腔体之间是独立的。同一隔离部14的进气腔Q2与回气腔Q3可以上下分层布置,也可以回气腔Q3围绕进气腔Q2布置,或者进气腔Q2围绕回气腔Q3设置,或者进气腔Q2和回气腔Q3左右间隔布置,具体不限定。
需要说明地,腔本体10上构造有连通装载腔Q1的第一取放口和第二取放口,第一取放口用于供设备前端模块200取放基片500于装载腔Q1内,第二取放口用于供传片腔体300取放基片500于装载腔Q1内。传片腔体300和设备前端模块200均配置有相应运输基片500的机构,如机械手,关于传片腔体300和设备前端模块200的具体构造在本申请实施例中不作限定,可以参考现有的设备结构进行设置。当装载腔Q1包括多个,则对应各个装载腔Q1均设置有第一取放口和第二取放口。当设备前端模块200和传片腔体300结束基片500的运输时,第一取放口和第二取放口是封闭的,以方便在装载腔Q1内形成真空装填,同时避免外部微粒粉尘等杂质进入装载腔Q1内。
为了帮助本领域技术人员更加深刻地理解本申请的技术构思,以下介绍本申请的一种优选实施方式的装载腔体100。
在一实施例中,请参阅图4和图5,装载腔体100包括腔本体10和支撑座20,腔本体10包括上盖11、侧板12、底座13和隔离部14,上盖11、侧板12和底座13沿腔本体10的高度方向依次连接并共同围合形成腔本体10的内部空间,隔离部14设置在腔本体10内,且将腔本体10的内部空间分隔形成在高度方向上依次设置且彼此独立的多个装载腔Q1,每一装载腔Q1内设置有支撑座20。上盖11具有第一进气部I1,第一进气部I1与最上方的装载腔Q1连通。侧板12上具有多个第二进气部I2,每一第二进气部I2与其余装载腔Q1一一对应连通。与最上方的装载腔Q1连通的出气部O为第一出气部O1,与其他装载腔Q1一一连通的出气部O为第二出气部O2。第一出气部O1和第二出气部O2均布置在侧板12。
分散部10a包括第一分散部a1和第二分散部a2,第一分散部a1布置最上方的装载腔Q1内,且与上盖11连接,其上设置的多个分散孔k1用于第一进气部I1内的气流分散排出道装载腔Q1的各处。第二分散部a2成型于其他装载腔Q1的界定其上内壁的隔离部14,且隔离部14内构造有进气腔Q2,各个隔离部14的进气腔Q2分别经由各隔离部14的分散部10a的分散孔k1连通一装载腔Q1及第二进气部I2。
同时,各个装载腔Q1的底部形成有多个回风孔k2,界定各装载腔Q1的底部内壁的部分(如隔离部14或底板)形成有回气腔Q3,回气腔Q3一一对应连接至各出气部O。
在此实施例中,从各进气部I进入各装载腔Q1内的气流,能够自上而下流动,对各装载腔Q1的内壁及基片500均能够起到较好的清理效果。同时,回气腔Q3、进气腔Q2、分散部10a的设置还有助于降低装载腔体100的重量,使得装载腔体100的运输和拆装更加省力。
另外,本申请实施例还提供了一种半导体设备1000,其包括上述任一实施例中记载的装载腔体100,具备上述所有有益效果,在此不赘述。
此外,请参照图6,半导体设备1000还可以包括设备前端模块200、传片腔体300和反应腔体400,装载腔体100位于设备前端模块200和传片腔体300之间,传片腔体300位于反应腔体400和装载腔体100之间。反应腔体400用于对基片500进行处理(如镀膜、蚀刻等)。传片腔体300用于在装载腔体100和反应腔体400之间输送基片500。设备前端模块200用于从装载腔体100内取放基片500。关于设备前端模块200、传片腔体300和反应腔体400的具体结构,在本申请实施例中不作限定,可以参考现有结构。
另外,本申请实施例还提供了一种装载腔体100的清洗方法,包括:
S10、开启装载腔体100的腔本体10的进气部I和出气部O;其中,腔本体10具有装载腔Q1以及分散部10a,进气部I和出气部O均连通装载腔Q1,每一分散部10a对应一装载腔Q1布置,且各分散部10a均包括独立设置的多个分散孔k1,各个分散孔k1均连通进气部I与对应的装载腔Q1;
S20、向进气部I通入清洗气体直至满足预设条件。
关于装载腔体100的结构可以参考上述实施例中的记载,在此不进行赘述。在步骤S10中,当需要对装载腔体100进行清洗时,开启进气部I和出气部O。具体地,可以在进气部I的入口和出气部O的出口分别设置开关阀件,通过控制开关阀件的开关来启闭进气部和出气部。又或者,在进气部I处设置进气泵,在出气部O处设置抽气泵,通过启动进气泵来开启进气部I,并通过启动抽气泵来开启出气部O。
在步骤S20中,进气部I可以通过进气泵连通储气罐,储气罐内储存有清洗气体,清洗气体可以是氮气、惰性气体等。当需要向进气部I通入清洗气体时,启动进气泵,在进气泵的输送下,清洗气体不断从储气罐经进气部进入到分散部,而后在分散部的分散下进入装载腔Q1内,最后经出气部O流出装载腔Q1。
预设条件可以是通入清洗气体的时间达到设定值,当达到设定的清洗时间则默认清洗到位。当然,也可以在出气部O上设置气体取样装置,通过气体取样装置检测出气部流出的气体的洁净程度是否达到预设条件来判断是否清洗到位。
具体地,步骤S10可以在设备前端模块200将基片500放置在装载腔Q1之前或者之后执行,也可以在设备前端模块200从装载腔Q1内取出基片500后执行,具体不限定,只要有清洗需求即可。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (12)
1.一种装载腔体,其特征在于,包括:
腔本体,其内部构造有至少一个装载腔,且具有连通各个所述装载腔的进气部和出气部;
其中,所述腔本体具有至少一个分散部,每一所述分散部对应一所述装载腔布置;各所述分散部均包括独立设置的多个分散孔,各个所述分散孔均连通所述进气部与对应的所述装载腔,并用于分散进入对应所述装载腔的气流;至少一个所述装载腔所对应的所述分散部配置有至少两层;所述至少两层分散部在气流路径上间隔布置,且至少有两个所述分散部的所述分散孔在垂直于间隔方向的平面上彼此错开布置。
2.根据权利要求1所述的装载腔体,其特征在于,所述装载腔体用于装载基片;
在所述腔本体高度方向上,至少一个所述分散部位于对应所述装载腔内的所述基片的上方,且其所述分散孔的出口均朝向所述基片所在一侧开设。
3.根据权利要求2所述的装载腔体,其特征在于,在所述腔本体高度方向上,至少一个所述分散部的正投影覆盖对应所述装载腔内的所述基片的正投影。
4.根据权利要求1至3任一项所述的装载腔体,其特征在于,所述腔本体的内部构造有回气腔和回风孔,所述回气腔连通所述出气部,每一所述装载腔均对应设置有多个所述回风孔,同一所述装载腔的各回风孔之间独立设置并均连通所述回气腔及所述装载腔。
