CN115763493A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本公开内容涉及显示装置和其制造方法。根据本公开内容的一方面，该显示装置包括：第一基板，该第一基板包括显示区域和非显示区域，该显示区域与多个子像素对应，并且第一基板由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成。此外，显示装置包括：设置在第一基板上的第一绝缘层；和多个发光元件，多个发光元件设置在第一绝缘层上的多个子像素中。由于第一基板由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成，因此第一基板可以实现为薄膜。此外，可以提高显示装置的柔性。

Description

显示装置及其制造方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年9月3日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2021-0117764号的优先权，其公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开内容涉及显示装置，更具体地，涉及一种不使用塑料基板来提高防水性能的显示装置。

背景技术

用于计算机显示器、TV、手机等的显示装置包括自身发光的有机发光显示器(OLED)、需要单独光源的液晶显示器(LCD)等。

随着显示装置越来越多地应用于诸如计算机监视器、TV和个人移动装置等各种领域，已经研究了具有大显示面积和减小的体积和重量的显示装置。

此外，近年来，显示元件、线路等形成在由诸如塑料的柔性材料制成的柔性基板上。因此，柔性显示装置可以被制造成即使在折叠或卷起时也显示图像，因此作为下一代显示装置已经引起了很多关注。

发明内容

本公开内容要实现的一个目的是提供一种显示装置，其中，代替塑料基板，透明导电氧化物层和氧化物半导体层中的一种被用作基板。

本公开内容要实现的另一个目的是提供一种显示装置，其中，水分和氧气的渗透被最小化。

本公开内容要实现的又一目的在于提供一种显示装置，其中，塑料基板被去除以简化过程并降低制造成本。

本公开内容的目的不限于上述目的，本领域技术人员可以通过以下描述清楚地理解上述未提及的其他目的。

根据本公开内容的一个实施例，显示装置包括：第一基板，其包括显示区域和非显示区域，显示区域与多个子像素对应，并且第一基板由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成。此外，显示装置包括：设置在第一基板上的第一绝缘层；和多个发光元件，多个发光元件设置在第一绝缘层上的多个子像素中。由于第一基板由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成，因此第一基板可以实现为薄膜。此外，可以提高显示装置的柔性。

根据本公开内容的一个实施例，显示装置包括第一透明薄膜层，该第一透明薄膜层包括显示区域和非显示区域并且由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成。此外，该显示装置包括设置在显示区域中并包括多个子像素的像素单元。另外，该显示装置包括设置在第一透明薄膜层与像素单元之间的第一绝缘层和设置在第一透明薄膜层下方的偏振板。由于可以在真空环境中形成的第一透明薄膜层代替塑料基板设置在偏振板和像素单元之间，因此可以最小化异物的产生。此外，可以使由异物引起的水分和氧气到显示装置中的渗透最小化。

根据本公开内容的一个实施例，显示装置包括：第一基板，其由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成；第一绝缘层，其设置在第一基板上；以及像素单元，其设置在第一绝缘层上。

根据本公开内容的一个实施例，用于制造显示装置的方法包括：在其上形成有牺牲层的临时基板上通过沉积透明导电氧化物或氧化物半导体形成第一基板；在第一基板上形成第一绝缘层和像素单元；以及通过从临时基板下方照射激光来将牺牲层和临时基板与第一基板分离。

示例性实施方式的其他详细内容包括在具体实施方式和附图中。

根据本公开内容的一个实施例，可以通过使用透明导电氧化物层和氧化物半导体层作为显示装置的基板来容易地控制水分的渗透。

根据本公开内容的一个实施例，通过使用形成为薄膜的透明导电氧化物层和氧化物半导体层作为显示装置的基板，可以提高显示装置的柔性。

根据本公开内容的一个实施例，通过使用形成为薄膜的透明导电氧化物层和氧化物半导体层作为显示装置的基板，可以减少显示装置弯曲或卷曲时生成的应力并抑制显示装置的裂纹的发生。

根据本公开内容的一个实施例，通过使用透明导电氧化物层和氧化物半导体层作为显示装置的基板，可以简化显示装置的结构并降低制造成本。

根据本公开内容的一个实施例，可以通过使用透明导电氧化物层和氧化物半导体层作为显示装置的基板来抑制基板中静电的产生并提高显示质量。

根据本公开内容的一个实施例，可以通过在真空环境中的沉积来制造显示装置的基板。因此，可以减少制造基板所需的时间，并使基板上杂质的形成和由此产生的误差的发生最小化。

根据本公开内容的效果不限于以上例示的内容，并且本说明书中包括更多的各种效果。

附图说明

本公开内容的上述和其他方面、特征和其他优点将从以下结合附图的具体实施方式中得到更清楚的理解，其中：

图1是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的平面图；

图2是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的示意性截面图；

图3是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的子像素的电路图；

图4是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的放大平面图；

图5是沿图4的线V-V'截取的截面图；

图6是根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置的平面图；

图7是图6所示区域A的示意性截面图；

图8是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的示意性截面图；

图9A和图9B是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的放大平面图；

图10是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的示意性截面图；

图11是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的平面图；以及

图12是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的示意性截面图。

具体实施方式

本公开内容的优点和特征以及实现这些优点和特征的方法将通过参考下面结合附图详细描述的示例性实施方式而变得清楚。然而，本公开内容不限于本文公开的示例性实施方式，而是将以各种形式实施。这些示例性实施方式仅以举例的方式提供，以便本领域技术人员能够充分理解本公开内容的公开内容和本公开内容的范围。因此，本公开内容将仅由所附权利要求的范围限定。

附图中示出的用于描述本公开内容的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数目等仅仅是示例，并且本公开内容不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开内容的以下描述中，可能省略对已知相关技术的详细解释以避免不必要地混淆本公开内容的主题。本文中使用的诸如“包括”、“具有”和“由……组成”之类的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用都可以包括复数。

即使没有明确说明，部件也被解释为包括普通误差范围。

当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“下一个”等术语来描述两个部件之间的位置关系时，一个或更多个部件可以位于两个部件之间，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。

当一个元件或层设置在另一个元件或层“上”时，另一个层或另一个元件可以直接***在另一个元件上或它们之间。

尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开来。因此，以下提及的第一部件可以是本公开内容的技术构思中的第二部件。

在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。

为了便于描述，图示了附图中示出的每个部件的尺寸和厚度，并且本公开内容不限于图示的部件的尺寸和厚度。

本公开内容的各个实施方式的特征可以部分地或全部地彼此结合或组合，并且可以在技术上以各种方式互锁和操作，并且实施方式可以彼此独立地或关联地执行。

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置。

图1是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的平面图。图2是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的示意性截面图。在图1中，为了描述方便，仅示出了显示装置100的各个部件中的第一基板110、多个柔性膜160和多个印刷电路板170。

参照图1和图2，第一基板110是用于支承显示装置100的其他部件的支承构件。第一基板110可以由透明导电氧化物和氧化物半导体中的任何一种制成。例如，第一基板110可以由诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(ITZO)等透明导电氧化物(TCO)制成。

此外，第一基板110可以由由铟(In)和镓(Ga)构成的氧化物半导体材料例如透明氧化物半导体例如铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锡锌氧化物(ITZO)等制成。然而，透明导电氧化物和氧化物半导体的种类不限于此，并且第一基板110可以由本文中未描述的其他透明导电氧化物和氧化物半导体制成。

同时，第一基板110可以通过将透明导电氧化物或氧化物半导体沉积到非常小的厚度来形成。由于第一基板110形成为非常薄的厚度，它可以具有柔性。此外，包括具有柔性的第一基板110的显示装置100可以被实现为即使在被折叠或卷起时也可以显示图像的柔性显示装置100。例如，如果显示装置100是可折叠的显示装置，则第一基板110可以相对于折叠轴折叠或展开。再例如，如果显示装置100是可卷曲显示装置，则显示装置100可以通过辊卷起并储存。因此，根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100可以通过使用具有柔性的第一基板110实现为柔性显示装置100，例如可折叠显示装置或可卷曲显示装置。

此外，通过使用由透明导电氧化物或氧化物半导体制成的第一基板110，可以对根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100进行激光剥离(LLO)过程。LLO过程是指在显示装置100的制造过程期间通过使用激光将第一基板110下方的临时基板与第一基板110分离的过程。第一基板110是用于促进LLO过程的层，因此也可称为功能薄膜、功能薄膜层或功能基板。稍后将描述LLO过程的更多细节。

第一基板110包括显示区域AA和非显示区域NA。

显示区域AA是显示图像的区域。在显示区域AA中，可以设置由多个子像素构成的像素单元120以显示图像。例如，像素单元120由包括发光元件和驱动电路的多个子像素构成以显示图像。

