CN115734637A - 电荷产生层和叠层有机发光器件 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例提供一种电荷产生层和叠层有机发光器件，电荷产生层包括沿层叠设置的第一电荷层和第二电荷层，第一电荷层和第二电荷层中的一者掺杂有P型掺杂剂，另一者掺杂有N型掺杂剂，其中，沿第一电荷层至第二电荷层的方向，至少部分第一电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势，至少部分第二电荷层的掺杂剂浓度具有递减的趋势。本申请能够改善电荷产生层不稳定导致的第一发光器件层和第二发光器件层稳定性降低的问题。
Description
技术领域
本申请涉及显示设备技术领域，尤其涉及一种电荷产生层和叠层有机发光器件。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode；OLED)是主动发光器件。与传统的液晶显示(Liquid Crystal Display；LCD)显示方式相比，OLED显示技术无需背光灯，具有自发光的特性。OLED采用较薄的有机材料膜层和玻璃基板，当有电流通过时，有机材料就会发光。因此OLED显示面板能够显著节省电能，可以做得更轻更薄，比LCD显示面板耐受更宽范围的温度变化，而且可视角度更大。OLED显示面板有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
现有技术中，为了提高OLED显示面板的使用寿命，将多层OLED器件叠置并通过电荷产生层将多个OLED器件串联，电荷产生层中需要掺杂不同种类的金属，随着使用时间的加长，金属扩散会导致OLED器件稳定性降低的问题。
发明内容
本申请实施例提供一种电荷产生层和叠层有机发光器件，旨在解决多层发光器件中器件稳定性降低的问题。
本申请第一方面的实施例提供了一种电荷产生层，电荷产生层包括沿层叠设置的第一电荷层和第二电荷层，第一电荷层和第二电荷层中的一者掺杂有P型掺杂剂，另一者掺杂有N型掺杂剂，其中，沿第一电荷层至第二电荷层的方向，至少部分第一电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势，至少部分第二电荷层的掺杂剂浓度具有递减的趋势。
根据本申请第一方面的实施方式，第一电荷层和第二电荷层之间存在接触界面，至少部分第一电荷层的掺杂剂浓度沿靠近接触界面的方向具有递增的趋势，至少部分第二电荷层的掺杂剂浓度沿靠近接触界面的方向具有递增的趋势。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一电荷层具有背离第二电荷层一侧的第一界面，沿第一界面至接触界面的方向，第一电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第二电荷层具有背离第一电荷层一侧的第二界面，沿第二界面至接触界面的方向，第二电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一电荷层具有背离第二电荷层一侧的第一界面、及位于第一界面和接触界面之间的第一中间界面，沿第一中间界面至接触界面的方向，第一电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势，沿第一中间界面至第一界面的方向，第一电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第二电荷层具有背离第一电荷层一侧的第二界面、及位于第二界面和接触界面之间的第二中间界面，沿第二中间界面至接触界面的方向，第二电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势，沿第二中间界面至第二界面的方向，第二电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一电荷层和第二电荷层之间具有接触界面，第一电荷层的一部分的掺杂剂浓度沿靠近接触界面的方向具有递增的趋势，第一电荷层的另一部分的掺杂剂浓度沿靠近接触界面的方向具有递减的趋势，第二电荷层的一部分的掺杂剂浓度沿靠近接触界面的方向具有递减的趋势，第一电荷层的另一部分的掺杂剂浓度沿靠近接触界面的方向具有递增的趋势。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一电荷层具有背离第二电荷层一侧的第一界面、及位于第一界面和接触界面之间的第一中间界面，沿第一中间界面至接触界面或第一界面的方向，第一电荷层的掺杂剂浓度具有递减的趋势。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第二电荷层具有背离第一电荷层一侧的第二界面、及位于第二界面和接触界面之间的第二中间界面，沿第二中间界面至接触界面的方向和第二中间界面至第一界面的方向，第二电荷层的掺杂剂浓度具有递减的趋势。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，沿靠近第一电荷层和第二电荷层的接触界面的方向，第一电荷层和第二电荷层中一者的至少部分掺杂剂浓度具有递增，另一者的至少部分掺杂剂浓度具有递减的趋势。