5.根据权利要求4所述的装载腔体,其特征在于,各所述装载腔所对应的所述分散部与所述回风孔布置于所述装载腔的相对两侧。
6.根据权利要求1至3任一项所述的装载腔体,其特征在于,所述腔本体包括上盖和侧板,所述上盖盖合于所述侧板上,且两者共同界定有至少一个所述装载腔,所述上盖设置有所述进气部,所述分散部设置于所述上盖。
7.根据权利要求1至3任一项所述的装载腔体,其特征在于,所述腔本体内具有连通所述进气部的进气腔,至少一个所述分散部分隔所述进气腔与对应的所述装载腔,且其上的所述分散孔连通所述进气腔和所述装载腔。
8.根据权利要求7所述的装载腔体,其特征在于,所述腔本体包括至少一个隔离部,全部所述隔离部将所述腔本体的内部空间分隔形成彼此独立的多个所述装载腔;
至少一个所述隔离部上构造有与自身分隔形成的至少一个所述装载腔连通的所述进气腔和所述分散部。
9.根据权利要求8所述的装载腔体,其特征在于,全部所述装载腔沿所述腔本体的高度方向依次布置,且与所述进气腔连通的所述进气部位于所述腔本体的侧面。
10.根据权利要求1至3任一项所述的装载腔体,其特征在于,每一所述装载腔一一对应连通有一所述进气部和一所述出气部。
11.一种半导体设备,其特征在于,包括如权利要求1至10任一项所述的装载腔。
12.一种装载腔体的清洗方法,其特征在于,包括:
开启所述装载腔体的腔本体的进气部和出气部;其中,所述腔本体具有装载腔以及分散部,所述进气部和所述出气部均连通所述装载腔,每一所述分散部对应一所述装载腔布置,且各所述分散部均包括独立设置的多个分散孔,各个所述分散孔均连通所述进气部与对应的所述装载腔;至少一个所述装载腔所对应的所述分散部配置有至少两层;所述至少两层分散部在气流路径上间隔布置,且至少有两个所述分散部的所述分散孔在垂直于间隔方向的平面上彼此错开布置;
向所述进气部通入清洗气体直至满足预设条件。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211730410.2A CN115910869B (zh) | 2022-12-30 | 2022-12-30 | 装载腔体及其清洗方法、及半导体设备 |
PCT/CN2023/135344 WO2024139981A1 (zh) | 2022-12-30 | 2023-11-30 | 装载腔体及其清洗方法、及半导体设备 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202211730410.2A CN115910869B (zh) | 2022-12-30 | 2022-12-30 | 装载腔体及其清洗方法、及半导体设备 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115910869A CN115910869A (zh) | 2023-04-04 |
CN115910869B true CN115910869B (zh) | 2024-02-02 |
Family
ID=86491562
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202211730410.2A Active CN115910869B (zh) | 2022-12-30 | 2022-12-30 | 装载腔体及其清洗方法、及半导体设备 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115910869B (zh) |
WO (1) | WO2024139981A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115910869B (zh) * | 2022-12-30 | 2024-02-02 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 装载腔体及其清洗方法、及半导体设备 |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6555834B1 (en) * | 1999-11-05 | 2003-04-29 | Asml Netherlands B.V. | Gas flushing system for use in lithographic apparatus |
KR20070028627A (ko) * | 2005-08-30 | 2007-03-13 | 주성엔지니어링(주) | 대기압상태에서 기판을 교환하는 인라인 방식의기판제조시스템 |
CN101800187A (zh) * | 2009-02-09 | 2010-08-11 | 东京毅力科创株式会社 | 搬送腔室和颗粒附着防止方法 |
CN103915363A (zh) * | 2013-01-09 | 2014-07-09 | 三星显示有限公司 | 基板处理设备 |
CN107017190A (zh) * | 2015-12-11 | 2017-08-04 | Tdk株式会社 | 装载端口装置及向装载端口装置的容器内的清洁化气体导入方法 |
WO2017216065A1 (de) * | 2016-06-13 | 2017-12-21 | Aixtron Se | Vorrichtung und verfahren zum sequentiellen abscheiden einer vielzahl von schichten auf substraten, sowie aufnahmeeinheit zur verwendung in einer abscheidungsvorrichtung |
KR20180005368A (ko) * | 2016-07-06 | 2018-01-16 | (주) 윈팩 | 셀프 클리닝 가능한 테스터 인터페이스 보드 |
CN107871682A (zh) * | 2016-09-27 | 2018-04-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 传输腔室及半导体加工设备 |
