CN115706093A - 显示装置 - Google Patents

显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN115706093A
CN115706093A CN202210949458.6A CN202210949458A CN115706093A CN 115706093 A CN115706093 A CN 115706093A CN 202210949458 A CN202210949458 A CN 202210949458A CN 115706093 A CN115706093 A CN 115706093A
Authority
CN
China
Prior art keywords
auxiliary
layer
sub
line
display area
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202210949458.6A
Other languages
English (en)
Inventor
徐荣完
金智善
李京徊
崔根禧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN115706093A publication Critical patent/CN115706093A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0421Structural details of the set of electrodes
    • G09G2300/0426Layout of electrodes and connections
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/04Display protection
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2330/00Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
    • G09G2330/10Dealing with defective pixels
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65OLEDs integrated with inorganic image sensors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明涉及显示装置。该显示装置包括:基板,包括辅助电路区域和辅助显示区域;在辅助电路区域中的辅助像素电路;在辅助显示区域中的辅助显示元件;以及连接线,从辅助电路区域延伸到辅助显示区域,并且被配置为将辅助像素电路连接到辅助显示元件。连接线包括在不同层的第一子线和第二子线,并且第一子线通过接触部分电连接到第二子线。

Description

显示装置
本申请要求于2021年8月10日提交的韩国专利申请第10-2021-0105479号的优先权以及由此产生的所有权益,其公开通过引用整体并入本文。
技术领域
一个或多个实施例涉及一种显示装置。更具体地,一个或多个实施例涉及一种显示装置,在该显示装置中,显示区域被扩展以便图像甚至可以在作为电子元件的部件或驱动电路设置的区域中显示。
背景技术
通常,显示装置包括显示元件和用于控制施加到显示元件的电信号的电子元件。电子元件包括薄膜晶体管(TFT)、存储电容器和多条线。
显示装置的使用已经多样化。此外,随着显示装置的厚度和重量的减小,显示装置的应用范围已经增加。随着显示装置的使用范围多样化,已经研究了设计显示装置的形状的各种方法。
发明内容
然而,在现有技术的显示装置中,随着将彼此间隔开的像素电路与显示元件进行连接的连接线的长度增加,电荷通过连接线被引入,这导致了像素缺陷。
为了解决包括上述问题的各种问题,一个或多个实施例提供了一种显示装置,其中显著减少了由于静电引起的像素缺陷的发生。然而,实施例是示例,并且不限制本公开的范围。
附加的特征和优点将在以下的描述中部分地阐述,并且部分地将从描述中显而易见,或者可以通过实践本公开的所呈现的实施例来获知。
根据一个或多个实施例,一种显示装置,包括:基板,包括辅助电路区域和辅助显示区域;在辅助电路区域中的辅助像素电路;在辅助显示区域中的辅助显示元件;以及连接线,从辅助电路区域延伸到辅助显示区域,并且被配置为将辅助像素电路连接到辅助显示元件。连接线包括在不同层的第一子线和第二子线,并且第一子线通过接触部分电连接到第二子线。
根据实施例,辅助像素电路可以包括薄膜晶体管和存储电容器,薄膜晶体管可以包括半导体层、与半导体层部分地重叠的栅电极以及在栅电极上的电极层,并且第一子线和栅电极可以在同一层。
根据实施例,辅助像素电路可以包括薄膜晶体管和存储电容器,薄膜晶体管可以包括半导体层、与半导体层部分地重叠的栅电极以及在栅电极上的电极层,并且第一子线和电极层可以在同一层。
根据实施例,第一子线和电极层可以包括不同的材料。
根据实施例,辅助像素电路可以包括薄膜晶体管和存储电容器,薄膜晶体管可以包括半导体层、与半导体层部分地重叠的栅电极以及在栅电极上的电极层,显示装置可以进一步包括在电极层上的导电层,并且第一子线和导电层可以在同一层。
根据实施例,辅助像素电路可以包括薄膜晶体管和存储电容器,存储电容器可以包括下电极和上电极,并且第一子线与下电极和上电极中的任何一个可以在同一层。
根据实施例,显示装置可以进一步包括在辅助像素电路上的第一平坦化绝缘层和在第一平坦化绝缘层上的第二平坦化绝缘层,第一子线可以在第一平坦化绝缘层上,并且第二子线可以在第二平坦化绝缘层上。
根据实施例,连接线可以进一步包括与第一子线和第二子线在不同层的第三子线,并且第三子线可以通过接触部分电连接到第一子线或第二子线。
根据实施例,显示装置可以进一步包括在第一子线与第二子线之间的绝缘层。
根据实施例,绝缘层可以包括无机材料或有机材料。
根据实施例,辅助显示元件可以被提供为多个辅助显示元件,并且显示装置可以进一步包括被配置为将多个辅助显示元件中的任何一个电连接到多个辅助显示元件中的另一个的辅助电极线。
根据实施例,显示装置可以进一步包括在基板上并且通过其开口限定辅助发射区域的像素限定层,并且连接线可以不与发射区域重叠。
根据实施例,第一子线和第二子线可以被分别提供为多条第一子线和多条第二子线,并且多条第一子线和多条第二子线可以沿着连接线彼此交替且彼此连接。
根据实施例,基板可以进一步包括主显示区域和在主显示区域外面的***区域,主显示区域和***区域设置为围绕辅助显示区域的至少一部分,并且辅助电路区域可以与辅助显示区域间隔开,其间具有主显示区域。
根据实施例,***区域可以包括辅助电路区域。
根据实施例,接触部分可以在主显示区域中。
根据实施例,基板可以进一步包括主显示区域和在主显示区域外面的***区域,主显示区域和***区域设置为围绕辅助显示区域的至少一部分,并且辅助电路区域可以与辅助显示区域的一侧边界接触。
根据实施例,连接线的与辅助显示区域相对应的至少一部分可以包括透明导电材料。
根据实施例,基板可以进一步包括包含主显示元件和主像素电路的主显示区域,并且辅助显示区域可以与辅助电路区域的外边界接触。
根据实施例,显示装置可以进一步包括在辅助显示区域中的驱动电路,并且辅助显示元件可以与驱动电路重叠。
从以下描述、附图和权利要求中,本公开的实施例的以上和其他特征和优点将变得更加明显。
附图说明
通过结合附图的以下描述,本公开的以上和其他特征和优点将更加明显,在附图中:
图1是显示装置的实施例的示意性透视图;
图2是图1的显示装置的显示面板的实施例的示意性平面图;
图3是图2中示出的显示面板的沿着线I-I'截取的示意性截面图;
图4是图1的显示装置的显示面板的实施例的示意性平面图;
图5是图4中示出的显示面板的沿着线II-II'截取的示意性截面图;
图6和图7是显示装置的像素的实施例的等效电路图;
图8A至图8D是显示装置的显示面板的实施例的截面图;
图9是显示装置的实施例的示意性透视图;
图10是图9的显示装置的显示面板的实施例的示意性平面图;
图11是图10中示出的显示面板的一部分的实施例的截面图;
图12是图10中示出的显示面板的显示区域的一部分的实施例的示意性平面图;并且
图13A至图13D是显示区域的一部分的实施例的示意性平面图。
具体实施方式
现在将详细地参照实施例,在附图中图示了实施例的示例,其中,在整个说明书中,相同的附图标记指代相同的元件。在这方面,本实施例可以具有不同的形式,并且不应被解释为限于在本文中所阐述的描述。因此,下面仅通过参照各图来描述实施例以解释本描述的特征和优点。
如本文中所使用的,术语“和/或”包括关联的列出项中的一个或多个的任何和所有组合。在整个公开中,表达“a、b和c中的至少一个”指示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或者其变体。如本文中所使用的,“一”、“该(所述)”和“至少一个”不表示数量的限制并且旨在包括单数和复数两者,除非上下文另外清楚地指示。
因为本公开允许各种改变和众多实施例,所以实施例将在附图中被图示并且在详细描述中被描述。参照用于图示本公开的实施例的附图,以便于获得对本公开的充分理解、其优点以及通过本公开的实现方式所达到的目的。然而,本公开不限于以下实施例并且可以以各种形式来体现。
现在将参照附图更充分地描述实施例。当参照附图描述实施例时,相同或对应的元件由相同的附图标记表示,并且将省略其冗余描述。
将理解的是,尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文中用于描述各个元件,但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。
在以下实施例中,单数形式包括复数形式,除非上下文另外清楚地指示。如本文中所使用的,附图标记可以指示单数元件或多个元件。例如,对在附图内的元件的单数形式进行标记的附图标记可以用于在说明书的文本内指代多个单数元件。
将进一步理解的是,在本文中所使用的术语“包括”和/或“包含”指定所陈述的特征或元件的存在,但是不排除一个或多个其他特征或元件的存在或添加。
将进一步理解的是,当层、区域或元件被称为与另一元件相关(诸如在另一层、区域或元件“上”)时,它可以直接在另一层、区域或元件上,或者可以间接在另一层、区域或元件上,其间具有居间层、区域或元件。相反,当层、区域或元件被称为与另一元件相关(诸如“直接”在另一层、区域或元件“上”)时,其间不存在居间层、区域或元件。
将理解的是,当层、区域或元件被称为“连接到”另一层、区域或元件时,它可以“直接连接到”另一层、区域或元件,或者可以“间接连接到”另一层、区域或元件,其间具有一个或多个居间层、区域或元件。例如,将理解的是,当层、区域或元件被称为“电连接到”另一层、区域或元件时,它可以“直接电连接到”另一层、区域或元件,并且/或者可以“间接电连接到”另一层、区域或元件,其间具有一个或多个居间层、区域或元件。
在本说明书中,诸如“A和/或B”的表达指示A、B或者A和B。此外,诸如“A和B中的至少一个”的表达指示A、B或者A和B。
在本说明书中,x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴,并且可以以更宽泛的意义进行解释。例如,x轴、y轴和z轴可以彼此垂直,或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
