CN115621183A - 一种半导体加工设备及半导体产品的加工方法 - Google Patents

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CN115621183A CN202211031275.2A CN202211031275A CN115621183A CN 115621183 A CN115621183 A CN 115621183A CN 202211031275 A CN202211031275 A CN 202211031275A CN 115621183 A CN115621183 A CN 115621183A
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Abstract

本公开提供一种半导体加工设备及半导体产品的加工方法，半导体加工设备包括第一传输装置和检测装置，第一传输装置用于承载半导体产品并传输半导体产品至预定位置，检测装置用于获取半导体产品在第一传输装置上的偏移参数，第一传输装置还用于根据偏移参数调整起点传输位置。本公开中，检测装置能够获取半导体产品的偏移参数，第一传输装置能够根据偏移参数调整起点传输位置，当半导体产品在第一传输装置上出现的偏移能够使得相关技术中的半导体加工设备停机时，本公开提供的半导体加工设备不会停机并且能够自动进行偏移补偿，避免停机维修导致正常作业时长被占用，提升工作效率。

Description

一种半导体加工设备及半导体产品的加工方法
技术领域
本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体加工设备及半导体产品的加工方法。
背景技术
在晶圆(wafer)输送至制程腔室进行工艺加工时，需要确保半导体产品在制程腔室中处于较中间的位置。但是，在半导体产品的取放过程中容易出现无法对齐的情况。
相关技术中，真空模块晶圆定位装置(transfer navigation module，TNS)能够在半导体产品出现偏移时发出警报并使得晶圆停止传送，传送停止后需要人工处理，人工处理存在时间长，以及存在出现叠片破片的情况。
发明内容
以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本公开实施例提供了一种半导体加工设备及半导体产品的加工方法。
根据本公开的第一方面，提供了一种半导体加工设备，所述半导体加工设备包括第一传输装置和检测装置；
所述第一传输装置，用于承载半导体产品并传输所述半导体产品至预定位置；
所述检测装置，用于获取所述半导体产品在所述第一传输装置上的偏移参数；
所述第一传输装置，还用于根据所述偏移参数调整起点传输位置。
在一些实施例中，所述半导体加工设备还包括处理腔室和与所述处理腔室连接的锁压腔室；
所述锁压腔室用于以固定角度存放所述半导体产品；
所述第一传输装置用于以预定初始位置从所述锁压腔室中取出半导体产品，并在所述处理腔室中以预定路线传输所述半导体产品。
在一些实施例中，所述检测装置安装在所述处理腔室中，所述检测装置包括发射部和接收部，所述发射部和接收部分别固定于所述处理腔室的上下壁，所述发射部与所述接收部对齐设置；
所述发射部用于发出垂直于所述处理腔室的上下壁的光线感测信号；
所述接收部用于在所述半导体产品经过所述发射部，接收并处理遮挡后的光线感测信号。
在一些实施例中，所述光线感测信号在第三方向上的检测长度大于等于所述半导体产品的直径。
在一些实施例中，所述检测装置与所述锁压腔室之间的最小距离大于等于所述半导体产品的直径。
在一些实施例中，所述检测装置具有检测中心，所述检测中心为所述发射部及所述接收部的中心；
所述检测中心的投影位于所述第一传输装置的预定路线上。
在一些实施例中，所述偏移参数包括：所述半导体中心相对于所述检测中心的偏移角度和偏移距离；
所述起点传输位置包括：所述第一传输装置相对于预定初始位置的偏转角度和偏移距离。
在一些实施例中，所述第一传输装置包括机械臂和与机械臂转动连接的机械手，所述机械手用于承载所述半导体产品，所述机械臂用于控制机械手的伸缩距离，并按预定路线移动所述半导体产品。
在一些实施例中，所述检测装置还用于检测所述半导体产品的形状。
在一些实施例中，所述半导体加工设备还包括第一定位装置，所述第一定位装置设置于所述处理腔室中；
第一定位装置用于初步检测所述半导体产品在所述第一传输装置上的初步偏移量。
根据本公开的第二方面，提供了一种半导体产品的加工方法，所述半导体产品的加工方法包括：
提供待加工的半导体产品；
第一传输装置传输所述半导体产品经过检测装置，所述检测装置获取所述半导体产品的偏移参数；
所述第一传输装置根据所述偏移参数调整所述第一传输装置的起点传输位置。
在一些实施例中，所述检测装置获取所述半导体产品的偏移参数，包括：
所述第一传输装置以预定路线传输所述半导体产品，所述第一传输装置能够经过所述检测装置的检测中心；
以检测中心与预定路线的连线为参照，依据所述检测装置的接收部接收到的信号来源位置和信号强度，确定所述半导体产品的偏移角度和偏移距离。
在一些实施例中，根据所述偏移参数调整所述第一传输装置的起点传输位置，包括：
根据所述偏移参数的偏移角度，所述第一传输装置依据进入锁压腔室的预定起点位置偏转所述偏移角度；
根据所述偏移参数的偏移距离，所述第一传输装置依据进入所述锁压腔室的预定初始位置伸缩所述偏移距离。
在一些实施例中，获取所述半导体产品的偏移参数时，所述半导体产品的加工方法还包括：
根据检测光线强度生成强度曲线；
根据所述强度曲线与预设曲线确定所述半导体产品的完整度。
在一些实施例中，所述第一传输装置传输所述半导体产品经过检测装置前，半导体产品的加工方法还包括：
第一定位装置初步检测所述半导体产品在第一传输装置上的初步偏移量；
若初步偏移量超过所述第一定位装置调整范围，所述第一传输装置传输所述半导体产品经过检测装置传输至锁压腔室中，调整所述第一传输装置的起点传输位置；
若初步偏移量不超过所述第一定位装置调整范围，所述第一定位装置对所述半导体产品进行位置调整。
本公开提供的半导体加工设备及半导体产品的加工方法中，检测装置能够获取半导体产品的偏移参数，第一传输装置能够根据偏移参数调整起点传输位置，当半导体产品在第一传输装置上出现的偏移能够使得相关技术中的半导体加工设备停机时，本公开提供的半导体加工设备不会停机并且能够自动进行偏移补偿，避免停机维修导致正常作业时长被占用，提升工作效率。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
并入到说明书中并且构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与描述一起用于解释本公开实施例的原理。在这些附图中，类似的附图标记用于表示类似的要素。下面描述中的附图是本公开的一些实施例，而不是全部实施例。对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据一示例性实施例示出的半导体加工设备的示意图。
图2是图1中a区域的放大图。
图3是根据一示例性实施例示出的第一定位装置的示意图。
图4是根据一示例性实施例示出的偏移补偿原理图。
图5是根据一示例性实施例示出的偏移补偿原理图。
图6是根据一示例性实施例示出的半导体产品完整时的强度曲线图。
图7是根据一示例性实施例示出的半导体产品破损是的强度曲线图。
图8是根据一示例性实施例示出的半导体产品的加工方法的流程图。
附图标记：
10、处理腔室；11、第一传输装置；12、第一定位装置；121、光传感器；13、检测装置；
20、锁压腔室；
30、制程腔室；
40、装载腔室；41、第二传输装置；
50、第二定位装置；
60、装载端口；61、传送盒；611、晶圆。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例中的附图，对公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在晶圆(wafer)输送至制程腔室进行工艺加工时，需要确保半导体产品在制程腔室中处于较中间的位置。但是，在半导体产品的取放过程中容易出现无法对齐的情况。
相关技术中，真空模块晶圆定位装置(transfer navigation module，TNS)能够在半导体产品出现偏移时发出警报并使得晶圆停止传送，传送停止后需要人工处理，人工处理存在时间长、出现叠片破片的情况。
为了解决相关技术中存在的问题，避免半导体产品偏移超出预设范围时，半导体加工设备停机需要人工处理而浪费时间的情况，本公开提供了一种半导体加工设备，半导体加工设备包括半导体加工设备包括第一传输装置和检测装置，第一传输装置用于承载半导体产品并传输半导体产品至预定位置，检测装置用于获取半导体产品的偏移参数，第一传输装置还用于根据偏移参数调整起点传输位置。本公开中，检测装置能够获取半导体产品的偏移参数，第一传输装置能够根据偏移参数调整起点传输位置，当半导体产品在第一传输装置上出现的偏移能够使得相关技术中的半导体加工设备停机时，本公开提供的半导体加工设备不会停机并且能够自动进行偏移补偿，避免停机维修导致正常作业时长被占用，提升工作效率。
根据本公开一示例性实施例，如图1所示，图1示出了一种半导体加工设备，该半导体加工设备具有自动化传送、加工半导体产品的功能，半导体产品比如可以是晶圆(wafer)。半导体加工设备包括第一传输装置11和检测装置13。
本实施例中，如图1所示，第一传输装置11用于承载半导体产品并传输半导体产品至预定位置。第一传输装置11比如可以包括机械臂以及与机械臂转动连接的机械手，机械手用于承载半导体产品，
需要说明的是，通常情况下，第一传输装置11设置于半导体加工设备的处理腔室10中，处理腔室10用于连接锁压腔室20和制程腔室30。其中，锁压腔室20的一端连接处理腔室10(处理腔室10内部为真空环境)，锁压腔室20的另一端连接大气环境，半导体产品在大气环境和处理腔室10中传输时，锁压腔室20的内部气压能够进行调整，以避免外界气体进入处理腔室10。
在一个示例中，如图1所示，第一传输装置11能够将存放于锁压腔室20中待加工的半导体产品取出，并将半导体产品输送至制程腔室30中，使得半导体产品在制程腔室中进行指定工艺制程。在本示例中，预定位置也即制程腔室30。
在另一个示例中，如图1所示，第一传输装置11能够将完成加工的半导体产品从制程腔室30中取出，并将半导体产品输送至锁压腔室20中，进而完成加工的半导体产品能够被输出至大气环境。在本示例中，预定位置也即锁压腔室20。
在另一个示例中，如图1所示，第一传输装置11从锁压腔室20中取出待加工的半导体产品后，第一传输装置11将半导体产品向制程腔室30输送的过程中，若半导体产品在第一传输装置11上的位置发生偏移，且该偏移导致半导体产品无法处于制程腔室的较中间位置时，第一传输装置11能够将待加工的半导体产品输送回锁压腔室20中，第一传输装置11对该半导体产品重新进行承载，使得半导体产品处于合适的承载位置。在本示例中，预定位置也即锁压腔室20。
锁压腔室20若有多个，则固定其中一个锁压腔室20为偏移晶圆重新承载的放置腔室，利用锁压腔室20将晶圆调整为统一设置的固定传送位置，便于第一传输装置11调整取出晶圆的预设初始位置。
在一些可选的实施方式中，第一传输装置11也可以设置于半导体加工设备的装载腔室40中，装载腔室40用于连接锁压腔室20和装载端口60，其中，装载端口60连接晶圆传送盒61和装载腔室40，当第一传输装置11设置于装载腔室40时，第一传输装置11用于在晶圆传送盒61和锁压腔室20之间传送半导体产品。
本实施例中，如图1所示，检测装置13用于获取半导体产品的偏移参数，进而第一传输装置11根据偏移参数调整起点传输位置。
第一传输装置11带动半导体产品在锁压腔室20和制程腔室30之间运动时，第一传输装置11能够经过检测装置13，其中，在第一传输装置11经过检测装置13时，检测装置13能够获取半导体产品在第一传输装置11上的偏移参数，第一传输装置11将半导体产品输送回锁压腔室20后，第一传输装置11与半导体产品分离并根据偏移参数调整起点传输位置，以重新对半导体产品进行承载。
需要说明的是，检测装置13获取偏移参数，可以是第一传输装置11从锁压腔室20中取出半导体产品后，在第一传输装置11将半导体产品向制程腔室30输送的过程中获取。检测装置13获取偏移参数，也可以是半导体产品超出第一定位装置12(后文有详细介绍)的偏差范围，在第一传输装置11将半导体产品向锁压腔室20输送的过程中获取。
在一个示例中，参照图2，偏移参数可以为半导体产品在第一传输装置11上的偏移距离和偏移角度，第一传输装置11具有旋转和伸缩功能，从而第一传输装置11能够根据偏移距离和偏移角度进行调整。
在另一个示例中，参照图2，偏移参数可以为半导体产品在第二方向(参考图2中所示m方向)上存在的第一偏移距离，以及在第三方向(参照图2中所示n方向)上存在的第二偏移距离。第二方向可以为第一传输装置11的输送方向，第三方向与第二方向垂直，且第三方向垂直于图2中所示z方向。
第一传输装置11能够根据偏移参数调整起点传输位置，起点传输位置包括第一传输装置相对于预定初始位置的偏转角度和偏移距离，可以理解的是，半导体产品能够以固定的角度、位置存放于锁压腔室20中，而当第一传输装置11仍以预定路线进入锁压腔室，并在预定初始位置取出半导体产品时，半导体产品仍会出现偏移，因此，第一传输装置11根据偏移参数调整进入锁压腔室20的路径，并在锁压腔室20中形成新的起点位置，使得半导体产品在第一传输装置11上处于基准位置。预定初始位置可包括机械手相对于锁压腔室20中心的初始偏转角度和初始伸缩距离。
本公开实施例中，检测装置能够获取半导体产品的偏移参数，第一传输装置能够根据偏移参数调整起点传输位置，当半导体产品在第一传输装置上出现的偏移能够使得相关技术中的半导体加工设备停机时，本公开提供的半导体加工设备不会停机并且能够自动进行偏移补偿，避免停机维修导致正常作业时长被占用，提升工作效率。
在一个示例性实施例中，如图1所示，提供了一种半导体加工设备，半导体加工设备包括第一传输装置11和检测装置13，第一传输装置11用于承载半导体产品并传输半导体产品至预定位置，检测装置13用于获取半导体产品在第一传输装置上的偏移参数，第一传输装置11用于根据偏移参数调整起点传输位置。
本实施例中，如图1所示，半导体加工设备还包括处理腔室10和与处理腔室10连接的锁压腔室20。
参照图1，锁压腔室20用于以固定的角度存放半导体产品，从而，在第一传输装置11以预定初始位置从锁压腔室20中取出半导体产品，且第一传输装置11按照预定的路线传输半导体产品至制程腔室30后，半导体产品能够以期望的角度在制程腔室中进行加工。
参照图1，检测装置13安装于处理腔室10中。例如，检测装置13可以安装于处理腔室10中靠近锁压腔室20的位置处。
检测装置13包括发射部和接收部，发射部比如可以是激光发射器，接收部比如可以是激光接收器，接收部比如可以是电荷耦合器件(Charge Coupled Device，CCD)图像传感器，电荷耦合器件具有光电转化功能，能够将发射部发出的检测光线转换为电荷信号。
发射部和接收部可以分别安装于处理腔室的上下壁(顶壁和底壁)，发射部和接收部在竖直方向(图2中所示z方向)上对齐设置，发射部和接收部之间形成检测空间，发射部能够发出垂直于处理腔室10的上下壁的光线感测信号，接收部能够接收该光线感测信号。当第一传输装置11带动半导体产品经过检测空间时，半导体产品对光线感测信号产生遮挡，使得接收部接收的检测信号发生变化，接收部能够接收并处理遮挡后的光线感测信号，从而得到半导体产品在第一传输装置11上的偏移参数。
其中，参照图1和图2，以半导体产品为圆形的晶圆611为例，第一传输装置11能够沿第二方向(图2中所示m方向)经过检测装置13的检测空间，发射部发射的检测光线在第三方向(图2中所示n方向)上的长度大于等于半导体产品的直径，第二方向与第三方向垂直，且均垂直于第一方向(图2中所示z方向)。
将检测光线在第三方向上的长度设置成大于等于晶圆611的直径，当晶圆611在第三方向上发生偏移时，晶圆611仍处于检测光线的检测范围内，进而能够根据接收部上阴影面积分布(由于晶圆611遮挡检测光线产生)的位置准确获取晶圆611的偏移参数。
其中，如图1所示，检测装置13与锁压腔室20之间的最小距离大于等于晶圆的直径，从而在晶圆611在第一传输装置11上偏移过大时，第一传输装置11能够根据偏移角度进行第一次补偿(后文有详细介绍)，避免晶圆611撞到锁压腔室20的隔离门。
本实施例中，如图2、图4和图5所示，检测装置13具有检测中心A，检测中心A为发射部以及接收部的对称中心。检测中心A的投影位于第一传输装置11的预定路线(机械手旋转中心B的移动路径)上，其中，第一传输装置11具有支撑中心(图4和图5中示出了支撑中心与检测中心A重合的情况)，在第一传输装置11的输送晶圆611进过检测空间的过程中，第一传输装置11的支撑中心(机械手的中心)与检测装置13的检测中心A存在重合的位置，接收部能够根据该时刻接收到的检测信号，获取半导体产品的偏移参数。
其中，检测装置还能够获取半导体产品的形状。例如，半导体产品(晶圆)出现破损、裂痕时，破损、裂痕处对于感测光线信号的阻挡效果变弱，接收部能够根据接收到的感测光线的强度判断晶圆的完整度。
本实施例中，参照图4和图5，第一传输装置11还具有旋转中心B，也即第一传输装置11的机械臂与机械手的连接转轴的轴心，半导体产品具有几何中心P，也即晶圆611的圆心。当支撑中心与检测中心A重合时，检测装置13的接收部能够根据接收到的检测光线获取晶圆611的圆心的位置，并计算得到圆心相对旋转中心B的偏移距离R和偏移角度θ，第一传输装置11能够根据偏移距离R和偏移角度θ对半导体产品进行调整。
以下结合图4和图5对上述进行原理解释，图4示出了第一传输装置11的支撑中心与检测装置13的检测中心重合的情况，A-支撑中心/检测中心，B-旋转中心，P-晶圆611的几何中心，若晶圆611处于基准状态，则晶圆611的几何中心P应与点A重合，可知，图4中的晶圆611由A偏移至P，因此，第一传输装置11的补偿方向为P→A。以点A为原点建立平面直角坐标系，假设P(x，y)，其中，B点与A点的距离为已知参数(相当于第一传输装置11机械臂与机械手中心之间的长度)，假设B(0，-S)，P点的坐标x和y的数值可以在第一传输装置11的运动过程通过检测结果计算得到。由上可知，偏移角度为线段AB与线段BP之间的夹角θ，偏移距离的计算方式如下：以B为圆心，S为半径画出圆弧，根据勾股定理可以得到B与P之间的距离L(也可以直接从图形信息测量得到)，该圆弧与B、P连线交点为C，C与P之间的距离L-S即偏移距离R的数值。
在一个示例性实施例中，如图1所示，提供了一种半导体加工设备，半导体加工设备包括第一传输装置11和检测装置13，第一传输装置11用于承载半导体产品并传输半导体产品至预定位置，检测装置13用于获取半导体产品在第一传输装置上的偏移参数，第一传输装置11用于根据偏移参数调整起点传输位置。
本实施例中，参照图1和图3，处理腔室10中还设置有第一定位装置12。
在一个示例中，参照图3，第一定位装置12包括多个光传感器121(比如可以是3个、4个、5个，本示例中以3个光传感器121为例)，以3个光传感器121在晶圆611周向上均布设置且每个光传感器121为条形，且条形的延伸方向为晶圆611的径向方向为例，在定位晶圆611的过程中，当晶圆611在第一传输装置11上处于基准位置时，每个光传感器121被晶圆611遮挡的形状一样，当光传感器121被晶圆611遮挡的形状较大或较小时，表示晶圆611未处于基准位置，并且第一定位装置12能够根据光传感器121的反馈参数计算得到晶圆611的偏移量。可以理解的是，第一定位装置12能够在晶圆611未超出预设偏移范围时，获取晶圆611的偏移参数确定晶圆611继续运送，其中，本公开中不对该调整原理进行过多赘述。相关技术中，第一定位装置12检测到晶圆611超出预设偏移范围是会发生预警报错，至少使得整个半导体加工设备的传输***停止运作，而本公开中的第一定位装置12能够发送信号至第一传输装置11或者控制部(未示出)，第一传输装置11带动晶圆611返回，进行偏移量消除操作，避免出现停机情况。当然可以理解的是，可能存在同一个半导体产品多次调整后仍超出预设偏移范围，该情况下第一定位装置12能够发出预紧报错，以减少半导体加工设备的反复调整占用正常作业时间。
第一定位装置12能够在第一支撑臂将晶圆611送入制程腔室30之前，对晶圆611在第一传输装置11上的位置进行检测，并且在预设偏移范围内对半导体产品进行微调补偿，但是，第一定位装置12具有补偿上限，当晶圆611的偏移量超过上限时，相关技术中的第一定位装置12会发生预警报错，至少使得整个半导体加工设备的传输***停止运作，而本公开中的定位装置能够发送信号至控制部(未示出)，控制部控制第一传输装置11将晶圆611输送回锁压腔室20中进行偏移调整。
本实施例中，参照图1，半导体加工设备还包括装载腔室40，装载腔室40通过锁压腔室20与处理腔室10连通。装载腔室40中设置有第二传输装置41，第二传输装置41用于将半导体产品输入或输出锁压腔室20。可以理解的是，装载腔室40处于大气环境中，可以连通用于容置晶圆611的传送盒61与锁压腔室20。
其中，参照图1，半导体加工设备还包括第二定位装置50，第二定位装置50与装载腔室40连通，第二定位装置50处于大气环境中。第二定位装置50用于晶圆611多次调整后仍超出偏移极限时，由装载腔室40中的第二传输装置41将晶圆611从锁压腔室20中转移至第二定位装置50中，比如可以由技术人员手动进行校正补偿。从而避免第一传输装置11在锁压腔室20和第一定位装置12之间循环运作，增加半导体加工设备的有效工作时长。
根据本公开一示例性实施例，本公开还提供一种半导体产品的加工方法，如图8所示，图8示出了一种半导体产品的加工方法的流程图，半导体产品的加工方法包括以下步骤：
S100、提供待加工的半导体产品。
该步骤中，如图1所示，半导体产品比如可以是晶圆611，多个晶圆611叠层放置于传送盒61中，存储有晶圆611的传送盒61可以由自动化天车等设备输送至装载端口60。
S200、第一传输装置传输半导体产品经过检测装置，检测装置获取半导体产品的偏移参数。
S300、第一传输装置根据偏移参数调整第一传输装置的起点传输位置。
其中，步骤S200中，检测装置获取半导体产品的偏移参数，具体可以包括以下步骤：
S210、第一传输装置以预定路线传输半导体产品，第一传输装置能够经过检测装置的检测中心。
该步骤中，基于检测装置在处理腔室中处于固定的安装位置，将第一传输装置设置成以预定路线传输半导体产品至锁压腔室，且第一传输装置能够经过检测装置的检测中心，以便于检测装置能够通过相同的算法计算得到偏移参数。
S220、以检测装置与预定路线的连线为参照，依据检测装置的接收部接收到的信号来源位置和信号强度，确定半导体产品的偏移角度和偏移距离。
该步骤中，第一以传输装置的传输方向与检测装置的长度方向垂直，从而检测装置和预定路线的连线能够形成直角坐标系，接收部能够根据信号来源位置确定晶圆的几何中心。晶圆的补偿方向即图4中所示几何中心P→检测中心A。
其中，步骤S300中根据偏移参数调整第一传输装置的起点传输位置，具体可以包括以下步骤：
S310、根据偏移参数的偏移角度，第一传输装置依据进入锁压腔室的预定起点位置偏转偏移角度。
S320、根据偏移参数的偏移距离，第一传输装置依据进入锁压腔室的预定起点位置伸缩偏移距离。
首先，第一传输装置根据偏移角度和偏移距离进行补偿，以将晶圆以预设的角度、位置放回至锁压腔室中，接着，第一传输装置根据偏移角度和偏移距离相对预定起点位置进行偏转和伸缩。
需要说明的是，第一传输装置进入锁压腔室之前，第一传输装置根据偏移角度进行偏转补偿(以避免晶圆的偏移角度过大，导致晶圆与锁压腔室的边框相撞)，第一传输装置进入锁压腔室之后，第一传输装置根据偏移距离进行伸缩补偿。
该步骤中，根据半导体产品的偏移距离，第一传输装置11将半导体产品输送至锁压腔室20中，锁压腔室20调整半导体产品为固定传送位置，与第一次取出位置相同，但二次取出是第一传输装置相对预定初始位置，调整拿取晶圆的角度和距离。示例性地，当偏移距离相对于支撑中心为2mm时，第一输送装置在预定初始位置上会减少2mm的伸长距离，以使得半导体产品中心与支撑中心重合，从而完成对半导体产品的位置调整。
在一个示例性实施例中，第一传输装置传输半导体产品经过检测装置前，半导体产品的加工方法还包括：
第一定位装置初步检测半导体产品在第一传输装置上的初步偏移量；
若初步偏移量超过第一定位装置规定的偏移范围，第一传输装置传输半导体产品经过检测装置传输至锁压腔室中，调整第一传输装置的起点传输位置；
若初步偏移量不超过第一定位装置规定的偏移范围，第一定位装置继续传输半导体产品。
第一定位装置以在半导体加工设备侧进行说明，此处不再赘述。
在一个示例性实施例中，将半导体产品输送回锁压腔室20进行调整后，半导体产品的加工方法还包括以下步骤：
若半导体产品在锁压腔室中多次调整后仍超出预设偏移范围，装载腔室中的第二传输装置将半导体产品输送至大气环境中。