非显示区域NA是不显示图像的区域，并且设置有用于驱动设置在显示区域AA中的子像素的各种线路和驱动器IC。例如，诸如栅极驱动器IC和数据驱动器IC的各种驱动器IC可以设置在非显示区域NA中。

多个柔性膜160设置在第一基板110的一端上。多个柔性膜160电连接至第一基板110的一端。多个柔性膜160是其中各种部件设置在具有延展性的基膜上的膜，并且向显示区域AA中的多个子像素提供信号。多个柔性膜160的一端可以设置在第一基板110的非显示区域NA中，并且可以向显示区域AA中的多个子像素提供数据电压等。同时，虽然在图1中示出了四个柔性膜160，但是柔性膜160的数目可以根据设计而变化并且不限于此。

同时，诸如栅极驱动器IC或数据驱动器IC的驱动器IC可以设置在多个柔性膜160上。驱动器IC是对用于显示图像的数据和用于处理数据的驱动信号进行处理的部件。取决于安装方法，驱动器IC可以通过玻璃上芯片(COG)、膜上芯片(COF)或带载封装(TCP)技术来设置。为了描述的方便，本公开内容中描述驱动器IC是通过膜上芯片技术安装在多个柔性膜160上，但不限于此。

印刷电路板170连接至多个柔性膜160。印刷电路板170是向驱动器IC提供信号的部件。用于向驱动器IC提供各种驱动信号(例如驱动信号或数据电压)的各种部件可以设置在印刷电路板170中。虽然图1示出了两个印刷电路板170，但印刷电路板170的数目可以根据设计而变化并且不限于此。

参照图2，第一绝缘层IN1设置在第一基板110上。第一绝缘层IN1可以抑制从第一基板110的外部渗入的水分和/或氧气的扩散。可以通过控制第一绝缘层IN1的厚度或层叠结构来控制水分渗入显示装置100。此外，第一绝缘层IN1可以抑制由透明导电氧化物或氧化物半导体制成的第一基板110与诸如像素单元120的另一部件之间的接触引起的短路的发生。第一绝缘层IN1可以由无机材料制成。例如，第一绝缘层IN1可以形成为硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或多层，但不限于此。

像素单元120设置在第一绝缘层INl上。像素单元120可以设置成对应于显示区域AA。像素单元120是包括多个子像素以显示图像的部件。像素单元120的多个子像素代表构成显示区域AA的最小单元，并且发光元件和驱动电路可以设置在多个子像素的每一个中。例如，多个子像素中的每一个中的发光元件可以包括包括阳极、有机发射层和阴极的有机发光二极管，或者包括N型半导体层和P型半导体层以及发光层的LED。然而，发光元件不限于此。此外，用于驱动多个子像素的驱动电路可以包括诸如薄膜晶体管和存储电容器的驱动元件，但不限于此。在下文中，为了描述方便，将假设多个子像素中的每一个中的发光元件为有机发光二极管，但不限于此。

同时，根据从发光元件发射的光的发射方向，显示装置100可以是顶部发光型或底部发光型。

对于顶部发光型，从发光元件发射的光可以向其上设置有发光元件的第一基板110的上部发光。在这种情况下，可以在阳极下方形成反射层以允许从发光元件发射的光朝向第一基板110的上部，即朝向阴极行进。

对于底部发光型，从发光元件发射的光可以向其上设置有发光元件的第一基板110的下部发光。在这种情况下，阳极可以仅由透明导电材料制成，以允许从发光元件发出的光朝向第一基板110的下部行进。此外，阴极可以由具有高反射率的金属材料制成。

下文中，为了便于描述，根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100将被假设为底部发光型显示装置，但不限于此。

封装层130被设置成覆盖像素单元120。封装层130对像素单元120进行密封，并保护像素单元120的发光元件免受水分、氧气和来自外部的冲击的影响。封装层130可以通过交替地层叠多个无机层和多个有机层而形成为薄膜封装(TFE)。例如，无机层可以由诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)和铝氧化物(AlOx)的无机材料制成，但不限于此。此外，有机层可以由环氧基聚合物或丙烯基聚合物制成，但不限于此。此外，封装层130可以具有面密封结构。例如，可以通过在像素单元120的整个表面上形成UV固化或热固性密封剂来形成封装层130。然而，封装层130可以由各种材料以各种方式制成，但不限于此。

同时，具有高弹性模量且由具有高耐腐蚀性的金属材料制成的封装基板可以进一步设置在封装层130上。例如，封装基板可以由具有从大约200MPa到大约900MPa的范围内的高弹性模量的材料制成。封装基板可以由具有高耐腐蚀性并且可以容易地加工成箔或薄膜的金属材料制成，诸如铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)以及铁(Fe)和镍的合金。由于封装基板由金属材料制成，因此封装基板可以以超薄膜的形式实现，并且可以提供对外部冲击和划痕的高抵抗力。

密封构件140被设置成使像素单元120的侧表面和封装层130的侧表面封闭。密封构件140可以设置在非显示区域NA中，并且可以被设置成使设置在显示区域AA中的像素单元120封闭。密封构件140被设置成使像素单元120的侧表面和封装层130的侧表面封闭，并且因此可以使水分向像素单元120中的渗透最小化。例如，密封构件140可以被设置成覆盖突出至像素单元120的外部并与非显示区域NA交叠的第一绝缘层IN1的上表面、被设置成使像素单元120封闭的封装层130的侧表面以及封装层130的上表面的一部分。

密封构件140可以由具有弹性的非导电材料制成，以对像素单元120的侧表面进行密封并补充显示装置100的侧表面的刚度。此外，密封构件140可以由粘合剂材料制成。此外，密封构件140还可以包括吸湿剂，该吸湿剂用以吸收来自外部的水分和氧气，并使水分通过显示装置100的侧部的渗透最小化。例如，密封构件140可以由聚酰亚胺(PI)、聚氨酯、环氧树脂或丙烯基材料制成，但不限于此。

偏振板150被设置在第一基板110下方。偏振板150可以选择性地透射光，以减少入射到第一基板110上的外部光的反射。具体地，在显示装置100中，应用于半导体元件、布线和发光元件的各种金属材料被形成在第一基板110上。因此，朝向第一基板110入射的外部光可以由金属材料反射，使得显示装置100的可视性可能由于外部光的反射而降低。在这种情况下，抑制外部光的反射的偏振板150被设置在第一基板110下方。因此，可以增加显示装置100的室外可视性。然而，取决于显示装置100的实施方式，可以省略偏振板150。

虽然附图中未示出，但阻挡膜和偏振板150可以设置在第一基板110下方。阻挡膜可以通过使水分和氧气从第一基板110的外部到第一基板110的渗透最小化来保护包括发光元件的像素单元120。然而，取决于显示装置100的实施方式，可以省略阻挡膜，但不限于此。

下文中，将参照图3至图5更详细地描述像素单元120的多个子像素。

图3是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的子像素的电路图。

参照图3，用于驱动多个子像素SP的发光元件OLED的驱动电路包括第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC。此外，包括栅极线GL、数据线DL、高电位电力线VDD、感测线SL和参考线RL的多个线被设置在第一基板110上以对驱动电路进行驱动。

第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3中的每一个包括栅电极、源电极和漏电极。

此外，第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3可以是P型薄膜晶体管或N型薄膜晶体管。例如，因为在P型薄膜晶体管中，空穴从源电极流向漏电极，所以电流可以从源电极流向漏电极。因为在N型薄膜晶体管中，电子从源电极流向漏电极，所以电流可以从漏电极流向源电极。在下文中，将在假设第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3是电流从漏电极流向源电极的N型薄膜晶体管的情况下进行描述。然而，本公开内容不限于此。

第一晶体管TR1包括第一栅电极、第一源电极和第一漏电极。第一栅电极连接至第一节点N1，第一源电极连接至发光元件OLED的阳极，以及第一漏电极连接至高电位电力线VDD。当第一节点N1的电压低于阈值电压时，第一晶体管TR1可以截止。当第一节点N1的电压高于阈值电压时，第一晶体管TR1可以导通，并且第一晶体管TR1可以向发光元件OLED传输驱动电流。因此，对传输至发光元件OLED的驱动电流进行控制的第一晶体管TR1也可以被称为驱动晶体管。

第二晶体管TR2包括第二栅电极、第二源电极和第二漏电极。第二栅电极连接至栅极线GL，第二源电极连接至第一节点N1，以及第二漏电极连接至数据线DL。第二晶体管TR2可以基于来自栅极线GL的栅极电压而导通或截止。当第二晶体管TR2导通时，来自数据线DL的数据电压可以被充入第一节点N1。因此，通过栅极线GL导通或截止的第二晶体管TR2也可以被称为开关晶体管。