此外,诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语可以在本文中用于描述如各图中所图示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是,除了各图中描绘的定向之外,相对术语还旨在涵盖设备的不同定向。例如,如果各图中的一幅图中的设备被翻转,则被描述为在其他元件“下”侧的元件将随后被定向在其他元件的“上”侧。因此,取决于图的特定定向,术语“下”可以涵盖“下”和“上”的定向两者。类似地,如果各图中的一幅图中的设备被翻转,则被描述为在其他元件“下面”或“下方”的元件将随后被定向在其他元件“上面”。因此,术语“下面”或“下方”可以涵盖上面和下面的定向两者。
当实施例可以不同地实现时,可以不同于所述顺序而执行工艺顺序。例如,两个连续描述的工艺可以基本同时执行或可以以与所述顺序相反的顺序执行。
为了便于解释,附图中元件的大小可能被夸大或缩小。例如,由于附图中元件的大小和厚度为了便于解释而被任意地图示,因此本公开不限于此。
考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关联的误差(即,测量***的限制),如本文中所使用的“约”或“近似”包括所陈述的值并且意味着在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受偏差范围内。例如,“约”可以意味着在一个或多个标准偏差内,或者在所陈述的值的±30%、20%、10%或5%内。
除非另外限定,否则在本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解的是,诸如在常用词典中定义的那些术语应被解释为具有与其在相关技术和本公开的背景中的含义一致的含义,并且将不以理想化或过于正式的意义来解释,除非在本文中明确地如此限定。
显示装置的一个或多个实施例是显示运动图片或静止图像的装置,并且不仅可以用于移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、移动通讯终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航仪和超移动PC(UMPC)中,而且可以用于诸如电视、膝上型计算机、监视器、广告牌和物联网(IoT)装置的各种产品的显示屏幕中。显示装置的一个或多个实施例也可以用于诸如智能手表、手表电话、眼镜式显示器或头戴式显示器(HMD)的可穿戴装置中。显示装置的一个或多个实施例还可以用作汽车的仪表板、汽车的中央仪表盘或仪表板上的中央信息显示器(CID)、代替汽车的侧视镜的车内后视镜显示器以及设置在前座的后侧用作汽车后座乘客的娱乐设备的显示器。
图1是显示装置1的实施例的示意性透视图。
参照图1,显示装置1可以包括显示区域DA和与显示区域DA邻近(诸如在显示区域DA外面)的***区域DPA。显示区域DA可以包括辅助显示区域ADA和部分地围绕辅助显示区域ADA的主显示区域MDA。也就是说,辅助显示区域ADA和主显示区域MDA中的每一个可以单独或一起显示图像。***区域DPA可以是其中不设置显示元件并且不显示图像的非显示区域。显示区域DA可以完全被***区域DPA围绕。显示装置1的各个部件或层可以包括与上述那些相对应的显示区域DA、***区域DPA、主显示区域MDA和/或辅助显示区域ADA。
图1图示了一个辅助显示区域ADA位于主显示区域MDA内部。在另一实施例中,显示装置1可以包括作为多个辅助显示区域ADA的两个或更多个辅助显示区域ADA。多个辅助显示区域ADA可以沿着平面具有不同的形状和大小。各个显示区域可以沿着被彼此交叉的第一方向和第二方向(诸如x方向和y方向)限定的平面来设置。显示装置1和/或其各个层或部件的厚度方向沿着与第一方向和第二方向中的每一个交叉的第三方向(例如,z方向)被限定。
在与显示装置1的顶表面基本垂直的方向(例如,厚度方向)上的视图中,辅助显示区域ADA可以具有诸如圆形形状、椭圆形形状、多边形形状(诸如矩形形状、星形形状或菱形形状)的各种形状。此外,图1图示了辅助显示区域ADA在平面图中(例如,在与显示装置1的顶表面基本垂直的方向上)设置在基本具有矩形形状的主显示区域MDA的上中心(在+y方向上)处,然而,不限于此。辅助显示区域ADA可以设置在具有矩形形状的主显示区域MDA的一侧处(例如,在平面图中的右上侧或左上侧处)。
显示装置1可以通过使用设置在主显示区域MDA中的多个主像素Pm和设置在辅助显示区域ADA中的多个辅助像素Pa来提供图像。
如下面参照图3所述,在辅助显示区域ADA中,作为将功能提供到显示装置1的电子元件的部件40可以设置在显示面板10之下,以与辅助显示区域ADA相对应。部件40可以包括诸如通过使用红外光或可见光来提供成像功能的成像设备(诸如相机)。可替代地,部件40可以包括提供电源功能、照明功能、感测功能等的太阳能电池、闪光灯、照度传感器、接近度传感器和虹膜传感器。可替代地,部件40可以具有接收声音的功能。为了减少部件40的功能的限制,辅助显示区域ADA可以包括从部件40输出到外面或从外面引导到部件40的光和/或声音可以通过其透射的透射区域TA。在显示面板10和包括显示面板10的显示装置1的一个或多个实施例中,当光通过辅助显示区域ADA透射时,在辅助显示区域ADA处的透光率可以是约10%或更高,诸如约40%或更高、约25%或更高、约50%或更高、约85%或更高或者约90%或更高。
多个辅助像素Pa可以设置在辅助显示区域ADA中。多个辅助像素Pa可以通过发光(例如,显示像素)来提供图像。在辅助显示区域ADA中显示的图像是辅助图像,并且可以具有比在主显示区域MDA中显示的图像(例如,主图像)的分辨率低的分辨率。也就是说,辅助显示区域ADA可以包括光和声音可以通过其透射的透射区域TA。在没有显示像素设置在透射区域TA中的情况下,辅助显示区域ADA中的可以在其中每单位面积设置的辅助像素Pa的数量可以比在主显示区域MDA中每单位面积设置的主像素Pm的数量少。
图2是图1的显示装置1中的显示面板10的实施例的示意性平面图。
参照图2,构成显示面板10的各个元件可以设置在基板100上。基板100可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的***区域DPA。显示区域DA可以包括其中显示主图像的主显示区域MDA以及包含透射区域TA并且其中显示辅助图像的辅助显示区域ADA。辅助图像可以与主图像一起形成整个图像,或者辅助图像可以是独立于主图像的图像。
多个主像素Pm可以设置在主显示区域MDA中。主像素Pm中的每一个可以由诸如有机发光二极管(OLED)的主发光元件EDm(参见图3)来实现。驱动主像素Pm的主像素电路PCm可以设置在主显示区域MDA中,并且主像素电路PCm可以设置为与主像素Pm重叠(或相对应)。每个主像素Pm可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光的光。主显示区域MDA可以被用封装构件ENCM(参见图3)覆盖以保护免受外部空气或湿气的影响。
辅助显示区域ADA可以如上所述位于主显示区域MDA的一侧或多侧处,或者可以设置在显示区域DA内部并且被主显示区域MDA围绕。多个辅助像素Pa可以设置在辅助显示区域ADA中。多个辅助像素Pa中的每一个可以由诸如OLED的辅助发光元件EDa(参见图3)来实现。
驱动辅助像素Pa的辅助像素电路PCa可以设置在辅助电路区域PCA中。最靠近辅助显示区域ADA的***区域DPA可以包括辅助电路区域PCA。在实施例中,当辅助显示区域ADA设置在显示区域DA上面时,辅助电路区域PCA可以设置在***区域DPA上面。辅助像素电路PCa可以通过在y方向上延伸的连接线TWL连接到实现辅助像素Pa的辅助发光元件EDa(参见图3)。
在实施例中,如下面参照图4所述,当辅助显示区域ADA设置在显示区域DA的上中心处时,辅助电路区域PCA可以设置在***区域DPA中、在两个相对侧,其间具有辅助显示区域ADA。辅助像素电路PCa可以通过在x方向上延伸的连接线TWL连接到实现辅助像素Pa的辅助发光元件EDa(参见图5)。在这种情况下,连接线TWL连接到辅助发光元件EDa(参见图5)可以意味着连接线TWL电连接到辅助发光元件EDa(参见图5)的像素电极。
每个辅助像素Pa可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光的光。辅助显示区域ADA可以被用封装构件ENCM(参见图3)覆盖以保护免受外部空气或湿气的影响。
此外,辅助显示区域ADA可以包括透射区域TA。透射区域TA可以设置为围绕多个辅助像素Pa。可替代地,透射区域TA可以与多个辅助像素Pa以网格形式设置。
由于辅助显示区域ADA包括透射区域TA,因此辅助显示区域ADA的分辨率可以比主显示区域MDA的分辨率低。在实施例中,例如,辅助显示区域ADA的分辨率可以是主显示区域MDA的分辨率的约1/2、3/8、1/3、1/4、2/9、1/8、1/9和1/16。在实施例中,例如,主显示区域MDA的分辨率可以是约400像素每英寸(ppi)或更高,而辅助显示区域ADA的分辨率可以是约200ppi或约100ppi。
分别驱动主像素Pm和辅助像素Pa的主像素电路PCm和辅助像素电路PCa中的每一个可以电连接到设置在***区域DPA中的***电路。第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2、端子部分PAD(例如,焊盘区域)、驱动电压电源线11和公共电压电源线13可以设置在***区域DPA中。
第一扫描驱动电路SDRV1可以被配置为通过扫描线SL将扫描信号Sn(参见图6和图7)施加到驱动主像素Pm的主像素电路PCm中的每一个。第一扫描驱动电路SDRV1可以被配置为通过发射控制线EL将发射控制信号En(参见图7)施加到每个像素电路。第二扫描驱动电路SDRV2可以相对于第一扫描驱动电路SDRV1位于主显示区域MDA的相对侧,并且可以与第一扫描驱动电路SDRV1基本平行延伸。主显示区域MDA的主像素Pm的像素电路中的一些像素电路可以电连接到第一扫描驱动电路SDRV1,并且主显示区域MDA的主像素Pm的像素电路中的其他像素电路可以电连接到第二扫描驱动电路SDRV2。
端子部分PAD可以设置在基板100的一侧处。端子部分PAD被暴露而未被绝缘层覆盖。显示面板10可以在端子部分PAD处连接到显示电路板30。显示驱动器32可以设置在显示电路板30处。
显示驱动器32可以生成诸如要被传输到第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2的控制信号的电信号。显示驱动器32可以生成诸如数据信号Dm(参见图6和图7)的电信号,并且所生成的数据信号可以通过扇出线FW和连接到扇出线FW的数据线DL被传输到主像素电路PCm和辅助像素电路PCa。
显示驱动器32可以将驱动电压ELVDD(参见图6和图7)供应到驱动电压电源线11,并且可以将公共电压ELVSS(参见图6和图7)供应到公共电压电源线13。驱动电压ELVDD(参见图6和图7)可以通过连接到驱动电压电源线11的驱动电压线PL被分别施加到主像素Pm的主像素电路PCm和辅助像素Pa的辅助像素电路PCa,并且公共电压ELVSS(参见图6和图7)可以通过公共电压电源线13被施加到显示元件的对电极230(参见图8A)。
驱动电压电源线11可以在平面图中、在主显示区域MDA之下具有在x方向上延伸的主尺寸。公共电压电源线13可以具有在环形形状中其中一侧开口的形状,以部分地围绕主显示区域MDA。
尽管图2图示了存在一个辅助显示区域ADA,但是可以提供多个辅助显示区域ADA。在这种情况下,多个辅助显示区域ADA可以在沿着显示面板10的方向上彼此间隔开,第一相机可以设置为与一个辅助显示区域ADA相对应,并且第二相机可以设置为与另一辅助显示区域ADA相对应。可替代地,相机可以设置为与一个辅助显示区域ADA相对应,并且红外传感器可以设置为与另一辅助显示区域ADA相对应。多个辅助显示区域ADA的形状和大小可以彼此不同。