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，沿靠近接触界面的方向，第一电荷层至少部分的掺杂剂浓度具有递增的趋势；第二电荷层具有背离第一电荷层的第二界面和位于接触界面和第二界面之间的第二中间界面，沿第二中间界面至接触界面或第二界面的方向，第二电荷层的掺杂剂浓度具有递减的趋势。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一电荷层具有背离第二电荷层一侧的第一界面、及位于第一界面和接触界面之间的第一中间界面，沿第一中间界面至接触界面或第一界面的方向，第一电荷层的掺杂剂浓度具有递减的趋势，沿靠近接触界面的方向，第二电荷层至少一部分的掺杂剂浓度具有递增的趋势。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一电荷层掺杂有P型掺杂剂，第二电荷层掺杂有N型掺杂剂，第一电荷层和第二电荷层之间具有接触界面，第一电荷层具有背离第二电荷层一侧的第一界面，第一界面用于对接空穴传输层，沿靠近第一界面的方向，至少部分第一电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一电荷层具有位于第一界面和接触界面之间的第一中间界面，沿第一中间界面至接触界面的方向，第一电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势，沿第一中间界面朝向第一界面的方向，第一电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第二电荷层具有背离第一电荷层一侧的第二界面，沿第二界面至接触界面的方向，第二电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一电荷层中P型掺杂剂的掺杂剂浓度为0～20％。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第一电荷层中P型掺杂剂的掺杂剂浓度为2～20％。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第二电荷层中N型掺杂剂的掺杂剂浓度为0～10％。
根据本申请第一方面前述任一实施方式，第二电荷层中N型掺杂剂的掺杂剂浓度为1～10％。
本申请第二方面的实施例还提供了一种叠层有机发光器件，包括层叠设置的第一发光器件层、第二发光器件层和上述任一项的电荷产生层，其中，第一发光器件层和第二发光器件层通过电荷产生层串联。
在本申请实施例提供的电荷产生层中，电荷产生层包括第一电荷层和第二电荷层，第一电荷层和第二电荷层中的一者掺杂P型掺杂剂，另一者掺杂N型掺杂剂，使得电荷产生层能够产生对应载流子。沿第一电荷层至第二电荷层的方向，至少部分第一电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势，至少部分第二电荷层的掺杂剂浓度具有递减的趋势，即至少部分第一电荷层和第二电荷层的掺杂剂浓度变化趋势不同，在保证提供足够电子的同时，提升界面处受电子轰击的能力，从而改善电荷产生层不稳定导致第一发光器件层和第二发光器件层的器件稳定性降低的问题，延长叠层有机发光器件的使用寿命。
附图说明
通过阅读以下参照附图对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显，其中，相同或相似的附图标记表示相同或相似的特征。
图1是本发明实施例提供的一种叠层有机发光器件的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种叠层有机发光器件的层结构的能量示意图；
图3至图10是本发明提供的一种电荷产生层中第一电荷层和第二电荷层的掺杂剂浓度在一些不同实施例中的变化趋势图；
图11是本发明另一实施例提供的一种叠层有机发光器件结构示意图；
图12至图19是本发明提供的一种电荷产生层中第一电荷层和第二电荷层的掺杂剂浓度在另一些不同实施例中的变化趋势图；
图20是本发明实施例提供的一种叠层有机发光器件的制备方法流程示意图。
附图标记说明：
10、叠层有机发光器件；11、第一发光器件层；111、第一电子传输层；112、第一发光材料层；113、第一空穴传输层；12、第二发光器件层；121、第二电子传输层；122、第二发光材料层；123、第二空穴传输层；13、电荷产生层；131、第一电荷层；131a、第一界面；131b、第一中间界面；132、第二电荷层；132a、第二界面；132b、第二中间界面；133、接触界面；14、第一电极；15、第二电极。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中，提出了许多具体细节，以便提供对本申请的全面理解。但是，对于本领域技术人员来说很明显的是，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本发明的更好的理解。在附图和下面的描述中，至少部分的公知结构和技术没有被示出，以便避免对本发明造成不必要的模糊；并且，为了清晰，可能夸大了部分结构的尺寸。此外，下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有说明，“多个”的含义是两个以上；术语“上”、“下”、“左”、“右”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
下述描述中出现的方位词均为图中示出的方向，并不是对本发明的实施例的具体结构进行限定。在本发明的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可视具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
为了更好地理解本发明，下面结合图1至图20对本发明实施例的电荷产生层和叠层有机发光器件进行详细描述。
请参阅图1、图2和图11，图1为本发明实施例提供的一种叠层有机发光器件的结构示意图，图2是本发明实施例提供的一种叠层有机发光器件的层结构的能量示意图，图11是本发明另一实施例提供的一种叠层有机发光器件结构示意图。
如图1、图2和图11所示，本发明提供的叠层有机发光器件10包括沿其厚度方向层叠设置的第一发光器件层11、第二发光器件层12和位于第一发光器件层11和第二发光器件层12之间的电荷产生层13。
在本发明提供的实施例中，叠层有机发光器件10包括层叠设置的第一发光器件层11和第二发光器件层12，第一发光器件层11和第二发光器件层12均能够发光以实现叠层有机发光器件10的显示，通过设置层叠设置的第一发光器件层11和第二发光器件层12能够提高叠层有机发光器件10的使用寿命和发光效率。第一发光器件层11和第二发光器件层12之间设置有电荷产生层13，电荷产生层13用于连接第一发光器件层11和第二发光器件层12。
电荷产生层13可以被称为“中间连接层”，因为电荷产生层13可以控制第一发光器件层11和第二发光器件层12之间的空穴和电子的平衡。电荷产生层13包括掺杂有P型掺杂剂的P型电荷产生层和掺杂有N型掺杂剂的N型电荷产生层。P型电荷产生层可以帮助将空穴注入到第一发光器件层11和第二发光器件层12其中之一中，N型电荷产生层可以帮助将电子注入到第一发光器件层11和第二发光器件层12其中另一者中。
电荷产生层13的设置方式有多种，本发明实施例还提供一种电荷产生层，如图1和图11所示，电荷产生层13包括沿厚度方向层叠设置的第一电荷层131和第二电荷层132。
如图1所示，第一电荷层131掺杂有N型掺杂剂，第二电荷层132掺杂有P型掺杂剂，其中，沿第一电荷层131至第二电荷层132的方向，至少部分第一电荷层131的掺杂剂浓度具有递增的趋势，至少部分第二电荷层132的掺杂剂浓度具有递减的趋势。如图11所示，第一电荷层131掺杂P型掺杂剂，第二电荷层132掺杂有N型掺杂剂。即电荷产生层13包括层叠设置的第一电荷层131和第二电荷层132，第一电荷层131和第二电荷层132中的一者掺杂有P型掺杂剂，另一者掺杂有N型掺杂剂，其中，沿第一电荷层131至第二电荷层132的方向，至少部分第一电荷层131的掺杂剂浓度具有递增的趋势，至少部分第二电荷层132的掺杂剂浓度具有递减的趋势。
在本发明实施例提供的电荷产生层13中，电荷产生层13包括第一电荷层131和第二电荷层132，第一电荷层131和第二电荷层132中的一者掺杂P型掺杂剂，另一者掺杂N型掺杂剂，使得电荷产生层13能够产生对应载流子。沿第一电荷层131至第二电荷层132的方向，至少部分第一电荷层131的掺杂剂浓度具有递增的趋势，至少部分第二电荷层132的掺杂剂浓度具有递减的趋势，即至少部分第一电荷层131和第二电荷层132的掺杂剂浓度变化趋势不同，能够改善电荷产生层13不稳定导致第一发光器件层11和第二发光器件层12的器件稳定性降低的问题。
第一发光器件层11和第二发光器件层12可以为OLED发光器件层。可选的，第一发光器件层11可以包括第一电子传输层111、第一发光材料层112和第一空穴传输层113，第二发光器件层12可以包括第二电子传输层121、第二发光材料层122和第二空穴传输层213。
可选的，叠层有机发光器件10还包括第一电极14和第二电极15，第一电极14和第二电极15分设于第一发光器件层11和第二发光器件层12的两侧，第一电极14和第二电极15中的一者为阳极，另一者为阴极，第一电极14、第二电极15与电荷产生层13共同驱动第一发光器件层11和第二发光器件层12发光。
可选的，第一发光材料层112和第二发光材料层122均可以包括红色发光单元、绿色发光单元和蓝色发光单元，以实现叠层有机发光器件10的彩色化显示。
根据图1所示的叠层有机发光器件10的结构，图3至图10的实施例以第一电荷层131中掺杂N型掺杂剂且第二电荷层132中掺杂P型掺杂剂为例，说明电荷产生层13中第一电荷层131和第二电荷层132的掺杂剂浓度在一些不同实施例中的变化趋势图。在上述实施例中，第一电荷层131与第一电子传输层111相邻，第二电荷层132与第二空穴传输层123相邻。
可选的，沿第一电荷产生层131至第二电荷产生层132的方向，至少部分第一电荷层131的掺杂剂浓度具有递增的趋势包括：沿第一电荷产生层131至第二电荷产生层132的方向，所有的第一电荷层131的掺杂剂浓度具有递增的趋势；或者，部分第一电荷层131的掺杂剂浓度具有递增的趋势，另一部分第一电荷层131的掺杂剂浓度递减或不变。当第一电荷层131的掺杂剂为N型掺杂剂时，沿第一发光器件层11至第二发光器件层12的方向，第一电荷层131的N型掺杂剂浓度具有递增的趋势，或者，部分第一电荷层131的N型掺杂剂浓度具有递增的趋势，另一部分第一电荷层131的N型掺杂剂浓度具有递减的趋势。
可选的，当第一电荷层131的掺杂剂为N型掺杂剂时，N型掺杂剂的掺杂剂浓度可以在0％～10％之间变化。例如，N型掺杂剂的掺杂剂浓度可以在1％～10％之间变化。在本发明中，掺杂剂的掺杂剂浓度指的是掺杂剂的体积占整体的比例。
可选的，沿第一电荷层131至第二电荷层132的方向，至少部分第二电荷层132的掺杂剂浓度具有递减的趋势包括：沿第一电荷层131至第二电荷层132的方向，所有的第二电荷层132的掺杂剂浓度具有递减的趋势，或者，部分第二电荷层132的掺杂剂浓度具有递减的趋势，另一部分第二电荷层132的掺杂剂浓度递增或不变。当第二电荷层132的掺杂剂为P型掺杂剂时，沿第一发光器件层11至第二发光器件层12的方向，所有的第二电荷层132的P型掺杂剂浓度具有递减的趋势，或者，部分第二电荷层132的P型掺杂剂浓度具有递减的趋势，另一部分第二电荷层132的P型掺杂剂浓度具有递增的趋势。
可选的，当第二电荷层132的掺杂剂为P型掺杂剂时，P型掺杂剂的掺杂剂浓度体积比可以在0％～20％之间变化。例如，当第二电荷层132的掺杂剂为P型掺杂剂时，P型掺杂剂的掺杂剂浓度体积比可以在2％～20％之间变化。
可选的，第一电荷层131的厚度范围是5nm～30nm。第二电荷层132的厚度范围是5nm～30nm。
可选的，p型掺杂剂为一类深LUMO具有较强吸电子材料，n型掺杂剂可以为碱金属、碱土金属、镧系金属、过渡金属等金属及其化合物。
在一些可选的实施例中，沿靠近第一电荷层131和第二电荷层132的接触界面133，至少部分第一电荷层131和第二电荷层132的掺杂剂浓度均具有递增的趋势。即至少部分第一电荷层13的掺杂剂浓度1沿靠近接触界面133的方向具有递增的趋势，至少部分第二电荷层132的掺杂剂浓度沿靠近接触界面133的方向具有递增的趋势。
如图1、3至图10所示，以第一发光器件层11到第二发光器件层12的方向为参照，第一电荷层131的掺杂剂为N型掺杂剂，第二电荷层132的掺杂剂为P型掺杂剂，第一发光器件层11靠近第一电荷层131的表面为第一参考面，第二发光器件层12靠近第二电荷层132的表面为第二参考面。图3至图10的横坐标是与第一参考面之间的距离H，定义第一界面131a到第一参考面的距离为0，接触界面到第一参考面的距离H1，第二界面132a到第一参考面的距离为H2，第一中间界面131b到第一参考面的距离H3，第二中间界面132b到第一参考面的距离H4。图3至图10的纵坐标为第一电荷层131和第二电荷层132中的掺杂剂浓度P，第一电荷层131的掺杂剂浓度在0-P1之间变化，第二电荷层的掺杂剂浓度在0-P2之间变化。P1的取值范围是0～10％，P2的取值范围是0～20％，且P1和P2均不取值0。
本发明实施例以第一电荷层131和第二电荷层132的厚度均为15nm为例，即，H1为15nm，H2为30nm，H3取值7.5nm，H4取值22.5nm。第一电荷层131的掺杂剂浓度在0～10％之间逐渐变化。第二电荷层132的掺杂剂浓度在0～20％之间变化，即，P1取10％，H2取20％。
由图3至图6可知，至少部分第一电荷层131和第二电荷层132的掺杂剂浓度在靠近接触界面133的方向上均呈递增趋势。
在这些可选的实施例中，沿靠近接触界面133，至少部分第一电荷层131和第二电荷层132的掺杂剂浓度均具有递增的趋势，即靠近接触界面133，第一电荷层131和第二电荷层132的掺杂剂浓度均较大，能够减小第一电荷层131和第二电荷层132之间的电荷势垒，使用较小的电压即可使得载流子在第一电荷层131和第二电荷层132之间传输，即使用较小的电压即可点亮第一发光器件层11和第二发光器件层12，能够降低叠层有机发光器件10的功耗。可选的，在上述实施例中，第一电荷层131和第二电荷层132在接触界面133处的掺杂剂浓度最高，以进一步降低叠层有机发光器件10的功耗。
在一些可选的实施例中，如图1、图3和图4所示，第一电荷层131具有背离第二电荷层132一侧的第一界面131a，沿第一界面131a至接触界面133的方向，第一电荷层131的掺杂剂浓度具有递增的趋势。即第一电荷层131整体的掺杂剂浓度在靠近接触界面133的方向上递增，能够简化第一电荷层131的掺杂复杂程度，便于第一电荷层131的制备成型，能够提高叠层有机发光器件10的制备效率。
在一些可选的实施例中，如图1、图5和图6所示，第一电荷层131具有背离第二电荷层132一侧的第一界面131a、及位于第一界面131a和接触界面133之间的第一中间界面131b，沿第一中间界面131b至接触界面133的方向，第一电荷层131的掺杂剂浓度具有递增的趋势。
在这些可选的实施例中，在接触界面133附近，第一电荷层131的掺杂剂浓度均较大，能够减小第一电荷层131和第二电荷层132之间的电荷势垒，降低叠层有机发光器件10的功耗。
可选的，沿第一中间界面131b至第一界面131a的方向，第一电荷层131的掺杂剂浓度具有递增的趋势。即在第一界面131a附近，第一电荷层131的掺杂剂浓度较低。
在一些可选的实施例中，如图1、图3和图6所示，第二电荷层132具有背离第一电荷层131一侧的第二界面132a，沿第二界面132a至接触界面133的方向，第二电荷层132的掺杂剂浓度具有递增的趋势。即第二电荷层132整体的掺杂剂浓度在靠近接触界面133的方向上递减，能够简化第二电荷层132的掺杂复杂程度，便于第二电荷层132的制备成型，能够提高叠层有机发光器件10的制备效率。
在一些可选的实施例中，如图1、图4和图5所示，第二电荷层132具有背离第一电荷层131一侧的第二界面132a、及位于第二界面132a和接触界面133之间的第二中间界面132b，沿第二中间界面132b至接触界面133的方向，第二电荷层132的掺杂剂浓度具有递增的趋势。
在这些可选的实施例中，在接触界面133附近，第二电荷层132的掺杂剂浓度均较大，能够减小第一电荷层131和第二电荷层132之间的电荷势垒，降低叠层有机发光器件10的功耗。
可选的，沿第二中间界面132b至第二界面132a的方向，第二电荷层132的掺杂剂浓度具有递增的趋势。即在第二界面132a附近，第二电荷层132的掺杂剂浓度较低，能够减小第二电荷层132和第二发光器件层12之间的电荷势垒，降低叠层有机发光器件10的功耗。
在一些可选的实施例中，如图1和图7所示，沿靠近第一电荷层131和第二电荷层132的接触界面133，第一电荷层131的一部分的掺杂剂浓度具有递减的趋势，第一电荷层131的另一部分的掺杂剂浓度具有递增的趋势，第二电荷层132掺杂剂浓度具有递减的趋势，第二电荷层132的另一部分的掺杂剂浓度具有递增的趋势。即第一电荷层131的一部分的掺杂剂浓度沿靠近接触界面133的方向具有递增的趋势，第一电荷层131的另一部分的掺杂剂浓度沿靠近接触界面133的方向具有递减的趋势，第二电荷层132的一部分的掺杂剂浓度沿靠近接触界面133的方向具有递减的趋势，第一电荷层132的另一部分的掺杂剂浓度沿靠近接触界面133的方向具有递增的趋势。
在这些可选的实施例中，沿靠近接触界面133，第一电荷层131和第二电荷层132至少一部分的掺杂剂浓度均递减，通过合理设置第一电荷层131和第二电荷层132的掺杂剂浓度，既能够保证第一电荷层131和第二电荷层132之间的势垒较低，也能够保证第一电荷层131与第一发光器件层11之间、第二电荷层132和第二发光器件层之间的势垒较低，降低叠层有机发光器件10的功耗。
可选的，如上所述，如图1和图7所示，第一电荷层131具有第一界面131a和第一中间界面131b，沿第一中间界面131b至接触界面133或第一界面131a的方向，第一电荷层131的掺杂剂浓度具有递减的趋势。
在这些可选的实施例中，第一中间界面131b的附近，第一电荷层131的掺杂剂浓度较低，由第一中间界面131b朝向接触界面133或第一界面131a的方向，第一电荷层131的掺杂剂浓度增大，能够改善电荷产生层130不稳定导致第一发光器件层11和第二发光器件层12的器件稳定性降低的问题。
可选的，如上所述，第二电荷层132具有第二界面132a和第二中间界面132b，沿第二中间界面132b至接触界面133或第二界面132a的方向，如图1和图7所示，第二电荷层132的掺杂剂浓度具有递减的趋势。
在这些可选的实施例中，第二中间界面132b的附近，第二电荷层132的掺杂剂浓度较低，由第二中间界面132b朝向接触界面133或第二界面132a的方向，第二电荷层132的掺杂剂浓度增大，能够改善金属扩散导致第一发光器件层11和第二发光器件层12的器件稳定性降低的问题。
在一些可选的实施例中，如图1、图8至图10所示，沿靠近第一电荷层131和第二电荷层132的接触界面133的方向，第一电荷层131和第二电荷层132中一者的至少部分掺杂剂浓度具有递增的趋势，另一者的至少部分掺杂剂浓度具有递减的趋势。即，第一电荷层131和第二电荷层132中，一者的至少部分的掺杂剂浓度沿靠近接触界面133的方向具有递增的趋势，另一者的至少部分的掺杂剂浓度沿靠近接触界面133的方向具有递减的趋势。
在这些可选的实施例中，沿靠近接触界面133的方向，第一电荷层131和第二电荷层132的掺杂剂浓度变化趋势不同，使得第一电荷层131和第二电荷层132中的一者在接触界面133附近的掺杂剂浓度较高，另一者掺杂剂浓度较低，能够改善电荷产生层130不稳定导致第一发光器件层11和第二发光器件层12的器件稳定性降低的问题。
可选的，如图1、图8和图9所示，沿靠近接触界面133的方向，第一电荷层131至少部分的掺杂剂浓度具有递增的趋势；第二电荷层132具有背离第一电荷层131的第二界面132a和位于接触界面133和第二界面132a之间的第二中间界面132b，沿第二中间界面132b至接触界面133或第二界面132a的方向，第二电荷层132的掺杂剂浓度具有递减的趋势。
在这些实施例中，沿靠近接触界面133的方向，第一电荷层131的掺杂剂浓度可以整体呈递增的趋势，或者第一电荷层131的一部分掺杂剂浓度具有递增的趋势。沿第二中间界面132b至接触界面133或第二界面132a的方向，第二电荷层132的掺杂剂浓度具有递减的趋势，即第二中间界面132b附近的第二电荷层132掺杂剂浓度较高，第二界面132a和接触界面133附近的第二电荷层132掺杂剂浓度较低，能够改善金属扩散导致第一发光器件层11和第二发光器件层12的器件稳定性降低的问题。
在另一些可选的实施例中，如图10所示，第一电荷层131具有背离第二电荷层132一侧的第一界面131a、及位于第一界面131a和接触界面133之间的第一中间界面131b，沿第一中间界面131b至接触界面133或第一界面131a的方向，第一电荷层131的掺杂剂浓度具有递减的趋势，沿靠近接触界面133的方向，第二电荷层132至少一部分的掺杂剂浓度具有递增的趋势。
