CN115681389A - 磁流变阻尼器容积补偿结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开磁流变阻尼器容积补偿结构，包括一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构、一种采用双筒无旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构和一种采用双筒有旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构。本发明使磁流变阻尼器的示功特性圆润饱满，对称性好，十分有利于磁流变阻尼器的智能化控制；相较于传统的浮动活塞补偿结构，本发明没有可动部件，更有利于产品可靠工作，密封和充气工艺要求低，同时外置补偿结构不影响活塞的运动行程。采用双筒结构时，可以在改善磁流变液沉降问题的同时，实现良好的容积补偿。
Description
技术领域
本发明涉及缓冲技术领域，具体是磁流变阻尼器容积补偿结构。
背景技术
汽车在复杂路况行驶时，依赖于悬架***缓解振动，确保汽车行驶过程平顺。悬架***的核心为弹性元件与阻尼器，它们并联安装构成减振器，是现代汽车的关键结构***。其中基于磁流变阻尼器的半主动悬架***能够根据路面状况调整悬架***的阻尼系数，满足不同路况下的减振需求，保证车辆在恶劣路况条件下仍然具有良好的乘坐舒适性。
在磁流变阻尼器工作时，由于磁流变液的不可压缩性，活塞杆进出缸筒会引起内部容积的变化，人们采用容积补偿技术解决这一问题。现有车辆悬架减振器大多采用双筒双向作用液压阻尼器，在内外筒间容纳可以被压缩的气体，液压油通过位于底部的底阀来实现容积补偿。但类似结构无法移植到磁流变液阻尼器中，因为沉降的磁流变液将堵塞底阀而使阻尼器失效。因此，目前车用磁流变阻尼器常采用单筒型式，利用浮动活塞结构来实现容积补偿。
浮动活塞补偿结构设置在磁流变阻尼器的底部，当活塞向下运动时，磁流变液会挤压浮动活塞，通过浮动活塞压缩气室或者弹簧的方式来实现容积补偿。浮动活塞安装在缸筒内部，对充气和油封的技术要求较高，结构复杂，成本较高，而且浮动活塞与缸筒间还存在一定的摩擦阻力影响。由于单筒磁流变阻尼器采用电磁活塞控制磁流变液流动，当流动阻力大于浮动活塞的平衡压力时，活塞运动导致的容积变化首先由浮动活塞补偿，磁流变液无法通过电磁活塞而产生示功特性畸变，目前主要通过提高容积补偿压力的方法来弥补这种不足，但这也给示功特性带来了附加的刚度效应。
浮动活塞补偿结构不能完美地解决容积补偿问题，使得采用磁流变阻尼器的悬架***在智能化控制方面还存在较大缺陷。因此，有必要设计新型磁流变阻尼器容积补偿结构，使磁流变阻尼器示功图更加饱满圆润，为磁流变阻尼器的智能化控制奠定基础。
发明内容
本发明的目的是提供磁流变阻尼器容积补偿结构，包括一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构、一种采用双筒无旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构和一种采用双筒有旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构。
所述一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，包括缸筒和活塞***I，以及至少一根旁通细管I。
所述缸筒是一个中空的缸体，其内部具有将中空内腔分隔为上下两部分的隔板I。所述隔板I的上方为上液腔I，所述隔板I的下方为下液腔I。
所述上液腔I和下液腔I通过旁通细管I连通。
所述活塞***I包括活塞杆I、活塞I和励磁线圈I。
所述活塞杆I的上端穿过隔板I和缸筒上方的顶板I。所述活塞杆I的下端连接活塞I。所述活塞I位于下液腔I中。
所述活塞I的侧面安装有励磁线圈I。
所述缸筒的缸体内充入了磁流变液。
进一步，所述缸筒还包括底板I。
所述隔板I设有上活塞孔I。
所述隔板I和顶板I之间的缸体侧壁上设有上通孔I。
所述隔板I和底板I之间的缸体侧壁上设有下通孔I。
所述顶板I上设有下活塞孔I。
所述底板I位于缸筒的底部。
所述活塞杆I的上端通过上活塞孔I和下活塞孔I伸出缸筒。
进一步，所述容积补偿结构还包括充气阀I、上连接阀I、下连接阀I。
所述顶板I上设有通气孔I。
所述旁通细管I通过上连接阀I和下连接阀I连通上液腔I和下液腔I。
所述充气阀I安装在通气孔I处。
所述上连接阀I和下连接阀I分别安装在上通孔I和下通孔I处。
一种采用双筒无旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，包括内外缸筒结构I和活塞***II。
所述内外缸筒结构I包括外缸筒I和内缸筒I。
所述外缸筒I是一个中空的缸体，其内部具有将中空内腔分隔为上下两部分的隔板II。
所述内缸筒I位于外缸筒I内，且在隔板II的下部分。
所述内缸筒I由隔板II和外缸筒I的底板II封堵。
所述内缸筒I和外缸筒I的侧壁之间留有空隙，该空隙部分为储油腔I。
所述隔板II的上方为上液腔II，内缸筒I的内部为下液腔II。
所述储油腔I通过隔板II上的上通孔II与上液腔II连通。
所述储油腔I通过内缸筒I上的环形通孔I与下液腔II连通。
所述活塞***II包括活塞杆II、活塞II和励磁线圈II。
所述活塞杆II的上端穿过隔板II和外缸筒I上方的顶板II。
所述活塞杆II的下端连接活塞II。所述活塞II位于下液腔II中。
所述活塞II的侧面安装有励磁线圈II。
所述外缸筒I的缸体内充入了磁流变液。
进一步，所述隔板II上设有上活塞孔II。
所述顶板II上设有下活塞孔II和通气孔II。
所述下活塞孔II和上活塞孔II位于同一垂直线上，且上活塞孔II的下端连接着下液腔II。
所述通气孔II位于顶板II上，且不与下活塞孔II连接。
所述底板II位于外缸筒I的底部。
所述活塞杆II通过上活塞孔II和下活塞孔II伸出外缸筒I。
进一步，所述容积补偿结构还包括充气阀II。
所述充气阀II安装在通气孔II处。