CN111370284A (zh) * | 2020-03-13 | 2020-07-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体热处理设备的清扫方法 |
CN112530831A (zh) * | 2019-09-19 | 2021-03-19 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 半导体设备及半导体设备净化方法 |
CN113097106A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-07-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备及半导体腔室 |
CN113385467A (zh) * | 2021-06-04 | 2021-09-14 | 北京中电科电子装备有限公司 | 一种清洗装置、清洗设备及晶圆加工装载台 |
CN113517213A (zh) * | 2021-07-02 | 2021-10-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 去气腔室、半导体设备及去气方法 |
KR20220008733A (ko) * | 2020-07-14 | 2022-01-21 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판처리장치 |
CN114855146A (zh) * | 2022-04-26 | 2022-08-05 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 半导体设备及反应腔 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20110062180A (ko) * | 2009-12-03 | 2011-06-10 | 주식회사 아바코 | 기판처리장치 및 그 진공형성방법 |
US20110308458A1 (en) * | 2010-06-21 | 2011-12-22 | Semes Co., Ltd. | Thin Film Deposition Apparatus |
JP5887719B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2016-03-16 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | パージ装置、ロードポート、ボトムパージノズル本体、ボトムパージユニット |
KR20150043686A (ko) * | 2013-10-15 | 2015-04-23 | 주식회사 에스에프에이 | 평면디스플레이용 화학 기상 증착장치의 로드락 챔버 |
KR20180051914A (ko) * | 2016-11-09 | 2018-05-17 | 주식회사 원익아이피에스 | 로드락챔버 및 이를 포함하는 기판처리장치 |
KR102067752B1 (ko) * | 2018-02-09 | 2020-01-17 | (주)에스티아이 | 풉 세정 장치 및 풉 세정 방법 |
US11504751B2 (en) * | 2018-11-30 | 2022-11-22 | Tokyo Electron Limited | Substrate cleaning method, processing container cleaning method, and substrate processing device |
US11385555B2 (en) * | 2020-05-06 | 2022-07-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing system and particle removal method |
CN115910869B (zh) * | 2022-12-30 | 2024-02-02 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 装载腔体及其清洗方法、及半导体设备 |
-
2022
- 2022-12-30 CN CN202211730410.2A patent/CN115910869B/zh active Active
-
2023
- 2023-11-30 WO PCT/CN2023/135344 patent/WO2024139981A1/zh unknown
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6555834B1 (en) * | 1999-11-05 | 2003-04-29 | Asml Netherlands B.V. | Gas flushing system for use in lithographic apparatus |
KR20070028627A (ko) * | 2005-08-30 | 2007-03-13 | 주성엔지니어링(주) | 대기압상태에서 기판을 교환하는 인라인 방식의기판제조시스템 |
CN101800187A (zh) * | 2009-02-09 | 2010-08-11 | 东京毅力科创株式会社 | 搬送腔室和颗粒附着防止方法 |
CN103915363A (zh) * | 2013-01-09 | 2014-07-09 | 三星显示有限公司 | 基板处理设备 |
CN107017190A (zh) * | 2015-12-11 | 2017-08-04 | Tdk株式会社 | 装载端口装置及向装载端口装置的容器内的清洁化气体导入方法 |
WO2017216065A1 (de) * | 2016-06-13 | 2017-12-21 | Aixtron Se | Vorrichtung und verfahren zum sequentiellen abscheiden einer vielzahl von schichten auf substraten, sowie aufnahmeeinheit zur verwendung in einer abscheidungsvorrichtung |
KR20180005368A (ko) * | 2016-07-06 | 2018-01-16 | (주) 윈팩 | 셀프 클리닝 가능한 테스터 인터페이스 보드 |
CN107871682A (zh) * | 2016-09-27 | 2018-04-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 传输腔室及半导体加工设备 |
CN112530831A (zh) * | 2019-09-19 | 2021-03-19 | 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 | 半导体设备及半导体设备净化方法 |
CN111370284A (zh) * | 2020-03-13 | 2020-07-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体热处理设备的清扫方法 |
KR20220008733A (ko) * | 2020-07-14 | 2022-01-21 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판처리장치 |
CN113097106A (zh) * | 2021-03-26 | 2021-07-09 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体设备及半导体腔室 |
CN113385467A (zh) * | 2021-06-04 | 2021-09-14 | 北京中电科电子装备有限公司 | 一种清洗装置、清洗设备及晶圆加工装载台 |
CN113517213A (zh) * | 2021-07-02 | 2021-10-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 去气腔室、半导体设备及去气方法 |
CN114855146A (zh) * | 2022-04-26 | 2022-08-05 | 江苏微导纳米科技股份有限公司 | 半导体设备及反应腔 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
200 mm硅外延片厚度和电阻率均匀性工艺调控;李明达;;半导体技术(第12期) * |
芯片制造厂气体使用的风险管理研究;江颖俊;;半导体行业(第03期);全文 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2024139981A1 (zh) | 2024-07-04 |
CN115910869A (zh) | 2023-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN115910869B (zh) | 装载腔体及其清洗方法、及半导体设备 | |
TWI745393B (zh) | 晶圓收納容器 | |
CN100401338C (zh) | 用于制造平板显示器的设备 | |
CN104246977B (zh) | 选择性外延生长装置及集群设备 | |
KR101075171B1 (ko) | 가스분사블록을 구비하는 사이드 스토리지 | |
TWI773092B (zh) | 具有整合的暫存區之晶圓傳送組件 | |
KR101579507B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
CN106992132B (zh) | 半导体制备和研发制造设施的资本设备上使用的检修隧道 | |
US9922850B2 (en) | Apparatus for treating substrate | |
CN100405537C (zh) | 等离子体反应装置 | |
TWI409198B (zh) | 配置有可充氣支撐件模組之前開式晶圓盒 | |
KR100725613B1 (ko) | 배플 및 이를 구비한 플라즈마 처리 장치 | |
KR20060087148A (ko) | 플라즈마 처리장치 | |
KR20150020634A (ko) | 기판 처리 방법 | |
KR101395220B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR101106153B1 (ko) | 박막 태양전지 제조용 플라즈마 처리장치 | |
KR102270779B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
CN101855712B (zh) | 等离子腐蚀室 | |
CN100550086C (zh) | 用于制造平板显示器的设备 | |
CN212695120U (zh) | 一种干法刻蚀机台 | |
KR102030038B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR101395212B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
TW202109797A (zh) | 裝載埠模組的前開式晶圓傳送盒的降低濕度裝置及具備其的半導體製程裝置 | |
KR101395248B1 (ko) | 노즐 유닛 | |
KR102283311B1 (ko) | 웨이퍼 수납용기 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: No. 27 Changjiang South Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province, China Applicant after: Jiangsu micro nano technology Co.,Ltd. Address before: 214000 No. 11 Lijiang Road, Xinwu District, Wuxi City, Jiangsu Province Applicant before: Jiangsu micro nano technology Co.,Ltd. |
|
CB02 | Change of applicant information | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |