CN115579311A - 混酸激活状态的控制方法、装置、计算机设备及存储介质 - Google Patents

混酸激活状态的控制方法、装置、计算机设备及存储介质 Download PDF

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CN115579311A CN202211533941.2A CN202211533941A CN115579311A CN 115579311 A CN115579311 A CN 115579311A CN 202211533941 A CN202211533941 A CN 202211533941A CN 115579311 A CN115579311 A CN 115579311A
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Abstract

本申请涉及一种混酸激活状态的控制方法、装置、计算机设备及存储介质。混酸激活状态的控制方法包括：混酸包括氢氟酸、硝酸和醋酸，方法包括：获取混酸桶中混酸处于刻蚀状态时混酸中氢氟酸的浓度；其中，刻蚀状态包括混酸处于激活状态时对待刻蚀器件进行刻蚀的状态；在浓度低于预设阈值时，控制混酸桶排出预设体积的混酸，并向混酸桶中注入新混酸，以使混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内。相较于常规在刻蚀回合结束后更换全部的混酸而需要重新进行激活混酸的方式，本申请的换酸方式可以维持混酸激活状态，不需要在每个刻蚀回合结束后重新激活混酸，且不会出现混酸中各个酸的浓度突高和突低的情况，可以降低过刻或者蚀刻不足等异常的发生。

Description

混酸激活状态的控制方法、装置、计算机设备及存储介质
技术领域
本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种混酸激活状态的控制方法、装置、计算机设备及存储介质。
背景技术
随着半导体工艺技术的发展，半导体器件的尺寸越来越小，因此需要从各方面实现尺寸的减缩，对于晶圆则需要进行减薄，在晶圆减薄过程中涉及到刻蚀工艺，其中，采用刻蚀工艺中的湿法腐蚀工艺减薄晶圆时，需要使混酸等刻蚀液处于激活状态，因此湿法腐蚀工艺中用到的混酸等刻蚀液的激活状态的稳定性在减薄晶圆的过程中格外重要。
常规晶圆减薄的湿法腐蚀过程是在每个刻蚀回合结束后，通过人工设置更换全部的混酸，在下一回合刻蚀开始时，需要使用控片重新激活混酸，以使混酸达到激活状态才能进行晶圆减薄，成本高且占用较多工艺时间。
发明内容
基于此，有必要针对上述问题提供一种混酸激活状态的控制方法、装置、计算机设备及存储介质。
为了实现上述目的，一方面，本申请提供了一种混酸激活状态的控制方法，所述混酸包括氢氟酸、硝酸和醋酸，所述方法包括：
获取混酸桶中混酸处于刻蚀状态时所述混酸中氢氟酸的浓度；其中，所述刻蚀状态包括所述混酸处于激活状态时对待刻蚀器件进行刻蚀的状态；
在所述浓度低于预设阈值时，控制所述混酸桶排出预设体积的所述混酸，并向所述混酸桶中注入新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内。
在其中一个实施例中，所述获取混酸桶中混酸处于刻蚀状态时所述混酸中氢氟酸的浓度，包括：
获取处于刻蚀状态时所述混酸的特征参数，所述特征参数用于表征所述混酸中氢氟酸的浓度；其中，所述特征参数包括颜色特征、电导率特征和离子浓度特征中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述向所述混酸桶中注入新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内，包括：
向所述混酸桶中注入所述预设体积的新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内；其中，所述预设范围为所述新混酸中氢氟酸的浓度的82%~95%。
在其中一个实施例中，所述预设阈值为4.5%~5.5%。
在其中一个实施例中，所述新混酸中氢氟酸的浓度为7.5%~8.5%。
在其中一个实施例中，所述预设体积为初始体积的3/5~7/10。
第二方面，本申请还提供一种混酸激活状态的控制装置，包括：
刻蚀机，所述刻蚀机内设置有机械臂，所述机械臂用于取放待刻蚀器件；
混酸桶，位于所述刻蚀机内，用于容置混酸，所述混酸包括氢氟酸、硝酸和醋酸；
采集装置，与所述混酸桶连接，用于采集所述混酸桶中混酸处于刻蚀状态时所述混酸中氢氟酸的浓度；其中，所述刻蚀状态包括所述混酸处于激活状态时对待刻蚀器件进行刻蚀的状态；
主控装置，与所述混酸桶及所述采集装置连接，用于获取所述混酸中氢氟酸的浓度，并在所述浓度低于预设阈值时，控制所述混酸桶排出预设体积的所述混酸，并向所述混酸桶中注入新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内。
上述混酸激活状态的控制装置，采用采集装置在混酸处于刻蚀状态时采集混酸中氢氟酸的浓度，并通过主控装置在浓度低于预设阈值时控制混酸桶排出预设体积混酸，相较于常规的在刻蚀回合结束后更换全部的混酸而需要重新进行激活混酸的方式，本申请的换酸方式可以节省混酸成本，且在节省混酸成本的同时可以维持混酸激活状态，不需要在每个刻蚀回合结束后重新激活混酸；并且控制混酸桶排出预设体积的混酸和向混酸桶中注入新混酸，以使混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内，且使得混酸中硝酸和醋酸的浓度也可以一直维持在需要的浓度水平，不会出现混酸中各个酸的浓度出现突高和突低的情况，以降低过刻或者蚀刻不足等异常的发生，减少基于此刻蚀过程而制备的半导体器件出现性能异常的情况。
第三方面，本申请还提供一种混酸激活状态的控制装置，包括：
获取模块，用于获取混酸处于刻蚀状态时混酸中氢氟酸的浓度；所述刻蚀状态包括所述混酸处于激活状态时对待刻蚀器件进行刻蚀的状态；
控制模块，与所述获取模块连接，用于在所述浓度低于预设阈值时，控制混酸桶排出预设体积的所述混酸，并向所述混酸桶注入新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内。
第四方面，本申请还提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现如上所述的方法的步骤。
第五方面，本申请还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上所述的方法的步骤。
上述混酸激活状态的控制方法、装置、计算机设备及可读存储介质，在混酸处于刻蚀状态时获取混酸中氢氟酸的浓度，并在浓度低于预设阈值时更换部分体积混酸，相较于常规的在刻蚀回合结束后更换全部的混酸而需要重新进行激活混酸的方式，本申请的换酸方式可以节省混酸成本，且在节省混酸成本的同时可以维持混酸激活状态，不需要在每个刻蚀回合结束后重新激活混酸；并且控制混酸桶排出预设体积的混酸，向混酸桶中注入新混酸，以使混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内，且使得混酸中硝酸和醋酸的浓度也可以一直维持在需要的浓度水平，不会出现混酸中各个酸的浓度出现突高和突低的情况，以降低过刻或者蚀刻不足等异常的发生，减少基于此刻蚀过程而制备的半导体器件出现性能异常的情况。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为一实施例中提供的混酸激活状态的控制方法的流程图；
图2为一实施例中提供的维持混酸激活状态的过程示意图；
图3为一实施例中提供的混酸激活状态的控制装置的结构示意图；
图4为一实施例中提供的混酸激活状态的控制装置的结构框图；
图5为一实施例中提供的计算机设备的内部结构图。
附图标记说明：
1-混酸桶；11-进酸口；12-出酸口；100-刻蚀机；101-机械臂；102-待刻蚀器件；2-混酸；20-初始混酸；21-旧混酸；22-新混酸；23-混合后的混酸；3-采集装置；4-主控装置；401-获取模块；402-控制模块。
具体实施方式
为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白，当术语“组成”和/或“包括”在该说明书中使用时，可以确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。同时，在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