一种采用双筒有旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，包括：内外缸筒结构II、活塞***III和电磁组件，以及至少一根旁通细管II。
所述内外缸筒结构II包括外缸筒II和内缸筒II。
所述外缸筒II是一个中空的缸体，其内部具有将中空内腔分隔为上下两部分的隔板III。
所述内缸筒II位于外缸筒II内，且位于隔板III的下部分和电磁组件的上部分。
所述内缸筒II的底部与电磁组件的顶部固连。
所述内缸筒II和电磁组件组成一个组合缸筒，所述组合缸筒由隔板III和外缸筒II的底板III封堵。
所述组合缸筒与外缸筒II的侧壁之间留有空隙，该空隙部分为储油腔II。
所述隔板III的上方为上液腔III，所述组合缸筒的内部为下液腔III。
所述下液腔III通过旁通细管II与上液腔III连通。
所述储油腔II通过电磁组件上的环形通孔II和内缸筒II上的环形通孔III与下液腔III连通。
所述活塞***III包括活塞杆III和活塞III。
所述活塞杆III的上端穿过隔板III和外缸筒II上方的顶板III。
所述活塞杆III的下端连接活塞III。所述活塞III位于下液腔III中。所述活塞III位于电磁组件的上方。
所述电磁组件还包括磁轭I、励磁线圈III、磁轭II。
所述磁轭I是一个环形的中空缸体，且侧面安装有励磁线圈III。
所述磁轭I和磁轭II连通为一个整体。
所述磁轭II是一个环形的中空缸体。
所述磁轭II的侧壁比磁轭I薄。
所述磁轭II的侧壁上设有环形通孔II。
所述外缸筒II的缸体内充入了磁流变液。
进一步，所述隔板III上设有上活塞孔III和上通孔III。
所述上通孔III的下端连接着储油腔II。
所述顶板III上设有下活塞孔III和通气孔III。
所述下活塞孔III和上活塞孔III位于同一垂直线上，且上活塞孔III的下端连接着下液腔III。
所述通气孔III位于顶板III上，且不与下活塞孔III连接。
所述底板III位于外缸筒II的底部。
所述活塞杆III通过上活塞孔III和下活塞孔III伸出外缸筒II。
所述内缸筒II上还设有下通孔III。
所述旁通细管II还包括上连接阀II和下连接阀II。
所述旁通细管II通过上连接阀II和下连接阀II连通上液腔III和下液腔III。
所述上连接阀II和下连接阀II分别安装在上通孔III和下通孔III处。
进一步，所述容积补偿结构还包括充气阀III。
所述充气阀III安装在通气孔III上。
进一步，所述的一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构内，磁流变液的充入量由以下原则确定：当活塞I放置于最顶端，且下液腔I内部的气体都位于顶部时，下液腔I内充满磁流变液，上液腔I内磁流变液覆盖旁通细管I管口。
所述的一种采用双筒无旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构内，磁流变液的充入量由以下原则确定：当活塞II放置于最顶端，且下液腔II内部的气体都位于顶部时，下液腔II和储油腔I内充满磁流变液，上液腔II内磁流变液覆盖上通孔II。
所述的一种采用双筒有旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构内，磁流变液的充入量由以下原则确定：当活塞III放置于最顶端，且下液腔III内部的气体都位于顶部时，下液腔III和储油腔II内充满磁流变液，上液腔III内磁流变液覆盖旁通细管II管口。
值得说明的是，本发明解决磁流变阻尼器容积补偿问题的原理为：当活塞杆带动活塞在缸筒内向下运动时，随着活塞杆的进入，下液腔的磁流变液一部分通过旁通细管进入上液腔，另一部分通过活塞与缸筒间的流动通道流动，补偿活塞杆进入引起的容积变化，此时产生的压缩阻尼力较小。当活塞杆带动活塞在缸筒内向上运动时，随着活塞杆的移出，下液腔的磁流变液通过活塞与缸筒间的流动通道流动，同时上液腔内的磁流变液通过旁通细管进入下液腔，补偿活塞杆移出引起的容积变化，此时产生的复原阻尼力较大。
本发明的技术效果是毋庸置疑的，本发明具有以下优点：
1)本发明的旁通细管补偿结构可以实现磁流变阻尼器在拉伸(压缩)行程中不出现“空行程现象”，从而使磁流变阻尼器的示功特性圆润饱满，对称性好，十分有利于磁流变阻尼器的智能化控制。
2)相较于传统的浮动活塞补偿结构，本发明提供的容积补偿结构没有可动部件，更有利于产品可靠工作，密封和充气工艺要求低，同时外置补偿结构不影响活塞的运动行程。
3)本发明提供的一种采用双筒有旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，可以在改善磁流变液沉降问题的同时，实现良好的容积补偿。
附图说明
图1为一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构的结构示意图；
图2为一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构中压缩行程液体流向示意图；
图3为一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构中拉伸行程液体流向示意图；
图4为本发明实施例4结构示意图；
图5为本发明实施例5结构示意图；
图中，缸筒A1、隔板IA101、下活塞孔IA1011、顶板IA102、上活塞孔IA1021、通气孔IA1022、底板IA103、上液腔IA104、下液腔IA105、上通孔IA106、下通孔IA107、活塞***IA2、活塞杆IA201、活塞IA202、励磁线圈IA203、旁通细管IA3、充气阀IA4、上连接阀IA5、下连接阀IA6；
外缸筒IB1、隔板IIB101、下活塞孔IIB1011、上通孔IIB1012、顶板IIB102、上活塞孔IIB1021、通气孔IIB1022、底板IIB103、上液腔IIB104、下液腔IIB105、储油腔IB106、活塞***IIB2、活塞杆IIB201、活塞IIB202、励磁线圈IIB203、内缸筒IB3、环形通孔IB301、充气阀IIB4；
