CN115686121B - 一种双环补偿瞬态增强ldo电路 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种双环补偿瞬态增强LDO电路,属于电源转换领域,包括LDO电路反馈环路和快速瞬态响应结构;所述双环补偿瞬态增强LDO电路若处于重载条件下,则采用前馈补偿机制,提高重载条件下的环路稳定性;若处于轻载条件下,所述LDO电路反馈环路则仅存在一个主极点,从而实现双环切换补偿,在任何负载条件下都能保证***稳定性;所述快速瞬态响应结构检测输出电压值,若电位降低到预设阈值时,开启快速瞬态响应机制,将输出电压迅速拉高,从而提高所述双环补偿瞬态增强LDO电路整体的瞬态响应速度。本发明可集成于各种数模混合芯片中,作为电源供电,实现芯片单电源供电。
Description
技术领域
本发明涉及电源转换技术领域,特别涉及一种双环补偿瞬态增强LDO电路。
背景技术
半导体技术的不断发展支撑着手机、平板电脑、笔记本电脑等锂电池供电手持电子设备性能的突飞猛进,越来越多的大规模数模混合电路需要将电源模块继承在芯片内部,因此高性能低功耗的电源转换***越来越被业界关注。LDO(low dropout regulator,低压差线性稳压器)作为电源转换***的重要组成部分,由于其噪声低、结构简单同时有良好的负载调整率等优异特性,在各类手持电子设备中和植入式设备中有着广泛的应用。
为了实现SoC(system on a chip,片上***)的本地电压调节,降低***的成本,减少焊盘连接线寄生电感和电阻对***的影响,低功耗快速响应的片上集成LDO在近年逐渐成为研究热点,被业界和学术界广泛关注。片上集成LDO可以针对SoC***各个模块的特性,对每个电路模块单独供电,同时片上集成LDO可以放置在被供电的电路模块附近,以便对供电模块的所需的电压精度、供电能力、电源抑制比、噪声和瞬态响应等性能进行单独的优化,提高了***的整体性能。同时,在高速SoC芯片中,对电源的基本要求是低噪声和快速的瞬态响应。双环补偿瞬态增强LDO电路是理想的选择。从节能的角度看,暂时不工作的电路或芯片应该处于关闭模式或者待机模式,一旦需要其正常工作,***电源应该在启动信号发出后的几个***时钟内完全准备好,通常是1~2us。同时,要求电源提供越来越大的电流和越来越大的电流摆率。LDO***中由于增益带宽积(GBW)和压摆率SR的限制,输出电压无法瞬态跟踪负载电流的快速变化。对外表现出的现象是:输出电源将会之后于负载电流的变化,而且输出电压还会出现过冲(Over-Shoot)和短时振荡。
现代电子设备对电源的瞬态响应品质提出了越来越高的要求,因此设计一款双环补偿瞬态增强LDO电路显得尤为重要。
发明内容
本发明的目的在于提供一种双环补偿瞬态增强LDO电路,以解决现有的LDO瞬态响应时间过长影响芯片整理性能的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种双环补偿瞬态增强LDO电路,包括LDO电路反馈环路和快速瞬态响应结构;
所述双环补偿瞬态增强LDO电路若处于重载条件下,则采用前馈补偿机制,提高重载条件下的环路稳定性;若处于轻载条件下,所述LDO电路反馈环路则仅存在一个主极点,从而实现双环切换补偿,在任何负载条件下都能保证***稳定性;
所述快速瞬态响应结构检测输出电压值,若电位降低到预设阈值时,开启快速瞬态响应机制,将输出电压迅速拉高,从而提高所述双环补偿瞬态增强LDO电路整体的瞬态响应速度。
在一种实施方式中,所述LDO电路反馈环路包括四输入运算放大器A1、两输入运算放大器A2、PMOS管MP1、电阻Rf、网络反馈电阻R1、R2及补偿电容C0;其中,
所述PMOS管MP1的衬底和源端连接输入电压VIN,栅端同时连接四输入运算放大器A1的输出端VO1和电阻Rf的第二端,电阻Rf的第一端与四输入运算放大器A1的第二端口相连,PMOS管MP1的漏端同时与网络反馈电阻R1的第一端、补偿电容C0的第一端、LDO的输出电压VOUT端口相连;