第三晶体管TR3包括第三栅电极、第三源电极和第三漏电极。第三栅电极连接至感测线SL，第三源电极连接至第二节点N2，以及第三漏电极连接至参考线RL。第三晶体管TR3可以基于来自感测线SL的感测信号而导通或截止。当第三晶体管TR3导通时，来自参考线RL的参考电压可以传输至第二节点N2和存储电容器SC。因此，第三晶体管TR3也可以被称为感测晶体管。

同时，在图3中，栅极线GL和感测线SL被示出为单独的线，但栅极线GL和感测线SL可以实现为单个线。然而，本公开内容不限于此。

存储电容器SC被连接在第一晶体管TR1的第一栅电极与第一源电极之间。也就是说，存储电容器SC可以连接在第一节点N1与第二节点N2之间。当发光元件OLED发射光时，存储电容器SC保持第一晶体管TR1的第一栅电极与第一源电极之间的电势差。因此，可以向发光元件OLED供应恒定的驱动电流。存储电容器SC包括多个电容器电极。例如，多个电容器电极中的一个电容器电极可以连接至第一节点N1，以及另一个电容器电极可以连接至第二节点N2。

发光元件OLED包括阳极、发光层和阴极。发光元件OLED的阳极被连接至第二节点N2，以及阴极被连接至低电位电力线VSS。发光元件OLED可以被供应来自第一晶体管TR1的驱动电流以发射光。

同时，图3示出了根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100的子像素SP的驱动电路具有包括三个晶体管和一个存储电容器SC的3T1C结构。然而，晶体管和存储电容器SC的数量和连接关系可以根据设计而变化，并且不限于此。

图4是根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置的放大平面视图。图5是沿着图4的线V-V’截取的截面视图。图4是像素中包括的红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的放大平面视图。为了便于描述，在图4中未示出堤部115，并且多个滤色器CF的边缘由粗实线表示。参照图4和图5，根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100包括第一基板110、第一绝缘层IN1、缓冲层111和栅极绝缘层112。此外，显示装置100包括钝化层113、平坦化层114、堤部115、第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC。此外，显示装置100包括发光元件OLED、栅极线GL、感测线SL、数据线DL、参考线RL、高电位电力线VDD和多个滤色器CF。

参照图4，多个子像素SP包括红色子像素SPR、绿色子像素SPG、蓝色子像素SPB和白色子像素SPW。例如，红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG可以在行方向上顺序设置。然而，多个子像素SP的布置顺序不限于此。

多个子像素SP中的每一个包括发光区域和电路区域。发光区域是独立地发射一种颜色的光并且发光元件OLED可以设置在其中的区域。具体地，发光区域可以被定义为在多个滤色器CF与阳极AN之间的交叠区域中从堤部115暴露并且允许从发光元件OLED发射的光行进到外部的区域。例如，参照图4和图5，红色子像素SPR的发光区域可以是在红色滤色器CFR与阳极AN之间的交叠区域中从堤部115暴露的区域。该红色发光区域发射红光。此外，绿色子像素SPG的发光区域可以是在绿色滤色器CFG与阳极AN之间的交叠区域中从堤部115暴露的区域。该绿色发光区域发射绿光。此外，蓝色子像素SPB的发光区域可以是在蓝色滤色器CFB与阳极AN之间的交叠区域中从堤部115暴露的区域。该蓝色发光区域发射蓝光。没有设置任何滤色器CF的白色子像素SPW的发光区域可以是与阳极AN的从堤部115暴露的一部分交叠的区域。该白色发光区域发射白光。

电路区域是指除发光区域之外的其他区域。在电路区域中，可以设置用于驱动多个发光元件OLED的驱动电路DP和用于将各种信号传输至驱动电路DP的多个线。其中设置了驱动电路DP、多个线和堤部115的电路区域可以是非发光区域。例如，包括第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC的驱动电路DP、多个高电位电力线VDD、多个数据线DL、多个参考线RL、多个栅极线GL、感测线SL和堤部115可以设置在电路区域中。

参照图3至图5，第一绝缘层IN1被设置在第一基板110上。此外，多个高电位电力线VDD、多个数据线DL、多个参考线RL和遮光层LS被设置在第一绝缘层IN1上。

多个高电位电力线VDD、多个数据线DL、多个参考线RL和遮光层LS可以被设置在第一基板110上的同一层上。此外，多个高电位电力线VDD、多个数据线DL、多个参考线RL和遮光层LS可以由相同的导电材料制成。例如，多个高电位电力线VDD、多个数据线DL、多个参考线RL和遮光层LS可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的导电材料制成，但不限于此。

多个高电位电力线VDD分别向多个子像素SP传输高电位电力电压。多个高电位电力线VDD可以在多个子像素SP之间沿列方向延伸，在行方向上相邻的两个子像素SP可以共享多个高电位电力线VDD中的一个。例如，一个高电位电力线VDD可以设置在红色子像素SPR的左侧，以向红色子像素SPR和白色子像素SPW的每一者中的第一晶体管TR1供应高电位电力电压。另一高电位电力线VDD可以设置在绿色子像素SPG的右侧，以向蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的每一者中的第一晶体管TR1供应高电位电力电压。

多个数据线DL在多个子像素SP之间沿列方向延伸，并分别向多个子像素SP传输数据电压。多个数据线DL包括第一数据线DL1、第二数据线DL2、第三数据线DL3和第四数据线DL4。第一数据线DL1可以设置在红色子像素SPR与白色子像素SPW之间，以将数据电压传输至红色子像素SPR中的第二晶体管TR2。第二数据线DL2可以设置在第一数据线DL1与白色子像素SPW之间，以将数据电压传输至白色子像素SPW中的第二晶体管TR2。第三数据线DL3可以设置在蓝色子像素SPB与绿色子像素SPG之间，以将数据电压传输至蓝色子像素SPB中的第二晶体管TR2。第四数据线DL4可以设置在第三数据线DL3与绿色子像素SPG之间，以将数据电压传输至绿色子像素SPG中的第二晶体管TR2。

多个参考线RL在多个子像素SP之间沿列方向延伸，并分别向多个子像素SP传输参考电压。像素中包括的多个子像素SP可以共享一个参考线RL。例如，一个参考线RL可以设置在白色子像素SPW与蓝色子像素SPB之间，以将参考电压传输至红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的每一者中的第三晶体管TR3。

参照图4和图5，遮光层LS被设置在第一绝缘层IN1上。遮光层LS可以设置为与多个晶体管TR1、TR2和TR3中的第一晶体管TR1的至少第一有源层ACT1交叠，以阻挡入射到第一有源层ACT1上的光。如果光照射到第一有源层ACT1，则可能生成漏电流。因此，用作驱动晶体管的第一晶体管TR1的可靠性可能降低。在这种情况下，由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的不透明导电材料制成的遮光层LS被设置为与第一有源层ACT1交叠。因此，可以阻挡从第一基板110下方入射到第一有源层ACT1上的光。因此，可以提高第一晶体管TR1的可靠性。然而，本公开内容不限于此。遮光层LS也可以被设置为与第二晶体管TR2的第二有源层ACT2和第三晶体管TR3的第三有源层ACT3交叠。

同时，尽管遮光层LS被示出为单个层，但遮光层LS可以由多个层组成。例如，遮光层LS可以由彼此交叠设置的多个层组成，第一绝缘层IN1、缓冲层111、栅极绝缘层112和钝化层113中的至少任何一个位于所述多个层之间。

缓冲层111被设置在多个高电位电力线VDD、多个数据线DL、多个参考线RL和遮光层LS上。缓冲层111可以抑制水分或杂质通过第一基板110的渗透。例如，缓冲层111可以形成为硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或者硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的多层，但不限于此。此外，取决于第一基板110的类型或薄膜晶体管的类型，可以省略缓冲层111，但不限于此。

第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC被设置在多个子像素SP的每一个中的缓冲层111上。

首先，第一晶体管TR1包括第一有源层ACT1、第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。

第一有源层ACT1被设置在缓冲层111上。第一有源层ACT1可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料制成，但不限于此。例如，如果第一有源层ACT1由氧化物半导体制成，则第一有源层ACT1由沟道区、源极区和漏极区组成。源极区和漏极区可以是导电区，但不限于此。

栅极绝缘层112被设置在第一有源层ACT1上。栅极绝缘层112用于将第一栅电极GE1与第一有源层ACT1进行绝缘，并且可以由绝缘材料制成。例如，栅极绝缘层112可以形成为硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或者硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的多层，但不限于此。

第一栅电极GE1被设置在栅极绝缘层112上以与第一有源层ACT1交叠。第一栅电极GE1可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的导电材料制成，但不限于此。