该步骤中，以第一定位装置12发出信号，使得第一传输装置11将半导体产品输送回锁压腔室20进行调整作为一次调整，当半导体产品进行多次调整后，若第一定位装置12仍判断半导体产品超出预设偏移范围，则第一传输装置11将半导体产品放置于锁压腔室20，接着，装载腔室40的第二传输装置41将半导体产品输送至大气环境中进行调整。示例性地，半导体产品在锁压腔室20中调整的次数上限为2次。在一个示例中，第二传输装置41可以将半导体产品输送至第二定位装置50中，第二定位装置50处于大气环境中，比如可以是工作人员对第二定位装置50中的半导体产品进行手动调整。
本实施例中，半导体产品在锁压腔室20中多次调整后仍超过预设偏移范围，则将半导体产品输送至大气环境中进行手动调整，避免第一传输装置11在锁压腔室20和第一定位装置12之间循环运作，增加半导体加工设备的有效工作时长。
在一个示例性实施例中，检测装置获取半导体产品的偏移参数时，半导体产品的加工方法还包括：
根据检测光线强度生成强度曲线。
该步骤中，检测装置13的接收部能够获取检测光线的强度，并且能够生成相应的强度曲线。如图6和图7所示，图6示出了晶圆611完整时的强度曲线，图7示出了一种晶圆611出现破损时的强度曲线，其中，横坐标表示遮光区域相对于支撑中心在第二方向(图2中所示m方向)的距离，纵坐标表示遮光区域相对于支撑中心在第三方向(图2中所示n方向)的距离。
根据强度曲线与预设曲线确定半导体产品的完整度。
该步骤中，可以将强度曲线与预设曲线在同一坐标系中进行拟合，根据两条曲线的分离情况，确定半导体产品的完整度，示例性地，强度曲线与预设曲线完全重合，则表示当前晶圆完整度良好。其中，判断方式可以是计算机进行拟合，也可以是工作人员人工观察确认。
在一个示例性实施例中，若获取半导体产品在处理腔室10中的第一传输装置11上的位置未超出预设偏移范围，半导体产品的加工方法还包括：第一定位装置对半导体产品进行偏移补偿，第一传输装置将半导体产品输送至制程腔室。
本实施例中，第一定位装置12获取半导体产品偏移参数的原理在上述装置侧已做说明，此处不再赘述。
本说明书中各实施例或实施方式采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分相互参见即可。
在本说明书的描述中，参考术语“实施例”、“示例性的实施例”、“一些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”等的描述意指结合实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本公开的至少一个实施方式或示例中。
在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
在本公开的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。
可以理解的是，本公开所使用的术语“第一”、“第二”等可在本公开中用于描述各种结构，但这些结构不受这些术语的限制。这些术语仅用于将第一个结构与另一个结构区分。
在一个或多个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的多个部分没有按比例绘制。此外，可能未示出某些公知的部分。为了简明起见，可以在一幅图中描述经过数个步骤后获得的结构。在下文中描述了本公开的许多特定的细节，例如器件的结构、材料、尺寸、处理工艺和技术，以便更清楚地理解本公开。但正如本领域技术人员能够理解的那样，可以不按照这些特定的细节来实现本公开。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本公开的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本公开进行了详细的说明，本领域技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本公开各实施例技术方案的范围。

Claims (15)

1.一种半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备包括第一传输装置和检测装置；
所述第一传输装置，用于承载半导体产品并传输所述半导体产品至预定位置；
所述检测装置，用于获取所述半导体产品在所述第一传输装置上的偏移参数；
所述第一传输装置，还用于根据所述偏移参数调整起点传输位置。