此外,辅助显示区域ADA可以在平面图中具有圆形形状、椭圆形形状、多边形形状或非典型形状。在一些实施例中,辅助显示区域ADA可以具有八边形形状。辅助显示区域ADA可以具有诸如矩形形状或六边形形状的各种多边形形状。辅助显示区域ADA可以被主显示区域MDA围绕。
图3是图2中示出的显示面板10的实施例的沿着线I-I'截取的示意性截面图。
参照图3,显示装置1可以包括显示面板10和与显示面板10重叠(或相对应)的部件40。保护显示面板10的覆盖窗(未图示)可以进一步遍及显示面板10设置。
显示面板10可以包括作为与部件40重叠的区域的辅助显示区域ADA、其中显示主图像的主显示区域MDA以及其中设置驱动辅助发光元件EDa的辅助像素电路PCa的辅助电路区域PCA。显示面板10可以包括基板100、在基板100上的显示层DISL、触摸屏幕层TSL、光学功能层OFL以及设置在基板100之下的面板保护构件PB。
显示层DISL可以包括包含薄膜晶体管TFTm和TFTa的电路层PCL、包含作为显示元件的发光元件EDm和EDa的显示元件层EDL以及薄膜封装层TFEL或诸如封装基板(未图示)的封装构件ENCM。绝缘层IL和IL'可以设置在显示层DISL中并且在基板100与显示层DISL之间。
基板100可以包括诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料。基板100可以是刚性基板或者可弯折的、可折叠的或可卷曲的柔性基板。
主像素电路PCm和连接到主像素电路PCm的主发光元件EDm可以设置在显示面板10的主显示区域MDA中。主像素电路PCm可以包括至少一个主薄膜晶体管TFTm并且可以控制主发光元件EDm的发光。主像素Pm可以通过主发光元件EDm的发光来实现。
辅助发光元件EDa可以设置在显示面板10的辅助显示区域ADA中以实现辅助像素Pa。在本实施例中,驱动辅助发光元件EDa的辅助像素电路PCa可以不设置在辅助显示区域ADA中,而是可以设置在包括在***区域DPA(其是非显示区域)中的辅助电路区域PCA中。在另一实施例中,辅助电路区域PCA的其中设置辅助像素电路PCa的部分可以被包括在主显示区域MDA中,或者可以位于主显示区域MDA与辅助显示区域ADA之间。可以进行各种修改。也就是说,辅助像素电路PCa可以设置为不与辅助发光元件EDa重叠。
辅助像素电路PCa可以包括至少一个辅助薄膜晶体管TFTa并且可以通过连接线TWL电连接到辅助发光元件EDa。连接线TWL的与辅助显示区域ADA相对应的至少一部分可以包括透明导电材料。辅助像素电路PCa可以控制辅助发光元件EDa的发光。辅助像素Pa可以通过辅助发光元件EDa的发光来实现。
此外,辅助显示区域ADA的其中未设置作为显示元件的辅助发光元件EDa的区域(例如,平面区域)可以被称为透射区域TA(例如,辅助显示区域ADA的其余部分)。透射区域TA可以是从设置为与辅助显示区域ADA相对应的部件40输出的光/信号或输入到部件40的光/信号通过其透射的区域。透射区域TA和辅助发光元件EDa可以交替地设置在辅助显示区域ADA中。将辅助像素电路PCa连接到辅助发光元件EDa的连接线TWL可以在包括薄膜晶体管TFTm和TFTa的电路层PCL中,或者可以在电路层PCL与显示元件层EDL之间。由于连接线TWL的与辅助显示区域ADA相对应的至少一部分可以包括具有高透射率(例如,透光率)的透明导电材料,因此即使连接线TWL设置在透射区域TA中,也可以确保透射区域TA的透射率。在本实施例中,由于辅助像素电路PCa未设置在辅助显示区域ADA中,因此可以确保透射区域TA的面积,以便可以进一步改善透光率。
随着连接线TWL的长度增加,电荷在工艺期间可能会通过连接线TWL被引入,从而导致由于静电引起的像素缺陷。相应地,如参照图8A至图8D所述,连接线TWL可以包括设置在不同层的多条子线。
显示元件层EDL可以被薄膜封装层TFEL或封装基板覆盖。在一些实施例中,如图5中所图示,薄膜封装层TFEL可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层132。在实施例中,薄膜封装层TFEL可以包括第一无机封装层131和第二无机封装层133以及在其间的有机封装层132。
第一无机封装层131和第二无机封装层133可以包括诸如氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或氧化锌(ZnO)的一种或多种无机绝缘材料,并且可以通过化学气相沉积(CVD)等来形成(或提供)。有机封装层132可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括硅类树脂、丙烯酸树脂、环氧类树脂、聚酰亚胺或聚乙烯等。
第一无机封装层131、有机封装层132和第二无机封装层133可以形成为跨主显示区域MDA和辅助显示区域ADA两者延伸的单一体,以覆盖主显示区域MDA和辅助显示区域ADA。
当显示元件层EDL被封装基板(未图示)封装时,封装基板可以设置为面对基板100,其间具有显示元件层EDL。间隙可以在封装基板与显示元件层EDL之间。封装基板可以包括玻璃。包括玻璃料等的密封剂可以在基板100与封装基板之间,并且密封剂可以设置在上述***区域DPA中。设置在***区域DPA中的密封剂可以围绕显示区域DA以防止湿气穿透显示面板10的一个或多个层的侧表面。
触摸屏幕层TSL可以响应于外部输入(例如,触摸事件)而获得外部输入的坐标信息。触摸屏幕层TSL可以包括触摸电极和连接到触摸电极的触摸线。触摸屏幕层TSL可以通过自电容法或互电容法来检测外部输入。
触摸屏幕层TSL可以形成或提供在薄膜封装层TFEL上。可替代地,触摸屏幕层TSL可以单独形成在触摸基板上,并且随后通过作为居间层的粘合剂层(诸如光学透明粘合剂(OCA))耦接到薄膜封装层TFEL上。在实施例中,触摸屏幕层TSL可以直接形成在薄膜封装层TFEL上,并且在这种情况下,粘合剂层可以不在触摸屏幕层TSL与薄膜封装层TFEL之间。
光学功能层OFL可以包括抗反射层。抗反射层可以降低从显示装置1外面并且朝向显示装置1入射的光(外部光)的反射率。
在一些实施例中,光学功能层OFL可以包括偏振膜。光学功能层OFL可以包括或限定与透射区域TA相对应的第一开口OFL_OP。相应地,可以通过第一开口OFL_OP显著改善透射区域TA的透光率。第一开口OFL_OP可以被用诸如光学透明树脂(OCR)的透明材料填充。
在一些实施例中,光学功能层OFL可以包括包含黑矩阵和滤色器的滤光板。
面板保护构件PB可以被附接到基板100以支撑和保护基板100。面板保护构件PB可以包括与辅助显示区域ADA相对应的第二开口PB_OP。也就是说,面板保护构件PB可以在辅助显示区域ADA处断开。由于面板保护构件PB包括第二开口PB_OP,因此可以改善辅助显示区域ADA的透光率。面板保护构件PB可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺(PI)。
面积(例如,平面面积)可以沿着平面(诸如被彼此交叉的第一方向和第二方向限定的平面)被限定。辅助显示区域ADA的面积可以大于部件40的面积。相应地,在面板保护构件PB中的第二开口PB_OP的面积可以不等于辅助显示区域ADA的面积。
此外,多个部件40可以设置在辅助显示区域ADA中。多个部件40可以具有不同的功能。在实施例中,例如,多个部件40可以包括相机(成像元件)、太阳能电池、闪光灯、接近度传感器、照度传感器和虹膜传感器中的至少两个。
在图3中,未设置被设置在辅助显示区域ADA的辅助发光元件EDa之下的底部金属层。在实施例中,显示装置1可以包括底部金属层(未图示)。
底部金属层可以设置为与辅助发光元件EDa重叠。底部金属层可以沿着厚度方向在基板100与辅助发光元件EDa之间。底部金属层可以阻挡外部光到达辅助发光元件EDa。此外,底部金属层可以形成为与整个辅助显示区域ADA相对应。在实施例中,底部金属层可以限定与透射区域TA相对应的下孔。在这种情况下,下孔可以具有诸如多边形形状、圆形形状或非典型形状的各种形状,以控制外部光的衍射特性。
图4是可以被包括在图1的显示装置1中的显示面板10的实施例的示意性平面图,并且图5是图4中示出的显示面板10的沿着线II-II'截取的示意性截面图。
图4和图5分别与图2和图3类似,但是与图2和图3的不同之处在于,辅助显示区域ADA设置在显示区域DA的上中心处,并且两个辅助电路区域PCA1和PCA2设置为彼此面对,其间具有辅助显示区域ADA。由于其他配置与前述实施例的配置相同,因此下面主要描述不同之处。
基板100可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的***区域DPA。显示区域DA可以包括其中显示主图像的主显示区域MDA以及包含透射区域TA并且其中显示辅助图像的辅助显示区域ADA。辅助图像可以与主图像一起形成整个图像,或者辅助图像可以是独立于主图像的图像。
如所图示,辅助显示区域ADA可以设置在显示区域DA内部并且可以被主显示区域MDA围绕。在实施例中,辅助显示区域ADA可以设置在显示区域DA的上中心或下中心处。
多个辅助像素Pa可以设置在辅助显示区域ADA中。多个辅助像素Pa中的每一个可以由诸如OLED的辅助发光元件EDa来实现。包括驱动辅助像素Pa的辅助像素电路PCa的辅助电路区域PCA可以设置在***区域DPA的最靠近辅助显示区域ADA的部分中。在实施例中,两个辅助电路区域PCA1和PCA2可以设置为彼此面对,其间具有辅助显示区域ADA。第一辅助电路区域PCA1可以设置在***区域DPA中、在第一扫描驱动电路SDRV1的一侧并且不与第一扫描驱动电路SDRV1重叠,并且第二辅助电路区域PCA2可以设置在***区域DPA中、在第二扫描驱动电路SDRV2的一侧并且不与第二扫描驱动电路SDRV2重叠。
在实施例中,辅助显示区域ADA可以设置为相对于主显示区域MDA的中心更靠近主显示区域MDA的一侧。第一辅助电路区域PCA1和第二辅助电路区域PCA2可以设置为彼此面对,其间具有辅助显示区域ADA,或者还可以在靠近辅助显示区域ADA的仅一侧处设置仅一个辅助电路区域PCA。
尽管图4图示了存在一个辅助显示区域ADA,但是可以提供多个辅助显示区域ADA。在这种情况下,多个辅助显示区域ADA可以彼此间隔开,第一相机可以设置为与一个辅助显示区域ADA相对应,并且第二相机可以设置为与另一辅助显示区域ADA相对应。可替代地,相机可以设置为与一个辅助显示区域ADA相对应,并且红外传感器可以设置为与另一辅助显示区域ADA相对应。多个辅助显示区域ADA的形状和大小可以彼此不同。与每个辅助显示区域ADA相对应的辅助电路区域PCA可以设置在靠近对应的辅助显示区域ADA的***区域DPA中。
辅助像素电路PCa可以通过在x方向上延伸的连接线TWL连接到在辅助像素Pa内的辅助发光元件Eda(参见图5)。在实施例中,例如,连接线TWL可以从辅助电路区域PCA经由主显示区域MDA延伸到辅助显示区域ADA。
参照图5,连接线TWL可以经由在辅助显示区域ADA和辅助电路区域PCA之间的主显示区域MDA将辅助像素电路PCa连接到辅助发光元件EDa。
多个主像素电路PCm和连接到多个主像素电路PCm的多个主发光元件EDm可以设置在主显示区域MDA中。主像素电路PCm可以包括至少一个薄膜晶体管TFTm并且可以控制主发光元件EDm的发光。
连接线TWL可以在包括薄膜晶体管TFTm和TFTa的电路层PCL中,或者在电路层PCL与显示元件层EDL之间。如上所述,随着连接线TWL的长度增加,为了防止发生由于静电引起的像素缺陷,连接线TWL可以包括设置在不同层的多条子线。连接线TWL的与主显示区域MDA相对应的部分可以与主像素电路PCm的元件和主发光元件EDm的元件设置在不同层,以免导致与主像素电路PCm和主发光元件EDm的电干扰。在实施例中,例如,连接线TWL可以包括设置在不同层的子线。子线可以交替地设置为不干扰主发光元件EDm的元件和辅助发光元件EDa的元件,或者可以被提供为在平面上至少部分地弯曲。