随着半导体工艺技术的发展，半导体器件的尺寸越来越小，因此需要从各方面实现尺寸的减缩，对于晶圆则需要进行减薄，在晶圆减薄过程中涉及到刻蚀工艺，其中，采用刻蚀工艺中的湿法腐蚀工艺减薄晶圆时，需要使混酸等刻蚀液处于激活状态，因此湿法腐蚀工艺中用到的混酸等刻蚀液的激活状态的稳定性在减薄晶圆的过程中格外重要。
常规晶圆减薄的湿法腐蚀过程是在每个刻蚀回合结束后，通过人工设置更换全部的混酸，在下一回合刻蚀开始时，需要使用控片重新激活混酸，以使混酸达到激活状态才能进行晶圆减薄，且在每个刻蚀回合的中后期，混酸中氢氟酸的浓度下降至较低的浓度，导致混酸的腐蚀效果变差。
基于此，有必要针对上述问题提供一种混酸激活状态的控制方法、装置、计算机设备、存储介质及计算机程序产品。
如图1所示，本申请提供了一种混酸激活状态的控制方法，混酸包括氢氟酸、硝酸和醋酸，混酸激活状态的控制方法包括如下S101至S102步骤。
S101：获取混酸桶中混酸处于刻蚀状态时混酸中氢氟酸的浓度；其中，刻蚀状态包括混酸处于激活状态时对待刻蚀器件进行刻蚀的状态。
示例性的，混酸可以包括HNA混酸；待刻蚀器件可以包括背照式传感器；对待刻蚀器件进行刻蚀可以是指对待刻蚀器件的晶圆基底进行减薄，晶圆主要成分包括P+-Si（P型掺杂硅）；混酸中包括氢氟酸、硝酸和醋酸，所以混酸与晶圆反应的中间产物中含有NO2（二氧化氮）气体，NO2是影响混酸刻蚀速率的关键中间产物，且随着NO2的含量逐渐升高，混酸对晶圆的刻蚀速率逐渐增加；由于初始混酸对晶圆的刻蚀非常缓慢，接近于没有刻蚀，因此需要利用预设控片对混酸进行激活，使得混酸可以对晶圆进行正常刻蚀；因此混酸处于激活状态可以理解为：已有晶圆或预设控片与混酸反应过，在混酸桶内产生了足够的NO2，使混酸处于NO2气氛中而具备一定的对待刻蚀器件刻蚀的能力。
可以理解为，对混酸的激活过程，是将预设控片或晶圆放入初始混酸中，初始混酸中氢氟酸的浓度可以为7.5%~8.5%，预设控片或晶圆作为催化剂，促进混酸中的硝酸分解，反应过程用化学式表示为：
Figure 727163DEST_PATH_IMAGE001
（1）
其中，HNO3表示硝酸，NO2表示二氧化氮，H2O表示水，O2表示氧气。
示例性地，预设控片包括但不限于高P型掺杂晶圆（P+ wafer）、低P型掺杂晶圆（P-wafer），其中，可以将高P型掺杂晶圆的电导率设置为小于0.01Ωm，低P型掺杂量晶圆的电导率范围设置在9Ωm～11Ωm。
基于上述公式（1）可知，混酸中的硝酸分解产生了二氧化氮，因此，刻蚀液中包括二氧化氮；在一些示例中，混酸刻蚀晶圆主要涉及以下化学反应过程：
（1）硝酸中的NO2在阴极位被还原，从而产生自由空穴，反应过程如下式：
Figure 666300DEST_PATH_IMAGE002
（2）
其中，h+表示自由空穴；
（2）晶圆在阳极位点被提升到更高的氧化态，其中，阳极位点以空穴的形式提供正电荷，反应过程如下式：
Figure 396359DEST_PATH_IMAGE003
（3）
其中，Si0表示初始态硅，Si2+表示硅离子；
（3）Si2+与OH-（氢氧根离子）结合生成SiO2（二氧化硅），反应过程如下式：
Figure 455451DEST_PATH_IMAGE004
（4）
其中，Si(OH)2表示氢氧化硅，H2O表示水；
（4）SiO2溶解在HF（氢氟酸）中，反应过程如下式：
Figure 714394DEST_PATH_IMAGE005
（5）
其中，H2SiF6表示氟硅酸。
S102：在浓度低于预设阈值时，控制混酸桶排出预设体积的混酸，并向混酸桶中注入新混酸，以使混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内。
其中，预设阈值是根据实际刻蚀需求设定的氢氟酸的浓度最低值，可以理解为，在混酸刻蚀器件的过程中，氢氟酸的浓度逐渐降低，在混酸桶中氢氟酸的浓度降低到预设阈值时，便需要排出预设体积的反应后的混酸，以及加入一定体积的新混酸，新混酸可以是前述提到的初始混酸，新混酸中氢氟酸的浓度高于预设阈值，由于混酸桶内还留有一定体积的先前反应后的混酸，所以混酸桶内还留有一些NO2，因此加入新混酸后获得的混合后的混酸仍处于激活状态，混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内，以保证在维持混酸激活状态的同时，有足够的氢氟酸以供刻蚀所用。