第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以彼此间隔开地设置在栅极绝缘层112上。第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔电连接至第一有源层ACT1。第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以设置在与第一栅电极GE1相同的层上，并且由与第一栅电极GE1相同的导电材料制成，但不限于此。例如，第一源电极SE1和第一漏电极DE1可以由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金制成，但不限于此。

第一漏电极DE1被电连接至高电位电力线VDD。例如，红色子像素SPR和白色子像素SPW的每一者中的第一漏电极DE1可以电连接至红色子像素SPR左侧的高电位电力线VDD。蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的每一者中的第一漏电极DE1可以电连接至绿色子像素SPG右侧的高电位电力线VDD。

在这种情况下，还可以设置辅助高电位电力线VDDa，以将第一漏电极DE1电连接至高电位电力线VDD。辅助高电位电力线VDDa的一端可以电连接至高电位电力线VDD，以及另一端可以电连接至多个子像素SP的每一者中的第一漏电极DE1。辅助高电位电力线VDDa可以设置在与第一漏电极DE1相同的层上，并且由与第一漏电极DE1相同的材料制成。在这种情况下，辅助高电位电力线VDDa的一端可以通过形成在栅极绝缘层112和缓冲层111中的接触孔电连接至高电位电力线VDD。此外，辅助高电位电力线VDDa的另一端可以朝向第一漏电极DE1延伸，并且可以与第一漏电极DE1形成为一体。

在这种情况下，电连接至同一高电位电力线VDD的红色子像素SPR的第一漏电极DE1和白色子像素SPW的第一漏电极DE1可以连接至同一辅助高电位电力线VDDa。此外，蓝色子像素SPB的第一漏电极DE1和绿色子像素SPG的第一漏电极DE1也可以连接至同一辅助高电位电力线VDDa。第一漏电极DE1也可以以其他方式电连接至高电位电力线VDD，并且不限于此。

第一源电极SE1可以通过形成在栅极绝缘层112和缓冲层111中的接触孔电连接至遮光层LS。此外，第一有源层ACT1的连接至第一源电极SE1的部分可以通过形成在缓冲层111中的接触孔电连接至遮光层LS。当遮光层LS浮置时，第一晶体管TR1的阈值电压改变，这可能影响显示装置100的驱动。因此，遮光层LS可以电连接至第一源电极SE1，以向遮光层LS施加电压，并且不影响第一晶体管TR1的驱动。已经描述了第一有源层ACT1和第一源电极SE1两者都与遮光层LS接触。然而，第一源电极SE1和第一有源层ACT1中的任何一者可以与遮光层LS直接接触，并且本公开内容不限于此。

同时，图5示出了栅极绝缘层112被形成在第一基板110的整个表面上。然而，栅极绝缘层112可以被图案化为仅与第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1交叠，并且不限于此。

第二晶体管TR2包括第二有源层ACT2、第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。

第二有源层ACT2被设置在缓冲层111上。第二有源层ACT2可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料制成，但不限于此。例如，如果第二有源层ACT2由氧化物半导体制成，则第二有源层ACT2由沟道区、源极区和漏极区组成。源极区和漏极区可以是导电区，但不限于此。

第二源电极SE2被设置在缓冲层111上。第二源电极SE2可以与第二有源层ACT2形成为一体，并且因此可以彼此电连接。例如，可以通过在缓冲层111上形成半导体材料并使半导体材料的一部分导电来形成第二源电极SE2。因此，半导体材料的非导电部分可以变成第二有源层ACT2，以及半导体材料的导电部分可以变成第二源电极SE2。然而，第二有源层ACT2和第二源电极SE2可以被分开形成，并且本公开内容不限于此。

第二源电极SE2可以电连接至第一晶体管TR1的第一栅电极GE1。第一栅电极GE1可以通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔电连接至第二源电极SE2。因此，第一晶体管TR1可以响应于来自第二晶体管TR2的信号而导通或截止。

栅极绝缘层112被设置在第二有源层ACT2和第二源电极SE2上。第二漏电极DE2和第二栅电极GE2被设置在栅极绝缘层112上。

第二栅电极GE2被设置在栅极绝缘层112上以与第二有源层ACT2交叠。第二栅电极GE2可以电连接至栅极线GL，并且第二晶体管TR2可以基于传输至第二栅电极GE2的栅极电压而导通或截止。第二栅电极GE2可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的导电材料制成，但不限于此。

同时，第二栅电极GE2可以从栅极线GL延伸。也就是说，第二栅电极GE2可以与栅极线GL形成为一体，并且第二栅电极GE2和栅极线GL可以由相同的导电材料制成。例如，栅极线GL可以由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金制成，但不限于此。

栅极线GL用于向多个子像素SP中的每一个传输栅极电压，并跨多个子像素SP的电路区域沿行方向延伸。由于栅极线GL在行方向上延伸，所以栅极线GL可以与在列方向上延伸的多个高电位电力线VDD、多个数据线DL和多个参考线RL相交。

第二漏电极DE2被设置在栅极绝缘层112上。第二漏电极DE2可以通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔电连接至第二有源层ACT2。此外，第二漏电极DE2可以通过形成在栅极绝缘层112和缓冲层111中的接触孔电连接至多个数据线DL之一。例如，红色子像素SPR的第二漏电极DE2可以电连接至第一数据线DL1，以及白色子像素SPW的第二漏电极DE2可以电连接至第二数据线DL2。例如，蓝色子像素SPB的第二漏电极DE2可以电连接至第三数据线DL3，以及绿色子像素SPG的第二漏电极DE2可以电连接至第四数据线DL4。第二漏电极DE2可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的导电材料制成，但不限于此。

第三晶体管TR3包括第三有源层ACT3、第三栅电极GE3、第三源电极SE3和第三漏电极DE3。

第三有源层ACT3被设置在缓冲层111上。第三有源层ACT3可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料制成，但不限于此。例如，如果第三有源层ACT3由氧化物半导体制成，则第三有源层ACT3由沟道区、源极区和漏极区组成。源极区和漏极区可以是导电区，但不限于此。

栅极绝缘层112被设置在第三有源层ACT3上。第三栅电极GE3、第三源电极SE3和第三漏电极DE3被设置在栅极绝缘层112上。

第三栅电极GE3被设置在栅极绝缘层112上以与第三有源层ACT3交叠。第三栅电极GE3可以电连接至感测线SL，并且第三晶体管TR3可以基于传输至第三晶体管TR3的感测电压而导通或截止。第三栅电极GE3可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的导电材料制成，但不限于此。

同时，第三栅电极GE3可以从感测线SL延伸。也就是说，第三栅电极GE3可以与感测线SL形成为一体，并且第三栅电极GE3和感测线SL可以由相同的导电材料制成。例如，感测线SL可以由铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金制成，但不限于此。

感测线SL用于向多个子像素SP中的每一个传输感测电压，并在多个子像素SP之间沿行方向延伸。例如，感测线SL在多个子像素SP之间的边界处沿行方向延伸，并且因此可以与在列方向上延伸的多个高电位电力线VDD、多个数据线DL和多个参考线RL相交。

第三源电极SE3可以通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔电连接至第三有源层ACT3。第三源电极SE3可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的导电材料制成，但不限于此。

同时，第三有源层ACT3的与第三源电极SE3接触的部分可以通过形成在缓冲层111中的接触孔电连接至遮光层LS。也就是说，第三源电极SE3可以电连接至遮光层LS，第三有源层ACT3位于第三源电极SE3与遮光层LS之间。因此，第三源电极SE3和第一源电极SE1可以通过遮光层LS彼此电连接。

第三漏电极DE3可以通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔电连接至第三有源层ACT3。第三漏电极DE3可以由诸如铜(Cu)、铝(Al)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、铬(Cr)或它们的合金的导电材料制成，但不限于此。

第三漏电极DE3可以电连接至参考线RL。例如，红色子像素SPR、白色子像素SPW、蓝色子像素SPB和绿色子像素SPG的第三漏电极DE3可以电连接至同一参考线RL。也就是说，像素中包括的多个子像素SP可以共享一个参考线RL。

在这种情况下，可以设置辅助参考线RLa，以将在列方向上延伸的参考线RL转接至在行方向上彼此平行设置的多个子像素SP。辅助参考线RLa可以在行方向上延伸，以将参考线RL电连接至多个子像素SP的每一个中的第三漏电极DE3。辅助参考线RLa的一端可以通过形成在缓冲层111和栅极绝缘层112中的接触孔电连接至参考线RL。此外，辅助参考线RLa的另一端可以电连接至多个子像素SP的每一个中的第三漏电极DE3。在这种情况下，辅助参考线RLa可以与多个子像素SP的每一个中的第三漏电极DE3形成为一体。此外，来自参考线RL的参考电压可以通过辅助参考线RLa传输至第三漏电极DE3。然而，辅助参考线RLa可以与第三漏电极DE3分开形成，并且本公开内容不限于此。