所述网络反馈电阻R1的第二端同时与网络反馈电阻R2的第一端、四输入运算放大器A1的第三端口、两输入运算放大器A2的第一端口相连;所述网络反馈电阻R2的第二端口、所述补偿电容C0的第二端口均与地GND直接相连;参考电压VREF同时与四输入运算放大器A1的第四端口、两输入运算放大器A2的第二端口相连,参考电压VREF由外部基准电路提供,为整个LDO电路反馈环路提供参考电位;所述两输入运算放大器A2的输出端VO2与四输入运算放大器A1的第一端口相连。
在一种实施方式中,所述快速瞬态响应结构包括PMOS管MP2~MP3、NMOS管MN1~MN3、电阻R3~R4;
NMOS管MN3的源端和衬底、NMOS管MN1的衬底、NMOS管MN2的衬底均与地GND相连;NMOS管MN3的漏端同时与NMOS管MN1、MN2的源端相连;NMOS管MN3的栅端与偏置电压VB相连;NMOS管MN1的栅端与电阻R4的第二端口相连;
NMOS管MN2的栅端与偏置电压VLOW相连;NMOS管MN1的漏端与输入电压VIN相连;NMOS管MN2的漏端同时与PMOS管MP2的漏端和栅端、PMOS管MP3的栅端相连;PMOS管MP2的源端和衬底、PMOS管MP3的衬底均与输入电压VIN相连;PMOS管MP3的漏端与电阻R3的第一端相连;电阻R3的第二端同时与电阻R4的第一端、LDO的输出电压VOUT端口相连。
在一种实施方式中,所述双环补偿瞬态增强LDO电路还包括欠压保护电路,所述欠压保护电路包括PMOS管MP4、NMOS管MN4、电阻R5和比较器CMP;比较器CMP的第一输入端口同时与电阻R5的第二端、NMOS管MN4的漏端相连;比较器的第二输入端口与参考电位Vuv相连;比较器的输出端VO3与PMOS管MP4的栅端相连;电阻R5的第一端与LDO的输出电压VOUT端口相连;NMOS管MN4的栅端、源端和衬底均与地GND相连;PMOS管MP4的源端和衬底均与输入电压VIN相连;PMOS管MP4的漏端与LDO的输出电压VOUT端口相连。
本发明提供的一种双环补偿瞬态增强LDO电路,具有以下有益效果:
(1)通过CMOS工艺中普通的NMOS管、PMOS管、电阻等器件就能够实现,可集成于大规模数模混合芯片中,实现单电源供电方案;
(2)采用双环补偿机制,实现全负载范围内环路稳定性;
(3)设计快速瞬态响应结构,降低负载跳变引起的输出电压过冲,使输出电压幅度更加稳定;
(4)增加欠压保护电路,防止输出电压过低。
附图说明
图1是本发明提出的一种双环补偿瞬态增强LDO电路结构示意图。
图2是LDO电路反馈环路示意图。
图3是快速瞬态响应结构示意图。
图4为欠压保护电路图。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施例对本发明提出的一种双环补偿瞬态增强LDO电路作进一步详细说明。根据下面说明,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明提供一种双环补偿瞬态增强LDO电路,如图1所示,采用新颖的LDO电路反馈环路和快速瞬态响应结构,实现电源电压的转换;另外,所述双环补偿瞬态增强LDO电路还包括欠压保护电路。所述双环补偿瞬态增强LDO电路处于重载条件下,则采用前馈补偿机制,提高重载条件下的环路稳定性;所述双环补偿瞬态增强LDO电路处于轻载条件下,环路则仅存在一个主极点,从而实现双环切换补偿,在任何负载条件下都能保证***稳定性。所述快速瞬态响应结构检测输出电压值,若电位降低到一定值时,开启瞬态响应结构,将输出电压迅速拉高,从而提高LDO电路整体的瞬态响应速度。
如图2所示,所述LDO电路反馈环路包括四输入运算放大器A1、两输入运算放大器A2、PMOS管MP1、电阻Rf、网络反馈电阻R1、R2及补偿电容C0。其中,所述PMOS管MP1的衬底和源端连接输入电压VIN,栅端同时连接四输入运算放大器A1的输出端VO1和电阻Rf的2端,电阻Rf的1端与四输入运算放大器A1的2端口相连,PMOS管MP1的漏端同时与网络反馈电阻R1的1端、补偿电容C0的1端、LDO的输出电压VOUT端口相连;所述网络反馈电阻R1的2端同时与网络反馈电阻R2的1端、四输入运算放大器A1的3端口、两输入运算放大器A2的1端口相连;所述网络反馈电阻R2的2端口、所述补偿电容C0的2端口均与地GND直接相连;参考电压VREF同时与四输入运算放大器A1的4端口、两输入运算放大器A2的2端口相连,参考电压VREF由外部基准电路提供,为整个LDO电路反馈环路提供参考电位;所述两输入运算放大器A2的输出端VO2与四输入运算放大器A1的1端口相连。