示例性的，换酸过程示意图可以参阅图2，混酸桶1设置有进酸口11和出酸口12，在混酸桶1中注入初始体积的初始混酸20，初始混酸20经过与晶圆反应后逐渐变为旧混酸21，在氢氟酸浓度低于预设阈值时，经过出酸口12排出预设体积的旧混酸21，并经过进酸口11注入新混酸22，以得到混合后的混酸23；重复循环上述在氢氟酸浓度低于预设阈值时，排出预设体积的旧混酸21，并注入新混酸22，以得到混合后的混酸23的过程，以保持混酸持续处于激活状态。
进一步地，待刻蚀器件可以成批放入混酸桶1进行刻蚀，譬如可以按照lot进行设置，每个lot中待刻蚀器件的数量为20~30片，每次放入1个lot的待刻蚀器件，刻蚀完成之后将该lot的器件取出传入下一道制程的工艺设备中。
上述实施例中的混酸激活状态的控制方法，在混酸处于刻蚀状态时获取混酸中氢氟酸的浓度，并在浓度低于预设阈值时更换部分体积混酸，相较于常规的在刻蚀回合结束后更换全部的混酸而需要重新进行激活混酸的方式，本申请的换酸方式可以节省混酸成本，且在节省混酸成本的同时可以维持混酸激活状态，不需要在每个刻蚀回合结束后重新激活混酸；并且控制混酸桶排出预设体积的混酸，向混酸桶中注入新混酸，以使混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内，且使得混酸中硝酸和醋酸的浓度也可以一直维持在需要的浓度水平，不会出现混酸中各个酸的浓度出现突高和突低的情况，以降低过刻或者蚀刻不足等异常的发生，减少基于此刻蚀过程而制备的半导体器件出现性能异常的情况。
在其中一个实施例中，获取混酸桶中混酸处于刻蚀状态时混酸中氢氟酸的浓度，可以包括：获取处于刻蚀状态时混酸的特征参数，特征参数用于表征混酸中氢氟酸的浓度；其中，特征参数包括颜色特征、电导率特征和离子浓度特征中的至少一种。
其中，可以利用分光计采集混酸与晶圆反应后溶液的颜色，从而获取特征参数。具体的，可以通过分光计测量光的波长获取反应液的颜色信息。在实际应用中，可以将分光计安装在混酸桶中，通过分光计检测混酸桶中的反应液颜色。
离子浓度特征可以包括氟离子的浓度，具体的，可以通过监控混酸桶中混酸与晶圆反应后溶液中的氟离子浓度来直观获取氢氟酸的浓度。在实际工艺环境中，可以将测得的氟离子浓度通过曲线或者数值直接显示在终端设备的显示器上。
上述实施例中，通过精确的测试方式获取混酸桶中混酸处于刻蚀状态时混酸中氢氟酸的浓度，可以得到比较准确的氢氟酸的浓度值，以便及时基于浓度值判断是否需要进行换酸等操作。
在其中一个实施例中，向混酸桶中注入新混酸，以使混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内，可以包括：向混酸桶中注入预设体积的新混酸，以使混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内；其中，预设范围为新混酸中氢氟酸的浓度的82%~95%。
其中，预设范围对应的浓度可以是7 %~8%，可以理解为，排出预设体积的混酸并加入新混酸后，得到的混合后的混酸中氢氟酸的浓度为7 %~8%，即向混酸桶中注入新混酸后，当前混酸桶中氢氟酸的浓度为7 %~8%。
进一步地，预设范围对应的浓度可以是7 %、7.5 %或8%；预设范围对应的浓度也可以是其他位于7 %~8%之间的浓度，不受例举所限制。
需要说明的是，预设范围是根据初始混酸、预设体积以及实际需求对应设置的，可以根据初始混酸的浓度、预设体积以及实际工艺需求等计算得到，前述例举的具体数值范围仅是为了便于理解而进行的示例，并不用于限制方案的保护范围。
在其中一个实施例中，预设阈值为4.5%~5.5%。
其中，预设阈值为4.5%~5.5%，可以理解为，在混酸桶中氢氟酸的浓度降低至4.5%~5.5%时，需要控制混酸桶排出预设体积的混酸，并向混酸桶中注入新混酸，以维持足够浓度的氢氟酸，供刻蚀所用。
示例性的，预设阈值可以是4.5%、5%或5.5%，也可以是其他位于4.5%~5.5%之间的浓度，不受例举所限制。
其中，初始混酸中氢氟酸的浓度7.5%~8.5%，随着混酸与待刻蚀器件的反应的进行，氢氟酸的浓度会逐渐降低，因此需要设定预设阈值进行卡控，以保证混酸的腐蚀速率一直能处于需求的腐蚀速率范围内。
在其中一个实施例中，新混酸中氢氟酸的浓度为7.5%~8.5%。