存储电容器SC被设置在多个子像素SP的电路区域中。存储电容器SC可以存储第一晶体管TR1的第一栅电极GE1与第一源电极SE1之间的电压，以允许发光元件OLED在一帧内保持恒定状态。存储电容器SC包括第一电容器电极SC1和第二电容器电极SC2。

第一电容器电极SC1被设置在多个子像素SP的每一个中的第一绝缘层IN1与缓冲层111之间。第一电容器电极SC1可以设置成在设置在第一基板110上的导电部件中最靠近第一基板110。第一电容器电极SC1可以与遮光层LS形成为一体，并且可以通过遮光层LS电连接至第一源电极SE1。

缓冲层111被设置在第一电容器电极SC1上，以及第二电容器电极SC2被设置在缓冲层111上。第二电容器电极SC2可以被设置成与第一电容器电极SC1交叠。第二电容器电极SC2可以与第二源电极SE2形成为一体，并且可以电连接至第二源电极SE2和第一栅电极GE1。例如，可以通过在缓冲层111上形成半导体材料并使半导体材料的一部分导电来形成第二源电极SE2和第二电容器电极SC2。因此，半导体材料的非导电部分可以用作第二有源层ACT2，以及半导体材料的导电部分可以用作第二源电极SE2和第二电容器电极SC2。如上所述，第一栅电极GE1通过形成在栅极绝缘层112中的接触孔电连接至第二源电极SE2。因此，第二电容器电极SC2可以与第二源电极SE2形成为一体，并且可以电连接至第二源电极SE2和第一栅电极GE1。

总之，存储电容器SC的第一电容器电极SC1可以与遮光层LS形成为一体，以便电连接至遮光层LS、第一源电极SE1和第三源电极SE3。此外，第二电容器电极SC2可以与第二源电极SE2和第二有源层ACT2形成为一体，以便电连接至第二源电极SE2和第一栅电极GE1。因此，彼此交叠且其间具有缓冲层111的第一电容器电极SC1和第二电容器电极SC2可以在发光元件OLED发射光的同时保持第一晶体管TR1中的第一栅电极GE1和第一源电极SE1的恒定电压。因此，发光元件OLED可以保持在恒定状态。

钝化层113设置在第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC上。钝化层113是用于保护钝化层113下方的部件的绝缘层。例如，钝化层113可以形成为硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或多层，但是不限于此。根据实施方式，可以省略钝化层113。

多个滤色器CF分别设置在多个子像素SP的发光区域中的钝化层113上。如上所述，根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100是底部发光型的。因此，从发光元件OLED发射的光可以朝向发光元件OLED的下部和第一基板110发射。因此，多个滤色器CF可以设置在发光元件OLED下方。从发光元件OLED发射的光可以穿过多个滤色器CF以被转换成各种颜色的光。

多个滤色器CF包括红色滤色器CFR、蓝色滤色器CFB和绿色滤色器CFG。红色滤色器CFR可以设置在多个子像素SP中的红色子像素SPR的发光区域中。蓝色滤色器CFB可以设置在蓝色子像素SPB的发光区域中。此外，绿色滤色器CFG可以设置在绿色子像素SPG的发光区域中。

平坦化层114设置在钝化层113和多个滤色器CF上。平坦化层114用于使其上设置有第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3、存储电容器SC、多个高电位电力线VDD、多个数据线DL、多个参考线RL、多个栅极线GL和多个感测线SL的第一基板110的上部平坦化。平坦化层114可以由有机材料制成。例如，平坦化层114可以形成为的聚酰亚胺或光丙烯酸单层或多层，但是不限于此。

发光元件OLED设置在多个子像素SP中的每一个中的发光区域中。发光元件OLED设置在多个子像素SP中的每一个中的平坦化层114上。发光元件OLED包括阳极AN、发光层EL和阴极CA。

阳极AN设置在发光区域中的平坦化层114上。阳极AN向发光层EL供应空穴，并且因此可以由具有高功函数的导电材料制成。阳极AN可以由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料制成，但是不限于此。

同时，阳极AN可以朝向电路区域延伸。阳极AN的一部分可以从发光区域朝向电路区域的第一源电极SE1延伸，并且可以通过形成在平坦化层114和钝化层113中的接触孔电连接至第一源电极SE1。因此，发光元件OLED的阳极AN可以延伸至电路区域并且可以电连接至第一晶体管TR1的第一源电极SE1和存储电容器SC的第二电容器电极SC2。

发光层EL设置在发光区域和电路区域中的阳极AN上。发光层EL可以在多个子像素SP上方形成为单层。也就是说，多个子像素SP的发光层EL可以彼此连接，并且可以彼此形成为一体。发光层EL可以被配置为单个发光层，或者可以具有其中分别发射不同颜色的光的多个发光层被层压的结构。发光层EL还可以包括有机层，例如空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或电子注入层。

阴极CA设置在发光区域和电路区域中的发光层EL上。阴极CA向发光层EL供应电子，并且因此可以由具有低功函数的导电材料制成。阴极CA可以在多个子像素SP上方形成为单层。也就是说，多个子像素SP的阴极CA可以彼此连接，并且可以彼此形成为一体。阴极CA可以由诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)或镱(Yb)合金的透明导电材料制成。阴极CA还可以包括金属掺杂层，但是不限于此。同时，尽管在图4和图5中未示出，但是发光元件OLED的阴极CA可以电连接至低电位电力线VSS，以被供应有低电位电力电压。

堤部115设置在阳极AN与发光层EL之间。堤部115被设置成与显示区域AA交叠并且覆盖阳极AN的边缘。堤部115设置在相邻子像素SP之间的边界处，以抑制从多个子像素SP的发光元件OLED发射的光的颜色混合。堤部115可以由绝缘材料制成。例如，堤部115可由聚酰亚胺、丙烯酸或苯并环丁烯(BCB)基树脂制成，但是不限于此。

在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，第一基板110由透明导电氧化物和氧化物半导体中的任一种制成。因此，可以减小显示装置100的厚度。常规地，塑料基板已被用于显示装置的基板。然而，塑料基板是通过在高温下涂覆和固化基板材料而形成的。因此，形成塑料基板需要花费很长时间，并且难以将塑料基板形成为预定厚度或更小厚度。然而，透明导电氧化物和氧化物半导体可以通过诸如溅射的沉积工艺形成为非常小的厚度。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，被配置成支承显示装置100的各种部件的第一基板110被形成为透明导电氧化物层或氧化物半导体层中的一个。因此，可以减小显示装置100的厚度，并且显示装置100可以具有纤薄的设计。

同时，已经通过在与玻璃基板相比相对柔性的塑料基板上形成发光元件和驱动电路来形成柔性显示装置。然而，当显示装置过度变形时，显示装置可能由于变形引起的应力而损坏。因此，优选地减小显示装置的厚度以进一步提高柔性，并且因此减少施加至显示装置的应力。然而，如上所述，难以将塑料基板形成为预定厚度或更小厚度。

因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，第一基板110由透明导电氧化物或氧化物半导体制成，以提高显示装置100的柔性。此外，可以减少当显示装置100变形时生成的应力。具体地，如果第一基板110形成为透明导电氧化物层或氧化物半导体层中的一个，则第一基板110可以形成为非常薄的膜。在这种情况下，第一基板110还可以被称为第一透明薄膜层。因此，包括第一基板110的显示装置100可以具有高柔性，并且显示装置100可以容易地弯曲或卷曲。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，第一基板110形成为透明导电氧化物层或氧化物半导体层中的任一种。因此，可以提高显示装置100的柔性，并且可以减小当显示装置100变形时生成的应力。因此，可以使显示装置100中裂纹等的出现最小化。

尽管已经使用塑料基板而不是玻璃基板来实现柔性显示装置，但是塑料基板比玻璃基板更可能生成静电。这样的静电可能影响塑料基板上的各种线和驱动元件，并且因此一些部件可能损坏或者显示装置的显示质量可能劣化。因此，使用塑料基板的显示装置还需要用于阻挡和释放静电的单独部件。

在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，第一基板110形成为透明导电氧化物层和氧化物半导体层中的任一种。因此，可以降低第一基板110中静电的生成的可能性。如果第一基板110由塑料制成并且生成静电，则静电可能损坏第一基板110上的各种线和驱动元件或者影响部件的驱动。因此，显示质量可能劣化。然而，如果第一基板110形成为透明导电氧化物层或氧化物半导体层，则可以使第一基板110中静电的生成最小化。此外，可以简化用于阻挡和释放静电的部件。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，第一基板110形成为不太可能生成静电的透明导电氧化物层或氧化物半导体层中的任一种。因此，可以使由静电引起的图像质量的损坏或劣化最小化。