外缸筒IIC1、隔板IIIC101、下活塞孔IIIC1011、上通孔IIIC1012、顶板IIIC102、上活塞孔IIIC1021、通气孔IIIC1022、底板IIIC103、上液腔IIIC104、下液腔IIIC105、储油腔IIC106、活塞***IIIC2、活塞杆IIIC201、活塞IIIC202、内缸筒IIC3、环形通孔IIIC301、下通孔IIIC302、旁通细管IIC4、上连接阀IIC401、下连接阀IIC402、电磁组件C5、磁轭IC501、环形通孔IIC502、励磁线圈IIIC503、磁轭IIC504、充气阀IIIC6。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作进一步说明，但不应该理解为本发明上述主题范围仅限于下述实施例。在不脱离本发明上述技术思想的情况下，根据本领域普通技术知识和惯用手段，做出各种替换和变更，均应包括在本发明的保护范围内。
实施例1：
参见图1至图3，所述一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，包括缸筒A1和活塞***IA2，以及至少一根旁通细管IA3。
所述缸筒A1是一个中空的缸体，其内部具有将中空内腔分隔为上下两部分的隔板IA101。所述隔板IA101的上方为上液腔IA104，所述隔板IA101的下方为下液腔IA105。
所述上液腔IA104和下液腔IA105通过旁通细管IA3连通。
所述活塞***IA2包括活塞杆IA201、活塞IA202和励磁线圈IA203。
所述活塞杆IA201的上端穿过隔板IA101和缸筒A1上方的顶板IA102。所述活塞杆IA201的下端连接活塞IA202。所述活塞IA202位于下液腔IA105中。
所述活塞IA202的侧面安装有励磁线圈IA203。
所述缸筒A1的缸体内充入了磁流变液。
参见图2，当活塞杆向下进入缸筒时，下液腔的磁流变液一部分通过旁通细管进入上液腔中，另一部分通过活塞与内缸筒间的流动通道流动，活塞杆进入引起的容积变化得到补偿，此时产生的压缩阻尼力较小。
参见图3，当活塞杆向上移出缸筒时，下液腔的磁流变液通过活塞与内缸筒间的流动通道流动，同时上液腔内的磁流变液通过旁通细管进入下液腔，活塞杆移出引起的容积变化得到补偿，此时产生的复原阻尼力较大。
所述缸筒A1还包括底板IA103。
所述隔板IA101设有上活塞孔IA1011。
所述隔板IA101和顶板IA102之间的缸体侧壁上设有上通孔IA106。
所述隔板IA101和底板IA103之间的缸体侧壁上设有下通孔IA107。
所述顶板IA102上设有下活塞孔IA1021。
所述底板IA103位于缸筒A1的底部。
所述下通孔IA107到底板IA103的高度为hA2，隔板IA101到底板IA103的高度为hA3,且0＜hA2＜hA3。
所述活塞杆IA201的上端通过上活塞孔IA1011和下活塞孔IA1021伸出缸筒A1。
所述容积补偿结构还包括充气阀IA4、上连接阀IA5、下连接阀IA6。
所述顶板IA102上设有通气孔IA1022。
所述旁通细管IA3通过上连接阀IA5和下连接阀IA6连通上液腔IA104和下液腔IA105。
所述充气阀IA4安装在通气孔IA1022处。
所述缸筒顶部的充气阀，用于向上液腔中充入氮气。
所述上液腔中注入一部分磁流变液使液面覆盖上连接阀。
所述上连接阀IA5和下连接阀IA6分别安装在上通孔IA106和下通孔IA107处。
参见图4，一种采用双筒无旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，包括内外缸筒结构I和活塞***IIB2。
所述内外缸筒结构I包括外缸筒IB1和内缸筒IB3。
所述外缸筒IB1是一个中空的缸体，其内部具有将中空内腔分隔为上下两部分的隔板IIB101。
所述内缸筒IB3位于外缸筒IB1内，且在隔板IIB101的下部分。
所述内缸筒IB3由隔板IIB101和外缸筒IB1的底板IIB103封堵。
所述内缸筒IB3和外缸筒IB1的侧壁之间留有空隙，该空隙部分为储油腔IB106。
所述隔板IIB101的上方为上液腔IIB104，内缸筒IB3的内部为下液腔IIB105。
所述储油腔IB106通过隔板IIB101上的上通孔IIB1012与上液腔IIB104连通。
所述储油腔IB106通过内缸筒IB3上的环形通孔IB301与下液腔IIB105连通。
所述活塞***IIB2包括活塞杆IIB201、活塞IIB202和励磁线圈IIB203。
所述活塞杆IIB201的上端穿过隔板IIB101和外缸筒IB1上方的顶板IIB102。
所述活塞杆IIB201的下端连接活塞IIB202。所述活塞IIB202位于下液腔IIB105中。
所述活塞IIB202的侧面安装有励磁线圈IIB203。
所述外缸筒IB1的缸体内充入了磁流变液。
所述隔板IIB101上设有上活塞孔IIB1011。
所述顶板IIB102上设有下活塞孔IIB1021和通气孔IIB1022。
所述下活塞孔IIB1021和上活塞孔IIB1011位于同一垂直线上，且上活塞孔IIB1011的下端连接着下液腔IIB105。
所述通气孔IIB1022位于顶板IIB102上，且不与下活塞孔IIB1021连接。
所述底板IIB103位于外缸筒IB1的底部。
所述活塞杆IIB201通过上活塞孔IIB1011和下活塞孔IIB1021伸出外缸筒IB1。
所述环形通孔IB301到底板IIB103的高度为hB2，隔板IIB101到底板IIB103的高度为hB3，0＜hB2＜hB3。
所述容积补偿结构还包括充气阀IIB4。
所述充气阀IIB4安装在通气孔IIB1022处。
所述缸筒顶部的充气阀，用于向上液腔中充入氮气。
所述上液腔中注入一部分磁流变液使液面覆盖上连接阀。
参见图5，一种采用双筒有旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，包括：内外缸筒结构II、活塞***IIIC2和电磁组件C5，以及至少一根旁通细管IIC4。
所述内外缸筒结构II包括外缸筒IIC1和内缸筒IIC3。
所述外缸筒IIC1是一个中空的缸体，其内部具有将中空内腔分隔为上下两部分的隔板IIIC101。
所述内缸筒IIC3位于外缸筒IIC1内，且位于隔板IIIC101的下部分和电磁组件C5的上部分。
所述内缸筒IIC3的底部与电磁组件C5的顶部固连。