2.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备还包括处理腔室和与所述处理腔室连接的锁压腔室；
所述锁压腔室用于以固定角度存放所述半导体产品；
所述第一传输装置用于以预定初始位置从所述锁压腔室中取出半导体产品，并在所述处理腔室中以预定路线传输所述半导体产品。
3.根据权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，所述检测装置安装在所述处理腔室中，所述检测装置包括发射部和接收部，所述发射部和接收部分别固定于所述处理腔室的上下壁，所述发射部与所述接收部对齐设置；
所述发射部用于发出垂直于所述处理腔室的上下壁的光线感测信号；
所述接收部用于在所述半导体产品经过所述发射部，接收并处理遮挡后的光线感测信号。
4.根据权利要求3所述的半导体加工设备，其特征在于，所述光线感测信号在第三方向上的检测长度大于等于所述半导体产品的直径。
5.根据权利要求3所述的半导体加工设备，其特征在于，所述检测装置与所述锁压腔室之间的最小距离大于等于所述半导体产品的直径。
6.根据权利要求3所述的半导体加工设备，其特征在于，所述检测装置具有检测中心，所述检测中心为所述发射部及所述接收部的对称中心；
所述检测中心的投影位于所述第一传输装置的预定路线上。
7.根据权利要求6所述的半导体加工设备，其特征在于，所述偏移参数包括：所述半导体中心相对于所述检测中心的偏移角度和偏移距离；
所述起点传输位置包括：所述第一传输装置相对于预定初始位置的偏转角度和偏移距离。
8.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述第一传输装置包括机械臂和与机械臂转动连接的机械手，所述机械手用于承载所述半导体产品，所述机械臂用于控制机械手的伸缩距离，并按预定路线移动所述半导体产品。
9.根据权利要求1所述的半导体加工设备，其特征在于，所述检测装置还用于检测所述半导体产品的形状。
10.根据权利要求2所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备还包括第一定位装置，所述第一定位装置设置于所述处理腔室中；
第一定位装置用于初步检测所述半导体产品在所述第一传输装置上的初步偏移量。
11.一种半导体产品的加工方法，其特征在于，所述半导体产品的加工方法包括：
提供待加工的半导体产品；
第一传输装置传输所述半导体产品经过检测装置，所述检测装置获取所述半导体产品的偏移参数；
所述第一传输装置根据所述偏移参数调整所述第一传输装置的起点传输位置。
12.根据权利要求11所述的半导体产品的加工方法，其特征在于，所述检测装置获取所述半导体产品的偏移参数，包括：
所述第一传输装置以预定路线传输所述半导体产品，所述第一传输装置能够经过所述检测装置的检测中心；
以检测中心与预定路线的连线为参照，依据所述检测装置的接收部接收到的信号来源位置和信号强度，确定所述半导体产品在所述第一传输装置上的偏移角度和偏移距离。
13.根据权利要求11所述的半导体产品的加工方法，其特征在于，根据所述偏移参数调整所述第一传输装置的起点传输位置，包括：
根据所述偏移参数的偏移角度，所述第一传输装置依据进入锁压腔室的预定初始位置偏转所述偏移角度；
根据所述偏移参数的偏移距离，所述第一传输装置依据进入所述锁压腔室的预定初始位置伸缩所述偏移距离。
14.根据权利要求11所述的半导体产品的加工方法，其特征在于，获取所述半导体产品的偏移参数时，所述半导体产品的加工方法还包括：
根据检测光线强度生成强度曲线；
根据所述强度曲线与预设曲线确定所述半导体产品的完整度。
15.根据权利要求11所述的半导体产品的加工方法，其特征在于，所述第一传输装置传输所述半导体产品经过检测装置前，半导体产品的加工方法还包括：
第一定位装置初步检测所述半导体产品在第一传输装置上的初步偏移量；
若初步偏移量超过所述第一定位装置的偏移范围，所述第一传输装置传输所述半导体产品经过检测装置传输至锁压腔室中，调整所述第一传输装置的起点传输位置；
若初步偏移量不超过所述第一定位装置的偏移范围，所述第一传输装置继续传输所述半导体产品。
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