同时，如果塑料基板用于显示装置的基板，则在形成塑料基板时可能生成异物。例如，当基板材料被涂覆并固化以形成塑料基板时，可能生成异物。此外，这些异物可能促进水分和氧气到显示装置中的渗透。此外，基板上的各种部件可能由于异物而不均匀地形成。因此，在通过涂覆和固化形成的塑料基板中，异物可能导致显示装置内部的发光元件的劣化或晶体管的特性劣化。

然而，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，第一基板110由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成。因此，可以使来自外部的水分或氧气通过第一基板110到显示装置100中的渗透最小化。如果第一基板110形成为透明导电氧化物层或氧化物半导体层，则第一基板110在真空环境中形成。因此，异物生成的可能性非常低。此外，即使生成异物，异物的尺寸也非常小。因此，可以使水分和氧气到显示装置100中的渗透最小化。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，第一基板110由透明导电氧化物或氧化物制成，该透明导电氧化物或氧化物不太可能生成异物并且具有优异的水分阻挡性能。因此，可以提高包括有机层的发光元件OLED和显示装置100的可靠性。

此外，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，第一基板110由透明导电氧化物或氧化物半导体中的任一种制成。因此，薄且便宜的阻挡膜可以附接在第一基板110下方。如果第一基板110由诸如塑料的具有低水分阻挡性能的材料制成，则可以附接厚且昂贵的阻挡膜，以补充水分阻挡性能。然而，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，第一基板110由具有优异水分阻挡性能的透明导电氧化物或氧化物半导体制成。因此，薄且便宜的阻挡膜可以附接在第一基板110下方。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，第一基板110由具有优异水分阻挡性能的透明导电氧化物或氧化物半导体中的任一种制成。因此，可以降低显示装置的制造成本。

在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，第一基板110由透明导电氧化物或氧化物半导体中的任一种制成。因此，可以执行激光剥离(LLO)过程。当制造显示装置100时，其上形成有牺牲层的临时基板可以被设置在第一基板110下方，并且然后，像素单元120可以形成在第一基板110上。例如，可以通过沉积透明导电氧化物或氧化物半导体在临时基板上形成第一基板110，其中，临时基板110上形成有牺牲层。牺牲层可以由氢化非晶硅或氢化的掺杂非晶硅制成。如果在完全制造显示装置100之后从临时基板下方照射激光，则可以使牺牲层脱氢。因此，牺牲层和临时基板可以与第一基板110分离。在这种情况下，透明导电氧化物和氧化物半导体是适用于牺牲层和临时基板的LLO过程的材料。因此，即使第一基板110由透明导电氧化物或氧化物半导体中的任一种制成，第一基板110也可以容易地与临时基板分离。因此，在根据本公开内容的示例性实施方式的显示装置100中，第一基板110形成为适用于LLO过程的透明导电氧化物层或氧化物半导体层中的一个。因此，显示装置100可以通过使用现有的工艺和设备容易地制造。

图6是根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置的平面图。图7是图6所示区域A的示意性截面图。除了显示装置600还包括导电带CT之外，图6和图7所示的显示装置600与图1至图5所示的显示装置100基本上相同。因此，将省略对其的冗余描述。

参照图6和图7，低电位电力线VSS设置在非显示区域NA中的第一绝缘层IN1之上。低电位电力线VSS和第一基板110在其间设置有第一绝缘层IN1。低电位电力线VSS电连接至多个子像素SP中的每一个中的发光元件OLED的阴极CA。低电位电力线VSS可以设置在非显示区域NA中，以包围显示区域AA。例如，设置在非显示区域NA中的低电位电力线VSS可以具有包围显示区域AA的环形或者可以具有与显示区域AA的一部分对应的条形。然而，低电位电力线VSS的布置和形状仅是示例，并且不限于此。

低电位电力线VSS可以与包括栅极线GL、数据线DL等的多个线中的一个一起形成。因此，低电位电力线VSS可以设置在第一绝缘层IN1上的各种绝缘层例如缓冲层111、栅极绝缘层112与钝化层113之间。例如，缓冲层111和栅极绝缘层112可以设置在低电位电力线VSS下方，钝化层113可以设置在低电位电力线VSS上。然而，低电位电力线VSS可以设置在缓冲层111与栅极绝缘层112之间或者第一绝缘层IN1与缓冲层111之间，但是不限于此。

导电带CT被设置成电连接低电位电力线VSS和第一基板110。导电带CT可以在多个柔性膜160之间的区域中电连接低电位电力线VSS和第一基板110。导电带CT的一端可以在多个柔性膜160之间的区域中与低电位电力线VSS接触，并且导电带CT的另一端可以与第一基板110的侧表面和下表面接触。导电带CT可以被设置成覆盖低电位电力线VSS的上部、低电位电力线VSS与第一基板110之间的多个绝缘层111、112和113的侧表面、以及第一基板110的侧表面和下表面的一部分。然而，导电带CT的连接结构仅是示例，并且不限于此。

同时，用于连接低电位电力线VSS和导电带CT的焊盘电极PE可以设置在覆盖低电位电力线VSS的多个绝缘层111、112和113上。例如，可以在覆盖低电位电力线VSS的绝缘层111、112和113中形成有接触孔，并且焊盘电极PE可以通过接触孔连接至低电位电力线VSS。此外，导电带CT可以通过焊盘电极PE电连接至低电位电力线VSS。因此，第一基板110可以通过导电带CT和焊盘电极PE电连接至低电位电力线VSS，并且第一基板110可以电接地。

同时，在第一基板110上可以设置有多个线和各种部件例如晶体管。此外，当向多个线和各种部件中的每一个施加电压并且电流流动时，可以形成各种电场。形成为透明导电氧化物层和氧化物半导体层中的任一种的第一基板110可能受到各种电场的影响。因此，电子可以聚集在第一基板110的一部分中，并且空穴可以聚集在另一部分中，即，可以形成另一个电场。形成在第一基板110中的电场可以影响设置在第一基板110上的各种部件的特性。

例如，第一基板110的与多个晶体管TR1、TR2和TR3交叠的一部分中发生偏振。偏振可以抑制多个晶体管TR1、TR2和TR3的有源层ACT1、ACT2和ACT3中的电子或空穴的移动。此外，偏振可以使得难以形成沟道区。特别地，如果用作控制发光元件OLED的灰度级的驱动晶体管的第一晶体管TR1受到第一基板110中的偏振的影响，则难以控制发光元件OLED的灰度级。此外，可能出现诸如残像的缺陷。

因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置600中，由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成的第一基板110电连接至低电位电力线VSS。因此，可以抑制第一基板110中偏振的发生。第一基板110可以电连接至低电位电力线VSS以接地。在这种情况下，第一基板110上的各种电场可以抑制第一基板110中偏振的发生。因此，还可以抑制偏振对第一基板110上的晶体管的沟道区的影响。因此，在根据本公开内容的另一示例性实施方式的显示装置600中，第一基板110电连接至低电位电力线VSS。因此，可以在第一基板110中保持恒定电位。此外，可以使设置在第一基板110上的各种部件的特性变化最小化，并且改善图像质量的劣化。

图8是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的示意性截面图。除了显示装置800还包括第二基板880之外，图8所示的显示装置800与图1至图5所示的显示装置100基本上相同。因此，将省略对其的冗余描述。

参照图8，第二基板880设置在第一基板110与像素单元120之间。第二基板880设置在第一绝缘层IN1的上表面上。类似于第一基板110，第二基板880由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成。例如，第二基板880可以由诸如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(ITZO)等的透明导电氧化物(TCO)制成。此外，第二基板880可以由包括铟(In)和镓(Ga)的氧化物半导体材料制成，例如诸如铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓氧化物(IGO)、铟锡锌氧化物(ITZO)等的氧化物半导体。

如果第二基板880形成为透明导电氧化物层或氧化物半导体层，则第二基板880可以形成为超薄膜。因此，第二基板880还可以被称为第二透明薄膜层。

第二基板880被设置成与整个显示区域AA和整个非显示区域NA对应。当从上方观察时，第二基板880可以在形状上对应于第一基板110。第一基板110和第二基板880可以具有相同的尺寸。

在第二基板880与像素单元120之间设置有第二绝缘层IN2。第二绝缘层IN2可以抑制从显示装置800的外部渗透的水分和/或氧气的扩散。绝缘层IN2可以抑制由透明导电氧化物和氧化物半导体中的任一种制成的第二基板880与诸如像素单元120的另一部件之间的接触所导致的短路的发生。第二绝缘层IN2可以是由无机材料制成。例如，第二绝缘层IN2可以形成为硅氧化物(SiOx)或硅氮化物(SiNx)的单层或多层，但是不限于此。