所述内缸筒IIC3和电磁组件C5组成一个组合缸筒，所述组合缸筒由隔板IIIC101和外缸筒IIC1的底板IIIC103封堵。
所述组合缸筒与外缸筒IIC1的侧壁之间留有空隙，该空隙部分为储油腔IIC106。
所述隔板IIIC101的上方为上液腔IIIC104，所述组合缸筒的内部为下液腔IIIC105。
所述下液腔IIIC105通过旁通细管IIC4与上液腔IIIC104连通。
所述储油腔IIC106通过电磁组件C5上的环形通孔IIC502和内缸筒IIC3上的环形通孔IIIC301与下液腔IIIC105连通。
所述活塞***IIIC2包括活塞杆IIIC201和活塞IIIC202。
所述活塞杆IIIC201的上端穿过隔板IIIC101和外缸筒IIC1上方的顶板IIIC102。
所述活塞杆IIIC201的下端连接活塞IIIC202。所述活塞IIIC202位于下液腔IIIC105中。所述活塞IIIC202位于电磁组件C5的上方。
所述电磁组件C5还包括磁轭IC501、励磁线圈IIIC503、磁轭IIC504。
所述磁轭IC501是一个环形的中空缸体，且侧面安装有励磁线圈IIIC503。
所述磁轭IC501和磁轭IIC504连通为一个整体。
所述磁轭IIC504是一个环形的中空缸体。
所述磁轭IIC504的侧壁比磁轭IC501薄。
所述磁轭IIC504的侧壁上设有环形通孔IIC502。
所述外缸筒IIC1的缸体内充入了磁流变液。
所述隔板IIIC101上设有上活塞孔IIIC1011和上通孔IIIC1012。
所述上通孔IIIC1012的下端连接着储油腔IIC106。
所述顶板IIIC102上设有下活塞孔IIIC1021和通气孔IIIC1022。
所述下活塞孔IIIC1021和上活塞孔IIIC1011位于同一垂直线上，且上活塞孔IIIC1011的下端连接着下液腔IIIC105。
所述通气孔IIIC1022位于顶板IIIC102上，且不与下活塞孔IIIC1021连接。
所述底板IIIC103位于外缸筒IIC1的底部。
所述活塞杆IIIC201通过上活塞孔IIIC1011和下活塞孔IIIC1021伸出外缸筒IIC1。
所述内缸筒IIC3上还设有下通孔IIIC302。
所述旁通细管IIC4还包括上连接阀IIC401和下连接阀IIC402。
所述旁通细管IIC4通过上连接阀IIC401和下连接阀IIC402连通上液腔IIIC104和下液腔IIIC105。
所述上连接阀IIC401和下连接阀IIC402分别安装在上通孔IIIC1012和下通孔IIIC302处。
所述容积补偿结构还包括充气阀IIIC6。
所述充气阀IIIC6安装在通气孔IIIC1022上。
所述缸筒顶部的充气阀，用于向上液腔中充入氮气。
所述上液腔中注入一部分磁流变液使液面覆盖上连接阀。
所述的一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构内，磁流变液的充入量由以下原则确定：当活塞IA202放置于最顶端，且下液腔IA105内部的气体都位于顶部时，下液腔IA105内充满磁流变液，上液腔IA104内磁流变液覆盖旁通细管IA3管口。
所述的一种采用双筒无旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构内，磁流变液的充入量由以下原则确定：当活塞IIB202放置于最顶端，且下液腔IIB105内部的气体都位于顶部时，下液腔IIB105和储油腔IB106内充满磁流变液，上液腔IIB104内磁流变液覆盖上通孔IIB1012。
所述的一种采用双筒有旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构内，磁流变液的充入量由以下原则确定：当活塞IIIC202放置于最顶端，且下液腔IIIC105内部的气体都位于顶部时，下液腔IIIC105和储油腔IIC106内充满磁流变液，上液腔IIIC104内磁流变液覆盖旁通细管IIC4管口。
实施例2：
所述一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构包括缸筒A1和活塞***IA2，以及至少一根旁通细管IA3。
所述缸筒A1是一个中空的缸体，其内部具有将中空内腔分隔为上下两部分的隔板IA101。所述隔板IA101的上方为上液腔IA104，所述隔板IA101的下方为下液腔IA105。
所述上液腔IA104和下液腔IA105通过旁通细管IA3连通。
所述活塞***IA2包括活塞杆IA201、活塞IA202和励磁线圈IA203。
所述活塞杆IA201的上端穿过隔板IA101和缸筒A1上方的顶板IA102。所述活塞杆IA201的下端连接活塞IA202。所述活塞IA202位于下液腔IA105中。
所述活塞IA202的侧面安装有励磁线圈IA203。
所述缸筒A1的缸体内充入了磁流变液。
参见图2，当活塞杆向下进入缸筒时，下液腔的磁流变液一部分通过旁通细管进入上液腔中，另一部分通过活塞与内缸筒间的流动通道流动，活塞杆进入引起的容积变化得到补偿，此时产生的压缩阻尼力较小。
参见图3，当活塞杆向上移出缸筒时，下液腔的磁流变液通过活塞与内缸筒间的流动通道流动，同时上液腔内的磁流变液通过旁通细管进入下液腔，活塞杆移出引起的容积变化得到补偿，此时产生的复原阻尼力较大。
实施例3：
本实施例的主要结构同实施例2，进一步所述缸筒A1还包括底板IA103。
所述隔板IA101设有上活塞孔IA1011。
所述隔板IA101和顶板IA102之间的缸体侧壁上设有上通孔IA106。
所述隔板IA101和底板IA103之间的缸体侧壁上设有下通孔IA107。
所述顶板IA102上设有下活塞孔IA1021。
所述底板IA103位于缸筒A1的底部。
所述下通孔IA107到底板IA103的高度为hA2，隔板IA101到底板IA103的高度为hA3，且0＜hA2＜hA3。
所述活塞杆IA201的上端通过上活塞孔IA1011和下活塞孔IA1021伸出缸筒A1。
此实施例中，需要合理确定下通孔的高度以避免其被沉降的磁流变液堵塞。
实施例4：
本实施例的主要结构同实施例2或3任一项，进一步所述容积补偿结构还包括充气阀IA4、上连接阀IA5、下连接阀IA6。
所述顶板IA102上设有通气孔IA1022。