其中，新混酸可以是初始混酸，新混酸中氢氟酸的浓度可以为7.5%~8.5%，将新混酸加入混酸桶中与之前剩余的旧混酸混合，以提升整体混酸的浓度，由于初始混酸包括氢氟酸、硝酸和醋酸，因此NO2的浓度不会被降低，整体混酸仍可以一直处于激活状态，也可以维持所需的腐蚀速率。
示例性的，新混酸中氢氟酸的浓度可以为7.5%、8%或8%，也可以是其他位于7 %~8%之间的浓度，不受例举所限制。
在其中一个实施例中，预设体积为初始体积的3/5~7/10。
其中，预设体积为初始体积的3/5~7/10，可以理解为，在监测到混酸桶中氢氟酸的浓度降低至预设阈值时，排出3/5~7/10体积的旧混酸；将初始体积设为L，则排出的体积为3/5L~7/10L。
示例性的，预设体积可以是初始体积的3/5、2/3或7/10，也可以是其他位于3/5~7/10的初始体积范围之间的体积，不受例举所限制。
在一个实施例中，注入的新混酸的体积可以为预设体积。
可以理解为，在监测到混酸桶中氢氟酸的浓度降低至预设阈值时，排出预设体积的旧混酸，并加入预设体积的新混酸，以维持总体积不变。
为方便理解，可以采用预设体积为初始体积的2/3来描述方案的实施，初始体积设为L，预设体积为2/3L，则在混酸桶中氢氟酸的浓度降低至预设阈值时，排出2/3L的旧混酸，并注入2/3L的新混酸，这样获得的混合后的混酸的整体体积仍然保持为L，以便下一次监测到混酸桶中氢氟酸的浓度降低至预设阈值时仍然进行相同体积混酸的排出和注入，可以实现循环换酸，维持混酸长久处于激活状态；需要说明的是，此处例举的预设体积为初始体积的2/3是为便于理解方案而进行具体的数值描述，并不用于限制本申请的方案保护范围。
应该理解的是，虽然图1的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图1中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
本申请还提供一种混酸激活状态的控制装置，如图3所示，混酸激活状态的控制装置包括：刻蚀机100、混酸桶1、采集装置3及主控装置4；刻蚀机100内设置有机械臂101，机械臂101用于取放待刻蚀器件102；混酸桶1位于刻蚀机100内，用于容置混酸2，混酸2包括氢氟酸、硝酸和醋酸；采集装置3与混酸桶1连接，用于采集混酸桶1中混酸2处于刻蚀状态时混酸2中氢氟酸的浓度；其中，刻蚀状态包括混酸2处于激活状态时对待刻蚀器件进行刻蚀的状态；主控装置4与混酸桶1及采集装置3连接，用于获取混酸2中氢氟酸的浓度，并在浓度低于预设阈值时，控制混酸桶1排出预设体积的混酸，并向混酸桶1中注入新混酸，以使混酸桶1中氢氟酸的浓度维持在预设范围内。
其中，仍参阅图3，混酸桶1设置有进酸口11和出酸口12，在混酸桶1中注入初始体积的初始混酸，初始混酸经过与晶圆反应后逐渐变为旧混酸，在氢氟酸浓度低于预设阈值时，经过出酸口12排出预设体积的旧混酸，并经过进酸口11注入新混酸，以得到混合后的混酸；重复循环上述在氢氟酸浓度低于预设阈值时，排出预设体积的旧混酸，并注入新混酸，以得到混合后的混酸的过程，以保持混酸持续处于激活状态。
上述实施例中的混酸激活状态的控制装置，采用采集装置3在混酸2处于刻蚀状态时采集混酸2中氢氟酸的浓度，并通过主控装置4在浓度低于预设阈值时控制混酸桶1排出预设体积混酸2，相较于常规的在刻蚀回合结束后更换全部的混酸而需要重新进行激活混酸的方式，本申请的换酸方式可以节省混酸成本，且在节省混酸成本的同时可以维持混酸激活状态，不需要在每个刻蚀回合结束后重新激活混酸；并且控制混酸桶1排出预设体积的混酸和向混酸桶中注入新混酸，以使混酸桶1中氢氟酸的浓度维持在预设范围内，且使得混酸中硝酸和醋酸的浓度也可以一直维持在需要的浓度水平，不会出现混酸中各个酸的浓度出现突高和突低的情况，以降低过刻或者蚀刻不足等异常的发生，减少基于此刻蚀过程而制备的半导体器件出现性能异常的情况。
基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的混酸激活状态的控制方法的混酸激活状态的控制装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个混酸激活状态的控制装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于混酸激活状态的控制方法的限定，在此不再赘述。