在这些实施例中，沿靠近接触界面133的方向，第二电荷层132的掺杂剂浓度可以整体呈递增的趋势，或者第二电荷层132的一部分掺杂剂浓度具有递增的趋势。沿第一中间界面131b至接触界面133或第一界面131a的方向，第二电荷层132的掺杂剂浓度均具有递减的趋势，即第一中间界面131b附近第二电荷层132的掺杂剂浓度较高，第一界面131a或接触界面133附近，第二电荷层132的掺杂剂浓度较低，能够改善金属扩散导致第一发光器件层11和第二发光器件层12的器件稳定性降低的问题。
如图11至图19所示，以第一发光器件层11到第二发光器件层12的方向为参照，第一电荷层131的掺杂剂为P型掺杂剂，第二电荷层132的掺杂剂为N型掺杂剂，第一发光器件层11靠近第一电荷层131的表面为第一参考面，第二发光器件层12靠近第二电荷层132的表面为第二参考面。图11至图19的横坐标是与第一参考面之间的距离H，定义第一界面131a到第一参考面的距离为0，接触界面133到第一参考面的距离H1，第二界面132a到第一参考面的距离为H2，第一中间界面131b到第一参考面的距离H3，第二中间界面132b到第一参考面的距离H4。图11至图19的纵坐标为第一电荷层131和第二电荷层132中的掺杂剂浓度P，第一电荷层131的掺杂剂浓度在0-P1之间变化，第二电荷层的掺杂剂浓度在0-P2之间变化。P1的取值范围是0～20％，P2的取值范围是0～10％，且P1和P2均不取值0。
如图12所示，沿靠近第一电荷层131和第二电荷层132的接触界面133的方向，第一电荷层131和第二电荷层132中一者的至少部分掺杂剂浓度具有递增的趋势，另一者的至少部分掺杂剂浓度具有递减的趋势还包括：如图12所示，第一电荷层131中，第一中间界面131b朝向第一界面131a和/或接触界面133的掺杂剂浓度递增；第二电荷层132中，由接触界面133朝向第二界面132a的方向掺杂剂浓度递增。或者，如图13所示，第一电荷层131中，第一中间界面131b朝向第一界面131a和/或接触界面133的掺杂剂浓度递增；第二电荷层132中，由第二中间界面132b朝向接触界面133和/或第二界面132a的方向掺杂剂浓度递减。或者，如图14所示，第一电荷层131中，由第一界面131a至接触界面133的方向掺杂剂的浓度递增；第二电荷层132中，由第二中间界面132b至第二界面132a和/或接触界面133的方向掺杂剂浓度递减。
如图12所示，当第一电荷层131的掺杂剂为P型掺杂剂时，沿第一发光器件层12至第二发光器件层12的方向，第一电荷层131的P型掺杂剂浓度具有递增的趋势。或者，第一电荷层131的部分的P型掺杂剂浓度具有递增的趋势，第一电荷层131的另一部分的P型掺杂剂浓度递减或不变。
如图12所示，当第一电荷层131的掺杂剂为P型掺杂剂时，P型掺杂剂的掺杂剂浓度体积比可以在0％～20％之间变化。例如，P型掺杂剂的掺杂剂浓度体积比可以在2％～20％之间变化。
如图12所示，当第二电荷层132的掺杂剂为N型掺杂剂时，沿第一发光器件层12至第二发光器件层12的方向，所有的第二电荷层132的N型掺杂剂浓度具有递减的趋势。或者，第二电荷层132的部分的N型掺杂剂浓度具有递减的趋势，第二电荷层132的另一部分的N型掺杂剂浓度递增或不变。
如图12所示，当第二电荷层132的掺杂剂为N型掺杂剂时，N型掺杂剂的掺杂剂浓度体积比可以在0％～10％之间变化。例如，当第二电荷层132的掺杂剂为N型掺杂剂时，N型掺杂剂的掺杂剂浓度体积比可以在1％～10％之间变化。
在另一些实施例中，如图11和图12所示，当第一电荷层131的掺杂剂为P型掺杂剂，第二电荷层132的掺杂剂为N型掺杂剂时，沿靠近第一电荷层131和第二电荷层132的接触界面133，第一电荷层131至少一部分的掺杂剂浓度具有递减的趋势，第一电荷层131至少另一部分的掺杂剂浓度具有递增的趋势，第二电荷层132至少一部分的掺杂剂浓度具有递减的趋势，第二电荷层132至少另一部分的掺杂剂浓度具有递增的趋势还包括：如图15所示，在第一电荷层131中，由第一界面131a至接触界面133的方向掺杂剂的浓度递减；在第二电荷层132中，由第二中间界面132b至接触界面133和/或第二界面132a的方向掺杂剂的浓度递减；或者，如图16所示，在第一电荷层131中，由第一界面131a至接触界面133的方向掺杂剂的浓度递减；在第二电荷层132中，由接触界面133至第二界面132a的方向掺杂剂的浓度递减；或者，如图17所示，在第一电荷层131中，由第一中间界面131b至接触界面133和/或第一界面131a的方向掺杂剂的浓度递减；在第二电荷层132中，由接触界面133至第二界面132a的方向掺杂剂的浓度递减。
在又一些实施例中，如图11和图18所示，第一电荷层131掺杂有P型掺杂剂，第二电荷层132掺杂有N型掺杂剂，第一发光器件层11包括位于其朝向第一电荷层131一侧的第一空穴传输层113，沿靠近第一空穴传输层113的方向，至少部分第一电荷层131的掺杂剂浓度具有递增的趋势。即第一电荷层131和第二电荷层132之间具有接触界面133，第一电荷层131具有背离第二电荷层132一侧的第一界面131a，第一界面131a用于对接空穴传输层(即第一空穴传输层113)，沿靠近第一界面131a的方向，至少部分第一电荷层131的掺杂剂浓度具有递增的趋势。
在这些可选的实施例中，第一电荷层131通过第一界面131a和第一空穴传输层113相邻，沿靠近第一界面131a的方向，至少部分第一电荷层131的掺杂剂浓度具有递增的趋势，即第一空穴传输层113附近的第一电荷层131的P型掺杂剂浓度较高，能够减小第一空穴传输层113和第一电荷层131之间的势垒，降低叠层有机发光器件10的功耗。