如图3所示,所述快速瞬态响应结构包括PMOS管MP2~MP3、NMOS管MN1~MN3、电阻R3~R4。NMOS管MN3的源端和衬底、NMOS管MN1的衬底、NMOS管MN2的衬底均与地GND相连;NMOS管MN3的漏端同时与NMOS管MN1、MN2的源端相连;NMOS管MN3的栅端与偏置电压VB相连;NMOS管MN1的栅端与电阻R4的2端口相连;NMOS管MN2的栅端与偏置电压VLOW相连;NMOS管MN1的漏端与输入电压VIN相连;NMOS管MN2的漏端同时与PMOS管MP2的漏端和栅端、PMOS管MP3的栅端相连;PMOS管MP2的源端和衬底、PMOS管MP3的衬底均与输入电压VIN相连;PMOS管MP3的漏端与电阻R3的1端相连;电阻R3的2端同时与电阻R4的1端、LDO的输出电压VOUT端口相连。
如图4所示,所述欠压保护电路包括PMOS管MP4、NMOS管MN4、电阻R5和比较器CMP;比较器CMP的1端口同时与电阻R5的2端、NMOS管MN4的漏端相连;比较器的2端口与参考电位Vuv相连;比较器的输出端VO3与PMOS管MP4的栅端相连;电阻R5的1端与LDO的输出电压VOUT端口相连;NMOS管MN4的栅端、源端和衬底均与地GND相连;PMOS管MP4的源端和衬底均与输入电压VIN相连;PMOS管MP4的漏端与LDO的输出电压VOUT端口相连。
本发明的工作过程及工作原理如下:
所述LDO电路反馈环路的工作原理为:在LDO电路反馈环路中,所述四输入运算放大器A1的1、2端口为PMOS对管输入,3、4端口为NMOS对管输入。在轻载条件下,PMOS管MP1的栅端电位较高,由电阻Rf构成的单位增益结构会将四输入运算放大器A1的1、2端口关闭,此时LDO电路反馈环路只有四输入运算放大器A1的3、4端口工作,相当于一个两输入的运放。这种情况下环路主极点和次极点分布为:
其中R o 、C o 为输出节点VOUT的电阻和电容;R o1 、C o1 为四输入运算放大器A1输出节点的电阻和电容。在轻载条件下,输出节点VOUT的电阻电容非常大,此时主极点W 1 的位置离原点位置较近,离次极点W 2 较远,W 2 位于单位增益带宽之外,LDO电路反馈环路只存在一个极点W 1 ,所以环路稳定。
在重载条件下,四输入运算放大器A1的1、2端口开始工作,两输入运算放大器A2加入到环路中,形成前馈补偿,开环传递函数为:
其中,为变量,R o2 、C o2 分别为两输入运算放大器A2输出节点的电阻、电容,A1、A2分别为运放四输入运算放大器、两输入运算放大器的直流增益、A3为PMOS管MP1的直流增益。可以看出,环路增加了一个极点和一个零点:
由于两输入运算放大器A2的输出节点寄生电容很小,所以极点W 3 频率很高,位于单位增益带宽外,忽略不计。在重载条件下,输出极点W 1 离原点较远,离次极点W 2 较近,这样环路相位裕度会恶化,导致环路不稳定,通过前馈补偿的方式增加零点Z 1 ,补偿环路相位裕度。
所述快速瞬态响应结构的工作原理为:通过监测VOUT信号,当LDO电路反馈环路输出电压稳定工作时,VOUT电位高于VLOW,此时电流IL全部流过NMOS管MN1,流过NMOS管MN2的电流为0,Vc节点电压被拉高,PMOS管MP3被关闭;当负载电流瞬间变大时,VOUT电位被迅速拉低,有一个向下的过冲电压,当过冲电压低于VLOW时,电流IL全部流过NMOS管MN2,而流过NMOS管MN1的电流为0,此时Vc节点电压被下拉到一个较低的电位,使得PMOS管MP3导通,其漏端通过电阻R3连接到输出电压VOUT,给VOUT节点提供一个瞬态的大电流,把VOUT的电位迅速拉高,电阻R3的作用是限流。当VOUT电位回归到正常电位时,此时电流IL全部流过NMOS管MN1,PMOS管MP3不再为VOUT提供电流。综上,VOUT的瞬态过冲电压值由VLOW决定,瞬态恢复时间由PMOS管MP3的尺寸决定。
