CN115580291B - 无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路及芯片 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路及芯片，该电路由于未使用晶体管等有源元件，无直流功耗且在低温环境下电路等效噪声将随温度降低而线性降低，避免出现低温噪声饱和现象；同时，LC谐振分频电路能够使输入的泵浦信号与输出分频信号分别形成共模和差模的两种驻波，再由输出电路抑制泵浦信号，使输出信号保持较大的幅值，并利用共模‑差模转换实现前级电路共模噪声的抑制。因而，能够明显降低分频器在低温工作环境下的功耗和噪声。

Description

无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路及芯片
技术领域
本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路及芯片。
背景技术
近年来，为了解决经典计算机无法解决的问题，人们开始寻找新的算法和计算机体系，其中量子计算被视为最具有潜力的一条技术路线。
量子计算机主要由量子芯片、量子测控***和量子软件算法构成，而其中通过量子测控***实现量子比特的测量与控制是实现量子计算的基础。为了避免热噪声对量子比特状态的影响，目前常见的量子芯片需要在接近绝对零度的低温(mK)环境下运行，而量子测控***在常温环境下工作。但随着量子计算对量子比特数量指数级增长的需求和对量子比特测量保真度的高要求，常温量子测控***暴露出体积庞大、集成度低、测控信号互连复杂度较高、室温热辐射噪声降低量子保真度、多通道信号校准和串扰、稀释制冷机功耗巨大等诸多问题，严重阻碍了量子计算的快速发展。为满足不断增加的量子比特对测控***提出的更高要求，解决量子计算***可扩展性的难题，迫切需要研制可以与量子芯片工作在相近温区的低温量子测控***。
在低温量子测控***中，分频器电路作为常处于高频段工作的基本模块，广泛地应用在频率综合器、正交信号生成、时钟产生、射频收发前端中。然而，传统的分频器电路通常占据了整个***功率的很大一部分，并且是相位噪声的主要贡献者之一。因此，在低温量子比特测控***中所使用分频器电路必须满足在低温环境下工作时低噪声和低功耗的性能要求，以降低量子比特测量电路的前向黑体辐射，降低微波载波的频率噪声，减少经典测控对量子保真度的影响。
发明内容
本发明的第一个方面，提供一种无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路，由于未使用晶体管等有源元件，无直流功耗且在低温环境下电路等效噪声将随温度降低而线性降低，避免出现低温噪声饱和现象；同时，LC谐振分频电路能够使输入的泵浦信号与输出分频信号分别形成共模和差模的两种驻波，再由输出电路抑制泵浦信号，使输出信号保持较大的幅值，并利用共模-差模转换实现前级电路共模噪声的抑制。因而，能够明显降低分频器的功耗和噪声。
在本发明的第一方面中，提供一种无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路，其包括：
LC谐振分频电路，被配置为对泵浦信号进行二分频，并将分频信号耦合至输出电路；
所述输出电路，被配置为对分频信号中的高次谐波进行抑制；
其中，所述LC谐振分频电路包括：多个依次设置的可变电容支路，且每条所述可变电容支路的两端分别通过一个电感与其相邻设置的前一条所述可变电容支路的两端相并联，最前设置的所述可变电容支路的两端分别用于接入所述输入信号，最后设置的所述可变电容支路的两端直接耦接；
所述输出电路包括：π型电阻网络、变压器、第一滤波电路以及第二滤波电路；其中，所述π型电阻网络的输入端口的两个端点分别通过一个可变电容与输出共模泵浦信号最接近波节点的一条所述可变电容支路的两端相耦接，其输出端口的两个端点分别与所述变压器的初级线圈的两端相耦接；所述变压器的次级线圈的一端与所述第一滤波电路的输入端相耦接，另一端与所述第二滤波电路的输入端耦接；所述第一滤波电路和所述第二滤波电路的输出端被配置为差分输出。
在一些可能的实施例中，所述可变电容支路包括：两个可变电容和一个相位补偿电容；其中，一个所述可变电容的一端作为所述可变电容的一端，另一所述可变电容的一端作为所述可变电容支路的另一端，且两个所述可变电容的另一端共同耦接于所述相位补偿电容的一端；所述相位补偿电容的另一端接地。
在一些可能的实施例中，所述可变电容采用可变电容二极管；且在所述可变电容支路中，所述可变电容二极管的受控端共同耦合于直流偏压输入端。
在一些可能的实施例中，所述第一滤波电路和所述第二滤波电路均为LC并联滤波电路。
在一些可能的实施例中，所述LC谐振分频电路包括：5条所述可变电容支路；且所述π型电阻网络的输入端口的两个端点分别通过一个可变电容与第四条所述可变电容支路的两端相耦接。
在一些可能的实施例中，所述变压器分别与所述第一滤波电路电路和所述第二滤波电路被配置为形成50Ω负载匹配。
本发明的第二方面，提供一种分频器芯片，其包括：
衬底；以及，形成于所述衬底上的本发明第一方面提供的无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路。
在一些可能的实施例中，所述的无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路采用CMOS工艺制作。
本发明的第三方面，提供一种量子测控芯片，其包括：
控制单元，用于控制量子芯片中的量子比特；
读取单元，用于读取量子芯片中的量子比特；
其中，所述读取单元和/或所述控制单元包括至少一个本发明第一方面提供的无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路或本发明第二方面提供的分频器芯片。
附图说明：
图1为本发明实施例中提供的无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路的结构示意图；
图2为本发明实施例中可变电容支路工作时等效电路示意图；
图3为本发明实施例中LC谐振分频电路工作时传输信号的示意图；
图4为本发明实施例中提供的分频器芯片的结构示意图；
图5为具备图1所示的电路结构的分频器芯片的S参数仿真测试结果图；
图6为具备图1所示的电路结构的分频器芯片的工作带宽仿真测试结果图；
图7为本发明实施例提供的参数分频器电路(PFD)、现有电流模逻辑分频器电路(CML)和真单相时钟分频器(TSPC)的噪声仿真测试数据对比图；
图8为本发明实施例中提供的量子测控芯片的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例对本发明作进一步的详细描述。但不应将此理解为本发明上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本发明内容所实现的技术均属于本发明的范围。
在本发明的一个实施例中，提供如图1所示的一种无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路，其包括：
LC谐振分频电路100，被配置为对泵浦信号进行二分频，并将分频信号耦合至输出电路；
所述输出电路200，被配置为对分频信号中的高次谐波进行抑制；
其中，所述LC谐振分频电路100包括：奇数个依次设置的可变电容支路，且每条所述可变电容支路的两端分别通过一个电感与其相邻设置的前一条所述可变电容支路的两端相并联，最前设置的所述可变电容支路的两端分别用于接入所述输入信号，最后设置的所述可变电容支路的两端直接耦接；
在本实施例中，所述可变电容支路包括：两个可变电容和一个相位补偿电容；其中，一个所述可变电容的一端作为所述可变电容的一端，另一所述可变电容的一端作为所述可变电容支路的另一端，且两个所述可变电容的另一端共同耦接于所述相位补偿电容的一端；所述相位补偿电容的另一端接地。
其中，所述可变电容采用可变电容二极管；且在所述可变电容支路中，所述可变电容二极管的受控端共同耦合于直流偏压输入端。如此，可通过调节变容二极管的受控端输入的直流偏压，以实现最大范围的分频带宽，进而使LC谐振分频电路100工作在11～15GHz波段，工作带宽为4GHz。
具体的，LC谐振分频电路100中的每条可变电容支路构成一个条非线性差分传输线，该非线性差分传输线形成一条分布式谐振电路，该分布式谐振电路是由泵浦信号通过参数放大原理维持的谐振电路，当足够的增益来补偿谐振器损耗时，振荡从谐振电路的环境热噪声开始，振荡频率与泵浦信号的一个次谐波形成相位同步，这种现象可以实现二分频器的功能。
在非线性差分传输线上的任意热噪声对都可以表示为共模分量和差模分量的和，分析可得当差模噪声相位和泵浦信号相位满足固定相差同步时可通过参数放大原理实现分频信号的产生，共模噪声分量随之衰减。同时，非线性差分传输线存在色散问题，即对于不同频率的信号在传输线上的传播常数是不同的，随着传播距离的增加，不同频率信号之间的相位差会随之改变，从而破坏参数分频信号的产生条件。因此，需要通过图2(a)和(b)所示的差模信号短路虚地，共模信号可见的相位补偿电容结构单独改变泵浦信号的传播常数，补偿泵浦信号和差模噪声之间的相位并使之固定，从而使差模分量通过参数放大原理在两个反射端之间来回反射并形成驻波，波腹点差分输出实现较大的输出信号幅度，即如图3所示。
所述输出电路200包括：π型电阻网络201、变压器202、第一滤波电路203以及第二滤波电路204；其中，所述π型电阻网络201的输入端口的两个端点分别通过一个可变电容与输出共模泵浦信号最接近波节点的一条所述可变电容支路的两端相耦接，其输出端口的两个端点分别与所述变压器202的初级线圈的两端相耦接；所述变压器202的次级线圈的一端与所述第一滤波电路203的输入端相耦接，另一端与所述第二滤波电路204的输入端耦接；所述第一滤波电路203和所述第二滤波电路204的输出端被配置为差分输出。