所述旁通细管IA3通过上连接阀IA5和下连接阀IA6连通上液腔IA104和下液腔IA105。
所述充气阀IA4安装在通气孔IA1022处。
所述缸筒顶部的充气阀，用于向上液腔中充入氮气。所述上液腔中注入一部分磁流变液使液面覆盖上连接阀。
所述上连接阀IA5和下连接阀IA6分别安装在上通孔IA106和下通孔IA107处。
实施例5：
参见图4，一种采用双筒无旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，包括：内外缸筒结构I和活塞***IIB2。
所述内外缸筒结构I包括外缸筒IB1和内缸筒IB3。
所述外缸筒IB1是一个中空的缸体，其内部具有将中空内腔分隔为上下两部分的隔板IIB101。
所述内缸筒IB3位于外缸筒IB1内，且在隔板IIB101的下部分。
所述内缸筒IB3由隔板IIB101和外缸筒IB1的底板IIB103封堵。
所述内缸筒IB3和外缸筒IB1的侧壁之间留有空隙，该空隙部分为储油腔IB106。
所述隔板IIB101的上方为上液腔IIB104，内缸筒IB3的内部为下液腔IIB105。
所述储油腔IB106通过隔板IIB101上的上通孔IIB1012与上液腔IIB104连通。
所述储油腔IB106通过内缸筒IB3上的环形通孔IB301与下液腔IIB105连通。
所述活塞***IIB2包括活塞杆IIB201、活塞IIB202和励磁线圈IIB203。
所述活塞杆IIB201的上端穿过隔板IIB101和外缸筒IB1上方的顶板IIB102。
所述活塞杆IIB201的下端连接活塞IIB202。所述活塞IIB202位于下液腔IIB105中。
所述活塞IIB202的侧面安装有励磁线圈IIB203。
所述外缸筒IB1的缸体内充入了磁流变液。
当活塞杆向下进入内缸筒时，下液腔的磁流变液一部分通过储油腔进入上液腔中，另一部分通过活塞与内缸筒间的流动通道流动，活塞杆进入引起的容积变化得到补偿，此时产生的压缩阻尼力较小。
当活塞杆向上移出内缸筒时，下液腔的磁流变液通过活塞与内缸筒间的流动通道流动，同时上液腔内的磁流变液通过储油腔进入下液腔，活塞杆移出引起的容积变化得到补偿，此时产生的复原阻尼力较大。
实施例6：
本实施例的主要结构同实施例5，进一步所述隔板IIB101上设有上活塞孔IIB1011。
所述顶板IIB102上设有下活塞孔IIB1021和通气孔IIB1022。
所述下活塞孔IIB1021和上活塞孔IIB1011位于同一垂直线上，且上活塞孔IIB1011的下端连接着下液腔IIB105。
所述通气孔IIB1022位于顶板IIB102上，且不与下活塞孔IIB1021连接。
所述底板IIB103位于外缸筒IB1的底部。
所述活塞杆IIB201通过上活塞孔IIB1011和下活塞孔IIB1021伸出外缸筒IB1。
所述环形通孔IB301到底板IIB103的高度为hB2，隔板IIB101到底板IIB103的高度为hB3，且0＜hB2＜hB3。
为了不使补偿气体弥漫入内筒，此种结构的磁流变阻尼器只能正立使用，且通孔可能被沉降的磁流变液堵塞。
实施例7：
本实施例的主要结构同实施例5或6任一项，进一步所述容积补偿结构还包括充气阀IIB4。
所述充气阀IIB4安装在通气孔IIB1022处。
所述缸筒顶部的充气阀，用于向上液腔中充入氮气。所述上液腔中注入一部分磁流变液使液面覆盖上连接阀。
实施例8：
参见图5，一种采用双筒有旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，包括：内外缸筒结构II、活塞***IIIC2和电磁组件C5，以及至少一根旁通细管IIC4。
所述内外缸筒结构II包括外缸筒IIC1和内缸筒IIC3。
所述外缸筒IIC1是一个中空的缸体，其内部具有将中空内腔分隔为上下两部分的隔板IIIC101。
所述内缸筒IIC3位于外缸筒IIC1内，且位于隔板IIIC101的下部分和电磁组件C5的上部分。
所述内缸筒IIC3的底部与电磁组件C5的顶部固连。
所述内缸筒IIC3和电磁组件C5组成一个组合缸筒，所述组合缸筒由隔板IIIC101和外缸筒IIC1的底板IIIC103封堵。
所述组合缸筒与外缸筒IIC1的侧壁之间留有空隙，该空隙部分为储油腔IIC106。
所述隔板IIIC101的上方为上液腔IIIC104，所述组合缸筒的内部为下液腔IIIC105。
所述下液腔IIIC105通过旁通细管IIC4与上液腔IIIC104连通。
所述储油腔IIC106通过电磁组件C5上的环形通孔IIC502和内缸筒IIC3上的环形通孔IIIC301与下液腔IIIC105连通。
所述活塞***IIIC2包括活塞杆IIIC201和活塞IIIC202。
所述活塞杆IIIC201的上端穿过隔板IIIC101和外缸筒IIC1上方的顶板IIIC102。
所述活塞杆IIIC201的下端连接活塞IIIC202。所述活塞IIIC202位于下液腔IIIC105中。所述活塞IIIC202位于电磁组件C5的上方。
所述电磁组件C5还包括磁轭IC501、励磁线圈IIIC503、磁轭IIC504。
所述磁轭IC501是一个环形的中空缸体，且侧面安装有励磁线圈IIIC503。
所述磁轭IC501和磁轭IIC504连通为一个整体。
所述磁轭IIC504是一个环形的中空缸体。
所述磁轭IIC504的侧壁比磁轭IC501薄。
所述磁轭IIC504的侧壁上设有环形通孔IIC502。
所述外缸筒IIC1的缸体内充入了磁流变液。
当活塞杆向下进入内缸筒时，下液腔的磁流变液一部分通过旁通细管进入上液腔中，另一部分通过磁轭下端的环形通孔进入储油腔中，活塞杆进入引起的容积变化得到补偿，此时产生的压缩阻尼力较小。
当活塞杆向上移出内缸筒时，下液腔的磁流变液通过内缸筒上端的环形通孔进入储油腔，储油腔内的磁流变液流过流动通道进入下液腔，产生磁流变效应，同时上液腔中的磁流变液通过旁通细管进入下液腔，活塞杆移出引起的容积变化得到补偿，此时产生的复原阻尼力较大。
实施例9：
本实施例的主要结构同实施例8，进一步所述隔板IIIC101上设有上活塞孔IIIC1011和上通孔IIIC1012。
所述上通孔IIIC1012的下端连接着储油腔IIC106。
所述顶板IIIC102上设有下活塞孔IIIC1021和通气孔IIIC1022。