所述欠压保护电路的工作原理为:监测输出电压VOUT,与参考电位Vuv进行比较,当输出电压低于Vuv时,比较器CMP输出低电平,将PMOS管MP4打开,将VOUT上拉,使得VOUT电位不至于太低进而损坏整个芯片。
上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述,并非对本发明范围的任何限定,本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰,均属于权利要求书的保护范围。
Claims (3)
1.一种双环补偿瞬态增强LDO电路,其特征在于,包括LDO电路反馈环路和快速瞬态响应结构;
所述双环补偿瞬态增强LDO电路若处于重载条件下,则采用前馈补偿机制,提高重载条件下的环路稳定性;若处于轻载条件下,所述LDO电路反馈环路则仅存在一个主极点,从而实现双环切换补偿,在任何负载条件下都能保证***稳定性;
所述快速瞬态响应结构检测输出电压值,若电位降低到预设阈值时,开启快速瞬态响应机制,将输出电压迅速拉高,从而提高所述双环补偿瞬态增强LDO电路整体的瞬态响应速度;
所述LDO电路反馈环路包括四输入运算放大器A1、两输入运算放大器A2、PMOS管MP1、电阻Rf、网络反馈电阻R1、R2及补偿电容C0;其中,
所述PMOS管MP1的衬底和源端连接输入电压VIN,栅端同时连接四输入运算放大器A1的输出端VO1和电阻Rf的第二端,电阻Rf的第一端与四输入运算放大器A1的第二端口相连,PMOS管MP1的漏端同时与网络反馈电阻R1的第一端、补偿电容C0的第一端、LDO的输出电压VOUT端口相连;
所述网络反馈电阻R1的第二端同时与网络反馈电阻R2的第一端、四输入运算放大器A1的第三端口、两输入运算放大器A2的第一端口相连;所述网络反馈电阻R2的第二端口、所述补偿电容C0的第二端口均与地GND直接相连;参考电压VREF同时与四输入运算放大器A1的第四端口、两输入运算放大器A2的第二端口相连,参考电压VREF由外部基准电路提供,为整个LDO电路反馈环路提供参考电位;所述两输入运算放大器A2的输出端VO2与四输入运算放大器A1的第一端口相连。
2.如权利要求1所述的双环补偿瞬态增强LDO电路,其特征在于,所述快速瞬态响应结构包括PMOS管MP2~MP3、NMOS管MN1~MN3、电阻R3~R4;
NMOS管MN3的源端和衬底、NMOS管MN1的衬底、NMOS管MN2的衬底均与地GND相连;NMOS管MN3的漏端同时与NMOS管MN1、MN2的源端相连;NMOS管MN3的栅端与偏置电压VB相连;NMOS管MN1的栅端与电阻R4的第二端口相连;
NMOS管MN2的栅端与偏置电压VLOW相连;NMOS管MN1的漏端与输入电压VIN相连;NMOS管MN2的漏端同时与PMOS管MP2的漏端和栅端、PMOS管MP3的栅端相连;PMOS管MP2的源端和衬底、PMOS管MP3的衬底均与输入电压VIN相连;PMOS管MP3的漏端与电阻R3的第一端相连;电阻R3的第二端同时与电阻R4的第一端、LDO的输出电压VOUT端口相连。
3.如权利要求2所述的双环补偿瞬态增强LDO电路,其特征在于,所述双环补偿瞬态增强LDO电路还包括欠压保护电路,所述欠压保护电路包括PMOS管MP4、NMOS管MN4、电阻R5和比较器CMP;比较器CMP的第一输入端口同时与电阻R5的第二端、NMOS管MN4的漏端相连;比较器的第二输入端口与参考电位Vuv相连;比较器的输出端VO3与PMOS管MP4的栅端相连;电阻R5的第一端与LDO的输出电压VOUT端口相连;NMOS管MN4的栅端、源端和衬底均与地GND相连;PMOS管MP4的源端和衬底均与输入电压VIN相连;PMOS管MP4的漏端与LDO的输出电压VOUT端口相连。
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