透射区域TA和辅助发光元件EDa可以交替地设置在辅助显示区域ADA中。将辅助像素电路PCa连接到辅助发光元件EDa的连接线TWL可以在包括薄膜晶体管TFTm和TFTa的电路层PCL中,或者在电路层PCL与显示元件层EDL之间。由于连接线TWL的与辅助显示区域ADA相对应的至少一部分可以包括具有高透光率的透明导电材料,因此即使连接线TWL设置在透射区域TA中,也可以确保透射区域TA的透射率。
辅助显示区域ADA、辅助电路区域PCA和连接线TWL的设置不限于参照图4和图5描述的辅助显示区域ADA、辅助电路区域PCA和连接线TWL的数量和设计,并且其数量和设计可以被不同地改变,并且其设置也可以被相应地改变。
图6和图7是可以被包括在显示装置1中的像素的实施例的等效电路图。
参照图6和图7,主像素Pm和辅助像素Pa中的每一个可以包括连接到扫描线SL和数据线DL的像素电路PC,以及作为显示元件ED的、连接到像素电路PC的有机发光二极管(OLED)(在下文中被称为有机发光二极管OLED)。在实施例中,主像素Pm和辅助像素Pa可以包括图6的像素电路PC或者可以包括图7的像素电路PC。在实施例中,例如,主像素Pm可以包括图7的像素电路PC,并且辅助像素Pa可以包括图6的像素电路PC。作为另一示例,主像素Pm和辅助像素Pa两者可以包括图7的像素电路PC。
图6的像素电路PC包括驱动薄膜晶体管Td、开关薄膜晶体管Ts和存储电容器Cst。开关薄膜晶体管Ts连接到扫描线SL和数据线DL,并且被配置为响应于通过扫描线SL输入的扫描信号Sn而将数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管Td,数据信号Dm通过数据线DL输入。
存储电容器Cst连接到开关薄膜晶体管Ts和驱动电压线PL,并且被配置为存储与从开关薄膜晶体管Ts接收到的电压与供应到驱动电压线PL的驱动电压ELVDD之间的差相对应的电压。
驱动薄膜晶体管Td连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst,并且可以被配置为响应于存储在存储电容器Cst中的电压而控制从驱动电压线PL流过显示元件ED的驱动电流Id。显示元件ED可以根据驱动电流Id来发射具有亮度的光。
尽管图6图示了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器,但是一个或多个实施例不限于此。在另一实施例中,如下面描述的图7中所图示,像素电路PC可以包括七个薄膜晶体管和一个存储电容器。在另一实施例中,像素电路PC可以包括两个或更多个存储电容器。
参照图7,像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、补偿薄膜晶体管T3、第一初始化薄膜晶体管T4、操作控制薄膜晶体管T5、发射控制薄膜晶体管T6和第二初始化薄膜晶体管T7。
尽管图7图示了每个像素电路PC包括信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL、初始化电压线VL以及驱动电压线PL,但是一个或多个实施例不限于此。在另一实施例中,信号线SL、SL-1、SL+1、EL和DL中的至少一条和/或初始化电压线VL可以被邻近的像素电路共享。
驱动薄膜晶体管T1的漏电极可以经由发射控制薄膜晶体管T6电连接到显示元件ED。驱动薄膜晶体管T1被配置为取决于开关薄膜晶体管T2的开关操作来接收数据信号Dm,并且将驱动电流Id供应到显示元件ED。
开关薄膜晶体管T2的栅电极连接到扫描线SL,并且开关薄膜晶体管T2的源电极连接到数据线DL。开关薄膜晶体管T2的漏电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极并且经由操作控制薄膜晶体管T5连接到驱动电压线PL。
开关薄膜晶体管T2响应于通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而被导通,并且被配置为执行将通过数据线DL接收的数据信号Dm传输到驱动薄膜晶体管T1的源电极的开关操作。
补偿薄膜晶体管T3的栅电极可以连接到扫描线SL。补偿薄膜晶体管T3的源电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极并且经由发射控制薄膜晶体管T6连接到显示元件ED的像素电极。补偿薄膜晶体管T3的漏电极可以连接到存储电容器Cst的电极、第一初始化薄膜晶体管T4的源电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极中的任何一个。补偿薄膜晶体管T3响应于通过扫描线SL接收的扫描信号Sn而被导通,并且将驱动薄膜晶体管T1的栅电极和漏电极彼此连接,以便于将驱动薄膜晶体管T1二极管连接。
第一初始化薄膜晶体管T4的栅电极可以连接到前一扫描线SL-1。第一初始化薄膜晶体管T4的漏电极可以连接到初始化电压线VL。第一初始化薄膜晶体管T4的源电极可以连接到存储电容器Cst的电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极中的任何一个。第一初始化薄膜晶体管T4可以响应于通过前一扫描线SL-1接收的前一扫描信号Sn-1而被导通,并且可以被配置为将初始化电压Vint传输到驱动薄膜晶体管T1的栅电极,从而执行对驱动薄膜晶体管T1的栅电极的电压进行初始化的初始化操作。
操作控制薄膜晶体管T5的栅电极可以连接到发射控制线EL。操作控制薄膜晶体管T5的源电极可以连接到驱动电压线PL。操作控制薄膜晶体管T5的漏电极连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极和开关薄膜晶体管T2的漏电极。
发射控制薄膜晶体管T6的栅电极可以连接到发射控制线EL。发射控制薄膜晶体管T6的源电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极和补偿薄膜晶体管T3的源电极。发射控制薄膜晶体管T6的漏电极可以电连接到显示元件ED的像素电极。操作控制薄膜晶体管T5和发射控制薄膜晶体管T6响应于通过发射控制线EL接收的发射控制信号En而被同时导通,驱动电压ELVDD被传输到显示元件ED,并且驱动电流Id流过显示元件ED。
第二初始化薄膜晶体管T7的栅电极可以连接到下一扫描线SL+1。第二初始化薄膜晶体管T7的源电极可以连接到显示元件ED的像素电极。第二初始化薄膜晶体管T7的漏电极可以连接到初始化电压线VL。第二初始化薄膜晶体管T7可以响应于通过下一扫描线SL+1接收的下一扫描信号Sn+1而被导通,并且可以被配置为对显示元件ED的像素电极进行初始化。
图7图示了第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7分别连接到前一扫描线SL-1和下一扫描线SL+1。然而,一个或多个实施例不限于此。在另一实施例中,第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7两者都可以连接到前一扫描线SL-1,并且可以根据前一扫描信号Sn-1来驱动。
存储电容器Cst的另一电极可以连接到驱动电压线PL。存储电容器Cst的电极中的任何一个可以连接到驱动薄膜晶体管T1的栅电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和第一初始化薄膜晶体管T4的源电极。
显示元件ED的对电极230(例如,阴极)接收公共电压ELVSS。显示元件ED从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流Id以发光。
像素电路PC不限于参照图6和图7描述的薄膜晶体管和存储电容器Cst的数量和电路设计,并且薄膜晶体管和存储电容器Cst的数量和电路设计可以被不同地改变。
图8A至图8D是显示装置1的显示面板10的一部分的实施例的截面图。
参照图8A,主像素Pm可以设置在主显示区域MDA中,并且辅助像素Pa可以设置在辅助显示区域ADA中。辅助显示区域ADA可以包括透射区域TA。包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst的主像素电路PCm以及作为连接到主像素电路PCm的显示元件ED的主有机发光二极管OLED可以设置在主显示区域MDA中。辅助有机发光二极管OLED'可以设置在辅助显示区域ADA中。
包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'的辅助像素电路PCa可以设置在辅助电路区域PCA中。此外,可以设置从辅助电路区域PCA延伸到辅助显示区域ADA并且将辅助像素电路PCa连接到辅助有机发光二极管OLED'的连接线TWL。
在实施例中,如上面参照图4和图5所述,主显示区域MDA(参见图5)可以在辅助显示区域ADA与辅助电路区域PCA之间。在实施例中,例如,连接线TWL可以从辅助电路区域PCA经由主显示区域MDA延伸到辅助显示区域ADA,并且将辅助像素电路PCa连接到辅助有机发光二极管OLED'。连接线TWL可以与设置在主显示区域MDA中的主像素电路PCm的元件和主发光元件EDm的元件设置在不同层,或者可以被提供为在平面上至少部分地弯曲以便不与元件重叠,并且可以与元件设置在同一层。
在本实施例中,作为显示元件ED的有机发光二极管用作示例,但是在其他实施例中,无机发光元件或量子点发光二极管可以用作显示元件ED。
在下文中,将描述其中包括在显示面板10中的元件被堆叠的结构。显示面板10可以具有其中基板100、缓冲层111、电路层PCL和显示元件层EDL被堆叠的结构。
基板100可以包括诸如玻璃、石英或聚合物树脂的绝缘材料。基板100可以是刚性基板或者可弯折的、可折叠的或可卷曲的柔性基板。
缓冲层111可以遍及基板100定位以减少或阻挡来自基板100的底部的异物、湿气或外部空气的渗透,并且可以遍及基板100提供平坦表面。缓冲层111可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或有机/无机复合物,并且可以具有无机材料和有机材料的单层或多层结构。可以在基板100与缓冲层111之间进一步包括用于阻挡外部空气的渗透的阻挡层(未图示)。在一些实施例中,缓冲层111可以包括SiO2或SiNx
电路层PCL可以设置在缓冲层111上,并且可以包括主像素电路PCm和辅助像素电路PCa、第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113、层间绝缘层115以及平坦化层117。主像素电路PCm可以包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst,并且辅助像素电路PCa可以包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'。
主薄膜晶体管TFT和辅助薄膜晶体管TFT'可以设置在缓冲层111上。主薄膜晶体管TFT可以包括半导体层A1、栅电极G1、源电极S1和漏电极D1。主薄膜晶体管TFT可以连接到主有机发光二极管OLED,并且驱动主有机发光二极管OLED。辅助薄膜晶体管TFT'可以连接到辅助有机发光二极管OLED',并且驱动辅助有机发光二极管OLED'。由于辅助薄膜晶体管TFT'具有与主薄膜晶体管TFT的配置类似的配置,因此主薄膜晶体管TFT的描述代替了辅助薄膜晶体管TFT'的描述。
半导体层A1可以设置在缓冲层111上,并且可以包括多晶硅。在另一实施例中,半导体层A1可以包括非晶硅。在另一实施例中,半导体层A1可以包括选自铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)、锆(Zr)、钒(V)、铪(Hf)、镉(Cd)、锗(Ge)、铬(Cr)、钛(Ti)和锌(Zn)当中的至少一种材料的氧化物。半导体层A1可以包括沟道区、掺杂有杂质的源区和漏区。
第一栅绝缘层112可以覆盖半导体层A1。第一栅绝缘层112可以包括诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2的无机绝缘材料。第一栅绝缘层112可以包括包含前述无机绝缘材料的单层或多层。
栅电极G1可以设置在第一栅绝缘层112上,以与半导体层A1重叠。栅电极G1可以包括钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或Ti等,并且可以包括单层或多层。在实施例中,例如,栅电极G1可以包括单个Mo层。
第二栅绝缘层113可以覆盖栅电极G1。第二栅绝缘层113可以包括诸如SiOx、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO的无机绝缘材料。第二栅绝缘层113可以包括包含前述无机绝缘材料的单层或多层。
主存储电容器Cst的上电极CE2和辅助存储电容器Cst'的上电极CE2'可以设置在第二栅绝缘层113上。主存储电容器Cst的上电极CE2和辅助存储电容器Cst'的上电极CE2'可以在基板100上的层当中的同一层中。如本文中所使用的,在同一层中(或在同一层)的元件可以是同一材料层的相应的图案、彼此共面的元件等,但不限于此。
在主显示区域MDA中,主存储电容器Cst的上电极CE2可以与设置在其之下的栅电极G1重叠。彼此重叠的栅电极G1和上电极CE2(其间具有第二栅绝缘层113)可以形成主存储电容器Cst。栅电极G1可以是主存储电容器Cst的下电极CE1。
在辅助电路区域PCA中,辅助存储电容器Cst'的上电极CE2'可以与设置在其之下的辅助薄膜晶体管TFT'的栅电极重叠。辅助薄膜晶体管TFT'的栅电极可以是辅助存储电容器Cst'的下电极CE1'。
上电极CE2和CE2'可以包括Al、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、Mo、Ti、钨(W)和/或Cu,并且可以包括包含前述材料的单层或多层。
层间绝缘层115可以形成为覆盖上电极CE2和CE2'。层间绝缘层115可以包括SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2。层间绝缘层115可以包括包含前述无机绝缘材料的单层或多层。
源电极S1和漏电极D1可以设置在层间绝缘层115之上。源电极S1和漏电极D1可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti等的导电材料,并且可以包括包含前述材料的单层或多层。在实施例中,例如,源电极S1和漏电极D1可以具有Ti/Al/Ti的多层结构。此外,数据线DL可以设置在层间绝缘层115上。
平坦化层117可以设置为覆盖源电极、漏电极和数据线DL。平坦化层117可以具有平坦的顶表面,以便设置在平坦化层117上的主像素电极210和辅助像素电极210'平坦地形成。
平坦化层117可以包括有机材料或无机材料,并且可以具有单层结构或多层结构。平坦化层117可以包括第一平坦化层117a和第二平坦化层117b。相应地,诸如信号线的导电图案可以形成在第一平坦化层117a与第二平坦化层117b之间,从而有利于高集成度。连接电极CM和数据连接线DWL可以设置在第一平坦化层117a上作为导电图案。
平坦化层117可以包括诸如苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、丙烯酸醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物或乙烯醇类聚合物。此外,平坦化层117可以包括诸如SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO2的无机绝缘材料。当形成平坦化层117时,可以在层的顶表面上执行化学机械抛光,以在形成层之后提供平坦的顶表面。
第一平坦化层117a可以设置为覆盖主像素电路PCm和辅助像素电路PCa。第二平坦化层117b可以设置在第一平坦化层117a上,并且可以具有平坦的顶表面,以便主像素电极210和辅助像素电极210'平坦地形成。
数据连接线DWL可以设置在第一平坦化层117a上。数据连接线DWL可以连接到数据线DL(或图8B中的第一数据线DL1),以便同一信号被施加到驱动设置在显示区域DA内的同一像素列中的主像素Pm和辅助像素Pa的像素电路。数据连接线DWL可以设置在主显示区域MDA中。数据连接线DWL可以与数据线DL设置在不同层,并且可以通过接触孔连接到数据线DL。
连接线TWL可以包括设置在彼此不同的层中的第一子线TWL1和第二子线TWL2,并且第一子线TWL1可以通过接触部分CT电连接到第二子线TWL2。在实施例中,例如,第一子线TWL1的一端可以电连接到辅助像素电路PCa的辅助薄膜晶体管TFT',第一子线TWL1的与第一子线TWL1的该一端相对的另一端可以通过接触部分CT电连接到第二子线TWL2的一端,并且第二子线TWL2的与第二子线TWL2的该一端相对的另一端可以电连接到辅助有机发光二极管OLED'的辅助像素电极210'。
如图8A中所图示,第一子线TWL1可以设置在层间绝缘层115上。在实施例中,第一子线TWL1可以与包括源电极S1、漏电极D1和数据线DL的电极层设置在同一层,使得第一子线TWL1、源电极S1、漏电极D1和数据线DL在同一层中。
第一子线TWL1可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti等的导电材料,并且可以包括包含前述材料的单层或多层。在实施例中,为了减少在图案化工艺期间对源电极S1、漏电极D1和/或数据线DL的损坏,第一子线TWL1可以包括与源电极S1、漏电极D1和/或数据线DL的材料不同的材料。
第二子线TWL2可以设置在第一平坦化层117a上。在实施例中,第二子线TWL2可以与连接电极CM和数据连接线DWL设置在同一层。
尽管图8A图示了第二子线TWL2被提供为从接触部分CT到辅助像素电极210'的单一体,但是一个或多个实施例不限于此。第二子线TWL2的与辅助显示区域ADA相对应的至少一部分或第二子线TWL2的全部可以包括透明导电材料。在实施例中,例如,第二子线TWL2的一部分或全部可以包括透明导电氧化物(TCO)。TCO可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)或氧化铝锌(AZO)。在实施例中,与辅助电路区域PCA或主显示区域MDA相对应的第二子线TWL2可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti等的导电材料,并且可以包括包含前述材料的多层或单层。相应地,可以显著减小连接线TWL的电阻。
第一子线TWL1可以在接触部分CT处电连接到第二子线TWL2。经由接触部分CT,第二子线TWL2可以通过第一平坦化层117a的接触孔电连接到第一子线TWL1。在实施例中,为了防止辅助显示区域ADA的透光率降低,接触部分CT可以位于辅助电路区域PCA或主显示区域MDA中。
在实施例中,第一子线TWL1和第二子线TWL2可以被分别提供为多条第一子线TWL1和多条第二子线TWL2。多条第一子线TWL1和多条第二子线TWL2可以彼此交替地连接,以防止与设置在连接线TWL所穿过的主显示区域MDA和辅助显示区域ADA中的主像素电路PCm的元件和辅助像素电路PCa的元件以及主有机发光二极管OLED的元件和辅助有机发光二极管OLED'的元件、以及其他线的(电)干扰。在实施例中,例如,连接线TWL包括在与主像素Pm相对应的区域中的第一子线TWL1,以便可以显著减小由于连接线TWL引起的对主像素Pm的干扰。
主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'可以设置在第二平坦化层117b上。主有机发光二极管OLED的主像素电极210可以通过设置在第一平坦化层117a上的连接电极CM连接到主像素电路PCm。辅助有机发光二极管OLED'的辅助像素电极210'可以通过包括设置在层间绝缘层115上的第一子线TWL1和设置在第一平坦化层117a上的第二子线TWL2的连接线TWL连接到辅助像素电路PCa。
主像素电极210和辅助像素电极210'可以各自包括诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO的导电氧化物。主像素电极210和辅助像素电极210'可以各自包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其任何化合物的反射层。在实施例中,例如,主像素电极210和辅助像素电极210'可以在前述反射层上面或之下各自具有包括包含ITO、IZO、ZnO或In2O3的层的结构。在这种情况下,主像素电极210和辅助像素电极210'可以各自具有ITO/Ag/ITO的堆叠结构。
像素限定层120可以覆盖在平坦化层117上的主像素电极210的边缘和辅助像素电极210'的边缘,并且可以包括分别暴露主像素电极210的中心部分和辅助像素电极210'的中心部分的主开口OPm和辅助开口OPa。主开口OPm和辅助开口OPa分别限定主有机发光二极管OLED的发光区域的大小和形状以及辅助有机发光二极管OLED'的发光区域的大小和形状(即,主像素Pm的大小和形状以及辅助像素Pa的大小和形状)。
像素限定层120可以通过增加主像素电极210的边缘和辅助像素电极210'的边缘与在主像素电极210和辅助像素电极210'上面的对电极230之间的距离来防止在主像素电极210的边缘和辅助像素电极210'的边缘上发生电弧等。像素限定层120可以包括诸如聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯、HMDSO或酚醛树脂的有机绝缘材料,并且可以通过旋涂等来形成。
形成为分别与主像素电极210和辅助像素电极210'相对应的第一发射层222和第二发射层222'可以分别设置在像素限定层120的主开口OPm和辅助开口OPa中。第一发射层222和第二发射层222'中的每一个可以包括聚合物材料或低分子量材料,并且可以发射红光、绿光、蓝光或白光。
有机功能层221和223可以设置在第一发射层222和第二发射层222'上和/或之下。有机功能层221和223可以包括第一功能层221和/或第二功能层223。可以省略第一功能层221或第二功能层223。
第一功能层221可以设置在第一发射层222和第二发射层222'之下。第一功能层221可以包括包含有机材料的单层或多层。第一功能层221可以包括具有单层结构的空穴传输层(HTL)。可替代地,第一功能层221可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。第一功能层221可以形成为单一体,以与分别包括在主显示区域MDA和辅助显示区域ADA中的主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'相对应。
第二功能层223可以设置在第一发射层222和第二发射层222'上。第二功能层223可以包括包含有机材料的单层或多层。第二功能层223可以包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。第二功能层223可以形成为单一体,以与分别包括在主显示区域MDA和辅助显示区域ADA中的主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'相对应。
