CN115809521A - 一种gil内外径尺寸优化设计方法及*** - Google Patents

一种gil内外径尺寸优化设计方法及*** Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种GIL内外径尺寸优化设计方法及***，其中，方法包括以下步骤：基于GIL的内部导体数据，计算气体介质密度；基于气体介质密度和气体介质用密度约化的临界约化场强，计算气体介质起始放电场强；基于气体介质起始放电场强和GIL的裕度系数，计算导体表面控制场强；基于GIL的内部电场不均匀度，计算GIL的外壳内径与导体外径比值；基于GIL内的导体承受最高电压、内部电场不均匀度和导体表面控制场强，计算GIL的外壳内径与导体外径差值；基于比值和差值，计算得到外壳内径和导体外径。本申请可以提高GIL绝缘的可靠性，还可以根据气体介质特性的不同来灵活调节GIL设备尺寸。

Description

一种GIL内外径尺寸优化设计方法及***
技术领域
本申请涉及电气装备领域，具体涉及一种GIL内外径尺寸优化设计方法。
背景技术
气体绝缘输电线路(GIL)具有结构紧凑、输送容量大、无电磁环境污染问题的显著优点，特别适合用于土地资源紧张的城市大容量输电。GIL设备的主体结构是内导体与外壳呈同轴布置，然而不同厂家生产的相同电压等级的GIL，其内外径尺寸不一致。这导致用户单位甚至厂家自身都难以判断应该选择何种尺寸。因此需要提出一种GIL内外径尺寸优化设计方法。然而目前关于GIL设备内外径尺寸优化设计方法还较为少见。
发明内容
本申请提供了一种GIL内外径尺寸优化设计方法及***，能够综合考虑不同电压等级和不同气体介质的绝缘要求，得出最优的内外径尺寸。采用本发明的方法，可以有效提升GIL的安全可靠性和经济性。
为达到上述目的，本申请提供了以下方案：
一种GIL内外径尺寸优化设计方法，包括以下步骤：
S1.基于GIL的导体表面温度和气压，计算气体介质密度；
S2.基于所述气体介质密度和气体介质用密度约化的临界约化场强，计算气体介质起始放电场强；
S3.基于所述气体介质起始放电场强和所述GIL的裕度系数，计算导体表面控制场强；
S4.基于所述GIL的内部电场不均匀度，计算所述GIL的外壳内径与导体外径比值；
S5.基于所述GIL内的导体承受最高电压、所述内部电场不均匀度和所述导体表面控制场强，计算所述GIL的外壳内径与导体外径差值；
S6.基于所述比值和所述差值，计算得到外壳内径和导体外径。
优选的，所述S1包括：
基于所述GIL导体表面的温度T0和气压p，计算得到导体附近所述气体介质密度ρ0，计算公式如下：
ρ0＝pM/(RT0)
其中，M为所述GIL内部气体的摩尔质量，R为气体常数。
优选的，所述S2包括：
基于导体附近所述气体介质密度ρ0和所述气体介质用密度约化的临界约化场强(E/ρ)c，计算得到气体介质的起始放电场强Er，计算公式如下：
Er＝ρ0(E/ρ)c。
优选的，所述S3包括：
基于所述起始放电场强Er和所述GIL绝缘的裕度系数m，计算得到导体表面控制场强E0，计算公式如下：
E0＝mEr。
优选的，所述S4包括：
基于所述GIL的所述内部电场不均匀度f，计算所述外壳内径与导体外径比值R0/r0，计算公式如下：
Figure BDA0003952590830000031
其中，R0为外壳内径，r0为导体外径。
优选的，所述S5包括：
基于所述GIL内的导体承受最高电压U0、所述内部电场不均匀度f和所述导体表面控制场强E0，计算得到所述外壳内径与导体外径差值R0-r0，计算公式如下：
R0-r0＝U0f/E0。
优选的，所述S6包括：
基于所述外壳内径与导体外径比值R0/r0和所述外壳内径与导体外径差值R0-r0，计算外壳内径R0与导体外径r0，计算公式如下：
Figure BDA0003952590830000032
Figure BDA0003952590830000033
本申请还提供了一种GIL内外径尺寸优化设计***，包括：密度计算模块、第一场强计算模块、第二场强计算模块、比值计算模块、差值计算模块和结果计算模块；