在一个实施例中，如图4所示，提供了一种混酸激活状态的控制装置，包括：获取模块401和控制模块402，其中：
获取模块401，用于获取混酸处于刻蚀状态时混酸中氢氟酸的浓度；刻蚀状态包括混酸处于激活状态时对待刻蚀器件进行刻蚀的状态。
控制模块402，与获取模块401连接，用于在浓度低于预设阈值时，控制混酸桶排出预设体积的混酸，并向混酸桶注入新混酸，以使混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内。
上述实施例中的混酸激活状态的控制装置，通过获取模块401在混酸处于刻蚀状态时采集混酸中氢氟酸的浓度，并通过控制模块402在浓度低于预设阈值时控制混酸桶排出预设体积混酸，相较于常规的在刻蚀回合结束后更换全部的混酸而需要重新进行激活混酸的方式，本申请的换酸方式可以节省混酸成本，且在节省混酸成本的同时可以维持混酸激活状态，不需要在每个刻蚀回合结束后重新激活混酸；并且控制混酸桶排出预设体积的混酸和向混酸桶中注入新混酸，以使混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内，且使得混酸中硝酸和醋酸的浓度也可以一直维持在需要的浓度水平，不会出现混酸中各个酸的浓度出现突高和突低的情况，以降低过刻或者蚀刻不足等异常的发生，减少基于此刻蚀过程而制备的半导体器件出现性能异常的情况。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端，其内部结构图可以如图5所示。该计算机设备包括处理器、存储器、输入/输出接口、通信接口、显示单元和输入装置。其中，处理器、存储器和输入/输出接口通过***总线连接，通信接口、显示单元和输入装置通过输入/输出接口连接到***总线。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质和内存储器。该非易失性存储介质存储有操作***和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作***和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的输入/输出接口用于处理器与外部设备之间交换信息。该计算机设备的通信接口用于与外部的终端进行有线或无线方式的通信，无线方式可通过WIFI、移动蜂窝网络、NFC（近场通信）或其他技术实现。该计算机程序被处理器执行时以实现一种混酸激活状态的控制方法。该计算机设备的显示单元用于形成视觉可见的画面，可以是显示屏、投影装置或虚拟现实成像装置。显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。
本领域技术人员可以理解，图5中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的电子设备的限定，具体的电子设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现以下步骤：
获取混酸桶中混酸处于刻蚀状态时所述混酸中氢氟酸的浓度；其中，所述刻蚀状态包括所述混酸处于激活状态时对待刻蚀器件进行刻蚀的状态；
在所述浓度低于预设阈值时，控制所述混酸桶排出预设体积的所述混酸，并向所述混酸桶中注入新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内。
在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
获取混酸桶中混酸处于刻蚀状态时所述混酸中氢氟酸的浓度；其中，所述刻蚀状态包括所述混酸处于激活状态时对待刻蚀器件进行刻蚀的状态；
在所述浓度低于预设阈值时，控制所述混酸桶排出预设体积的所述混酸，并向所述混酸桶中注入新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内。
在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如下步骤：
获取混酸桶中混酸处于刻蚀状态时所述混酸中氢氟酸的浓度；其中，所述刻蚀状态包括所述混酸处于激活状态时对待刻蚀器件进行刻蚀的状态；