在本实施例中，输出电路200通过可变电容对LC谐振分频电路100输出信号(包括泵浦信号和分频信号)进行耦合，能够补偿带内平坦度；输出电路200中π型电阻网络衰减201可减少输出电路对谐振电路的影响；输出电路200中变压器202、第一滤波电路203以及第二滤波电路204进一步实现输出信号的共模信号和高次谐波的抑制。输出电路200对LC谐振分频电路100输出信号耦合采用的可变电容也可以为可变电容二极管，更具体地，本发明实施例中采用的可变电容二极管为CMOS积累型变容二极管。
在本实施例中，所述LC谐振分频电路100包括：5条所述可变电容支路；且输出电路200中的π型电阻网络201的输入端口的两个端点分别通过一个可变电容与第四条可变电容支路的两端相耦接。通过仿真测试，在5条可变电容支路中，第四条可变电容支路所输出的共模泵浦信号最接近波节点处，因此，为了实现差模信号的波腹点较大振幅输出的同时实现共模泵浦信号的较小输出，输出电路200耦接在第四条可变电容支路的两端；
在本实施例中，所述第一滤波电路和所述第二滤波电路均为LC并联滤波电路，且变压器的初级线圈的两端及次级线圈的两端分别通过一个电容耦合接地，能够耦合滤波网络抑制共模泵浦信号的输出；同时，所述变压器分别与所述第一滤波电路电路和所述第二滤波电路被配置为形成50Ω负载匹配，由于采用无源器件，不会引入额外噪声以及直流偏置。
在本发明的一个实施例中，提供如图4所示的分频器芯片，其包括：衬底；以及，形成于所述衬底上的本发明实施例提供的无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路。
在一些可能的实施例中，所述的无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路采用CMOS工艺制作。此外，本发明实施例提供的分频器芯片可采用其它不同的成熟芯片制造工艺制作，此处不再赘述。
如图5～7所示，通过搭建低温测试平台，测试本发明实施例提供的参数分频器芯片在低温环境(4.9K)下的工作性能指标，包括锁定范围、输出功率。可以得到：本发明实施例提供的参数分频器芯片在低温环境(4.9K)下工作时带内噪底降低75％，带外噪底降低90％，参数分频器芯片分频锁定范围为11.9-14GHz，VCC较小时，电路工作在较低频段且输出功率更大，随着VCC的增加，电路分频范围向高频移动，输出功率减小，每个偏压下锁定范围基本保持不变。
为研制可以与量子芯片工作在相近温区的低温量子测控***，不仅需要解决量子测控***中各个电路模块在低温环境工作的性能问题，还要解决量子测控***的体积大、测控信号互连复杂度较高、室温热辐射噪声降低量子保真度、多通道信号校准和串扰、稀释制冷机功耗巨大等诸多问题。而工作在1-4K温区的低温CMOS集成电路可以减小量子测控***体积，减少常温测控信号互连要求，提高量子比特测控保真度，因此，低温CMOS集成电路可作为是实现大规模物理量子比特阵列的测控的集成化方案。
由于量子测控***包括：读取和控制***两部分，而分频器电路作为常处于高频段工作的基本模块，广泛地应用在频率综合器、正交信号生成、时钟产生、射频收发前端中。因此，在本发明的一个实施例中，还提供如图8所述的量子测控芯片10，其包括：
控制单元，用于控制量子芯片20中的量子比特；
读取单元，用于读取量子芯片20中的量子比特；
其中，所述读取单元和/或所述控制单元包括至少一个本发明实施例中提供的无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路或本发明实施例中提供的分频器芯片。
由于本发明实施例提供的无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路考虑到低温工作环境的因素，由于未使用晶体管等有源元件，无直流功耗且在低温环境下电路等效噪声将随温度降低而线性降低，避免出现低温噪声饱和现象；同时，LC谐振分频电路能够使输入的泵浦信号与输出分频信号分别形成共模和差模的两种驻波，再由输出电路抑制泵浦信号，使输出信号保持较大的幅值，并利用共模-差模转换实现前级电路共模噪声的抑制。因而，能够在低温工作环境下明显降低分频器的功耗和噪声；特别地适合量子测控应用场景。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路，其特征在于，包括：
LC谐振分频电路，被配置为对泵浦信号进行二分频，并将分频信号耦合至输出电路；
所述输出电路，被配置为对分频信号中的高次谐波进行抑制；
其中，所述LC谐振分频电路包括：多个依次设置的可变电容支路，且每条所述可变电容支路的两端分别通过一个电感与其相邻设置的前一条所述可变电容支路的两端相并联，最前设置的所述可变电容支路的两端分别用于接入输入信号，最后设置的所述可变电容支路的两端直接耦接；
所述输出电路包括：π型电阻网络、变压器、第一滤波电路以及第二滤波电路；其中，所述π型电阻网络的输入端口的两个端点分别通过一个可变电容与输出共模泵浦信号最接近波节点的一条所述可变电容支路的两端相耦接，其输出端口的两个端点分别与所述变压器的初级线圈的两端相耦接；所述变压器的次级线圈的一端与所述第一滤波电路的输入端相耦接，另一端与所述第二滤波电路的输入端耦接；所述第一滤波电路和所述第二滤波电路的输出端被配置为差分输出。
2.如权利要求1所述的一种无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路，其特征在于，所述可变电容支路包括：两个可变电容和一个相位补偿电容；其中，一个所述可变电容的一端作为所述可变电容支路的一端，另一所述可变电容的一端作为所述可变电容支路的另一端，且两个所述可变电容的另一端共同耦接于所述相位补偿电容的一端；所述相位补偿电容的另一端接地。
3.如权利要求2所述的一种无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路，其特征在于，所述可变电容采用可变电容二极管；且在所述可变电容支路中，所述可变电容二极管的受控端共同耦合于直流偏压输入端。
4.如权利要求1所述的一种无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路，其特征在于，所述变压器的初级线圈的两端及次级线圈的两端分别通过一个电容耦合接地。
5.如权利要求1所述的一种无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路，其特征在于，所述第一滤波电路和所述第二滤波电路均为LC并联滤波电路。
6.如权利要求1~5任一项所述的一种无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路，其特征在于，所述LC谐振分频电路包括：5条所述可变电容支路；且所述π型电阻网络的输入端口的两个端点分别通过一个可变电容与第四条所述可变电容支路的两端相耦接。
7.如权利要求1~5任一项所述的一种无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路，其特征在于，所述变压器分别与所述第一滤波电路电路和所述第二滤波电路被配置为形成50Ω负载匹配。
8.一种分频器芯片，其特征在于，包括：
衬底；以及，形成于所述衬底上的如权利要求1~7任一项所述的无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路。
9.如权利要求8所述的分频器芯片，其特征在于，所述的无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路采用CMOS工艺制作。
10.一种量子测控芯片，其特征在于，包括：
控制单元，用于控制量子芯片中的量子比特；
读取单元，用于读取量子芯片中的量子比特；
其中，所述读取单元和/或所述控制单元包括至少一个如权利要求1~7任一项所述的无直流功耗的低温低噪声参数分频器电路或如权利要求8或9所述的分频器芯片。
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Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1389425A (en) * 1971-10-29 1975-04-03 Int Standard Electric Corp Frequency divider device with a switchable division ratio
US5192875A (en) * 1991-11-04 1993-03-09 Motorola, Inc. Analog frequency divider utilizing two amplifiers and a LC resonant circuit
JPH10223369A (ja) * 1997-02-05 1998-08-21 Citizen Electron Co Ltd Ｅｌ駆動回路
US6104622A (en) * 1997-04-30 2000-08-15 Fidelix Y.K. Power supply apparatus for reduction of power consumption
CN200962589Y (zh) * 2006-11-02 2007-10-17 熊猫电子集团有限公司 超小型频率合成器
CN104105308A (zh) * 2013-04-15 2014-10-15 梅玉刚 双全桥注入锁相功率合成高压钠灯
CN104502755A (zh) * 2014-12-15 2015-04-08 北京航空航天大学 一种高斯偶脉冲大电流高功率宽频带信号线注入耦合网络及构建方法