所述密度计算模块用于基于所述GIL导体表面的温度T0和气压p，计算得到导体附近气体介质密度ρ0，计算公式如下：
ρ0＝pM/(RT0)
其中，M为所述GIL内部气体的摩尔质量，R为气体常数；
所述第一场强计算模块用于基于导体附近所述气体介质密度ρ0和所述气体介质用密度约化的临界约化场强(E/ρ)c，计算得到气体介质的起始放电场强Er，计算公式如下：
Er＝ρ0(E/ρ)c；
所述第二场强计算模块用于基于所述起始放电场强Er和GIL绝缘的裕度系数m，计算得到导体表面控制场强E0，计算公式如下：
E0＝mEr；
所述比值计算模块用于基于所述GIL的内部电场不均匀度f，计算外壳内径与导体外径比值R0/r0，计算公式如下：
Figure BDA0003952590830000041
其中，R0为外壳内径，r0为导体外径；
所述差值计算模块用于基于GIL内的导体承受最高电压U0、所述内部电场不均匀度f和所述导体表面控制场强E0，计算得到外壳内径与导体外径差值R0-r0，计算公式如下：
R0-r0＝U0f/E0；
所述结果计算模块用于基于所述外壳内径与导体外径比值R0/r0和所述外壳内径与导体外径差值R0-r0，计算外壳内径R0与导体外径r0，计算公式如下：
Figure BDA0003952590830000051
Figure BDA0003952590830000052
本申请的有益效果为：
(1)本申请考虑了正常工作条件下GIL内部导体表面附近温度较高，导致的导体表面附近气体密度较低，从而对放电电压产生的降低效应，采用本专利的设计方法可以提高GIL绝缘的可靠性；
(2)本申请通过气体绝缘介质的耐电强度来设计GIL管道的尺寸，可以用于当气体介质变化，如采用环保气体介质时的特殊场合。即可以根据气体介质特性的不同来灵活调节GIL设备尺寸。
附图说明
为了更清楚地说明本申请的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例一的方法流程示意图；
图2为本申请实施例一的GIL电场不均匀系数f随比值R0/r0的变化曲线图；
图3为本申请实施例二的***结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本申请作进一步详细的说明。
实施例一
在本实施例一中，如图1所示，一种GIL内外径尺寸优化设计方法，包括以下步骤：
S1.基于GIL导体表面的温度T0和气压p，计算得到导体附近气体介质密度ρ0，计算公式如下：
ρ0＝pM/(RT0)
其中，M为GIL内部气体的摩尔质量，R为气体常数；
S2.基于导体附近气体介质密度ρ0和所述气体介质用密度约化的临界约化场强(E/ρ)c，计算得到气体介质的起始放电场强Er，计算公式如下：
Er＝ρ0(E/ρ)c；
S3.基于起始放电场强Er和GIL绝缘的裕度系数m，计算得到导体表面控制场强E0，计算公式如下：
E0＝mEr；
S4.用于基于GIL的内部电场不均匀度f，计算外壳内径与导体外径比值R0/r0，计算公式如下：
Figure BDA0003952590830000071
其中，R0为外壳内径，r0为导体外径；
S5.基于GIL内的导体承受最高电压U0、内部电场不均匀度f和导体表面控制场强E0，计算得到外壳内径与导体外径差值R0-r0，计算公式如下：
R0-r0＝U0f/E0；
S6.基于外壳内径与导体外径比值R0/r0和外壳内径与导体外径差值R0-r0，计算外壳内径R0与导体外径r0，计算公式如下：
Figure BDA0003952590830000072
Figure BDA0003952590830000073
下面，将设计500kV以SF6气体作为绝缘介质的GIL为例，详细介绍本实施例的方法流程：
500kV的GIL内部导体表面的最高温度一般控制在105℃以下，20℃下SF6气体的气压一般为0.5MPa，若在导体表面最高温度105℃时运行工况下，SF6气体的摩尔质量M为146g/mol，由此确定导体附近气体介质的密度ρ0，采用下式计算：