对电极230可以设置在第二功能层223上。对电极230可以包括具有低功函数的导电材料。在实施例中,例如,对电极230可以包括包含Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其任何合金的(半)透明层。可替代地,对电极230可以进一步包括在包含前述材料的(半)透明层上的、诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的层。对电极230可以形成为单一体,以与分别包括在主显示区域MDA和辅助显示区域ADA中的主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'相对应。
形成在主显示区域MDA中的从主像素电极210到对电极230的层可以构成主有机发光二极管OLED。形成在辅助显示区域ADA中的从辅助像素电极210'到对电极230的层可以构成辅助有机发光二极管OLED'。
包括有机材料的上层250可以形成在对电极230上。上层250可以是提供为保护对电极230和增加光提取效率的层。上层250可以包括具有比对电极230的折射率高的折射率的有机材料。可替代地,上层250可以通过堆叠具有不同折射率的层来提供。在实施例中,例如,上层250可以通过堆叠高折射率层/低折射率层/高折射率层来提供。在这种情况下,高折射率层的折射率可以是约1.7或更高,并且低折射率层的折射率可以是约1.3或更低。
上层250可以进一步包括氟化锂(LiF)。可替代地,上层250可以附加地包括诸如SiO2或SiNx的无机绝缘材料。
尽管图8B与图8A类似,但是不同之处在于第一子线TWL1设置在第一平坦化层117a上,并且在第一子线TWL1与第二子线TWL2之间进一步包括绝缘层118。
参照图8B,第一子线TWL1可以设置在第一平坦化层117a上。在实施例中,例如,第一子线TWL1可以与连接电极CM、数据连接线DWL和第二数据线DL2设置在同一层(例如,与参考层距第一平坦化层117a相同距离)。在实施例中,第一子线TWL1可以包括与连接电极CM和/或数据连接线DWL的导电材料不同的导电材料。
绝缘层118可以设置在第一平坦化层117a上,以覆盖第一子线TWL1。在实施例中,绝缘层118可以包括无机绝缘材料。在这种情况下,无机绝缘材料可以包括诸如SiO2、SiNx、SiOxNy、Al2O3、TiO2、Ta2O5、HfO2或ZnO的无机绝缘材料。在另一实施例中,绝缘层118可以包括有机绝缘材料。在这种情况下,有机绝缘材料可以包括诸如BCB、聚酰亚胺、HMDSO、PMMA或PS的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、丙烯酸醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物或乙烯醇类聚合物。在实施例中,例如,绝缘层118可以包括与第一平坦化层117a和/或第二平坦化层117b相同的材料。
第二子线TWL2可以设置在绝缘层118上。第二子线TWL2的与辅助显示区域ADA相对应的至少一部分可以包括透明导电材料。第二子线TWL2设置在绝缘层118上,并且与第一子线TWL1设置在不同层,并且可以不干扰主有机发光二极管OLED和辅助有机发光二极管OLED'、主像素电路PCm和辅助像素电路PCa以及数据线DL和数据连接线DWL。
如上所述,第一子线TWL1可以通过接触部分CT电连接到第二子线TWL2。在接触部分CT中,第二子线TWL2可以通过绝缘层118的接触孔电连接到第一子线TWL1。在实施例中,为了防止辅助显示区域ADA的透光率降低,接触部分CT可以位于辅助电路区域PCA或主显示区域MDA中。
辅助有机发光二极管OLED'的辅助像素电极210'可以通过包括第一子线TWL1和第二子线TWL2的连接线TWL连接到辅助像素电路PCa。
在实施例中,第一子线TWL1和第二子线TWL2可以被分别提供为多条第一子线TWL1和多条第二子线TWL2,并且多条第一子线TWL1和多条第二子线TWL2可以彼此交替地连接,以防止与设置在连接线TWL所穿过的主显示区域MDA和辅助显示区域ADA中的主像素电路PCm的元件和辅助像素电路PCa的元件以及主有机发光二极管OLED的元件和辅助有机发光二极管OLED'的元件的干扰。
参照图8C,连接线TWL可以包括第一子线TWL1、第二子线TWL2和第三子线TWL3。第一子线TWL1可以设置在层间绝缘层115上。在实施例中,例如,第一子线TWL1可以与源电极S1、漏电极D1和数据线DL设置在同一层。
第二子线TWL2可以设置在第二栅绝缘层113上。例如,第二子线TWL2可以与上电极CE2设置在同一层。在另一实施例中,第二子线TWL2可以设置在第一栅绝缘层112上。在实施例中,例如,第二子线TWL2可以与栅电极G1和/或下电极CE1设置在同一层。
第二子线TWL2可以包括包含Mo、Al、Cu或Ti等的导电材料,并且可以包括包含前述材料的单层或多层。在实施例中,第二子线TWL2可以包括与设置在同一层的主像素电路PCm的元件的材料和辅助像素电路PCa的元件的材料不同的材料。
第三子线TWL3可以设置在第一平坦化层117a上。在另一实施例中,如图8D中所图示,第三子线TWL3可以设置在绝缘层118(参见图8D)上。第三子线TWL3的与辅助显示区域ADA相对应的至少一部分或全部可以包括透明导电层。
第一子线TWL1可以通过第一接触部分CT1电连接到第二子线TWL2。第二子线TWL2可以通过第二接触部分CT2电连接到第三子线TWL3。在实施例中,在第二接触部分CT2中,连接线TWL可以进一步包括设置在层间绝缘层115上的、用于在第二子线TWL2与第三子线TWL3之间的电连接的桥金属BM(例如,桥)。在另一实施例中,在第二接触部分CT2中,第二子线TWL2可以电连接到第一子线TWL1,并且在第三接触部分(未图示)中,第一子线TWL1可以电连接到第三子线TWL3。
在实施例中,第一子线TWL1、第二子线TWL2和第三子线TWL3可以被分别提供为多条第一子线TWL1、多条第二子线TWL2和多条第三子线TWL3,并且多条第一子线TWL1、多条第二子线TWL2和多条第三子线TWL3可以彼此交替地连接,以防止与设置在连接线TWL所穿过的主显示区域MDA和辅助显示区域ADA中的主像素电路PCm的元件和辅助像素电路PCa的元件以及主有机发光二极管OLED的元件和辅助有机发光二极管OLED'的元件的干扰。在这种情况下,当第一子线TWL1、第二子线TWL2和第三子线TWL3通过多个层连接时,可以进一步包括用于在第一子线TWL1、第二子线TWL2和第三子线TWL3之间的电连接的桥金属BM。
参照图8D,连接线TWL可以包括第一子线TWL1、第二子线TWL2和第三子线TWL3。第一子线TWL1可以设置在层间绝缘层115上。在实施例中,例如,第一子线TWL1可以与源电极S1、漏电极D1和数据线DL设置在同一层。
第二子线TWL2可以设置在第一平坦化层117a上。在实施例中,例如,第二子线TWL2可以与连接电极CM和数据连接线DWL设置在同一层。
第三子线TWL3可以设置在绝缘层118上。绝缘层118可以是为了避免第三子线TWL3与主像素电路PCm的元件和辅助像素电路PCa的元件、主有机发光二极管OLED的元件和辅助有机发光二极管OLED'的元件以及数据线DL的元件和数据连接线DWL的元件的干扰而添加的层。在实施例中,绝缘层118可以包括无机绝缘材料。在另一实施例中,绝缘层118可以包括有机绝缘材料。在实施例中,例如,绝缘层118可以与第一平坦化层117a或第二平坦化层117b包括相同的材料。
第一子线TWL1可以通过第一接触部分CT1电连接到第二子线TWL2。第二子线TWL2可以通过第二接触部分CT2电连接到第三子线TWL3。
在实施例中,第一子线TWL1、第二子线TWL2和第三子线TWL3可以被分别提供为多条第一子线TWL1、多条第二子线TWL2和多条第三子线TWL3,并且多条第一子线TWL1、多条第二子线TWL2和多条第三子线TWL3可以彼此交替地连接,以防止与设置在连接线TWL所穿过的主显示区域MDA和辅助显示区域ADA中的主像素电路PCm的元件和辅助像素电路PCa的元件以及主有机发光二极管OLED的元件和辅助有机发光二极管OLED'的元件的干扰。在这种情况下,当第一子线TWL1、第二子线TWL2和第三子线TWL3通过多个层被连接时,可以进一步包括用于在第一子线TWL1、第二子线TWL2和第三子线TWL3之间的电连接的桥金属BM。
在图8D中,图示了显示面板10,其中一个绝缘层118在第一平坦化层117a与第二平坦化层117b之间,并且连接线TWL包括第一子线TWL1、第二子线TWL2和第三子线TWL3,但是一个或多个实施例不限于此。显示面板10可以包括多个绝缘层,并且连接线TWL可以包括设置在不同层的更多数量的子线。
图9是显示装置1'的实施例的示意性透视图。
参照图9,显示装置1'可以包括显示区域DA和在显示区域DA外面的***区域DPA。显示区域DA可以包括主显示区域MDA和设置在主显示区域MDA外面的辅助显示区域ADA。也就是说,主显示区域MDA和辅助显示区域ADA中的每一个可以单独或一起显示图像。***区域DPA可以是其中未设置显示元件的一类非显示区域。显示区域DA可以完全被***区域DPA围绕。
尽管图9图示了两个辅助显示区域ADA沿着x方向位于主显示区域MDA的两个相对侧,但是一个或多个实施例不限于此。在另一实施例中,显示装置1'可以进一步包括沿着y方向位于主显示区域MDA上面和/或之下的辅助显示区域ADA。
显示装置1'可以通过使用设置在主显示区域MDA中的多个主像素Pm和设置在辅助显示区域ADA中的多个辅助像素Pa来提供图像。
如下面参照图10所述,辅助像素Pa可以设置在辅助显示区域ADA中,以与包括第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2和公共电压电源线13的驱动电路部分地重叠。在实施例中,例如,辅助像素Pa的显示元件ED(例如,有机发光二极管OLED')可以设置在辅助显示区域ADA上面,并且驱动电路可以设置在辅助显示区域ADA之下。
多个辅助像素Pa可以设置在辅助显示区域ADA中。多个辅助像素Pa可以通过发光来提供图像。在辅助显示区域ADA中显示的图像是辅助图像,并且可以具有比在主显示区域MDA中显示的图像的分辨率低的分辨率。也就是说,可以在辅助显示区域ADA中每单位面积设置的辅助像素Pa的数量可以比在主显示区域MDA中每单位面积设置的主像素Pm的数量少。
图10是可以被包括在图9的显示装置1'中的显示面板10'的实施例的示意性平面图。
参照图10,构成显示面板10'的各个元件可以设置在基板100上。基板100可以包括显示区域DA和围绕显示区域DA的***区域DPA。显示区域DA可以包括其中显示主图像的主显示区域MDA、其中显示辅助图像的辅助显示区域ADA和辅助电路区域PCA。辅助图像可以与主图像一起形成整个图像,或者辅助图像可以是独立于主图像的图像。
多个主像素Pm可以设置在主显示区域MDA中。主像素Pm中的每一个可以由诸如OLED的显示元件ED来实现。驱动主像素Pm的主像素电路PCm可以设置在主显示区域MDA中,并且主像素电路PCm可以设置为与主像素Pm重叠。每个主像素Pm可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光的光。主显示区域MDA可以被用封装构件ENCM覆盖以保护免受外部空气或湿气的影响。
辅助电路区域PCA可以在主显示区域MDA与辅助显示区域ADA之间、在显示区域DA内。相应地,多个中间像素Pt和多个辅助像素电路PCa设置在辅助电路区域PCA中。也就是说,辅助像素电路PCa和驱动中间像素Pt的中间像素电路PCt设置在辅助电路区域PCA中。在辅助电路区域PCA中,可以在辅助电路区域PCA中每单位面积设置的中间像素Pt的数量可以比可以在主显示区域MDA中每单位面积设置的主像素Pm的数量少。每个中间像素Pt可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光的光。辅助电路区域PCA可以被用封装构件ENCM覆盖以保护免受外部空气或湿气的影响。