CN204697026U (zh) * 2015-04-03 2015-10-07 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 滤除网络信号杂讯的滤波电路
CN109194103A (zh) * 2018-11-21 2019-01-11 西安埃克森电源有限公司 一种变频电源输入谐波抑制方法
CN109560774A (zh) * 2018-11-28 2019-04-02 电子科技大学 一种能在不同频段实现不同分频比功能的注入锁定分频器
CN113783538A (zh) * 2021-09-13 2021-12-10 东南大学 一种cmos低噪声放大器
CN113965197A (zh) * 2021-10-15 2022-01-21 黎耀呀 一种rtr分频方法及电路
CN113965166A (zh) * 2021-10-27 2022-01-21 东南大学 一种小型化宽带二倍频器

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8570076B2 (en) * 2010-07-01 2013-10-29 Qualcomm Incorporated Parallel path frequency divider circuit

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1389425A (en) * 1971-10-29 1975-04-03 Int Standard Electric Corp Frequency divider device with a switchable division ratio
US5192875A (en) * 1991-11-04 1993-03-09 Motorola, Inc. Analog frequency divider utilizing two amplifiers and a LC resonant circuit
JPH10223369A (ja) * 1997-02-05 1998-08-21 Citizen Electron Co Ltd Ｅｌ駆動回路
US6104622A (en) * 1997-04-30 2000-08-15 Fidelix Y.K. Power supply apparatus for reduction of power consumption
CN200962589Y (zh) * 2006-11-02 2007-10-17 熊猫电子集团有限公司 超小型频率合成器
CN104105308A (zh) * 2013-04-15 2014-10-15 梅玉刚 双全桥注入锁相功率合成高压钠灯
CN104502755A (zh) * 2014-12-15 2015-04-08 北京航空航天大学 一种高斯偶脉冲大电流高功率宽频带信号线注入耦合网络及构建方法
CN204697026U (zh) * 2015-04-03 2015-10-07 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 滤除网络信号杂讯的滤波电路
CN109194103A (zh) * 2018-11-21 2019-01-11 西安埃克森电源有限公司 一种变频电源输入谐波抑制方法
CN109560774A (zh) * 2018-11-28 2019-04-02 电子科技大学 一种能在不同频段实现不同分频比功能的注入锁定分频器
CN113783538A (zh) * 2021-09-13 2021-12-10 东南大学 一种cmos低噪声放大器
CN113965197A (zh) * 2021-10-15 2022-01-21 黎耀呀 一种rtr分频方法及电路
CN113965166A (zh) * 2021-10-27 2022-01-21 东南大学 一种小型化宽带二倍频器

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Distributed Parametric Resonator: A Passive CMOS Frequency Divider;Wooram Lee;《IEEE Journal of Solid-State Circuits 》;20100823;1834-1844 *
基于硅基工艺的220GHz压控振荡器和注锁分频器设计;蔡运城;《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》;20210215;I135-724 *

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