ρ0＝pM/(RT0)
其中，p为GIL内部气体的气压，M为GIL内部气体的摩尔质量，R为气体常数，其值为8.314J/(mol·K)；计算得到ρ0＝18.6kg/m3。
SF6气体介质用密度约化的临界约化场强(E/ρ)c约为1.47(kV·mm-1)/(kg·m-3)，由此确定SF6气体介质的起始放电场强，采用下式进行计算：
Er＝ρ0(E/ρ)c
代入ρ0＝18.6kg/m3计算得到Er＝27.4kV·mm-1。
S3.GIL绝缘的裕度系数m根据不同制造厂家有所不同，一般可以取为0.85，由此确定导体表面控制场强E0，采用下式进行计算：
E0＝mEr
代入Er＝27.4kV·mm-1，m＝0.85，计算得到E0＝23.3kV·mm-1。
由于电场不均匀度f在1～2之间时，为稍不均匀电场，气体放电通常表现为稳定的流注击穿，不会产生电晕损耗，因此在GIL中通常控制电场不均匀度小于2，若控制GIL内部电场不均匀度f为1.8，计算GIL外壳内径与导体外径的比值R0/r0，采用如下隐函数进行计算：
Figure BDA0003952590830000081
根据该隐函数绘制f随比值R0/r0的关系，如图2所示，得出f＝1.8时对应的R0/r0＝2.94。
500kV的GIL内导体在进行耐压试验时可能承受的最高电压U0为1675kV(幅值)，代入电场不均匀度f＝1.8、导体表面控制场强E0＝23.3kV·mm-1，计算得到GIL外壳内径与导体外径的差值R0-r0，采用下式进行计算：
R0-r0＝U0f/E0计算得到R0-r0＝129mm。
根据外径与内径的比值R0/r0、差值R0-r0来确定外径与内径的值R0和r0，采用下式计算：
Figure BDA0003952590830000091
Figure BDA0003952590830000092
代入R0/r0＝2.94，R0-r0＝129mm，计算得到R0＝195mm，r0＝66mm。
实施例二
在本实施例二中，如图3所示，一种GIL内外径尺寸优化设计***，包括：密度计算模块、第一场强计算模块、第二场强计算模块、比值计算模块、差值计算模块和结果计算模块；
密度计算模块用于基于GIL导体表面的温度T0和气压p，计算得到导体附近气体介质密度ρ0，计算公式如下：
ρ0＝pM/(RT0)
其中，M为所述GIL内部气体的摩尔质量，R为气体常数；
第一场强计算模块用于基于导体附近气体介质密度ρ0和所述气体介质用密度约化的临界约化场强(E/ρ)c，计算得到气体介质的起始放电场强Er，计算公式如下：
Er＝ρ0(E/ρ)c；
第二场强计算模块用于基于起始放电场强Er和GIL绝缘的裕度系数m，计算得到导体表面控制场强E0，计算公式如下：
E0＝mEr；
比值计算模块用于基于GIL的内部电场不均匀度f，计算外壳内径与导体外径比值R0/r0，计算公式如下：
Figure BDA0003952590830000101
其中，R0为外壳内径，r0为导体外径；
差值计算模块用于基于GIL内的导体承受最高电压U0、内部电场不均匀度f和导体表面控制场强E0，计算得到外壳内径与导体外径差值R0-r0，计算公式如下：
R0-r0＝U0f/E0；
结果计算模块用于基于外壳内径与导体外径比值R0/r0和外壳内径与导体外径差值R0-r0，计算外壳内径R0与导体外径r0，计算公式如下：
Figure BDA0003952590830000102
Figure BDA0003952590830000103
以上所述的实施例仅是对本申请优选方式进行的描述，并非对本申请的范围进行限定，在不脱离本申请设计精神的前提下，本领域普通技术人员对本申请的技术方案做出的各种变形和改进，均应落入本申请权利要求书确定的保护范围内。

Claims (8)

1.一种GIL内外径尺寸优化设计方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.基于GIL导体表面的温度和气压，计算气体介质密度；