如上，第一电荷层131具有第一界面131a和第一中间界面131b，当第一电荷层131掺杂有P型掺杂剂时，可选的，如图1和图19所示，沿第一中间界面131b至接触界面133的方向，第一电荷层131的掺杂剂浓度具有递增的趋势，沿第一中间界面131b朝向第一空穴传输层113的方向，第一电荷层131的掺杂剂浓度具有递增的趋势。
在这些可选的实施例中，掺杂有P型掺杂剂的第一电荷层131在第一界面131a和接触界面133附近的掺杂剂浓度较高，既能够降低第一电荷层131和第一空穴传输层113之间的势垒，也能够降低第一电荷层131和第二电荷层132之间的势垒，更好地降低叠层有机发光器件10的功耗。
如上，第二电荷层132具有第二界面132a，当第二电荷层132掺杂有N型掺杂剂时，沿第二界面132a至接触界面133的方向，第二电荷层132的掺杂剂浓度具有递增的趋势。能够简化第二电荷层132的复杂程度，便于第二电荷层132的制备成型。且接触界面133附近，第二电荷层132的掺杂剂浓度较高，能够降低第一电荷层131和第二电荷层132之间的势垒，进而降低叠层有机发光器件10的功耗。
在上述任一实施例中，可选的，当沿第一电荷层131至第二电荷层132的方向，第一电荷层131的掺杂剂浓度具有递增的趋势，第一中间界面131b处的掺杂剂浓度为第一电荷层131的掺杂剂平均浓度。使得第一电荷层131的浓度变化不易出现突变。
在上述任一实施例中，可选的，当沿第一电荷层131至第二电荷层132的方向，第二电荷层132的掺杂剂浓度具有递减的趋势，第二中间界面132b处的掺杂剂浓度为第二电荷层132的掺杂剂平均浓度，使得第二电荷层132的浓度变化不易出现突变。
本发明第二方面的实施例还提供一种显示装置，包括上述任一第一方面实施例的叠层有机发光器件10。由于本发明第二方面实施例提供的显示装置包括上述第一方面任一实施例的叠层有机发光器件10，因此本发明第二方面实施例提供的显示装置具有上述第一方面任一实施例的叠层有机发光器件10具有的有益效果，在此不再赘述。
本发明实施例中的显示装置包括但不限于手机、个人数字助理(PersonalDigital Assistant，简称：PDA)、平板电脑、电子书、电视机、门禁、智能固定电话、控制台等具有显示功能的设备。
如图20所示，本发明第三方面的实施例还提供一种叠层有机发光器件10的制备方法，该叠层有机发光器件10可以为上述任一第一方面实施例的叠层有机发光器件10，制备方法包括：
步骤S01：在第一发光器件层11上设置第一电荷层131，第一电荷层131掺杂有第一掺杂剂，且沿远离第一发光器件层11的方向，至少部分第一电荷层131的掺杂剂浓度具有递增的趋势。
步骤S02：在第一电荷层131背离第一发光器件层11的一侧设置第二电荷层132，第二电荷层132掺杂有第二掺杂剂，第一掺杂剂和第二掺杂剂中的一者为P型掺杂剂，另一者为N型掺杂剂，第一电荷层131和第二电荷层132组合形成电荷产生层13，沿远离第一发光器件层11的方向上，至少部分第二电荷层132的掺杂剂浓度具有递减的趋势。
步骤S03：在第二电荷层132背离第一电荷层131的一侧设置第二发光器件层12以形成叠层有机发光器件10。
在本发明实施例提供的制备方法制备成型的叠层有机发光器件10中，叠层有机发光器件10包括层叠设置的第一发光器件层11和第二发光器件层12，第一发光器件层11和第二发光器件层12均能够发光以实现叠层有机发光器件10的显示，通过设置层叠设置的第一发光器件层11和第二发光器件层12能够提高叠层有机发光器件10的使用寿命和发光效率。第一发光器件层11和第二发光器件层12之间设置有电荷产生层13，电荷产生层13用于驱动第一发光器件层11和第二发光器件层12发光。电荷产生层13包括第一电荷层131和第二电荷层132，第一电荷层131和第二电荷层132中的一者掺杂P型掺杂剂，另一者掺杂N型掺杂剂，使得电荷产生层13能够产生对应载流子。沿第一发光器件层11至第二发光器件层12的方向，至少部分第一电荷层131的掺杂剂浓度具有递增的趋势，至少部分第二电荷层132的掺杂剂浓度具有递减的趋势，即至少部分第一电荷层131和第二电荷层132的掺杂剂浓度变化趋势不同，能够改善金属扩散导致第一发光器件层11和第二发光器件层12的器件稳定性降低的问题。
虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。
Claims (14)
1.一种电荷产生层，其特征在于，所述电荷产生层包括层叠设置的第一电荷层和第二电荷层，所述第一电荷层和所述第二电荷层中的一者掺杂有P型掺杂剂，另一者掺杂有N型掺杂剂，
其中，沿所述第一电荷层至所述第二电荷层的方向，至少部分所述第一电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势，至少部分所述第二电荷层的掺杂剂浓度具有递减的趋势。
2.根据权利要求1所述的电荷产生层，其特征在于，所述第一电荷层和所述第二电荷层之间存在接触界面，至少部分所述第一电荷层的掺杂剂浓度沿靠近所述接触界面的方向具有递增的趋势，至少部分所述第二电荷层的掺杂剂浓度沿靠近所述接触界面的方向具有递增的趋势。
3.根据权利要求2所述的电荷产生层，其特征在于，所述第一电荷层具有背离所述第二电荷层一侧的第一界面，沿所述第一界面至所述接触界面的方向，所述第一电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势；