在所述浓度低于预设阈值时，控制所述混酸桶排出预设体积的所述混酸，并向所述混酸桶中注入新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器（Read-OnlyMemory，ROM）、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器（ReRAM）、磁变存储器（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）、铁电存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）、相变存储器（Phase Change Memory，PCM）、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）或动态随机存取存储器（Dynamic RandomAccess Memory，DRAM）等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本申请所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种混酸激活状态的控制方法，所述混酸包括氢氟酸、硝酸和醋酸，其特征在于，所述方法包括：
获取混酸桶中混酸处于刻蚀状态时所述混酸中氢氟酸的浓度；其中，所述刻蚀状态包括所述混酸处于激活状态时对待刻蚀器件进行刻蚀的状态；
在所述浓度低于预设阈值时，控制所述混酸桶排出预设体积的所述混酸，并向所述混酸桶中注入新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内。
2.根据权利要求1所述的混酸激活状态的控制方法，其特征在于，所述获取混酸桶中混酸处于刻蚀状态时所述混酸中氢氟酸的浓度，包括：
获取处于刻蚀状态时所述混酸的特征参数，所述特征参数用于表征所述混酸中氢氟酸的浓度；其中，所述特征参数包括颜色特征、电导率特征和离子浓度特征中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的混酸激活状态的控制方法，其特征在于，所述向所述混酸桶中注入新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内，包括：
向所述混酸桶中注入所述预设体积的新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内；其中，所述预设范围为所述新混酸中氢氟酸的浓度的82%~95%。
4.根据权利要求1所述的混酸激活状态的控制方法，其特征在于，所述预设阈值为4.5%~5.5%。
5.根据权利要求1所述的混酸激活状态的控制方法，其特征在于，所述新混酸中氢氟酸的浓度为7.5%~8.5%。
6.根据权利要求1所述的混酸激活状态的控制方法，其特征在于，所述预设体积为初始体积的3/5~7/10。
7.一种混酸激活状态的控制装置，其特征在于，包括：
刻蚀机，所述刻蚀机内设置有机械臂，所述机械臂用于取放待刻蚀器件；
混酸桶，位于所述刻蚀机内，用于容置混酸，所述混酸包括氢氟酸、硝酸和醋酸；
采集装置，与所述混酸桶连接，用于采集所述混酸桶中混酸处于刻蚀状态时所述混酸中氢氟酸的浓度；其中，所述刻蚀状态包括所述混酸处于激活状态时对待刻蚀器件进行刻蚀的状态；
主控装置，与所述混酸桶及所述采集装置连接，用于获取所述混酸中氢氟酸的浓度，并在所述浓度低于预设阈值时，控制所述混酸桶排出预设体积的所述混酸，并向所述混酸桶中注入新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内。
8.一种混酸激活状态的控制装置，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取混酸处于刻蚀状态时所述混酸中氢氟酸的浓度；所述刻蚀状态包括所述混酸处于激活状态时对待刻蚀器件进行刻蚀的状态；
控制模块，与所述获取模块连接，用于在所述浓度低于预设阈值时，控制混酸桶排出预设体积的所述混酸，并向所述混酸桶注入新混酸，以使所述混酸桶中氢氟酸的浓度维持在预设范围内。
9.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的方法的步骤。
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