S2.基于所述气体介质密度和气体介质用密度约化的临界约化场强，计算气体介质起始放电场强；
S3.基于所述气体介质起始放电场强和所述GIL的裕度系数，计算导体表面控制场强；
S4.基于所述GIL的内部电场不均匀度，计算所述GIL的外壳内径与导体外径比值；
S5.基于所述GIL内的导体承受最高电压、所述内部电场不均匀度和所述导体表面控制场强，计算所述GIL的外壳内径与导体外径差值；
S6.基于所述比值和所述差值，计算得到外壳内径和导体外径。
2.根据权利要求1所述一种GIL内外径尺寸优化设计方法，其特征在于，所述S1包括：
基于所述GIL导体表面的温度T0和气压p，计算得到导体附近所述气体介质密度ρ0，计算公式如下：
ρ0＝pM/(RT0)
其中，M为所述GIL内部气体的摩尔质量，R为气体常数。
3.根据权利要求2所述一种GIL内外径尺寸优化设计方法，其特征在于，所述S2包括：
基于导体附近所述气体介质密度ρ0和所述气体介质用密度约化的临界约化场强(E/ρ)c，计算得到气体介质的起始放电场强Er，计算公式如下：
Er＝ρ0(E/ρ)c。
4.根据权利要求3所述一种GIL内外径尺寸优化设计方法，其特征在于，所述S3包括：
基于所述起始放电场强Er和所述GIL绝缘的裕度系数m，计算得到导体表面控制场强E0，计算公式如下：
E0＝mEr。
5.根据权利要求4所述一种GIL内外径尺寸优化设计方法，其特征在于，所述S4包括：
基于所述GIL的所述内部电场不均匀度f，计算所述外壳内径与导体外径比值R0/r0，计算公式如下：
Figure FDA0003952590820000021
其中，R0为外壳内径，r0为导体外径。
6.根据权利要求5所述一种GIL内外径尺寸优化设计方法，其特征在于，所述S5包括：
基于所述GIL内的导体承受最高电压U0、所述内部电场不均匀度f和所述导体表面控制场强E0，计算得到所述外壳内径与导体外径差值R0-r0，计算公式如下：
R0-r0＝U0f/E0。
7.根据权利要求6所述一种GIL内外径尺寸优化设计方法，其特征在于，所述S6包括：
基于所述外壳内径与导体外径比值R0/r0和所述外壳内径与导体外径差值R0-r0，计算外壳内径R0与导体外径r0，计算公式如下：
Figure FDA0003952590820000031
Figure FDA0003952590820000032
8.一种GIL内外径尺寸优化设计***，其特征在于，包括：密度计算模块、第一场强计算模块、第二场强计算模块、比值计算模块、差值计算模块和结果计算模块；
所述密度计算模块用于基于所述GIL导体表面的温度T0和气压p，计算得到导体附近气体介质密度ρ0，计算公式如下：
ρ0＝pM/(RT0)
其中，M为所述GIL内部气体的摩尔质量，R为气体常数；
所述第一场强计算模块用于基于导体附近所述气体介质密度ρ0和所述气体介质用密度约化的临界约化场强(E/ρ)c，计算得到气体介质的起始放电场强Er，计算公式如下：
Er＝ρ0(E/ρ)c；
所述第二场强计算模块用于基于所述起始放电场强Er和GIL绝缘的裕度系数m，计算得到导体表面控制场强E0，计算公式如下：
E0＝mEr；
所述比值计算模块用于基于所述GIL的内部电场不均匀度f，计算外壳内径与导体外径比值R0/r0，计算公式如下：
Figure FDA0003952590820000041
其中，R0为外壳内径，r0为导体外径；
所述差值计算模块用于基于GIL内的导体承受最高电压U0、所述内部电场不均匀度f和所述导体表面控制场强E0，计算得到外壳内径与导体外径差值R0-r0，计算公式如下：
R0-r0＝U0f/E0；
所述结果计算模块用于基于所述外壳内径与导体外径比值R0/ro和所述外壳内径与导体外径差值R0-r0，计算外壳内径R0与导体外径r0，计算公式如下：
Figure FDA0003952590820000042
Figure FDA0003952590820000043
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