同时，尽管在附图中未示出，但是第一基板110和第二基板880两者均可以接地，以不影响设置在第一基板110和第二基板880上的各种部件的特性。本公开内容不限于此。

在根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置800中，第一基板110与第二基板880一起设置。因此，可以提高显示装置800的可靠性。当制造显示装置800时，像素单元120可以在第一基板110下方附接临时基板的状态下形成在第一基板110上。在该过程完成之后，可以执行用于将激光照射至临时基板以将第一基板110与临时基板分离的LLO过程。同时，第一基板110可能被照射的激光损坏。如果第一基板110被损坏，则水分和氧气可能渗透到显示装置800中，这可能导致缺陷。因此，即使第一基板110被损坏，不受LLO过程直接影响的第二基板880设置在第一基板110与像素单元120之间。因此，可以保护像素单元120并且提高显示装置800的可靠性。

图9A和图9B是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的放大平面图。图10是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的示意性截面图。图9A是示出根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置900的多个子像素SP的放大平面图。图9B是示出根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置900的多个子像素SP中的电路区域的放大平面图。为了便于描述，图10示意性地示出了多个子像素SP中的每一个中的驱动电路DP。此外，为了便于描述，示意性地示出了图10所示的第一基板110、第一绝缘层IN1、第二绝缘层IN2和缓冲层111的厚度比。然而，实际厚度比不限于此。除了遮光层LS和第二基板980之外，图9A至图10所示的显示装置900与图8所示的显示装置800基本上相同。因此，将省略对其的冗余描述。

参照图9A和图9B，遮光层LS设置在多个子像素SP中的第一晶体管TR1、第二晶体管TR2和第三晶体管TR3中的每一个下方。遮光层LS可以被设置成与第一晶体管TR1的第一有源层ACT1、第二晶体管TR2的第二有源层ACT2和第三晶体管TR3的第三有源层ACT3交叠。例如，遮光层LS可以被设置成与第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3中的每一个的至少沟道区交叠。

同时，第一有源层ACT1下方的遮光层LS、第二有源层ACT2下方的遮光层LS和第三有源层ACT3下方的遮光层LS可以形成为一体。此外，它们可以电连接至第一电容器电极SC1和第一源电极SE1。也就是说，子像素SP的遮光层LS可以电连接至第一电容器电极SC1、第一源电极SE1和阳极AN。

例如，遮光层LS的与第二源电极SE2和第二有源层ACT2交叠并且用作第一电容器电极SC1的一部分可以朝向第二栅电极GE2和第二有源层ACT2突出。此外，从遮光层LS的用作第一电容器电极SC1的一部分朝向第三晶体管TR3的第三源电极SE3延伸的遮光层LS的一部分可以朝向第三栅极电极GE3和第三有源层ACT3突出。因此，从遮光层LS的用作第一电容器电极SC1的一部分延伸的遮光层LS甚至可以设置在第二有源层ACT2和第三有源层ACT3下方。因此，第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3下方的所有遮光层LS可以形成为一体。

同时，当遮光层LS与第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3交叠时，其可能影响多个晶体管TR1、TR2和TR3的特性。因此，与第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3交叠的遮光层LS可以被施加有特定电压。第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3下方的各个遮光层LS可以单独地形成。然而，在这种情况下，第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3下方的各个遮光层LS需要分别地连接至多个晶体管TR1、TR2和TR3或存储电容器SC。因此，电路区域的工艺和设计可能很复杂。因此，在根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置900中，第一有源层ACT1、第二有源层ACT2和第三有源层ACT3下方的所有遮光层LS可以形成为一体。因此，可以容易地将电压施加至遮光层LS。

一起参照图10，一个遮光层LS可以被设置成与多个子像素SP中的每一个中的包括第一晶体管TR1、第二晶体管TR2、第三晶体管TR3和存储电容器SC的驱动电路DP交叠。

此外，多个第二基板980设置在第一基板110与遮光层LS之间。多个第二基板980中的每一个被设置成对应于多个子像素SP中的每一个。一个第二基板980可以被设置成对应于一个子像素SP的电路区域。多个第二基板980分别被设置成对应于多个子像素SP。因此，即使第一基板110在LLO过程期间被损坏，也可以保护多个子像素SP。

同时，多个第二基板980可以分别电连接至多个子像素SP的遮光层LS。通过将多个第二基板980电连接至遮光层LS，多个第二基板980可以不浮置。也就是说，子像素SP的遮光层LS和与子像素SP对应的第二基板980可以电连接至阳极AN和第一源电极SE1。因此，遮光层LS和第二基板980可以具有与阳极AN和第一源电极SE1相同的电位。

因此，在根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置900中，多个子像素SP的遮光层LS分别电连接至被设置成对应于多个子像素SP的第二基板980。因此，可以使第二基板980对多个子像素SP的驱动的影响最小化。当最靠近像素单元120并形成为透明导电氧化物层或氧化物半导体层的第二基板980浮置时，即使在第二基板980中也会由于像素单元120上的各种电场而发生偏振。偏振可以影响像素单元120。因此，可以通过将第二基板980电连接至最靠近第二基板980的遮光层LS来减少第二基板980中的偏振。在这种情况下，如果分别对应于多个子像素SP的第二基板980彼此连接并且形成为一体，则多个子像素SP的遮光层LS和阳极AN可以通过第二基板980彼此连接。因此，在显示装置900中可能出现缺陷。因此，第二基板980可以被图案化成分别对应于多个子像素SP的多个分离的片。然后，多个第二基板980中的每一个可以电连接至对应子像素SP的遮光层LS。因此，在根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置900中，多个第二基板980可以分别被形成为对应于多个子像素SP，以保护多个子像素SP。此外，在根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置900中，多个子像素SP中的每一个中的遮光层LS可以电连接至与多个子像素SP中的每一个对应的第二基板980。因此，第二基板980可以不影响多个子像素SP中的每一个的驱动，并且可以提高显示图像的质量。

图11是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的平面图。图12是根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置的示意性截面图。图12是示出根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置1100的栅极驱动区域NA1的示意性截面图。为了便于描述，示意性地示出了图12所示的第一基板110、第一绝缘层IN1、第二绝缘层IN2和缓冲层111的厚度比。然而，实际厚度比不限于此。除了第二基板1180之外，图11和图12所示的显示装置1100与图8所示的显示装置800基本上相同。因此，将省略对其的冗余描述。

参照图11和图12，非显示区域NA包括栅极驱动区域NA1。栅极驱动区域NA1是设置有栅极驱动器GD的区域。例如，形成栅极驱动器GD的栅极驱动区域NA1可以是指设置在显示区域AA的左侧和右侧上的非显示区域NA，但是不限于此。设置有栅极驱动器GD的栅极驱动区域NA1还可以被称为GIP区域。

栅极驱动器GD设置在非显示区域NA的栅极驱动区域NA1中。栅极驱动器GD可以在时序控制器的控制下输出栅极电压和发光控制电压，以选择要被充电有数据电压的子像素SP并且调整发射时序。栅极驱动器GD可以通过板内栅极驱动器(GIP)过程形成在第一基板110的非显示区域NA中。

第二基板1180被设置成对应于非显示区域NA。第二基板1180可以被设置成至少对应于设置有栅极驱动器GD的非显示区域NA的栅极驱动区域NA1。例如，第二基板1180可以被设置成与设置在显示区域AA的左侧和右侧上的栅极驱动区域NA1交叠。

此外，第二基板1180可以电连接至设置在非显示区域NA中的低电位电力线VSS。例如，低电位电力线VSS可以设置在第二基板1180和第二绝缘层IN2上，并且可以通过形成在第二绝缘层IN2中的接触孔电连接至第二基板1180。

根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置1100包括电连接至低电位电力线VSS并且与栅极驱动器GD交叠的第二基板1180。因此，可以保护栅极驱动器GD而不影响栅极驱动器GD的驱动。栅极驱动器GD可以具有包括各种部件的复杂电路结构，以将栅极电压顺序地输出至显示区域AA中的多个栅极线GL。第二基板1180可以进一步被设置成对应于栅极驱动器GD，以保护栅极驱动器GD的各种部件。由于第二基板1180进一步设置在非显示区域NA的栅极驱动区域NA1中，因此可以保护栅极驱动器GD免受外部冲击、氧气和水分的影响。然而，由于第二基板1180由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成，因此当栅极驱动器GD被驱动时会发生偏振，这可能抑制栅极驱动器GD的驱动。因此，设置在非显示区域NA中的低电位电力线VSS和第二基板1180彼此电连接。因此，可以控制第二基板1180以具有均匀的电位。此外，可以使第二基板1180对栅极驱动器GD的驱动的影响最小化。因此，在根据本公开内容的又一示例性实施方式的显示装置1100中，被设置成对应于栅极驱动器GD的第二基板1180可以电连接至低电位电力线VSS。因此，可以保护栅极驱动器GD而不抑制栅极驱动器GD的驱动。