所述下活塞孔IIIC1021和上活塞孔IIIC1011位于同一垂直线上，且上活塞孔IIIC1011的下端连接着下液腔IIIC105。
所述通气孔IIIC1022位于顶板IIIC102上，且不与下活塞孔IIIC1021连接。
所述底板IIIC103位于外缸筒IIC1的底部。
所述活塞杆IIIC201通过上活塞孔IIIC1011和下活塞孔IIIC1021伸出外缸筒IIC1。
所述内缸筒IIC3还设有下通孔IIIC302。
所述旁通细管IIC4还包括上连接阀IIC401和下连接阀IIC402。
所述旁通细管IIC4通过上连接阀IIC401和下连接阀IIC402连通上液腔IIIC104和下液腔IIIC105。
所述上连接阀IIC401和下连接阀IIC402分别安装在上通孔IIIC1012和下通孔IIIC302处。
此实施例中，活塞运动将使磁流变液形成整体的全局流动，即使在通孔处有磁流变液沉降体，也将因阻尼器重新工作时强烈的冲刷作用而得到改善。
实施例10：
本实施例的主要结构同实施例8或9任一项，进一步所述容积补偿结构还包括充气阀IIIC6。
所述充气阀IIIC6安装在通气孔IIIC1022上。
所述缸筒顶部的充气阀，用于向上液腔中充入氮气。
实施例11：
所述的一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构内，磁流变液的充入量由以下原则确定：当活塞IA202放置于最顶端，且下液腔IA105内部的气体都位于顶部时，下液腔IA105内充满磁流变液，上液腔IA104内磁流变液覆盖旁通细管IA3管口。
所述的一种采用双筒无旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构内，磁流变液的充入量由以下原则确定：当活塞IIB202放置于最顶端，且下液腔IIB105内部的气体都位于顶部时，下液腔IIB105和储油腔IB106内充满磁流变液，上液腔IIB104内磁流变液覆盖上通孔IIB1012。
所述的一种采用双筒有旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构内，磁流变液的充入量由以下原则确定：当活塞IIIC202放置于最顶端，且下液腔IIIC105内部的气体都位于顶部时，下液腔IIIC105和储油腔IIC106内充满磁流变液，上液腔IIIC104内磁流变液覆盖旁通细管IIC4管口。
实施例12：
为解决现有技术存在的问题，本发明采用的技术方案如下：一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，主要包括：缸筒、旁通细管和活塞组件。
缸筒上下端密封。缸筒靠近底部和顶部的侧壁上开有环状通孔，通孔上设置连接阀。缸筒顶部附近设置有隔板。隔板将缸筒内腔分隔为上液腔和油液腔两部分。缸筒顶部设置有充气阀，用于向上液腔中充入氮气。
旁通细管一端通过上连接阀与上液腔连通，另一端通过下连接阀与油液腔连通。上液腔中注入一部分磁流变液使液面覆盖上连接阀。
活塞组件包括活塞、活塞杆和励磁线圈。活塞设置于缸筒的下液腔内。活塞的外壁开设环槽，用于绕制励磁线圈。活塞外壁与缸筒内壁间形成流动通道。当给励磁线圈施加电流时，磁流变液流过流动通道，发生磁流变效应，产生阻尼力。活塞杆一端与活塞固定连接，另一端穿过上液腔后伸出缸筒。
实施例13：
本实施例公开一种旁通细管补偿结构磁流变阻尼器，参见图1，主要包括缸筒、下连接阀、旁通细管、励磁线圈、活塞、活塞杆、上连接阀和隔板。
缸筒的上下端封闭。缸筒靠近底部和顶部的侧壁上开设有下连接阀和上连接阀。缸筒顶部附近还设置有隔板。隔板将缸筒内腔分隔为上液腔和油液腔两部分。旁通细管通过上连接阀和下连接阀将上液腔和油液腔连通。上液腔中注入一部分磁流变液使液面覆盖上连接阀。
活塞设置于缸筒的下液腔内。活塞的外壁开设环槽，环槽上绕制励磁线圈。活塞外壁与缸筒内壁间形成流动通道。当给励磁线圈施加电流时，磁流变液流过流动通道，发生磁流变效应，产生阻尼力。活塞杆一端与活塞固定连接，另一端穿过上液腔后伸出缸筒。
参见图2，当活塞杆向下进入缸筒时，下液腔的磁流变液一部分通过旁通细管进入上液腔中，另一部分通过活塞与缸筒间的流动通道流动，活塞杆进入引起的容积变化得到补偿，此时产生的压缩阻尼力较小。
参见图3，当活塞杆向上移出缸筒时，下液腔的磁流变液通过活塞与缸筒间的流动通道流动，同时上液腔内的磁流变液通过旁通细管进入下液腔，活塞杆移出引起的容积变化得到补偿，此时产生的复原阻尼力较大。
此实施例中，需要合理确定下连接阀的高度以避免其被沉降的磁流变液堵塞。
实施例14：
本实施例主要结构同实施例12，其中，通过充气阀向上液腔内充入氮气，改变上液腔内的初始压强。当活塞杆进入缸筒时，下液腔的磁流变液通过旁通细管进入上液腔中，磁流变液压缩气腔内的氮气，此时产生的压缩阻尼力会增大。可根据实际输出阻尼力需求，对上液腔充入氮气以获取相应的输出阻尼力。
实施例15：
本实施例主要结构同实施例12，其中，在缸筒外部套上保护套，保护旁通细管和连接阀，避免在磁流变阻尼器实际使用过程中，环境因素对补偿结构造成损坏。
实施例16：
本实施例提供一种双筒结构的实现方式，通过双筒结构替代旁通细管，其工作原理同实施例12，参见图4，主要包括外缸筒、内缸筒、活塞、活塞杆、励磁线圈和隔板。
外缸筒的上下端封闭。内缸筒同轴设置于外缸筒内，下端与外缸筒底部抵接，上端与隔板抵接。内缸筒与外缸筒之间具有储油腔。内缸筒下端开设通孔，用于连通下液腔和储油腔。隔板与外缸筒上端围成上液腔。隔板上开设环形通孔，用于连通上液腔与储油腔。
活塞设置于内缸筒内。活塞的外壁开设环槽，环槽上绕制励磁线圈，活塞外壁与内缸筒内壁形成流动通道。当给励磁线圈施加电流时，磁流变液流过流动通道，发生磁流变效应，产生阻尼力。活塞杆一端与活塞固定连接，另一端穿过上液腔后伸出外缸筒。
当活塞杆向下进入内缸筒时，下液腔的磁流变液一部分通过储油腔进入上液腔中，另一部分通过活塞与内缸筒间的流动通道流动，活塞杆进入引起的容积变化得到补偿，此时产生的压缩阻尼力较小。
当活塞杆向上移出内缸筒时，下液腔的磁流变液通过活塞与内缸筒间的流动通道流动，同时上液腔内的磁流变液通过储油腔进入下液腔，活塞杆移出引起的容积变化得到补偿，此时产生的复原阻尼力较大。