和/或，所述第二电荷层具有背离所述第一电荷层一侧的第二界面，沿所述第二界面至所述接触界面的方向，所述第二电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势。
4.根据权利要求2所述的电荷产生层，其特征在于，所述第一电荷层具有背离所述第二电荷层一侧的第一界面、及位于所述第一界面和所述接触界面之间的第一中间界面，沿所述第一中间界面至所述接触界面的方向，所述第一电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势，沿所述第一中间界面至所述第一界面，所述第一电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势；
和/或，所述第二电荷层具有背离所述第一电荷层一侧的第二界面、及位于所述第二界面和所述接触界面之间的第二中间界面，沿所述第二中间界面至所述接触界面的方向，所述第二电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势，沿所述第二中间界面至所述第二界面，所述第二电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势。
5.根据权利要求1所述的电荷产生层，其特征在于，所述第一电荷层和所述第二电荷层之间具有接触界面，所述第一电荷层的一部分的掺杂剂浓度沿靠近所述接触界面的方向具有递增的趋势，所述第一电荷层的另一部分的掺杂剂浓度沿靠近所述接触界面的方向具有递减的趋势，所述第二电荷层的一部分的掺杂剂浓度沿靠近所述接触界面的方向具有递减的趋势，所述第一电荷层的另一部分的掺杂剂浓度沿靠近所述接触界面的方向具有递增的趋势。
6.根据权利要求5所述的电荷产生层，其特征在于，所述第一电荷层具有背离所述第二电荷层一侧的第一界面、及位于所述第一界面和所述接触界面之间的第一中间界面，沿所述第一中间界面至所述接触界面或所述第一界面的方向，所述第一电荷层的掺杂剂浓度具有递减的趋势；
和/或，所述第二电荷层具有背离所述第一电荷层一侧的第二界面、及位于所述第二界面和所述接触界面之间的第二中间界面，沿所述第二中间界面至所述接触界面的方向和所述第二中间界面至所述第一界面的方向，所述第二电荷层的掺杂剂浓度具有递减的趋势。
7.根据权利要求1所述的电荷产生层，其特征在于，所述第一电荷层和所述第二电荷层之间存在接触界面，所述第一电荷层和第二电荷层中，一者的至少部分掺杂剂浓度沿靠近所述接触界面的方向具有递增的趋势，另一者的至少部分掺杂剂浓度沿靠近所述接触界面的方向具有递减的趋势。
8.根据权利要求7所述的电荷产生层，其特征在于，沿靠近所述接触界面的方向，所述第一电荷层至少部分的掺杂剂浓度具有递增的趋势；所述第二电荷层具有背离所述第一电荷层的第二界面和位于所述接触界面和所述第二界面之间的第二中间界面，沿所述第二中间界面至所述接触界面或所述第二界面的方向，所述第二电荷层的掺杂剂浓度具有递减的趋势。
9.根据权利要求7所述的电荷产生层，其特征在于，所述第一电荷层具有背离所述第二电荷层一侧的第一界面、及位于所述第一界面和所述接触界面之间的第一中间界面，沿所述第一中间界面至所述接触界面或所述第一界面的方向，所述第一电荷层的掺杂剂浓度具有递减的趋势，沿靠近所述接触界面的方向，所述第二电荷层至少一部分的掺杂剂浓度具有递增的趋势。
10.根据权利要求1所述的电荷产生层，其特征在于，所述第一电荷层掺杂有P型掺杂剂，所述第二电荷层掺杂有N型掺杂剂，所述第一电荷层和所述第二电荷层之间具有接触界面，所述第一电荷层具有背离所述第二电荷层一侧的第一界面，所述第一界面用于对接空穴传输层，沿靠近所述第一界面的方向，至少部分所述第一电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势。
11.根据权利要求10所述的电荷产生层，其特征在于，所述第一电荷层具有位于所述第一界面和所述接触界面之间的第一中间界面，沿所述第一中间界面至所述接触界面的方向，所述第一电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势，沿所述第一中间界面朝向所述第一界面的方向，所述第一电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势。
12.根据权利要求10所述的电荷产生层，其特征在于，所述第二电荷层具有背离所述第一电荷层一侧的第二界面，沿所述第二界面至所述接触界面的方向，所述第二电荷层的掺杂剂浓度具有递增的趋势。
13.根据权利要求10所述的电荷产生层，其特征在于，所述第一电荷层中P型掺杂剂的掺杂剂浓度为0～20％；
和/或，所述第二电荷层中N型掺杂剂的掺杂剂浓度为0～10％，；
优选的，所述第一电荷层中P型掺杂剂的掺杂剂浓度为2～20％；和/或，所述第二电荷层中N型掺杂剂的掺杂剂浓度为1～10％。
14.一种叠层有机发光器件，其特征在于，包括层叠设置的第一发光器件层、第二发光器件层和如权利要求1-13任一项所述的电荷产生层，其中，第一发光器件层和第二发光器件层通过所述电荷产生层连接。
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