本发明的示例性实施方式还可以描述如下：

根据本公开内容的一个方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括：第一基板，其包括显示区域和非显示区域，该显示区域与多个子像素对应，并且第一基板由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成；第一绝缘层，其设置在第一基板上；以及多个发光元件，该多个发光元件设置在多个子像素中、第一绝缘层上。

显示装置还可以包括设置在第一绝缘层上的低电位电力线。低电位电力线可以电连接至第一基板。

显示装置还可以包括：第二基板，其设置在第一绝缘层与多个发光元件之间并且由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成；以及第二绝缘层，其设置在第二基板和多个发光元件之间。

第二基板可以设置成对应于显示区域和非显示区域。

第二基板包括多个第二基板，并且多个第二基板中的每个可以被设置成与多个子像素中相应子像素对应。

多个子像素中的每一个可以包括设置在第二基板上的一个或更多个遮光层，以及设置成与遮光层交叠的多个晶体管。遮光层可以电连接至与多个子像素中的每一个对应的第二基板。

非显示区域可以包括设置有栅极驱动器的栅极驱动区域，并且第二基板可以设置成对应于栅极驱动区域。

显示装置还可以包括附接至第一基板的一个表面的偏振板。

根据本公开内容的另一方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括：第一透明薄膜层，其包括显示区域和非显示区域，并且第一透明薄膜层由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成；像素单元，其设置在显示区域中并包括多个子像素；第一绝缘层，其设置在第一透明薄膜层与像素单元之间；以及偏振板，其设置在第一透明薄膜层下方。

显示装置还可以包括：低电位电力线，其设置在第一透明薄膜层上并被配置成将低电位电源电压传输到像素单元；多个柔性膜，其一端接合到非显示区域，并且多个柔性膜彼此间隔开；以及导电带，其在非显示区域中的多个柔性膜之间的区域中电连接低电位电力线和第一透明薄膜层。导电带可以设置成包围第一透明薄膜层的侧表面、第一绝缘层的侧表面和低电位电力线的上部。

显示装置还可以包括：一个或更多个第二透明薄膜层，该一个或更多个第二透明薄膜层由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成并设置在第一绝缘层与像素单元之间；以及第二绝缘层，其设置在一个或更多个第二透明薄膜层与像素单元之间。

当从上方看时，一个或更多个第二透明薄膜层在形状上可以对应于第一透明薄膜层。

第二透明薄膜层可以在显示区域中被划分为多个第二透明薄膜层，并且多个第二透明薄膜层可以设置成分别与多个子像素交叠。

多个子像素中的每一个可以包括：设置在第二绝缘层上的多个晶体管；以及遮光层，其设置在多个晶体管和第二绝缘层之间并且与多个晶体管中的至少一个交叠，并且多个子像素中的遮光层可以分别电连接至多个第二透明薄膜层。

显示装置还可以包括设置在非显示区域中的栅极驱动器。一个或更多个第二透明薄膜层可以不与显示区域交叠并且可以被设置成与非显示区域中的栅极驱动器交叠。

第一透明薄膜层和第二透明薄膜层中的至少任何一个可以电接地。

根据本公开内容的一个实施例，显示装置包括：第一基板，其由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成；第一绝缘层，其设置在第一基板上；以及像素单元，其设置在第一绝缘层上。

根据本公开内容的一个实施例，制造显示装置的方法包括：在其上形成有牺牲层的临时基板上通过沉积透明导电氧化物或氧化物半导体形成第一基板；在第一基板上形成第一绝缘层和像素单元；以及通过从临时基板下方照射激光来将牺牲层和临时基板与第一基板分离。

尽管已经参照附图详细描述了本公开内容的示例性实施方式，但是本公开内容不限于此并且可以在不背离本公开内容的技术构思的情况下以许多不同的形式实施。因此，提供本公开内容的示例性实施方式仅用于说明的目的，而不旨在限制本公开内容的技术构思。本公开内容的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面都是示例性的，并不限制本公开内容。本公开内容的保护范围应基于所附权利要求理解，其等同范围内的所有技术构思均应理解为落入本公开内容的范围之内。

Claims (18)

1.一种显示装置，包括：

第一基板，其包括显示区域和非显示区域，所述显示区域与多个子像素对应，并且所述第一基板由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成；

第一绝缘层，其设置在所述第一基板上；以及

多个发光元件，所述多个发光元件设置在所述第一绝缘层上的所述多个子像素中。

2.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

设置在所述第一绝缘层上的低电位电力线，

其中，所述低电位电力线电连接至所述第一基板。

3.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

第二基板，其设置在所述第一绝缘层与所述多个发光元件之间，并且由所述透明导电氧化物和所述氧化物半导体中的一种制成；以及

第二绝缘层，其设置在所述第二基板与所述多个发光元件之间。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二基板被设置成对应于所述显示区域和所述非显示区域。

5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第二基板包括多个第二基板，并且所述多个第二基板中的每个被设置成与所述多个子像素中的相应子像素对应。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述多个子像素中的每一个包括：

设置在所述第二基板上的一个或更多个遮光层；以及

设置成与所述遮光层交叠的多个晶体管，

其中，所述遮光层电连接至对应于所述多个子像素中的每一个的第二基板。

7.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述非显示区域包括设置有栅极驱动器的栅极驱动区域，并且

所述第二基板被设置成对应于所述栅极驱动区域。

8.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：

偏振板，其附接至所述第一基板的一个表面。

9.一种显示装置，包括：

第一透明薄膜层，其包括显示区域和非显示区域并且由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成；

像素单元，其设置在所述显示区域中并且包括多个子像素；

第一绝缘层，其设置在所述第一透明薄膜层与所述像素单元之间；以及

偏振板，其设置在所述第一透明薄膜层下方。

10.根据权利要求9所述的显示装置，还包括：

低电位电力线，其设置在所述第一透明薄膜层上并且被配置成向所述像素单元传输低电位电源电压；

多个柔性膜，所述多个柔性膜的一端接合至所述非显示区域且所述多个柔性膜彼此间隔开；以及

导电带，其在所述非显示区域中的所述多个柔性膜之间的区域中电连接所述低电位电力线和所述第一透明薄膜层，

其中，所述导电带设置成包围所述第一透明薄膜层的侧表面、所述第一绝缘层的侧表面和所述低电位电力线的上部。

11.根据权利要求9所述的显示装置，还包括：

一个或更多个第二透明薄膜层，所述一个或更多个第二透明薄膜层由所述透明导电氧化物和所述氧化物半导体中的一种制成并且设置在所述第一绝缘层与所述像素单元之间；以及

第二绝缘层，其设置在所述一个或更多个第二透明薄膜层与所述像素单元之间。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，当从上面看时，所述一个或更多个第二透明薄膜层在形状上对应于所述第一透明薄膜层。

13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述一个或更多个第二透明薄膜层在所述显示区域中被划分为多个第二透明薄膜层，并且

所述多个第二透明薄膜层被设置成分别与所述多个子像素交叠。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述多个子像素中的每一个包括：

设置在所述第二绝缘层上的多个晶体管；以及

遮光层，其设置在所述多个晶体管与所述第二绝缘层之间并且与所述多个晶体管中的至少一个交叠，并且

所述多个子像素中的所述遮光层分别电连接至所述多个第二透明薄膜层。

15.根据权利要求11所述的显示装置，还包括：

设置在所述非显示区域中的栅极驱动器，

其中，所述一个或更多个第二透明薄膜层不与所述显示区域交叠，并且设置成与所述非显示区域中的所述栅极驱动器交叠。

16.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一透明薄膜层和所述第二透明薄膜层中的至少任一者电接地。

17.一种显示装置，包括：

第一基板，其由透明导电氧化物和氧化物半导体中的一种制成；

第一绝缘层，其设置在所述第一基板上；以及

像素单元，其设置在所述第一绝缘层上。

18.一种用于制造显示装置的方法，包括：

在其上形成有牺牲层的临时基板上通过沉积透明导电氧化物或氧化物半导体形成第一基板；

在所述第一基板上形成第一绝缘层和像素单元；以及

通过从所述临时基板下方照射激光来将所述牺牲层和所述临时基板与所述第一基板分离。

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