为了不使补偿气体弥漫入内筒，此种结构的磁流变阻尼器只能正立使用，且通孔可能被沉降的磁流变液堵塞。
实施例17：
本实施例提供一种双筒旁通细管补偿结构的实现方式，参见图5，主要包括外缸筒、内缸筒、旁通细管、隔板、活塞组件和电磁组件。
外缸筒的上下端封闭。内缸筒同轴设置于外缸筒内，下端与电磁组件抵接，上端与隔板抵接。内缸筒与外缸筒之间具有储油腔。内缸筒上端开设环形通孔，用于连通下液腔和储油腔。内缸筒下端开设连接阀。隔板与外缸筒上端围成上液腔。隔板上开设连接阀。旁通细管通过连接阀和连接阀将上液腔和下液腔连通。上液腔中注入一部分磁流变液使液面覆盖连接阀。
活塞组件包括活塞和活塞杆。活塞设置于内缸筒内。活塞杆一端与活塞固定连接，另一端穿过上液腔后伸出外缸筒。
电磁组件包括磁轭和励磁线圈。磁轭下端与外缸筒底部抵接，上端与内缸筒抵接。磁轭上开设环槽，环槽上绕制励磁线圈。磁轭外壁与外缸筒内壁形成流动通道。磁轭下端开设环形通孔，用于连接下液腔和储油腔。
当活塞杆向下进入内缸筒时，下液腔的磁流变液一部分通过旁通细管进入上液腔中，另一部分通过磁轭下端的环形通孔进入储油腔中，活塞杆进入引起的容积变化得到补偿，此时产生的压缩阻尼力较小。
当活塞杆向上移出内缸筒时，下液腔的磁流变液通过内缸筒上端的环形通孔进入储油腔，储油腔内的磁流变液流过流动通道进入下液腔，产生磁流变效应，同时上液腔中的磁流变液通过旁通细管进入下液腔，活塞杆移出引起的容积变化得到补偿，此时产生的复原阻尼力较大。
此实施例中，活塞运动将使磁流变液形成整体的全局流动，即使在通孔处有磁流变液沉降体，也将因阻尼器重新工作时强烈的冲刷作用而得到改善。
Claims (10)
1.一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，其特征在于：包括所述缸筒(A1)和活塞***I(A2)，以及至少一根旁通细管I(A3)。
所述缸筒(A1)是一个中空的缸体，其内部具有将中空内腔分隔为上下两部分的隔板I(A101)；所述隔板I(A101)的上方为上液腔I(A104)，所述隔板I(A101)的下方为下液腔I(A105)。
所述上液腔I(A104)和下液腔I(A105)通过旁通细管I(A3)连通；
所述活塞***I(A2)包括活塞杆I(A201)、活塞I(A202)和励磁线圈I(A203)；
所述活塞杆I(A201)的上端穿过隔板I(A101)和缸筒(A1)上方的顶板I(A102)；所述活塞杆I(A201)的下端连接活塞I(A202)；所述活塞I(A202)位于下液腔I(A105)中；
所述活塞I(A202)的侧面安装有励磁线圈I(A203)；
所述缸筒(A1)的缸体内充入磁流变液。
2.根据权利要求1所述的一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，其特征在于,所述缸筒(A1)还包括底板I(A103)；
所述隔板I(A101)设有上活塞孔I(A1011)；
所述隔板I(A101)和顶板I(A102)之间的缸体侧壁上设有上通孔I(A106)；
所述隔板I(A101)和底板I(A103)之间的缸体侧壁上设有下通孔I(A107)；
所述顶板I(A102)上设有下活塞孔I(A1021)；
所述底板I(A103)位于缸筒(A1)的底部；
所述活塞杆I(A201)的上端通过上活塞孔I(A1011)和下活塞孔I(A1021)伸出缸筒(A1)。
3.根据权利要求1或2任一项所述的一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，其特征在于，所述容积补偿结构还包括充气阀I(A4)、上连接阀I(A5)、下连接阀I(A6)；
所述顶板I(A102)上设有通气孔I(A1022)；
所述旁通细管I(A3)通过上连接阀I(A5)和下连接阀I(A6)连通上液腔I(A104)和下液腔I(A105)；
所述充气阀I(A4)安装在通气孔I(A1022)处。
所述上连接阀I(A5)和下连接阀I(A6)分别安装在上通孔I(A106)和下通孔I(A107)处。
4.一种采用双筒无旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，其特征在于，包括内外缸筒结构I和活塞***II(B2)；
所述内外缸筒结构I包括外缸筒I(B1)和内缸筒I(B3)；
所述外缸筒I(B1)是一个中空的缸体，其内部具有将中空内腔分隔为上下两部分的隔板II(B101)；
所述内缸筒I(B3)位于外缸筒I(B1)内，且在隔板II(B101)的下部分；
所述内缸筒I(B3)由隔板II(B101)和外缸筒I(B1)的底板II(B103)封堵；
所述内缸筒I(B3)和外缸筒I(B1)的侧壁之间留有空隙，该空隙部分为储油腔I(B106)；
所述隔板II(B101)的上方为上液腔II(B104)，内缸筒I(B3)的内部为下液腔II(B105)；
所述储油腔I(B106)通过隔板II(B101)上的上通孔II(B1012)与上液腔II(B104)连通；
所述储油腔I(B106)通过内缸筒I(B3)上的环形通孔I(B301)与下液腔II(B105)连通；
所述活塞***II(B2)包括活塞杆II(B201)、活塞II(B202)和励磁线圈II(B203)；
所述活塞杆II(B201)的上端穿过隔板II(B101)和外缸筒I(B1)上方的顶板II(B102)；
所述活塞杆II(B201)的下端连接活塞II(B202)；所述活塞II(B202)位于下液腔II(B105)中；
所述活塞II(B202)的侧面安装有励磁线圈II(B203)；
所述外缸筒I(B1)的缸体内充入了磁流变液。
5.根据权利要求4所述的一种采用双筒无旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，其特征在于，所述隔板II(B101)上设有上活塞孔II(B1011)；
所述顶板II(B102)上设有下活塞孔II(B1021)和通气孔II(B1022)；
所述下活塞孔II(B1021)和上活塞孔II(B1011)位于同一垂直线上，且上活塞孔II(B1011)的下端连接着下液腔II(B105)；