在实施例中,中间像素Pt和主像素Pm可以在沿着显示面板10'的平面的一个或多个方向上具有不同的大小(或宽度)。在实施例中,例如,中间像素Pt的大小可以大于主像素Pm的大小,并且可以设置为与中间像素电路PCt和辅助像素电路PCa重叠。
在另一实施例中,中间像素Pt可以与主像素Pm具有相同的大小,但是发射同一颜色的多个中间像素Pt可以通过电极线彼此电连接。通过电极线电连接的多个中间像素Pt可以连接到一个中间像素电路PCt,并且被共同驱动。中间像素Pt可以设置为与中间像素电路PCt和辅助像素电路PCa重叠。
如上所述,辅助显示区域ADA可以位于主显示区域MDA的两个相对侧,或者可以围绕主显示区域MDA的外面的至少一部分。辅助显示区域ADA可以定位为与辅助电路区域PCA的边界接触。多个辅助像素Pa的显示元件设置在辅助显示区域ADA中。多个辅助像素Pa中的每一个可以由诸如OLED的显示元件ED来实现。驱动辅助像素Pa的辅助像素电路PCa可以设置在靠近辅助显示区域ADA的辅助电路区域PCA中。
辅助像素电路PCa可以通过在x方向上延伸的连接线TWL连接到实现辅助像素Pa的显示元件ED。连接线TWL连接到显示元件ED可以意味着连接线TWL电连接到显示元件ED的像素电极。
每个辅助像素Pa可以发射例如红光、绿光、蓝光或白光的光。辅助显示区域ADA可以被用封装构件ENCM覆盖以保护免受外部空气或湿气的影响。
驱动主像素Pm、中间像素Pt和辅助像素Pa的像素电路中的每一个可以电连接到设置在显示区域DA外面的驱动电路。驱动电路可以包括第一扫描驱动电路SDRV1、第二扫描驱动电路SDRV2和公共电压电源线13。如上所述,驱动电路中的至少一些可以设置在辅助显示区域ADA中,并且可以与辅助像素Pa的显示元件ED重叠。因为辅助像素Pa的显示元件ED设置在驱动电路的至少一些元件上并且与驱动电路的至少一些元件重叠,所以可以增加显示区域DA的面积。端子部分PAD和驱动电压电源线11可以进一步设置在***区域DPA中。
第一扫描驱动电路SDRV1可以被配置为通过扫描线SL将扫描信号Sn分别施加到驱动主像素Pm和辅助像素Pa的主像素电路PCm和辅助像素电路PCa中的每一个。第一扫描驱动电路SDRV1可以被配置为通过发射控制线EL将发射控制信号En施加到每个像素电路。第二扫描驱动电路SDRV2可以定位为相对于主显示区域MDA与第一扫描驱动电路SDRV1相对,并且可以与第一扫描驱动电路SDRV1基本平行。分别驱动主像素Pm、中间像素Pt和辅助像素Pa的主像素电路PCm、中间像素电路PCt和辅助像素电路PCa中的一些像素电路可以电连接到第一扫描驱动电路SDRV1,并且分别驱动主像素Pm、中间像素Pt和辅助像素Pa的主像素电路PCm、中间像素电路PCt和辅助像素电路PCa中的其他像素电路可以电连接到第二扫描驱动电路SDRV2。
端子部分PAD可以设置在基板100的一侧处。端子部分PAD被暴露而未被绝缘层覆盖,并且连接到显示电路板30。显示驱动器32可以设置在显示电路板30处。
显示驱动器32可以生成要被传输到第一扫描驱动电路SDRV1和第二扫描驱动电路SDRV2的控制信号。显示驱动器32可以生成数据信号Dm,并且所生成的数据信号可以通过扇出线FW和连接到扇出线FW的数据线DL被传输到主像素电路PCm和辅助像素电路PCa。
显示驱动器32可以将驱动电压ELVDD供应到驱动电压电源线11,并且可以将公共电压ELVSS供应到公共电压电源线13。驱动电压ELVDD可以通过连接到驱动电压电源线11的驱动电压线PL被施加到主像素Pm的像素电路和辅助像素Pa的像素电路,并且公共电压ELVSS可以通过公共电压电源线13被施加到显示元件ED的对电极230。
驱动电压电源线11可以被提供为在x方向上在主显示区域MDA之下延伸。公共电压电源线13可以具有在环形形状中其中一侧开口的形状,以部分地围绕主显示区域MDA。
图11是图10中示出的显示面板10'的一部分的实施例的截面图。
尽管图11与图8A类似,但是不同之处在于驱动电路设置在辅助显示区域ADA中,并且辅助像素电路PCa设置在主显示区域MDA的至少一部分中。由于其他配置与前述实施例的配置相同,因此下面主要描述不同之处。
参照图11,主像素Pm可以设置在主显示区域MDA中,并且辅助像素Pa和驱动电路可以设置在辅助显示区域ADA中。辅助电路区域PCA可以在主显示区域MDA与辅助显示区域ADA之间。包括主薄膜晶体管TFT和主存储电容器Cst的主像素电路PCm、作为连接到主像素电路PCm的显示元件ED的主有机发光二极管OLED可以设置在主显示区域MDA中。此外,包括辅助薄膜晶体管TFT'和辅助存储电容器Cst'的辅助像素电路PCa可以设置在辅助电路区域PCA中。辅助有机发光二极管OLED'可以设置在辅助显示区域ADA中。此外,可以设置从辅助电路区域PCA延伸到辅助显示区域ADA并且将辅助像素电路PCa连接到辅助有机发光二极管OLED'的连接线TWL。尽管图11中未图示,但是多个中间像素Pt(参见图10)、多个中间像素电路PCt(参见图10)和多个辅助像素Pa可以设置在通过连接线TWL连接的辅助像素Pa与辅助像素电路PCa之间的区域中。连接线TWL可以与中间像素Pt的元件、辅助像素电路PCa的元件和辅助有机发光二极管OLED'的元件设置在不同层,或者可以与这些元件设置在同一层以便不与这些元件重叠。
第一子线TWL1可以设置在第一平坦化层117a上。在实施例中,第一子线TWL1可以与第一连接电极CM1和数据连接线DWL设置在同一层。
第二子线TWL2可以设置在绝缘层118上。绝缘层118可以是为了避免第二子线TWL2与主像素电路PCm的元件和辅助像素电路PCa的元件以及主有机发光二极管OLED的元件和辅助有机发光二极管OLED'的元件的干扰而添加的层。在实施例中,绝缘层118可以包括无机绝缘材料。在另一实施例中,绝缘层118可以包括有机绝缘材料。在实施例中,例如,绝缘层118可以与第一平坦化层117a或第二平坦化层117b包括相同的材料。
第一子线TWL1可以通过接触部分CT电连接到第二子线TWL2。在实施例中,第一子线TWL1和第二子线TWL2可以被提供为多条第一子线TWL1和多条第二子线TWL2。在实施例中,例如,多条第一子线TWL1和多条第二子线TWL2可以彼此交替地连接,以便连接线TWL与中间像素Pt的元件、辅助像素电路PCa的元件和辅助有机发光二极管OLED'的元件设置在不同层。
在图11中,图示了显示面板10',其中一个绝缘层118在第一平坦化层117a与第二平坦化层117b之间,并且连接线TWL包括第一子线TWL1和第二子线TWL2,但是一个或多个实施例不限于此。如参照图8A所述,显示面板10可以不包括绝缘层118。连接线TWL的至少一部分可以与构成主像素电路PCm的主薄膜晶体管TFT的电极层S1和D1设置在同一层。
此外,如上面参照图8C或8D所述,连接线TWL可以包括设置在不同层的三条或更多条子线(例如,第一子线TWL1、第二子线TWL2和第三子线TWL3)。连接线TWL的至少一部分可以与构成主像素电路PCm的主薄膜晶体管TFT的栅电极G1设置在同一层,或者可以与主存储电容器Cst的下电极CE1或上电极CE2设置在同一层。为了电连接其间设置有多个层的子线(例如,第一子线TWL1和第三子线TWL3),连接线TWL可以包括在绝缘层之间的桥金属BM(参见图8C)。
图12是图10中示出的显示面板10'的显示区域的一部分的实施例的示意性平面图。
参照图12,显示区域DA可以包括辅助显示区域ADA和设置为与辅助显示区域ADA的边界接触的辅助电路区域PCA。也就是说,辅助显示区域ADA和辅助电路区域PCA在边界处彼此相交。
图像可以通过二维设置的多个中间像素Pt和多个辅助像素Pa的阵列被提供在辅助显示区域ADA和辅助电路区域PCA中。辅助像素Pa可以设置在辅助显示区域ADA中,并且中间像素Pt可以设置在辅助电路区域PCA中。
辅助像素Pa可以包括红色辅助像素Par、绿色辅助像素Pag和蓝色辅助像素Pab。在实施例中,如图12中所图示,红色辅助像素Par、绿色辅助像素Pag和蓝色辅助像素Pab可以以蜂窝状类型设置。在另一实施例中,红色辅助像素Par、绿色辅助像素Pag和蓝色辅助像素Pab还可以以条带类型设置。
红色辅助像素Par、绿色辅助像素Pag和蓝色辅助像素Pab可以具有不同的大小(或宽度)。在实施例中,例如,红色辅助像素Par的大小和蓝色辅助像素Pab的大小可以各自大于绿色辅助像素Pag的大小。在这种情况下,当红色辅助像素Par的大小和蓝色辅助像素Pab的大小大于绿色辅助像素Pag的大小时,它可以指示红色辅助像素Par的发射区域Par-E和蓝色辅助像素Pab的发射区域Pab-E大于绿色辅助像素Pag的发射区域Pag-E。
中间像素Pt可以包括红色中间像素Ptr、绿色中间像素Ptg和蓝色中间像素Ptb。在实施例中,如图12中所图示,红色中间像素Ptr、绿色中间像素Ptg和蓝色中间像素Ptb可以以蜂窝状类型设置。在另一实施例中,红色中间像素Ptr、绿色中间像素Ptg和蓝色中间像素Ptb还可以以条带类型设置。
红色中间像素Ptr、绿色中间像素Ptg和蓝色中间像素Ptb可以具有不同的大小(或宽度)。在实施例中,例如,红色中间像素Ptr的大小和蓝色中间像素Ptb的大小可以大于绿色中间像素Ptg的大小。
尽管图12图示了中间像素Pt和辅助像素Pa具有彼此相同的大小(或宽度),但是中间像素Pt和辅助像素Pa可以具有彼此不同的大小(或宽度)。
中间像素电路PCt和辅助像素电路PCa可以设置在辅助电路区域PCA中。中间像素Pt可以设置为与中间像素电路PCt和辅助像素电路PCa重叠。
在实施例中,如图12中所图示,发射同一颜色的主像素Pm和辅助像素Pa可以彼此电连接,并且可以被共同驱动。在实施例中,例如,蓝色辅助像素Pab可以通过第一辅助电极线CLa-1电连接到另一蓝色辅助像素Pab',并且可以被第一辅助像素电路PCa-1共同驱动。红色辅助像素Par(例如,第一辅助显示元件)可以通过第二辅助电极线CLa-2电连接到另一红色辅助像素Par'(例如,第二辅助显示元件),并且可以被第二辅助像素电路PCa-2共同驱动。红色中间像素Ptr可以通过第一中间电极线CLm-1电连接到另一中间像素Ptr',并且可以被第一中间像素电路PCt-1共同驱动。
连接线TWL可以从辅助电路区域PCA延伸到辅助显示区域ADA,并且可以将辅助像素电路PCa电连接到辅助像素Pa。连接线TWL的一端可以电连接到辅助像素电路PCa,并且连接线TWL的另一端可以电连接到辅助像素Pa的显示元件ED。在这种情况下,连接线TWL可以直接连接到显示元件ED的像素电极,或者可以通过辅助电极线CLa电连接到显示元件。尽管图12图示了连接线TWL设置为跨辅助像素Pa的发射区域和中间像素Pt的发射区域,但是一个或多个实施例不限于此。如上所述,为了防止与显示元件、辅助像素电路PCa的元件和中间像素电路PCt的元件以及其他线的干扰,连接线TWL可以在平面上至少部分地弯曲。
图13A至图13D是显示区域DA的一部分的实施例的示意性平面图。
参照图13A,连接线TWL可以设置在包括多个像素(例如,主像素Pm、辅助像素Pa和/或中间像素Pt)的显示区域DA中。显示区域DA可以包括被像素限定层120(参见图8A)限定的红色发射区域EAr、蓝色发射区域EAb和绿色发射区域EAg。如上所述,红色发射区域EAr、蓝色发射区域EAb和绿色发射区域EAg可以具有不同的大小(或宽度)。在实施例中,例如,蓝色发射区域EAb和红色发射区域EAr可以大于绿色发射区域EAg。