所述通气孔II(B1022)位于顶板II(B102)上，且不与下活塞孔II(B1021)连接；
所述底板II(B103)位于外缸筒I(B1)的底部；
所述活塞杆II(B201)通过上活塞孔II(B1011)和下活塞孔II(B1021)伸出外缸筒I(B1)。
6.根据权利要求4或5任一项所述的一种采用双筒无旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，其特征在于，所述容积补偿结构还包括充气阀II(B4)；
所述充气阀II(B4)安装在通气孔II(B1022)处。
7.一种采用双筒有旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，其特征在于，包括：内外缸筒结构II、活塞***III(C2)和电磁组件(C5)，以及至少一根旁通细管II(C4)；
所述内外缸筒结构II包括外缸筒II(C1)和内缸筒II(C3)；
所述外缸筒II(C1)是一个中空的缸体，其内部具有将中空内腔分隔为上下两部分的隔板III(C101)；
所述内缸筒II(C3)位于外缸筒II(C1)内，且位于隔板III(C101)的下部分和电磁组件(C5)的上部分；
所述内缸筒II(C3)的底部与电磁组件(C5)的顶部固连；
所述内缸筒II(C3)和电磁组件(C5)组成一个组合缸筒，所述组合缸筒由隔板III(C101)和外缸筒II(C1)的底板III(C103)封堵；
所述组合缸筒与外缸筒II(C1)的侧壁之间留有空隙，该空隙部分为储油腔II(C106)；
所述隔板III(C101)的上方为上液腔III(C104)，所述组合缸筒的内部为下液腔III(C105)；
所述下液腔III(C105)通过旁通细管II(C4)与上液腔III(C104)连通；
所述储油腔II(C106)通过电磁组件(C5)上的环形通孔II(C502)和内缸筒II(C3)上的环形通孔III(C301)与下液腔III(C105)连通；
所述活塞***III(C2)包括活塞杆III(C201)和活塞III(C202)；
所述活塞杆III(C201)的上端穿过隔板III(C101)和外缸筒II(C1)上方的顶板III(C102)；
所述活塞杆III(C201)的下端连接活塞III(C202)；所述活塞III(C202)位于下液腔III(C105)中；所述活塞III(C202)位于电磁组件(C5)的上方；
所述电磁组件(C5)还包括磁轭I(C501)、励磁线圈III(C503)、磁轭II(C504)；
所述磁轭I(C501)是一个环形的中空缸体，且侧面安装有励磁线圈III(C503)；
所述磁轭I(C501)和磁轭II(C504)连通为一个整体；
所述磁轭II(C504)是一个环形的中空缸体；
所述磁轭II(C504)的侧壁比磁轭I(C501)薄；
所述磁轭II(C504)的侧壁上设有环形通孔II(C502)；
所述外缸筒II(C1)的缸体内充入磁流变液。
8.根据权利要求7所述的一种采用双筒有旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，其特征在于，所述隔板III(C101)上设有上活塞孔III(C1011)和上通孔III(C1012)；
所述上通孔III(C1012)的下端连接着储油腔II(C106)；
所述顶板III(C102)上设有下活塞孔III(C1021)和通气孔III(C1022)；
所述下活塞孔III(C1021)和上活塞孔III(C1011)位于同一垂直线上，且上活塞孔III(C1011)的下端连接着下液腔III(C105)；
所述通气孔III(C1022)位于顶板III(C102)上，且不与下活塞孔III(C1021)连接；
所述底板III(C103)位于外缸筒II(C1)的底部；
所述活塞杆III(C201)通过上活塞孔III(C1011)和下活塞孔III(C1021)伸出外缸筒II(C1)；
所述内缸筒II(C3)上还设有下通孔III(C302)；
所述旁通细管II(C4)还包括上连接阀II(C401)和下连接阀II(C402)；
所述旁通细管II(C4)通过上连接阀II(C401)和下连接阀II(C402)连通上液腔III(C104)和下液腔III(C105)；
所述上连接阀II(C401)和下连接阀II(C402)分别安装在上通孔III(C1012)和下通孔III(C302)处。
9.根据权利要求7或8任一项所述的一种采用双筒有旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构，其特征在于，所述容积补偿结构还包括充气阀III(C6)；
所述充气阀III(C6)安装在通气孔III(C1022)上。
10.根据权利要求1、4或7任一项所述的一种新型磁流变阻尼器容积补偿结构，其特征在于，
所述的一种采用旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构内，磁流变液的充入量由以下原则确定：当活塞I(A202)放置于最顶端，且下液腔I(A105)内部的气体都位于顶部时，下液腔I(A105)内充满磁流变液，上液腔I(A104)内磁流变液覆盖旁通细管I(A3)管口；
所述的一种采用双筒无旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构内，磁流变液的充入量由以下原则确定：当活塞II(B202)放置于最顶端，且下液腔II(B105)内部的气体都位于顶部时，下液腔II(B105)和储油腔I(B106)内充满磁流变液，上液腔II(B104)内磁流变液覆盖上通孔II(B1012)；
所述的一种采用双筒有旁通细管的磁流变阻尼器容积补偿结构内，磁流变液的充入量由以下原则确定：当活塞III(C202)放置于最顶端，且下液腔III(C105)内部的气体都位于顶部时，下液腔III(C105)和储油腔II(C106)内充满磁流变液，上液腔III(C104) 内磁流变液覆盖旁通细管II(C4)管口。
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