连接线TWL可以包括设置在不同层的第一子线TWL1和第二子线TWL2。第一子线TWL1可以通过接触部分CT电连接到第二子线TWL2。接触部分CT可以设置在红色发射区域EAr、蓝色发射区域EAb和绿色发射区域EAg之间的区域中。由于连接线TWL包括设置在不同层的第一子线TWL1和第二子线TWL2,因此当连接线TWL被提供为单一体时引入到构成连接线TWL的单个金属层中的电荷可以被分布到不同的金属层。相应地,可以减少或阻止通过连接线TWL引入的电荷,从而减少由于静电引起的像素缺陷。
连接线TWL可以设置为与红色发射区域EAr、蓝色发射区域EAb和绿色发射区域EAg重叠。因此,连接线TWL的长度可以被缩短以减小连接线TWL的电阻,并且可以有助于布线。
参照图13B,连接线TWL可以包括设置在不同层的第一子线TWL1和第二子线TWL2。第一子线TWL1可以通过接触部分CT电连接到第二子线TWL2。接触部分CT可以设置在红色发射区域EAr、蓝色发射区域EAb和绿色发射区域EAg之间的区域中。连接线TWL可以设置在红色发射区域EAr、蓝色发射区域EAb和绿色发射区域EAg之间的区域中,以便不与红色发射区域EAr、蓝色发射区域EAb和绿色发射区域EAg重叠。在实施例中,例如,连接线TWL可以在平面上与红色发射区域EAr、蓝色发射区域EAb和绿色发射区域EAg的边界间隔开,并且可以设置为围绕红色发射区域EAr、蓝色发射区域EAb和绿色发射区域EAg的至少一部分。因此,可以减少连接线TWL与主像素Pm的元件、辅助像素Pa的元件和中间像素Pt的元件的干扰。
参照图13C,连接线TWL可以包括设置在不同层的第一子线TWL1和第二子线TWL2。第一接触部分CT1和第二接触部分CT2可以设置在红色发射区域EAr、蓝色发射区域EAb和绿色发射区域EAg之间的区域中。在实施例中,如图13C中所图示,第一接触部分CT1和第二接触部分CT2可以相对于相同的一个红色发射区域EAr来设置。在第一接触部分CT1处,第一子线TWL1可以电连接到第二子线TWL2,并且在第二接触部分CT2处,第二子线TWL2可以电连接到第一子线TWL1,以便第一子线TWL1和第二子线TWL2交替地设置。因此,可以减少连接线TWL与主像素Pm的元件、辅助像素Pa的元件和中间像素Pm的元件以及其他线的干扰。
参照图13D,连接线TWL可以包括设置在不同层的第一子线TWL1、第二子线TWL2和第三子线TWL3。第一接触部分CT1和第二接触部分CT2可以设置在红色发射区域EAr、蓝色发射区域EAb和绿色发射区域EAg之间的区域中。在第一接触部分CT1处,第一子线TWL1可以电连接到第二子线TWL2,并且在第二接触部分CT2处,第二子线TWL2可以电连接到第三子线TWL3,以便第一子线TWL1、第二子线TWL2和第三子线TWL3交替地设置。因此,可以减少连接线TWL与主像素Pm的元件、辅助像素Pa的元件和中间像素Pm的元件以及其他线的干扰。
在图13B至图13D中,连接线TWL设置在红色发射区域EAr、蓝色发射区域EAb和绿色发射区域EAg之间的区域中,以便不与红色发射区域EAr、蓝色发射区域EAb和绿色发射区域EAg重叠,但是取决于其中设置第一子线TWL1、第二子线TWL2和第三子线TWL3的层,第一子线TWL1、第二子线TWL2和第三子线TWL3的至少一部分可以设置为与红色发射区域EAr、蓝色发射区域EAb和绿色发射区域EAg重叠,从而缩短连接线的长度TWL,并且有助于布线。
根据如上所述的一个或多个实施例,可以实现其中通过阻止电荷通过连接线引入而显著减少由于静电引起的像素缺陷的显示装置。然而,本公开不受这些效果限制。
应理解的是,本文中描述的实施例应仅在描述性意义上考虑,而不是为了限制的目的。每个实施例内特征的描述通常应被认为可用于其他实施例中的其他类似特征。虽然已经参照各图描述了一个或多个实施例,但是本领域普通技术人员将理解的是,可以在其中进行形式和细节上的各种改变,而不脱离由所附权利要求限定的精神和范围。

Claims (10)

1.一种显示装置,包括:
基板,包括辅助显示区域和在所述辅助显示区域外面的辅助电路区域;
在所述基板上的多个层,所述多个层包括:
在所述辅助显示区域中的辅助显示元件;
在所述辅助电路区域中并且连接到所述辅助显示元件的辅助像素电路;以及
连接线,从所述辅助电路区域延伸到所述辅助显示区域,所述连接线将所述辅助像素电路连接到所述辅助显示元件,
其中,所述连接线包括在所述基板上的所述多个层当中的不同层的第一子线和第二子线。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述辅助像素电路包括薄膜晶体管和存储电容器,
所述薄膜晶体管包括半导体层、与所述半导体层相对应的栅电极以及在所述栅电极上的电极层,并且
所述第一子线和所述栅电极在同一层。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述辅助像素电路包括薄膜晶体管和存储电容器,
所述薄膜晶体管包括半导体层、与所述半导体层相对应的栅电极以及在所述栅电极上的电极层,并且
所述第一子线和所述电极层在同一层。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述辅助像素电路包括薄膜晶体管和存储电容器,
所述薄膜晶体管包括半导体层、与所述半导体层相对应的栅电极以及在所述栅电极上的电极层,
在所述基板上的所述多个层进一步包括在所述电极层上的导电层,并且
所述第一子线和所述导电层在同一层。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述辅助像素电路包括薄膜晶体管和存储电容器,
所述存储电容器包括下电极和上电极,并且
所述第一子线与所述存储电容器的所述下电极或所述上电极在同一层。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述多个层进一步包括:
第一平坦化绝缘层;以及
在所述第一平坦化绝缘层上的第二平坦化绝缘层;并且
所述第一子线在所述第一平坦化绝缘层上,并且所述第二子线在所述第二平坦化绝缘层上。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述连接线进一步包括与所述第一子线和所述第二子线在不同层的第三子线,并且
所述第三子线电连接到所述第一子线或所述第二子线。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述辅助显示元件被提供为多个以包括多个辅助显示元件,并且
所述显示装置进一步包括将所述多个辅助显示元件彼此电连接的辅助电极线。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述多个层进一步包括在所述基板上并且在所述辅助显示区域中具有开口的像素限定层,在所述像素限定层中的所述开口限定辅助发射区域,并且
将所述辅助像素电路连接到所述辅助显示元件的所述连接线与所述辅助发射区域间隔开。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的显示装置,其中,
所述第一子线和所述第二子线分别被提供为多条以包括多条第一子线和多条第二子线,并且
所述多条第一子线和所述多条第二子线沿着所述连接线彼此交替且彼此连接。
CN202210949458.6A 2021-08-10 2022-08-09 显示装置 Pending CN115706093A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210105479A KR20230023869A (ko) 2021-08-10 2021-08-10 디스플레이 장치
KR10-2021-0105479 2021-08-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115706093A true CN115706093A (zh) 2023-02-17

Family

ID=85177107

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210949458.6A Pending CN115706093A (zh) 2021-08-10 2022-08-09 显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20230046092A1 (zh)
KR (1) KR20230023869A (zh)
CN (1) CN115706093A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20230023869A (ko) 2023-02-20
US20230046092A1 (en) 2023-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3920228A1 (en) Display device
US11974481B2 (en) Display panel and display apparatus including the same
CN114068631A (zh) 显示面板和包括该显示面板的显示设备
US20240057386A1 (en) Display panel and display apparatus including the same
US20220020835A1 (en) Display device
CN114464653A (zh) 显示面板和包括该显示面板的显示装置
US20230309344A1 (en) Display panel, electronic apparatus, and method of manufacturing display panel
US20230074124A1 (en) Display device and electronic device including the same
US20220285468A1 (en) Display panel and display apparatus including the same
EP3996142B1 (en) Display apparatus
US20220271256A1 (en) Display panel and display apparatus including the same
US20230046092A1 (en) Display apparatus
CN220915670U (zh) 显示面板
CN218483164U (zh) 显示面板和显示设备
US20220208870A1 (en) Display apparatus
CN218831198U (zh) 显示面板和显示设备
US20220285456A1 (en) Display apparatus
US20240057430A1 (en) Display panel and display apparatus including the same
US20230217758A1 (en) Display panel and electronic device including the same
US20220208912A1 (en) Display apparatus and method of manufacturing the same
KR20220042020A (ko) 표시 패널 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20220125865A (ko) 디스플레이 패널 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN115440768A (zh) 显示设备和制造显示设备的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication